TWI382482B - A substrate processing apparatus, and a substrate processing apparatus - Google Patents

A substrate processing apparatus, and a substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
TWI382482B
TWI382482B TW095102491A TW95102491A TWI382482B TW I382482 B TWI382482 B TW I382482B TW 095102491 A TW095102491 A TW 095102491A TW 95102491 A TW95102491 A TW 95102491A TW I382482 B TWI382482 B TW I382482B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
processing
substrate
processed
chamber
wafer
Prior art date
Application number
TW095102491A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200636899A (en
Inventor
Noriaki Shimizu
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW200636899A publication Critical patent/TW200636899A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI382482B publication Critical patent/TWI382482B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B60—VEHICLES IN GENERAL
    • B60B—VEHICLE WHEELS; CASTORS; AXLES FOR WHEELS OR CASTORS; INCREASING WHEEL ADHESION
    • B60B17/00—Wheels characterised by rail-engaging elements
    • B60B17/0006—Construction of wheel bodies, e.g. disc wheels
    • B60B17/0013—Construction of wheel bodies, e.g. disc wheels formed by two or more axially spaced discs
    • B60B17/0017—Construction of wheel bodies, e.g. disc wheels formed by two or more axially spaced discs with insonorisation means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B60—VEHICLES IN GENERAL
    • B60B—VEHICLE WHEELS; CASTORS; AXLES FOR WHEELS OR CASTORS; INCREASING WHEEL ADHESION
    • B60B17/00—Wheels characterised by rail-engaging elements
    • B60B17/0006—Construction of wheel bodies, e.g. disc wheels
    • B60B17/0024—Construction of wheel bodies, e.g. disc wheels with noise reducing means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B61—RAILWAYS
    • B61F—RAIL VEHICLE SUSPENSIONS, e.g. UNDERFRAMES, BOGIES OR ARRANGEMENTS OF WHEEL AXLES; RAIL VEHICLES FOR USE ON TRACKS OF DIFFERENT WIDTH; PREVENTING DERAILING OF RAIL VEHICLES; WHEEL GUARDS, OBSTRUCTION REMOVERS OR THE LIKE FOR RAIL VEHICLES
    • B61F13/00—Rail vehicles characterised by wheel arrangements, not otherwise provided for
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B60—VEHICLES IN GENERAL
    • B60B—VEHICLE WHEELS; CASTORS; AXLES FOR WHEELS OR CASTORS; INCREASING WHEEL ADHESION
    • B60B2900/00—Purpose of invention
    • B60B2900/10—Reduction of
    • B60B2900/133—Noise

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

基板處理裝置之復原處理方法，基板處理裝置，程式
本發明乃有關對例如半導體晶圓、液晶基板等的被處理基板施以特定之處理的基板處理裝置由於產生異常而停止作業之際的基板處理裝置之復原處理方法，基板處理裝置，程式。
此種基板處理裝置，一般具備對被處理基板例如半導體晶圓(以下，也簡稱「晶圓」)進行特定之處理之具有複數個處理室的處理單元，和在該處理單元例如經由裝載鎖定室而連接的搬送單元。
例如若為群集工具(cluster tool)型的基板處理裝置，上述處理單元乃於一般形成矩形的共通搬送室之周圍氣密連接上述複數個處理室及裝載鎖定室所構成。於共通搬送室內設有以搬送臂等所構成的處理單元側搬送機構，藉由該處理單元側搬送機構在複數個處理室及裝載鎖定室之間進行晶圓的搬入/搬出。就連搬送單元，也設有以搬送臂等所構成的搬送單元側搬送機構，藉由該搬送單元側搬送機構，在收容有晶圓的卡匣容器(基板收納容器)與上述裝載鎖定室之間進行晶圓的搬入/搬出。
於此種基板處理裝置，對收納於基板收納容器例如卡匣容器的晶圓施以特定之處理時，先於搬送單元中，藉由搬送單元側搬送機構從卡匣容器搬出未處理晶圓。從卡匣 容器被搬出的未處理晶圓，在往裝載鎖定室被搬入之前，會往設於搬送單元的定位裝置(例如定方位器、預校準台)被搬入而定位。被定位的未處理晶圓，從定位裝置被搬出並往裝載鎖定室被搬入。
往裝載鎖定室被搬入的未處理晶圓，藉由處理單元側搬送機構從裝載鎖定室被搬出，往處理室被搬入並施以特定之處理。在處理室完成處理的處理完成晶圓，藉由處理單元側搬送機構從處理室被搬出，返回裝載鎖定室。返回裝載鎖定室的處理完成晶圓，藉由搬送單元側搬送機構返回到卡匣容器。
為了在此種基板處理裝置的各處理室提昇處理的生產量，因希望讓未處理晶圓儘量接近處理室而待機，故連在處理室進行處理的期間都是由卡匣容器一次次搬出未處理晶圓，使該等之晶圓在共通搬送室、裝載鎖定室、定位裝置等待機。而且，在處理室完成一枚晶圓之處理的話，處理完成晶圓直接往卡匣容器收容，依序搬送上述各待機中的未處理晶圓而將下一個未處理晶圓直接往處理室搬入。
可是，此種基板處理裝置，於作業中，其基板處理裝置若發生故障、停電、漏電等之異常，會造成前述基板處理裝置斷電等而緊急停止作業。此時，例如在處理室內所處理的晶圓，其處理在中途被中斷，殘留在處理室內。又，待機於搬送單元內、共通搬送室內、裝載鎖定室內等之各室內的晶圓也依然殘留在各室內。甚至在各室內施行真空吸引等之壓力控制時，因基板處理裝置的作業停止， 壓力控制也會停止，故亦有例如異物和塵埃會由排氣側逆流，或者因晶圓的處理讓附著物等之顆粒浮遊之虞。
以往，如此一來基板處理裝置因異常發生停止時，其異常解除後，操作員去除殘留在基板處理裝置之各室內的晶圓，並且以手作業進行搬送單元、處理室、共通搬送室、裝載鎖定室等之各室內的清洗，藉此使基板處理裝置的狀態復原。
〔專利文獻1〕日本特開平11-330185號公報
如上述，基板處理裝置緊急停止時，以往以操作員的手作業進行基板處理裝置之復原作業的緣故，有作業麻煩和浪費時間的問題。而且，對於在處理室內處理被中斷的晶圓，基於記憶例如晶圓之蝕刻狀態等的日誌等，對該晶圓判斷其後進行哪種剩餘處理的緣故(例如參照日本專利文獻1)，晶圓之補救處理也很花時間和麻煩，並且操作員需要經驗和知識。
這點，因基板處理裝置之異常發生作業被停止時，在異常解除後的電源投入時，令上述各搬送機構動作將殘留在搬送單元、處理室、共通搬送室、裝載鎖定室等之各室內的所有晶圓自動性地回收到原來的卡匣容器，針對所回收的晶圓指派操作員的處理。但是如此的裝置，雖然能節省回收晶圓的麻煩，但有關被回收的晶圓之剩餘處理，與 上述情形同樣地，操作員而要經驗和知識的緣故，其判斷不容易，晶圓的補救處理也依然殘留著花時間和麻煩的問題。
進而，如上述基板處理裝置產生異常時，殘留在該基板處理裝置內的晶圓全部自動性地回數到原來的卡匣容器，不拘限基板處理裝置作業停止之際的晶圓之處理階段，殘留在基板處理裝置內的晶圓全部往卡匣容器回收，所有的晶圓被曝露在大氣中。可是，像是在複數個處理室需要連續處理的晶圓往下一個處理室搬送的途中，殘留在共通搬送室內時、在某一處理室內於製程處理之中途處理被中斷而殘留在該處理室內時等，因晶圓的處理階段，在該階段被曝露在大氣中的話，會有不能補救晶圓的情形。例如像是聚系的製程處理等，因在途中被中斷的處理，無法對其晶圓進行剩餘處理(例如追加蝕刻處理等)，就不能補救晶圓。
於是，本發明為有鑑於此種問題所發明，其目的在於提供一種基板處理裝置作業中由於產生異常而停止作業之際，能節省其基板處理裝置之復原處理的時間和麻煩，再者因基板處理裝置產生異常而停止作業之際，藉由對殘留在基板處理裝置內的被處理基板進行正確的補救處理，能儘量補救許多被處理基板的基板處理裝置之復原處理方法、基板處理裝置、程式。
為解決上述課題，若根據本發明的某一觀點，提供一在由至少包括用來處理從基板收納容器被搬送的被處理基板之處理室的複數個室所形成的基板處理裝置，由於該基板處理裝置作業中產生異常而停止作業之際，其異常解除後使前述基板處理裝置之狀態復原的基板處理裝置之復原處理方法，其特徵為具有：對殘留在前述基板處理裝置之各室內的前述被處理基板，進行對應於至前述作業停止為止所被實行之處理的階段的基板補救處理，而使前述被處理基板往前述基板收納容器被回收的基板回收工程；和使前述基板處理裝置之各室內的狀態復原的裝置內狀態復原工程之基板處理裝置的復原處理方法。
若根據此種本發明，因在基板處理裝置作業中產生異常而停止作業之際，能使基板處理裝置之狀態復原的處理，即殘留在基板處理裝置內的被處理基板之回收與使基板處理裝置內之狀態復原的處理以自動進行。藉此，比起以往操作員以手動進行復原處理，更能大幅節省復原處理的時間與麻煩。又，對殘留在基板處理裝置內的被處理基板，進行對應實行到由於基板處理裝置的異常而停止作業時的處理階段的正確補救處理，藉此能儘量補救許多被處理基板。
又，上述方法之基板補救處理也可為構成具有：例如檢測殘留在前述基板處理裝置內的前述被處理基板的基板檢測工程；和針對藉由前述基板檢測工程所檢測的被處理基板，檢測至前述作業停止為止所被實行之處理的階段的 處理階段檢測工程；和對藉由前述基板檢測工程所檢測的被處理基板，實行對應藉由前述處理階段檢測工程所檢測的處理階段的基板補救處理的基板補救工程。
此時，上述基板補救工程係，在例如藉由前述基板檢測工程在前述處理室內檢測被處理基板，藉由前述處理階段檢測工程檢測出其被處理基板的處理階段為在該處理室之剩餘處理的處理途中階段時，在該處理室內對該被處理基板實行剩餘的處理。若藉此，殘留在基板處理裝置內的晶圓，例如像是在處理室內的處理於途中被中斷的狀態所剩餘的處理途中階段時，除對該被處理基板實行在該處理室的剩餘之處理外，會回收到基板收納容器。藉此，在處理室內於處理途中階段的被處理基板，不像以往照樣被回收而曝露在大氣中的緣故，能補救該被處理基板。
又，上述基板處理裝置係具備，在其基板處理裝置作業中，用於記憶被處理基板之處理履歷資訊的記憶手段，前述基板補救工程係，藉由前述基板檢測工程在前述處理室內檢測被處理基板，且藉由前述處理階段檢測工程檢測出其被處理基板的處理階段為在該處理室之剩餘處理的處理途中階段時，依據記憶於前述記憶手段的被處理基板之處理履歷資訊而設定該被處理基板的剩餘處理時間，僅該剩餘處理時間對該被處理基板實行剩餘的處理亦可。如此一來，依據被處理基板的處理履歷資訊而設定被處理基板的剩餘處理時間，藉此對該被處理基板設定最佳的剩餘處理時間，就能正確地進行被處理基板的補救。
又，上述基板處理裝置係具備，檢測前述被處理基板的處理狀態而進行缺陷檢查的缺陷檢查室，前述基板補救工程在藉由前述基板檢測工程在前述處理室內檢測被處理基板，且藉由前述處理階段檢測工程檢測出該被處理基板的處理階段為在該處理室之剩餘處理的處理途中階段時，將該被處理基板往前述缺陷檢查室搬送，依據於該缺陷檢查室所檢測的被處理基板的處理狀態而設定該被處理基板的剩餘處理時間，僅該剩餘處理時間對該被處理基板實行剩餘的處理亦可。如此一來，依據在缺陷檢查室所檢測的被處理基板的處理狀態而設定被處理基板的剩餘處理時間，藉此能設定對應該被處理基板之實際的處理狀況的剩餘處理時間，能更正確地進行被處理基板的補救。
又，上述基板補救工程係，藉由前述基板檢測工程檢測出從某一處理室往其他處理室被搬送之途中的被處理基板，且藉由前述處理階段檢測工程檢測出該被處理基板的處理階段為在其他處理室之剩餘需要處理的處理未完成階段時，對該被處理基板實行在剩餘之處理室的處理亦可。若藉此，由於殘留在基板處理裝置內的晶圓，例如結束在某一處理室的處理，但在其他處理室剩餘需要處理，故處於未完成所需全部的處理的處理未完成階段時，除對該被處理基板實施在剩餘的其他處理室的處理外，會回收到基板收納容器。藉此，處於處理未完成階段的被處理基板，不像以往照樣被回收而曝露在大氣中的緣故，能補救該被處理基板。
又，上述基板補救工程係，藉由前述基板檢測工程在某一室內檢測被處理基板，且藉由前述處理階段檢測工程檢測出該被處理基板的處理階段為未處理階段或是處理完成階段時，該被處理基板往述基板收納容器回收亦可。有關處於未處理階段或是處理完成階段的被處理基板，就連依然往基板收納容器回收而曝露在大氣中都沒有問題。如此一來，進行對應被處理基板之處理階段的補救處理，藉此就能儘量補救殘留在基板處理裝置內的被處理基板。
又，在上述裝置內狀態復原工程，前述基板處理裝置之各室係具備，至少可導入沖洗(purge)氣體的氣體導入系統；和藉由真空吸引及大氣開放之可壓力調整的排氣系統；例如實施前述基板處理裝置之各室內的清洗處理亦可。例如上述基板處理裝置之前述處理單元以及前述搬送單元之各室係具備，至少可導入沖洗氣體的氣體導入系統；和藉由真空吸引及大氣開放之可壓力調整的排氣系統；前述清洗處理乃例如在基板處理裝置之各室內藉由前述氣體導入系統照樣導入沖洗氣體(例如N2和非活性氣體等)，且藉由前述排氣系統特定次數重複真空吸引與大氣開放的處理亦可。若藉此，就可除去浮遊於基板處理裝置之各室內的顆粒(例如附著物、塵埃、異物等)。又，重複真空吸引與大氣開放，藉此附著於各室之壁面和配置在各室內的零件等的顆粒也會剝離而強制性地使其浮遊，故該等也會除去。
