JP2006203145A - 基板処理装置の復旧処理方法，基板処理装置，プログラム - Google Patents

Abstract

【課題】 基板処理装置の稼働中に異常が発生したことにより稼働が停止された際に，その基板処理装置の復旧処理の時間と手間を省き，また基板処理装置内に残留する被処理基板をできる限り多く救済する。
【解決手段】 少なくともカセット容器から搬送されたウエハＷを処理する処理室を含む複数の室からなる基板処理装置においてその基板処理装置の稼働中に異常が発生したことにより稼働が停止された際，その異常解消後に基板処理装置の状態を復旧させる基板処理装置の復旧処理方法であって，基板処理装置の各室内に残留しているウエハＷに対して稼働停止時までに実行された処理の段階に応じた基板救済処理を行って被処理基板をカセット容器へ回収させる基板回収工程（ステップＳ１１０〜ステップＳ１５０）と，基板処理装置の各室内の状態を復旧させる装置内状態復旧工程（ステップＳ１６０等）とを有する。
【選択図】 図５

Description

本発明は，例えば半導体ウエハ，液晶基板などの被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理装置が異常発生によって稼働停止した際における基板処理装置の復旧処理方法，基板処理装置，プログラムに関する。

この種の基板処理装置は，一般に，被処理基板例えば半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」とも称する）に対して所定の処理を行う複数の処理室を有する処理ユニットと，この処理ユニットに例えばロードロック室を介して接続される搬送ユニットを備える。

例えばクラスタツール型の基板処理装置であれば，上記処理ユニットは，一般に矩形に形成された共通搬送室の周囲に上記複数の処理室及びロードロック室を気密に接続して構成される。共通搬送室内には搬送アームなどで構成される処理ユニット側搬送機構が設けられ，この処理ユニット側搬送機構によって複数の処理室及びロードロック室との間でウエハの搬出入が行われる。搬送ユニットにおいても，搬送アームなどで構成される搬送ユニット側搬送機構が設けられ，この搬送ユニット側搬送機構によって，ウエハが収容されるカセット容器（基板収納容器）と上記ロードロック室との間でウエハの搬出入が行われる。

このような基板処理装置において，基板収納容器例えばカセット容器に収納されたウエハに対して所定の処理を施す場合には，先ず搬送ユニットにおいて搬送ユニット側搬送機構によってカセット容器から未処理ウエハが搬出される。カセット容器から搬出された未処理ウエハは，ロードロック室へ搬入される前に，搬送ユニットに設けられた位置決め装置（例えばオリエンタ，プリアライメントステージ）へ搬入されて位置決めされる。位置決めされた未処理ウエハは，位置決め装置から搬出されてロードロック室へ搬入される。

ロードロック室へ搬入された未処理ウエハは，処理ユニット側搬送機構によりロードロック室から搬出され，処理室へ搬入されて所定の処理が施される。処理室での処理が完了した処理完了ウエハは，処理ユニット側搬送機構により処理室から搬出され，ロードロック室へ戻される。ロードロック室へ戻された処理完了ウエハは，搬送ユニット側搬送機構によりカセット容器に戻される。

このような基板処理装置における各処理室での処理のスループットを向上させるためには未処理ウエハを処理室にできる限り接近させて待機させることが望ましいことから，処理室での処理を行っている間でもカセット容器から未処理ウエハを次々と搬出させて，これらのウエハを共通搬送室，ロードロック室，位置決め装置などで待機させるようになっている。そして，処理室で１枚のウエハの処理が完了すると，処理完了ウエハは直ちにカセット容器へ収容させ，上記各待機中の未処理ウエハを順送りして次の未処理ウエハを直ちに処理室へ搬入させるようになっている。

ところで，このような基板処理装置では，稼働中にその基板処理装置の故障，停電，漏電などの異常が発生すると，前記基板処理装置を断電するなどして稼働を緊急停止するようになっている。この場合，例えば処理室内で処理されていたウエハはその処理が途中で中断され，処理室内に残留する。また，搬送ユニット内，共通搬送室内，ロードロック室内などの各室内に待機されているウエハもそのまま各室内に残留することになる。さらに各室内で真空引きなどの圧力制御が行われていた場合には，基板処理装置の稼働停止により，圧力制御も停止されるので，例えば排気側からゴミや塵が逆流したり，ウエハの処理による付着物などのパーティクルが浮遊したりする虞もある。

従来は，このように基板処理装置が異常発生により停止した場合，その異常が解消された後に，オペレータが基板処理装置の各室内に残留しているウエハを取除くとともに，搬送ユニット，処理室，共通搬送室，ロードロック室などの各室内のクリーニングを手作業で行うことによって，基板処理装置の状態を復旧させていた。

特開平１１−３３０１８５号公報

上述したように，基板処理装置が緊急停止した場合，従来は基板処理装置の復旧作業をオペレータの手作業で行っていたため，作業の手間と時間がかかるという問題があった。しかも，処理室内で処理が中断されたウエハに対しては，例えばウエハのエッチング状態等を記憶したログなどに基づいて，そのウエハに対してその後どのような残処理を行うかを判断していたため（例えば特許文献１参照），ウエハの救済処理にも時間と手間がかかるとともに，オペレータの経験や知識を必要としていた。

この点，基板処理装置の異常発生により稼働が停止された場合には，異常解消後の電源投入時に搬送ユニット，処理室，共通搬送室，ロードロック室などの各室内に残留しているすべてのウエハを上記各搬送機構を動作させて自動的に元のカセット容器に回収し，回収されたウエハについてはオペレータの処理に任せるようにしたものもある。しかしながら，このようなものでは，ウエハを回収する手間を省くことができるものの，回収されたウエハの残処理については，上記の場合と同様にオペレータの経験や知識を必要とするため，その判断が容易ではなく，ウエハの救済処理にも時間と手間がかかるという問題は依然として残る。

さらに，上記のように基板処理装置の異常発生時にその基板処理装置内に残留しているウエハをすべて自動的に元のカセット容器に回収するものでは，基板処理装置の稼働が停止された際のウエハの処理段階に拘わらず，基板処理装置内に残留しているウエハはすべてカセット容器へ回収されるので，すべてのウエハが大気に晒されてしまうことになる。ところが，複数の処理室での連続処理が必要なウエハが次の処理室へ搬送される途中で共通搬送室内に残留している場合や，ある処理室内でのプロセス処理の途中で処理が中断されてその処理室内に残留している場合などように，ウエハの処理段階によっては，その段階で大気に晒されると，ウエハが救済不能となる場合がある。例えばポリ系のプロセス処理などのように，途中で中断された処理によっては，そのウエハに残処理（例えば追加エッチング処理など）を行うことができなくなり，ウエハの救済が不能となる。

そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，基板処理装置の稼働中に異常が発生したことにより稼働が停止された際に，その基板処理装置の復旧処理の時間と手間を省くことができ，また基板処理装置の異常発生により稼働が停止した際に基板処理装置内に残留する被処理基板に対して的確な救済処理を行うことによって，できる限り多くの被処理基板を救済することができる基板処理装置の復旧処理方法，基板処理装置，プログラムを提供することにある。

上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，基板収納容器から搬送された被処理基板を処理する処理室を少なくとも含む複数の室からなる基板処理装置においてその基板処理装置の稼働中に異常が発生したことにより稼働が停止された際，その異常解消後に前記基板処理装置の状態を復旧させる基板処理装置の復旧処理方法であって，前記基板処理装置の各室内に残留している前記被処理基板に対して前記稼働停止時までに実行された処理の段階に応じた基板救済処理を行って前記被処理基板を前記基板収納容器へ回収させる基板回収工程と，前記基板処理装置の各室内の状態を復旧させる装置内状態復旧工程と，を有することを特徴とする基板処理装置の復旧処理方法が提供される。

このような本発明によれば，基板処理装置の稼働中に異常が発生したことにより稼働が停止された際に，基板処理装置の状態を復旧させる処理，すなわち基板処理装置内に残留している被処理基板の回収と基板処理装置内の状態を復旧させる処理を自動で行うことができる。これにより，オペレータが手動で復旧処理を行っていた従来に比して，復旧処理の時間と手間を大幅に省くことができる。また基板処理装置内に残留する被処理基板に対して基板処理装置の異常による稼働停止時までに実行された処理段階に応じた的確な救済処理を行うことによって，できる限り多くの被処理基板を救済することができる。

また，上記方法における基板救済処理は，例えば前記基板処理装置内に残留している前記被処理基板を検出する基板検出工程と，前記基板検出工程により検出された被処理基板について，前記稼働停止時までに実行された処理の段階を検出する処理段階検出工程と，前記基板検出工程により検出された被処理基板に対して，前記処理段階検出工程により検出された処理段階に応じた基板救済処理を実行する基板救済工程とを有するように構成してもよい。

この場合，上記基板救済工程は，例えば前記基板検出工程によって前記処理室内に被処理基板が検出され，前記処理段階検出工程によってその被処理基板の処理段階がその処理室での処理が残っている処理途中段階であると検出された場合には，その処理室内でその被処理基板に対して残りの処理を実行する。これによれば，基板処理装置内に残留するウエハが例えば処理室内の処理が途中で中断された状態で残留しているような処理途中段階にある場合には，その被処理基板に対してその処理室での残りの処理が実行された上で基板収納容器に回収される。これにより，処理室内で処理途中段階にある被処理基板が，従来のようにそのまま回収されて大気に晒されることはないため，その被処理基板を救済することができる。

また，上記基板処理装置は，その基板処理装置の稼働中に被処理基板の処理履歴情報を記憶する記憶手段を備え，前記基板救済工程は，前記基板検出工程によって前記処理室内に被処理基板が検出され，前記処理段階検出工程によってその被処理基板の処理段階がその処理室での処理が残っている処理途中段階であると検出された場合には，前記記憶手段に記憶された被処理基板の処理履歴情報に基づいてその被処理基板の残処理時間を設定し，その残処理時間だけその被処理基板に対して残りの処理を実行するようにしてもよい。このように，被処理基板の処理履歴情報に基づいて被処理基板の残処理時間を設定することにより，その被処理基板に最適な残処理時間を設定することができるので，的確に被処理基板の救済を行うことができる。

また，上記基板処理装置は，前記被処理基板の処理状態を検出して欠陥検査を行う欠陥検査室を備え，前記基板救済工程は，前記基板検出工程によって前記処理室内に被処理基板が検出され，前記処理段階検出工程によってその被処理基板の処理段階がその処理室での処理が残っている処理途中段階であると検出された場合には，その被処理基板を前記欠陥検査室へ搬送し，その欠陥検査室において検出された被処理基板の処理状態に基づいてその被処理基板の残処理時間を設定し，その残処理時間だけその被処理基板に対して残りの処理を実行するようにしてもよい。このように，欠陥検査室で検出された被処理基板の処理状態に基づいて被処理基板の残処理時間を設定することにより，その被処理基板の実際の処理状況に応じた残処理時間を設定することができ，より的確に被処理基板の救済を行うことができる。

また，上記基板救済工程は，前記基板検出工程によってある処理室から他の処理室へ搬送される途中の被処理基板が検出され，前記処理段階検出工程によってその被処理基板の処理段階が他の処理室での必要な処理が残っている処理未完了段階であると検出された場合には，その被処理基板に対して残りの処理室での処理を実行するようにしてもよい。これによれば，基板処理装置内に残留するウエハが例えばある処理室での処理は終了しているが，他の処理室での必要な処理が残っているため，必要なすべての処理が完了していない処理未完了段階にある場合には，その被処理基板に対して残りの他の処理室での処理が実行された上で基板収納容器に回収される。これにより，処理未完了段階にある被処理基板が，従来のようにそのまま回収されて大気に晒されることはないため，その被処理基板を救済することができる。

また，上記基板救済工程は，前記基板検出工程によってある室内で被処理基板が検出され，前記処理段階検出工程によってその被処理基板の処理段階が未処理段階又は処理完了段階であると検出された場合には，その被処理基板を前記基板収納容器へ回収させるようにしてもよい。未処理段階又は処理完了段階にある被処理基板については，そのまま基板収納容器へ回収されて大気に晒されても問題はないからである。このように，被処理基板の処理段階に応じた救済処理を行うことによって，基板処理装置内に残留している被処理基板をできる限り救済することができる。

また，上記装置内状態復旧工程では，前記基板処理装置の各室は，少なくともパージガスを導入可能なガス導入系と，真空引き及び大気開放による圧力調整が可能な排気系とを備え，例えば前記基板処理装置の各室内のクリーニング処理を実行するようにしてもよい。例えば上記基板処理装置の前記処理ユニットおよび前記搬送ユニットの各室は，少なくともパージガスを導入可能なガス導入系と，真空引き及び大気開放による圧力調整が可能な排気系とを備え，前記クリーニング処理は，例えば基板処理装置の各室内に前記ガス導入系によりパージガス（例えばＮ_２や不活性ガスなど）を導入したまま，前記排気系により真空引きと大気開放を所定回数繰返す処理であってもよい。これによれば，基板処理装置の各室内に浮遊するパーティクル（例えば付着物，塵，ゴミなど）を除去することができる。また，真空引きと大気開放を繰返すことにより，各室の壁面や各室内に配設されている部品などに付着しているパーティクルも剥がれて強制的に浮遊させることができるので，これらも除去することができる。

さらに，上記基板収納容器に回収された被処理基板が未処理段階であるか否かを検出し，未処理段階であることが検出されると，その被処理基板に再処理を実行する再処理工程を有するようにしてもよい。このように，未処理段階にある被処理基板の再処理工程は，いったん基板収納容器に回収された後に行うので，装置内状態復旧工程後に行うことも可能となる。これにより，未処理段階にある被処理基板の処理を基板処理装置の復旧前と同様に行うことができる。

また，上記基板処理装置は，パーティクル測定室を備え，上記基板回収工程は，前記パーティクル測定室に搬送し，このパーティクル測定室にて前記被処理基板を前記基板収納容器に回収させる前に，前記被処理基板上のパーティクル量の測定を行って，その測定結果を前記被処理基板に関連づけて記憶手段に記憶しておくようにしてもよい。これにより，復旧処理が実行された被処理基板について，パーティクル量の測定結果に基づいて再処理可能な被処理基板か否かを判断することができる。

上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，被処理基板を処理する複数の処理室を少なくとも含む複数の室からなる処理ユニットと，前記処理ユニットに接続され，前記被処理基板を収納する基板収納容器との間で前記被処理基板の受渡しを行う搬送室を有する搬送ユニットと，前記搬送ユニット内に設けられ，前記処理ユニットに前記被処理基板を搬出入させる搬送ユニット側搬送機構と，前記処理ユニット内に設けられ，前記処理室に前記被処理基板を搬出入させる処理ユニット側搬送機構とを備える基板処理装置においてその基板処理装置の稼働中に異常が発生したことにより稼働が停止された際，その異常解消後に前記基板処理装置の状態を復旧させる基板処理装置の復旧処理方法であって，前記基板処理装置の前記処理ユニット内および／または前記搬送ユニット内に残留している前記被処理基板に対して前記稼働停止時までに実行された処理の段階に応じた基板救済処理を行って前記被処理基板を前記処理ユニット側搬送機構および／または前記搬送ユニット側搬送機構によって前記基板収納容器へ回収させる基板回収工程と，前記基板処理装置の前記処理ユニット内及び前記搬送ユニット内の状態を復旧させる装置内状態復旧工程とを有することを特徴とする基板処理装置の復旧処理方法が提供される。

この場合，上記基板回収工程は，前記処理ユニット内に残留している被処理基板に対しては，その被処理基板の処理段階がその被処理基板に必要な処理が残っている処理段階か否かを検出し，必要な処理が残っている処理段階の場合は残りの処理を実行して，前記処理ユニット側搬送機構および前記搬送ユニット側搬送機構によって前記基板収納容器へ回収させ，必要な処理が残っている処理段階でない場合は前記処理ユニット側搬送機構および前記搬送ユニット側搬送機構によって前記基板収納容器へ回収させる処理ユニット内基板救済処理を実行し，前記搬送ユニット内に残留している被処理基板に対しては，前記搬送ユニット側搬送機構によって前記基板収納容器へ回収させる搬送ユニット内基板救済処理を実行するようにしてもよい。

