JPH1116986A - 被処理体の回収方法 - Google Patents
被処理体の回収方法Info
- Publication number
- JPH1116986A JPH1116986A JP9181731A JP18173197A JPH1116986A JP H1116986 A JPH1116986 A JP H1116986A JP 9181731 A JP9181731 A JP 9181731A JP 18173197 A JP18173197 A JP 18173197A JP H1116986 A JPH1116986 A JP H1116986A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- chamber
- cassette
- post
- processing chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/137—Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/139—Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理中に停止した処理装置を再び始動させた
際に，被処理体を所望の状態でカセット内に回収するこ
とが可能な被処理体の回収方法を提供する。 【解決手段】 処理装置１００の共通移載室１０２に
は，エッチング装置１０４の処理室１０４ａと，第１及
び第２ＣＶＤ装置１０６，１０８の各処理室１０６ａ，
１０６ｂと，冷却装置１１０の冷却室（後処理室）１１
０ａと，第１及び第２カセット室１１２，１１４とが接
続される。共通移載室１０２内には，搬送アーム１１８
と位置決め装置１２０とが配置される。処理中に停止し
た処理装置を再び始動させると，各ウェハＷの出所デー
タと行先データとを記憶している演算記憶装置の制御に
より，各ウェハＷが順次カセット１１６内に回収され
る。この際，成膜処理により非常に高温となっているウ
ェハＷは，冷却処理（後処理）された後，それ以外のウ
ェハＷはそのままカセット１１６内に順次回収される。
際に，被処理体を所望の状態でカセット内に回収するこ
とが可能な被処理体の回収方法を提供する。 【解決手段】 処理装置１００の共通移載室１０２に
は，エッチング装置１０４の処理室１０４ａと，第１及
び第２ＣＶＤ装置１０６，１０８の各処理室１０６ａ，
１０６ｂと，冷却装置１１０の冷却室（後処理室）１１
０ａと，第１及び第２カセット室１１２，１１４とが接
続される。共通移載室１０２内には，搬送アーム１１８
と位置決め装置１２０とが配置される。処理中に停止し
た処理装置を再び始動させると，各ウェハＷの出所デー
タと行先データとを記憶している演算記憶装置の制御に
より，各ウェハＷが順次カセット１１６内に回収され
る。この際，成膜処理により非常に高温となっているウ
ェハＷは，冷却処理（後処理）された後，それ以外のウ
ェハＷはそのままカセット１１６内に順次回収される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，被処理体の回収方
法に関する。
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より，半導体製造工程においては，
共通移載室を中心として，その周囲に各種処理室やカセ
ット室が接続された，いわゆるクラスタ装置化されたマ
ルチチャンバ方式の処理装置が使用されている。かかる
処理装置においては，まず共通移載室内に備えられた搬
送装置，例えば搬送アームにより，カセット室内に収容
されたカセット内の被処理体を共通移載室内に搬送す
る。次いで，共通移載室内に備えられた位置決め装置に
よって被処理体の位置決めを行った後，搬送アームによ
りその被処理体を所定の処理室内に搬送する。次いで，
処理室内に搬送された被処理体に対して所定の処理，例
えばエッチング処理を施す。さらに，搬送アームによ
り，その被処理体を共通移載室内を介して他の処理室内
に搬送し，その被処理体に対して所定の処理，例えば成
膜処理を施す。次いで，搬送アームにより，処理が施さ
れた被処理体を処理室内から共通移載室内を介して後処
理室内，例えば冷却室内に搬送し，その被処理体に対し
て冷却処理（後処理）を施す。次いで，搬送アームの作
動により，後処理が施された被処理体を後処理室内から
共通移載室内を介して，再びカセット室内のカセット内
に戻す構成となっている。
共通移載室を中心として，その周囲に各種処理室やカセ
ット室が接続された，いわゆるクラスタ装置化されたマ
ルチチャンバ方式の処理装置が使用されている。かかる
処理装置においては，まず共通移載室内に備えられた搬
送装置，例えば搬送アームにより，カセット室内に収容
されたカセット内の被処理体を共通移載室内に搬送す
る。次いで，共通移載室内に備えられた位置決め装置に
よって被処理体の位置決めを行った後，搬送アームによ
りその被処理体を所定の処理室内に搬送する。次いで，
処理室内に搬送された被処理体に対して所定の処理，例
えばエッチング処理を施す。さらに，搬送アームによ
り，その被処理体を共通移載室内を介して他の処理室内
に搬送し，その被処理体に対して所定の処理，例えば成
膜処理を施す。次いで，搬送アームにより，処理が施さ
れた被処理体を処理室内から共通移載室内を介して後処
理室内，例えば冷却室内に搬送し，その被処理体に対し
て冷却処理（後処理）を施す。次いで，搬送アームの作
動により，後処理が施された被処理体を後処理室内から
共通移載室内を介して，再びカセット室内のカセット内
に戻す構成となっている。
【０００３】ところで，被処理体の処理中に，何らかの
原因，例えば停電や強制的停止等によってその処理が停
止した又は停止された場合，カセット室内のカセット内
に収容されている被処理体を除いて，処理装置内の被処
理体のカセット内への回収が問題となる。すなわち，上
述した何らかの原因が解消した際に，例えばＣＶＤ装置
により成膜処理が施された直後の被処理体を，通常の冷
却処理（後処理）せずに，そのままカセット内に回収し
た場合には，その成膜処理によって被処理体に生じた熱
により，カセットが変形したり，溶けてしまうことがあ
る。そこで，当該装置において，上述のような処理の停
止の後，再び該装置を始動させる場合には，例えば操作
者の操作により，処理中や搬送中の被処理体を１枚ずつ
カセット内に回収していた。
原因，例えば停電や強制的停止等によってその処理が停
止した又は停止された場合，カセット室内のカセット内
に収容されている被処理体を除いて，処理装置内の被処
理体のカセット内への回収が問題となる。すなわち，上
述した何らかの原因が解消した際に，例えばＣＶＤ装置
により成膜処理が施された直後の被処理体を，通常の冷
却処理（後処理）せずに，そのままカセット内に回収し
た場合には，その成膜処理によって被処理体に生じた熱
により，カセットが変形したり，溶けてしまうことがあ
る。そこで，当該装置において，上述のような処理の停
止の後，再び該装置を始動させる場合には，例えば操作
者の操作により，処理中や搬送中の被処理体を１枚ずつ
カセット内に回収していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上述の
如く操作者が装置内の被処理体（カセット内に収容され
ているものを除く。）の回収を行う場合，その操作者が
例えば搬送アーム上の被処理体に対してどのような処理
が施されていたのか，または処理が施されていなかった
のかなどという，各被処理体の各処理履歴全てを把握す
ることは非常に困難である場合が多い。従って，例えば
ＣＶＤ装置が上記処理装置に含まれている場合におい
て，操作者が被処理体の処理履歴を把握することができ
ない場合には，その成膜処理によって生じた熱の影響を
勘案し，すなわち被処理体が冷却する時間を勘案して，
被処理体の回収操作をする必要が生じるため，被処理体
の回収を遅らせる原因となっていた。
如く操作者が装置内の被処理体（カセット内に収容され
ているものを除く。）の回収を行う場合，その操作者が
例えば搬送アーム上の被処理体に対してどのような処理
が施されていたのか，または処理が施されていなかった
のかなどという，各被処理体の各処理履歴全てを把握す
ることは非常に困難である場合が多い。従って，例えば
ＣＶＤ装置が上記処理装置に含まれている場合におい
て，操作者が被処理体の処理履歴を把握することができ
ない場合には，その成膜処理によって生じた熱の影響を
勘案し，すなわち被処理体が冷却する時間を勘案して，
被処理体の回収操作をする必要が生じるため，被処理体
の回収を遅らせる原因となっていた。
【０００５】また，仮に操作者が各被処理体の各処理履
歴を把握できた場合でも，例えば処理室内や，後処理室
内や，位置決め装置上や，搬送アーム上等に存在する各
被処理体をどのようにして，またどのような順序でカセ
ット内へ的確に，かつ迅速に回収するかは，非常に難し
い問題であり，熟練した操作者の経験や勘に頼る部分が
大きかった。
歴を把握できた場合でも，例えば処理室内や，後処理室
内や，位置決め装置上や，搬送アーム上等に存在する各
被処理体をどのようにして，またどのような順序でカセ
ット内へ的確に，かつ迅速に回収するかは，非常に難し
い問題であり，熟練した操作者の経験や勘に頼る部分が
大きかった。
【０００６】本発明は，従来の被処理体の回収方法が有
する上記のような問題点に鑑みてなされたものであり，
処理装置の停止後，再び始動させた際に，該装置の操作
者の操作を一切必要とすることなく，処理室内や搬送ア
ーム上等に存在する被処理体を，的確かつ迅速にカセッ
ト内に回収することが可能な，新規かつ改良された被処
理体の回収方法を提供することを目的としている。
する上記のような問題点に鑑みてなされたものであり，
処理装置の停止後，再び始動させた際に，該装置の操作
者の操作を一切必要とすることなく，処理室内や搬送ア
ーム上等に存在する被処理体を，的確かつ迅速にカセッ
ト内に回収することが可能な，新規かつ改良された被処
理体の回収方法を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は，被処理体に対
して所定の処理を実施する少なくとも１つの処理室と，
処理後に必要な後処理を実施する少なくとも１つの後処
理室と，少なくとも１つのカセット室と，処理室と後処
理室とカセット室とをゲートバルブを介して連通すると
共に，少なくとも１つの被処理体の位置決め装置と少な
くとも１つの被処理体の搬送装置とを備えた共通移載室
と，を備えたマルチチャンバ式処理装置に適用されるも
のである。そして，請求項１に記載の発明は，処理中に
停止した処理装置内の被処理体を回収するにあたり，搬
送装置が被処理体を保持している場合には，処理装置の
停止前に記憶された被処理体の出所データを確認する工
程と，出所データがカセット室又は位置決め装置である
場合には，被処理体をカセット室に回収する工程と，か
ら成ることを特徴としている。なお，本明細書中におい
て，出所データとは，被処理体が例えばカセット室や，
位置決め装置や，処理室や，後処理室等のどこから搬送
されてきたのかという情報をいうものとする。
して所定の処理を実施する少なくとも１つの処理室と，
処理後に必要な後処理を実施する少なくとも１つの後処
理室と，少なくとも１つのカセット室と，処理室と後処
理室とカセット室とをゲートバルブを介して連通すると
共に，少なくとも１つの被処理体の位置決め装置と少な
くとも１つの被処理体の搬送装置とを備えた共通移載室
と，を備えたマルチチャンバ式処理装置に適用されるも
のである。そして，請求項１に記載の発明は，処理中に
停止した処理装置内の被処理体を回収するにあたり，搬
送装置が被処理体を保持している場合には，処理装置の
停止前に記憶された被処理体の出所データを確認する工
程と，出所データがカセット室又は位置決め装置である
場合には，被処理体をカセット室に回収する工程と，か
