JP3936030B2 - 被処理体の回収方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は,被処理体の回収方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より,半導体製造工程においては,共通移載室を中心として,その周囲に各種処理室やカセット室が接続された,いわゆるクラスタ装置化されたマルチチャンバ方式の処理装置が使用されている。かかる処理装置においては,まず共通移載室内に備えられた搬送装置,例えば搬送アームにより,カセット室内に収容されたカセット内の被処理体を共通移載室内に搬送する。次いで,共通移載室内に備えられた位置決め装置によって被処理体の位置決めを行った後,搬送アームによりその被処理体を所定の処理室内に搬送する。次いで,処理室内に搬送された被処理体に対して所定の処理,例えばエッチング処理を施す。さらに,搬送アームにより,その被処理体を共通移載室内を介して他の処理室内に搬送し,その被処理体に対して所定の処理,例えば成膜処理を施す。次いで,搬送アームにより,処理が施された被処理体を処理室内から共通移載室内を介して後処理室内,例えば冷却室内に搬送し,その被処理体に対して冷却処理(後処理)を施す。次いで,搬送アームの作動により,後処理が施された被処理体を後処理室内から共通移載室内を介して,再びカセット室内のカセット内に戻す構成となっている。
【0003】
ところで,被処理体の処理中に,何らかの原因,例えば停電や強制的停止等によってその処理が停止した又は停止された場合,カセット室内のカセット内に収容されている被処理体を除いて,処理装置内の被処理体のカセット内への回収が問題となる。すなわち,上述した何らかの原因が解消した際に,例えばCVD装置により成膜処理が施された直後の被処理体を,通常の冷却処理(後処理)せずに,そのままカセット内に回収した場合には,その成膜処理によって被処理体に生じた熱により,カセットが変形したり,溶けてしまうことがある。そこで,当該装置において,上述のような処理の停止の後,再び該装置を始動させる場合には,例えば操作者の操作により,処理中や搬送中の被処理体を1枚ずつカセット内に回収していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら,上述の如く操作者が装置内の被処理体(カセット内に収容されているものを除く。)の回収を行う場合,その操作者が例えば搬送アーム上の被処理体に対してどのような処理が施されていたのか,または処理が施されていなかったのかなどという,各被処理体の各処理履歴全てを把握することは非常に困難である場合が多い。従って,例えばCVD装置が上記処理装置に含まれている場合において,操作者が被処理体の処理履歴を把握することができない場合には,その成膜処理によって生じた熱の影響を勘案し,すなわち被処理体が冷却する時間を勘案して,被処理体の回収操作をする必要が生じるため,被処理体の回収を遅らせる原因となっていた。
【0005】
また,仮に操作者が各被処理体の各処理履歴を把握できた場合でも,例えば処理室内や,後処理室内や,位置決め装置上や,搬送アーム上等に存在する各被処理体をどのようにして,またどのような順序でカセット内へ的確に,かつ迅速に回収するかは,非常に難しい問題であり,熟練した操作者の経験や勘に頼る部分が大きかった。
【0006】
本発明は,従来の被処理体の回収方法が有する上記のような問題点に鑑みてなされたものであり,処理装置の停止後,再び始動させた際に,該装置の操作者の操作を一切必要とすることなく,処理室内や搬送アーム上等に存在する被処理体を,的確かつ迅速にカセット内に回収することが可能な,新規かつ改良された被処理体の回収方法を提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は,被処理体に対して所定の処理を実施する少なくとも1つの処理室と,処理後に必要な後処理を実施する少なくとも1つの後処理室と,少なくとも1つのカセット室と,処理室と後処理室とカセット室とをゲートバルブを介して連通すると共に,少なくとも1つの被処理体の位置決め装置と少なくとも1つの被処理体の搬送装置とを備えた共通移載室と,を備えたマルチチャンバ式処理装置に適用されるものである。
そして,請求項1に記載の発明は,処理中に停止した処理装置内の被処理体を回収するにあたり,搬送装置が被処理体を保持している場合には,処理装置の停止前に記憶された被処理体の出所データを確認する工程と,出所データがカセット室又は位置決め装置である場合には,被処理体をカセット室に回収する工程と,から成ることを特徴としている。
なお,本明細書中において,出所データとは,被処理体が例えばカセット室や,位置決め装置や,処理室や,後処理室等のどこから搬送されてきたのかという情報をいうものとする。
【0008】
また,請求項2に記載の発明は,処理室と後処理室には,回収作業の際に処理室内又は後処理室内に存在する被処理体の搬送先が規定されていることを特徴としている。
【0009】
さらに,請求項3に記載の発明は,搬送先がカセット室と規定されている処理室を出所データとしてもつ被処理体は,カセット室に回収されることを特徴としている。
【0010】
さらにまた,請求項4に記載の発明は,さらに,処理室内と後処理室内との被処理体の存在の有無を確認する工程と,後処理室内に被処理体が存在する場合には,後処理室内の被処理体に対して後処理を施した後,被処理体の搬送先情報に従い,被処理体を後処理室内からカセット室に搬送する工程と,搬送先が後処理室と規定されている処理室内に被処理体が存在する場合には,被処理体を処理室内から後処理室内に搬送し,被処理体に対して後処理を施した後,被処理体を後処理室内からカセット室に搬送する工程と,搬送先がカセット室と規定されている処理室内に被処理体が存在する場合には,被処理体を処理室内からカセット室に搬送する工程と,から成ることを特徴としている。