このような本発明によれば，基板処理装置の稼働中に異常が発生したことにより稼働が停止された際に，基板処理装置の状態を復旧させる処理，すなわち処理ユニット内および／または前記搬送ユニット内に残留している被処理基板の回収と処理ユニット内および／または前記搬送ユニット内の状態を復旧させる処理を自動で行うことができる。これにより，オペレータが手動で復旧処理を行っていた従来に比して，復旧処理の時間と手間を大幅に省くことができる。また処理ユニット内，搬送ユニット内というように被処理基板が残留している場所に応じた救済処理を行うことによって，被処理基板の処理段階に応じた的確な救済処理を行うことが可能となる。これにより，できる限り多くの被処理基板を救済することができる。

また，上記基板処理装置は，その基板処理装置の稼働中に被処理基板の処理履歴情報を記憶する記憶手段を備え，前記処理ユニット内基板救済処理は，前記記憶手段に記憶された被処理基板の処理履歴情報に基づいて，前記処理ユニット内に残留している被処理基板の処理段階がその被処理基板に必要な処理が残っている処理段階か否かを検出し，その検出結果に基づいて残りの処理を実行するようにしてもよく，また上記基板処理装置は，前記被処理基板の処理状態を検出して欠陥検査を行う欠陥検査室を備え，前記処理ユニット内基板救済処理は，前記欠陥検査室において検出された被処理基板の処理状態に基づいて，前記処理ユニット内に残留している被処理基板の処理段階がその被処理基板に必要な処理が残っている処理段階か否かを検出し，その検出結果に基づいて残りの処理を実行するようにしてもよい。このように，被処理基板の処理履歴情報又は欠陥検査室での検査結果に基づいて被処理基板の残りの処理を実行することにより，その被処理基板に最適な残処理時間を設定することができるので，的確に被処理基板の救済を行うことができる。

また，上記装置内状態復旧工程では，例えば前記基板処理装置の前記処理ユニット内及び前記搬送ユニット内の各室のクリーニング処理を実行するようにしてもよい。例えば前記基板処理装置の前記処理ユニットおよび前記搬送ユニットの各室は，少なくともパージガスを導入可能なガス導入系と，真空引き及び大気開放による圧力調整が可能な排気系とを備え，前記クリーニング処理は，前記処理ユニットおよび前記搬送ユニットの各室内にパージガスを導入したまま，真空引きと大気開放を所定回数繰返す処理であってもよい。さらに，上記基板収納容器に回収された被処理基板が未処理段階であるか否かを検出し，未処理段階であることが検出されると，その被処理基板に再処理を実行する再処理工程を有するようにしてもよい。また，上記基板処理装置は，パーティクル測定室を備え，上記基板回収工程は，前記被処理基板を前記基板収納容器に回収させる前に，前記パーティクル測定室に搬送し，このパーティクル測定室にて前記被処理基板上のパーティクル量の測定を行って，その測定結果を前記被処理基板に関連づけて記憶手段に記憶しておくようにしてもよい。

上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，被処理基板を収納する基板収納容器との間で前記被処理基板の受渡しを行う搬送室を有する搬送ユニットと，前記被処理基板を処理する複数の処理室を周囲に接続する共通搬送室及びこの共通搬送室と前記搬送ユニットの搬送室とを接続するロードロック室を有する処理ユニットと，前記搬送ユニットの搬送室内に設けられ，前記ロードロック室に前記被処理基板を搬出入させる搬送ユニット側搬送機構と，前記処理ユニットの共通搬送室内に設けられ，前記ロードロック室と前記各処理室との各室間で前記被処理基板を搬出入させる処理ユニット側搬送機構とを備える基板処理装置においてその基板処理装置の稼働中に異常が発生したことにより稼働が停止された際，その異常解消後に前記基板処理装置の状態を復旧させる基板処理装置の復旧処理方法であって，前記基板処理装置の前記処理ユニットおよび／または前記搬送ユニットの各室内に残留している前記被処理基板に対して前記稼働停止時までに実行された処理の段階に応じた基板救済処理を行って前記被処理基板を前記処理ユニット側搬送機構および／または前記搬送ユニット側搬送機構によって前記基板収納容器へ回収させる基板回収工程と，前記基板処理装置の各室内の状態を復旧させる装置内状態復旧工程とを有することを特徴とする基板処理装置の復旧処理方法が提供される。

この場合，前記基板回収工程は，前記搬送ユニット内に被処理基板が検出されると，前記基板収納容器へ回収する搬送ユニット内基板救済処理を実行し，前記ロードロック室内に被処理基板が検出されると，そのロードロック室内の排気処理を行った上でその被処理基板を基板収納容器へ回収するロードロック室内基板救済処理を実行し，前記共通搬送室内に被処理基板が検出されると，その被処理基板の処理段階が処理未完了段階であるかを判断し，処理未完了段階であれば残りの処理室での処理を実行した上で前記基板収納容器へ回収し，処理未完了段階でなければ前記基板収納容器へ回収する共通搬送室内基板救済処理を実行し，前記処理室内に被処理基板が検出されると，その被処理基板の処理段階が処理途中段階であるかを判断し，処理途中段階であればその処理室での残りの処理を実行した上で前記基板収納容器へ回収し，処理途中段階でなければ前記基板収納容器へ回収する処理室内基板救済処理を実行するようにしてもよい。

このような本発明によれば，基板処理装置の稼働中に異常が発生したことにより稼働が停止された際に，基板処理装置の状態を復旧させる処理，すなわち処理ユニットおよび／または前記搬送ユニットの各室内に残留している被処理基板の回収と処理ユニットおよび／または前記搬送ユニットの各室内の状態を復旧させる処理を自動で行うことができる。これにより，オペレータが手動で復旧処理を行っていた従来に比して，復旧処理の時間と手間を大幅に省くことができる。また搬送ユニット内基板救済処理，ロードロック室内基板救済処理，共通搬送室内基板救済処理，処理室内基板救済処理というように被処理基板が残留している場所に応じた救済処理を行うことによって，被処理基板の処理段階に応じた的確な救済処理を行うことが可能となる。これにより，できる限り多くの被処理基板を救済することができる。

また，上記基板処理装置は，その基板処理装置の稼働中に被処理基板の処理履歴情報を記憶する記憶手段を備え，前記処理室内基板救済処理は，前記処理室内の被処理基板の処理段階が処理途中段階であると判断した場合には，前記記憶手段に記憶された被処理基板の処理履歴情報に基づいてその被処理基板の残処理時間を設定し，その残処理時間だけその被処理基板に対して残りの処理を実行するようにしてもよく，また上記基板処理装置は，前記被処理基板の処理状態を検出して欠陥検査を行う欠陥検査室を備え，前記処理室内基板救済処理は，前記処理室内の被処理基板の処理段階が処理途中段階であると判断した場合には，その被処理基板を前記欠陥検査室へ搬送し，その欠陥検査室において検出された被処理基板の処理状態に基づいてその被処理基板の残処理時間を設定し，その残処理時間だけその被処理基板に対して残りの処理を実行するようにしてもよい。このように，被処理基板の処理履歴情報又は欠陥検査室による検査結果に基づいて被処理基板の残処理時間を設定することにより，その被処理基板に最適な残処理時間を設定することができるので，的確に被処理基板の救済を行うことができる。

また，上記装置内状態復旧工程では，前記基板処理装置の前記処理ユニット内及び前記搬送ユニットの各室内のクリーニング処理を実行するようにしてもよい。また，上記基板処理装置の前記処理ユニットおよび前記搬送ユニットの各室は，少なくともパージガスを導入可能なガス導入系と，真空引き及び大気開放による圧力調整が可能な排気系とを備え，前記クリーニング処理は，前記処理ユニットおよび前記搬送ユニットの各室内に前記ガス導入系によりパージガスを導入したまま，前記排気系により真空引きと大気開放を所定回数繰返す処理である。さらに，上記基板収納容器に回収された被処理基板が未処理段階であるか否かを検出し，未処理段階であることが検出されると，その被処理基板に再処理を実行する再処理工程を有するようにしてもよい。また，上記基板処理装置は，パーティクル測定室を備え，前記基板回収工程は，前記被処理基板を前記基板収納容器に回収させる前に，前記パーティクル測定室に搬送し，このパーティクル測定室にて前記被処理基板上のパーティクル量の測定を行って，その測定結果を前記被処理基板に関連づけて記憶手段に記憶しておくようにしてもよい。

上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，被処理基板を処理する基板処理装置であって，前記被処理基板を処理する複数の処理室を少なくとも含む複数の室からなる処理ユニットと，前記処理ユニットに接続され，前記被処理基板を収納する基板収納容器との間で前記被処理基板の受渡しを行う搬送室を有する搬送ユニットと，前記搬送ユニット内に設けられ，前記処理ユニットに前記被処理基板を搬出入させる搬送ユニット側搬送機構と，前記処理ユニット内に設けられ，前記処理室に前記被処理基板を搬出入させる処理ユニット側搬送機構と，前記基板処理装置の稼働中に異常が発生したことにより稼働が停止された際，その異常解消後に前記基板処理装置の状態を復旧させる制御手段とを備え，前記制御手段は，前記基板処理装置の前記処理ユニット内および／または前記搬送ユニット内に残留している前記被処理基板に対して前記稼働停止時までに実行された処理の段階に応じた基板救済処理を行って前記被処理基板を前記処理ユニット側搬送機構および／または前記搬送ユニット側搬送機構によって前記基板収納容器へ回収させる基板回収手段と，前記基板処理装置の前記処理ユニット内及び前記搬送ユニット内の状態を復旧させる装置内状態復旧手段とを備えることを特徴とする基板処理装置が提供される。

このような本発明によれば，基板処理装置の稼働中に異常が発生したことにより稼働が停止された際に，基板処理装置の状態を復旧させる処理，すなわち処理ユニット内および／または前記搬送ユニット内に残留している被処理基板の回収と処理ユニット内および／または前記搬送ユニット内の状態を復旧させる処理を自動で行うことができる。これにより，オペレータが手動で復旧処理を行っていた従来に比して，復旧処理の時間と手間を大幅に省くことができる。また被処理基板の処理段階に応じた的確な救済処理を行うことによって，できる限り多くの被処理基板を救済することができる。

上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，被処理基板を処理する基板処理装置であって，前記被処理基板を収納する基板収納容器との間で前記被処理基板の受渡しを行う搬送室を有する搬送ユニットと，前記被処理基板を処理する複数の処理室を周囲に接続する共通搬送室及びこの共通搬送室と前記搬送ユニットの搬送室とを接続するロードロック室を有する処理ユニットと，前記搬送ユニットの搬送室内に設けられ，前記ロードロック室に前記被処理基板を搬出入させる搬送ユニット側搬送機構と，前記処理ユニットの共通搬送室内に設けられ，前記ロードロック室と前記各処理室との各室間で前記被処理基板を搬出入させる処理ユニット側搬送機構と，前記基板処理装置の稼働中に異常が発生したことにより稼働が停止された際，その異常解消後に前記基板処理装置の状態を復旧させる制御手段とを備え，前記制御手段は，前記基板処理装置の前記処理ユニットおよび／または前記搬送ユニットの各室内に残留している前記被処理基板に対して前記稼働停止時までに実行された処理の段階に応じた基板救済処理を行って前記被処理基板を前記処理ユニット側搬送機構および／または前記搬送ユニット側搬送機構によって前記基板収納容器へ回収させる基板回収手段と，前記基板処理装置の各室内の状態を復旧させる装置内状態復旧手段とを備えることを特徴とする基板処理装置が提供される。

このような本発明によれば，基板処理装置の稼働中に異常が発生したことにより稼働が停止された際に，基板処理装置の状態を復旧させる処理，すなわち処理ユニットおよび／または前記搬送ユニットの各室内に残留している被処理基板の回収と処理ユニットおよび／または前記搬送ユニットの各室内の状態を復旧させる処理を自動で行うことができる。これにより，オペレータが手動で復旧処理を行っていた従来に比して，復旧処理の時間と手間を大幅に省くことができる。また被処理基板の処理段階に応じた的確な救済処理を行うことによって，できる限り多くの被処理基板を救済することができる。

上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板収納容器から搬送された被処理基板を処理する処理室を少なくとも含む複数の室からなる基板処理装置においてその基板処理装置の稼働中に異常が発生したことにより稼働が停止された際，その異常解消後に前記基板処理装置の状態を復旧させる基板処理装置の復旧処理を行うプログラムであって，コンピュータに，前記基板処理装置の各室内に残留している前記被処理基板に対して前記稼働停止時までに実行された処理の段階に応じた基板救済処理を行って前記被処理基板を前記基板収納容器へ回収させる基板回収処理と，前記基板処理装置の各室内の状態を復旧させる装置内状態復旧処理とを実行させるためのプログラムが提供される。

また，上記基板救済処理は，例えば前記基板処理装置内に残留している前記被処理基板を検出する基板検出処理と，前記基板検出処理により検出された被処理基板について，前記稼働停止時までに実行された処理の段階を検出する処理段階検出処理と，前記基板検出処理により検出された被処理基板に対して，前記処理段階検出処理により検出された処理段階に応じた基板救済処理を実行する基板救済処理とを有する。

このような本発明によれば，基板処理装置の稼働中に異常が発生したことにより稼働が停止された際に，基板処理装置の状態を復旧させる処理，すなわち基板処理装置内に残留している被処理基板の回収と基板処理装置内の状態を復旧させる処理を，コンピュータによって自動で行わせることができる。これにより，オペレータが手動で復旧処理を行っていた従来に比して，復旧処理の時間と手間を大幅に省くことができる。また基板処理装置内に残留する被処理基板に対して基板処理装置の異常による稼働停止時までに実行された処理段階に応じた的確な救済処理を行うことによって，できる限り多くの被処理基板を救済することができる。

本発明によれば，基板処理装置の稼働中に異常が発生したことにより稼働が停止された際に，基板処理装置の状態を復旧させる処理を自動で行うことによって，復旧処理の時間と手間を省くことができる。また基板処理装置内に残留する被処理基板に対して基板処理装置の異常による稼働停止時までに実行された処理段階に応じた的確な救済処理を行うことによって，できる限り多くの被処理基板を救済することができる。

以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

（基板処理装置の構成例）
先ず，本発明の実施形態にかかる基板処理装置について図面を参照しながら説明する。図１は本発明の実施形態にかかる基板処理装置の概略構成を示す図である。この基板処理装置１００は，被処理基板例えば半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」ともいう。）Ｗに対して成膜処理，エッチング処理等の各種の処理を行う複数の処理ユニット１１０と，この処理ユニット１１０に対してウエハＷを搬出入させる搬送ユニット１２０とを備える。

先ず，搬送ユニット１２０の構成例について説明する。搬送ユニット１２０は図１に示すように基板収納容器例えば後述するカセット容器１３２（１３２Ａ〜１３２Ｃ）と処理ユニット１１０との間でウエハを搬出入する搬送室１３０を有している。搬送室１３０は，断面略多角形の箱体状に形成されている。搬送室１３０における断面略多角形状の長辺を構成する一側面には，複数のカセット台１３１（１３１Ａ〜１３１Ｃ）が並設されている。これらカセット台１３１Ａ〜１３１Ｃはそれぞれ，基板収納容器の１例としてのカセット容器１３２Ａ〜１３２Ｃを載置可能に構成されている。

各カセット容器１３２（１３２Ａ〜１３２Ｃ）には，例えば最大２５枚のウエハＷを等ピッチで多段に載置して収容できるようになっており，内部は例えばＮ_２ガス雰囲気で満たされた密閉構造となっている。そして，搬送室１３０はその内部へゲートバルブ１３３（１３３Ａ〜１３３Ｃ）を介してウエハＷを搬出入可能に構成されている。なお，カセット台１３１とカセット容器１３２の数は，図１に示す場合に限られるものではない。