進而，具有檢測回收於上述基板收納容器的被處理基 板是否為未處理階段，若檢測出為未處理階段，即對該被處理基板實行再處理的再處理工程亦可。如此一來，處於未處理階段的被處理基板之再處理工程，因暫時回收到基板收納容器之後進行，故於裝置內狀態復原工程後進行也可。藉此，處於未處理階段的被處理基板之處理就能與基板處理裝置之復原前同樣地進行。
又，上述基板處理裝置係具備顆粒測定室，上述基板回收工程係，搬送到前述顆粒測定室，在該顆粒測定室使前述被處理基板回收到前述基板收納容器之前，施行前述被處理基板上之顆粒量的測定，其測定結果關係到前述被處理基板而記憶於記憶手段亦可。藉此，有關實行復原處理的被處理基板，可依據顆粒量的測定結果而判斷是否為可再處理的被處理基板。
為解決上述課題，若根據本發明之別的觀點提供一針對具備：由至少包括處理被處理基板之複數個處理室的複數個室所形成的處理單元；和具有連接於前述處理單元，在與收納前述被處理基板的基板收納容器之間進行前述被處理基板之交遞的搬送室的搬送單元；和設於前述搬送單元內，使前述被處理基板搬入/搬出於前述處理單元的搬送單元側搬送機構；和設於前述處理單元內，使前述被處理基板搬入/搬出於前述處理室的處理單元側搬送機構的基板處理裝置，由於在該基板處理裝置作業中產生異常而停止作業之際，其異常解除後使前述基板處理裝置之狀態的基板處理裝置之復原處理方法，其特徵為具有：對殘留 在前述基板處理裝置之前述處理單元內及/或前述搬送單元內的前述被處理基板進行對應實行到前述作業停止時之處理的階段的基板補救處理，而使前述被處理基板藉由前述處理單元側搬送機構及/或前述搬送單元側搬送機構往前述基板收納容器回收的基板回收工程；和使前述基板處理裝置之前述處理單元內及前述搬送單元內之狀態復原的裝置內狀態復原工程的基板處理裝置之復原處理方法。
此時，上述基板回收工程係，對殘留在前述處理單元內的被處理基板，檢測該被處理基板之處理階段是否為對該被處理基板剩餘需要處理的處理階段，剩餘需要處理的處理階段時，實行剩餘的處理，並藉由前述處理單元側搬送機構及前述搬送單元側搬送機構而往前述基板收納容器回收，沒有剩餘需要處理的處理階段時，藉由前述處理單元側搬送機構及前述搬送單元側搬送機構而實行往前述基板收納容器回收的處理單元內基板補救處理，對殘留在前述搬送單元內的被處理基板，藉由前述搬送單元側疲送機構而實行往前述基板收納容器回收的搬送單元內基板補救處理亦可。
若根據此種本發明，由於在基板處理裝置作業中產生異常而停止作業之際，能使基板處理裝置之狀態復原的處理，即處理單元內及/或前述搬送單元內的被處理基板之回收與使處理單元內及/或前述搬送單元內之狀態復原的處理以自動進行。藉此，比起以往操作員以手動進行復原處理，更能大幅節省復原處理的時間與麻煩。又，藉由進 行對應像是處理單元內、搬送單元內殘留有被處理基板之場所的補救處理，就能進行對應被處理基板之處理階段的正確補救處理。藉此就能儘量補救許多被處理基板。
又，上述基板處理裝置係具備，在其基板處理裝置作業中，用於記憶被處理基板之處理履歷資訊的記憶手段，前述處理單元內基板補救處理係，依據記憶於前述記憶手段之被處理基板的處理履歷資訊，而檢測殘留在前述處理單元內的被處理基板之處理階段是否為在其被處理基板需要處理的處理階段，依據其檢測結果而實施剩餘之處理亦可，又，上述基板處理裝置係具備，檢測前述被處理基板的處理狀態而進行缺陷檢查的缺陷檢查室；前述處理單元內基板補救處理係，依據於前述缺陷檢查室所檢測的被處理基板的處理狀態，而檢測殘留在前述處理單元內的被處理基板的處理階段是否為在其被處理基板剩餘需要處理的處理階段，依據其檢測結果實行剩餘的處理亦可。如此一來，依據被處理基板的處理履歷資訊或是在缺陷檢查室的檢查結果而實行被處理基板之剩餘的處理，藉此對其被處理基板設定最佳的剩餘處理時間，就能正確進行被處理基板的補救。
又，在上述裝置內狀態復原工程，也可實行例如前述基板處理裝置的前述處理單元內及前述搬送單元內之各室的清洗處理。例如上述基板處理裝置之前述處理單元以及前述搬送單元之各室係具備，至少可導入沖洗氣體的氣體導入系統；和藉由真空吸引及大氣開放之可壓力調整的排 氣系統；前述清洗處理乃對前述處理單元及前述搬送單元之各室內導入沖洗氣體，就這樣的重複特定次數之真空吸引與大氣開放的處理亦可。進而，具有檢測回收於上述基板收納容器的被處理基板是否為未處理階段，若檢測出為未處理階段，即對該被處理基板實行再處理的再處理工程亦可。又，上述基板處理裝置係具備顆粒測定室，上述基板回收工程係，前述被處理基板回收到前述基板收納容器之前，搬送到前述顆粒測定室，在該顆粒測定室使施行前述被處理基板上之顆粒量的測定，其測定結果關係到前述被處理基板而記憶於記憶手段亦可。
為解決上述課題，若根據本發明之別的觀點提供一針對具備：在與收納被處理基板的基板收納容器之間具有進行前述被處理基板之交遞的搬送室的搬送單元；和具有於周圍連接處理前述被處理基板的複數個處理室的共通搬送室以及連接該共通搬送室與前述搬送單元的搬送室的裝載鎖定室的處理單元；和設於前述搬送單元的搬送室內，使前述被處理基板搬入/搬出於前述裝載鎖定室的搬送單元側搬送機構；和設於前述處理單元之共通搬送室內，使前述被處理基板在前述裝載鎖定室與前述各處理室的各室間搬入/搬出的處理單元側搬送機構的基板處理裝置，由於在其基板處理裝置作業中產生異常而停止作業之際，於該異常解除後，使前述基板處理裝置之狀態復原的基板處理裝置之復原處理方法，其特徵為具有：對殘留在前述基板處理裝置的前述處理單元及/或前述搬送單元的各室內的 前述被處理基板，進行對應實行到前述作業停止時之處理的階段的基板補救處理，並使前述被處理基板藉由前述處理單元側搬送機構及/或前述搬送單元側搬送機構往前述基板收納容器回收的基板回收工程；和使前述基板處理裝置之各室內的狀態的裝置內狀態復原工程的基板處理裝置之復原處理方法。
此時，前述基板回收工程係，在前述搬送單元內檢測被處理基板的話，即實行往前述基板收納容器回收的搬送單元內基板補救處理，在前述裝載鎖定室內檢測被處理基板的話，除了進行其裝載鎖定室內的排氣處理外，實行往基板收納容器回收該被處理基板的裝載鎖定室內基板補救處理，在前述共通搬送室內檢測被處理基板的話，判斷其被處理基板的處理階段是否為處理未完成階段，若為處理未完成階段，除在剩餘的處理室進行處理外，並往前述基板收納容器回收，若不是處理未完成階段即實行往前述基板收納容器回收的共通搬送室內基板補救處理，在前述處理室內檢測被處理基板的話，判斷該被處理基板的處理階段是否為處理途中階段，若為處理途中階段，除了在該處理室實行剩餘的處理外，往前述基板收納容器回收，若不是處理途中階段，即實行往前述基板收納容器回收的處理室內基板補救處理亦可。
若根據此種本發明，由於在基板處理裝置作業中產生異常而停止作業之際，能使基板處理裝置之狀態復原的處理，即處理單元內及/或前述搬送單元之各室內的被處理 基板之回收與使處理單元及/或前述搬送單元之各室內之狀態復原的處理以自動進行。藉此，比起以往操作員以手動進行復原處理，更能大幅節省復原處理的時間與麻煩。又，藉由進行對應像是搬送單元內基板補救處理、裝載鎖定室內基板補救處理、共通搬送室內基板補救處理、處理室內基板補救處理殘留有被處理基板之場所的補救處理，就能進行對應被處理基板之處理階段的正確補救處理。藉此就能儘量補救許多被處理基板。
又，上述基板處理裝置係具備，在其基板處理裝置作業中，用於記憶被處理基板之處理履歷資訊的記憶手段，前述處理室內基板補救處理在判斷前述處理室內之被處理基板的處理階段為處理途中階段時，依據記憶於前述記憶手段之被處理基板的處理履歷資訊而設定該被處理基板的剩餘處理時間，僅該剩餘處理時間對該被處理基板實行剩餘的處理亦可，又，上述基板處理裝置係具備，檢測前述被處理基板的處理狀態而進行缺陷檢查的缺陷檢查室，前述處理室內基板補救處理係，在判斷前述處理室內之被處理基板的處理階段為處理途中階段時，將該被處理基板往前述缺陷檢查室搬送，依據在其缺陷檢查室所檢測的被處理基板的處理狀態而設定該被處理基板的剩餘處理時間，僅該剩餘處理時間對該被處理基板實行剩餘的處理亦可。如此一來，依據被處理基板的處理履歷資訊或是因缺陷檢查室的檢查結果而設定被處理基板的剩餘處理時間，藉此對該被處理基板設定最佳的剩餘處理時間，就能正確地進 行被處理基板的補救。
又，在上述裝置內狀態復原工程，也可實行前述基板處理裝置的前述處理單元內及前述搬送單元之各室的清洗處理。又，上述基板處理裝置之前述處理單元以及前述搬送單元之各室係具備，至少可導入沖洗氣體的氣體導入系統；和藉由真空吸引及大氣開放之可壓力調整的排氣系統；前述清洗處理乃對前述處理單元及前述搬送單元之各室內，藉由前述氣體導入系統導入沖洗氣體，就這樣藉由前述排氣系統重複特定次數的真空吸引與大氣開放的處理亦可。進而，具有檢測回收於上述基板收納容器的被處理基板是否為未處理階段，若檢測出為未處理階段，即對該被處理基板實行再處理的再處理工程亦可。又，上述基板處理裝置係具備顆粒測定室，前述基板回收工程係，前述被處理基板回收到前述基板收納容器之前，搬送到前述顆粒測定室，在該顆粒測定室施行前述被處理基板上之顆粒量的測定，其測定結果關係到前述被處理基板而記憶於記憶手段亦可。
為解決上述課題，若根據本發明之別的觀點提供一針對處理被處理基板之基板處理裝置，其特徵為：具備由至少包括處理前述被處理基板之複數個處理室的複數個室所形成的處理單元；和具有連接於前述處理單元，在與收納前述被處理基板的基板收納容器之間進行前述被處理基板之交遞的搬送室的搬送單元；和設於前述搬送單元內，使前述被處理基板搬入/搬出於前述處理單元的搬送單元側 搬送機構；和設於前述處理單元內，使前述被處理基板搬入/搬出於前述處理室的處理單元側搬送機構；和由於在該基板處理裝置作業中產生異常而停止作業之際，其異常解除後使前述基板處理裝置之狀態復原之控制手段；前述控制手段乃具備，對殘留在前述基板處理裝置之前述處理單元內及/或前述搬送單元內的前述被處理基板進行對應實行到前述作業停止時之處理的階段的基板補救處理，而使前述被處理基板藉由前述處理單元側搬送機構及/或前述搬送單元側搬送機構往前述基板收納容器回收的基板回收手段；和使前述基板處理裝置之前述處理單元內及前述搬送單元內之狀態復原的裝置內狀態復原手段的基板處理裝置。
若根據此種本發明，由於在基板處理裝置作業中產生異常而停止作業之際，能使基板處理裝置之狀態復原的處理，即處理單元內及/或前述搬送單元內的被處理基板之回收與使處理單元內及/或前述搬送單元內之狀態復原的處理以自動進行。藉此，比起以往操作員以手動進行復原處理，更能大幅節省復原處理的時間與麻煩。又，藉由進行對應被處理基板之處理階段的正確補救處理，就能儘量補救許多被處理基板。
為解決上述課題，若根據本發明之別的觀點提供一針對處理被處理基板之基板處理裝置，其特徵為具備：在與收納前述被處理基板的基板收納容器之間具有進行前述被處理基板之交遞的搬送室的搬送單元；和具有於周圍連接 處理前述被處理基板的複數個處理室的共通搬送室以及連接該共通搬送室與前述搬送單元的搬送室的裝載鎖定室的處理單元；和設於前述搬送單元的搬送室內，使前述被處理基板搬入/搬出於前述裝載鎖定室的搬送單元側搬送機構；和設於前述處理單元之共通搬送室內，使前述被處理基板在前述裝載鎖定室與前述各處理室的各室間搬入/搬出的處理單元側搬送機構；和由於在前述基板處理裝置作業中產生異常而停止作業之際，於該異常解除後，使前述基板處理裝置之狀態復原的控制手段；前述控制手段乃具備，對殘留在前述基板處理裝置的前述處理單元及/或前述搬送單元的各室內的前述被處理基板，進行對應實行到前述作業停止時之處理的階段的基板補救處理，並使前述被處理基板藉由前述處理單元側搬送機構及/或前述搬送單元側搬送機構往前述基板收納容器回收的基板回收手段；和使前述基板處理裝置之各室內的狀態的裝置內狀態復原手段的基板處理裝置。
若根據此種本發明，由於在基板處理裝置作業中產生異常而停止作業之際，能使基板處理裝置之狀態復原的處理，即處理單元內及/或前述搬送單元之各室內的被處理基板之回收與使處理單元及/或前述搬送單元之各室內之狀態復原的處理以自動進行。藉此，比起以往操作員以手動進行復原處理，更能大幅節省復原處理的時間與麻煩。又，藉由進行對應被處理基板之處理階段的正確補救處理，就能儘量補救許多被處理基板。
為解決上述課題，若根據本發明的某一觀點，提供一在由至少包括用來處理從基板收納容器被搬送的被處理基板之處理室的複數個室所形成的基板處理裝置，由於該基板處理裝置作業中產生異常而停止作業之際，其異常解除後進行使基板處理裝置之復原處理的程式，其特徵為：供電腦實行對殘留在前述基板處理裝置之各室內的前述被處理基板，進行對應實行到前述作業停止時之處理的階段的基板補救處理，而使前述被處理基板往前述基板收納容器被回收的基板回收處理；和使前述基板處理裝置之各室內的狀態復原的裝置內狀態復原處理之程式。
又，上述基板補救處理乃具有，例如檢測殘留在前述基板處理裝置內的前述被處理基板的基板檢測處理；和針對藉由前述基板檢測處理所檢測的被處理基板，檢測實行到前述作業停止時之處理的階段的處理階段檢測處理；和針對藉由前述基板檢測處理所檢測的被處理基板，實行對應藉由前述處理階段檢測處理所檢測的處理階段的基板補救處理的基板補救處理。
若根據此種本發明，由於在基板處理裝置作業中產生異常而停止作業之際，能使基板處理裝置之狀態復原的處理，即殘留在基板處理裝置內的被處理基板之回收與使基板處理裝置內之狀態復原的處理，藉由電腦以自動進行。藉此，比起以往操作員以手動進行復原處理，更能大幅節省復原處理的時間與麻煩。又，對殘留在基板處理裝置內的被處理基板，進行對應實行到由於基板處理裝置的異常 而停止作業時的處理階段的正確補救處理，藉此能儘量補救許多被處理基板。
若根據本發明，在由於基板處理裝置作業中產生異常而停止作業之際，使基板處理裝置之狀態復原的處理以自動進行，藉此就能節省復原處理的時間與麻煩。又，對殘留在基板處理裝置內的被處理基板，進行對應實行到由於基板處理裝置的異常而停止作業時的處理階段的正確補救處理，藉此能儘量補救許多被處理基板。
 〔用以實施發明的最佳形態〕
以下邊參照所附圖面邊針對本發明之最佳實施形態做詳細說明。再者，於本詳細說明書及圖面中，針對實際上具有同一之機能構成的構成要素，附上同一符號藉此省略重複說明。
(基板處理裝置之構成例)
首先，針對有關本發明之實施形態的基板處理裝置邊參照圖面邊說明。第1圖係表示有關本發明之實施形態的基板處理裝置之概略構成圖。該基板處理裝置100係具備，被處理基板例如半導體晶圓(以下簡稱「晶圓」。)W進行成膜處理、蝕刻處理等之各種處理的複數個處理單 元110；和對處理單元110搬入/搬出晶圓W的搬送單元120。
首先，針對搬送單元120之構成例做說明。搬送單元120乃如第1圖所示，具有在基板收納容器例如後述之卡匣容器132(132A~132C)與處理單元110之間搬入/搬出晶圓的搬送室130。搬送室130乃形成斷面略多角形的箱體狀。在構成搬送室130之斷面略多角形狀的長邊之一側面，並設有複數個卡匣台131(131A~131C)。該等卡匣台131A~131C乃分別構成可載置基板收納容器之一例的卡匣容器132A~132C。
於各卡匣容器132(132A~132C)乃能以等間距多段載置並收容例如最大25枚的晶圓W，內部係為例如以N2氣體環境所充滿的密閉構造。而且，搬送室130乃構成圓圓W可經由閘閥133(133A~133C)而往其內部搬入/搬出。再者，卡匣台131與卡匣容器132的數量並不限於第1圖所示的情形。