【0011】
また,請求項5に記載の発明は,上述したマルチチャンバ式処理装置において,処理中に停止した処理装置内の被処理体を回収するにあたり,搬送装置が被処理体を保持している場合には,処理装置の停止前に記憶された被処理体の行先データを確認する工程と,行先データがカセット室又は位置決め装置である場合には,被処理体をカセット室に回収する工程と,から成ることを特徴としている。なお,本明細書中において,行先データとは,被処理体が例えば位置決め装置や,処理室や,後処理室や,カセット室等のどこへ搬送されるのかという情報をいうものとする。
【0012】
さらに,請求項6に記載の発明は,さらに,処理室内と後処理室内との被処理体の存在の有無を確認する工程と,後処理室内に被処理体が存在する場合には,後処理室内の被処理体に対して後処理を施した後,被処理体の搬送先情報に従い,被処理体を後処理室内からカセット室に搬送する工程と,搬送先が後処理室と規定されている処理室内に被処理体が存在する場合には,被処理体を処理室内から後処理室内に搬送し,被処理体に対して後処理を施した後,被処理体を後処理室内からカセット室に搬送する工程と,搬送先がカセット室と規定されている処理室内に被処理体が存在する場合には,被処理体を処理室内からカセット室に搬送する工程と,から成ることを特徴としている。
【0013】
また,請求項7に記載の発明は,上述したマルチチャンバ式処理装置において,処理中に停止した処理装置内の被処理体を回収するにあたり,搬送装置が被処理体を保持していない場合には,処理室内と後処理室内との被処理体の存在の有無を確認する工程と,後処理室内に被処理体が存在する場合には,後処理室内の被処理体に対して後処理を施した後,被処理体の搬送先情報に従い,被処理体を後処理室内からカセット室に搬送する工程と,搬送先が後処理室と規定されている処理室内に被処理体が存在する場合には,被処理体を処理室内から後処理室内に搬送し,被処理体に対して後処理を施した後,被処理体を後処理室内からカセット室に搬送する工程と,搬送先がカセット室と規定されている処理室内に被処理体が存在する場合には,被処理体を処理室内からカセット室に搬送する工程と,から成ることを特徴としている。
【0014】
さらに,請求項8に記載の発明は,さらに,処理装置の停止時から再起動時までの経過時間を確認する工程と,予め設定された所定時間よりも経過時間が長い場合には,後処理が必要な被処理体も後処理室内を介さずにカセット室に回収する工程と,から成ることを特徴としている。
【0015】
さらにまた,請求項9に記載の発明は,さらに,被処理体を処理室から後処理室に搬送する前に,被処理体を保持していない搬送装置により,後処理室に処理中の被処理体が存在していないことを確認する工程から成ることを特徴としている。
【0016】
また,請求項11に記載の発明は,被処理体は,カセット室のカセットの元スロットに回収されることを特徴としている。
なお,本明細書において,元スロットとは,回収される被処理体が元々収容されていたカセット内のスロットをいうものとする。
【0017】
さらに,請求項12に記載の発明は,被処理体は,カセット室のカセットの空スロットに回収されることを特徴としている。
なお,本明細書中において,空スロットとは,カセット内の上記元スロット以外の被処理体が収容されていないスロットをいうものとする。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照しながら,本発明に係る被処理体の回収方法をクラスタツール化されたマルチチャンバ式処理装置に適用した実施の一形態について詳細に説明する。
図1には,本実施の形態を適用可能な処理装置100が図示されている。この処理装置100は,被処理体,例えば半導体ウェハ(以下,「ウェハ」と称する。)Wに対して所定の処理を連続的に施すための装置の集合体で,例えば共通移載室102を中心として,エッチング装置104と,第1CVD(成膜)装置106と,第2CVD装置108と,冷却装置(後処理装置)110と,第1カセット室112と,第2カセット室114とが,その共通移載室102の周囲に順次配置されている。また,それらエッチング装置104の処理室104a内と,第1CVD装置106の処理室106a内と,第2CVD装置108の処理室108a内と,冷却装置110の冷却室(後処理室)110a内と,第1カセット室112内と,第2カセット室114内とは,それぞれに対応するゲートバルブG1,G2,G3,G4,G5,G6を介して,各々共通移載室102内に連通するように接続される構成となっている。
【0019】
また,第1及び第2カセット室112,114は,その内部にそれぞれ複数のウェハWを同時に載置可能なカセット116(116a,116b)を収容可能なように構成されている。また,カセット116は,その内部に複数のスロットが形成されており,それら各スロット内の各々に1枚ずつ,合計で例えば25枚のウェハWを収容可能なように構成されている。また,第1及び第2カセット室112,114のカセット116の搬入出経路側には,それぞれに対応するドアバルブD1,D2が設けられている。
【0020】
また,共通移載室102内には,例えば多関節アームから成る搬送アーム118が設けられている。この搬送アーム118は,ウェハWを共通移載室102内を介して,第1カセット室112内と,第2カセット室114内と,エッチング装置104の処理室104a内と,第1CVD装置106の処理室106a内と,第2CVD装置108の処理室108a内と,冷却装置110の冷却室110a内との間で,適宜搬送可能な位置に配置されている。また,搬送アーム118には,不図示の駆動機構が接続されており,この駆動機構の作動によって搬送アーム118が適宜所定の動作を行うように構成されている。