ら成ることを特徴としている。なお，本明細書中におい
て，出所データとは，被処理体が例えばカセット室や，
位置決め装置や，処理室や，後処理室等のどこから搬送
されてきたのかという情報をいうものとする。
【０００８】また，請求項２に記載の発明は，処理室と
後処理室には，回収作業の際に処理室内又は後処理室内
に存在する被処理体の搬送先が規定されていることを特
徴としている。
後処理室には，回収作業の際に処理室内又は後処理室内
に存在する被処理体の搬送先が規定されていることを特
徴としている。
【０００９】さらに，請求項３に記載の発明は，搬送先
がカセット室と規定されている処理室を出所データとし
てもつ被処理体は，カセット室に回収されることを特徴
としている。
がカセット室と規定されている処理室を出所データとし
てもつ被処理体は，カセット室に回収されることを特徴
としている。
【００１０】さらにまた，請求項４に記載の発明は，さ
らに，処理室内と後処理室内との被処理体の存在の有無
を確認する工程と，後処理室内に被処理体が存在する場
合には，後処理室内の被処理体に対して後処理を施した
後，被処理体の搬送先情報に従い，被処理体を後処理室
内からカセット室に搬送する工程と，搬送先が後処理室
と規定されている処理室内に被処理体が存在する場合に
は，被処理体を処理室内から後処理室内に搬送し，被処
理体に対して後処理を施した後，被処理体を後処理室内
からカセット室に搬送する工程と，搬送先がカセット室
と規定されている処理室内に被処理体が存在する場合に
は，被処理体を処理室内からカセット室に搬送する工程
と，から成ることを特徴としている。
らに，処理室内と後処理室内との被処理体の存在の有無
を確認する工程と，後処理室内に被処理体が存在する場
合には，後処理室内の被処理体に対して後処理を施した
後，被処理体の搬送先情報に従い，被処理体を後処理室
内からカセット室に搬送する工程と，搬送先が後処理室
と規定されている処理室内に被処理体が存在する場合に
は，被処理体を処理室内から後処理室内に搬送し，被処
理体に対して後処理を施した後，被処理体を後処理室内
からカセット室に搬送する工程と，搬送先がカセット室
と規定されている処理室内に被処理体が存在する場合に
は，被処理体を処理室内からカセット室に搬送する工程
と，から成ることを特徴としている。
【００１１】また，請求項５に記載の発明は，上述した
マルチチャンバ式処理装置において，処理中に停止した
処理装置内の被処理体を回収するにあたり，搬送装置が
被処理体を保持している場合には，処理装置の停止前に
記憶された被処理体の行先データを確認する工程と，行
先データがカセット室又は位置決め装置である場合に
は，被処理体をカセット室に回収する工程と，から成る
ことを特徴としている。なお，本明細書中において，行
先データとは，被処理体が例えば位置決め装置や，処理
室や，後処理室や，カセット室等のどこへ搬送されるの
かという情報をいうものとする。
マルチチャンバ式処理装置において，処理中に停止した
処理装置内の被処理体を回収するにあたり，搬送装置が
被処理体を保持している場合には，処理装置の停止前に
記憶された被処理体の行先データを確認する工程と，行
先データがカセット室又は位置決め装置である場合に
は，被処理体をカセット室に回収する工程と，から成る
ことを特徴としている。なお，本明細書中において，行
先データとは，被処理体が例えば位置決め装置や，処理
室や，後処理室や，カセット室等のどこへ搬送されるの
かという情報をいうものとする。
【００１２】さらに，請求項６に記載の発明は，さら
に，処理室内と後処理室内との被処理体の存在の有無を
確認する工程と，後処理室内に被処理体が存在する場合
には，後処理室内の被処理体に対して後処理を施した
後，被処理体の搬送先情報に従い，被処理体を後処理室
内からカセット室に搬送する工程と，搬送先が後処理室
と規定されている処理室内に被処理体が存在する場合に
は，被処理体を処理室内から後処理室内に搬送し，被処
理体に対して後処理を施した後，被処理体を後処理室内
からカセット室に搬送する工程と，搬送先がカセット室
と規定されている処理室内に被処理体が存在する場合に
は，被処理体を処理室内からカセット室に搬送する工程
と，から成ることを特徴としている。
に，処理室内と後処理室内との被処理体の存在の有無を
確認する工程と，後処理室内に被処理体が存在する場合
には，後処理室内の被処理体に対して後処理を施した
後，被処理体の搬送先情報に従い，被処理体を後処理室
内からカセット室に搬送する工程と，搬送先が後処理室
と規定されている処理室内に被処理体が存在する場合に
は，被処理体を処理室内から後処理室内に搬送し，被処
理体に対して後処理を施した後，被処理体を後処理室内
からカセット室に搬送する工程と，搬送先がカセット室
と規定されている処理室内に被処理体が存在する場合に
は，被処理体を処理室内からカセット室に搬送する工程
と，から成ることを特徴としている。
【００１３】また，請求項７に記載の発明は，上述した
マルチチャンバ式処理装置において，処理中に停止した
処理装置内の被処理体を回収するにあたり，搬送装置が
被処理体を保持していない場合には，処理室内と後処理
室内との被処理体の存在の有無を確認する工程と，後処
理室内に被処理体が存在する場合には，後処理室内の被
処理体に対して後処理を施した後，被処理体の搬送先情
報に従い，被処理体を後処理室内からカセット室に搬送
する工程と，搬送先が後処理室と規定されている処理室
内に被処理体が存在する場合には，被処理体を処理室内
から後処理室内に搬送し，被処理体に対して後処理を施
した後，被処理体を後処理室内からカセット室に搬送す
る工程と，搬送先がカセット室と規定されている処理室
内に被処理体が存在する場合には，被処理体を処理室内
からカセット室に搬送する工程と，から成ることを特徴
としている。
マルチチャンバ式処理装置において，処理中に停止した
処理装置内の被処理体を回収するにあたり，搬送装置が
被処理体を保持していない場合には，処理室内と後処理
室内との被処理体の存在の有無を確認する工程と，後処
理室内に被処理体が存在する場合には，後処理室内の被
処理体に対して後処理を施した後，被処理体の搬送先情
報に従い，被処理体を後処理室内からカセット室に搬送
する工程と，搬送先が後処理室と規定されている処理室
内に被処理体が存在する場合には，被処理体を処理室内
から後処理室内に搬送し，被処理体に対して後処理を施
した後，被処理体を後処理室内からカセット室に搬送す
る工程と，搬送先がカセット室と規定されている処理室
内に被処理体が存在する場合には，被処理体を処理室内
からカセット室に搬送する工程と，から成ることを特徴
としている。
【００１４】さらに，請求項８に記載の発明は，さら
に，処理装置の停止時から再起動時までの経過時間を確
認する工程と，予め設定された所定時間よりも経過時間
が長い場合には，後処理が必要な被処理体も後処理室内
を介さずにカセット室に回収する工程と，から成ること
を特徴としている。
に，処理装置の停止時から再起動時までの経過時間を確
認する工程と，予め設定された所定時間よりも経過時間
が長い場合には，後処理が必要な被処理体も後処理室内
を介さずにカセット室に回収する工程と，から成ること
を特徴としている。
【００１５】さらにまた，請求項９に記載の発明は，さ
らに，被処理体を処理室から後処理室に搬送する前に，
被処理体を保持していない搬送装置により，後処理室に
処理中の被処理体が存在していないことを確認する工程
から成ることを特徴としている。
らに，被処理体を処理室から後処理室に搬送する前に，
被処理体を保持していない搬送装置により，後処理室に
処理中の被処理体が存在していないことを確認する工程
から成ることを特徴としている。
【００１６】また，請求項１１に記載の発明は，被処理
体は，カセット室のカセットの元スロットに回収される
ことを特徴としている。なお，本明細書において，元ス
ロットとは，回収される被処理体が元々収容されていた
カセット内のスロットをいうものとする。
体は，カセット室のカセットの元スロットに回収される
ことを特徴としている。なお，本明細書において，元ス
ロットとは，回収される被処理体が元々収容されていた
カセット内のスロットをいうものとする。
【００１７】さらに，請求項１２に記載の発明は，被処
理体は，カセット室のカセットの空スロットに回収され
ることを特徴としている。なお，本明細書中において，
空スロットとは，カセット内の上記元スロット以外の被
処理体が収容されていないスロットをいうものとする。
理体は，カセット室のカセットの空スロットに回収され
ることを特徴としている。なお，本明細書中において，
空スロットとは，カセット内の上記元スロット以外の被
処理体が収容されていないスロットをいうものとする。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照しながら，
本発明に係る被処理体の回収方法をクラスタツール化さ
れたマルチチャンバ式処理装置に適用した実施の一形態
について詳細に説明する。図１には，本実施の形態を適
用可能な処理装置１００が図示されている。この処理装
置１００は，被処理体，例えば半導体ウェハ（以下，
「ウェハ」と称する。）Ｗに対して所定の処理を連続的
に施すための装置の集合体で，例えば共通移載室１０２
を中心として，エッチング装置１０４と，第１ＣＶＤ
（成膜）装置１０６と，第２ＣＶＤ装置１０８と，冷却
装置（後処理装置）１１０と，第１カセット室１１２
と，第２カセット室１１４とが，その共通移載室１０２
の周囲に順次配置されている。また，それらエッチング
装置１０４の処理室１０４ａ内と，第１ＣＶＤ装置１０
６の処理室１０６ａ内と，第２ＣＶＤ装置１０８の処理
室１０８ａ内と，冷却装置１１０の冷却室（後処理室）
１１０ａ内と，第１カセット室１１２内と，第２カセッ
ト室１１４内とは，それぞれに対応するゲートバルブＧ
１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５，Ｇ６を介して，各々共通
移載室１０２内に連通するように接続される構成となっ
ている。
本発明に係る被処理体の回収方法をクラスタツール化さ
れたマルチチャンバ式処理装置に適用した実施の一形態
について詳細に説明する。図１には，本実施の形態を適
用可能な処理装置１００が図示されている。この処理装
置１００は，被処理体，例えば半導体ウェハ（以下，
「ウェハ」と称する。）Ｗに対して所定の処理を連続的
に施すための装置の集合体で，例えば共通移載室１０２
を中心として，エッチング装置１０４と，第１ＣＶＤ
（成膜）装置１０６と，第２ＣＶＤ装置１０８と，冷却
装置（後処理装置）１１０と，第１カセット室１１２
と，第２カセット室１１４とが，その共通移載室１０２
の周囲に順次配置されている。また，それらエッチング
装置１０４の処理室１０４ａ内と，第１ＣＶＤ装置１０
６の処理室１０６ａ内と，第２ＣＶＤ装置１０８の処理
室１０８ａ内と，冷却装置１１０の冷却室（後処理室）
１１０ａ内と，第１カセット室１１２内と，第２カセッ
ト室１１４内とは，それぞれに対応するゲートバルブＧ
１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５，Ｇ６を介して，各々共通
移載室１０２内に連通するように接続される構成となっ
ている。
【００１９】また，第１及び第２カセット室１１２，１
１４は，その内部にそれぞれ複数のウェハＷを同時に載
置可能なカセット１１６（１１６ａ，１１６ｂ）を収容
可能なように構成されている。また，カセット１１６
は，その内部に複数のスロットが形成されており，それ
ら各スロット内の各々に１枚ずつ，合計で例えば２５枚
のウェハＷを収容可能なように構成されている。また，
第１及び第２カセット室１１２，１１４のカセット１１
６の搬入出経路側には，それぞれに対応するドアバルブ
Ｄ１，Ｄ２が設けられている。
１４は，その内部にそれぞれ複数のウェハＷを同時に載
置可能なカセット１１６（１１６ａ，１１６ｂ）を収容