又，於上述搬送室130之一側面乃配設有顆粒測定室(Particle Monitor)134。顆粒測定室134乃具備載置晶圓W的載置台135，構成可測定附著於載置在該載置台135之晶圓W上的附著物等的顆粒量。再者，顆粒測定室134內之構成可適用公知的構成，故在此其構成之詳細說明省略。在顆粒測定室134的載置台135乃配設有，可檢測在載置台135上是否載置晶圓W的晶圓感測器135a。晶圓感測器135a乃可藉由例如公知之拾取感測器所構 成。
藉由此種顆粒測定室134來測定晶圓W上的顆粒量，例如藉由搬送單元側搬送機構170將欲測定顆粒量的晶圓W往顆粒測定室134搬入，直接測定附著在其晶圓W上的顆粒量。依據該顆粒量的測定結果判斷是否為可再處理的晶圓W亦可。
又，測定搬送單元120、共通搬送室150、裝載鎖定室160M、160N、各處理室140A~140F等之各室內的顆粒量，亦可藉由有別於進行晶圓處理之晶圓的顆粒測定用晶圓來測定。具體上，例如若於卡匣容器132C收納有顆粒測定用晶圓，即將來自卡匣容器132C的顆粒測定用晶圓，暫時往欲測定顆粒量之室搬入並等待特定時間之經過。而且，經過特定時間後將顆粒測定用晶圓返回至顆粒測定室134，在顆粒測定室134內測定附著在該顆粒測定用晶圓上的顆粒量。
在顆粒測定室134乃連接有後述之控制部200，所測定的顆粒量等之測定結果乃送往控制部200，被記憶在例如設置於控制部200內的記憶手段290和記憶體等以作為日誌。
在上述搬送室130的端部，即構成斷面略多角形狀之短邊的一側面乃設有作為於內部具備：廻轉載置台138與光學式檢測晶圓W之周緣部的光學感測器139的定位裝置之定方位器(預校準台)136。以該定方位器136，檢測例如晶圓W之定向平面(orientation flat)和缺口等並進 行對位。於廻轉載置台138乃配設有，可檢測在該廻轉載置台138上是否載置有晶圓W的晶圓感測器138a。晶圓感測器138a乃可藉由例如公知之拾取感測器所構成。
於上述搬送室130內乃設有，將晶圓W沿著其長邊方向(第1圖所示的箭頭方向)而搬送的搬送單元側搬送機構(搬送室內搬送機構)170。固定有搬送單元側搬送機構170的基台172乃可滑移地支撐在沿著長度方向而設置搬送室130內之中心部的導軌174上。於該基台172與導軌174乃分別設有，線性馬達的可動子與固定子。於導軌174的端部乃設有，供驅動該線性馬達的線性馬達驅動機構176。於線性馬達驅動機構176乃連接有控制部200。藉此，依據來自控制部200的控制信號而使線性馬達驅動機構176驅動，搬送單元側搬送機構170則形成與基台172一起沿著導軌174而往箭頭方向移動。
搬送單元側搬送機構170乃以具有兩個拾取器173A、173B的雙臂機構所構成，可一次處理兩枚晶圓。藉此，可在例如對卡匣容器132、定方位器136、各裝載鎖定室160M、160N等搬入/搬出晶圓之際，以交換晶圓地搬入/搬出。在搬送單元側搬送機構170的拾取器173A、173B乃分別設有，可檢測是否把持有晶圓W的晶圓感測器173a、173b。晶圓感測器173a、173b乃分別可藉由例如公知之拾取感測器所構成。再者，處理單元側搬送機構180的拾取器之數量並不限於上述的數量，例如也可為只有一個拾取器的單臂機構。
接著，針對處理單元110之構成例做說明。例如在群集工具型之基板處理裝置的情形下，處理單元110乃如第1圖所示，在形成矩形(例如六角形)的共通搬送室150之周圍，氣密地連接對晶圓W施行例如成膜處理(例如電漿CVD處理)和蝕刻處理(例如電漿蝕刻處理)等之特定處理的複數個處理室140(第1~第6處理室140A~140F)及裝載鎖定室160M、160N所構成。
各處理室140A~140F乃為，對晶圓W施行例如同種的處理或是互異的異種處理。於各處理室140(140A~140F)內乃分別設有，供載置晶圓W的載置台142(142A~142E)。再者，處理室140的數量並不限於第1圖所示的情形。
有關各處理室140A~140F，晶圓W依據表示預先記憶在控制部200之記憶手段290等的處理工程等之製程配方等的晶圓處理資訊，而於各處理室140A~140F施行特定處理。晶圓處理資訊乃因晶圓處理種類和條件而異。對晶圓W施行製程處理的例如蝕刻處理之情形的晶圓處理資訊，舉例有如第12圖所示的處理工程。
如第12圖所示的處理工程乃藉由，安定工程、蝕刻工程(製程工程)、結束工程所構成。在此，安定工程是指在後面接著的蝕刻處理工程中，為了對晶圓W實行蝕刻處理，整理處理室140內之狀態的工程。於安定工程乃包括：例如晶圓W被載置於載置台142之後所進行的處理室140內之真空吸引工程、特定之處理氣體導入工程、 對兼具載置台142之下部電極等的電極施加特定之高頻電力而使處理氣體電漿化，且使其電漿狀態安定的電漿化工程。蝕刻處理工程是指於上述電漿狀態進行特定時間之蝕刻處理的工程。結束工程是指整理之前的蝕刻工程之蝕刻處理實行後的處理室140內之狀態的工程。於該結束工程也包括：例如在終點結束之前的蝕刻處理工程之蝕刻處理的終點工程。再者，此種晶圓W的處理工程並不限於本具體例。
上述共通搬送室150乃具有，在如上述的各處理室140A~140F之間，或是在各處理室140A~140F與各第1、第2裝載鎖定室160M、160N之間搬入/搬出晶圓W的機能。共通搬送室150乃形成多角形(例如六角形)，在其周邊分別經由閘閥144(144A~144E)而連接有上述各處理室140(140A~140F)，並且第1、第2裝載鎖定室160M、160N的前端分別經由閘閥(真空側閘閥)154M、154N而連接。第1、第2裝載鎖定室160M、160N的基端乃分別，經由閘閥(大氣側閘閥)162M、162N而連接於構成搬送室130之斷面略多角形狀之長邊的另一側面。
第1、第2裝載鎖定室160M、160N乃具有，暫時性保持晶圓W並於壓力調整後，往下一段通過的機能。於各第1、第2裝載鎖定室160M、160N的內部乃分別設有，可載置晶圓W的交遞台164M、164N。於交遞台164M、164N乃分別設有，可檢測在該交遞台164M、 164N是否載置有晶圓W的晶圓感測器165M、165N。晶圓感測器165M、165N乃分別可藉由例如公知之拾取感測器所構成。
第1、第2裝載鎖定室160M、160N乃構成可沖洗及真空排氣殘留物等的顆粒。具體上，第1、第2裝載鎖定室160M、160N乃分別設有，例如在具有排氣閥(排氣控制閥)的排氣管連接乾式幫浦等之真空幫浦的排氣系統以及在具有沖洗閥(沖洗氣體控制閥)的氣體導入管連接氣體導入源的氣體導入系統。藉由控制此種沖洗閥、排氣閥等，而藉由沖洗氣體導入進行重複真空吸引與大氣開放的清洗處理和排氣處理。
再者，上述共通搬送室150及各處理室140A~140F也構成可沖洗及真空排氣殘留物等的顆粒。例如在上述共通搬送室150乃配設有，如上述的導入沖洗氣體的氣體導入系統以及可真空吸引的排氣系統，於各處理室140A~140F乃配設有，除了如上述的沖洗氣體外，也可導入處理氣體的氣體導入系統及可真空吸引的排氣系統。
在此種處理單元110，如上述地，共通搬送室150與各處理室140A~140F之間以及共通搬送室150與上述各裝載鎖定室160M、160N之間乃分別構成可氣密地開閉，且群集工具化，配合需要可與共通搬送室150內連通。又，上述第1及第2各裝載鎖定室160M、160N與上述搬送室130之間也分別構成可氣密地開閉。
於共通搬送室150內乃設有，例如以構成可屈伸、昇 降、旋轉的多關節臂所形成的處理單元側搬送機構(共通搬送室內搬送機構)180。該處理單元側搬送機構180乃廻轉自如地支撐於基台182。基台182乃例如藉由臂機構186滑移自如地構成在由共通搬送室150內的基端側至前端側所配設的導軌184上。若藉由如此所構成的處理單元側搬送機構180，可使該處理單元側搬送機構180沿著導軌184而滑移，藉此進出於各裝載鎖定室160M、160N及各處理室140A~140F。
例如在使處理單元側搬送機構180進出於各裝載鎖定室160M、160N及對向配置的處理室140A、140F之際，讓處理單元側搬送機構180沿著導軌184而位於共通搬送室150的基端側附近。又，在使處理單元側搬送機構180進出於六個處理室140B~140E之際，使處理單元側搬送機構180沿著導軌184而位於共通搬送室150的前端側附近。藉此，藉由一個處理單元側搬送機構180，就可進行出連接在共通搬送室150的所有裝載鎖定室160M、160N和各處理室140A~140F。處理單元側搬送機構180乃具有兩個拾取器183A、183B，可一次處理兩枚晶圓W。於處理單元側搬送機構180的拾取器183A、183B乃分別設有，可檢測是否把持有晶圓W的晶圓感測器183a、183b。晶圓感測器183a、183b乃可分別藉由例如公知之拾取感測器所構成。
再者，處理單元側搬送機構180之構成並不限於上述之構成，也可藉由兩個搬送機構所構成。例如在共通搬送 室15d的基端側附近設置以可屈伸、昇降、旋轉地構成的多關節臂所形成的第1搬送機構，並且在共通搬送室150的前端側附近設置以可屈伸、昇降、旋轉地構成的多關節臂所形成的第2搬送機構亦可。又，處理單元側搬送機構180的拾取器之數量並不限於兩個的情形，例如也可為只有一個拾取器。
於共通搬送室150內乃配設有，在各處理室140(140A~140F)的閘閥144(144A~144F)之前面的部位，分別可檢測晶圓W是否搬入到各處理室140(140A~140F)的晶圓感測器188(188A~188F)。又，在共通搬送室150的前端側乃設有，為了進行藉由處理單元側搬送機構180所搬送的晶圓W之位置修正的位置感測器189。再者，晶圓W之位置修正的具體例於後述。該等晶圓感測器188A~188F、位置感測器189乃分別可藉由例如公知之拾取感測器所構成。
在上述基板處理裝置100乃設有包含上述搬送單元側搬送機構170、處理單元側180、各閘閥133、144、154、162、定方位器136、顆粒測定室134等之控制，用來控制基板處理裝置全體之動作的控制部200。
(控制部之構成例)
在此，針對上述控制部200之具體的構成例邊參照圖面邊說明。第2圖係表示控制部200之具體的構成例的方塊圖。如第2圖所示，控制部200乃具備，構成控制部本 體的CPU(中央處理裝置)210、CPU210儲存著為了控制各部的程式資料(例如晶圓W的處理和後述的復原處理的程式資料)等的ROM(唯讀記憶體)220、設置供CPU210進行各種資料處理使用的記憶區域等的RAM(隨機存取記憶體)230、計時時間之計時器等所構成的計時手段240、以顯示操作畫面選擇畫面等的液晶顯示器等所構成的顯示手段250、可經由操作員的製程配方之輸入和編輯等各種資料的輸入及對所特之記憶媒體的輸入/輸出手段260、在基板處理裝置100發生漏電等之異常之際加以通報的警報器(例如蜂嗚器)等的通報手段270、控制基板處理裝置100之各部的各種控制器280、硬碟(HDD)等的記憶手段290。
上述CPU210與ROM220、RAM230、計時手段240、顯示手段250、輸入/輸出手段260、通報手段270、各種控制器280、記憶手段290乃藉由控制滙流排、系統滙流排、資訊滙流排等的滙流排線被電性連接。
於上述記憶手段290乃例如記憶有，各晶圓W是否收容至卡匣容器132(132A~132C)等的晶圓收容資訊292、各晶圓W處理到哪一個階段等的晶圓處理履歷資訊(例如製程日誌)294等。
在此，針對上述晶圓收容資訊292之具體例邊參照第3圖邊做說明。晶圓收容資訊292乃例如如第3圖所示，具有，容器名稱、系列編號、晶圓ID、晶圓收容狀況、復原處理、晶圓處理狀況等的項目。容器名稱的項目乃為 了指定卡匣容器。晶圓收容資訊292乃為了記憶於每個卡匣容器等。例如若為第1圖所示的基板處理裝置100，即表示卡匣容器132A~132C的種別。
系列編號的項目乃為了指定晶圓W一一枚被收容的卡匣容器132內的晶圓收容段。例如在一個卡匣容器132收容有25枚的晶圓W時，系列編號即附上1~25。晶圓ID的項目乃為了表示收容在卡匣容器132內之各裝載鎖定室的晶圓W的晶圓ID。在此所稱的晶圓ID乃屬於在晶圓W之處理前經由操作員附加上的ID，例如處理前，對收納在卡匣容器132的晶圓W，操作員經由輸出/輸入手段260進行指定的操作，藉此所設定。晶圓收容狀況的項目乃表示在卡匣容器132的晶圓收容段是否收容有晶圓W。在第3圖所示的例子中，「有」時，表示收容有晶圓W，「無」時，表示未收容晶圓W。
復原處理的項目乃表示卡匣容器132之各晶圓W是否為進行後述之復原處理的晶圓W。在此稱為復原處理乃為，例如基板處理裝置100發生漏電等之異常而作業停止時，在異常解除後，使基板處理裝置100之狀態復原的處理。在第3圖所示的例子中，「有」時，表示為進行復原處理的晶圓W，「無」時，表示為未進行復原處理的晶圓W。晶圓處理狀況的項目乃為，表示卡匣容器132之各晶圓W之目前的處理狀況(處理階段)。在第3圖所示的例子中，「處理完成」乃表示晶圓W為所需要的處理全部完成，「未處理」乃表示未對晶圓W完成所需要的處 理。又，「復原處理中」乃表示進行現在復原處理。
若藉由此種晶圓收容資訊292，除了往卡匣容器132之晶圓W的收容狀況外，就連有關有無復原處理、晶圓W之處理狀況都能掌握。又，若將此種晶圓收容資訊292藉由經操作員的輸出/輸入手段260的操作，顯示於顯示手段250，操作員也能看見該等之晶圓收容資訊。此時，如第3圖所示，以斜線表示復原處理進行的晶圓W，在其中也可針對復原處理中的晶圓W加粗斜線而示之。藉此，就易於判斷是否為有關復原處理的晶圓W，例如可有效利用於其後的晶圓W的檢查等。
再者，晶圓收容資訊292並不限於第3圖的項目，也可增加項目數，又如果至少了解到晶圓收容狀況，就不一定要設置復原處理、晶圓處理狀況的項目。
其次，針對上述晶圓處理履歷資訊294的具體例邊參照第4圖邊做說明。晶圓處理履歷資訊294乃如，例如第4圖所示，具有容器名稱、系列編號、晶圓ID、處理編號、晶圓的處理階段、經過時間等的項目。容器名稱、系列編號、晶圓ID的各項目乃分別，與第3圖所示者同樣的緣故，省略詳細說明。
處理編號之項目乃表示，附加於實行在晶圓W之各處理階段的編號。晶圓之處理階段的項目乃欲表示實行於晶圓W的各處理階段。經過時間之項目乃欲表示針對各處理階段的時間資訊。在第4圖所示的例子乃表示，例如晶圓W的處理開始時間(STARTTIME)、往各室搬入晶 圓W的時間(IN)、從各室搬出晶圓W的時間(OUT)。又，在處理階段的途中停止基板處理裝置100之作業的情形乃表示停止時間(STOPTIME)。在第4圖所示的例子乃可理解，在藉由第1處理室140A之蝕刻工程的途中停止基板處理裝置100的作業。
再者，此種晶圓處理履歷資訊294乃依據，例如藉由設於各室的晶圓感測器135a、138a、165M、165N、188A~188F和設於各搬送機構170、180的晶圓感測器173a、173b、183a、183b的晶圓W的檢測結果、製程配方等的晶圓處理資訊、藉由計時手段240的計時時間等所決定。例如往定方位器136的晶圓W的搬入/搬出時間乃依據，藉由晶圓感測器138a檢測晶圓W的時間所決定。又，往裝載鎖定室160M、160N的晶圓W的搬入/搬出時間乃依據，藉由晶圓感測器165M、165N檢測晶圓W的時間所決定。往第1~第6處理室140A~140F的晶圓W的搬入/搬出時間乃依據，藉由晶圓感測器188A~188F檢測晶圓W的時間所決定。
若根據此種晶圓處理履歷資訊294，除了有關晶圓W存在(殘留)於哪一室的位置資訊、處理階段的時間資訊外，還可把握基板處理裝置100之作業停止時的晶圓W之位置資訊及處理階段資訊。進而，連有關復原處理之處理階段都加入晶圓處理履歷資訊294，藉此連復原處理實行到哪一處理階段都能掌握。
又，若將此種晶圓處理履歷資訊294藉由經操作員的 輸出/輸入手段260的操作，顯示於顯示手段250，操作員也能看見該等之晶圓處理履歷資訊294。再者，晶圓處理履歷資訊294並不限於第4圖所示的項目。