【0021】
さらに,共通移載室102内のゲートバルブG5とゲートバルブG6との間の所定の位置には,ウェハWの位置決め装置120が配置される構成となっている。この位置決め装置120は,検出部120aと回転部120bとから構成され,回転部120b上に固定されたウェハWを回転させた後,検出部120aによって検出された情報に基づいてその回転を停止させることにより,ウェハWを搬送アーム118上に所望の配置で載置させることができるように構成されている。
【0022】
また,各処理室(後処理室を含む。)ごと,すなわち処理室104aと処理室106aと処理室108aと冷却室110aとには,それぞれウェハWを搬送する搬送先が規定されている。この搬送先情報は,後述するウェハWの回収作業時,すなわち処理装置100の再起動時に,それら処理室104a内や処理室106a内や処理室108a内や冷却室110a内からウェハWを所定の搬送先に搬送するために規定されている。さらに,ウェハWその搬送先情報に従って所定の搬送先に搬送した後,最終的には処理装置100内の全てのウェハWを第1カセット室112又は第2カセット室114内のカセット116に回収する構成となっている。
【0023】
ここで,処理室104aと処理室106aと処理室108aと冷却室110aとに対する搬送先の規定について説明すると,例えば第1CVD装置106の処理室106aと第2CVD装置108の処理室108aとの搬送先は,冷却室110aと規定され,またエッチング装置104の処理室104aの搬送先は,ウェハWを回収可能な第1カセット室112又は第2カセット室114のいずれか一方と規定されている。
【0024】
従って,ウェハWの回収作業時には,処理室104a内のウェハWは,例えば高温状態となっていないため,特に後処理である冷却処理を施すことなく迅速にカセット116に回収され,処理室106a内のウェハWと処理室108a内のウェハWとは,例えば非常に高温となっているため,後処理である冷却処理を施された後,カセット116に回収される構成となっている。その結果,例えば非常に高温のウェハWが直接カセット116内に回収されることがないため,そのカセット116が変形や破損するなどの悪影響を防止することができる。
【0025】
また,処理装置100の再起動時に,冷却装置110の冷却室110a内にウェハWが存在していた場合には,冷却室110a内のウェハWに対して冷却処理を施した後,そのウェハWをカセット116に回収する構成となっている。従って,後処理である冷却処理が施されていない,または冷却処理が不完全なウェハWが,そのままカセット116内に回収されることを防止することができる。
【0026】
次に,図2を参照しながら,処理装置100における通常の処理工程の一実施例について説明する。
(1) まず,搬送アーム118の作動により,第1カセット室112内のカセット116a内に収容されているウェハW(α1)を,共通移載室102内に配置された位置決め装置120の回転部120a上に載置した後,所定の位置決めを行う。
【0027】
(2) 次いで,搬送アーム118により,所望の状態に位置決めされたウェハW(α1)を,エッチング装置104の処理室104a内に搬送する。
(3) 次いで,その処理室104a内で,ウェハW(α1)に対して所定のエッチング処理,例えばウェハW(α1)の被処理面を所望の状態に整えるためのいわゆるライトエッチング処理を施す。この際,すなわちウェハW(α1)に対してエッチング処理を施している間に,搬送アーム118により,第2カセット室114内のカセット116b内に収容されているウェハW(β1)を位置決め装置120に搬送し,上述した如くそのウェハW(β1)の位置決めを行う。
【0028】
(4) 次いで,搬送アーム118により,エッチング処理が施されたウェハW(α1)を,処理室104a内から共通移載室102内を介して,第1CVD装置106の処理室106a内に搬送する。
(5) 次いで,その処理室106a内で,ウェハW(α1)に対して所定の成膜処理を施す。さらに,このウェハW(α1)に対して成膜処理を施している間に,搬送アーム118により,位置決めされたウェハW(β1)をエッチング装置104の処理室104a内に搬送し,そのウェハW(β1)に対して所定のエッチング処理を施す。
【0029】
(6) 次いで,ウェハW(α1),(β1)に対して各々所定の処理が施されている間に,搬送アーム118により,カセット116a内のウェハW(α2)を位置決め装置120に搬送し,そのウェハW(α2)の位置決めを行う。
(7) 次いで,搬送アーム118により,エッチング処理が施されたウェハW(β1)を,処理室104a内から共通移載室102内を介して,第2CVD装置108の処理室108a内に搬送し,そのウェハW(β1)に対して所定の成膜処理を施す。
【0030】
(8) 次いで,搬送アーム118により,位置決めされたウェハW(α2)をエッチング装置104の処理室104a内に搬送し,そのウェハW(α2)に対して所定のエッチング処理を施す。
(9) 次いで,搬送アーム118により,成膜処理が施されたウェハW(α1)を,処理室106a内から共通移載室102内を介して,冷却装置(後処理装置)110の冷却室(後処理室)110a内に搬送し,所定時間,そのウェハW(α1)の後処理,すなわち冷却(放冷)を行う。この冷却処理により,成膜処理によって高温,例えば800℃〜1000℃にまで加熱されていたウェハW(α1)の温度を,所定の温度,例えば室温(25℃)にまで下げることができる。従って,成膜処理が施されたウェハW(α1)をカセット116a内に収容した際に,成膜処理によってウェハW(α1)に生じた熱により,カセット116aが溶けたり,変形したりすることを防止することができる。