可能なように構成されている。また，カセット１１６
は，その内部に複数のスロットが形成されており，それ
ら各スロット内の各々に１枚ずつ，合計で例えば２５枚
のウェハＷを収容可能なように構成されている。また，
第１及び第２カセット室１１２，１１４のカセット１１
６の搬入出経路側には，それぞれに対応するドアバルブ
Ｄ１，Ｄ２が設けられている。
【００２０】また，共通移載室１０２内には，例えば多
関節アームから成る搬送アーム１１８が設けられてい
る。この搬送アーム１１８は，ウェハＷを共通移載室１
０２内を介して，第１カセット室１１２内と，第２カセ
ット室１１４内と，エッチング装置１０４の処理室１０
４ａ内と，第１ＣＶＤ装置１０６の処理室１０６ａ内
と，第２ＣＶＤ装置１０８の処理室１０８ａ内と，冷却
装置１１０の冷却室１１０ａ内との間で，適宜搬送可能
な位置に配置されている。また，搬送アーム１１８に
は，不図示の駆動機構が接続されており，この駆動機構
の作動によって搬送アーム１１８が適宜所定の動作を行
うように構成されている。
関節アームから成る搬送アーム１１８が設けられてい
る。この搬送アーム１１８は，ウェハＷを共通移載室１
０２内を介して，第１カセット室１１２内と，第２カセ
ット室１１４内と，エッチング装置１０４の処理室１０
４ａ内と，第１ＣＶＤ装置１０６の処理室１０６ａ内
と，第２ＣＶＤ装置１０８の処理室１０８ａ内と，冷却
装置１１０の冷却室１１０ａ内との間で，適宜搬送可能
な位置に配置されている。また，搬送アーム１１８に
は，不図示の駆動機構が接続されており，この駆動機構
の作動によって搬送アーム１１８が適宜所定の動作を行
うように構成されている。
【００２１】さらに，共通移載室１０２内のゲートバル
ブＧ５とゲートバルブＧ６との間の所定の位置には，ウ
ェハＷの位置決め装置１２０が配置される構成となって
いる。この位置決め装置１２０は，検出部１２０ａと回
転部１２０ｂとから構成され，回転部１２０ｂ上に固定
されたウェハＷを回転させた後，検出部１２０ａによっ
て検出された情報に基づいてその回転を停止させること
により，ウェハＷを搬送アーム１１８上に所望の配置で
載置させることができるように構成されている。
ブＧ５とゲートバルブＧ６との間の所定の位置には，ウ
ェハＷの位置決め装置１２０が配置される構成となって
いる。この位置決め装置１２０は，検出部１２０ａと回
転部１２０ｂとから構成され，回転部１２０ｂ上に固定
されたウェハＷを回転させた後，検出部１２０ａによっ
て検出された情報に基づいてその回転を停止させること
により，ウェハＷを搬送アーム１１８上に所望の配置で
載置させることができるように構成されている。
【００２２】また，各処理室（後処理室を含む。）ご
と，すなわち処理室１０４ａと処理室１０６ａと処理室
１０８ａと冷却室１１０ａとには，それぞれウェハＷを
搬送する搬送先が規定されている。この搬送先情報は，
後述するウェハＷの回収作業時，すなわち処理装置１０
０の再起動時に，それら処理室１０４ａ内や処理室１０
６ａ内や処理室１０８ａ内や冷却室１１０ａ内からウェ
ハＷを所定の搬送先に搬送するために規定されている。
さらに，ウェハＷその搬送先情報に従って所定の搬送先
に搬送した後，最終的には処理装置１００内の全てのウ
ェハＷを第１カセット室１１２又は第２カセット室１１
４内のカセット１１６に回収する構成となっている。
と，すなわち処理室１０４ａと処理室１０６ａと処理室
１０８ａと冷却室１１０ａとには，それぞれウェハＷを
搬送する搬送先が規定されている。この搬送先情報は，
後述するウェハＷの回収作業時，すなわち処理装置１０
０の再起動時に，それら処理室１０４ａ内や処理室１０
６ａ内や処理室１０８ａ内や冷却室１１０ａ内からウェ
ハＷを所定の搬送先に搬送するために規定されている。
さらに，ウェハＷその搬送先情報に従って所定の搬送先
に搬送した後，最終的には処理装置１００内の全てのウ
ェハＷを第１カセット室１１２又は第２カセット室１１
４内のカセット１１６に回収する構成となっている。
【００２３】ここで，処理室１０４ａと処理室１０６ａ
と処理室１０８ａと冷却室１１０ａとに対する搬送先の
規定について説明すると，例えば第１ＣＶＤ装置１０６
の処理室１０６ａと第２ＣＶＤ装置１０８の処理室１０
８ａとの搬送先は，冷却室１１０ａと規定され，またエ
ッチング装置１０４の処理室１０４ａの搬送先は，ウェ
ハＷを回収可能な第１カセット室１１２又は第２カセッ
ト室１１４のいずれか一方と規定されている。
と処理室１０８ａと冷却室１１０ａとに対する搬送先の
規定について説明すると，例えば第１ＣＶＤ装置１０６
の処理室１０６ａと第２ＣＶＤ装置１０８の処理室１０
８ａとの搬送先は，冷却室１１０ａと規定され，またエ
ッチング装置１０４の処理室１０４ａの搬送先は，ウェ
ハＷを回収可能な第１カセット室１１２又は第２カセッ
ト室１１４のいずれか一方と規定されている。
【００２４】従って，ウェハＷの回収作業時には，処理
室１０４ａ内のウェハＷは，例えば高温状態となってい
ないため，特に後処理である冷却処理を施すことなく迅
速にカセット１１６に回収され，処理室１０６ａ内のウ
ェハＷと処理室１０８ａ内のウェハＷとは，例えば非常
に高温となっているため，後処理である冷却処理を施さ
れた後，カセット１１６に回収される構成となってい
る。その結果，例えば非常に高温のウェハＷが直接カセ
ット１１６内に回収されることがないため，そのカセッ
ト１１６が変形や破損するなどの悪影響を防止すること
ができる。
室１０４ａ内のウェハＷは，例えば高温状態となってい
ないため，特に後処理である冷却処理を施すことなく迅
速にカセット１１６に回収され，処理室１０６ａ内のウ
ェハＷと処理室１０８ａ内のウェハＷとは，例えば非常
に高温となっているため，後処理である冷却処理を施さ
れた後，カセット１１６に回収される構成となってい
る。その結果，例えば非常に高温のウェハＷが直接カセ
ット１１６内に回収されることがないため，そのカセッ
ト１１６が変形や破損するなどの悪影響を防止すること
ができる。
【００２５】また，処理装置１００の再起動時に，冷却
装置１１０の冷却室１１０ａ内にウェハＷが存在してい
た場合には，冷却室１１０ａ内のウェハＷに対して冷却
処理を施した後，そのウェハＷをカセット１１６に回収
する構成となっている。従って，後処理である冷却処理
が施されていない，または冷却処理が不完全なウェハＷ
が，そのままカセット１１６内に回収されることを防止
することができる。
装置１１０の冷却室１１０ａ内にウェハＷが存在してい
た場合には，冷却室１１０ａ内のウェハＷに対して冷却
処理を施した後，そのウェハＷをカセット１１６に回収
する構成となっている。従って，後処理である冷却処理
が施されていない，または冷却処理が不完全なウェハＷ
が，そのままカセット１１６内に回収されることを防止
することができる。
【００２６】次に，図２を参照しながら，処理装置１０
０における通常の処理工程の一実施例について説明す
る。 （１） まず，搬送アーム１１８の作動により，第１カ
セット室１１２内のカセット１１６ａ内に収容されてい
るウェハＷ（α１）を，共通移載室１０２内に配置され
た位置決め装置１２０の回転部１２０ａ上に載置した
後，所定の位置決めを行う。
０における通常の処理工程の一実施例について説明す
る。 （１） まず，搬送アーム１１８の作動により，第１カ
セット室１１２内のカセット１１６ａ内に収容されてい
るウェハＷ（α１）を，共通移載室１０２内に配置され
た位置決め装置１２０の回転部１２０ａ上に載置した
後，所定の位置決めを行う。
【００２７】（２） 次いで，搬送アーム１１８によ
り，所望の状態に位置決めされたウェハＷ（α１）を，
エッチング装置１０４の処理室１０４ａ内に搬送する。 （３） 次いで，その処理室１０４ａ内で，ウェハＷ
（α１）に対して所定のエッチング処理，例えばウェハ
Ｗ（α１）の被処理面を所望の状態に整えるためのいわ
ゆるライトエッチング処理を施す。この際，すなわちウ
ェハＷ（α１）に対してエッチング処理を施している間
に，搬送アーム１１８により，第２カセット室１１４内
のカセット１１６ｂ内に収容されているウェハＷ（β
１）を位置決め装置１２０に搬送し，上述した如くその
ウェハＷ（β１）の位置決めを行う。
り，所望の状態に位置決めされたウェハＷ（α１）を，
エッチング装置１０４の処理室１０４ａ内に搬送する。 （３） 次いで，その処理室１０４ａ内で，ウェハＷ
（α１）に対して所定のエッチング処理，例えばウェハ
Ｗ（α１）の被処理面を所望の状態に整えるためのいわ
ゆるライトエッチング処理を施す。この際，すなわちウ
ェハＷ（α１）に対してエッチング処理を施している間
に，搬送アーム１１８により，第２カセット室１１４内
のカセット１１６ｂ内に収容されているウェハＷ（β
１）を位置決め装置１２０に搬送し，上述した如くその
ウェハＷ（β１）の位置決めを行う。
【００２８】（４） 次いで，搬送アーム１１８によ
り，エッチング処理が施されたウェハＷ（α１）を，処
理室１０４ａ内から共通移載室１０２内を介して，第１
ＣＶＤ装置１０６の処理室１０６ａ内に搬送する。 （５） 次いで，その処理室１０６ａ内で，ウェハＷ
（α１）に対して所定の成膜処理を施す。さらに，この
ウェハＷ（α１）に対して成膜処理を施している間に，
搬送アーム１１８により，位置決めされたウェハＷ（β
１）をエッチング装置１０４の処理室１０４ａ内に搬送
し，そのウェハＷ（β１）に対して所定のエッチング処
理を施す。
り，エッチング処理が施されたウェハＷ（α１）を，処
理室１０４ａ内から共通移載室１０２内を介して，第１
ＣＶＤ装置１０６の処理室１０６ａ内に搬送する。 （５） 次いで，その処理室１０６ａ内で，ウェハＷ
（α１）に対して所定の成膜処理を施す。さらに，この
ウェハＷ（α１）に対して成膜処理を施している間に，
搬送アーム１１８により，位置決めされたウェハＷ（β
１）をエッチング装置１０４の処理室１０４ａ内に搬送
し，そのウェハＷ（β１）に対して所定のエッチング処
理を施す。
【００２９】（６） 次いで，ウェハＷ（α１），（β
１）に対して各々所定の処理が施されている間に，搬送
アーム１１８により，カセット１１６ａ内のウェハＷ
（α２）を位置決め装置１２０に搬送し，そのウェハＷ
（α２）の位置決めを行う。 （７） 次いで，搬送アーム１１８により，エッチング
処理が施されたウェハＷ（β１）を，処理室１０４ａ内
から共通移載室１０２内を介して，第２ＣＶＤ装置１０
８の処理室１０８ａ内に搬送し，そのウェハＷ（β１）
に対して所定の成膜処理を施す。
１）に対して各々所定の処理が施されている間に，搬送
アーム１１８により，カセット１１６ａ内のウェハＷ
（α２）を位置決め装置１２０に搬送し，そのウェハＷ
（α２）の位置決めを行う。 （７） 次いで，搬送アーム１１８により，エッチング
処理が施されたウェハＷ（β１）を，処理室１０４ａ内
から共通移載室１０２内を介して，第２ＣＶＤ装置１０
８の処理室１０８ａ内に搬送し，そのウェハＷ（β１）
に対して所定の成膜処理を施す。
【００３０】（８） 次いで，搬送アーム１１８によ
り，位置決めされたウェハＷ（α２）をエッチング装置
１０４の処理室１０４ａ内に搬送し，そのウェハＷ（α
２）に対して所定のエッチング処理を施す。 （９） 次いで，搬送アーム１１８により，成膜処理が
施されたウェハＷ（α１）を，処理室１０６ａ内から共
通移載室１０２内を介して，冷却装置（後処理装置）１
１０の冷却室（後処理室）１１０ａ内に搬送し，所定時
間，そのウェハＷ（α１）の後処理，すなわち冷却（放
冷）を行う。この冷却処理により，成膜処理によって高
温，例えば８００℃〜１０００℃にまで加熱されていた
ウェハＷ（α１）の温度を，所定の温度，例えば室温
（２５℃）にまで下げることができる。従って，成膜処
理が施されたウェハＷ（α１）をカセット１１６ａ内に
収容した際に，成膜処理によってウェハＷ（α１）に生
じた熱により，カセット１１６ａが溶けたり，変形した
りすることを防止することができる。