除了如上述的晶圓收容資訊292、晶圓處理履歷資訊294外，基板處理裝置100進行作業而處理晶圓W所需的資訊等會記憶於記憶手段290。例如連記憶在顆粒測定室134所測定的測定結果之顆粒測定結果資訊、欲在各處理室140(140A~140F)處理晶圓W所必要的製程配方等之晶圓處理資訊也可記憶於記憶手段290。控制部200的CPU210乃依據，記憶於記憶手段290的晶圓處理資訊而控制在各處理室140A~140F對晶圓W的處理。
(基板處理裝置之動作)
其次，針對如上述所構成的基板處理裝置之動作做說明。基板處理裝置100，依據如上述的控制部200之CPU210的程式而作業，對各晶圓W之每一處理階段製作晶圓處理履歷資訊(例如製程日誌)294，記憶於記憶手段290。
例如藉由搬送單元側搬送機構170從卡匣容器132A~132C的任一個被搬出的晶圓W，被搬送到定方位器136並移載於定方位器136的廻轉載置台138，在此定位。被定位的晶圓W，從定方位器136被搬出並往裝載鎖定室160M或是160N內搬入。此時，完成所需要的全部處理的處理完成晶圓W若在裝載鎖定室160M或是160N，搬出 處理完成晶圓W後，搬入未處理晶圓W。
往裝載鎖定室160M或是160N被搬入的晶圓W乃藉由，處理單元側搬送機構180從裝載鎖定室160M或是160N被搬出，往其晶圓W所處理的處理室140被搬入而實行特定的處理。而且，完成在處理室140之處理的處理過晶圓W乃藉由，處理單元側搬送機構180從處理室140被搬出。此時，其晶圓W需要連續在複數個處理室140處理之時，往進行下一個處理的另一處理室140搬入晶圓W，在其處理室140實行處理。
如此，完成所需的全部處理的處理完成晶圓乃往裝載鎖定室160M或是160N返回。往裝載鎖定室160M或是160N返回的處理過晶圓W乃藉由搬送單元側搬送機構170返回到原來的卡匣容器132A~132C。
而且，為了在各處理室140提昇處理的生產量，因希望讓晶圓W能儘量接近於處理室140而待機，故連在處理室140進行處理的期間都是從卡匣容器132一次次搬出晶圓W，讓該等之晶圓W在共通搬送室150、裝載鎖定室160M或是160N、定方位器136等待機。若在處理室140完成一枚晶圓W的處理，即直接返回原來的卡匣容器132，讓依序搬送上述各待機中的晶圓W而在共通搬送室150待機之下一個晶圓W直接往處理室140搬入。
此種基板處理裝置100之作業中，若於基板處理裝置100發生故障、停電、漏電等之異常，基板處理裝置100例如會斷電而停止作業。若基板處理裝置100之作業停 止，例如欲在各處理室140A~140F內所處理的晶圓之處理會在途中被中斷，仍然殘留在處理室140A~140F內。又，於搬送單元120內(例如搬送室130內、定方位器136內、顆粒測定室134內)以及處理單元110內(例如共通搬送室150內、裝載鎖定室160M，160N內)等待機的晶圓W，仍然殘留在各室內。
在有關本實施形態的基板處理裝置100，如上述地因產生異常而停止基板處理裝置100之作業的情形下，其異常解除後，若基板處理裝置100再度投入電源，自動地進行如以下說明的復原處理。
(復原處理)
在此，針對基板處理裝置100之復原處理做說明。基板處理裝置100的復原處理乃依據，藉由例如控制部200的CPU210記憶於ROM220或是記憶手段290等的程式而實行。
有關本實施形態的復原處理，主要大致區分為：對晶圓W進行特定之晶圓補救處理(基板補救處理)並往卡匣容器132回收的基板回收處理(基板回收工程)，和使基板處理裝置100之各室內的狀態復原的裝置內狀態復原處理(裝置內狀態復原工程)。以下，分為各個處理做說明。
(復原處理之基板回收處理)
首先，針對基板回收處理做說明。有關基板回收處理乃對殘留在基板處理裝置100之各室的晶圓W進行對應實行到基板處理裝置100之作業停止時(以下也簡稱作業停止時)之處理的階段的晶圓補救處理(基板補救處理)並讓該晶圓W往原搬送的卡匣容器132回收。例如對基板處理裝置100內的晶圓W，進行對應在作業停止時殘留有該晶圓W之室的補救處理。若根據大格局的觀點，因殘留有晶圓W之室而對該晶圓W至停止作業為止到哪個階段處理的晶圓W之處理階段不同。例如殘留在搬送單元120內的晶圓W乃為從卡匣容器132被取出由此往處理單元搬送的未處理階段，或是已經完成全部所需的處理而由處理單元110返回的處理完成階段。對此，殘留在共通搬送室150內的晶圓W，除了未處理階段的和處理完成階段的外，還有可能存在著在其他處理室之剩餘處理的處理未完成階段。因而，如此一來藉由進行對應殘留有晶圓W之室的補救處理，就能進行對應晶圓W之處理階段的適當補救處理。
此種晶圓補救處理乃例如殘留在搬送單元120內(例如搬送室130內、定方位器136內、顆粒測定室134內等)的晶圓W，如上述地，認為還沒有完成進行處理的未處理晶圓W或是全部已經完成需要處理的處理完成晶圓W，該等晶圓W就算依然回收到原搬送的卡匣容器132也不會有問題。因而，處在此種搬送單元120內的晶圓W，基本上仍會回收到原搬送的卡匣容器132。
對此，於殘留在處理單元110內(例如各處理室140A~140F內、共通搬送室150內、各裝載鎖定室160M、160N內)的晶圓W，除了如上述的未處理階段、處理完成階段的以外，有可能存在著剩餘還未處理之階段的。例如在處理室140內，例如有可能在蝕刻工程等之處理的途中被中斷的處理途中階段的晶圓W(處理途中晶圓)，殘留在該狀態。又，在共通搬送室150內，在複數個處理室140有處理需要的晶圓W，也有可能在其他的處理室有剩餘的處理，而殘留下還未完成所有之處理的處理未完成階段的晶圓W(處理未完成晶圓)。例如連續在第1~第6處理室140A~140F有處理需要之晶圓W的話，對該晶圓W結束在第1~第5處理室140A~140E的處理，從處理室140E搬出，當在共通搬送室150內所剩餘的第6處理室140F的處理等待狀態時，基板處理裝置100會停止作業的情形。
如果假設連此種的處理途中晶圓W和處理未完成晶圓W都與上述同樣地仍回收到卡匣容器132的話，該等晶圓W就能不能補救的情形。例如像是聚系的製程處理等，藉由在途中被中斷的處理，回收到原來的卡匣容器132的話，該晶圓W會曝露在大氣中，故不能對該晶圓W進行剩餘處理(例如剩下的蝕刻處理等)，也有晶圓本身不能補救的情形。因而，對此種處理單元110內的晶圓W，基本上在實行剩下之處理而完成處理後，回收到搬送來源的卡匣容器132。
再者，對晶圓W進行剩下之處理的時候，在其之前實行安定工程而整理處理室140內的狀態。例如對處理室140的晶圓W進行剩下之蝕刻處理的時候，除進行處理室140內之排氣處理外，進行真空吸引而使處理室140內的壓力形成特定壓力，且改為導入處理氣體而施加高頻電力以揚起電漿。處理室140內的排氣處理，舉例有例如一邊導入N2氣體和非活性氣體等之沖洗氣體一邊進行大氣開放，重複特定複數該大氣開放與真空吸引的循環沖洗等。例如處理氣體使用腐蝕性氣體(例如氯、氯化氫等)的時候，以導入N2氣體等之稀氣的循環沖洗作為酸排氣處理而實行亦可。
如此一來，本實施形態中，因漏電等之異常基板處理裝置停止作業的時候，進行對應殘留有晶圓W之基板處理裝置100的各室之補救處理，藉此就能進行對應晶圓W之處理階段的補救處理，故能正確補救晶圓W。進行上述補救處理時的各室之順序乃由處於接近搬送來源的卡匣容器132之一側之室的晶圓W開始實行基板補救處理為佳。例如搬送單元120、裝載鎖定室160、共通搬送室150、處理室140的順序為佳。藉此，可順利地進行晶圓W的回收，故可達到復原處理的效率化。
再者，進行基板補救處理的時候，必需檢測在各室(例如搬送單元120、裝載鎖定室160、共通搬送室150、處理室140)之內部是否殘留有晶圓W。此種晶圓檢測方法，例如依據記憶在如第4圖所示的晶圓處理履歷資訊 294之晶圓處理階段，檢測處理單元110內，在搬送單元120內的哪一室殘留有晶圓W亦可。
又，在搬送單元120的顆粒測定室134、定方位器136、搬送室130，依據各室的晶圓感測器135a、138a、搬送單元側搬送機構170的晶圓感測器173a、173b來檢測晶圓W亦可。又，在搬送單元110的各裝載鎖定室160M、160N、共通搬送室150，依據各室的晶圓感測器165M、165N、處理單元側搬送機構180的晶圓感測器183a、183b來檢測晶圓W亦可。
更又，藉由搬送單元側搬送機構170和處理單元側搬送機構180而進行晶圓W的搬入/搬出動作，藉此檢測是否殘留有亦可。例如在處理室140A~140F，藉由處理單元側搬送機構180而進行晶圓W之搬入/搬出動作，藉此依據對應各室之共通搬送室的晶圓感測器188A~188F及處理單元側搬送機構180的晶圓感測器183a、183b，來檢測在處理室140A~140F內是否殘留有晶圓W亦可。
(復原處理之裝置內狀態復原處理)
其次，針對上述復原處理中之裝置內狀態復原處理做說明。在此的裝置內狀態復原處理，例如對搬送單元120內、共通搬送室150內、裝載鎖定室160M、160N內、各處理室140A~140F內等的各室施行清洗處理，藉此各室內為可實行晶圓W之處理的狀態。對各室的清洗處理， 例如進行邊導入N2氣體等之沖洗氣體，邊特定次數重複真空吸引與大氣開放的清洗處理(例如NPPC：Non-Plasma Particle Cleaning)。在此的清洗處理，不光是大氣開放時，真空吸引時也繼續導入沖洗氣體。若藉由此種清洗處理，就可除去浮遊於各室內的顆粒(例如附著物、塵埃、異物等)。又，重複真空吸引與大氣開放，藉此附著於各室之壁面和配置在各室內的零件等的顆粒也會剝離而強制性地使其浮遊，故該等也會除去。
再者，基板處理裝置100之各室內的清洗處理，並不限於上述的處理，進行公知的清洗處理亦可。例如也適用於利用電漿的清洗處理。
(復原處理的具體例)
以下，針對如上述的復原處理邊舉具體例邊更詳細地說明。第5圖乃為表示有關本實施形態的基板處理裝置之復原處理的具體例的主常式之流程圖。
於第5圖所示的復原處理，首先，基板回收處理以步驟S110~S150及步驟S200~S500進行對應殘留有晶圓W之各室的晶圓補救處理(基板補救處理)，並將殘留在各室的晶圓W往搬送來源的卡匣容器132回收。即，搬送單元內基板補救處理以步驟S110判斷在搬送單元120內有晶圓W的時候，以步驟S200進行搬送單元120內的晶圓補救處理。又，處理單元內基板補救處理以步驟S120判斷在裝載鎖定室160內有晶圓W的時候，以步驟S300 進行裝載鎖定室160內的晶圓補救處理(裝載鎖定室內基板補救處理)，以步驟S130判斷在共通搬送室150內有晶圓W的時候，以步驟S400進行共通搬送室150內的晶圓補救處理(共通搬送室內基板補救處理)，以步驟S140判斷在處理室140內有晶圓W的時候，以步驟S500進行處理室140內的晶圓補救處理(處理室內基板補救處理)。以下，針對該等晶圓補救處理的具體例做說明。
(搬送單元內之晶圓補救處理)
首先，針對搬送單元內的晶圓補救處理(步驟S200)的具體例邊參照第6圖邊做說明。第6圖乃表示搬送單元內的晶圓補救處理的次常式的流程圖。搬送單元120內的晶圓W，例如在搬送室130內除了在把持於搬送單元側搬送機構170的狀態而殘留的晶圓W外，認為是殘留在定方位器136內和顆粒測定室134內的晶圓W，該等晶圓W為搬送單元120內之晶圓補救處理的對象。
第6圖所示的搬送單元內的晶圓補救處理乃先以步驟S210將殘留在搬送單元120內的晶圓W藉由例如搬送單元側搬送機構170往顆粒測定室134搬送。此時，有關處在搬送室130內的晶圓W，即處在搬送單元側搬送機構170之拾取器上的晶圓W仍然往顆粒測定室134搬送。又，有關處在定方位器136內的晶圓W乃藉由搬送單元側搬送機構170從定方位器136搬出並往顆粒測定室134搬送。此時，在顆粒測定室134已殘留有晶圓W的時 候，除了先實行該晶圓W的顆粒測定外，將該晶圓W往原搬送的卡匣容器132返回。
其次，在步驟S220測定(顆粒測定)附著於往顆粒測定室134搬入的晶圓W的顆粒量，在步驟S230以該測定結果形成顆粒測定結果資訊的日誌記憶於例如控制部200的記憶手段290形成。而且，在步驟S240藉由搬送單元側搬送機構170將晶圓W從顆粒測定室134搬出並往原搬送的卡匣容器132返回。如此若一連串的搬送單元120內的晶圓補救處理結束，即返回第5圖所示的主常式。
若藉由此種搬送單元120內的晶圓補救處理，殘留在搬送單元120內的所有晶圓W乃除了進行顆粒測定外，並回收到原搬送的卡匣容器132。如此所形成，若在搬送單元120內殘留有晶圓W，此種晶圓W的處理階段乃沒有還未處理的未處理階段，或是所有的處理已結束的處理完成階段，該等之晶圓W就算照常回收也沒有問題。因而，在搬送單元120內的晶圓補救處理，只要檢測存在於搬送單元120內就能了解晶圓W的處理階段，也不必由例如晶圓處理履歷資訊294來檢測晶圓W的處理階段。
又，殘留在搬送單元120內的晶圓W，於回收到卡匣容器132之前進行顆粒測定，其結果記憶在日誌等。因此，依據顆粒量的測定結果，就能判斷回收於卡匣容器132的晶圓W是否可再處理。
(裝載鎖定室內之晶圓補救處理)
其次，針對裝載鎖定室160內的晶圓補救處理(步驟S300)的具體例邊參照第7圖邊做說明。第7圖乃表示裝載鎖定室160內的晶圓補救處理的次常式的流程圖。如第1圖所示的基板處理裝置100，具備兩個裝載鎖定室160M、160N，適於此種基板處理裝置100的第7圖所示的處理，表示該等裝載鎖定室160M、160N中，殘留有晶圓W的裝載鎖定室160的處理。
第7圖所示的裝載鎖定室內的晶圓補救處理乃先在步驟S310照常在裝載鎖定室160放置晶圓W，進行裝載鎖定室160內的排氣處理。排氣處理乃例如邊控制裝載鎖定室160的排氣系統及氣體導入系統，邊特定次數重複真空吸引與大氣開放，於大氣開放之際導入沖洗氣體(例如N2氣體)，進行上述的循環沖洗。
其次，在步驟S320將處在裝載鎖定室160內的晶圓W藉由搬送單元側搬送機構170往顆粒測定室134搬送。具體上，除了裝載鎖定室160做大氣開放等進行壓力調整外，藉由搬送單元側搬送機構170，搬出該晶圓W，往顆粒測定室134搬入。其次，在步驟S330進行顆粒測定，在步驟S340將該測定結果例如記憶於日誌等。其後，在步驟S350藉由搬送單元側搬送機構170將晶圓W從顆粒測定室134搬出並往原搬送的卡匣容器132返回。如此若一連串的裝載鎖定室160內的晶圓補救處理結束，即返回第5圖所示的主常式。
若藉由此種裝載鎖定室160內的晶圓補救處理，殘留在裝載鎖定室160內的所有晶圓W乃與搬送單元120內的晶圓W同樣地，除了進行顆粒測定外，並回收到原搬送的卡匣容器132。如此所形成，若在裝載鎖定室160內殘留有晶圓W，該晶圓W的處理階段與搬送單元120內之晶圓W情形同樣地，為未處理階段或是處理完成階段，即使照常回收該等晶圓W也沒有問題。
但，在從裝載鎖定室160搬出晶圓W之前，進行裝載鎖定室160的排氣處理(例如循環沖洗)。此乃在裝載鎖定室160有來自處理室140的處理氣體殘留在晶圓W上等之虞。又，在裝載鎖定室160進行真空吸引的途中，基板處理裝置100的作業停止時，也有從排氣側逆流異物或塵埃之虞。進行裝載鎖定室160的排氣處理，藉此就能除去該等之殘留的處理氣體、異物和塵埃等。進而，處理氣體使用腐蝕性氣體(例如氯，氯化氫等)進行晶圓W之處理時，也可以上述排氣處理作為裝載鎖定室160內之酸排氣處理而進行。藉此，能防止腐蝕性氣體往搬送單元120側流出，故可防止搬送單元120之構成部晶和搬送單元側搬送機構170等的腐蝕。
(共通搬送室內之晶圓補救處理)
其次，針對共通搬送室150內的晶圓補救處理(步驟S400)的具體例邊參照第8圖邊做說明。第8圖乃表示共通搬送室150內之晶圓補救處理的次常式的流程圖。於共 通搬送室150內乃除了不管哪個處理室140還未處理的未處理晶圓W外，有可能在一個以上的處理室140殘留有處理已結束的處理過晶圓W。進而，在上述處理過晶圓W之中，不光是在需要的所有處理室140完成處理的處理完成晶圓，也包括連續在複數個處理室140需要處理的晶圓W，並在其他處理室140還未完成處理的處理未完成晶圓W。因而，在共通搬送室150內的晶圓補救處理，檢測此種晶圓W的處理階段，進行對應該處理階段的晶圓補救處理。
在第8圖所示的共通搬送室內之晶圓補救處理，先在步驟S410判斷處在共通搬送室150內的晶圓W是否為處理未完成晶圓W。具體上，例如藉由如第4圖所示的晶圓處理履歷資訊294檢測處在共通搬送室150內的晶圓W的處理階段，判斷該晶圓W的處理階段是否為處理未完成階段。例如要是在第1處理室140A及第2處理室140B的處理為必要的晶圓W，該晶圓W的晶圓處理階段例如為停止在第1處理室140A之處理結束後的共通搬送室150內時，在第2處理室140B還未施行處理的緣故，即能判斷該晶圓W為處理未完成階段。
在上述步驟S410判斷處在共通搬送室150內的晶圓W為處理未完成晶圓W時，在步驟S420進行對處理未完成晶圓W的處理後，進入步驟S430的處理。再者，對步驟S420之處理未完成晶圓W之處理的詳細於後述。又，在步驟S410判斷處在共通搬送室150內的晶圓W不是處 理未完成晶圓W時，即判斷為未處理晶圓W或處理完成晶圓W時，進入步驟S430的處理。
在步驟S430，將上述未處理晶圓W或是處理完成晶圓W例如藉由處理單元側搬送機構180往裝載鎖定室160M或160N內搬送，於該裝載鎖定室160M或是160N內實行如上述的排氣處理例如像是上述的循環沖洗。在此所稱的處理完成晶圓W，除了由於在基板處理裝置100之異常而停止作業時(或是復原處理開始時)為處理完成晶圓W外，包含藉由復原處理對處理未完成晶圓W施以處理(步驟S420)而成為處理完成晶圓W。
接著，在步驟S440將該晶圓W藉由搬送單元側搬送機構170往顆粒測定室134搬送。具體上，除了裝載鎖定室160M或160N做大氣開放等進行壓力調整外，藉由搬送單元側搬送機構170搬出該晶圓W，往顆粒測定室134搬入。其次，在步驟S450進行顆粒測定，在步驟S46P將該測定結果例如記憶於日誌等。其後，在步驟S470藉由搬送單元側搬送機構170將該晶圓W從顆粒測定室134搬出並往原搬送的卡匣容器132返回。如此若一連串的共通搬送室150內的晶圓補救處理結束，即返回第5圖所示的主常式。
(對處理未完成晶圓之處理)
在此，針對對第8圖所示的步驟S420之處理未完成晶圓W的處理之具體例邊參照第9圖邊做說明。第9圖 乃表示對處理未完成晶圓W之處理的次常式的流程圖。
在對第9圖所示的處理未完成晶圓W的處理，先在步驟S421判斷從這搬送處理未完成晶圓W之搬送地的處理室140是否為其他晶圓W之處理途中。搬送地之處理室140是否為其他晶圓W的處理途中，藉由例如如第4圖所示的晶圓處理履歷資訊294來檢測上述其他晶圓W之處理階段藉此進行判斷。在步驟S421判斷上述搬送地之處理室140為處理途中時，在步驟S422待機到該搬送地之處理室140的其他晶圓W之處理結束，返回第8圖所示的常式。搬送地之處理室140的其他晶圓W之處理結束後，欲進行處理未完成晶圓W的處理。若具體說明，此時處理未完成晶圓W為在共通搬送室150待機的狀態，第8圖的常式結束並返回到第5圖的主常式時，在步驟S150因搬送中的晶圓W還未回收，再度實行步驟S400之處理，即第9圖所示的次常式。此時，若搬送地之處理室的其他晶圓W之處理結束，即藉由步驟S423以後的處理進行在共通搬送室150待機的處理未完成晶圓W之處理。
另一方面，在步驟S421判斷上述搬送地之處理室140不是處理途中時，在步驟S423控制處理單元側搬送機構180，進行處理未完成晶圓W的位置修正。此乃在處理單元側搬送機構180之搬送動作中，基板處理裝置100之作業停止時，因搬送動作中的處理單元側搬送機構180也緊急停止，故有因慣性力等把持在處理單元側搬送機構 180之拾取器上的晶圓W之位置偏離的情形。如此一來在晶圓W之位置偏離的狀態若往處理室140搬入，例如會有吸掛在閘閥144，或是偏離處理室140之載置台142而載置之虞，故為了防止此種晶圓W之位置偏離，在往處理室140搬入之前進行晶圓W的位置修正。
該晶圓W的位置修正乃例如利用設於共通搬送室150內的位置感測器189而如下地進行。即處理單元側搬送機構180照常將晶圓W把持在拾取器上，搬送到位置感測器189上，藉由位置感測器189來檢測該晶圓W的位移量。而且，對應藉由位置感測器189所檢測的位移量挪動處理單元側搬送機構180的拾取器位置做調整，藉此進行晶圓W的位置修正。
其次，在步驟S424將位置修正的處理未完成晶圓W藉由處理單元側搬送機構180搬送到進行下一個處理的處理室140。接著在步驟S425於搬送地的處理室140進行處理未完成晶圓W的處理。
其次，在步驟S426判斷所有的處理是否完成。在複數個處理室140的處理若為必要的晶圓W，即在各處理室140的處理全部結束，判斷對該晶圓W的處理是否全部完成。在步驟S426判斷所有的處理未完成時，即返回到步驟S424的處理，進行剩下的處理。又在步驟S426判斷所有的處理完成時，即結束一連串的處理未完成晶圓之處理，返回第8圖所示的常式。
若藉由此種共通搬送室150內的晶圓補救處理，於處 在共通搬送室150內的晶圓W之處理階段為處理完成階段時，除了進行裝載鎖定室160之排氣處理及顆粒測定外，並回收到原搬送的卡匣容器132。對此處在共通搬送室150內的晶圓W之處理階段為處理未完成階段時，至所有的處理完成，進行在需要的處理室處理後，回收到原搬送的卡匣容器132。藉此，例如有關處理未完成晶圓W，因不會照様回收到處於大氣狀態的卡匣容器132，故能防止處理未完成晶圓W曝露在大氣中成為不能補救的。如此一來，進行對應晶圓W之處理階段的正確補救處理，藉此就能儘量補救許多被處理基板。
(處理室內之晶圓補救處理)
其次，針對處理室140內之晶圓補救處理的具體例邊參照第10圖邊做說明。第10圖係表示處理室140內之晶圓補救處理的次常式的流程圖。在如第1圖所示的基板處理裝置100具備六個處理室140A~140F，適用於此種基板處理裝置100的第10圖所示的處理乃表示該等處理室140A~140F中，殘留有晶圓W之處理室140的處理。
又，在處理室140內，除了搬入該處理室140內之還未開始處理的未處理晶圓W，或是該處理室140內之處理全部結束的未被搬出剩下的處理過晶圓W(包括處理未完成晶圓W與處理完成晶圓W)外，也有在該處理室140之處理開始的途中殘留有處理被中斷的處理途中晶圓W的情形。又，在處理途中晶圓W，在該處理室140之處理 階段中之哪一個處理階段(例如後述的安定工程中、蝕刻工程中、結束工程中等)，因基板處理裝置100的作業停止是否被中斷而補救處理也不同。因而，在處理室140內的晶圓補救處理，進行也包含對應在此種處理室140內的晶圓W的處理階段之處理的補救處理。
在第10圖所示的處理室140內的晶圓補救處理乃先在步驟S510判斷處於處理室140內的晶圓W是否為處理途中晶圓W。具體上，例如藉由如第4圖所示的晶圓處理履歷資訊294來檢測處於處理室140內的晶圓W的處理階段，判斷該晶圓W的處理階段是否為處理途中階段。例如若藉由第4圖示的晶圓處理履歷資訊294，晶圓ID132A-22的晶圓W，在第1處理室140A之蝕刻工程的處理途中，基板處理裝置100的作業停止，就能判斷為處理途中階段。
在上述步驟S510判斷處於處理室140內的晶圓W為處理途中晶圓W時，在步驟S520進行對處理途中晶圓W的處理後，進入步驟S530的處理。再者，對步驟S520之處理途中晶圓W的處理之詳細於後述。又，在步驟S510判斷處於處理室140內的晶圓W不是處理途中晶圓W時，例如判斷為未處理晶圓W或是處理過晶圓W時，照樣進入步驟S530的處理。
在步驟S530，判斷處理室140內的晶圓W是否為處理未完成晶圓W。在此稱為處理未完成晶圓W，除了因基板處理裝置100之異常的停止作業時(或是復原處理開始 時)為處理未完成晶圓W外，也包括連施行對藉由步驟S520之處理途中晶圓W的處理，都還要在其他處理室140之處理的處理未完成晶圓W。
在上述步驟S530判斷處於處理室140內的晶圓W為處理未完成晶圓W時，因步驟S540進行對處理未完成晶圓W的處理後，進入步驟S550的處理。再者，對步驟S540之處理未完成晶圓的處理乃與第8圖所示的步驟S420之處理相同，其具體例乃與第9圖所示的相同。又，在步驟S530判斷處於處理室140內的晶圓W不是處理未完成晶圓W時，即判斷為未處理晶圓W或是處理完成晶圓W時，即進入步驟S550的處理。
在步驟S550將未處理晶圓W或是處理完成晶圓W，例如藉由處理單元側搬送機構180往裝載鎖定室160M或是160N內搬送，於該裝載鎖定室160M或160N內實行如上述的排氣處理例如循環沖洗。在此稱為處理完成晶圓W，除了由於基板處理裝置100之異常而停止作業時(或是復原處理開始時)為處理完成晶圓W外，也包括藉由步驟S540對處理未完成晶圓W施行處理而成為處理完成晶圓W。
接著，在步驟S560將該晶圓W藉由搬送單元側搬送機構170往顆粒測定室134搬送。具體上，除裝載鎖定室160M或160N做大氣開放等進行壓力調整外，藉由搬送單元側搬送機構170搬出該晶圓W，往顆粒測定室134搬入。其次，在步驟S570進行顆粒測定，在步驟S580將該 測定結果例如記憶於日誌等。其後，在步驟S590藉由搬送單元側搬送機構170將該晶圓W從顆粒測定室134搬出並往原搬送的卡匣容器132返回。此如若一連串的處理室140內的晶圓補救處理結束，即返回第5圖所示的主常式。
(對處理途中晶圓之處理)
在此，針對對第10圖所示的步驟S520的處理途中晶圓W之處理的具體例邊參照第11圖邊做說明。第11圖係表示對處理途中晶圓W之處理的次常式的流程圖。對第11圖所示的處理途中晶圓W之處理乃進行對應由於基板處理裝置100之異常而停止作業時被中斷的晶圓之處理階段的補救處理。即通常在處理室140之晶圓W的處理，經由複數個處理工程(製程、步驟配方(recipe))而階段性地進行，藉由進行對應哪一處理工程的階段被中斷的剩餘處理，而進行對應晶圓W之處理階段的適當晶圓補救處理。
在上述處理室140的晶圓W的處理工程(製程、步驟配方)乃因晶圓W之處理的種類和條件等而異，但在此乃表示花在如第12圖~第14圖所示的安定工程、蝕刻工程、結束工程的時間。第12圖~第14圖乃表示晶圓之處理工程的具體例的圖，第12圖~第14圖之(a)乃分別表示晶圓W之處理工程中在哪裡基板處理裝置100停止作業的圖，第12圖~第14圖之(b)乃分別表示在第 12圖~第14圖之(a)基板處理裝置100停止作業時的晶圓之剩餘處理的圖。
在對第11圖所示的處理途中晶圓W的處理，先在步驟S521判斷處理室140內的處理途中晶圓W是否在安定工程途中停止處理。具體上，例如藉由如第4圖所示的晶圓處理履歷資訊294檢測處於處理室140內的晶圓W之處理階段，判斷該晶圓W之處理是否在安定工程中被停止。在步驟S521判斷處理室140內的晶圓W之處理途中晶圓W在安定工程中被停止時，即在步驟S522從最初開始實行該安定工程。
例如如第12圖(a)所示，在安定工程的途中晶圓W之處理被停止時，還未對該晶圓W進行蝕刻處理的緣故，對此種處理途中晶圓W之剩餘處理乃如第12圖(b)所示照樣由安定工程的最初再處理就夠。
而且，步驟S522的處理，即安定工程結束的話，在步驟S527繼續其後的處理，在步驟S528判斷在該處理室140的剩餘處理是否結束，判斷剩餘處理未結束時，返回步驟S527。其後的處理乃在例如第12圖(b)所示的處理途中晶圓W之剩餘處理，在安定工程結束後繼續實行蝕刻工程TP 、結束工程TE 。若如此所有的工程結束，即藉由進行排氣處理和壓力控制等，整理處理室140內之狀態後，搬出處理過晶圓W。而且，在步驟S528判斷在該處理室140的剩餘處理結束時，即結束對一連串之處理途中晶圓的處理，返回第10圖所示的處理室內的晶圓補救 處理。
在上述步驟S521判斷處理室140內的處理途中晶圓W在安定工程途中處理未停止時，在步驟S523判斷處理室140內的處理途中晶圓W是否在蝕刻工程途中處理被停止。此時也例如藉由如第4圖所示的晶圓處理履歷資訊294來檢測在處理室140內的晶圓W之處理階段，判斷該晶圓W的處理是否在蝕刻工程途中被停止。例如，若根據第4圖所示的晶圓處理履歷資訊294，因晶圓ID132A-22的晶圓W，在第1處理室140A的蝕刻工程之處理途中，基板處理裝置100停止作業，就能判斷該晶圓W在蝕刻工程途中處理被停止。
在上述步驟S523判斷處理室140內之處理途中晶圓W在蝕刻工程途中處理被停止時，在步驟S524將該蝕刻工程的剩餘處理於安定工程後實行。即除了進行處理室140內之排氣處理外，進行真空吸引並使處理室140內的壓力形成特定壓力，改導入處理氣體並施加高頻電力揚起電漿，再度進行剩餘時間的蝕刻處理。
例如第13圖(a)所示，在蝕刻工程途中處理被停止時，因是到途中對該晶圓W進行蝕刻處理，故基本上，只要該蝕刻處理的剩餘時間TPR 部分就足以進行蝕刻處理。但，此時蝕刻處理一度被中斷，再度藉由安定工程進行排氣處理後，重新導入處理氣體而電漿化，亦認為電漿狀態在蝕刻處理之中斷前與中斷後有完全不相同的情形。因此，在晶圓W的剩餘處理，如第13圖(b)所示，可 設定追加蝕刻時間TA 。因而，在第13圖(b)所示的晶圓W之剩餘處理，對因基板處理裝置100之異常的作業停止時(處理中斷時)之蝕刻處理的剩餘時間TPR ，只加入追加蝕刻時間TA 的時間來進行蝕刻處理。該追加蝕刻時間TA 乃於晶圓W的處理工程(製程配方)作為復原處理時的程序，事前操作員可對記憶手段290等自由地設定進行藉由輸出/輸入手段26的操作，也可在復原處理實行時，操作員自輸出/輸入手段260進行輸入。
再者，在有關本實施形態之晶圓W的剩餘處理乃針對依基如第4圖所示的晶圓處理履歷資訊294，求得蝕刻處理的剩餘時間TPR ，對該蝕刻處理的剩餘時間TPR ，於必要時加入追加蝕刻時間TA ，以該等之時間作為剩餘處理時間，只該剩餘處理時間，進行蝕刻處理時做說明，該剩餘處理時間，不一定是依據如第4圖所示的晶圓處理履歷資訊294而求得。以例如處理室140A~140F的一個(例如處理室140F)作為缺陷檢查室所構成，將在蝕刻工程途中，處理被停止的晶圓W往缺陷檢查室搬送，在缺陷檢查室來檢測晶圓W之處理狀態(例如藉由蝕刻處理被形成在晶圓W上之孔底的蝕刻殘渣量等)，依據該檢測結果來設定蝕刻處理之剩餘處理時間(例如TPR +TA )亦可。缺陷檢查室乃具備例如電子顯微鏡等之檢查裝置，依據將該缺陷檢查室內的晶圓W藉由電子顯微鏡等所拍攝而得的電子像，檢測晶圓W之處理狀態亦可。
又，在上述蝕刻工程實行之前的安定工程，雖也可實 行預先設定在晶圓W之處理工程(製程配方)的安定工程Ts，但也可實行另行設定在晶圓W之處理工程(製程配方)的晶圓補救處理時的安定工程Ts′。此時，例如對下部電極等所施加的高頻電壓，也可以階段性地施加進行設定。特別是施加較高的高頻電壓時，可藉由階段性地施加，來防止例如處理室140內產生顆粒。此種高頻電壓的施加方法，也可例如藉由階段性的電壓值與施加該電壓的時間等所設定。
而且，步驟S524的處理，即蝕刻工程之剩餘處理結束的話，在步驟S527繼續其後的處理，在步驟S528判斷在該處理室140的剩餘處理是否結束，判斷剩餘處理未結束時，即返回到步驟S527的處理。其後的處理乃在例如如第13圖(b)所示的處理途中晶圓W的剩餘處理乃蝕刻工程結束後繼續實行結束工程。此種所有的工程結束的話，即藉由進行排氣處理和壓力控制等，整理處理室140內的狀態後，搬送處理過晶圓W。而且，在步驟S528判斷在該處理室140的剩餘處理結束時，即結束針對一連串之處理途中晶圓的處理，返回到第10圖所示的處理室內之晶圓補救處理。