【0031】
(10) 次いで,ウェハW(α1)に対して冷却処理が施され,ウェハW(β1)に対して成膜処理が施されている間に,搬送アーム118により,カセット室114内のカセット116b内のウェハW(β2)を,位置決め装置120に搬送し,そのウェハW(β2)の位置決めを行う。
(11) 次いで,搬送アーム118により,冷却処理が施されたウェハW(α1)を,冷却室110a内から共通移載室102内を介して,再びカセット116a内の所定のスロット内に搬送する。
【0032】
(12) 次いで,搬送アーム118により,エッチング処理が施されたウェハW(α2)を,処理室104a内から共通移載室102内を介して,第1CVD装置106の処理室106a内に搬送し,そのウェハW(α2)に対して所定の成膜処理を施す。
(13) 次いで,搬送アーム118により,位置決めされたウェハW(β2)をエッチング装置104の処理室104a内に搬送し,そのウェハW(β2)に対して所定のエッチング処理を施す。
【0033】
(14) 次いで,搬送アーム118により,成膜処理が施されたウェハW(β1)を,処理室108a内から共通移載室102内を介して冷却装置110の冷却室110a内に搬送し,そのウェハW(β1)に対して冷却処理を施す。
(15) 次いで,搬送アーム118により,エッチング処理が施されたウェハW(β2)を,処理室104a内から共通移載室102内を介して,第2CVD装置108の処理室108a内に搬送し,そのウェハW(β2)に対して所定の成膜処理を施す。
【0034】
(16) 次いで,搬送アーム118により,冷却処理が施されたウェハW(β1)が,再びカセット116bの所定のスロット内に搬送される。
(17)以後,カセット116内に収容されている未処理の各ウェハWは,上述の如く搬送アーム118により,共通移載室102内を介して,順次処理室104a内,処理室106a内又は処理室108a内,冷却室110a内に搬送され,所定の処理が施された後,再びカセット116内の所定のスロット内に搬送される構成となっている。なお,上述したウェハWの搬送順序は,本発明の理解を容易にするための一実施例を挙げて説明したものであり,本発明は上記構成に限定されることなく,いかなる搬送順序であっても本発明は適用可能であることは言うまでもない。
【0035】
次に,本実施の形態に係る処理装置100に適用されるウェハWの回収方法について詳細に説明する。かかる処理装置100においては,通常上述した如く,ウェハWに対して順次処理が施される構成となっている。しかしながら,何らかの原因,例えば停電や操作者の停止操作等により,処理中に処理装置100が停止する場合がある。そして,再び処理装置100を始動させる場合には,ウェハWの回収,特に上述の如く成膜処理によって非常に高温となっているウェハWのカセット内への回収が問題となる。そこで,処理装置100にかかるウェハWの回収方法を適用し,以下に詳細に述べる如くウェハWをカセット116内に回収することにより,カセット116が溶けたり,変形することなく,的確かつ迅速にウェハWを回収することができる。
【0036】
ここで,本実施の形態に適用可能なウェハWの回収方法について,図3及び図4に示したフローチャートを参照しながら詳細に説明する。
(1) まず,上述の如く何らかの原因により処理装置100が停止した後,再び処理装置100が始動すると,かかるウェハWの回収方法に従ってウェハWのカセット116内への回収が開始される(ステップS200)。なお,搬送アーム118上のウェハWの出所データ及び行先データは,不図示の演算記憶装置によって常時記憶される構成となっている。
【0037】
(2) 次いで,ウェハWの回収先となる第1カセット室112内及び第2カセット室114内のカセット116内の各スロット内全てに,ウェハWが収容されているか確認する(ステップS202)。この各スロット内のウェハWの有無の確認は,次のようにして行われる構成となっている。すなわち,例えばカセット116内のスロット挟んで対向配置された不図示の光学センサを第1カセット室112内及び第2カセット室114内の所定の位置に配置する。そして,その光学センサを上下方向(各スロット全てについて検出可能な方向。)に移動させて,光学センサの発光部からスロット内を介して光受容部に到達する光の有無(スロット内にウェハWがある場合には,光はスロット内を透過しない。)により,ウェハWの存在の有無を検出する構成となっている。
【0038】
(3) 次いで,ステップS202において,カセット116内の各スロット内全てに,ウェハWが収容されていることが確認された場合には,ウェハWの回収を行うことができないことを例えば操作者や観察者等(以下,「操作者等」とする。)に知らせ(ステップS204),ウェハWの回収を中止する(ステップS206)。
(4) また,ステップS202において,カセット116内にウェハWが収容されていないスロットがあることが確認された場合には,さらに搬送アーム118上にウェハWが存在するかどうかを,演算記憶装置に記憶された出所データ及び行先データより判断,または搬送アーム118上のウェハWの有無を検出可能な不図示のセンサ,例えば光学センサより検出する(ステップS208)。
【0039】
(5) 次いで,ステップS208において,搬送アーム118上にウェハWが載置されていないと判断された場合には,さらに位置決め装置120上にウェハWが存在するかを,位置決め装置120の検出部120aを構成するセンサ,例えば光学センサにより検出して判断する(ステップS210)。
(6) 次いで,ステップS210において,位置決め装置120上にウェハWが存在すると判断された場合には,位置決め装置120上のウェハWをカセット116内の元スロット内又は空スロット内に回収し(ステップS212),後述するステップS230を行う。