り，位置決めされたウェハＷ（α２）をエッチング装置
１０４の処理室１０４ａ内に搬送し，そのウェハＷ（α
２）に対して所定のエッチング処理を施す。 （９） 次いで，搬送アーム１１８により，成膜処理が
施されたウェハＷ（α１）を，処理室１０６ａ内から共
通移載室１０２内を介して，冷却装置（後処理装置）１
１０の冷却室（後処理室）１１０ａ内に搬送し，所定時
間，そのウェハＷ（α１）の後処理，すなわち冷却（放
冷）を行う。この冷却処理により，成膜処理によって高
温，例えば８００℃〜１０００℃にまで加熱されていた
ウェハＷ（α１）の温度を，所定の温度，例えば室温
（２５℃）にまで下げることができる。従って，成膜処
理が施されたウェハＷ（α１）をカセット１１６ａ内に
収容した際に，成膜処理によってウェハＷ（α１）に生
じた熱により，カセット１１６ａが溶けたり，変形した
りすることを防止することができる。
【００３１】（１０） 次いで，ウェハＷ（α１）に対
して冷却処理が施され，ウェハＷ（β１）に対して成膜
処理が施されている間に，搬送アーム１１８により，カ
セット室１１４内のカセット１１６ｂ内のウェハＷ（β
２）を，位置決め装置１２０に搬送し，そのウェハＷ
（β２）の位置決めを行う。 （１１） 次いで，搬送アーム１１８により，冷却処理
が施されたウェハＷ（α１）を，冷却室１１０ａ内から
共通移載室１０２内を介して，再びカセット１１６ａ内
の所定のスロット内に搬送する。
して冷却処理が施され，ウェハＷ（β１）に対して成膜
処理が施されている間に，搬送アーム１１８により，カ
セット室１１４内のカセット１１６ｂ内のウェハＷ（β
２）を，位置決め装置１２０に搬送し，そのウェハＷ
（β２）の位置決めを行う。 （１１） 次いで，搬送アーム１１８により，冷却処理
が施されたウェハＷ（α１）を，冷却室１１０ａ内から
共通移載室１０２内を介して，再びカセット１１６ａ内
の所定のスロット内に搬送する。
【００３２】（１２） 次いで，搬送アーム１１８によ
り，エッチング処理が施されたウェハＷ（α２）を，処
理室１０４ａ内から共通移載室１０２内を介して，第１
ＣＶＤ装置１０６の処理室１０６ａ内に搬送し，そのウ
ェハＷ（α２）に対して所定の成膜処理を施す。 （１３） 次いで，搬送アーム１１８により，位置決め
されたウェハＷ（β２）をエッチング装置１０４の処理
室１０４ａ内に搬送し，そのウェハＷ（β２）に対して
所定のエッチング処理を施す。
り，エッチング処理が施されたウェハＷ（α２）を，処
理室１０４ａ内から共通移載室１０２内を介して，第１
ＣＶＤ装置１０６の処理室１０６ａ内に搬送し，そのウ
ェハＷ（α２）に対して所定の成膜処理を施す。 （１３） 次いで，搬送アーム１１８により，位置決め
されたウェハＷ（β２）をエッチング装置１０４の処理
室１０４ａ内に搬送し，そのウェハＷ（β２）に対して
所定のエッチング処理を施す。
【００３３】（１４） 次いで，搬送アーム１１８によ
り，成膜処理が施されたウェハＷ（β１）を，処理室１
０８ａ内から共通移載室１０２内を介して冷却装置１１
０の冷却室１１０ａ内に搬送し，そのウェハＷ（β１）
に対して冷却処理を施す。 （１５） 次いで，搬送アーム１１８により，エッチン
グ処理が施されたウェハＷ（β２）を，処理室１０４ａ
内から共通移載室１０２内を介して，第２ＣＶＤ装置１
０８の処理室１０８ａ内に搬送し，そのウェハＷ（β
２）に対して所定の成膜処理を施す。
り，成膜処理が施されたウェハＷ（β１）を，処理室１
０８ａ内から共通移載室１０２内を介して冷却装置１１
０の冷却室１１０ａ内に搬送し，そのウェハＷ（β１）
に対して冷却処理を施す。 （１５） 次いで，搬送アーム１１８により，エッチン
グ処理が施されたウェハＷ（β２）を，処理室１０４ａ
内から共通移載室１０２内を介して，第２ＣＶＤ装置１
０８の処理室１０８ａ内に搬送し，そのウェハＷ（β
２）に対して所定の成膜処理を施す。
【００３４】（１６） 次いで，搬送アーム１１８によ
り，冷却処理が施されたウェハＷ（β１）が，再びカセ
ット１１６ｂの所定のスロット内に搬送される。 （１７）以後，カセット１１６内に収容されている未処
理の各ウェハＷは，上述の如く搬送アーム１１８によ
り，共通移載室１０２内を介して，順次処理室１０４ａ
内，処理室１０６ａ内又は処理室１０８ａ内，冷却室１
１０ａ内に搬送され，所定の処理が施された後，再びカ
セット１１６内の所定のスロット内に搬送される構成と
なっている。なお，上述したウェハＷの搬送順序は，本
発明の理解を容易にするための一実施例を挙げて説明し
たものであり，本発明は上記構成に限定されることな
く，いかなる搬送順序であっても本発明は適用可能であ
ることは言うまでもない。
り，冷却処理が施されたウェハＷ（β１）が，再びカセ
ット１１６ｂの所定のスロット内に搬送される。 （１７）以後，カセット１１６内に収容されている未処
理の各ウェハＷは，上述の如く搬送アーム１１８によ
り，共通移載室１０２内を介して，順次処理室１０４ａ
内，処理室１０６ａ内又は処理室１０８ａ内，冷却室１
１０ａ内に搬送され，所定の処理が施された後，再びカ
セット１１６内の所定のスロット内に搬送される構成と
なっている。なお，上述したウェハＷの搬送順序は，本
発明の理解を容易にするための一実施例を挙げて説明し
たものであり，本発明は上記構成に限定されることな
く，いかなる搬送順序であっても本発明は適用可能であ
ることは言うまでもない。
【００３５】次に，本実施の形態に係る処理装置１００
に適用されるウェハＷの回収方法について詳細に説明す
る。かかる処理装置１００においては，通常上述した如
く，ウェハＷに対して順次処理が施される構成となって
いる。しかしながら，何らかの原因，例えば停電や操作
者の停止操作等により，処理中に処理装置１００が停止
する場合がある。そして，再び処理装置１００を始動さ
せる場合には，ウェハＷの回収，特に上述の如く成膜処
理によって非常に高温となっているウェハＷのカセット
内への回収が問題となる。そこで，処理装置１００にか
かるウェハＷの回収方法を適用し，以下に詳細に述べる
如くウェハＷをカセット１１６内に回収することによ
り，カセット１１６が溶けたり，変形することなく，的
確かつ迅速にウェハＷを回収することができる。
に適用されるウェハＷの回収方法について詳細に説明す
る。かかる処理装置１００においては，通常上述した如
く，ウェハＷに対して順次処理が施される構成となって
いる。しかしながら，何らかの原因，例えば停電や操作
者の停止操作等により，処理中に処理装置１００が停止
する場合がある。そして，再び処理装置１００を始動さ
せる場合には，ウェハＷの回収，特に上述の如く成膜処
理によって非常に高温となっているウェハＷのカセット
内への回収が問題となる。そこで，処理装置１００にか
かるウェハＷの回収方法を適用し，以下に詳細に述べる
如くウェハＷをカセット１１６内に回収することによ
り，カセット１１６が溶けたり，変形することなく，的
確かつ迅速にウェハＷを回収することができる。
【００３６】ここで，本実施の形態に適用可能なウェハ
Ｗの回収方法について，図３及び図４に示したフローチ
ャートを参照しながら詳細に説明する。 （１） まず，上述の如く何らかの原因により処理装置
１００が停止した後，再び処理装置１００が始動する
と，かかるウェハＷの回収方法に従ってウェハＷのカセ
ット１１６内への回収が開始される（ステップＳ２０
０）。なお，搬送アーム１１８上のウェハＷの出所デー
タ及び行先データは，不図示の演算記憶装置によって常
時記憶される構成となっている。
Ｗの回収方法について，図３及び図４に示したフローチ
ャートを参照しながら詳細に説明する。 （１） まず，上述の如く何らかの原因により処理装置
１００が停止した後，再び処理装置１００が始動する
と，かかるウェハＷの回収方法に従ってウェハＷのカセ
ット１１６内への回収が開始される（ステップＳ２０
０）。なお，搬送アーム１１８上のウェハＷの出所デー
タ及び行先データは，不図示の演算記憶装置によって常
時記憶される構成となっている。
【００３７】（２） 次いで，ウェハＷの回収先となる
第１カセット室１１２内及び第２カセット室１１４内の
カセット１１６内の各スロット内全てに，ウェハＷが収
容されているか確認する（ステップＳ２０２）。この各
スロット内のウェハＷの有無の確認は，次のようにして
行われる構成となっている。すなわち，例えばカセット
１１６内のスロット挟んで対向配置された不図示の光学
センサを第１カセット室１１２内及び第２カセット室１
１４内の所定の位置に配置する。そして，その光学セン
サを上下方向（各スロット全てについて検出可能な方
向。）に移動させて，光学センサの発光部からスロット
内を介して光受容部に到達する光の有無（スロット内に
ウェハＷがある場合には，光はスロット内を透過しな
い。）により，ウェハＷの存在の有無を検出する構成と
なっている。
第１カセット室１１２内及び第２カセット室１１４内の
カセット１１６内の各スロット内全てに，ウェハＷが収
容されているか確認する（ステップＳ２０２）。この各
スロット内のウェハＷの有無の確認は，次のようにして
行われる構成となっている。すなわち，例えばカセット
１１６内のスロット挟んで対向配置された不図示の光学
センサを第１カセット室１１２内及び第２カセット室１
１４内の所定の位置に配置する。そして，その光学セン
サを上下方向（各スロット全てについて検出可能な方
向。）に移動させて，光学センサの発光部からスロット
内を介して光受容部に到達する光の有無（スロット内に
ウェハＷがある場合には，光はスロット内を透過しな
い。）により，ウェハＷの存在の有無を検出する構成と
なっている。
【００３８】（３） 次いで，ステップＳ２０２におい
て，カセット１１６内の各スロット内全てに，ウェハＷ
が収容されていることが確認された場合には，ウェハＷ
の回収を行うことができないことを例えば操作者や観察
者等（以下，「操作者等」とする。）に知らせ（ステッ
プＳ２０４），ウェハＷの回収を中止する（ステップＳ
２０６）。 （４） また，ステップＳ２０２において，カセット１
１６内にウェハＷが収容されていないスロットがあるこ
とが確認された場合には，さらに搬送アーム１１８上に
ウェハＷが存在するかどうかを，演算記憶装置に記憶さ
れた出所データ及び行先データより判断，または搬送ア
ーム１１８上のウェハＷの有無を検出可能な不図示のセ
ンサ，例えば光学センサより検出する（ステップＳ２０
８）。
て，カセット１１６内の各スロット内全てに，ウェハＷ
が収容されていることが確認された場合には，ウェハＷ
の回収を行うことができないことを例えば操作者や観察
者等（以下，「操作者等」とする。）に知らせ（ステッ
プＳ２０４），ウェハＷの回収を中止する（ステップＳ
２０６）。 （４） また，ステップＳ２０２において，カセット１
１６内にウェハＷが収容されていないスロットがあるこ
とが確認された場合には，さらに搬送アーム１１８上に
ウェハＷが存在するかどうかを，演算記憶装置に記憶さ
れた出所データ及び行先データより判断，または搬送ア
ーム１１８上のウェハＷの有無を検出可能な不図示のセ
ンサ，例えば光学センサより検出する（ステップＳ２０
８）。
【００３９】（５） 次いで，ステップＳ２０８におい
て，搬送アーム１１８上にウェハＷが載置されていない
と判断された場合には，さらに位置決め装置１２０上に
ウェハＷが存在するかを，位置決め装置１２０の検出部
１２０ａを構成するセンサ，例えば光学センサにより検
出して判断する（ステップＳ２１０）。 （６） 次いで，ステップＳ２１０において，位置決め
装置１２０上にウェハＷが存在すると判断された場合に
は，位置決め装置１２０上のウェハＷをカセット１１６
内の元スロット内又は空スロット内に回収し（ステップ
Ｓ２１２），後述するステップＳ２３０を行う。 （７） また，ステップＳ２１０において，位置決め装
置１２０上にウェハＷが存在しないと判断された場合に
は，次いで後述するステップＳ２３０を行う。
て，搬送アーム１１８上にウェハＷが載置されていない