また，上記搬送室１３０一側面には，パーティクル測定室（Particle Monitor）１３４が配設されている。パーティクル測定室１３４は，ウエハＷを載置する載置台１３５を備え，この載置台１３５に載置されたウエハＷ上に付着した付着物などのパーティクル量を測定できるように構成されている。なお，パーティクル測定室１３４内の構成は公知のものを適用することができるので，ここではその構成の詳細な説明は省略する。パーティクル測定室１３４の載置台１３５には，載置台１３５上にウエハＷが載置されているか否かを検出可能なウエハセンサ１３５ａが配設されている。ウエハセンサ１３５ａは例えば公知のピックアップセンサにより構成することができる。

このようなパーティクル測定室１３４によりウエハＷ上のパーティクル量を測定するには，例えば搬送ユニット側搬送機構１７０によりパーティクル量を測定したいウエハＷをパーティクル測定室１３４へ搬入して，直接そのウエハＷ上に付着したパーティクル量を測定する。このパーティクル量の測定結果に基づいて再処理可能なウエハＷか否かを判断するようにしてもよい。

また，搬送ユニット１２０，共通搬送室１５０，ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎ，各処理室１４０Ａ〜１４０Ｆなどの各室内のパーティクル量を測定するには，ウエハの処理を行うウエハとは別のパーティクル測定用ウエハにより測定するようにしてもよい。具体的には例えばカセット容器１３２Ｃにパーティクル測定用ウエハが収納されているとすれば，カセット容器１３２Ｃからのパーティクル測定用ウエハを，いったんパーティクル量を測定したい室へ搬入して所定時間の経過を待つ。そして所定時間経過後にパーティクル測定用ウエハをパーティクル測定室１３４へ戻して，パーティクル測定室１３４内にてそのパーティクル測定用ウエハ上に付着したパーティクル量を測定する。

パーティクル測定室１３４には，後述する制御部２００が接続されており，測定されたパーティクル量などの測定結果は制御部２００へ送られ，例えばログとして制御部２００内に設けられた記憶手段２９０やメモリなどに記憶されるようになっている。

上記搬送室１３０の端部，すなわち断面略多角形状の短辺を構成する一測面には，内部に回転載置台１３８とウエハＷの周縁部を光学的に検出する光学センサ１３９とを備えた位置決め装置としてのオリエンタ（プリアライメントステージ）１３６が設けられている。このオリエンタ１３６では，例えばウエハＷのオリエンテーションフラットやノッチ等を検出して位置合せを行う。回転載置台に１３８には，この回転載置台１３８上にウエハＷが載置されているか否かを検出可能なウエハセンサ１３８ａが配設されている。ウエハセンサ１３８ａは例えば公知のピックアップセンサにより構成することができる。

上記搬送室１３０内には，ウエハＷをその長手方向（図１に示す矢印方向）に沿って搬送する搬送ユニット側搬送機構（搬送室内搬送機構）１７０が設けられている。搬送ユニット側搬送機構１７０が固定される基台１７２は，搬送室１３０内の中心部を長さ方向に沿って設けられた案内レール１７４上にスライド移動可能に支持されている。この基台１７２と案内レール１７４にはそれぞれ，リニアモータの可動子と固定子とが設けられている。案内レール１７４の端部には，このリニアモータを駆動するためのリニアモータ駆動機構１７６が設けられている。リニアモータ駆動機構１７６には，制御部２００が接続されている。これにより，制御部２００からの制御信号に基づいてリニアモータ駆動機構１７６が駆動し，搬送ユニット側搬送機構１７０が基台１７２とともに案内レール１７４に沿って矢印方向へ移動するようになっている。

搬送ユニット側搬送機構１７０は，２つのピック１７３Ａ，１７３Ｂを有するダブルアーム機構より構成されており，一度に２枚のウエハを取り扱うことができるようになっている。これにより，例えばカセット容器１３２，オリエンタ１３６，各ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎなどに対してウエハを搬出入する際に，ウエハを交換するように搬出入することができる。搬送ユニット側搬送機構１７０のピック１７３Ａ，１７３Ｂにはそれぞれ，ウエハＷが把持されているか否かを検出可能なウエハセンサ１７３ａ，１７３ｂが設けられている。ウエハセンサ１７３ａ，１７３ｂはそれぞれ例えば公知のピックアップセンサにより構成することができる。なお，処理ユニット側搬送機構１８０のピックの数は上記のものに限られず，例えば１つのみのピックを有するシングルアーム機構であってもよい。

次に，処理ユニット１１０の構成例について説明する。例えばクラスタツール型の基板処理装置の場合には，処理ユニット１１０は図１に示すように矩形（例えば六角形）に形成された共通搬送室１５０の周囲に，ウエハＷに例えば成膜処理（例えばプラズマＣＶＤ処理）やエッチング処理（例えばプラズマエッチング処理）などの所定の処理を施す複数の処理室１４０（第１〜第６処理室１４０Ａ〜１４０Ｆ）及びロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎを気密に接続して構成される。

各処理室１４０Ａ〜１４０Ｆは，ウエハＷに対して例えば同種の処理または互いに異なる異種の処理を施すようになっている。各処理室１４０（１４０Ａ〜１４０Ｆ）内には，ウエハＷを載置するための載置台１４２（１４２Ａ〜１４２Ｅ）がそれぞれ設けられている。なお，処理室１４０の数は，図１に示す場合に限られるものではない。

各処理室１４０Ａ〜１４０Ｆにおいて，ウエハＷは予め制御部２００の記憶手段２９０などに記憶された処理工程等を示すプロセス・レシピなどのウエハ処理情報に基づいて各処理室１４０Ａ〜１４０Ｆにおいて所定の処理が施される。ウエハ処理情報は，ウエハの処理の種類や条件によって異なる。ウエハＷにプロセス処理として例えばエッチング処理を施す場合のウエハ処理情報としては，図１２に示すような処理工程が挙げられる。

図１２に示すような処理工程は，安定工程，エッチング工程（プロセス工程），終了工程により構成される。ここで，安定工程とは，後に続くエッチング処理工程においてウエハＷにエッチング処理を実行するために処理室１４０内の状態を整える工程である。安定工程には，例えばウエハＷが載置台１４２に載置された後に行われる処理室１４０内の真空引き工程，所定の処理ガスが導入工程，載置台１４２を兼ねる下部電極などの電極に所定の高周波電力を印加して処理ガスをプラズマ化し，そのプラズマ状態を安定させるプラズマ化工程を含む。エッチング処理工程とは，上記プラズマ状態において所定時間のエッチング処理を行う工程である。終了工程とは，直前のエッチング工程におけるエッチング処理実行後の処理室１４０内の状態を整える工程である。この終了工程には，例えば直前のエッチング処理工程におけるエッチング処理を終点で終了する終点工程も含まれる。なお，このようなウエハＷの処理工程は本具体例に限られるものではない。

上記共通搬送室１５０は，上述したような各処理室１４０Ａ〜１４０Ｆの間，又は各処理室１４０Ａ〜１４０Ｆと各第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎとの間でウエハＷを搬出入する機能を有する。共通搬送室１５０は多角形（例えば六角形）に形成されており，その周りに上記各処理室１４０（１４０Ａ〜１４０Ｆ）がそれぞれゲートバルブ１４４（１４４Ａ〜１４４Ｅ）を介して接続されているとともに，第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎの先端がそれぞれゲートバルブ（真空側ゲートバルブ）１５４Ｍ，１５４Ｎを介して接続されている。第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎの基端は，それぞれゲートバルブ（大気側ゲートバルブ）１６２Ｍ，１６２Ｎを介して搬送室１３０における断面略多角形状の長辺を構成する他側面に接続されている。

第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎは，ウエハＷを一時的に保持して圧力調整後に，次段へパスさせる機能を有している。各第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎの内部にはそれぞれ，ウエハＷを載置可能な受渡台１６４Ｍ，１６４Ｎが設けられている。受渡台１６４Ｍ，１６４Ｎにはそれぞれ，この受渡台１６４Ｍ，１６４ＮにウエハＷが載置されているか否かを検出可能なウエハセンサ１６５Ｍ，１６５Ｎが設けられている。ウエハセンサ１６５Ｍ，１６５Ｎはそれぞれ例えば公知のピックアップセンサにより構成することができる。

第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎは，残留物などのパーティクルのパージ及び真空排気可能に構成されている。具体的には第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎはそれぞれ，例えば排気バルブ（排気制御バルブ）を有する排気管にドライポンプなどの真空ポンプを接続した排気系及びパージバルブ（パージガス制御バルブ）を有するガス導入管にガス導入源を接続したガス導入系が設けられている。このようなパージバルブ，排気バルブなどを制御することによって，パージガス導入による真空引きと大気開放を繰返すクリーニング処理や排気処理が行われる。

なお，上記共通搬送室１５０及び各処理室１４０Ａ〜１４０Ｆも，残留物などのパーティクルのパージ及び真空排気可能に構成されている。例えば上記共通搬送室１５０には上述したようなパージガスを導入するガス導入系及び真空引き可能な排気系が配設されており，各処理室１４０Ａ〜１４０Ｆには上述したようなパージガスの他，処理ガスも導入可能なガス導入系及び真空引き可能な排気系が配設されている。

このような処理ユニット１１０では，上述したように共通搬送室１５０と各処理室１４０Ａ〜１４０Ｆとの間及び共通搬送室１５０と上記各ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎとの間はそれぞれ気密に開閉可能に構成され，クラスタツール化されており，必要に応じて共通搬送室１５０内と連通可能になっている。また，上記第１及び第２の各ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎと上記搬送室１３０との間も，それぞれ気密に開閉可能に構成されている。

共通搬送室１５０内には，例えば屈伸・昇降・旋回可能に構成された多関節アームよりなる処理ユニット側搬送機構（共通搬送室内搬送機構）１８０が設けられている。この処理ユニット側搬送機構１８０は基台１８２に回転自在に支持されている。基台１８２は，共通搬送室１５０内の基端側から先端側にわたって配設された案内レール１８４上を例えばアーム機構１８６によりスライド移動自在に構成されている。このように構成された処理ユニット側搬送機構１８０によれば，この処理ユニット側搬送機構１８０を案内レール１８４に沿ってスライド移動させることにより，各ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎ及び各処理室１４０Ａ〜１４０Ｆにアクセス可能となる。

例えば処理ユニット側搬送機構１８０を各ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎ及び対向配置された処理室１４０Ａ，１４０Ｆにアクセスさせる際には，処理ユニット側搬送機構１８０を案内レール１８４に沿って共通搬送室１５０の基端側寄りに位置させる。また，処理ユニット側搬送機構１８０を６つの処理室１４０Ｂ〜１４０Ｅにアクセスさせる際には，処理ユニット側搬送機構１８０を案内レール１８４に沿って共通搬送室１５０の先端側寄りに位置させる。これにより，１つの処理ユニット側搬送機構１８０により，共通搬送室１５０に接続されるすべてのロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎや各処理室１４０Ａ〜１４０Ｆにアクセス可能となる。処理ユニット側搬送機構１８０は，２つのピック１８３Ａ，１８３Ｂを有しており，一度に２枚のウエハＷを取り扱うことができるようになっている。処理ユニット側搬送機構１８０のピック１８３Ａ，１８３Ｂにはそれぞれ，ウエハＷが把持されているか否かを検出可能なウエハセンサ１８３ａ，１８３ｂが設けられている。ウエハセンサ１８３ａ，１８３ｂはそれぞれ例えば公知のピックアップセンサにより構成することができる。

なお，処理ユニット側搬送機構１８０の構成は上記のものに限られず，２つの搬送機構によって構成してもよい。例えば共通搬送室１５０の基端側寄りに屈伸・昇降・旋回可能に構成された多関節アームよりなる第１搬送機構を設けるとともに，共通搬送室１５０の先端側寄りに屈伸・昇降・旋回可能に構成された多関節アームよりなる第２搬送機構を設けるようにしてもよい。また，処理ユニット側搬送機構１８０のピックの数は，２つの場合に限られることはなく，例えば１つのみのピックを有するものであってもよい。

共通搬送室１５０内には，各処理室１４０（１４０Ａ〜１４０Ｆ）のゲートバルブ１４４（１４４Ａ〜１４４Ｆ）の手前の部位にそれぞれ，ウエハＷが各処理室１４０（１４０Ａ〜１４０Ｆ）に搬出入されたか否かを検出可能なウエハセンサ１８８（１８８Ａ〜１８８Ｆ）が配設されている。また，共通搬送室１５０の先端側には，処理ユニット側搬送機構１８０により搬送されるウエハＷの位置補正を行うための位置センサ１８９が設けられている。なお，ウエハＷの位置補正の具体例は後述する。これらウエハセンサ１８８Ａ〜１８８Ｆ，位置センサ１８９はそれぞれ例えば公知のピックアップセンサにより構成することができる。

上記基板処理装置１００には，上記搬送ユニット側搬送機構１７０，処理ユニット側１８０，各ゲートバルブ１３３，１４４，１５４，１６２，オリエンタ１３６，パーティクル測定室１３４などの制御を含め，基板処理装置全体の動作を制御する制御部２００が設けられている。

（制御部の構成例）
ここで，上記制御部２００の具体的な構成例について図面を参照しながら説明する。図２は，制御部２００の具体的な構成例を示すブロック図である。図２に示すように，制御部２００は制御部本体を構成するＣＰＵ（中央処理装置）２１０，ＣＰＵ２１０が各部を制御するためのプログラムデータ（例えばウエハＷの処理や後述する復旧処理のプログラムデータ）等を格納したＲＯＭ（リード・オンリ・メモリ）２２０，ＣＰＵ２１０が行う各種データ処理のために使用されるメモリエリア等を設けたＲＡＭ（ランダム・アクセス・メモリ）２３０，時間を計時するカウンタなどで構成される計時手段２４０，操作画面や選択画面などを表示する液晶ディスプレイなどで構成される表示手段２５０，オペレータによるプロセス・レシピの入力や編集など種々のデータの入力及び所定の記憶媒体へのプロセス・レシピやプロセス・ログの出力など種々のデータの出力などを行うことができる入出力手段２６０，基板処理装置１００に漏電等の異常が発生した際に報知する警報器（例えばブザー）などの報知手段２７０，基板処理装置１００の各部を制御するための各種コントローラ２８０，ハードディスク（ＨＤＤ）などの記憶手段２９０を備える。

上記ＣＰＵ２１０と，ＲＯＭ２２０，ＲＡＭ２３０，計時手段２４０，表示手段２５０，入出力手段２６０，報知手段２７０，各種コントローラ２８０，記憶手段２９０とは制御バス，システムバス，データバス等のバスラインにより電気的に接続されている。

上記記憶手段２９０には，例えばカセット容器１３２（１３２Ａ〜１３２Ｃ）へ各ウエハＷが収容されているか否かなどのウエハ収容情報２９２，各ウエハＷの処理がどの段階までなされたかなどのウエハ処理履歴情報（例えばプロセス・ログ）２９４などが記憶される。

ここで，上記ウエハ収容情報２９２の具体例について図３を参照しながら説明する。ウエハ収容情報２９２は，例えば図３に示すように，容器名，シリアル番号，ウエハＩＤ，ウエハ収容状況，復旧処理，ウエハ処理状況などの項目を有する。容器名の項目は，カセット容器を特定するためのものである。ウエハ収容情報２９２はカセット容器ごとに記憶するためである。例えば図１に示す基板処理装置１００であれば，カセット容器１３２Ａ〜１３２Ｃの種別を示す。

シリアル番号の項目は，ウエハＷが１枚ずつ収容されるカセット容器１３２内のウエハ収容段を特定するためのものである。例えば１つのカセット容器１３２に２５枚のウエハＷが収容される場合には，シリアル番号は１〜２５が付される。ウエハＩＤの項目は，カセット容器１３２内の各ロッドに収容されたウエハＷのウエハＩＤを示すためのものである。ここでいうウエハＩＤは，ウエハＷの処理前にオペレータによって付されるＩＤであり，例えば処理前にカセット容器１３２に収納されたウエハＷに対してオペレータが入出力手段２６０により所定の操作をすることにより設定される。ウエハ収容状況の項目は，カセット容器１３２のウエハ収容段にウエハＷが収容されているか否かを示すためのものである。図３に示す例では，「有」の場合はウエハＷが収容されていることを示し，「無」の場合はウエハＷが収容されていないことを示す。