(7) また,ステップS210において,位置決め装置120上にウェハWが存在しないと判断された場合には,次いで後述するステップS230を行う。
【0040】
(8) 一方,ステップS208において,搬送アーム118上にウェハWが載置されていると判断された場合には,さらに演算記憶装置により,そのウェハWの出所データが第1カセット室112又は第2カセット室114又は位置決め装置120であるかを確認する(ステップS216)。
(9) 次いで,ステップS216において,搬送アーム118上のウェハWの出所データが,第1カセット室112又は第2カセット室114又は位置決め装置120であると判断された場合には,そのウェハWを第1カセット室112内又は第2カセット室114内のカセット116内の元スロット内又は空スロット内に回収する(ステップS218)。
(10) 次いで,上述したステップS210,さらに必要に応じて上記ステップS212を行った後,後述するステップS230を行う。
【0041】
(11) また,ステップS216において,搬送アーム118上のウェハWの出所データが,第1カセット室112又は第2カセット室114又は位置決め装置120ではないと判断された場合,すなわちその出所データが処理室104a又は処理室106a又は処理室108a又は冷却室110aのいずれかであると判断された場合には,上述した如く規定されている回収作業時のウェハWの搬送先が第1カセット室112又は第2カセット室114であるか,すなわちエッチング装置104の処理室104a又は冷却装置110の処理室110aで規定された搬送先であるかを確認する(ステップS219)。
(12) 次いで,ステップS219において,ウェハWの搬送先が第1カセット室112又は第2カセット室114であると判断された場合には,上述したステップS218を行い,搬送アーム118上のウェハWを第1カセット室112内又は第2カセット室114内のカセット116内の元スロット内又は空スロット内に回収する。
(13) また,ステップS219において,ウェハWの搬送先が第1カセット室112又は第2カセット室114ではないと判断された場合には,さらに演算制御器により,そのウェハWの行先データが第1カセット室112又は第2カセット室114又は位置決め装置120であるかどうかを確認する(ステップS220)。
(14) 次いで,ステップS220において,搬送アーム118上のウェハWの行先データが第1カセット室112又は第2カセット室114又は位置決め装置120あることが確認された場合には,上述したステップS218,ステップS210,さらに必要に応じてステップS212を行った後,後述するステップS230を行う。
【0042】
(15) また,ステップS220において,搬送アーム118上のウェハWの行先データが第1カセット室112又は第2カセット室114又は位置決め装置120でないことが確認された場合,すなわち行先データが処理室104a又は処理室106a又は処理室108a又は冷却室110aのいずれかである場合には,行先データの示す処理室104a内又は処理室106a内又は処理室108a内又は冷却室110a内にウェハWが存在するかを確認する(ステップS222)。
このウェハWの有無の確認は,例えば当該装置100の停止前に記憶されていた行先データの示す処理室内のウェハWの有無情報に基づいて行われる構成となっている。なお,搬送アーム118に検出手段,例えばセンサを取り付け,そのセンサによってウェハWの有無を確認する構成としても良いことは言うまでもない。
(16) 次いで,ステップS222において,行先データの示す処理室104a内又は処理室106a内又は処理室108a内又は冷却室110a内にウェハWが存在することが確認された場合には,搬送アーム118上のウェハWをそれら処理室104a内又は処理室106a内又は処理室108a内又は冷却室110a内に搬送できないことを操作者等に知らせた後(ステップS224),ウェハWの回収を中止する(ステップS226)。
【0043】
(17) また,ステップS222において,行先データの示す処理室104a内又は処理室106a内又は処理室108a内又は冷却室110a内にウェハWが存在しないことが確認された場合には,搬送アーム118上のウェハWを搬送先である処理室104a内又は処理室106a内又は処理室108a内又は冷却室110a内に搬送する(ステップS228)。
(18) 次いで,各処理室内,すなわち処理室104a内と,処理室106a内と,処理室108a内と,冷却室110a内とのウェハWの有無を確認し,ウェハWが存在する処理室104a,処理室106a,処理室108a,冷却室110aで,そのウェハWに対して所定の処理を行う(ステップS230)。
(19) 次いで,冷却室110a内にウェハWが存在する場合には,優先的にその冷却室110a内のウェハWを搬送先である第1カセット室112内又は第2カセット室114内のカセット112に回収した後,ウェハWが存在する処理室104aや処理室106aや処理室108aからのウェハWの回収作業を行う(ステップS232)。
このウェハWの回収作業は,上述した如く各処理室(後処理室を含む。)ごと,すなわち処理室104aと処理室106aと処理室108aと冷却室110aとのそれぞれに規定されているウェハWの搬送先情報に基づいて行われる構成となっている。そして,それら処理室104a内又は処理室106a内又は処理室108a内又は冷却室110a内のウェハWは,搬送アーム118の作動によって所定の搬送先に搬送された後,最終的には処理装置100内の全てのウェハWが第1カセット室112又は第2カセット室114内のカセット116に回収される構成となっている。なお,処理室104a又は処理室106a又は処理室108aからウェハWを回収する際には,後処理としてさらに除電処理をウェハWに施す構成としても良いことは言うまでもない。