と判断された場合には，さらに位置決め装置１２０上に
ウェハＷが存在するかを，位置決め装置１２０の検出部
１２０ａを構成するセンサ，例えば光学センサにより検
出して判断する（ステップＳ２１０）。 （６） 次いで，ステップＳ２１０において，位置決め
装置１２０上にウェハＷが存在すると判断された場合に
は，位置決め装置１２０上のウェハＷをカセット１１６
内の元スロット内又は空スロット内に回収し（ステップ
Ｓ２１２），後述するステップＳ２３０を行う。 （７） また，ステップＳ２１０において，位置決め装
置１２０上にウェハＷが存在しないと判断された場合に
は，次いで後述するステップＳ２３０を行う。
【００４０】（８） 一方，ステップＳ２０８におい
て，搬送アーム１１８上にウェハＷが載置されていると
判断された場合には，さらに演算記憶装置により，その
ウェハＷの出所データが第１カセット室１１２又は第２
カセット室１１４又は位置決め装置１２０であるかを確
認する（ステップＳ２１６）。 （９） 次いで，ステップＳ２１６において，搬送アー
ム１１８上のウェハＷの出所データが，第１カセット室
１１２又は第２カセット室１１４又は位置決め装置１２
０であると判断された場合には，そのウェハＷを第１カ
セット室１１２内又は第２カセット室１１４内のカセッ
ト１１６内の元スロット内又は空スロット内に回収する
（ステップＳ２１８）。 （１０） 次いで，上述したステップＳ２１０，さらに
必要に応じて上記ステップＳ２１２を行った後，後述す
るステップＳ２３０を行う。
て，搬送アーム１１８上にウェハＷが載置されていると
判断された場合には，さらに演算記憶装置により，その
ウェハＷの出所データが第１カセット室１１２又は第２
カセット室１１４又は位置決め装置１２０であるかを確
認する（ステップＳ２１６）。 （９） 次いで，ステップＳ２１６において，搬送アー
ム１１８上のウェハＷの出所データが，第１カセット室
１１２又は第２カセット室１１４又は位置決め装置１２
０であると判断された場合には，そのウェハＷを第１カ
セット室１１２内又は第２カセット室１１４内のカセッ
ト１１６内の元スロット内又は空スロット内に回収する
（ステップＳ２１８）。 （１０） 次いで，上述したステップＳ２１０，さらに
必要に応じて上記ステップＳ２１２を行った後，後述す
るステップＳ２３０を行う。
【００４１】（１１） また，ステップＳ２１６におい
て，搬送アーム１１８上のウェハＷの出所データが，第
１カセット室１１２又は第２カセット室１１４又は位置
決め装置１２０ではないと判断された場合，すなわちそ
の出所データが処理室１０４ａ又は処理室１０６ａ又は
処理室１０８ａ又は冷却室１１０ａのいずれかであると
判断された場合には，上述した如く規定されている回収
作業時のウェハＷの搬送先が第１カセット室１１２又は
第２カセット室１１４であるか，すなわちエッチング装
置１０４の処理室１０４ａ又は冷却装置１１０の処理室
１１０ａで規定された搬送先であるかを確認する（ステ
ップＳ２１９）。 （１２） 次いで，ステップＳ２１９において，ウェハ
Ｗの搬送先が第１カセット室１１２又は第２カセット室
１１４であると判断された場合には，上述したステップ
Ｓ２１８を行い，搬送アーム１１８上のウェハＷを第１
カセット室１１２内又は第２カセット室１１４内のカセ
ット１１６内の元スロット内又は空スロット内に回収す
る。 （１３） また，ステップＳ２１９において，ウェハＷ
の搬送先が第１カセット室１１２又は第２カセット室１
１４ではないと判断された場合には，さらに演算制御器
により，そのウェハＷの行先データが第１カセット室１
１２又は第２カセット室１１４又は位置決め装置１２０
であるかどうかを確認する（ステップＳ２２０）。 （１４） 次いで，ステップＳ２２０において，搬送ア
ーム１１８上のウェハＷの行先データが第１カセット室
１１２又は第２カセット室１１４又は位置決め装置１２
０あることが確認された場合には，上述したステップＳ
２１８，ステップＳ２１０，さらに必要に応じてステッ
プＳ２１２を行った後，後述するステップＳ２３０を行
う。
て，搬送アーム１１８上のウェハＷの出所データが，第
１カセット室１１２又は第２カセット室１１４又は位置
決め装置１２０ではないと判断された場合，すなわちそ
の出所データが処理室１０４ａ又は処理室１０６ａ又は
処理室１０８ａ又は冷却室１１０ａのいずれかであると
判断された場合には，上述した如く規定されている回収
作業時のウェハＷの搬送先が第１カセット室１１２又は
第２カセット室１１４であるか，すなわちエッチング装
置１０４の処理室１０４ａ又は冷却装置１１０の処理室
１１０ａで規定された搬送先であるかを確認する（ステ
ップＳ２１９）。 （１２） 次いで，ステップＳ２１９において，ウェハ
Ｗの搬送先が第１カセット室１１２又は第２カセット室
１１４であると判断された場合には，上述したステップ
Ｓ２１８を行い，搬送アーム１１８上のウェハＷを第１
カセット室１１２内又は第２カセット室１１４内のカセ
ット１１６内の元スロット内又は空スロット内に回収す
る。 （１３） また，ステップＳ２１９において，ウェハＷ
の搬送先が第１カセット室１１２又は第２カセット室１
１４ではないと判断された場合には，さらに演算制御器
により，そのウェハＷの行先データが第１カセット室１
１２又は第２カセット室１１４又は位置決め装置１２０
であるかどうかを確認する（ステップＳ２２０）。 （１４） 次いで，ステップＳ２２０において，搬送ア
ーム１１８上のウェハＷの行先データが第１カセット室
１１２又は第２カセット室１１４又は位置決め装置１２
０あることが確認された場合には，上述したステップＳ
２１８，ステップＳ２１０，さらに必要に応じてステッ
プＳ２１２を行った後，後述するステップＳ２３０を行
う。
【００４２】（１５） また，ステップＳ２２０におい
て，搬送アーム１１８上のウェハＷの行先データが第１
カセット室１１２又は第２カセット室１１４又は位置決
め装置１２０でないことが確認された場合，すなわち行
先データが処理室１０４ａ又は処理室１０６ａ又は処理
室１０８ａ又は冷却室１１０ａのいずれかである場合に
は，行先データの示す処理室１０４ａ内又は処理室１０
６ａ内又は処理室１０８ａ内又は冷却室１１０ａ内にウ
ェハＷが存在するかを確認する（ステップＳ２２２）。
このウェハＷの有無の確認は，例えば当該装置１００の
停止前に記憶されていた行先データの示す処理室内のウ
ェハＷの有無情報に基づいて行われる構成となってい
る。なお，搬送アーム１１８に検出手段，例えばセンサ
を取り付け，そのセンサによってウェハＷの有無を確認
する構成としても良いことは言うまでもない。 （１６） 次いで，ステップＳ２２２において，行先デ
ータの示す処理室１０４ａ内又は処理室１０６ａ内又は
処理室１０８ａ内又は冷却室１１０ａ内にウェハＷが存
在することが確認された場合には，搬送アーム１１８上
のウェハＷをそれら処理室１０４ａ内又は処理室１０６
ａ内又は処理室１０８ａ内又は冷却室１１０ａ内に搬送
できないことを操作者等に知らせた後（ステップＳ２２
４），ウェハＷの回収を中止する（ステップＳ２２
６）。
て，搬送アーム１１８上のウェハＷの行先データが第１
カセット室１１２又は第２カセット室１１４又は位置決
め装置１２０でないことが確認された場合，すなわち行
先データが処理室１０４ａ又は処理室１０６ａ又は処理
室１０８ａ又は冷却室１１０ａのいずれかである場合に
は，行先データの示す処理室１０４ａ内又は処理室１０
６ａ内又は処理室１０８ａ内又は冷却室１１０ａ内にウ
ェハＷが存在するかを確認する（ステップＳ２２２）。
このウェハＷの有無の確認は，例えば当該装置１００の
停止前に記憶されていた行先データの示す処理室内のウ
ェハＷの有無情報に基づいて行われる構成となってい
る。なお，搬送アーム１１８に検出手段，例えばセンサ
を取り付け，そのセンサによってウェハＷの有無を確認
する構成としても良いことは言うまでもない。 （１６） 次いで，ステップＳ２２２において，行先デ
ータの示す処理室１０４ａ内又は処理室１０６ａ内又は
処理室１０８ａ内又は冷却室１１０ａ内にウェハＷが存
在することが確認された場合には，搬送アーム１１８上
のウェハＷをそれら処理室１０４ａ内又は処理室１０６
ａ内又は処理室１０８ａ内又は冷却室１１０ａ内に搬送
できないことを操作者等に知らせた後（ステップＳ２２
４），ウェハＷの回収を中止する（ステップＳ２２
６）。
【００４３】（１７） また，ステップＳ２２２におい
て，行先データの示す処理室１０４ａ内又は処理室１０
６ａ内又は処理室１０８ａ内又は冷却室１１０ａ内にウ
ェハＷが存在しないことが確認された場合には，搬送ア
ーム１１８上のウェハＷを搬送先である処理室１０４ａ
内又は処理室１０６ａ内又は処理室１０８ａ内又は冷却
室１１０ａ内に搬送する（ステップＳ２２８）。 （１８） 次いで，各処理室内，すなわち処理室１０４
ａ内と，処理室１０６ａ内と，処理室１０８ａ内と，冷
却室１１０ａ内とのウェハＷの有無を確認し，ウェハＷ
が存在する処理室１０４ａ，処理室１０６ａ，処理室１
０８ａ，冷却室１１０ａで，そのウェハＷに対して所定
の処理を行う（ステップＳ２３０）。 （１９） 次いで，冷却室１１０ａ内にウェハＷが存在
する場合には，優先的にその冷却室１１０ａ内のウェハ
Ｗを搬送先である第１カセット室１１２内又は第２カセ
ット室１１４内のカセット１１２に回収した後，ウェハ
Ｗが存在する処理室１０４ａや処理室１０６ａや処理室
１０８ａからのウェハＷの回収作業を行う（ステップＳ
２３２）。このウェハＷの回収作業は，上述した如く各
処理室（後処理室を含む。）ごと，すなわち処理室１０
４ａと処理室１０６ａと処理室１０８ａと冷却室１１０
ａとのそれぞれに規定されているウェハＷの搬送先情報
に基づいて行われる構成となっている。そして，それら
処理室１０４ａ内又は処理室１０６ａ内又は処理室１０
８ａ内又は冷却室１１０ａ内のウェハＷは，搬送アーム
１１８の作動によって所定の搬送先に搬送された後，最
終的には処理装置１００内の全てのウェハＷが第１カセ
ット室１１２又は第２カセット室１１４内のカセット１
１６に回収される構成となっている。なお，処理室１０
４ａ又は処理室１０６ａ又は処理室１０８ａからウェハ
Ｗを回収する際には，後処理としてさらに除電処理をウ
ェハＷに施す構成としても良いことは言うまでもない。
て，行先データの示す処理室１０４ａ内又は処理室１０
６ａ内又は処理室１０８ａ内又は冷却室１１０ａ内にウ
ェハＷが存在しないことが確認された場合には，搬送ア
ーム１１８上のウェハＷを搬送先である処理室１０４ａ
内又は処理室１０６ａ内又は処理室１０８ａ内又は冷却
室１１０ａ内に搬送する（ステップＳ２２８）。 （１８） 次いで，各処理室内，すなわち処理室１０４
ａ内と，処理室１０６ａ内と，処理室１０８ａ内と，冷
却室１１０ａ内とのウェハＷの有無を確認し，ウェハＷ
が存在する処理室１０４ａ，処理室１０６ａ，処理室１
０８ａ，冷却室１１０ａで，そのウェハＷに対して所定
の処理を行う（ステップＳ２３０）。 （１９） 次いで，冷却室１１０ａ内にウェハＷが存在
する場合には，優先的にその冷却室１１０ａ内のウェハ
Ｗを搬送先である第１カセット室１１２内又は第２カセ
ット室１１４内のカセット１１２に回収した後，ウェハ
Ｗが存在する処理室１０４ａや処理室１０６ａや処理室
１０８ａからのウェハＷの回収作業を行う（ステップＳ
２３２）。このウェハＷの回収作業は，上述した如く各
処理室（後処理室を含む。）ごと，すなわち処理室１０
４ａと処理室１０６ａと処理室１０８ａと冷却室１１０
ａとのそれぞれに規定されているウェハＷの搬送先情報
に基づいて行われる構成となっている。そして，それら
処理室１０４ａ内又は処理室１０６ａ内又は処理室１０
８ａ内又は冷却室１１０ａ内のウェハＷは，搬送アーム
１１８の作動によって所定の搬送先に搬送された後，最
終的には処理装置１００内の全てのウェハＷが第１カセ
ット室１１２又は第２カセット室１１４内のカセット１
１６に回収される構成となっている。なお，処理室１０