復旧処理の項目は，カセット容器１３２の各ウエハＷが後述する復旧処理が行われたウエハＷであるか否かを示ためのものである。ここでいう復旧処理とは，例えば基板処理装置１００に漏電などの異常が発生して稼働が停止した場合に，異常解消後に基板処理装置１００の状態を復旧させる処理である。図３に示す例では，「有」の場合は復旧処理が行われたウエハＷであることを示し，「無」の場合は復旧処理が行われていないウエハＷであることを示す。ウエハ処理状況の項目は，カセット容器１３２の各ウエハＷの現在の処理状況（処理段階）を示すためのものである。図３に示す例では，「処理完了」はウエハＷに必要な処理がすべて完了していることを示し，「未処理」はウエハＷに必要な処理がまったく行われていないことを示す。また，「復旧処理中」は現在復旧処理が行われていることを示す。

このようなウエハ収容情報２９２によれば，カセット容器１３２へのウエハＷの収容状況の他，復旧処理の有無，ウエハＷの処理状況についても把握することができる。また，このようなウエハ収容情報２９２をオペレータによる入出力手段２６０の操作により，表示手段２５０に表示させるようにすれば，オペレータもこれらのウエハ収容情報を見ることができる。この場合，図３に示すように，復旧処理が行われたウエハＷを斜線で示し，その中でも復旧処理中のウエハＷについては斜線を濃くして示すようにしてもよい。これにより，復旧処理にかかるウエハＷか否かを容易に判断することができ，例えばその後のウエハＷの検査などに有効に利用することができる。

なお，ウエハ収容情報２９２は，図３に示す項目に限られず，項目の数を増やしてもよく，また少なくともウエハ収容状況がわかれば必ずしも復旧処理，ウエハ処理状況の項目を設けてなくてもよい。

次いで，上記ウエハ処理履歴情報２９４の具体例について図４を参照しながら説明する。ウエハ処理履歴情報２９４は，例えば図４に示すように，容器名，シリアル番号，ウエハＩＤ，処理番号，ウエハの処理段階，経過時間などの項目を有する。容器名，シリアル番号，ウエハＩＤの各項目はそれぞれ，図３に示すものと同様であるため，詳細な説明を省略する。

処理番号の項目は，ウエハＷに実行される各処理段階に付した番号を示すためのものである。ウエハの処理段階の項目は，ウエハＷに実行された各処理段階を示すためのものである。経過時間の項目は，各処理段階についての時間情報を示すためのものである。図４に示す例では，例えばウエハＷの処理開始時間（ＳＴＡＲＴＴＩＭＥ），各室へウエハＷが搬入された時間（ＩＮ），各室からウエハＷが搬出された時間（ＯＵＴ）を示す。また，処理段階の途中で基板処理装置１００の稼働が停止された場合は，停止時間（ＳＴＯＰＴＩＭＥ）を示す。図４に示す例では，第１処理室１４０Ａによるエッチング工程の途中で基板処理装置１００の稼働が停止されたことがわかる。

なお，このようなウエハ処理履歴情報２９４は，例えば各室に設けられたウエハセンサ１３５ａ，１３８ａ，１６５Ｍ，１６５Ｎ，１８８Ａ〜１８８Ｆや各搬送機構１７０，１８０に設けられたウエハセンサ１７３ａ，１７３ｂ，１８３ａ，１８３ｂによるウエハＷの検出結果，プロセス・レシピなどのウエハ処理情報，計時手段２４０による計時時間などに基づいて決定される。例えばオリエンタ１３６へのウエハＷの搬出入時間は，ウエハセンサ１３８ａによってウエハＷが検出された時間に基づいて決定される。また，ロードロック室１６０Ｍ，１６０ＮへウエハＷの搬出入時間は，ウエハセンサ１６５Ｍ，１６５ＮによってウエハＷが検出された時間に基づいて決定される。第１〜第６処理室１４０Ａ〜１４０ＦへのウエハＷの搬出入時間は，ウエハセンサ１８８Ａ〜１８８ＦによってウエハＷが検出された時間に基づいて決定される。

このようなウエハ処理履歴情報２９４によれば，ウエハＷがどの室に存在（残留）しているかというロケーション情報，処理段階に関する時間情報の他，基板処理装置１００の稼働停止時におけるウエハＷのロケーション情報及び処理段階情報を把握することができる。さらに，復旧処理にかかる処理段階についてもウエハ処理履歴情報２９４に加えることにより，復旧処理がどの処理段階まで実行されているかについても把握することができる。

また，このようなウエハ処理履歴情報２９４をオペレータによる入出力手段２６０の操作により，表示手段２５０に表示させるようにすれば，オペレータもこれらのウエハ処理履歴情報２９４を見ることができる。なお，ウエハ処理履歴情報２９４は，図４に示す項目に限られることはない。

上述したようなウエハ収容情報２９２，ウエハ処理履歴情報２９４の他，基板処理装置１００を稼働してウエハＷを処理するのに必要な情報などが記憶手段２９０に記憶される。例えばパーティクル測定室１３４で測定された測定結果を記憶するパーティクル測定結果情報，各処理室１４０（１４０Ａ〜１４０Ｆ）でウエハＷを処理するために必要なプロセス・レシピなどのウエハ処理情報についても記憶手段２９０に記憶される。制御部２００のＣＰＵ２１０は，記憶手段２９０に記憶されたウエハ処理情報に基づいて各処理室１４０Ａ〜１４０ＦでのウエハＷへの処理を制御する。

（基板処理装置の動作）
次に，上記のように構成された基板処理装置の動作について説明する。基板処理装置１００，上述したような制御部２００のＣＰＵ２１０のプログラムに基づいて稼働し，各ウエハＷの処理段階ごとにウエハ処理履歴情報（例えばプロセス・ログ）２９４が作成され，記憶手段２９０に記憶される。

例えば搬送ユニット側搬送機構１７０によりカセット容器１３２Ａ〜１３２Ｃのいずれかから搬出されたウエハＷは，オリエンタ１３６まで搬送されてオリエンタ１３６の回転載置台１３８に移載され，ここで位置決めされる。位置決めされたウエハＷは，オリエンタ１３６から搬出されてロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎ内へ搬入される。このとき，必要なすべての処理が完了した処理完了ウエハＷがロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎにあれば，処理完了ウエハＷを搬出してから，未処理ウエハＷを搬入する。

ロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎへ搬入されたウエハＷは，処理ユニット側搬送機構１８０によりロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎから搬出され，そのウエハＷが処理される処理室１４０へ搬入されて所定の処理が実行される。そして，処理室１４０での処理が完了した処理済ウエハＷは，処理ユニット側搬送機構１８０により処理室１４０から搬出される。この場合，そのウエハＷが連続して複数の処理室１４０での処理が必要な場合には，次の処理を行う他の処理室１４０へウエハＷを搬入し，その処理室１４０での処理が実行される。

こうして，必要なすべての処理が完了した処理完了ウエハは，ロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎへ戻される。ロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎへ戻された処理済ウエハＷは，搬送ユニット側搬送機構１７０により元のカセット容器１３２Ａ〜１３２Ｃに戻される。

そして，各処理室１４０での処理のスループットを向上させるためにはウエハＷを処理室１４０にできる限り接近させて待機させることが望ましいことから，処理室１４０での処理を行っている間でもカセット容器１３２からウエハＷを次々と搬出させて，これらのウエハＷを共通搬送室１５０，ロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎ，オリエンタ１３６などで待機させる。処理室１４０で１枚のウエハＷの処理が完了すると，直ちに元のカセット容器１３２へ戻し，上記各待機中のウエハＷを順送りして共通搬送室１５０で待機している次のウエハＷを直ちに処理室１４０へ搬入させる。

このような基板処理装置１００の稼働中に，基板処理装置１００に故障，停電，漏電などの異常が発生すると，基板処理装置１００は例えば断電されて稼働が停止される。基板処理装置１００の稼働が停止されると，例えば各処理室１４０Ａ〜１４０Ｆ内で処理されていたウエハの処理は途中で中断され，そのまま処理室１４０Ａ〜１４０Ｆ内に残留する。また，搬送ユニット１２０内（例えば搬送室１３０内，オリエンタ１３６内，パーティクル測定室１３４内），及び処理ユニット１１０内（例えば共通搬送室１５０内，ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎ内）などに待機されているウエハＷはそのまま各室内に残留する。

本実施形態にかかる基板処理装置１００では，上記のように異常発生によって基板処理装置１００の稼働が停止された場合，その異常が解消された後に基板処理装置１００の電源が再度投入されると，以下に説明するような復旧処理を自動的に行うようになっている。

（復旧処理）
ここで，基板処理装置１００の復旧処理について説明する。基板処理装置１００の復旧処理は例えば制御部２００のＣＰＵ２１０によりＲＯＭ２２０又は記憶手段２９０などに記憶されたプログラムに基づいて実行される。

本実施形態にかかる復旧処理は主として，ウエハＷに対して所定のウエハ救済処理（基板救済処理）を行ってカセット容器１３２へ回収させる基板回収処理（基板回収工程）と，基板処理装置１００の各室内の状態を復旧させる装置内状態復旧処理（装置内状態復旧工程）とに大別できる。以下，それぞれの処理に分けて説明する。

（復旧処理における基板回収処理）
先ず，基板回収処理について説明する。基板回収処理においては，基板処理装置１００の各室に残留しているウエハＷに対して基板処理装置１００の稼働停止時（以下，単に稼働停止時ともいう）までに実行された処理の段階に応じたウエハ救済処理（基板救済処理）を行ってそのウエハＷを搬送元のカセット容器１３２へ回収させる。例えば基板処理装置１００内のウエハＷに対して，稼働停止時にそのウエハＷが残留している室に応じた救済処理を行う。大局的な観点によれば，ウエハＷが残留している室によってそのウエハＷに対して稼働停止までにどの段階まで処理されたかというウエハＷの処理段階が異なる。例えば搬送ユニット１２０内に残留しているウエハＷはカセット容器１３２から取出されてこれから処理ユニットへ搬送されようとしている未処理段階のものであるか，又は既に必要な処理がすべて完了して処理ユニット１１０から戻ってきた処理完了段階のものである。これに対して，共通搬送室１５０内に残留しているウエハＷには，未処理段階のものや処理完了段階のものの他に，未だ他の処理室での処理が残っている処理未完了段階のものも存在する可能性がある。従って，このようにウエハＷが残留している室に応じた救済処理を行うことによって，ウエハＷの処理段階に応じた適切な救済処理を行うことができる。

このようなウエハ救済処理としては，例えば搬送ユニット１２０内（例えば搬送室１３０内，オリエンタ１３６内，パーティクル測定室１３４内など）に残留しているウエハＷは，上述したように未だ処理がまったく行われていない未処理ウエハＷ又は既に必要な処理のすべてが完了している処理完了ウエハＷであると考えられるので，これらのウエハＷは搬送元のカセット容器１３２にそのまま回収しても問題がない。従って，このような搬送ユニット１２０内にあるウエハＷは，基本的にはそのまま搬送元のカセット容器１３２に回収する。

これに対して，処理ユニット１１０内（例えば各処理室１４０Ａ〜１４０Ｆ内，共通搬送室１５０内，各ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎ内）に残留しているウエハＷには，上述したような未処理段階，処理完了段階のものの他に，未だ処理が残っている段階のものも存在する可能性がある。例えば処理室１４０内には，例えばエッチング工程などの処理の途中で中断された処理途中段階のウエハＷ（処理途中ウエハ）がその状態で残留している可能性がある。また，共通搬送室１５０内には，複数の処理室１４０での処理が必要なウエハＷであって，他の処理室での処理が残っていて未だすべての処理が完了していない処理未完了段階のウエハＷ（処理未完了ウエハ）が残留している可能性もある。例えば連続して第１〜第６処理室１４０Ａ〜１４０Ｆでの処理が必要なウエハＷがあるとすると，そのウエハＷに対して第１〜第５処理室１４０Ａ〜１４０Ｅでの処理が終了して，処理室１４０Ｅから搬出されて，共通搬送室１５０内で残りの第６処理室１４０Ｆでの処理待ち状態のときに基板処理装置１００が稼働停止となった場合である。

もし仮にこのような処理途中ウエハＷや処理未完了ウエハＷについても上記と同様にそのままカセット容器１３２に回収するようにすれば，それらウエハＷの救済が不能となる場合がある。例えばポリ系のプロセス処理などのように，途中で中断された処理によっては，元のカセット容器１３２に回収されると，そのウエハＷは大気に晒されてしまうので，そのウエハＷに対しては残処理（例えば残りのエッチング処理など）を行うことができなくなり，ウエハ救済自体が不能となる場合もある。従って，このような処理ユニット１１０内のウエハＷに対しては，基本的には，残りの処理を実行して処理が完了してから搬送元のカセット容器１３２に回収する。

なお，ウエハＷに対する残りの処理を行う場合は，その前に安定工程を実行して処理室１４０内の状態を整える。例えば処理室１４０のウエハＷに対して残りのエッチング処理を行う場合には，処理室１４０内の排気処理を行った上で，真空引きを行って処理室１４０内の圧力を所定圧力にし，改めて処理ガスを導入して高周波電力を印加してプラズマを立ち上げる。処理室１４０内の排気処理としては，例えばＮ_２ガスや不活性ガスなどのパージガスを導入しながら大気開放を行い，この大気開放と真空引きとを所定回数繰返すサイクルパージなどが挙げられる。例えば処理ガスとして腐食性ガス（例えば塩素，塩化水素等）を用いる場合には，Ｎ_２ガスなどの希釈ガスを導入するサイクルパージを酸排気処理として実行するようにしてもよい。

このように，本実施形態では，漏電等の異常による基板処理装置の稼働停止した場合には，ウエハＷが残留している基板処理装置１００の各室に応じた救済処理を行うことによって，ウエハＷの処理段階に応じた救済処理を行うことができるので，ウエハＷを的確に救済することができる。上記救済処理を行う場合の各室の順序は，搬送元のカセット容器１３２に近い方の室にあるウエハＷから基板救済処理を実行することが好ましい。例えば搬送ユニット１２０，ロードロック室１６０，共通搬送室１５０，処理室１４０の順が好ましい。これにより，ウエハＷの回収をスムーズに行うことができるので，復旧処理の効率化を図ることができる。

なお，基板救済処理を行う場合には，各室（例えば搬送ユニット１２０，ロードロック室１６０，共通搬送室１５０，処理室１４０）の内部にウエハＷが残留しているか否かを検出する必要がある。このようなウエハ検出方法としては，例えば図４に示すようなウエハ処理履歴情報２９４に記憶されているウエハ処理段階に基づいて，処理ユニット１１０内，搬送ユニット１２０内のどの室にウエハＷが残留しているかを検出するようにしてもよい。

また，搬送ユニット１２０のパーティクル測定室１３４，オリエンタ１３６，搬送室１３０では，各室のウエハセンサ１３５ａ，１３８ａ，搬送ユニット側搬送機構１７０のウエハセンサ１７３ａ，１７３ｂに基づいてウエハＷを検出するようにしてもよい。また，処理ユニット１１０の各ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎ，共通搬送室１５０では，各室のウエハセンサ１６５Ｍ，１６５Ｎ，処理ユニット側搬送機構１８０のウエハセンサ１８３ａ，１８３ｂに基づいてウエハＷを検出するようにしてもよい。

さらにまた，搬送ユニット側搬送機構１７０や処理ユニット側搬送機構１８０によってウエハＷの搬出入動作を行うことによってウエハＷが残留しているか否かを検出するようにしてもよい。例えば処理室１４０Ａ〜１４０Ｆでは，処理ユニット側搬送機構１８０によってウエハＷの搬出入動作を行うことによって，各室に対応する共通搬送室のウエハセンサ１８８Ａ〜１８８Ｆ及び処理ユニット側搬送機構１８０のウエハセンサ１８３ａ，１８３ｂに基づいて，処理室１４０Ａ〜１４０Ｆ内にウエハＷが残留しているかを検出するようにしてもよい。

（復旧処理における装置内状態復旧処理）
次に，上記復旧処理のうちの装置内状態復旧処理について説明する。ここでの装置内状態復旧処理は，例えば搬送ユニット１２０内，共通搬送室１５０内，ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎ内，各処理室１４０Ａ〜１４０Ｆ内などの各室に対してクリーニング処理を実行することにより，各室内をウエハＷの処理を実行可能な状態にするものである。各室に対するクリーニング処理としては例えばＮ_２ガスなどのパージガスを導入しつつ，真空引きと大気開放を所定回数繰返すクリーニング処理（例えばＮＰＰＣ：Non-Plasma Particle Cleaning）を行う。ここでのクリーニング処理では大気開放のときのみならず，真空引きのときにもパージガスを導入し続ける。このようなクリーニング処理によれば，各室内に浮遊するパーティクル（例えば付着物，塵，ゴミなど）を除去することができる。また，真空引きと大気開放を繰返すことにより，各室の壁面や各室内に配設されている部品などに付着しているパーティクルも剥がれて強制的に浮遊させることができるので，これらも除去することができる。

なお，基板処理装置１００の各室内のクリーニング処理としては，上記のものに限られず，公知のクリーニング処理を行うようにしてもよい。例えばプラズマを利用したクリーニング処理も適用可能である。

（復旧処理の具体例）
以下，上述したような復旧処理について具体例を挙げながらより詳細に説明する。図５は，本実施形態にかかる基板処理装置における復旧処理の具体例を示すメインルーチンのフローチャートである。

図５に示す復旧処理においては，先ず基板回収処理としてステップＳ１１０〜Ｓ１５０及びステップＳ２００〜Ｓ５００にてウエハＷが残留する各室に応じたウエハ救済処理（基板救済処理）を行って各室に残留するウエハＷを搬送元のカセット容器１３２へ回収する。すなわち，搬送ユニット内基板救済処理としてステップＳ１１０にて搬送ユニット１２０内にウエハＷがあると判断した場合はステップＳ２００にて搬送ユニット１２０内のウエハ救済処理を行う。また，処理ユニット内基板救済処理としてステップＳ１２０にてロードロック室１６０内にウエハＷがあると判断した場合はステップＳ３００にてロードロック室１６０内のウエハ救済処理（ロードロック室内基板救済処理）を行い，ステップＳ１３０にて共通搬送室１５０内にウエハＷがあると判断した場合はステップＳ４００にて共通搬送室１５０内のウエハ救済処理（共通搬送室内基板救済処理）を行い，ステップＳ１４０にて処理室１４０内にウエハＷがあると判断した場合はステップＳ５００にて処理室１４０内のウエハ救済処理（処理室内基板救済処理）を行う。以下，これらのウエハ救済処理の具体例について説明する。

（搬送ユニット内のウエハ救済処理）
先ず，搬送ユニット内のウエハ救済処理（ステップＳ２００）の具体例について図６を参照しながら説明する。図６は搬送ユニット内のウエハ救済処理を示すサブルーチンのフローチャートである。搬送ユニット１２０内のウエハＷとしては，例えば搬送室１３０内で搬送ユニット側搬送機構１７０に把持された状態で残留しているウエハＷの他，オリエンタ１３６内やパーティクル測定室１３４内に残留しているウエハＷが考えられるので，これらのウエハＷが搬送ユニット１２０内のウエハ救済処理の対象となる。

図６に示す搬送ユニット内のウエハ救済処理では，先ずステップＳ２１０にて搬送ユニット１２０内に残留しているウエハＷを例えば搬送ユニット側搬送機構１７０によりパーティクル測定室１３４へ搬送する。このとき，搬送室１３０内にあるウエハＷ，すなわち搬送ユニット側搬送機構１７０のピック上にあるウエハＷについてはそのままパーティクル測定室１３４へ搬送する。また，オリエンタ１３６内にあるウエハＷについては，搬送ユニット側搬送機構１７０によりオリエンタ１３６から搬出してパーティクル測定室１３４へ搬送する。この場合，既にパーティクル測定室１３４にウエハＷが残留していた場合には，先にそのウエハＷのパーティクル測定を実行した上でそのウエハＷを搬送元のカセット容器１３２へ戻す。

次いで，ステップＳ２２０にてパーティクル測定室１３４へ搬入されたウエハＷに付着しているパーティクル量を測定（パーティクル測定）し，ステップＳ２３０にてその測定結果を例えば制御部２００の記憶手段２９０にパーティクル測定結果情報のログとして記憶する。そして，ステップＳ２４０にて搬送ユニット側搬送機構１７０によりウエハＷをパーティクル測定室１３４から搬出して搬送元のカセット容器１３２へ戻す。こうして一連の搬送ユニット１２０内のウエハ救済処理が終了すると，図５に示すメインルーチンへ戻る。

このような搬送ユニット１２０内のウエハ救済処理によれば，搬送ユニット１２０内に残留しているすべてのウエハＷは，パーティクル測定が行われた上で搬送元のカセット容器１３２に回収される。このようにしたのは，搬送ユニット１２０内にウエハＷが残留しているとすれば，そのようなウエハＷの処理段階は，未だ処理がされていない未処理段階であるか，又は既にすべての処理が終了している処理完了段階であることから，これらのウエハＷはそのまま回収しても問題はないからである。従って，搬送ユニット１２０内のウエハ救済処理では，搬送ユニット１２０内に存在していることを検出するだけでウエハＷの処理段階がわかるので，必ずしもウエハＷの処理段階を例えばウエハ処理履歴情報２９４から検出しなくてもよい。

また，搬送ユニット１２０内に残留しているウエハＷは，カセット容器１３２に回収する前にパーティクル測定が行われ，その結果がログなどに記憶される。このため，パーティクル量の測定結果に基づいて，カセット容器１３２に回収されたウエハＷが再処理可能か否かを判断することができる。

（ロードロック室内のウエハ救済処理）
次に，ロードロック室１６０内のウエハ救済処理（ステップＳ３００）の具体例について図７を参照しながら説明する。図７はロードロック室１６０内のウエハ救済処理を示すサブルーチンのフローチャートである。図１に示すような基板処理装置１００では２つのロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎを備えているので，このような基板処理装置１００に適用される図７に示す処理は，これらロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎのうち，ウエハＷが残留しているロードロック室１６０の処理を示す。

図７に示すロードロック室内のウエハ救済処理では，先ずステップＳ３１０にてロードロック室１６０にウエハＷを置いたまま，ロードロック室１６０内の排気処理を行う。排気処理としては，例えばロードロック室１６０の排気系及びガス導入系を制御しながら，真空引きと大気開放を所定回数繰返し，大気開放する際にパージガス（例えばＮ_２ガス）を導入する，上述のサイクルパージを行う。

次に，ステップＳ３２０にてロードロック室１６０内にあるウエハＷを搬送ユニット側搬送機構１７０によりパーティクル測定室１３４へ搬送する。具体的には，ロードロック室１６０を大気開放するなど圧力調整を行った上で，搬送ユニット側搬送機構１７０により当該ウエハＷを搬出し，パーティクル測定室１３４へ搬入させる。次いで，ステップＳ３３０にてパーティクル測定を行い，ステップＳ３４０にてその測定結果を例えばログなどに記憶する。その後，ステップＳ３５０にて搬送ユニット側搬送機構１７０によりウエハＷをパーティクル測定室１３４から搬出して搬送元のカセット容器１３２へ戻す。こうして一連のロードロック室１６０内のウエハ救済処理が終了すると図５に示すメインルーチンへ戻る。

このようなロードロック室１６０内のウエハ救済処理によれば，ロードロック室１６０内に残留しているすべてのウエハＷは，搬送ユニット１２０内のウエハＷと同様に，パーティクル測定が行われた上で搬送元のカセット容器１３２に回収される。このようにしたのは，ロードロック室１６０内にウエハＷが残留しているとすれば，そのウエハＷの処理段階は搬送ユニット１２０内のウエハＷの場合と同様に，未処理段階又は処理完了段階であることから，これらのウエハＷはそのまま回収しても問題はないからである。

但し，ロードロック室１６０からウエハＷを搬出する前に，ロードロック室１６０の排気処理（例えばサイクルパージ）が行われる。これは，ロードロック室１６０には，処理室１４０からの処理ガスがウエハＷ上などに残留している虞があるからである。また，ロードロック室１６０が真空引きを行っている途中に，基板処理装置１００の稼働が停止した場合には，排気側からゴミや塵が逆流している虞もあるからである。ロードロック室１６０の排気処理を行うことによって，これらの残留している処理ガスやゴミや塵などを除去することができる。さらに，処理ガスとして腐食性ガス（例えば塩素，塩化水素等）を使用してウエハＷの処理を行う場合には，上記排気処理をロードロック室１６０内の酸排気処理として行うこともできる。これにより，腐食性ガスが搬送ユニット１２０側へ流出することを防止できるので，搬送ユニット１２０の構成部品や搬送ユニット側搬送機構１７０などの腐食を防止することができる。

（共通搬送室内のウエハ救済処理）
次に，共通搬送室１５０内のウエハ救済処理（ステップＳ４００）の具体例について図８を参照しながら説明する。図８は共通搬送室１５０内のウエハ救済処理を示すサブルーチンのフローチャートである。共通搬送室１５０内には，未だいずれの処理室１４０でも処理されていない未処理ウエハＷの他，１以上の処理室１４０で既に処理が終了している処理済ウエハＷが残留している可能性がある。さらに，上記処理済ウエハＷの中には，必要なすべての処理室１４０での処理が完了した処理完了ウエハのみならず，連続して複数の処理室１４０での処理が必要なウエハＷであって，未だ他の処理室１４０での処理が完了していない処理未完了ウエハＷも含まれる。従って，共通搬送室１５０内のウエハ救済処理では，このようなウエハＷの処理段階を検出して，その処理段階に応じたウエハ救済処理を行う。

図８に示す共通搬送室内のウエハ救済処理では，先ずステップＳ４１０にて共通搬送室１５０内にあるウエハＷが処理未完了ウエハＷであるか否かを判断する。具体的には例えば，図４に示すようなウエハ処理履歴情報２９４により共通搬送室１５０内にあるウエハＷの処理段階を検出して，そのウエハＷの処理段階が処理未完了段階か否かを判断する。例えば第１処理室１４０Ａ及び第２処理室１４０Ｂでの処理が必要なウエハＷであれば，そのウエハＷのウエハ処理段階が例えば第１処理室１４０Ａでの処理が終了後の共通搬送室１５０内でストップしている場合には，未だ第２処理室１４０Ｂでの処理が施されていないため，そのウエハＷは処理未完了段階であると判断することができる。

上記ステップＳ４１０にて共通搬送室１５０内にあるウエハＷが処理未完了ウエハＷであると判断した場合は，ステップＳ４２０にて処理未完了ウエハＷに対する処理を行ってから，ステップＳ４３０の処理に進む。なお，ステップＳ４２０の処理未完了ウエハＷに対する処理の詳細は後述する。また，ステップＳ４１０にて共通搬送室１５０内にあるウエハＷが処理未完了ウエハＷでないと判断した場合，すなわち未処理ウエハＷ又は処理完了ウエハＷであると判断した場合はステップＳ４３０の処理に進む。

ステップＳ４３０では，上記未処理ウエハＷ又は処理完了ウエハＷを例えば処理ユニット側搬送機構１８０によりロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎ内へ搬送して，そのロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎ内において上述したような排気処理例えば上述したようなサイクルパージを実行する。ここでいう処理完了ウエハＷには，基板処理装置１００の異常による稼働停止時（又は復旧処理開始時）に処理完了ウエハＷであったものの他，復旧処理による処理未完了ウエハＷに対する処理（ステップＳ４２０）が施されて処理完了ウエハＷになったものの含まれる。

続いて，ステップＳ４４０にて当該ウエハＷを搬送ユニット側搬送機構１７０によりパーティクル測定室１３４へ搬送する。具体的には，ロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎを大気開放するなど圧力調整を行った上で，搬送ユニット側搬送機構１７０により当該ウエハＷを搬出し，パーティクル測定室１３４へ搬入させる。次いで，ステップＳ４５０にてパーティクル測定を行い，ステップＳ４６０にてその測定結果を例えばログなどに記憶する。その後，ステップＳ４７０にて搬送ユニット側搬送機構１７０により当該ウエハＷをパーティクル測定室１３４から搬出して搬送元のカセット容器１３２へ戻す。こうして一連の共通搬送室１５０内のウエハ救済処理が終了すると図５に示すメインルーチンへ戻る。

（処理未完了ウエハに対する処理）
ここで，図８に示すステップＳ４２０の処理未完了ウエハＷに対する処理の具体例について図９を参照しながら説明する。図９は，処理未完了ウエハＷに対する処理を示すサブルーチンのフローチャートである。

図９に示す処理未完了ウエハＷに対する処理では，先ずステップＳ４２１にて処理未完了ウエハＷをこれから搬送しようとする搬送先の処理室１４０が他のウエハＷの処理途中であるか否かを判断する。搬送先の処理室１４０が他のウエハＷの処理途中であるか否かは，例えば図４に示すようなウエハ処理履歴情報２９４により上記他のウエハＷの処理段階を検出することにより判断する。ステップＳ４２１にて上記搬送先の処理室１４０が処理途中であると判断した場合は，ステップＳ４２２にてその搬送先の処理室１４０における他のウエハＷの処理が終了するまで待機して，図８に示すルーチンへ戻る。搬送先の処理室１４０における他のウエハＷの処理が終了してから，処理未完了ウエハＷの処理を行うためである。具体的に説明すると，この場合には共通搬送室１５０に処理未完了ウエハＷが待機している状態なので，図８のルーチンが終了して図５のメインルーチンに戻ったときに，ステップＳ１５０にて搬送中のウエハＷは未だ回収されていないことになるので，再びステップＳ４００の処理，すなわち図９に示すサブルーチンが実行されることになる。そのときに，搬送先の処理室における他のウエハＷの処理が終了していれば，ステップＳ４２３以降の処理により共通搬送室１５０で待機していた処理未完了ウエハＷの処理が行われる。

一方，ステップＳ４２１にて上記搬送先の処理室１４０が処理途中でないと判断した場合は，ステップＳ４２３にて処理ユニット側搬送機構１８０を制御して，処理未完了ウエハＷの位置補正を行う。これは処理ユニット側搬送機構１８０の搬送動作中に，基板処理装置１００の稼働が停止された場合，搬送動作中の処理ユニット側搬送機構１８０も急に停止するので，慣性力などで処理ユニット側搬送機構１８０のピック上に把持されているウエハＷの位置がずれる場合があるからである。このようにウエハＷの位置がずれた状態で処理室１４０へ搬入すれば，例えばゲートバルブ１４４に引っ掛かったり，処理室１４０の載置台１４２からずれて載置されたりする虞があるので，このようなウエハＷの位置ずれを防止するために，処理室１４０へ搬入する前にウエハＷの位置補正を行う。

このウエハＷの位置補正は，例えば共通搬送室１５０内に設けられた位置センサ１８９を利用して次のように行われる。すなわち，処理ユニット側搬送機構１８０をピック上にウエハＷを把持したまま，位置センサ１８９上まで搬送し，そのウエハＷのずれ量を位置センサ１８９により検出する。そして，位置センサ１８９により検出されたずれ量に応じて処理ユニット側搬送機構１８０のピック位置をずらして調整することにより，ウエハＷの位置補正を行う。

次いで，ステップＳ４２４にて位置補正された処理未完了ウエハＷを処理ユニット側搬送機構１８０により次の処理を行う処理室１４０に搬送する。続いてステップＳ４２５にて搬送先の処理室１４０において処理未完了ウエハＷの処理を行う。

次に，ステップＳ４２６にてすべての処理が完了したか否かを判断する。複数の処理室１４０での処理が必要なウエハＷであれば，各処理室１４０での処理がすべて終了し，そのウエハＷに対する処理がすべて完了したか否かを判断する。ステップＳ４２６にてすべての処理が完了していないと判断した場合には，ステップＳ４２４の処理に戻り，残りの処理を行う。またステップＳ４２６にてすべての処理が完了したと判断した場合には，一連の処理未完了ウエハの処理を終了し，図８に示すルーチンへ戻る。

このような共通搬送室１５０内のウエハ救済処理によれば，共通搬送室１５０内にあるウエハＷの処理段階が処理完了段階の場合には，ロードロック室１６０における排気処理及びパーティクル測定が行われた上で搬送元のカセット容器１３２に回収される。これに対して共通搬送室１５０内にあるウエハＷの処理段階が処理未完了段階の場合には，すべての処理が完了するまで必要な処理室での処理が行われた後に，搬送元のカセット容器１３２に回収される。これにより，例えば処理未完了ウエハＷについては，そのまま大気状態にあるカセット容器１３２に回収されることはないので，処理未完了ウエハＷが大気に晒されて救済不能となることを防止することができる。このように，ウエハＷの処理段階に応じた的確な救済処理を行うことによって，できる限り多くの被処理基板を救済することができる。

（処理室内のウエハ救済処理）
次に，処理室１４０内のウエハ救済処理の具体例について図１０を参照しながら説明する。図１０は処理室１４０内のウエハ救済処理を示すサブルーチンのフローチャートである。図１に示すような基板処理装置１００では６つの処理室１４０Ａ〜１４０Ｆを備えているので，このような基板処理装置１００に適用される図１０に示す処理は，これら処理室１４０Ａ〜１４０Ｆのうち，ウエハＷが残留している処理室１４０の処理を示す。

また，処理室１４０内には，その処理室１４０内に搬入されたものの未だ処理が開始されていない未処理ウエハＷ，又はその処理室１４０内における処理がすべて終了しているものの搬出されずに残っている処理済ウエハＷ（処理未完了ウエハＷと処理完了ウエハＷを含む）の他，その処理室１４０での処理が開始されたものの途中で処理が中断された処理途中ウエハＷが残留している場合もある。また，処理途中ウエハＷであっても，その処理室１４０での処理段階のうちどの処理段階（例えば後述する安定工程中，エッチング工程中，終了工程中など）で基板処理装置１００の稼働停止により中断されたかによって救済処理も異なる。従って，処理室１４０内のウエハ救済処理では，このような処理室１４０内でのウエハＷの処理段階に応じた処理も含めた救済処理を行う。

図１０に示す処理室１４０内のウエハ救済処理では，先ずステップＳ５１０にて処理室１４０内にあるウエハＷが処理途中ウエハＷであるか否かを判断する。具体的には例えば，図４に示すようなウエハ処理履歴情報２９４により処理室１４０内にあるウエハＷの処理段階を検出して，そのウエハＷの処理段階が処理途中段階か否かを判断する。例えば図４に示すウエハ処理履歴情報２９４によれば，ウエハＩＤ１３２Ａ−２２のウエハＷは，第１処理室１４０Ａのエッチング工程の処理途中で基板処理装置１００が稼働停止しているので，処理途中段階であると判断することができる。

上記ステップＳ５１０にて処理室１４０内にあるウエハＷが処理途中ウエハＷであると判断した場合は，ステップＳ５２０にて処理途中ウエハＷに対する処理を行ってから，ステップＳ５３０の処理に進む。なお，ステップＳ５２０の処理途中ウエハＷに対する処理の詳細は後述する。また，ステップＳ５１０にて処理室１４０内にあるウエハＷが処理途中ウエハＷでないと判断した場合，例えば未処理ウエハＷ又は処理済ウエハＷであると判断した場合は，そのままステップＳ５３０の処理に進む。

ステップＳ５３０では，処理室１４０内のウエハＷが処理未完了ウエハＷであるか否かを判断する。ここでいう処理未完了ウエハＷには，基板処理装置１００の異常による稼働停止時（又は復旧処理開始時）に処理未完了ウエハＷであったものの他，ステップＳ５２０による処理途中ウエハＷに対する処理が施されても未だ他の処理室１４０での処理が必要な処理未完了ウエハＷも含まれる。

上記ステップＳ５３０にて処理室１４０内にあるウエハＷが処理未完了ウエハＷであると判断した場合は，ステップＳ５４０にて処理未完了ウエハＷに対する処理を行ってから，ステップＳ５５０の処理に進む。なお，ステップＳ５４０の処理未完了ウエハＷに対する処理は図８に示すステップＳ４２０の処理と同様であり，その具体例は図９に示すものと同様である。また，ステップＳ５３０にて処理室１４０内にあるウエハＷが処理未完了ウエハＷでないと判断した場合，すなわち未処理ウエハＷ又は処理完了ウエハＷであると判断した場合はステップＳ５５０の処理に進む。

ステップＳ５５０では未処理ウエハＷ又は処理完了ウエハＷを例えば処理ユニット側搬送機構１８０によりロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎ内へ搬送して，そのロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎ内において上述したような排気処理例えばサイクルパージを実行する。ここでいう処理完了ウエハＷには，基板処理装置１００の異常による稼働停止時（又は復旧処理開始時）に処理完了ウエハＷであったものの他，ステップＳ５４０による処理未完了ウエハＷに対する処理が施されて処理完了ウエハＷになったものも含まれる。

続いて，ステップＳ５６０にて当該ウエハＷを搬送ユニット側搬送機構１７０によりパーティクル測定室１３４へ搬送する。具体的には，ロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎを大気開放するなど圧力調整を行った上で，搬送ユニット側搬送機構１７０により当該ウエハＷを搬出し，パーティクル測定室１３４へ搬入させる。次いで，ステップＳ５７０にてパーティクル測定を行い，ステップＳ５８０にてその測定結果を例えばログなどに記憶する。その後，ステップＳ５９０にて搬送ユニット側搬送機構１７０により当該ウエハＷをパーティクル測定室１３４から搬出して搬送元のカセット容器１３２へ戻す。こうして一連の処理室１４０内のウエハ救済処理が終了すると図５に示すメインルーチンへ戻る。

（処理途中ウエハに対する処理）
ここで，図１０に示すステップＳ５２０の処理途中ウエハＷに対する処理の具体例について図１１を参照しながら説明する。図１１は，処理途中ウエハＷに対する処理を示すサブルーチンのフローチャートである。図１１に示す処理途中ウエハＷに対する処理は，基板処理装置１００の異常による稼働停止時に中断されたウエハの処理段階に応じた救済処理を行うものである。すなわち，通常，処理室１４０でのウエハＷの処理は複数の処理工程（プロセス・レシピ）を経て段階的に行われるので，どの処理工程の段階で中断されたかに応じた残処理を行うことによって，ウエハＷの処理段階に応じた適切なウエハ救済処理を行うものである。

上記処理室１４０でのウエハＷの処理工程（プロセス・レシピ）は，ウエハＷの処理の種類や条件等によって異なるが，ここでは図１２〜図１４に示すような安定工程Ｔ_Ｓ，エッチング工程Ｔ_Ｐ，終了工程Ｔ_Ｅによってエッチング処理を行う場合の具体例を示す。図１２〜図１４におけるＴ_Ｓ，Ｔ_Ｐ，Ｔ_Ｅはそれぞれ，安定工程，エッチング工程，終了工程にかかる時間を示している。図１２〜図１４は，ウエハの処理工程の具体例を示す図であって，図１２〜図１４の（ａ）はそれぞれ，ウエハＷの処理工程のうちどこで基板処理装置１００が稼働停止となったかを示す図であり，図１２〜図１４の（ｂ）はそれぞれ，図１２〜図１４の（ａ）で基板処理装置１００が稼働停止となった場合のウエハＷの残処理を示す図である。

図１１に示す処理途中ウエハＷに対する処理では，先ずステップＳ５２１にて処理室１４０内の処理途中ウエハＷは安定工程途中で処理が停止されたものであるか否かを判断する。具体的には例えば，図４に示すようなウエハ処理履歴情報２９４により処理室１４０内にあるウエハＷの処理段階を検出して，そのウエハＷの処理が安定工程中で停止されたか否かを判断する。ステップＳ５２１にて処理室１４０内の処理途中ウエハＷは安定工程途中で処理が停止されたものであると判断した場合はステップＳ５２２にてその安定工程を最初から実行する。

例えば図１２（ａ）に示すように安定工程の途中でウエハＷの処理が停止された場合には，そのウエハＷには未だエッチング処理が行われていないため，そのような処理途中ウエハＷに対する残処理としては図１２（ｂ）に示すようにそのまま安定工程の最初から再処理すれば足りる。

そして，ステップＳ５２２の処理，すなわち安定工程が終了すると，ステップＳ５２７にてその後の処理を続け，ステップＳ５２８にてその処理室１４０での残処理が終了したか否かを判断し，残処理が終了していないと判断した場合はステップＳ５２７の処理に戻る。その後の処理としては，例えば図１２（ｂ）に示すような処理途中ウエハＷの残処理では，安定工程終了後に続けてエッチング工程Ｔ_Ｐ，終了工程Ｔ_Ｅを実行する。このようなすべての工程が終了すると，排気処理や圧力制御などを行うことによって処理室１４０内の状態を整えてから処理済ウエハＷを搬出する。そして，ステップＳ５２８にてその処理室１４０での残処理が終了したと判断した場合は一連の処理途中ウエハに対する処理を終了して図１０に示す処理室内のウエハ救済処理へ戻る。

上記ステップＳ５２１にて処理室１４０内の処理途中ウエハＷは安定工程途中で処理が停止されたものでないと判断した場合はステップＳ５２３にて処理室１４０内の処理途中ウエハＷはエッチング工程途中で処理が停止されたものであるか否かを判断する。この場合も例えば図４に示すようなウエハ処理履歴情報２９４により処理室１４０内にあるウエハＷの処理段階を検出して，そのウエハＷの処理がエッチング工程途中で停止されたか否かを判断する。例えば図４に示すウエハ処理履歴情報２９４によれば，ウエハＩＤ１３２Ａ−２２のウエハＷは，第１処理室１４０Ａのエッチング工程の処理途中で基板処理装置１００が稼働停止しているので，そのウエハＷはエッチング工程途中で処理が停止されたものであると判断することができる。

上記ステップＳ５２３にて処理室１４０内の処理途中ウエハＷはエッチング工程途中で処理が停止されたものであると判断した場合は，ステップＳ５２４にてそのエッチング工程の残処理を安定工程後に実行する。すなわち，処理室１４０内の排気処理を行った上で，真空引きを行って処理室１４０内の圧力を所定圧力にし，改めて処理ガスを導入して高周波電力を印加してプラズマを立ち上げ，再び残り時間のエッチング処理を行う。

例えば図１３（ａ）に示すようにエッチング工程途中で処理が停止された場合には，そのウエハＷには途中までエッチング処理が行われているので，基本的には，そのエッチング処理の残り時間Ｔ_ＰＲの分だけエッチング処理を行えば足りる。但し，この場合にはエッチング処理が一度中断されて，再度安定工程により排気処理が行われてから新たに処理ガスが導入されてプラズマ化されることから，プラズマ状態がエッチング処理の中断前と中断後でまったく同じにならない場合も考えられる。このため，ウエハＷの残処理では，図１３（ｂ）に示すように追加エッチング時間Ｔ_Ａを設定できるようにする。従って，図１３（ｂ）に示すウエハＷの残処理では，基板処理装置１００の異常による稼働停止時（処理中断時）のエッチング処理の残り時間Ｔ_ＰＲに追加エッチング時間Ｔ_Ａを加えた時間だけエッチング処理を行う。この追加エッチング時間Ｔ_ＡはウエハＷの処理工程（プロセス・レシピ）に復旧処理の場合のレシピとして予めオペレータが記憶手段２９０などに入出力手段２６０による操作で自由に設定できるようにしてもよく，復旧処理実行時にオペレータが入出力手段２６０より入力できるようにしてもよい。

なお，本実施形態にかかるウエハＷの残処理では，図４に示すようなウエハ処理履歴情報２９４に基づいてエッチング処理の残り時間Ｔ_ＰＲを求め，このエッチング処理の残り時間Ｔ_ＰＲに，必要な場合には追加エッチング時間Ｔ_Ａを加え，それらの時間を残処理時間として，その残処理時間だけエッチング処理を行うようにした場合について説明したが，この残処理時間は，必ずしも図４に示すようなウエハ処理履歴情報２９４に基づいて求める必要はない。例えば処理室１４０Ａ〜１４０Ｆの１つ（例えば処理室１４０Ｆ）を欠陥検査室として構成し，エッチング工程途中で処理が停止されたウエハＷを欠陥検査室へ搬送し，欠陥検査室にてウエハＷの処理状態（例えばウエハＷ上にエッチング処理により形成されたホール底のエッチング残渣量など）を検出して，その検出結果に基づいてエッチング処理の残処理時間（例えばＴ_ＰＲ＋Ｔ_Ａ）を設定するようにしてもよい。欠陥検査室は例えば電子顕微鏡などの検査装置を備え，この欠陥検査室内のウエハＷを電子顕微鏡などにより撮像して得られた電子像に基づいてウエハＷの処理状態を検出するようにしてもよい。

また，上記エッチング工程に先立って実行される安定工程は，ウエハＷの処理工程（プロセス・レシピ）に予め設定された安定工程Ｔ_Ｓを実行してもよいが，ウエハＷの処理工程（プロセス・レシピ）に別途設定されたウエハ救済処理時における安定工程Ｔ_Ｓ′を実行するようにしてもよい。この場合，例えば下部電極などへ印加する高周波電圧は，段階的に印加していくように設定してもよい。特に高い高周波電圧を印加する場合は，段階的に印加することによって，例えば処理室１４０内におけるパーティクル発生を防止することができる。このような高周波電圧の印加方法は，例えば段階的な電圧値とその電圧をかける時間などによって設定するようにしてもよい。

そして，ステップＳ５２４の処理，すなわちエッチング工程の残処理が終了すると，ステップＳ５２７にてその後の処理を続け，ステップＳ５２７にてその後の処理を続け，ステップＳ５２８にてその処理室１４０での残処理が終了したか否かを判断し，残処理が終了していないと判断した場合はステップＳ５２７の処理に戻る。その後の処理としては，例えば図１３（ｂ）に示すような処理途中ウエハＷの残処理では，エッチング工程終了後に続けて終了工程を実行する。このようなすべての工程が終了すると，排気処理や圧力制御などを行うことによって処理室１４０内の状態を整えてから処理済ウエハＷを搬出する。そして，ステップＳ５２８にてその処理室１４０での残処理が終了したと判断した場合は一連の処理途中ウエハに対する処理を終了して図１０に示す処理室内のウエハ救済処理へ戻る。

上記ステップＳ５２３にて処理室１４０内の処理途中ウエハＷはエッチング工程途中で処理が停止されたものでないと判断した場合はステップＳ５２５にて処理室１４０内の処理途中ウエハＷは終了工程途中で処理が停止されたものであるか否かを判断する。この場合も例えば図４に示すようなウエハ処理履歴情報２９４により処理室１４０内にあるウエハＷの処理段階を検出して，そのウエハＷの処理が終了工程途中で停止されたか否かを判断する。

上記ステップＳ５２５にて処理室１４０内の処理途中ウエハＷは終了工程途中で処理が停止されたものであると判断した場合は，ステップＳ５２６にてその終了工程の残処理を安定工程後に実行する。すなわち，処理室１４０内の排気処理を行った上で，真空引きを行って処理室１４０内の圧力を所定圧力にし，改めて処理ガスを導入して高周波電力を印加してプラズマを立ち上げ，再び残り時間の終点処理などの終了工程を実行する。

例えば図１４（ａ）に示すように終了工程途中で処理が停止された場合には，図１４（ｂ）に示すように，その終了工程における終点処理の残り時間Ｔ_ＥＲの分だけ終点処理を行う。すなわち，直前のエッチング工程におけるエッチング処理を，終了工程の残り時間Ｔ_ＥＲの経過時点を終点として終了する。

そして，ステップＳ５２５の処理，すなわち終了工程が終了すると，ステップＳ５２７にてその後の処理を続け，ステップＳ５２８にてその処理室１４０での残処理が終了したか否かを判断し，残処理が終了していないと判断した場合はステップＳ５２７の処理に戻る。その後の処理としては，例えば図１４（ｂ）に示すような処理途中ウエハＷの残処理では，終了工程が終了することによりすべての工程が終了するので，排気処理や圧力制御などを行うことによって処理室１４０内の状態を整えてから処理済ウエハＷを搬出する。そして，ステップＳ５２８にてその処理室１４０での残処理が終了したと判断した場合は一連の処理途中ウエハに対する処理を終了して図１０に示す処理室内のウエハ救済処理へ戻る。

ところで，上述したような終点処理としては，様々な方法がある。例えば所定の終点時間の経過時点を終点としてエッチング処理を終了する方法（第１終点処理方法），プラズマ状態などに基づく終点検出方法により検出された終点によりエッチング処理を終了する方法（第２終点処理方法），上記終点検出方法により終点が検出された場合はその時点でエッチング処理を終了し，終点が検出されないで所定の終点時間が経過した場合はその経過時点でエッチング処理を終了する方法（第３終点処理方法）などがある。また，このような終点検出方法としては，処理室１４０内で励起されたプラズマの発光スペクトルの変化に基づいて検出する方法の他，光源からの光をウエハＷに向けて照射し，その反射光の干渉光の変化に基づいて検出する方法がある。

本実施形態にかかる図１１に示すウエハ救済処理は，いずれの終点処理を含む終了工程においても適用することができる。例えば上記第１終点処理方法や第３終点処理方法のように所定の終点時間の経過により終点を決定する処理を含む場合は，上記所定の終点時間（例えば図１４に示すＴ_Ｅ）が予め設定されていることから，稼働停止時間ｔ_Ｓがわかっていれば終了工程の残り時間Ｔ_ＥＲを求めることが可能である。このため，上述したように終了工程の残り時間Ｔ_ＥＲの経過時点を終点としてエッチング処理を終了する。この場合，第３終点処理方法では，プラズマ状態などによる終点の検出は行わない。

これに対して，第２終点処理方法の場合は，エッチング処理の終点は専らプラズマ状態やウエハ状態などに基づいて検出するので，上述したような終点を決定するための所定の終点時間（例えば図１４に示すＴ_Ｅ）が予め設定されているわけではない。このような場合には，例えば各ウエハＷの終了工程を行う際に終点時間を計測してメモリなどに記憶しておき，基板処理装置１００の異常による稼働停止時には，それ以前の各ウエハＷについての終点時間の平均値を，救済処理を実行するウエハＷの終点時間とし，その終点時間に基づいて終了工程の残り時間Ｔ_ＥＲを算出するようにしてもよい。

なお，上記終了工程に先立って実行される安定工程についても，上記エッチング工程に先立って実行される安定工程と同様に，ウエハＷの処理工程（プロセス・レシピ）に予め設定された安定工程Ｔ_Ｓを実行してもよいが，ウエハＷの処理工程（プロセス・レシピ）に別途設定されたウエハ救済処理時における安定工程Ｔ_Ｓ′を実行するようにしてもよい。この場合，例えば下部電極などへ印加する高周波電圧は，段階的に印加していくように設定してもよい。

こうして，上述したような一連の処理室１４０内のウエハ救済処理が終了すると，図５に示すメインルーチンの処理に戻る。すなわち，図５に示すステップＳ１５０にて搬送中のウエハＷがすべて回収されたか否かを判断する。すなわち，ステップＳ２００〜ステップＳ５００までの各ウエハ救済処理により処理されたウエハＷが搬送元のカセット容器１３２へ搬送されて，すべてのウエハが回収されたか否かを判断する。ステップＳ１５０にて未だすべてのウエハＷが回収されていないと判断した場合は，ステップＳ１１０の処理に戻り，すべてのウエハＷが回収されたと判断した場合は，次の装置内状態復旧処理（ステップＳ１６０，ステップＳ１７０）の処理に移る。

（装置内状態復旧処理）
図５に示す復旧処理では，装置内状態復旧処理として例えばステップＳ１６０にて基板処理装置１００の各室内のクリーニング処理を実行する。すなわち，例えば搬送ユニット１２０内，共通搬送室１５０内，ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎ内，各処理室１４０Ａ〜１４０Ｆ内などの各室に対してクリーニング処理を実行する。各室に対するクリーニング処理としては上述したように例えばパージガス（例えばＮ_２ガス）を流したまま，真空引きと大気開放を所定回数繰返す処理（例えばＮＰＰＣ：Non-Plasma Particle Cleaning）を行う。これら各室内のパーティクルを除去して，各室内をウエハ処理が可能な状態に整えるためである。なお，クリーニング処理としては，上記のような処理に限られるものではなく，基板処理装置によって自動的に行われる公知のクリーニング処理を適用してもよい。

続いて，ステップＳ１７０にて上記各室内のパーティクル測定処理を行う。例えばカセット容器１３２Ｃにパーティクル測定用ウエハが収納されているとすれば，そのパーティクル測定用ウエハをカセット容器１３２Ｃから取出していったん各室へ搬入し，その後パーティクル測定室１３４へ戻し，パーティクル測定室１３４内にてそのパーティクル測定用ウエハ上に付着したパーティクル量を測定する。そして，各室のパーティクル量の測定結果を例えばログなどに記憶する。このログは例えば制御部２００の記憶手段２９０やメモリなどに記憶してもよい。

上記各室内のパーティクル測定処理が終了すると，カセット容器１３２に回収された未処理ウエハに対する再処理を行う。具体的にはステップＳ１８０にてカセット容器１３２に回収されたウエハＷの中に未処理ウエハが残留するかを判断する。具体的には例えば，図３に示すようなウエハ収容情報２９２によりカセット容器１３２に回収されたウエハＷの中に未処理ウエハが残留するかを判断する。例えば図３に示すウエハ収容情報２９２によれば，ウエハＩＤ１３２Ａ−２３のウエハＷは，復旧処理が「有」であって，かつウエハ処理状況が「未処理」であるため，このウエハＷは復旧処理にかかるウエハＷであって，未処理段階にあるものと判断できる。

上記ステップＳ１８０にて未処理ウエハが残留すると判断した場合は，ステップＳ１９０にて未処理ウエハの再処理を行う（未処理ウエハの再処理工程）。ここでは，未処理ウエハに対して，そのウエハＷのウエハ処理情報（プロセス・レシピ）に基づいて，ウエハ処理を最初から実行する。このように，未処理ウエハＷの再処理は，いったんカセット容器１３２に回収されて，基板処理装置１００の各室がクリーニング処理された後に行うようにしたので，未処理ウエハＷの処理を基板処理装置１００の復旧前と同様に行うことができる。このような未処理ウエハの再処理が終了すると，一連の復旧処理を終了する。

なお，上記実施形態では，基板処理装置１００の各室についての装置内状態復旧処理例えば各室のクリーニング処理を，すべての室の基板回収処理が終了した後に一度に行う場合を例に挙げて説明したが，必ずしもこれに限定されるものではなく，各室ごとに基板回収処理と装置内状態復旧処理を行うようにしてもよい。例えば処理ユニット１１０内のクリーニング処理は処理ユニット１１０内のウエハ回収処理の直後に実行し，共通搬送室１５０内のクリーニング処理は共通搬送室１５０内のウエハ回収処理の直後に実行するようにしてもよい。また，処理室１４０内のクリーニング処理は，ウエハＷが残留したまま行うようにしてもよい。これにより，処理室１４０内で処理が中断されたときに浮遊してウエハＷ上に落下したパーティクルについても，処理室１４０内のクリーニングと同時に除去することができる。

また，上記実施形態にかかる復旧処理は，異常解消後の電源投入により自動的に実行されるようにしてもよく，また例えば制御部２００の表示手段２５０に復旧処理を実行するか否かの選択画面を表示させ，オペレータによる入出力手段２６０の操作で復旧処理を選択して実行できるようにしてもよい。また，復旧処理は，全部のみならず，一部を選択して実行できるようにしてもよい。例えば基板回収処理又は装置内復旧処理のいずれかを選択して実行できるようにしてもよく，基板回収処理の中でも，搬送ユニット内のウエハ救済処理（ステップＳ２００），ロードロック室内のウエハ救済処理（ステップＳ３００），共通搬送室内のウエハ救済処理（ステップＳ４００），処理室内のウエハ救済処理（ステップＳ５００）をそれぞれ選択して実行できるようにしてもよい。

本実施形態にかかる基板処理装置１００によれば，基板処理装置１００の稼働中に異常が発生したことにより稼働が停止された際，その異常解消後に基板処理装置１００の状態を復旧させる復旧処理として，基板処理装置の各室内に残留しているウエハＷに対して稼働停止時までに実行された処理の段階に応じた救済処理を行ってウエハＷをカセット容器１３２へ自動的に回収させるとともに（基板回収工程），基板処理装置１００の各室内のクリーニング処理などを自動的に行うことによって各室内の状態を復旧させる（装置内状態復旧工程）ことにより，基板処理装置１００の状態を復旧させる処理を自動で行うことができる。これにより，基板処理装置１００の復旧処理の時間と手間を省くことができる。また，基板処理装置１００の異常発生により稼働が停止した際にウエハＷの処理段階に応じて的確な救済処理を行うことによって，できる限り多くのウエハＷを救済することができる。

なお，上記実施形態における復旧処理は，パーティクル測定室１３４を備えた基板処理装置１００について説明したが，パーティクル測定室１３４を備えていない基板処理装置に適用してもよい。この場合は，パーティクル測定室１３４におけるウエハＷ及び各室のパーティクル測定を省略してもよい。例えば図５に示すステップＳ１７０，図６に示すステップＳ２１０〜Ｓ２３０，図７に示すステップＳ３２０〜３４０，図８に示すステップＳ４４０〜Ｓ４６０，図１０に示すステップＳ５６０〜Ｓ５８０についてはそれぞれ省略してもよい。

また，上記実施形態により詳述した本発明については，複数の機器から構成されるシステムに適用しても，１つの機器からなる装置に適用してもよい。上述した実施形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムを記憶した記憶媒体等の媒体をシステム或いは装置に供給し，そのシステム或いは装置のコンピュータ（またはＣＰＵやＭＰＵ）が記憶媒体等の媒体に格納されたプログラムを読み出して実行することによっても，本発明が達成されることは言うまでもない。

この場合，記憶媒体等の媒体から読み出されたプログラム自体が上述した実施形態の機能を実現することになり，そのプログラムを記憶した記憶媒体等の媒体は本発明を構成することになる。プログラムを供給するための記憶媒体等の媒体としては，例えば，フロッピー（登録商標）ディスク，ハードディスク，光ディスク，光磁気ディスク，ＣＤ−ＲＯＭ，ＣＤ−Ｒ，ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷ，磁気テープ，不揮発性のメモリカード，ＲＯＭ，或いはネットワークを介したダウンロードなどを用いることができる。

なお，コンピュータが読み出したプログラムを実行することにより，上述した実施形態の機能が実現されるだけでなく，そのプログラムの指示に基づき，コンピュータ上で稼動しているＯＳなどが実際の処理の一部または全部を行い，その処理によって上述した実施形態の機能が実現される場合も，本発明に含まれる。

さらに，記憶媒体等の媒体から読み出されたプログラムが，コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後，そのプログラムの指示に基づき，その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵなどが実際の処理の一部または全部を行い，その処理によって上述した実施形態の機能が実現される場合も，本発明に含まれる。

以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

例えば上記実施形態では，処理ユニットを共通搬送室の周りに複数の処理室を接続した所謂クラスタツール型の基板処理装置を例に挙げて説明したが，例えば処理ユニットを処理室にロードロック室を接続し，搬送ユニットに複数の処理ユニットを並列に接続した所謂タンデム型の基板処理装置など他，基板処理装置の異常発生によって稼働が停止する様々なタイプの基板処理装置に本発明を適用可能である。

本発明は，被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理装置が異常発生によって稼働が停止した際における基板処理装置の復旧処理方法，基板処理装置，プログラムに適用可能である。

本発明の実施形態にかかる基板処理装置の構成を示す断面図である。 図１に示す制御部の構成例を示すブロック図である。 図２に示すウエハ収容情報の具体例を示す図である。 図２に示すウエハ処理履歴情報の具体例を示す図である。 同実施形態にかかる復旧処理の具体例を示すフローチャートである。 図５に示す搬送ユニット内のウエハ救済処理の具体例を示すフローチャートである。 図５に示すロードロック室内のウエハ救済処理の具体例を示すフローチャートである。 図５に示す共通搬送室内のウエハ救済処理の具体例を示すフローチャートである。 図８に示す処理未完了ウエハに対する処理の具体例を示すフローチャートである。 図５に示す処理室内のウエハ救済処理の具体例を示すフローチャートである。 図１０に示す処理途中ウエハに対する処理の具体例を示すフローチャートである。 ウエハの処理工程を示す図であって，同図（ａ）は処理室内の安定工程途中で基板処理装置の稼働が停止した場合を示す図であり，同図（ｂ）は処理室内の安定工程途中で基板処理装置の稼働が停止した場合のウエハＷの残処理を示す図である。 ウエハの処理工程を示す図であって，同図（ａ）は処理室内のエッチング工程途中で基板処理装置の稼働が停止した場合を示す図であり，同図（ｂ）は処理室内のエッチング工程途中で基板処理装置の稼働が停止した場合のウエハＷの残処理を示す図である。 ウエハの処理工程を示す図であって，同図（ａ）は処理室内の終了工程途中で基板処理装置の稼働が停止した場合を示す図であり，同図（ｂ）は処理室内の終了工程途中で基板処理装置の稼働が停止した場合のウエハＷの残処理を示す図である。

符号の説明

１００ 基板処理装置
１１０ 処理ユニット
１２０ 搬送ユニット
１３０ 搬送室
１３１（１３１Ａ〜１３１Ｃ） カセット台
１３２（１３２Ａ〜１３２Ｃ） カセット容器
１３３（１３３Ａ〜１３３Ｃ） ゲートバルブ
１３４ パーティクル測定室
１３５ 載置台
１３５ａ ウエハセンサ
１３６ オリエンタ
１３８ 回転載置台
１３８ａ ウエハセンサ
１３９ 光学センサ
１４０（１４０Ａ〜１４０Ｆ） 処理室
１４２（１４２Ａ〜１４２Ｆ） 載置台
１４４（１４４Ａ〜１４４Ｆ） ゲートバルブ
１５０ 共通搬送室
１６４Ｍ，１６４Ｎ 受渡台
１６５Ｍ，１６５Ｎ ウエハセンサ
１７０ 搬送ユニット側搬送機構
１７２ 基台
１７３ａ，１７３ｂ ウエハセンサ
１７３Ａ，１７３Ｂ ピック
１７４ 案内レール
１７６ リニアモータ駆動機構
１８０ 処理ユニット側搬送機構
１８２ 基台
１８３ａ，１８３ｂ ウエハセンサ
１８３Ａ，１８３Ｂ ピック
１８４ 案内レール
１８６ アーム機構
１８８（１８８Ａ〜１８８Ｆ） ウエハセンサ
１８９ 位置センサ
２００ 制御部
２１０ ＣＰＵ
２２０ ＲＯＭ
２３０ ＲＡＭ
２４０ 計時手段
２５０ 表示手段
２６０ 入出力手段
２７０ 報知手段
２８０ 各種コントローラ
２９０ 記憶手段
２９２ ウエハ収容情報
２９４ ウエハ処理履歴情報

Claims (31)

1. 基板収納容器から搬送された被処理基板を処理する処理室を少なくとも含む複数の室からなる基板処理装置においてその基板処理装置の稼働中に異常が発生したことにより稼働が停止された際，その異常解消後に前記基板処理装置の状態を復旧させる基板処理装置の復旧処理方法であって，
   前記基板処理装置の各室内に残留している前記被処理基板に対して前記稼働停止時までに実行された処理の段階に応じた基板救済処理を行って前記被処理基板を前記基板収納容器へ回収させる基板回収工程と，
   前記基板処理装置の各室内の状態を復旧させる装置内状態復旧工程と，
   を有することを特徴とする基板処理装置の復旧処理方法。
2. 前記基板救済処理は，
   前記基板処理装置内に残留している前記被処理基板を検出する基板検出工程と，
   前記基板検出工程により検出された被処理基板について，前記稼働停止時までに実行された処理の段階を検出する処理段階検出工程と，
   前記基板検出工程により検出された被処理基板に対して，前記処理段階検出工程により検出された処理段階に応じた基板救済処理を実行する基板救済工程と，
   を有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置の復旧処理方法。
3. 前記基板救済工程は，前記基板検出工程によって前記処理室内に被処理基板が検出され，前記処理段階検出工程によってその被処理基板の処理段階がその処理室での処理が残っている処理途中段階であると検出された場合には，その処理室内でその被処理基板に対して残りの処理を実行することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置の復旧処理方法。
4. 前記基板処理装置は，その基板処理装置の稼働中に被処理基板の処理履歴情報を記憶する記憶手段を備え，
   前記基板救済工程は，前記基板検出工程によって前記処理室内に被処理基板が検出され，前記処理段階検出工程によってその被処理基板の処理段階がその処理室での処理が残っている処理途中段階であると検出された場合には，前記記憶手段に記憶された被処理基板の処理履歴情報に基づいてその被処理基板の残処理時間を設定し，その残処理時間だけその被処理基板に対して残りの処理を実行することを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置の復旧処理方法。
5. 前記基板処理装置は，前記被処理基板の処理状態を検出して欠陥検査を行う欠陥検査室を備え，
   前記基板救済工程は，前記基板検出工程によって前記処理室内に被処理基板が検出され，前記処理段階検出工程によってその被処理基板の処理段階がその処理室での処理が残っている処理途中段階であると検出された場合には，その被処理基板を前記欠陥検査室へ搬送し，その欠陥検査室において検出された被処理基板の処理状態に基づいてその被処理基板の残処理時間を設定し，その残処理時間だけその被処理基板に対して残りの処理を実行することを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置の復旧処理方法。
6. 前記基板救済工程は，前記基板検出工程によってある処理室から他の処理室へ搬送される途中の被処理基板が検出され，前記処理段階検出工程によってその被処理基板の処理段階が他の処理室での必要な処理が残っている処理未完了段階であると検出された場合には，その被処理基板に対して残りの処理室での処理を実行することを特徴とする請求項２〜５のいずれかに記載の基板処理装置の復旧処理方法。
7. 前記基板救済工程は，前記基板検出工程によってある室内で被処理基板が検出され，前記処理段階検出工程によってその被処理基板の処理段階が未処理段階又は処理完了段階であると検出された場合には，その被処理基板を前記基板収納容器へ回収させることを特徴とする請求項２〜６のいずれかに記載の基板処理装置の復旧処理方法。
8. 前記装置内状態復旧工程は，前記基板処理装置の各室内のクリーニング処理を実行することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理装置の復旧処理方法。
9. 前記基板処理装置の各室は，少なくともパージガスを導入可能なガス導入系と，真空引き及び大気開放による圧力調整が可能な排気系とを備え，
   前記クリーニング処理は，前記基板処理装置の各室内に前記ガス導入系によりパージガスを導入したまま，前記排気系により真空引きと大気開放を所定回数繰返す処理であることを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置の復旧処理方法。
10. さらに，前記基板収納容器に回収された被処理基板が未処理段階であるか否かを検出し，未処理段階であることが検出されると，その被処理基板に再処理を実行する再処理工程を有することを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の基板処理装置の復旧処理方法。
11. 前記基板処理装置は，パーティクル測定室を備え，
    前記基板回収工程は，前記被処理基板を前記基板収納容器に回収させる前に，前記パーティクル測定室に搬送し，このパーティクル測定室にて前記被処理基板上のパーティクル量の測定を行って，その測定結果を前記被処理基板に関連づけて記憶手段に記憶しておくことを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の基板処理装置の復旧処理方法。
12. 被処理基板を処理する複数の処理室を少なくとも含む複数の室からなる処理ユニットと，前記処理ユニットに接続され，前記被処理基板を収納する基板収納容器との間で前記被処理基板の受渡しを行う搬送室を有する搬送ユニットと，前記搬送ユニット内に設けられ，前記処理ユニットに前記被処理基板を搬出入させる搬送ユニット側搬送機構と，前記処理ユニット内に設けられ，前記処理室に前記被処理基板を搬出入させる処理ユニット側搬送機構とを備える基板処理装置においてその基板処理装置の稼働中に異常が発生したことにより稼働が停止された際，その異常解消後に前記基板処理装置の状態を復旧させる基板処理装置の復旧処理方法であって，
    前記基板処理装置の前記処理ユニット内および／または前記搬送ユニット内に残留している前記被処理基板に対して前記稼働停止時までに実行された処理の段階に応じた基板救済処理を行って前記被処理基板を前記処理ユニット側搬送機構および／または前記搬送ユニット側搬送機構によって前記基板収納容器へ回収させる基板回収工程と，
    前記基板処理装置の前記処理ユニット内及び前記搬送ユニット内の状態を復旧させる装置内状態復旧工程と，
    を有することを特徴とする基板処理装置の復旧処理方法。
13. 前記基板回収工程は，
    前記処理ユニット内に残留している被処理基板に対しては，その被処理基板の処理段階がその被処理基板に必要な処理が残っている処理段階か否かを検出し，必要な処理が残っている処理段階の場合は残りの処理を実行して，前記処理ユニット側搬送機構および前記搬送ユニット側搬送機構によって前記基板収納容器へ回収させ，必要な処理が残っている処理段階でない場合は前記処理ユニット側搬送機構および前記搬送ユニット側搬送機構によって前記基板収納容器へ回収させる処理ユニット内基板救済処理を実行し，
    前記搬送ユニット内に残留している被処理基板に対しては，前記搬送ユニット側搬送機構によって前記基板収納容器へ回収させる搬送ユニット内基板救済処理を実行することを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置の復旧処理方法。
14. 前記基板処理装置は，その基板処理装置の稼働中に被処理基板の処理履歴情報を記憶する記憶手段を備え，
    前記処理ユニット内基板救済処理は，前記記憶手段に記憶された被処理基板の処理履歴情報に基づいて，前記処理ユニット内に残留している被処理基板の処理段階がその被処理基板に必要な処理が残っている処理段階か否かを検出し，その検出結果に基づいて残りの処理を実行することを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置の復旧処理方法。
15. 前記基板処理装置は，前記被処理基板の処理状態を検出して欠陥検査を行う欠陥検査室を備え，
    前記処理ユニット内基板救済処理は，前記欠陥検査室において検出された被処理基板の処理状態に基づいて，前記処理ユニット内に残留している被処理基板の処理段階がその被処理基板に必要な処理が残っている処理段階か否かを検出し，その検出結果に基づいて残りの処理を実行することを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置の復旧処理方法。
16. 前記装置内状態復旧工程は，前記基板処理装置の前記処理ユニット内及び前記搬送ユニットの各室内のクリーニング処理を実行することを特徴とする請求項１２〜１５のいずれかに記載の基板処理装置の復旧処理方法。
17. 前記基板処理装置の前記処理ユニットおよび前記搬送ユニットの各室は，少なくともパージガスを導入可能なガス導入系と，真空引き及び大気開放による圧力調整が可能な排気系とを備え，
    前記クリーニング処理は，前記処理ユニットおよび前記搬送ユニットの各室内に前記ガス導入系によりパージガスを導入したまま，前記排気系により真空引きと大気開放を所定回数繰返す処理であることを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置の復旧処理方法。
18. さらに，前記基板収納容器に回収された被処理基板が未処理段階であるか否かを検出し，未処理段階であることが検出されると，その被処理基板に再処理を実行する再処理工程を有することを特徴とする請求項１２〜１７のいずれかに記載の基板処理装置の復旧処理方法。
19. 前記基板処理装置は，パーティクル測定室を備え，
    前記基板回収工程は，前記被処理基板を前記基板収納容器に回収させる前に，前記パーティクル測定室に搬送し，このパーティクル測定室にて前記被処理基板上のパーティクル量の測定を行って，その測定結果を前記被処理基板に関連づけて記憶手段に記憶しておくことを特徴とする請求項１２〜１８のいずれかに記載の基板処理装置の復旧処理方法。
20. 被処理基板を収納する基板収納容器との間で前記被処理基板の受渡しを行う搬送室を有する搬送ユニットと，前記被処理基板を処理する複数の処理室を周囲に接続する共通搬送室及びこの共通搬送室と前記搬送ユニットの搬送室とを接続するロードロック室を有する処理ユニットと，前記搬送ユニットの搬送室内に設けられ，前記ロードロック室に前記被処理基板を搬出入させる搬送ユニット側搬送機構と，前記処理ユニットの共通搬送室内に設けられ，前記ロードロック室と前記各処理室との各室間で前記被処理基板を搬出入させる処理ユニット側搬送機構とを備える基板処理装置においてその基板処理装置の稼働中に異常が発生したことにより稼働が停止された際，その異常解消後に前記基板処理装置の状態を復旧させる基板処理装置の復旧処理方法であって，
    前記基板処理装置の前記処理ユニットおよび／または前記搬送ユニットの各室内に残留している前記被処理基板に対して前記稼働停止時までに実行された処理の段階に応じた基板救済処理を行って前記被処理基板を前記処理ユニット側搬送機構および／または前記搬送ユニット側搬送機構によって前記基板収納容器へ回収させる基板回収工程と，
    前記基板処理装置の各室内の状態を復旧させる装置内状態復旧工程と，
    を有することを特徴とする基板処理装置の復旧処理方法。
21. 前記基板回収工程は，
    前記搬送ユニット内に被処理基板が検出されると，前記基板収納容器へ回収する搬送ユニット内基板救済処理を実行し，
    前記ロードロック室内に被処理基板が検出されると，そのロードロック室内の排気処理を行った上でその被処理基板を基板収納容器へ回収するロードロック室内基板救済処理を実行し，
    前記共通搬送室内に被処理基板が検出されると，その被処理基板の処理段階が処理未完了段階であるかを判断し，処理未完了段階であれば残りの処理室での処理を実行した上で前記基板収納容器へ回収し，処理未完了段階でなければ前記基板収納容器へ回収する共通搬送室内基板救済処理を実行し，
    前記処理室内に被処理基板が検出されると，その被処理基板の処理段階が処理途中段階であるかを判断し，処理途中段階であればその処理室での残りの処理を実行した上で前記基板収納容器へ回収し，処理途中段階でなければ前記基板収納容器へ回収する処理室内基板救済処理を実行することを特徴とする請求項２０に記載の基板処理装置の復旧処理方法。
22. 前記基板処理装置は，その基板処理装置の稼働中に被処理基板の処理履歴情報を記憶する記憶手段を備え，
    前記処理室内基板救済処理は，前記処理室内の被処理基板の処理段階が処理途中段階であると判断した場合には，前記記憶手段に記憶された被処理基板の処理履歴情報に基づいてその被処理基板の残処理時間を設定し，その残処理時間だけその被処理基板に対して残りの処理を実行することを特徴とする請求項２１に記載の基板処理装置の復旧処理方法。
23. 前記基板処理装置は，前記被処理基板の処理状態を検出して欠陥検査を行う欠陥検査室を備え，
    前記処理室内基板救済処理は，前記処理室内の被処理基板の処理段階が処理途中段階であると判断した場合には，その被処理基板を前記欠陥検査室へ搬送し，その欠陥検査室において検出された被処理基板の処理状態に基づいてその被処理基板の残処理時間を設定し，その残処理時間だけその被処理基板に対して残りの処理を実行することを特徴とする請求項２１に記載の基板処理装置の復旧処理方法。
24. 前記装置内状態復旧工程は，前記基板処理装置の前記処理ユニット内及び前記搬送ユニットの各室内のクリーニング処理を実行することを特徴とする請求項２０〜２３のいずれかに記載の基板処理装置の復旧処理方法。
25. 前記基板処理装置の前記処理ユニットおよび前記搬送ユニットの各室は，少なくともパージガスを導入可能なガス導入系と，真空引き及び大気開放による圧力調整が可能な排気系とを備え，
    前記クリーニング処理は，前記処理ユニットおよび前記搬送ユニットの各室内に前記ガス導入系によりパージガスを導入したまま，前記排気系により真空引きと大気開放を所定回数繰返す処理であることを特徴とする請求項２４に記載の基板処理装置の復旧処理方法。
26. さらに，前記基板収納容器に回収された被処理基板が未処理段階であるか否かを検出し，未処理段階であることが検出されると，その被処理基板に再処理を実行する再処理工程を有することを特徴とする請求項２０〜２５のいずれかに記載の基板処理装置の復旧処理方法。
27. 前記基板処理装置は，パーティクル測定室を備え，
    前記基板回収工程は，前記被処理基板を前記基板収納容器に回収させる前に，前記パーティクル測定室に搬送し，このパーティクル測定室にて前記被処理基板上のパーティクル量の測定を行って，その測定結果を前記被処理基板に関連づけて記憶手段に記憶しておくことを特徴とする請求項２０〜２６のいずれかに記載の基板処理装置の復旧処理方法。
28. 被処理基板を処理する基板処理装置であって，
    前記被処理基板を処理する複数の処理室を少なくとも含む複数の室からなる処理ユニットと，
    前記処理ユニットに接続され，前記被処理基板を収納する基板収納容器との間で前記被処理基板の受渡しを行う搬送室を有する搬送ユニットと，
    前記搬送ユニット内に設けられ，前記処理ユニットに前記被処理基板を搬出入させる搬送ユニット側搬送機構と，
    前記処理ユニット内に設けられ，前記処理室に前記被処理基板を搬出入させる処理ユニット側搬送機構と，
    前記基板処理装置の稼働中に異常が発生したことにより稼働が停止された際，その異常解消後に前記基板処理装置の状態を復旧させる制御手段とを備え，
    前記制御手段は，前記基板処理装置の前記処理ユニット内および／または前記搬送ユニット内に残留している前記被処理基板に対して前記稼働停止時までに実行された処理の段階に応じた基板救済処理を行って前記被処理基板を前記処理ユニット側搬送機構および／または前記搬送ユニット側搬送機構によって前記基板収納容器へ回収させる基板回収手段と，前記基板処理装置の前記処理ユニット内及び前記搬送ユニット内の状態を復旧させる装置内状態復旧手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。
29. 被処理基板を処理する基板処理装置であって，
    前記被処理基板を収納する基板収納容器との間で前記被処理基板の受渡しを行う搬送室を有する搬送ユニットと，
    前記被処理基板を処理する複数の処理室を周囲に接続する共通搬送室及びこの共通搬送室と前記搬送ユニットの搬送室とを接続するロードロック室を有する処理ユニットと，
    前記搬送ユニットの搬送室内に設けられ，前記ロードロック室に前記被処理基板を搬出入させる搬送ユニット側搬送機構と，
    前記処理ユニットの共通搬送室内に設けられ，前記ロードロック室と前記各処理室との各室間で前記被処理基板を搬出入させる処理ユニット側搬送機構と，
    前記基板処理装置の稼働中に異常が発生したことにより稼働が停止された際，その異常解消後に前記基板処理装置の状態を復旧させる制御手段とを備え，
    前記制御手段は，前記基板処理装置の前記処理ユニットおよび／または前記搬送ユニットの各室内に残留している前記被処理基板に対して前記稼働停止時までに実行された処理の段階に応じた基板救済処理を行って前記被処理基板を前記処理ユニット側搬送機構および／または前記搬送ユニット側搬送機構によって前記基板収納容器へ回収させる基板回収手段と，前記基板処理装置の各室内の状態を復旧させる装置内状態復旧手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。
30. 基板収納容器から搬送された被処理基板を処理する処理室を少なくとも含む複数の室からなる基板処理装置においてその基板処理装置の稼働中に異常が発生したことにより稼働が停止された際，その異常解消後に前記基板処理装置の状態を復旧させる基板処理装置の復旧処理を行うプログラムであって，
    コンピュータに，
    前記基板処理装置の各室内に残留している前記被処理基板に対して前記稼働停止時までに実行された処理の段階に応じた基板救済処理を行って前記被処理基板を前記基板収納容器へ回収させる基板回収処理と，
    前記基板処理装置の各室内の状態を復旧させる装置内状態復旧処理と，
    を実行させるためのプログラム。
31. 前記基板救済処理は，
    前記基板処理装置内に残留している前記被処理基板を検出する基板検出処理と，
    前記基板検出処理により検出された被処理基板について，前記稼働停止時までに実行された処理の段階を検出する処理段階検出処理と，
    前記基板検出処理により検出された被処理基板に対して，前記処理段階検出処理により検出された処理段階に応じた基板救済処理を実行する基板救済処理と，
    を有することを特徴とする請求項３０に記載のプログラム。
    

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