【0044】
(20) 次いで,処理装置100内のウェハWが第1カセット室112又は第2カセット室114内のカセット116に回収されるまで,上述したステップS230とステップS232とを順次繰り返し(ステップS234),処理装置100内のウェハWがカセット116内に全て回収されると,ウェハWの回収作業を終了する(ステップS236)。
【0045】
本実施の形態に係る処理装置100に適用されるウェハWの回収方法は,以上のように構成されている。従って,処理中に処理装置100が停止し,再び処理装置を始動させた場合でも,カセット116内のウェハWを除く処理装置100内の処理中及び搬送中の各ウェハWを所望の状態でカセット116内に回収することができる。特に,第1CVD装置106又は第2CVD装置108で成膜処理が施され,非常に高温となっているウェハW,および搬送アーム118上の成膜処理直後の非常に高温となっているウェハWをカセット116内に回収する場合でも,上述の如く必ず所定の冷却処理されたのち,カセット116内に搬送される構成となっている。従って,それら非常に高温となっているウェハWをカセット116内に回収する場合でも,そのカセット116が変形したり,溶けたりすることがない。
【0046】
なお,処理装置100の停止時から再起動時までの経過時間が予め設定された所定時間よりも長い場合には,処理室106a内,処理室108a内のウェハWは,上述した後処理である冷却処理が施されることなく,直接第1カセット室112内又は第2カセット室114内のカセット116に回収される構成となっている。すなわち,処理装置100が所定時間よりも長く停止していた場合には,処理室106a内や処理室108a内のウェハWの温度が低下するため,そのウェハWに対して後処理である冷却処理を施す必要がない。従って,処理装置100の停止時から再起動時までの経過時間を,例えば不図示の記憶装置により記憶しておき,その経過時間が所定の時間を経過していた場合には,上述のような後処理をウェハWに施す工程を経ることなく,ウェハWをカセット116に回収する構成となっている。
【0047】
以上,本発明の好適な実施の一形態について,添付図面を参照しながら説明したが,本発明はかかる構成に限定されない。特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇において,当業者であれば,各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり,それら変更例及び修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【0048】
例えば,上記実施の形態において,ウェハの回収時に成膜処理によって非常に高温となったウェハを冷却処理(後処理)した後,カセット内の元スロット内又は空スロット内に回収した例を挙げて説明したが,本発明はかかる構成に限定されるものではない。すなわち,本発明は,処理装置の停止後,再び該装置を始動した際に,その装置内に存在する被処理体に対して後処理室にて後処理を施した後でなければ,その被処理体をカセット室内に回収できない場合全てに適用することができる。また,本発明は,例えば人体に有害なガスや大気汚染の原因ガス等を使用して,被処理体に対して所定の処理を施す処理装置を含むマルチチャンバ式処理装置に対しても適用することができる。
【0049】
また,上記実施の形態において,共通移載室に2つのカセット室,エッチング装置の処理室,2つのCVD装置の処理室,冷却装置の冷却室を接続したマルチチャンバ式処理装置を例に挙げて説明したが,本発明はかかる構成に限定されるものではなく,少なくとも1つの処理室と,少なくとも1つの後処理室と,少なくとも1つのカセット室と,少なくとも1つの位置決め装置と少なくとも1つの被処理体の搬送装置とを備えた共通移載室とを備えたマルチチャンバ式処理装置であれば,いかなる装置であっても本発明を適用することができる。
【0050】
さらに,上記実施の形態において,ウェハに対して順次エッチング処理,成膜処理,冷却処理(後処理)を施す例を挙げて説明したが,本発明はかかる構成に限定されるものではなく,被処理体としては例えばLCD用ガラス基板を使用することができ,また少なくとも被処理体に対して後処理が必要となる所定の処理を施した後,所定の後処理を施す処理工程を有する処理装置であれば,本発明を適用することができる。
【0051】
【発明の効果】
本発明によれば,マルチチャンバ式処理装置において処理中に停止した該装置を再び始動させた場合に,後処理が必要な被処理体は,所定の後処理を施した後カセット室内のカセット内に回収し,後処理の必要がない被処理体は,後処理を施すことなくそのままカセット内に回収することができる。その結果,後処理が必要な被処理体に対して確実に後処理が施された後,その被処理体がカセット内に回収されるため,例えばカセットに悪影響が及ぶことがない。また,後処理が不要な被処理体は,そのままカセット内に回収することができるため,かかる装置内の各被処理体の回収を迅速に行うことができる。さらに,処理中の被処理体の出所データと行先データとが常時記憶されているため,正確な被処理体の回収を行うことができる。さらにまた,被処理体は,カセットの元スロット内のみ成らず,空スロット内にも回収されるため,被処理体の回収をさらに迅速に行うことができ,短時間で通常の処理工程に復帰することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用可能なマルチチャンバ式処理装置を示した概略的な説明図である。
【図2】図1に示した処理装置における通常の処理工程を説明するための概略的な説明図である。
【図3】図1に示した処理装置におけるウェハの回収方法を説明するための概略的な説明図である。
【図4】図1に示した処理装置におけるウェハの回収方法を説明するための概略的な説明図である。
【符号の説明】
100 処理装置
102 共通移載室
104 エッチング装置
106 第1CVD装置
108 第2CVD装置
110 冷却装置
112 第1カセット室
114 第2カセット室
116 カセット
118 搬送アーム
120 位置決め装置
G1〜G6 ゲートバルブ
W ウェハ
Claims (11)
- 被処理体に対して所定の処理を実施する少なくとも1つの処理室と;前記処理後に必要な後処理を実施する少なくとも1つの後処理室と;少なくとも1つのカセット室と;前記処理室と前記後処理室と前記カセット室とをゲートバルブを介して連通すると共に,少なくとも1つの前記被処理体の位置決め装置と少なくとも1つの前記被処理体の搬送装置とを備えた共通移載室と;を備えたマルチチャンバ式処理装置において,処理中に停止した前記処理装置内の前記被処理体を回収するにあたり:
前記搬送装置が前記被処理体を保持している場合には,前記処理装置の停止前に記憶された前記被処理体の出所データを確認する工程と;
前記出所データが前記カセット室又は前記位置決め装置である場合には,前記被処理体を前記カセット室に回収する工程と;
から成ることを特徴とする,被処理体の回収方法。 - 前記処理室と前記後処理室には,回収作業の際に前記処理室内又は前記後処理室内に存在する前記被処理体の搬送先が規定されていることを特徴とする,請求項1に記載の被処理体の回収方法。
- 前記搬送先が前記カセット室と規定されている前記処理室を出所データとしてもつ前記被処理体は,前記カセット室に回収されることを特徴とする,請求項2に記載の被処理体の回収方法。
- さらに,前記処理室内と前記後処理室内との前記被処理体の存在の有無を確認する工程と;
前記後処理室内に前記被処理体が存在する場合には,前記後処理室内の前記被処理体に対して前記後処理を施した後,前記被処理体の搬送先情報に従い,前記被処理体を前記後処理室内から前記カセット室に搬送する工程と;
前記搬送先が前記後処理室と規定されている前記処理室内に前記被処理体が存在する場合には,前記被処理体を前記処理室内から前記後処理室内に搬送し,前記被処理体に対して前記後処理を施した後,前記被処理体を前記後処理室内から前記カセット室に搬送する工程と;
前記搬送先が前記カセット室と規定されている前記処理室内に前記被処理体が存在する場合には,前記被処理体を前記処理室内から前記カセット室に搬送する工程と;
から成ることを特徴とする,請求項1,2又は3のいずれかに記載の被処理体の回収方法。 - 被処理体に対して所定の処理を実施する少なくとも1つの処理室と;前記処理後に必要な後処理を実施する少なくとも1つの後処理室と;少なくとも1つのカセット室と;前記処理室と前記後処理室と前記カセット室とをゲートバルブを介して連通すると共に,少なくとも1つの前記被処理体の位置決め装置と少なくとも1つの前記被処理体の搬送装置とを備えた共通移載室と;を備えたマルチチャンバ式処理装置において,処理中に停止した前記処理装置内の前記被処理体を回収するにあたり:
前記搬送装置が前記被処理体を保持している場合には,前記処理装置の停止前に記憶された前記被処理体の行先データを確認する工程と;
前記行先データが前記カセット室又は前記位置決め装置である場合には,前記被処理体を前記カセット室に回収する工程と;
から成ることを特徴とする,被処理体の回収方法。 - さらに,前記処理室内と前記後処理室内との前記被処理体の存在の有無を確認する工程と;
前記後処理室内に前記被処理体が存在する場合には,前記後処理室内の前記被処理体に対して前記後処理を施した後,前記被処理体の搬送先情報に従い,前記被処理体を前記後処理室内から前記カセット室に搬送する工程と;
前記搬送先が前記後処理室と規定されている前記処理室内に前記被処理体が存在する場合には,前記被処理体を前記処理室内から前記後処理室内に搬送し,前記被処理体に対して前記後処理を施した後,前記被処理体を前記後処理室内から前記カセット室に搬送する工程と;
前記搬送先が前記カセット室と規定されている前記処理室内に前記被処理体が存在する場合には,前記被処理体を前記処理室内から前記カセット室に搬送する工程と;
から成ることを特徴とする,請求項5に記載の被処理体の回収方法。 - 被処理体に対して所定の処理を実施する少なくとも1つの処理室と;前記処理後に必要な後処理を実施する少なくとも1つの後処理室と;少なくとも1つのカセット室と;前記処理室と前記後処理室と前記カセット室とをゲートバルブを介して連通すると共に,少なくとも1つの前記被処理体の位置決め装置と少なくとも1つの前記被処理体の搬送装置とを備えた共通移載室と;を備えたマルチチャンバ式処理装置において,処理中に停止した前記処理装置内の前記被処理体を回収するにあたり:
前記搬送装置が前記被処理体を保持していない場合には,前記処理室内と前記後処理室内との前記被処理体の存在の有無を確認する工程と;
前記後処理室内に前記被処理体が存在する場合には,前記後処理室内の前記被処理体に対して前記後処理を施した後,前記被処理体の搬送先情報に従い,前記被処理体を前記後処理室内から前記カセット室に搬送する工程と;
前記搬送先が前記後処理室と規定されている前記処理室内に前記被処理体が存在する場合には,前記被処理体を前記処理室内から前記後処理室内に搬送し,前記被処理体に対して前記後処理を施した後,前記被処理体を前記後処理室内から前記カセット室に搬送する工程と;
前記搬送先が前記カセット室と規定されている前記処理室内に前記被処理体が存在する場合には,前記被処理体を前記処理室内から前記カセット室に搬送する工程と;