４ａ又は処理室１０６ａ又は処理室１０８ａからウェハ
Ｗを回収する際には，後処理としてさらに除電処理をウ
ェハＷに施す構成としても良いことは言うまでもない。
【００４４】（２０） 次いで，処理装置１００内のウ
ェハＷが第１カセット室１１２又は第２カセット室１１
４内のカセット１１６に回収されるまで，上述したステ
ップＳ２３０とステップＳ２３２とを順次繰り返し（ス
テップＳ２３４），処理装置１００内のウェハＷがカセ
ット１１６内に全て回収されると，ウェハＷの回収作業
を終了する（ステップＳ２３６）。
ェハＷが第１カセット室１１２又は第２カセット室１１
４内のカセット１１６に回収されるまで，上述したステ
ップＳ２３０とステップＳ２３２とを順次繰り返し（ス
テップＳ２３４），処理装置１００内のウェハＷがカセ
ット１１６内に全て回収されると，ウェハＷの回収作業
を終了する（ステップＳ２３６）。
【００４５】本実施の形態に係る処理装置１００に適用
されるウェハＷの回収方法は，以上のように構成されて
いる。従って，処理中に処理装置１００が停止し，再び
処理装置を始動させた場合でも，カセット１１６内のウ
ェハＷを除く処理装置１００内の処理中及び搬送中の各
ウェハＷを所望の状態でカセット１１６内に回収するこ
とができる。特に，第１ＣＶＤ装置１０６又は第２ＣＶ
Ｄ装置１０８で成膜処理が施され，非常に高温となって
いるウェハＷ，および搬送アーム１１８上の成膜処理直
後の非常に高温となっているウェハＷをカセット１１６
内に回収する場合でも，上述の如く必ず所定の冷却処理
されたのち，カセット１１６内に搬送される構成となっ
ている。従って，それら非常に高温となっているウェハ
Ｗをカセット１１６内に回収する場合でも，そのカセッ
ト１１６が変形したり，溶けたりすることがない。
されるウェハＷの回収方法は，以上のように構成されて
いる。従って，処理中に処理装置１００が停止し，再び
処理装置を始動させた場合でも，カセット１１６内のウ
ェハＷを除く処理装置１００内の処理中及び搬送中の各
ウェハＷを所望の状態でカセット１１６内に回収するこ
とができる。特に，第１ＣＶＤ装置１０６又は第２ＣＶ
Ｄ装置１０８で成膜処理が施され，非常に高温となって
いるウェハＷ，および搬送アーム１１８上の成膜処理直
後の非常に高温となっているウェハＷをカセット１１６
内に回収する場合でも，上述の如く必ず所定の冷却処理
されたのち，カセット１１６内に搬送される構成となっ
ている。従って，それら非常に高温となっているウェハ
Ｗをカセット１１６内に回収する場合でも，そのカセッ
ト１１６が変形したり，溶けたりすることがない。
【００４６】なお，処理装置１００の停止時から再起動
時までの経過時間が予め設定された所定時間よりも長い
場合には，処理室１０６ａ内，処理室１０８ａ内のウェ
ハＷは，上述した後処理である冷却処理が施されること
なく，直接第１カセット室１１２内又は第２カセット室
１１４内のカセット１１６に回収される構成となってい
る。すなわち，処理装置１００が所定時間よりも長く停
止していた場合には，処理室１０６ａ内や処理室１０８
ａ内のウェハＷの温度が低下するため，そのウェハＷに
対して後処理である冷却処理を施す必要がない。従っ
て，処理装置１００の停止時から再起動時までの経過時
間を，例えば不図示の記憶装置により記憶しておき，そ
の経過時間が所定の時間を経過していた場合には，上述
のような後処理をウェハＷに施す工程を経ることなく，
ウェハＷをカセット１１６に回収する構成となってい
る。
時までの経過時間が予め設定された所定時間よりも長い
場合には，処理室１０６ａ内，処理室１０８ａ内のウェ
ハＷは，上述した後処理である冷却処理が施されること
なく，直接第１カセット室１１２内又は第２カセット室
１１４内のカセット１１６に回収される構成となってい
る。すなわち，処理装置１００が所定時間よりも長く停
止していた場合には，処理室１０６ａ内や処理室１０８
ａ内のウェハＷの温度が低下するため，そのウェハＷに
対して後処理である冷却処理を施す必要がない。従っ
て，処理装置１００の停止時から再起動時までの経過時
間を，例えば不図示の記憶装置により記憶しておき，そ
の経過時間が所定の時間を経過していた場合には，上述
のような後処理をウェハＷに施す工程を経ることなく，
ウェハＷをカセット１１６に回収する構成となってい
る。
【００４７】以上，本発明の好適な実施の一形態につい
て，添付図面を参照しながら説明したが，本発明はかか
る構成に限定されない。特許請求の範囲に記載された技
術的思想の範疇において，当業者であれば，各種の変更
例及び修正例に想到し得るものであり，それら変更例及
び修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと
了解される。
て，添付図面を参照しながら説明したが，本発明はかか
る構成に限定されない。特許請求の範囲に記載された技
術的思想の範疇において，当業者であれば，各種の変更
例及び修正例に想到し得るものであり，それら変更例及
び修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと
了解される。
【００４８】例えば，上記実施の形態において，ウェハ
の回収時に成膜処理によって非常に高温となったウェハ
を冷却処理（後処理）した後，カセット内の元スロット
内又は空スロット内に回収した例を挙げて説明したが，
本発明はかかる構成に限定されるものではない。すなわ
ち，本発明は，処理装置の停止後，再び該装置を始動し
た際に，その装置内に存在する被処理体に対して後処理
室にて後処理を施した後でなければ，その被処理体をカ
セット室内に回収できない場合全てに適用することがで
きる。また，本発明は，例えば人体に有害なガスや大気
汚染の原因ガス等を使用して，被処理体に対して所定の
処理を施す処理装置を含むマルチチャンバ式処理装置に
対しても適用することができる。
の回収時に成膜処理によって非常に高温となったウェハ
を冷却処理（後処理）した後，カセット内の元スロット
内又は空スロット内に回収した例を挙げて説明したが，
本発明はかかる構成に限定されるものではない。すなわ
ち，本発明は，処理装置の停止後，再び該装置を始動し
た際に，その装置内に存在する被処理体に対して後処理
室にて後処理を施した後でなければ，その被処理体をカ
セット室内に回収できない場合全てに適用することがで
きる。また，本発明は，例えば人体に有害なガスや大気
汚染の原因ガス等を使用して，被処理体に対して所定の
処理を施す処理装置を含むマルチチャンバ式処理装置に
対しても適用することができる。
【００４９】また，上記実施の形態において，共通移載
室に２つのカセット室，エッチング装置の処理室，２つ
のＣＶＤ装置の処理室，冷却装置の冷却室を接続したマ
ルチチャンバ式処理装置を例に挙げて説明したが，本発
明はかかる構成に限定されるものではなく，少なくとも
１つの処理室と，少なくとも１つの後処理室と，少なく
とも１つのカセット室と，少なくとも１つの位置決め装
置と少なくとも１つの被処理体の搬送装置とを備えた共
通移載室とを備えたマルチチャンバ式処理装置であれ
ば，いかなる装置であっても本発明を適用することがで
きる。
室に２つのカセット室，エッチング装置の処理室，２つ
のＣＶＤ装置の処理室，冷却装置の冷却室を接続したマ
ルチチャンバ式処理装置を例に挙げて説明したが，本発
明はかかる構成に限定されるものではなく，少なくとも
１つの処理室と，少なくとも１つの後処理室と，少なく
とも１つのカセット室と，少なくとも１つの位置決め装
置と少なくとも１つの被処理体の搬送装置とを備えた共
通移載室とを備えたマルチチャンバ式処理装置であれ
ば，いかなる装置であっても本発明を適用することがで
きる。
【００５０】さらに，上記実施の形態において，ウェハ
に対して順次エッチング処理，成膜処理，冷却処理（後
処理）を施す例を挙げて説明したが，本発明はかかる構
成に限定されるものではなく，被処理体としては例えば
ＬＣＤ用ガラス基板を使用することができ，また少なく
とも被処理体に対して後処理が必要となる所定の処理を
施した後，所定の後処理を施す処理工程を有する処理装
置であれば，本発明を適用することができる。
に対して順次エッチング処理，成膜処理，冷却処理（後
処理）を施す例を挙げて説明したが，本発明はかかる構
成に限定されるものではなく，被処理体としては例えば
ＬＣＤ用ガラス基板を使用することができ，また少なく
とも被処理体に対して後処理が必要となる所定の処理を
施した後，所定の後処理を施す処理工程を有する処理装
置であれば，本発明を適用することができる。
【００５１】
【発明の効果】本発明によれば，マルチチャンバ式処理
装置において処理中に停止した該装置を再び始動させた
場合に，後処理が必要な被処理体は，所定の後処理を施
した後カセット室内のカセット内に回収し，後処理の必
要がない被処理体は，後処理を施すことなくそのままカ
セット内に回収することができる。その結果，後処理が
必要な被処理体に対して確実に後処理が施された後，そ
の被処理体がカセット内に回収されるため，例えばカセ
ットに悪影響が及ぶことがない。また，後処理が不要な
被処理体は，そのままカセット内に回収することができ
るため，かかる装置内の各被処理体の回収を迅速に行う
ことができる。さらに，処理中の被処理体の出所データ
と行先データとが常時記憶されているため，正確な被処
理体の回収を行うことができる。さらにまた，被処理体
は，カセットの元スロット内のみ成らず，空スロット内
にも回収されるため，被処理体の回収をさらに迅速に行
うことができ，短時間で通常の処理工程に復帰すること
ができる。
装置において処理中に停止した該装置を再び始動させた
場合に，後処理が必要な被処理体は，所定の後処理を施
した後カセット室内のカセット内に回収し，後処理の必
要がない被処理体は，後処理を施すことなくそのままカ
セット内に回収することができる。その結果，後処理が
必要な被処理体に対して確実に後処理が施された後，そ
の被処理体がカセット内に回収されるため，例えばカセ
ットに悪影響が及ぶことがない。また，後処理が不要な
被処理体は，そのままカセット内に回収することができ
るため，かかる装置内の各被処理体の回収を迅速に行う
ことができる。さらに，処理中の被処理体の出所データ
と行先データとが常時記憶されているため，正確な被処
理体の回収を行うことができる。さらにまた，被処理体
は，カセットの元スロット内のみ成らず，空スロット内
にも回収されるため，被処理体の回収をさらに迅速に行
うことができ，短時間で通常の処理工程に復帰すること
ができる。
【図１】本発明を適用可能なマルチチャンバ式処理装置
を示した概略的な説明図である。
を示した概略的な説明図である。
【図２】図１に示した処理装置における通常の処理工程
を説明するための概略的な説明図である。
を説明するための概略的な説明図である。
【図３】図１に示した処理装置におけるウェハの回収方
法を説明するための概略的な説明図である。
法を説明するための概略的な説明図である。
【図４】図１に示した処理装置におけるウェハの回収方
法を説明するための概略的な説明図である。
法を説明するための概略的な説明図である。
１００ 処理装置 １０２ 共通移載室 １０４ エッチング装置 １０６ 第１ＣＶＤ装置 １０８ 第２ＣＶＤ装置 １１０ 冷却装置 １１２ 第１カセット室 １１４ 第２カセット室 １１６ カセット １１８ 搬送アーム １２０ 位置決め装置 Ｇ１〜Ｇ６ ゲートバルブ Ｗ ウェハ
Claims (11)
- 【請求項１】 被処理体に対して所定の処理を実施する
少なくとも１つの処理室と；前記処理後に必要な後処理
を実施する少なくとも１つの後処理室と；少なくとも１
つのカセット室と；前記処理室と前記後処理室と前記カ
セット室とをゲートバルブを介して連通すると共に，少
なくとも１つの前記被処理体の位置決め装置と少なくと
も１つの前記被処理体の搬送装置とを備えた共通移載室
と；を備えたマルチチャンバ式処理装置において，処理
中に停止した前記処理装置内の前記被処理体を回収する