在上述步驟S523，判斷處理室140內之處理途中晶圓W，在蝕刻工程途中，處理未被停止時，在步驟S525，判斷處理室140內之處理途中晶圓W，是否在結束工程途中，處理被停止。此時也藉由例如如第4圖所示的晶圓處理履歷資訊294，檢測在處理室140內之晶圓W的 處理階段，判斷該晶圓W的處理是否在結束工程途中被停止。
在上述步驟S525，判斷處理室140內之處理途中晶圓W，在結束工程途中，處理被停止時，在步驟S526，於安裝工程後實行該結束工程的剩餘處理。即除了進行處理室140內之排氣處理外，進行真空吸引並使處理室140內的壓力形成特定壓力，改導入處理氣體並施加高頻電力揚起電漿，再度實行剩餘時間之終點處理等的結束工程。
例如如第14圖(a)所示在結束工程途中處理被停止時，如第14圖(b)所示，只該結束工程中之終點處理的剩餘時間TER之部分，進行終點處理。即將之前的蝕刻工程中之蝕刻處理，以結束工程之剩餘時間TER的經過時點為終點而結束。
而且，步驟S525的處理，即結束工程結束的話，在步驟S527繼續其後的處理，在步驟S528判斷在該處理室140的剩餘處理是否結束，判斷剩餘處理未結束時，即返回到步驟S527的處理。其後的處理乃例如在如第14圖(b)所示的處理途中晶圓W的剩餘處理，結束工程結束，藉此結束所有的工程，進行排氣處理和壓力控制等，藉此整理處理室140內的狀態後，搬出處理過晶圓W。而且，在步驟S528判斷在該處理室140的剩餘處理結束時，即結束針對一連串之處理途中晶圓的處理，返回到第10圖所示的處理室內之晶圓補救處理。
可是，如上述的終點處理，有各種方法。例如具有： 以特定之終點時間的經過時點為終點而結束蝕刻處理的方法(第1終點處理方法)，依據電漿狀態等，根據經由終點檢測方法所檢測的終點結束蝕刻處理的方法(第2終點處理方法)，藉由上述終點檢測方法檢測到終點時，在該時點結束蝕刻處理，未檢測到終點並經過特定之終點時間時，在該經過時點結束蝕刻處理的方法(第3終點處理方法)等。又，此種終點檢測方法，除了依據在處理室140內所激起的電漿之發光光譜的變化所檢測的方法外，另有將來自光源的光朝向晶圓W而照射，依據該反射光之干涉光的變化所檢測的方法。
有關本實施形態之第11圖所示的晶圓補救處理，也適用於包括任一終點處理的結束工程。例如如上述第1終點處理方法和第3終點處理方法，包括因特定之終點時間的經過所決定終點的處理時，預先設定上述特定之終點時間(例如第14圖所示的TE )，故如果知道作業停止時間tS ，就能求得結束工程的剩餘時間TER 。因此，如上述，以結束工程之剩餘時間TER 的經過時點為終點而結束蝕刻處理。此時，在第3終點處理方法，未進行藉由電漿狀態等之終點的檢測。
對此，第2終點處理方法時，蝕刻處理的終點乃依據專對電漿狀態和晶圓狀態等所檢測，並不是預先設定為了決定如上述之終點的特定之終點時間(例如第14圖所示的TE )。此種情形下，例如在進行各晶圓W之結束工程之際，計測終點時間並記憶在記憶體等，因基板處理裝置 100之異常的作業停止時，也可以有關在停止以前的各晶圓W之終點時間的平均值，作為實行補救處理之晶圓W的終點時間，依據該終點時間而算出結束工程的剩餘時間TER 。
再者，就能有關在上述結束工程實行之前的安定工程，雖然也可與在上述蝕刻工程實行之前的安定工程同樣地，實行預先設定在晶圓W之處理工程(製程配方)的安定工程Ts，但也可實行另行設定在晶圓W之處理工程(製程配方)的晶圓補救處理時的安定工程Ts′。此時，例如對下部電極等所施加的高頻電壓，也可以階段性地施加進行設定。
按此，如上述的一連串之處理室140內的晶圓補救處理結束的話，即返回到第5圖所示的主常式之處理。即在第5圖所示的步驟S150，判斷搬送中的晶圓W是否全部回收。即，藉由至步驟S200~步驟S500止的各晶圓補救處理所處理的晶圓W往原搬送的卡匣容器132搬送，並判斷所有的晶圓W是否被回收。在步驟S150判斷所有的晶圓W還未被回收時，即返回到步驟S110的處理，判斷所有的晶圓W被回收時，即移到下一個裝置內狀態復原處理(步驟S160，步驟S170)的處理。
(裝置內狀態復原處理)
在第5圖所示的復原處理乃作為裝置內狀態復原處理而例如在步驟S160實行基板處理裝置100之各室內的清 洗處理。即，例如針對搬送單元120內、共通搬送室150內、裝載鎖定室160M、160N內、各處理室140A~140F內等的各室實行清洗處理。針對各室的清洗處理乃如上述，例如照樣流入沖洗氣體(例如N2 氣體)，進行特定次數重復真空吸引與大氣開放的處理(例如NPPC：Non-Plasma Particle Cleaning)。除去該等各室內的顆粒，將各室內整理成可處理晶圓的狀態。再者，清洗處理並不限於如上述的處理，也適用藉由基板處理裝置而自動進行的公知清洗處理。
接著，在步驟S170進行上述各室內的顆粒測定處理。例如若在卡匣容器132C收納有顆粒測定用晶圓，即將該顆粒測定用晶圓從卡匣容器132C取出並暫時往各室搬入，其後返回到顆粒測定室134，在顆粒測定室134內測定附著在該顆粒測定用晶圓上的顆粒量。而且，將各室之顆粒量的測定結果例如記憶在日誌等。該日誌例如也可記憶在控制部200的記憶手段290和記憶體等。
上述各室內之顆粒測定處理結束的話，即進行對回收到卡匣容器132之未處理晶圓的再處理。具體上，是在步驟S180，判斷在被回收到卡匣容器132的晶圓W中是否殘留有未處理晶圓。具體上，例如，藉由如第3圖所示的晶圓收容資訊292，判斷在被回收到卡匣容器132的晶圓W中是否殘留有未處理晶圓。例如若根據第3圖所示的晶圓收容資訊292，晶圓ID132A-23之晶圓W乃復原處理為「有」，且晶圓處理狀況為「未處理」的緣故，該晶圓 W乃為有關復原處理之晶圓W，即可判斷是在未處理階段。
在上述步驟S180，判斷殘留有未處理晶圓時，在步驟S190進行未處理晶圓的再處理(未處理晶圓的再處理工程)。在此，針對未處理晶圓，依據該晶圓W之晶圓處理資訊(製程配方)，由最初來實行晶圓處理。如此一來，未處理晶圓W的再處理乃暫時回收到卡匣容器132，基板處理裝置100之各室被清洗處理之後所進行，故能與基板處理裝置100之復原前同樣地進行未處理晶圓W的處理。如此的未處理晶圓之再處理結束的話，即結束一連串的復原處理。
再者，在上述實施形態中，雖是舉例說明將有關基板處理裝置100之各室的裝置內狀態復原處理例如各室的清洗處理，在所有的各室之基板回收處理結束後，一次進行的情形，但未必限定於此，在每一各室進行基板回收處理與裝置內狀態復原處理亦可。例如處理單元110內之清洗處理乃於處理單元110內之晶圓回收處理之後實行，共通搬送室150內之清洗處理也可在共通搬送室150內之晶圓回收處理之後實行。又，處理室140內之清洗處理，就算殘留有晶圓W還是照様可以進行。藉此，就連在處理室140內當處理被中斷時，浮遊而掉落在晶圓W上的顆粒，也可與處理室140內之清洗同時予以除去。
又，有關上述實施形態的復原處理乃藉由異常解除後的電源投入所自動性地實行亦可，又，例如於控制部200 之顯示手段250，顯示是否實行復原處理的選擇畫面，藉由操作員之輸出/輸入手段260的操作，選擇復原處理所實行亦可。又，復原處理，不光是全部，也可選擇一部分而實行。例如也可選擇基板回收處理或是裝置內復原處理的任一個處理而實行，就連在基板回收處理之中，也可各別選擇搬送單元內的晶圓補救處理(步驟S200)、裝載鎖定室內的晶圓補救處理(步驟S300)、共通搬送室內的晶圓補救處理(步驟S400)、處理室內的晶圓補救處理(步驟S500)而實行。
若藉由有關本實施形態之基被處理裝置100，因在基板處理裝置100之作業中產生異常，作業被停止之際，在該異常解除後，使基板處理裝置100之狀態復原的復原處理，可藉由針對殘留在基板處理裝置之各室內的晶圓W，進行對應實行到作業停止時的處理之階段的補救處理，並使晶圓W往卡匣容器132自動性地回收(基板回收工程)，並且使基板處理裝置100之各室內的清洗處理等自動性地進行，而復原各室內的狀態(裝置內狀態復原工程)，以自動進行使基板處理裝置100之狀態復原的處理。藉此，就能節省基板處理裝置100之復原處理的時間與麻煩。又，因基板處理裝置100產生異常，作業停止之際，進行對應晶圓W之處理階段的正確補救處理，藉此就能儘量補救許多的晶圓W。
再者，上述實施形態中的復原處理，雖是針對具備顆粒測定室134的基板處理裝置100所說明，但也適用於未 具備顆粒測定室134的基板處理裝置。此時，也可省略顆粒測定室134中之晶圓W及各室的顆粒測定。例如有關第5圖所示的步驟S170、第6圖所示的步驟S210~S230、第7圖所示的步驟S320~340、第8圖所示的步驟S440~S460、第10圖所示的步驟S560~S580，也可分別省略。
又，有關根據上述實施形態所詳述的本發明，適用於由複數個機器所構成的系統，也適用於由一個機器所形成的裝置。即使藉由將記憶用來實現上述之實施形態之機能的軟體之程式的記憶媒體等之媒體，供給於系統或是裝置，該系統或是裝置的電腦(或是CPU和MPU)會讀出儲存在記憶媒體等之媒體的程式而實行，不必說當然也可達成本發明。
此時，由記憶媒體等之媒體所讀出的程式本身就會實現上述之實施形態的機能，記憶該程式的記憶媒體等之媒體乃為構成本發明。用以供給程式之記憶媒體等的媒體，例如可採用軟碟、硬碟、光碟、光磁碟、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW、磁帶、非揮發性的記憶卡、ROM或是經由網路的下載等。
再者，藉由實行電腦所讀出的程式，不但可實現上述之實施形態的機能，還可依據該程式的指示，在電腦上作業的OS等進行實際之處理的一部分或全部，藉由該處理實現上述之實施形態的機能時，也包含於本發明。
再者，由記憶媒體等之媒體所讀出的程式，寫入於配備在插入到電腦的功能擴充卡和連接於電腦的功能擴充元件之記憶體後，依據該程式的指示，配備在其功能擴充卡和功能擴充元件的CPU，進行實際之處理的一部分或全部，藉由該處理實現上述之實施形態的機能時，也包含於本發明。
以上，雖是一邊參照所附圖面一邊針對本發明之最佳的實施形態做說明，但本發明當然並不限定於此例。若為該項技藝者，顯然在申請專利範圍所記載的範圍內，仍可想到各種變更例或是修正例，針對該些當然也隸屬於本發明之技術範圍。
例如在上述實施形態中，雖以處理單元舉例說明於共通搬送室的周圍連接複數個處理室之所謂群集工具型的基板處理裝置，但例如處理單元除了於處理室連接裝載鎖定室，且於搬送單元並列連接複數個處理單元的所謂串列型的基板處理裝置等外，本發明適用於因基板處理裝置產生異常而作業停止的各種形式的基板處理裝置。
〔產業上的可利用性〕
本發明乃為可適用於針對被處理基板，施行特定之處理的基板處理裝置，由於產生異常而作業停止之際的基板處理裝置之復原處理方法，基板處理裝置，程式。
100‧‧‧基板處理裝置
110‧‧‧處理單元
120‧‧‧搬送單元
130‧‧‧搬送室
131(131A~131C)‧‧‧卡匣台
132(132A~132C)‧‧‧卡匣容器
133(133A~133C)‧‧‧閘閥
134‧‧‧顆粒測定室
135‧‧‧載置台
135a‧‧‧晶圓感測器
136‧‧‧定方位器
138‧‧‧廻轉載置台
138a‧‧‧晶圓感測器
139‧‧‧光學感測器
140(140A~140F)‧‧‧處理室
142(142A~142F)‧‧‧載置台
144(144A~144F)‧‧‧閘閥
150‧‧‧共通搬送室
164M、164N‧‧‧交遞台
165M、165N‧‧‧晶圓感測器
170‧‧‧搬送單元側搬送機構
172‧‧‧基台
173a，173b‧‧‧晶圓感測器
173A，173B‧‧‧拾取器
174‧‧‧導軌
176‧‧‧線性馬達驅動機構
180‧‧‧處理單元側搬送機構
182‧‧‧基台
183a，183b‧‧‧晶圓感測器
183A，183B‧‧‧拾取器
184‧‧‧導軌
186‧‧‧臂機構
188(188A~188F)‧‧‧晶圓感測器
189‧‧‧位置感測器
200‧‧‧控制部
210‧‧‧CPU
220‧‧‧ROM
230‧‧‧RAM
240‧‧‧計時手段
250‧‧‧顯示手段
260‧‧‧輸出/輸入手段
270‧‧‧報知手段
280‧‧‧各種控制器
290‧‧‧記憶手段
292‧‧‧晶圓收容資訊
〔第1圖〕表示有關本發明之實施形態的基板處理裝置之構成的剖面圖。
〔第2圖〕表示第1圖所示的控制部之構成例的方塊圖。
〔第3圖〕表示第2圖所示的晶圓收容資訊之具體例的圖。
〔第4圖〕表示第2圖所示的晶圓處理履歷資訊之具體例的圖。
〔第5圖〕表示有關同實施形態的復原處理之具體例的流程圖。
［第6圖〕表示第5圖所示的搬送單元內之晶圓補救處理的具體例的流程圖。
〔第7圖〕表示第5圖所示的裝載鎖定室內之晶圓補救處理的具體例的流程圖。
〔第8圖〕第5圖所示共通搬送室內的晶圓補救處理的具體例的流程圖。
〔第9圖〕表示對第8圖所示的處理未完成晶圓之處理的具體例的流程圖。
〔第10圖〕表示第5圖所示的處理室內的晶圓補救處理的具體例的流程圖。
〔第11圖〕表示對第10圖所示的處理途中晶圓之處理的具體例的流程圖。
［第12圖〕表示晶圓之處理工程的圖，同圖(a)乃為表示在處理室內之安定工程途中，基板處理裝置之作業 停止時的圖，同圖(b)乃為表示在處理室內之安定工程途中，基板處理裝置之作業停止時的晶圓W之剩餘處理的圖。
〔第13圖〕表示晶圓之處理工程的圖，同圖(a)乃為表示在處理室內之蝕刻工程途中，基板處理裝置之作業停止時的圖，同圖(b)乃為表示在處理室內之蝕刻工程途中，基板處理裝置之作業停止時的晶圓W之剩餘處理的圖。
〔第14圖〕表示晶圓之處理工程的圖，同圖(a)乃為表示在處理室內之結束工程途中，基板處理裝置之作業停止時的圖，同圖(b)乃為表示在處理室內之結束工程途中，基板處理裝置之作業停止時的晶圓W之剩餘處理的圖。
S110、S120、S130、S140、S150、S160、S170、S180、S190、S200、S300、S400、S500‧‧‧步驟

Claims (27)

  1. 一種基板處理裝置之復原處理方法，乃屬於在由至少包括用來處理從基板收納容器被搬送的被處理基板之處理室的複數個室所形成的基板處理裝置中，在由於其基板處理裝置之作業中產生異常使得作業被停止之際，於其異常解除後，使前述基板處理裝置之狀態復原的基板處理裝置之復原處理方法，其特徵為具有：對殘留在前述基板處理裝置之各室內的前述被處理基板，進行因應至前述作業停止時為止被實行的處理之階段的基板補救處理，使前述被處理基板往前述基板收納容器回收的基板回收工程；和使前述基板處理裝置之各室內的狀態復原的裝置內狀態復原工程，前述基板補救處理具有，檢測殘留在前述基板處理裝置內的前述被處理基板的基板檢測工程；和針對藉由前述基板檢測工程被檢測出的被處理基板，檢測至前述作業停止為止被實行的處理之階段的處理階段檢測工程；和對藉由前述基板檢測工程被檢測出的被處理基板，實行因應藉由前述處理階段檢測工程被檢測出的處理階段的基板補救處理的基板補救工程，前述基板補救工程乃藉由前述基板檢測工程在前述處理室內檢測被處理基板， 於藉由前述處理階段檢測工程檢測出至上述被處理基板之上述作業停止時被實行的處理階段為在其處理室有剩餘之處理的處理途中階段時，在其處理室內對其被處理基板實行剩餘的處理。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載的基板處理裝置之復原處理方法，其中，前述基板處理裝置具備，在其基板處理裝置之作業中，記憶被處理基板之處理履歷資訊的記憶手段；前述基板補救工程乃藉由前述基板檢測工程在前述處理室內檢測被處理基板，藉由前述處理階段檢測工程檢測其被處理基板的處理階段為在其處理室有剩餘之處理的處理途中階段時，依據記憶在前述記憶手段的被處理基板之處理履歷資訊，設定其被處理基板的剩餘處理時間，僅以其剩餘處理時間，對其被處理基板實行剩餘的處理。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載的基板處理裝置之復原處理方法，其中，前述基板處理裝置具備，檢測前述被處理基板的處理狀態，並進行缺陷檢查的缺陷檢查室，前述基板補救工程乃藉由前述基板檢測工程在前述處理室內檢測被處理基板，藉由前述處理階段檢測工程檢測其被處理基板的處理階段為在其處理室有剩餘之處理的處理途中階段時，將其被處理基板往前述缺陷檢查室搬送，依據在其缺陷檢查室被檢測出的被處理基板之處理狀態，設定其被處理基板的剩餘處理時間，僅以其剩餘處理時 間，對其被處理基板實行剩餘的處理。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載的基板處理裝置之復原處理方法，其中，前述基板補救工程乃藉由前述基板檢測工程檢測由某一處理室往其他處理室搬送之途中的被處理基板，藉由前述處理階段檢測工程檢測其被處理基板的處理階段為在其他處理室剩餘有需要處理的處理未完成階段時，對其被處理基板實行在剩餘之處理室的處理。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載的基板處理裝置之復原處理方法，其中，前述基板補救工程乃藉由前述基板檢測工程在某一室內檢測被處理基板，藉由前述處理階段檢測工程檢測其被處理基板之處理階段為未處理階段或是處理完成階段時，使其被處理基板往前述基板收納容器回收。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載的基板處理裝置之復原處理方法，其中，前述裝置內狀態復原工程乃實行前述基板處理裝置之各室內的清洗處理。
  7. 如申請專利範圍第6項所記載的基板處理裝置之復原處理方法，其中，前述基板處理裝置之各室具備，至少可導入沖洗氣體的氣體導入系統；和可藉由真空吸引及大氣開放調整壓力的排氣系統；前述清洗處理乃在維持對前述基板處理裝置的各室 內，藉由前述氣體導入系統導入沖洗氣體之狀態下，藉由前述排氣系統重複進行特定次數的真空吸引與大氣開放的處理。
  8. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載的基板處理裝置之復原處理方法，其中，又具有，檢測被回收到前述基板收納容器的被處理基板是否為未處理階段，當被檢測出為未處理階段時，即對其被處理基板再度實行處理的再處理工程。
  9. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載的基板處理裝置之復原處理方法，其中，前述基板處理裝置具備顆粒測定室，前述基板回收工程乃在使前述被處理基板回收到前述基板收納容器之前，搬送到前述顆粒測定室，在該顆粒測定室進行前述被處理基板上之顆粒量的測定，而將其測定結果與前述被處理基板賦予關聯性而記憶於記憶手段。
  10. 一種基板處理裝置之復原處理方法，乃屬於在具備由至少包括用來處理被處理基板的複數個處理室的複數個室所形成的處理單元；和具有連接在前述處理單元，且在與收納前述被處理基板的基板收納容器之間進行前述被處理基板之交遞的搬送室的搬送單元；和設置在前述搬送單元內，使前述被處理基板搬入/搬出於前述處理單元的搬送單元側搬送機構；和設置在前述處理單元內，使前述被處理基板搬入/搬出於前述處理室的處理單元側搬送 機構的基板處理裝置中，在由於其基板處理裝置之作業中產生異常使得作業被停止之際，於其異常解除後，使前述基板處理裝置之狀態復原的基板處理裝置之復原處理方法，其特徵為具有：對殘留在前述處理單元內的被處理基板，檢測其處理基板的處理階段是否剩餘其被處理基板所需要處理的處理階段，在有剩餘需要處理的處理階段時，實行剩餘的處理，藉由前述處理單元側搬送機構及前述搬送單元側搬送機構往前述基板收納容器回收，於無剩餘需要處理的處理階段時，藉由前述處理單元側搬送機構及前述搬送單元側搬送機構實行往前述基板收納容器回收的處理單元內基板補救處理，對殘留在前述搬送單元內的被處理基板，藉由前述搬送單元側搬送機構實行往前述基板收納容器回收之搬送單元內基板補救處理的基板回收工程；和使前述基板處理裝置之前述處理單元內及前述搬送單元內的狀態復原的裝置內狀態復原工程。
  11. 如申請專利範圍第10項所記載的基板處理裝置之復原處理方法，其中，前述基板處理裝置具備，在其基板處理裝置之作業中，用於記憶被處理基板之處理履歷資訊的記憶手段；前述處理單元內基板補救處理乃依據記憶在前述記憶手段的被處理基板之處理履歷資訊，檢測殘留在前述處理單元內的被處理基板之處理階段是否為其被處理基板需要處理的處理階段，依據其檢測結果而實行剩餘的處理。
  12. 如申請專利範圍第10項所記載的基板處理裝置之復原處理方法，其中，前述基板處理裝置具備，檢測前述被處理基板的處理狀態，並進行缺陷檢查的缺陷檢查室，前述處理單元內基板補救處理乃依據在前述缺陷檢查室所檢測的被處理基板之處理狀態，檢測殘留在前述處理單元內的被處理基板之處理階段是否為其被處理基板需要處理的處理階段，依據其檢測結果而實行剩餘的處理。
  13. 如申請專利範圍第10至12項中之任一項所記載的基板處理裝置之復原處理方法，其中，前述裝置內狀態復原工程乃實行前述基板處理裝置之前述處理單元內及前述搬送單元之各室內的清洗處理。
  14. 如申請專利範圍第13項所記載的基板處理裝置之復原處理方法，其中，前述基板處理裝置的前述處理單元及前述搬送單元的各室具備，至少可導入沖洗氣體的氣體導入系統；和可藉由真空吸引及大氣開放調整壓力的排氣系統；前述清洗處理乃在維持對前述處理單元及前述搬送單元之各室內，藉由前述氣體導入系統導入沖洗氣體之狀態下，藉由前述排氣系統重複特定次數的真空吸引與大氣開放的處理。
  15. 如申請專利範圍第10至12項中之任一項所記載的基板處理裝置之復原處理方法，其中，又具有，檢測被回收到前述基板收納容器的被處理基 板是否為未處理階段，當被檢測出為未處理階段，即對其被處理基板再度實行處理的再處理工程。
  16. 如申請專利範圍第10至12項中之任一項所記載的基板處理裝置之復原處理方法，其中，前述基板處理裝置具備顆粒測定室，前述基板回收工程乃在使前述被處理基板回收到前述基板收納容器之前，搬送到前述顆粒測定室，在該顆粒測定室進行前述被處理基板上之顆粒量的測定，而將其測定結果與前述被處理基板賦予關聯性而記憶於記憶手段。
  17. 一種基板處理裝置之復原處理方法，乃為在具有在與收納被處理基板的基板收納容器之間，進行前述被處理基板之交遞的搬送室的搬送單元；和於周圍連接處理前述被處理基板之複數個處理室的共通搬送室以及具有連接該共通搬送室與前述搬送單元之搬送室的裝載鎖定室的處理單元；和設置在前述搬送單元的搬送室內，使前述被處理基板搬入/搬出於前述裝載鎖定室的搬送單元側搬送機構；和設置在前述處理單元的共通搬送室內，在前述裝載鎖定室與前述各處理室之各室間具備使前述被處理基板搬入/搬出之處理單元側搬送機構的基板處理裝置中，在由於其基板處理裝置之作業中產生異常使得作業被停止之際，於該異常解除後，使前述基板處理裝置之狀態復原的基板處理裝置之復原處理方法，其特徵為具有：當在前述搬送單元內被檢測出被處理基板時，則實行往前述基板收納容器回收的搬送單元內基板補救處理，當在前述裝 載鎖定室內檢測被處理基板時，除進行其裝載鎖定室內之排氣處理外，實行將其被處理基板往基板收納容器回收的裝載鎖定室內基板補救處理，當在前述共通搬送室內被檢測出被處理基板時，則判斷其被處理基板的處理階段是否為處理未完成階段，若是處理未完成階段時，除了在剩餘的處理室實行處理外，並往前述基板收納容器回收，若不是處理未完成階段時，則實行往前述基板收納容器回收的共通搬送室內基板補救處理，當在前述處理室內檢測被處理基板，則判斷其被處理基板之處理階段是否為處理途中階段，若是處理途中階段，除了在其處理室實行剩餘之處理外，並往前述基板收納容器進行回收，若不是處理途中階段，則實行往前述基板收納容器回收之處理室內基板補救處理的基板回收工程；和使前述基板處理裝置之各室內的狀態復原的裝置內狀態復原工程。
  18. 如申請專利範圍第17項所記載的基板處理裝置之復原處理方法，其中，前述基板處理裝置具備，在其基板處理裝置之作業中，用於記憶被處理基板之處理履歷資訊的記憶手段；前述處理室內基板補救處理乃在，判斷前述處理室內之被處理基板的處理階段為處理途中階段時，依據記憶在前述記憶手段的被處理基板之處理履歷資訊，設定其被處理基板的剩餘處理時間，僅以其剩餘處理時間，對其被處理基板實行剩餘的處理。
  19. 如申請專利範圍第17項所記載的基板處理裝置之復原處理方法，其中，前述基板處理裝置具備，檢測前述被處理基板的處理狀態，並進行缺陷檢查的缺陷檢查室，前述處理室內基板補救處理乃在，判斷前述處理室內之被處理基板的處理階段為處理途中階段時，將其被處理基板往前述缺陷檢查室搬送，依據在其缺陷檢查室被檢測出的被處理基板之處理狀態，設定其被處理基板的剩餘處理時間，僅以其剩餘處理時間，對其被處理基板實行剩餘的處理。
  20. 如申請專利範圍第17至19項中之任一項所記載的基板處理裝置之復原處理方法，其中，前述裝置內狀態復原工程乃實行前述基板處理裝置之前述處理單元內及前述搬送單元之各室內的清洗處理。
  21. 如申請專利範圍第20項所記載的基板處理裝置之復原處理方法，其中，前述基板處理裝置的前述處理單元及前述搬送單元的各室具備，至少可導入沖洗氣體的氣體導入系統；和可藉由真空吸引及大氣開放調整壓力的排氣系統；前述清洗處理乃在維持對前述處理單元及前述搬送單元之各室內，藉由前述氣體導入系統導入沖洗氣體之狀態下，藉由前述排氣系統重複進行特定次數的真空吸引與大氣開放的處理。
  22. 如申請專利範圍第17至19項中之任一項所記載 的基板處理裝置之復原處理方法，其中，又具有，檢測被回收到前述基板收納容器的被處理基板是否為未處理階段，當被檢測出為未處理階段時，即對其被處理基板再度實行處理的再處理工程。
  23. 如申請專利範圍第17至19項中之任一項所記載的基板處理裝置之復原處理方法，其中，前述基板處理裝置具備顆粒測定室，前述基板回收工程乃在使前述被處理基板回收到前述基板收納容器之前，搬送到前述顆粒測定室，在該顆粒測定室進行前述被處理基板上之顆粒量的測定，而將其測定結果與前述被處理基板賦予關聯性而記憶於記憶手段。
  24. 一種基板處理裝置，乃屬於用以處理被處理基板的基板處理裝置，其特徵為：具備：由至少包括用來處理前述被處理基板的複數個處理室的複數個室所形成的處理單元；和連接在前述處理單元，具有在與收納前述被處理基板的基板收納容器之間進行前述被處理基板之交遞的搬送室的搬送單元；和設置在前述搬送單元內，使前述被處理基板搬入/搬出於前述處理單元的搬送單元側搬送機構；和設置在前述處理單元內，使前述被處理基板搬入/搬出於前述處理室的處理單元側搬送機構；和在由於前述基板處理裝置之作業中產生異常使得作業 被停止之際，於該異常解除後，使前述基板處理裝置之狀態復原的控制手段；前述控制手段具備：對殘留在前述處理單元內的被處理基板，檢測其處理基板的處理階段是否為剩餘其被處理基板所需要處理的處理階段，在有剩餘需要處理的處理階段時，實行剩餘的處理，藉由前述處理單元側搬送機構及前述搬送單元側搬送機構往前述基板收納容器回收，於無剩餘需要處理的處理階段時，藉由前述處理單元側搬送機構及前述搬送單元側搬送機構實行往前述基板收納容器回收的處理單元內基板補救處理，對殘留在前述搬送單元內的被處理基板，藉由前述搬送單元側搬送機構實行往前述基板收納容器回收之搬送單元內基板補救處理的基板回收手段；和使前述基板處理裝置的前述處理單元內及前述搬送單元內之狀態復原的裝置內狀態復原手段。
  25. 一種基板處理裝置，乃屬於用以處理被處理基板的基板處理裝置，其特徵為：具備：具有在與收納前述被處理基板的基板收納容器之間進行前述被處理基板之交遞的搬送室的搬送單元；和具有於周圍連接用來處理前述被處理基板的複數個處理室的共通搬送室以及連接該共通搬送室與前述搬送單元之搬送室的裝載鎖定室之處理單元；和設置在前述搬送單元的搬送室內，使前述被處理基板 搬入/搬出前述裝載鎖定室的搬送單元側搬送機構；和設置在前述處理單元的共通搬送室內，在前述裝載鎖定室與前述各處理室的各室間使前述被處理基板搬入/搬出的處理單元側搬送機構；和在由於前述基板處理裝置之作業中產生異常使得作業被停止之際，於其異常解除後，使前述基板處理裝置之狀態復原的控制手段；前述控制手段具備：當在前述搬送單元內被檢測出被處理基板時，則實行往前述基板收納容器回收的搬送單元內基板補救處理，當在前述裝載鎖定室內檢測被處理基板時，除進行其裝載鎖定室內之排氣處理外，實行將其被處理基板往基板收納容器回收的裝載鎖定室內基板補救處理，當在前述共通搬送室內被檢測出被處理基板時，則判斷其被處理基板的處理階段是否為處理未完成階段，若是處理未完成階段時，除了在剩餘的處理室實行處理外，並往前述基板收納容器回收，若不是處理未完成階段時，則實行往前述基板收納容器回收的共通搬送室內基板補救處理，當在前述處理室內檢測被處理基板，則判斷其被處理基板之處理階段是否為處理途中階段，若是處理途中階段，除了在其處理室實行剩餘之處理外，並往前述基板收納容器進行回收，若不是處理途中階段，則實行往前述基板收納容器回收之處理室內基板補救處理的基板回收手段；和使前述基板處理裝置之各室內的狀態復原的裝置內狀 態復原手段。
  26. 一種程式，乃屬於針對由至少包含用來處理從基板收納容器被搬送的被處理基板之處理室的複數個室所形成的基板處理裝置，在由於其基板處理裝置之作業中產生異常使得作業被停止之際，於其異常解除後，執行使前述基板處理裝置之狀態復原的基板處理裝置之復原處理的程式，其特徵為：使電腦實行：對殘留在前述處理單元內的被處理基板，檢測其處理基板的處理階段是否為剩餘被處理基板所需要處理的處理階段，在有剩餘需要處理的處理階段時，實行剩餘的處理，藉由前述處理單元側搬送機構及前述搬送單元側搬送機構往前述基板收納容器回收，於無剩餘需要處理的處理階段時，藉由前述處理單元側搬送機構及前述搬送單元側搬送機構實行往前述基板收納容器回收的處理單元內基板補救處理，對殘留在前述搬送單元內的被處理基板，藉由前述搬送單元側搬送機構實行往前述基板收納容器回收之搬送單元內基板補救處理的基板回收處理；和使前述基板處理裝置之各室內的狀態復原的裝置內狀態復原處理。
  27. 如申請專利範圍第26項所記載的程式，其中，前述基板補救處理具有：檢測殘留在前述基板處理裝置內之前述被處理基板的基板檢測處理；和 針對藉由前述基板檢測處理所檢測的被處理基板，檢測實行到前述作業停止時的處理之階段的處理階段檢測處理；和對藉由前述基板檢測處理所檢測的被處理基板，實行因應藉由前述處理階段檢測處理被檢測出之處理階段的基板補救處理的基板補救處理。
TW095102491A 2005-01-24 2006-01-23 A substrate processing apparatus, and a substrate processing apparatus TWI382482B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005016174A JP4569956B2 (ja) 2005-01-24 2005-01-24 基板処理装置の復旧処理方法，基板処理装置，プログラム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200636899A TW200636899A (en) 2006-10-16
TWI382482B true TWI382482B (zh) 2013-01-11

Family

ID=36919041

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095102491A TWI382482B (zh) 2005-01-24 2006-01-23 A substrate processing apparatus, and a substrate processing apparatus

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP4569956B2 (zh)
KR (1) KR100724173B1 (zh)
CN (1) CN100383919C (zh)
TW (1) TWI382482B (zh)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4388563B2 (ja) 2007-03-27 2009-12-24 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
TWI533394B (zh) 2007-06-21 2016-05-11 尼康股份有限公司 Conveying method and conveying device
JP4503088B2 (ja) * 2007-11-05 2010-07-14 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び基板処理装置の表示方法
JP5511190B2 (ja) * 2008-01-23 2014-06-04 株式会社荏原製作所 基板処理装置の運転方法
JP5635270B2 (ja) * 2009-02-13 2014-12-03 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び基板処理システム及び基板処理装置の表示方法及び基板処理装置のパラメータ設定方法及び記録媒体
WO2011078270A1 (ja) * 2009-12-24 2011-06-30 株式会社アルバック 真空処理装置の運用方法
CN103382554B (zh) * 2012-05-04 2015-08-19 无锡华润上华科技有限公司 常压化学气相沉积机台异常监控方法及系统
JP6169365B2 (ja) 2013-02-07 2017-07-26 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP6224359B2 (ja) 2013-06-20 2017-11-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置のためのスケジュール作成方法およびスケジュール作成プログラム
CN104699019B (zh) * 2013-12-09 2019-09-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 机台恢复检验系统以及机台恢复检验方法
JP6165658B2 (ja) 2014-03-20 2017-07-19 株式会社東芝 製造装置管理システム及び製造装置管理方法
JP6259698B2 (ja) 2014-03-28 2018-01-10 株式会社荏原製作所 基板処理方法
US10024825B2 (en) * 2014-12-26 2018-07-17 Axcelis Technologies, Inc. Wafer clamp detection based on vibration or acoustic characteristic analysis
KR102063322B1 (ko) 2016-05-27 2020-01-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6773497B2 (ja) * 2016-09-20 2020-10-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理管理装置、基板処理管理方法および基板処理管理プログラム
CN106373913B (zh) * 2016-10-31 2019-02-19 北京北方华创微电子装备有限公司 一种半导体立式炉设备异常恢复的方法
CN107507788B (zh) * 2017-07-21 2019-11-08 志圣科技（广州）有限公司 晶圆加工机及其加工处理方法
JP6435388B2 (ja) * 2017-10-04 2018-12-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR102204024B1 (ko) * 2018-03-15 2021-01-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP7109287B2 (ja) 2018-07-09 2022-07-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法、および制御プログラム
JP7113722B2 (ja) * 2018-11-05 2022-08-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板収容容器の蓋を開閉する方法、及びプログラム
JP7303678B2 (ja) * 2019-07-08 2023-07-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
CN110983301B (zh) * 2019-12-23 2022-08-05 通威太阳能（安徽）有限公司 一种镀膜管p设备高频自动补镀方法
JP2021166275A (ja) 2020-04-08 2021-10-14 株式会社ディスコ 加工装置及び加工方法
CN113644005A (zh) * 2020-05-11 2021-11-12 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种半导体处理系统
CN113658885B (zh) * 2021-08-12 2023-09-08 长鑫存储技术有限公司 制备腔室的确定方法及装置
CN116159809A (zh) * 2022-12-28 2023-05-26 深圳市纳设智能装备有限公司 晶圆传输方法
KR102607442B1 (ko) 2023-06-19 2023-11-29 주식회사 유니온스틸코퍼레이션 개선된 압축 성능의 고철 압축 및 절단 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4757459A (en) * 1986-05-29 1988-07-12 Cincinnati Milacron Inc. Apparatus and method for programming a computer operated robot arm using macro instructions
US4928221A (en) * 1988-04-11 1990-05-22 Westinghouse Electric Corp. Part program generating system
US5570990A (en) * 1993-11-05 1996-11-05 Asyst Technologies, Inc. Human guided mobile loader stocker
JPH11330185A (ja) * 1998-05-07 1999-11-30 Matsushita Electron Corp 半導体装置の製造装置及びその製造方法
US6216051B1 (en) * 1998-05-04 2001-04-10 Nec Electronics, Inc. Manufacturing backup system

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2600237Y2 (ja) * 1993-03-11 1999-10-04 日新電機株式会社 エアーロック室
JPH0729958A (ja) * 1993-07-14 1995-01-31 Hitachi Ltd 半導体製造装置
JP3328869B2 (ja) * 1995-06-27 2002-09-30 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び処理装置
JP3936030B2 (ja) * 1997-06-23 2007-06-27 東京エレクトロン株式会社 被処理体の回収方法
WO2000023230A1 (en) * 1998-10-19 2000-04-27 Speedfam-Ipec Corporation Catastrophic error recovery apparatus and associated methods
JP2001093791A (ja) * 1999-09-20 2001-04-06 Hitachi Ltd 真空処理装置の運転方法及びウエハの処理方法
JP2001338964A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Hitachi Ltd 試料処理装置および処理方法
US7054786B2 (en) * 2000-07-04 2006-05-30 Tokyo Electron Limited Operation monitoring method for treatment apparatus
JP2002261148A (ja) * 2001-03-05 2002-09-13 Tokyo Electron Ltd 処理システム及び被処理体の予熱方法
JP2002270481A (ja) * 2001-03-08 2002-09-20 Olympus Optical Co Ltd 試料自動回収システム
US6732006B2 (en) * 2002-02-06 2004-05-04 Asm International Nv Method and system to process semiconductor wafers
JP2004319961A (ja) * 2003-03-31 2004-11-11 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法、及び該方法を実行するプログラム

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4757459A (en) * 1986-05-29 1988-07-12 Cincinnati Milacron Inc. Apparatus and method for programming a computer operated robot arm using macro instructions
US4928221A (en) * 1988-04-11 1990-05-22 Westinghouse Electric Corp. Part program generating system
US5570990A (en) * 1993-11-05 1996-11-05 Asyst Technologies, Inc. Human guided mobile loader stocker
US6216051B1 (en) * 1998-05-04 2001-04-10 Nec Electronics, Inc. Manufacturing backup system
JPH11330185A (ja) * 1998-05-07 1999-11-30 Matsushita Electron Corp 半導体装置の製造装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006203145A (ja) 2006-08-03
CN100383919C (zh) 2008-04-23
CN1819112A (zh) 2006-08-16
KR100724173B1 (ko) 2007-05-31
KR20060085590A (ko) 2006-07-27
JP4569956B2 (ja) 2010-10-27
TW200636899A (en) 2006-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI382482B (zh) A substrate processing apparatus, and a substrate processing apparatus
US7364922B2 (en) Automated semiconductor wafer salvage during processing
KR100845990B1 (ko) 기판 처리 장치, 이력 정보 기록 방법, 이력 정보 기록프로그램, 및 이력 정보 기록 시스템
KR101578594B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 데이터 해석 방법 및 기록 매체
JP2018037559A (ja) 基板処理方法及び基板処理システム
JP4673548B2 (ja) 基板処理装置及びその制御方法
JPH07312388A (ja) 処理されたウエハを製造するためのウエハ移動アーキテクチュア
US20070023683A1 (en) Vacuum processing apparatus and vacuum processing method
CN110945638B (zh) 半导体器件的制造方法、基板处理装置及记录介质
JP4961893B2 (ja) 基板搬送装置及び基板搬送方法
JP2022117671A (ja) 収納容器及び処理システム
US9305814B2 (en) Method of inspecting substrate processing apparatus and storage medium storing inspection program for executing the method
TWI408767B (zh) A substrate processing apparatus, and a substrate processing apparatus
JP5433290B2 (ja) 基板収納方法及び制御装置
JP2004319961A (ja) 基板処理装置、基板処理方法、及び該方法を実行するプログラム
US20060235558A1 (en) Method of scavenging intermediate formed by reaction of oxidoreductase with substrate
JP2005274243A (ja) 被検体の検査装置及びその検査方法
JP5268659B2 (ja) 基板収納方法及び記憶媒体
US20200373134A1 (en) Alignment module with a cleaning chamber
JP4791379B2 (ja) 基板処理装置、基板搬送方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP2011054679A (ja) 基板処理装置
JP3797732B2 (ja) パーティクルの測定装置および測定方法
JP4757499B2 (ja) 処理装置および処理方法
JP2004096075A (ja) 真空処理装置
JPH10177981A (ja) 基板処理装置及び方法