から成ることを特徴とする,被処理体の回収方法。 - さらに,前記処理装置の停止時から再起動時までの経過時間を確認する工程と;
予め設定された所定時間よりも前記経過時間が長い場合には,後処理が必要な前記被処理体も前記後処理室内を介さずに前記カセット室に回収する工程と;
から成ることを特徴とする,請求項1,3,4,5,6又は7のいずれかに記載の被処理体の回収方法。 - さらに,前記被処理体を前記処理室から前記後処理室に搬送する前に,前記被処理体を保持していない前記搬送装置により,前記後処理室に処理中の前記被処理体が存在していないことを確認する工程から成ることを特徴とする,請求項4,6又は7のいずれかに記載の被処理体の回収方法。
- 前記被処理体は,前記カセット室のカセットの元スロットに回収されることを特徴とする,請求項1,3,4,5,6,7又は8のいずれかに記載の被処理体の回収方法。
- 前記被処理体は,前記カセット室のカセットの空スロットに回収されることを特徴とする,請求項1,3,4,5,6,7又は8のいずれかに記載の被処理体の回収方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18173197A JP3936030B2 (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | 被処理体の回収方法 |
US09/099,784 US6162010A (en) | 1997-06-23 | 1998-06-19 | Method for recovering object to be treated after interruption |
TW087109993A TW375764B (en) | 1997-06-23 | 1998-06-22 | Method for recovering object to be treated |
KR10-1998-0023602A KR100376206B1 (ko) | 1997-06-23 | 1998-06-23 | 피처리체의회수방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18173197A JP3936030B2 (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | 被処理体の回収方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1116986A JPH1116986A (ja) | 1999-01-22 |
JP3936030B2 true JP3936030B2 (ja) | 2007-06-27 |
Family
ID=16105908
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18173197A Expired - Fee Related JP3936030B2 (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | 被処理体の回収方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6162010A (ja) |
JP (1) | JP3936030B2 (ja) |
KR (1) | KR100376206B1 (ja) |
TW (1) | TW375764B (ja) |
Families Citing this family (16)
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---|---|---|---|---|
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TWI828245B (zh) * | 2021-11-19 | 2024-01-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於減少基板冷卻時間的設備及方法 |
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-
1997
- 1997-06-23 JP JP18173197A patent/JP3936030B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-06-19 US US09/099,784 patent/US6162010A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-22 TW TW087109993A patent/TW375764B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-06-23 KR KR10-1998-0023602A patent/KR100376206B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6162010A (en) | 2000-12-19 |
KR19990007230A (ko) | 1999-01-25 |
TW375764B (en) | 1999-12-01 |
JPH1116986A (ja) | 1999-01-22 |
KR100376206B1 (ko) | 2003-06-09 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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