にあたり：前記搬送装置が前記被処理体を保持している
場合には，前記処理装置の停止前に記憶された前記被処
理体の出所データを確認する工程と；前記出所データが
前記カセット室又は前記位置決め装置である場合には，
前記被処理体を前記カセット室に回収する工程と；から
成ることを特徴とする，被処理体の回収方法。 - 【請求項２】 前記処理室と前記後処理室には，回収作
業の際に前記処理室内又は前記後処理室内に存在する前
記被処理体の搬送先が規定されていることを特徴とす
る，請求項１に記載の被処理体の回収方法。 - 【請求項３】 前記搬送先が前記カセット室と規定され
ている前記処理室を出所データとしてもつ前記被処理体
は，前記カセット室に回収されることを特徴とする，請
求項２に記載の被処理体の回収方法。 - 【請求項４】 さらに，前記処理室内と前記後処理室内
との前記被処理体の存在の有無を確認する工程と；前記
後処理室内に前記被処理体が存在する場合には，前記後
処理室内の前記被処理体に対して前記後処理を施した
後，前記被処理体の搬送先情報に従い，前記被処理体を
前記後処理室内から前記カセット室に搬送する工程と；
前記搬送先が前記後処理室と規定されている前記処理室
内に前記被処理体が存在する場合には，前記被処理体を
前記処理室内から前記後処理室内に搬送し，前記被処理
体に対して前記後処理を施した後，前記被処理体を前記
後処理室内から前記カセット室に搬送する工程と；前記
搬送先が前記カセット室と規定されている前記処理室内
に前記被処理体が存在する場合には，前記被処理体を前
記処理室内から前記カセット室に搬送する工程と；から
成ることを特徴とする，請求項１，２又は３のいずれか
に記載の被処理体の回収方法。 - 【請求項５】 被処理体に対して所定の処理を実施する
少なくとも１つの処理室と；前記処理後に必要な後処理
を実施する少なくとも１つの後処理室と；少なくとも１
つのカセット室と；前記処理室と前記後処理室と前記カ
セット室とをゲートバルブを介して連通すると共に，少
なくとも１つの前記被処理体の位置決め装置と少なくと
も１つの前記被処理体の搬送装置とを備えた共通移載室
と；を備えたマルチチャンバ式処理装置において，処理
中に停止した前記処理装置内の前記被処理体を回収する
にあたり：前記搬送装置が前記被処理体を保持している
場合には，前記処理装置の停止前に記憶された前記被処
理体の行先データを確認する工程と；前記行先データが
前記カセット室又は前記位置決め装置である場合には，
前記被処理体を前記カセット室に回収する工程と；から
成ることを特徴とする，被処理体の回収方法。 - 【請求項６】 さらに，前記処理室内と前記後処理室内
との前記被処理体の存在の有無を確認する工程と；前記
後処理室内に前記被処理体が存在する場合には，前記後
処理室内の前記被処理体に対して前記後処理を施した
後，前記被処理体の搬送先情報に従い，前記被処理体を
前記後処理室内から前記カセット室に搬送する工程と；
前記搬送先が前記後処理室と規定されている前記処理室
内に前記被処理体が存在する場合には，前記被処理体を
前記処理室内から前記後処理室内に搬送し，前記被処理
体に対して前記後処理を施した後，前記被処理体を前記
後処理室内から前記カセット室に搬送する工程と；前記
搬送先が前記カセット室と規定されている前記処理室内
に前記被処理体が存在する場合には，前記被処理体を前
記処理室内から前記カセット室に搬送する工程と；から
成ることを特徴とする，請求項５に記載の被処理体の回
収方法。 - 【請求項７】 被処理体に対して所定の処理を実施する
少なくとも１つの処理室と；前記処理後に必要な後処理
を実施する少なくとも１つの後処理室と；少なくとも１
つのカセット室と；前記処理室と前記後処理室と前記カ
セット室とをゲートバルブを介して連通すると共に，少
なくとも１つの前記被処理体の位置決め装置と少なくと
も１つの前記被処理体の搬送装置とを備えた共通移載室
と；を備えたマルチチャンバ式処理装置において，処理
中に停止した前記処理装置内の前記被処理体を回収する
にあたり：前記搬送装置が前記被処理体を保持していな
い場合には，前記処理室内と前記後処理室内との前記被
処理体の存在の有無を確認する工程と；前記後処理室内
に前記被処理体が存在する場合には，前記後処理室内の
前記被処理体に対して前記後処理を施した後，前記被処
理体の搬送先情報に従い，前記被処理体を前記後処理室
内から前記カセット室に搬送する工程と；前記搬送先が
前記後処理室と規定されている前記処理室内に前記被処
理体が存在する場合には，前記被処理体を前記処理室内
から前記後処理室内に搬送し，前記被処理体に対して前
記後処理を施した後，前記被処理体を前記後処理室内か
ら前記カセット室に搬送する工程と；前記搬送先が前記
カセット室と規定されている前記処理室内に前記被処理
体が存在する場合には，前記被処理体を前記処理室内か
ら前記カセット室に搬送する工程と；から成ることを特
徴とする，被処理体の回収方法。 - 【請求項８】 さらに，前記処理装置の停止時から再起
動時までの経過時間を確認する工程と；予め設定された
所定時間よりも前記経過時間が長い場合には，後処理が
必要な前記被処理体も前記後処理室内を介さずに前記カ
セット室に回収する工程と；から成ることを特徴とす
る，請求項１，３，４，５，６又は７のいずれかに記載
の被処理体の回収方法。 - 【請求項９】 さらに，前記被処理体を前記処理室から
前記後処理室に搬送する前に，前記被処理体を保持して
いない前記搬送装置により，前記後処理室に処理中の前
記被処理体が存在していないことを確認する工程から成
ることを特徴とする，請求項４，６又は７のいずれかに
記載の被処理体の回収方法。 - 【請求項１０】 前記被処理体は，前記カセット室のカ
セットの元スロットに回収されることを特徴とする，請
求項１，３，４，５，６，７又は８のいずれかに記載の
被処理体の回収方法。 - 【請求項１１】 前記被処理体は，前記カセット室のカ
セットの空スロットに回収されることを特徴とする，請
求項１，３，４，５，６，７又は８のいずれかに記載の
被処理体の回収方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18173197A JP3936030B2 (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | 被処理体の回収方法 |
| US09/099,784 US6162010A (en) | 1997-06-23 | 1998-06-19 | Method for recovering object to be treated after interruption |
| TW087109993A TW375764B (en) | 1997-06-23 | 1998-06-22 | Method for recovering object to be treated |
| KR10-1998-0023602A KR100376206B1 (ko) | 1997-06-23 | 1998-06-23 | 피처리체의회수방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18173197A JP3936030B2 (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | 被処理体の回収方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1116986A true JPH1116986A (ja) | 1999-01-22 |
| JP3936030B2 JP3936030B2 (ja) | 2007-06-27 |
Family
ID=16105908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18173197A Expired - Fee Related JP3936030B2 (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | 被処理体の回収方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6162010A (ja) |
| JP (1) | JP3936030B2 (ja) |
| KR (1) | KR100376206B1 (ja) |
| TW (1) | TW375764B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006203145A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置の復旧処理方法，基板処理装置，プログラム |
| JP2009071326A (ja) * | 2008-11-28 | 2009-04-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板検出方法及び半導体製造装置に於ける基板検出方法及び半導体製造装置及び半導体製造装置に於ける基板回収方法 |
| JP2011091415A (ja) * | 2010-12-02 | 2011-05-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板検出方法及び半導体製造装置に於ける基板検出方法及び半導体製造装置及び半導体製造装置に於ける基板回収方法 |
| US7960187B2 (en) | 2005-01-24 | 2011-06-14 | Tokyo Electron Limited | Recovery processing method to be adopted in substrate processing apparatus, substrate processing apparatus and program |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6405094B1 (en) * | 1998-07-10 | 2002-06-11 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method of collecting substrates abnormally processed or processed previous to ordinary processing |
| US6413037B1 (en) * | 2000-03-14 | 2002-07-02 | Applied Materials, Inc. | Flexibly mounted contact cup |
| US7095511B2 (en) * | 2000-07-06 | 2006-08-22 | Filmetrics, Inc. | Method and apparatus for high-speed thickness mapping of patterned thin films |
| JP4471487B2 (ja) * | 2000-11-24 | 2010-06-02 | 株式会社アルバック | 真空処理装置、真空処理方法 |
| US6999164B2 (en) * | 2001-04-26 | 2006-02-14 | Tokyo Electron Limited | Measurement system cluster |
| US7089075B2 (en) * | 2001-05-04 | 2006-08-08 | Tokyo Electron Limited | Systems and methods for metrology recipe and model generation |
| US6732006B2 (en) * | 2002-02-06 | 2004-05-04 | Asm International Nv | Method and system to process semiconductor wafers |
| US20060045668A1 (en) * | 2004-07-19 | 2006-03-02 | Grabowski Al W | System for handling of wafers within a process tool |
| US7368368B2 (en) * | 2004-08-18 | 2008-05-06 | Cree, Inc. | Multi-chamber MOCVD growth apparatus for high performance/high throughput |
| JP5491022B2 (ja) * | 2008-12-10 | 2014-05-14 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理装置の制御方法および基板処理装置の表示方法 |
| KR102168381B1 (ko) * | 2018-06-07 | 2020-10-21 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
| TWI828245B (zh) * | 2021-11-19 | 2024-01-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於減少基板冷卻時間的設備及方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59175740A (ja) * | 1983-03-25 | 1984-10-04 | Telmec Co Ltd | ウエハ検出装置 |
| JPS61267623A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-27 | Canon Inc | ウエハ搬送装置 |
| JPH0480939A (ja) * | 1990-07-24 | 1992-03-13 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JPH04127555A (ja) * | 1990-09-19 | 1992-04-28 | Hitachi Ltd | 試料搬送装置 |
| JPH0521307A (ja) * | 1991-07-16 | 1993-01-29 | Canon Inc | 半導体露光装置 |
| JP2598353B2 (ja) * | 1991-12-04 | 1997-04-09 | アネルバ株式会社 | 基板処理装置、基板搬送装置及び基板交換方法 |
| US5766360A (en) * | 1992-03-27 | 1998-06-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JPH065688A (ja) * | 1992-06-23 | 1994-01-14 | Sony Corp | マルチチャンバプロセス装置 |
| JP2723764B2 (ja) * | 1992-09-01 | 1998-03-09 | 株式会社日立製作所 | 半導体製造装置の停電処理装置 |
| US5516732A (en) * | 1992-12-04 | 1996-05-14 | Sony Corporation | Wafer processing machine vacuum front end method and apparatus |
| KR100261532B1 (ko) * | 1993-03-14 | 2000-07-15 | 야마시타 히데나리 | 피처리체 반송장치를 가지는 멀티챔버 시스템 |
| KR100267617B1 (ko) * | 1993-04-23 | 2000-10-16 | 히가시 데쓰로 | 진공처리장치 및 진공처리방법 |
| TW315504B (ja) * | 1995-03-20 | 1997-09-11 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| US5820692A (en) * | 1996-01-16 | 1998-10-13 | Fsi Interntional | Vacuum compatible water vapor and rinse process module |
| US5900105A (en) * | 1996-07-09 | 1999-05-04 | Gamma Precision Technology, Inc. | Wafer transfer system and method of using the same |
-
1997
- 1997-06-23 JP JP18173197A patent/JP3936030B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-06-19 US US09/099,784 patent/US6162010A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-22 TW TW087109993A patent/TW375764B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-06-23 KR KR10-1998-0023602A patent/KR100376206B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006203145A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置の復旧処理方法，基板処理装置，プログラム |
| JP4569956B2 (ja) * | 2005-01-24 | 2010-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置の復旧処理方法，基板処理装置，プログラム |
| US7960187B2 (en) | 2005-01-24 | 2011-06-14 | Tokyo Electron Limited | Recovery processing method to be adopted in substrate processing apparatus, substrate processing apparatus and program |
| JP2009071326A (ja) * | 2008-11-28 | 2009-04-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板検出方法及び半導体製造装置に於ける基板検出方法及び半導体製造装置及び半導体製造装置に於ける基板回収方法 |
| JP4669544B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2011-04-13 | 株式会社日立国際電気 | 基板検出方法及び半導体製造装置に於ける基板検出方法及び半導体製造装置及び半導体製造装置に於ける基板回収方法 |
| JP2011091415A (ja) * | 2010-12-02 | 2011-05-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板検出方法及び半導体製造装置に於ける基板検出方法及び半導体製造装置及び半導体製造装置に於ける基板回収方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6162010A (en) | 2000-12-19 |
| KR19990007230A (ko) | 1999-01-25 |
| TW375764B (en) | 1999-12-01 |
| KR100376206B1 (ko) | 2003-06-09 |
| JP3936030B2 (ja) | 2007-06-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH1116986A (ja) | 被処理体の回収方法 | |
| US7840299B2 (en) | Substrate collection method and substrate treatment apparatus | |
| JP3218425B2 (ja) | 処理方法及び処理装置 | |
| JP2002246447A (ja) | 被処理体の位置ずれ検出装置、処理システム及び位置ずれ検出方法 | |
| JPH07312388A (ja) | 処理されたウエハを製造するためのウエハ移動アーキテクチュア | |
| KR101131655B1 (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
| US20060011296A1 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer program | |
| JPH11195695A (ja) | 電子デバイス製造装置 | |
| JP3869499B2 (ja) | 基板処理方法 | |
| JPH1050794A (ja) | 基板処理装置および方法 | |
| JP4172553B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2002329770A (ja) | 基板検出装置、基板処理装置及びその運転方法。 | |
| KR20050045339A (ko) | 웨이퍼 이송장치 | |
| JP2003100586A (ja) | 基板処理装置、基板処理システム、基板処理プログラムおよびジョブデータのデータ構造 | |
| KR102241606B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
| JPH06104248A (ja) | 熱処理装置 | |
| CN219738919U (zh) | 一种快速热处理半导体加工机台及半导体加工系统 | |
| KR100495419B1 (ko) | 반도체제조장치 | |
| JP2000252335A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2001358208A (ja) | ウェハ処理装置、そのウェハ位置ずれ検出装置およびウェハ位置ずれ検出方法 | |
| JP3653418B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JPH01217938A (ja) | ウエハキャリアの自動搬送スシテム | |
| JP4549942B2 (ja) | 基板処理装置，基板処理方法及びコンピュータプログラム | |
| JPH0414733A (ja) | 表面処理装置 | |
| JPH0610680Y2 (ja) | インライン式成膜装置の搬送機構 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040604 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070307 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070313 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070322 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100330 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130330 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |