KR101131655B1 - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 Download PDF

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Abstract

열처리 모듈에서 웨이퍼에 대해 복수회의 열처리를 실행함에 있어서, 지지 부재의 지지에 기인한 웨이퍼의 손상을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 기판 처리 장치는 반도체 웨이퍼의 처리 레시피에 있어서의 처리 조건과 반도체 웨이퍼의 방향을 대응지어 설정하기 위한 레시피 설정부를 갖는다. 이 레시피 설정부를 거쳐서 반도체 웨이퍼의 방향을 설정하고, 위치 맞춤 모듈에 있어서 설정한 방향으로 되도록 반도체 웨이퍼의 방향을 맞출 수 있다. 이와 같은 구성에 의하면, 열처리 모듈에서 실행되는 열처리마다, 반도체 웨이퍼의 이면 중의 지지 부재에 의해서 지지되는 부위를 변화시킬 수 있다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS, SUBSTRATE TREATMENT METHOD AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은 위치 맞춤 모듈에서 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 함)의 방향을 맞춘 후, 그 웨이퍼에 대해 열처리를 실행하는 기술분야에 관한 것이다．
반도체 제조 공장에 있어서는 웨이퍼에 대해 낱장으로 진공 처리를 실행하는 복수의 처리 모듈을 구비한 멀티 챔버 시스템 등으로 불리고 있는 반도체 제조 장치가 사용되고 있다. 이 반도체 제조 장치는 전형적으로는 웨이퍼 캐리어의 탑재부와, 탑재부와 접속한 대기 반송실과, 로드록실을 거쳐서 대기 반송실에 접속한 진공 반송실과, 진공 반송실에 접속한 복수의 처리 모듈을 갖고 있다. 이와 같은 반도체 제조 장치는 예를 들면 플라즈마 처리의 후에 감압 어닐 처리를 실행하는 등, 웨이퍼에 관한 연속 처리를 고스루풋으로 실행하는 것 등에 적합하다.
그리고, 멀티 챔버 시스템에 있어서의 플라즈마 처리나 어닐 처리 등의 프로세스 실시시에는 웨이퍼 표면의 처리의 상태를 정확하게 평가하기 위해, 웨이퍼의 둘레가장자리부에 형성된 노치 혹은 오리엔테이션 플랫의 방향(위치)이 항상 일정 하게 되도록 챔버의 각 모듈내에 탑재된다. 그 때문에, 반도체 제조 장치에서는 예를 들면 대기 반송실에 웨이퍼의 방향 및 중심의 위치를 맞추기 위한 위치 맞춤 모듈이 마련되어 있다. 이 위치 맞춤 모듈에 있어서의 웨이퍼의 방향에 관한 파라미터는 프로세스 그 자체에는 관여하지 않기 때문에, 미리 메이커(제조회사)측에서 설정되고, 고정된 값으로 되어 있다. 따라서, 챔버내에서 처리를 실행하는 웨이퍼의 프로세스 수순(프로세스 레시피)의 설정 항목에는 웨이퍼의 방향에 관한 파라미터는 포함되어 있지 않다.
또한, 상술한 바와 같이 멀티 챔버 시스템에 열처리 모듈 및 플라즈마 처리 모듈이 포함되어 있는 경우, 열처리 모듈은 예를 들면, 플라즈마 처리했을 때의 웨이퍼 표면의 데미지를 회복하기 위해 해당 웨이퍼를 어닐 처리하기 위해 사용된다(예를 들면, 일본 특허공개공보 제2006-156995의 청구항 1, 단락 0029 및 단락 0030 참조). 이 열처리 모듈에서는 웨이퍼는 3개의 지지 핀에 의해서 지지된다. 그리고, 상술한 바와 같이, 진공 반송실내에 반송되는 웨이퍼의 방향은 항상 일정하게 유지되어 있기 때문에, 열처리 모듈로 반송된 웨이퍼는 항상 일정한 방향을 향한 상태에서, 지지 핀에 지지되게 된다.
또한, 반도체 디바이스의 종류나 웨이퍼의 검사의 운용 등에 따라서는 멀티 챔버 시스템으로부터 반출된 웨이퍼를 재차 해당 시스템으로 되돌리고, 열처리 모듈에서 어닐 처리를 실행하는 경우가 있다.
어닐 처리에서는 웨이퍼 지지 핀에 지지된 상태에서 가열되지만, 웨이퍼(W)에의 입열이 지지 핀을 타고 달아나기 때문에, 웨이퍼(W)와 지지 핀의 접촉 부위에 있어서 온도가 국소적으로 낮아지고, 해당 부위에 슬립이라 불리는 Si의 결정 결함이 발생하는 경우가 있다. 어닐 처리가 1회이면, 통상, 슬립이 발생했다고 해도 그 정도는 제품 양품률에는 문제없는 레벨이다. 그러나, 2회째의 어닐 처리를 실행하는 경우, 열처리 모듈에 반송되는 웨이퍼의 방향이 항상 일정하기 때문에, 지지 핀에 의해 웨이퍼의 이면을 지지하는 위치가 제１회째와 중첩되어 버린다. 그 결과, 1회째의 어닐 처리 및 2회째의 어닐 처리에서 열 스트레스가 동일한 부위에 가해져 슬립이 발생해 버린다. 또는 1회째에서 발생한 슬립의 정도가 커져 버린다. 결과적으로, 제품 양품률의 저하의 요인이 된다고 하는 문제가 발생한다.
본 발명은 이와 같은 사정을 감안해서 이루어진 것으로서, 그 목적은 열처리 모듈에서 웨이퍼에 대해 복수회의 열처리를 실행함에 있어서, 지지 부재의 지지에 기인한 웨이퍼의 손상을 방지할 수 있는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체를 제공하는 것에 있다.
본 발명에 의한 기판 처리 장치는 반도체 웨이퍼를 이면으로부터 국소적으로 지지하는 지지 부재를 갖고, 지지한 반도체 웨이퍼에 대해 열처리를 실행하는 열처리 모듈과, 반도체 웨이퍼의 처리 레시피에 있어서의 처리 조건과 반도체 웨이퍼의 방향을 대응지어 설정할 수 있도록 구성된 레시피 설정부와, 상기 레시피 설정부와 접속되고, 상기 레시피 설정부에서 설정된 방향으로 되도록 반도체 웨이퍼의 방향을 맞추는 위치 맞춤 모듈과, 복수개의 반도체 웨이퍼가 수납된 캐리어가 반입되도록 구성된 반입 포트와, 상기 반입 포트에 반입된 캐리어로부터 꺼낸 반도체 웨이퍼를 위치 맞춤 모듈에 반송하도록 구성된 반송 기구를 구비하고, 상기 반송 기구는 또한 열처리 모듈을 향해 반송하기 위해, 위치 맞춤 모듈로부터 반도체 웨이퍼를 꺼내도록 이루어져 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 레시피 설정부는 웨이퍼(W)의 반송 경로 등의 처리 조건을 설정하는 및 설정 내용을 표시하는 입력 수단겸 표시 수단으로서의 레시피 설정 화면을 갖도록 해도 좋다. 이와 같은 본 발명에 의한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 레시피 설정 화면은 상기 처리 조건 이외의 처리 레시피의 부대 정보의 입력 및 표시를 가능하게 하는 부대 정보란을 포함하고, 상기 부대 정보란을 거쳐서, 상기 반도체 웨이퍼의 방향이 입력 가능하도록 해도 좋다.
또한, 본 발명에 의한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 반입 포트가 반송실과 접속되고, 상기 반송실에는 상기 열처리 모듈과 플라즈마 처리 모듈이 접속되어 있도록 해도 좋다.
본 발명에 의한 기판 처리 방법은 반입 포트에 반입된 캐리어로부터 반도체 웨이퍼를 꺼내고, 위치 맞춤 모듈에 반송하는 공정(a)과, 상기 위치 맞춤 모듈에서 상기 반도체 웨이퍼의 방향을 제 1 각도에 맞추는 공정(b)과, 다음에, 상기 반도체 웨이퍼를 열처리 모듈에 반입하여, 복수의 지지 부재에 의해 상기 반도체 웨이퍼를 이면으로부터 국소적으로 지지하고, 상기 반도체 웨이퍼에 대해 열처리를 실행하는 공정(c)과, 그 후, 상기 위치 맞춤 모듈에서 상기 반도체 웨이퍼의 방향을 제 1 각도와는 다른 제 2 각도에 맞추는 공정(d)과, 그 후, 상기 반도체 웨이퍼를 상기 열처리 모듈과 동일한 모듈에 반입하여, 복수의 지지 부재에 의해 반도체 웨이퍼를 이면으로부터 국소적으로 지지하고, 이 반도체 웨이퍼에 대해 열처리를 실행하는 공정(e)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 기판 처리 방법에 있어서, 상기 위치 맞춤 모듈로부터 상기 열처리 모듈로의 상기 반도체 웨이퍼의 반송은 반송실을 거쳐서 실행되고, 처리 방법이, 상기 공정(b)과 상기 공정(d)의 사이에, 상기 반송실에 접속된 플라즈마 처리 모듈에서 상기 반도체 웨이퍼를 플라즈마 처리하는 공정을 더 포함하도록 해도 좋다.
또한, 본 발명에 의한 기판 처리 방법이, 상기 반입 포트로부터 상기 반도체 웨이퍼를 일단 반출하는 공정(c1)과, 그 후, 캐리어에 수납된 해당 반도체 웨이퍼를 해당 반입 포트에 재차 반입하는 공정(c2)을 상기 공정(c)과 상기 공정(d)의 사이에 더 포함하도록 해도 좋다. 이와 같은 본 발명에 의한 기판 처리 방법이, 상기 위치 맞춤 모듈에 의해서 조절되어야 할 상기 반도체 웨이퍼의 방향을 레시피 설정부를 이용하여 미리 설정하는 공정을, 상기 공정(c1)과 상기 공정(c2)의 사이에 더 포함하도록 해도 좋다.
본 발명에 의한 기록 매체는 반도체 웨이퍼의 위치 맞춤을 실행하는 위치 맞춤 모듈과, 위치 맞춤된 반도체 웨이퍼에 대해 열처리를 실행하는 열처리 모듈을 갖는 기판 처리 장치를 제어하는 제어 장치에 의해서 실행되는 프로그램이 기록된 기록 매체로서, 상기 프로그램이 상기 제어 장치에 의해서 실행되는 것에 의해, 반입 포트에 반입된 캐리어로부터 반도체 웨이퍼를 꺼내고, 위치 맞춤 모듈에 반송하는 공정(a)과, 상기 위치 맞춤 모듈에서 상기 반도체 웨이퍼의 방향을 제 1 각도에 맞추는 공정(b)과, 다음에, 상기 반도체 웨이퍼를 열처리 모듈에 반입하여, 복수의 지지 부재에 의해 상기 반도체 웨이퍼를 이면으로부터 국소적으로 지지하고, 상기 반도체 웨이퍼에 대해 열처리를 실행하는 공정(c)과, 그 후, 상기 위치 맞춤 모듈에서 상기 반도체 웨이퍼의 방향을 제 1 각도와는 다른 제 2 각도에 맞추는 공정(d)과, 그 후, 상기 반도체 웨이퍼를 상기 열처리 모듈과 동일한 모듈에 반입하여, 복수의 지지 부재에 의해 반도체 웨이퍼를 이면으로부터 국소적으로 지지하고, 이 반도체 웨이퍼에 대해 열처리를 실행하는 공정(e)을 포함하는 반도체 웨이퍼의 처리 방법을 기판 처리 장치에 실시시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 레시피 설정부에서 설정한 방향으로 되도록, 위치 맞춤 모듈에서 반도체 웨이퍼의 방향을 맞출 수 있다. 따라서, 열처리 모듈에서 실행되는 열처리마다 반도체 웨이퍼의 이면 중의 지지 부재에 의해서 지지되는 부위를 다르게 할 수 있다. 이와 같이, 지지 부위와 지지되지 않는 부위의 온도차에 의거하는 스트레스가 반도체 웨이퍼상의 동일 개소에 중복해서 가해지지 않도록 할 수 있으므로, 슬립의 발생을 방지할 수 있고 또한, 슬립이 발생했다고 해도 그 정도를 작게 할 수 있다. 이것에 의해, 제품의 양품률 저하를 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 1실시형태에 관한 반도체 제조 장치를 나타내는 횡단면도.
도 2는 도 1의 반도체 제조 장치에 이용될 수 있는 위치 맞춤 모듈의 일예를 나타내는 종단 측면도.
도 3은 도 1의 반도체 제조 장치에 이용되는 열처리 모듈의 일예를 나타내는 종단 측면도.
도 4는 도 3의 열처리 모듈에 마련된 탑재대를 나타내는 개략 사시도.
도 5는 도 1의 반도체 제조 장치에 마련될 수 있는 제어 장치를 나타내는 블럭도.
도 6은 도 5의 제어 장치에 마련된 레시피 설정부의 레시피 설정 화면을 나타내는 도면.
도 7은 노치의 기준 방향을 설명하기 위한 도면.
도 8은 도 1의 반도체 제조 장치의 작용을 설명하기 위한 도면.
도 9는 도 1의 반도체 제조 장치의 작용을 설명하기 위한 도면.
도 10a는 1회째의 어닐 처리에 있어서의 지지 핀의 위치와 노치의 방향의 관계를 설명하기 위한 도면.
도 10b는 2회째의 어닐 처리에 있어서의 지지 핀의 위치와 노치의 방향의 관계를 설명하기 위한 도면.
본 발명의 일실시형태에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명의 일실시형태에 관한 기판 처리 장치인 반도체 제조 장치의 일예를 나타내는 횡단면도이다. 도 1에 있어서, 10’은 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 함)(W)를 1개씩 반송해서 소정의 처리를 실시하는 낱장식의 반도체 제조 장치이다. 이 반도체 제조 장치(10)는 예를 들면 2대의 플라즈마 처리 모듈(20a, 20b)과, 2대의 열처리 모듈(30a, 30b)을 구비하고 있다. 이들 플라즈마 처리 모듈(20a, 20b) 및 열처리 모듈(30a, 30b)은 횡단면 형상이 6각형을 이루는 진공 반송실(11)의 4개의 변에 각각 기밀하게 접속되어 있다. 또, 플라즈마 처리 모듈(20a, 20b) 및 열처리 모듈(30a, 30b)을 각각 1대로 하고, 그 밖에 다른 처리 모듈을 짜 넣도록 해도 좋다.
진공 반송실(11)의 2개의 변에는 각각, 로드록실(12a, 12b)이 기밀하게 접속되어 있다. 이들 로드록실(12a, 12b)의 진공 반송실(11)과는 반대측에, 횡방향으로 장척의 상자형상을 이룬 대기 반송실(13)이 마련되어 있다. 이 대기 반송실(13)의 로드록실(12a, 12b)과는 반대측에, 복수개의 웨이퍼(W) 예를 들면 25개의 웨이퍼(W)를 수납 가능한 3개의 FOUP(캐리어)(9)가 부착되도록 구성된 반입 포트(15a, 15b, 15c)가 마련되어 있다. 또, 도 1중의 G는 게이트 밸브이다.
즉, 진공 반송실(11), 로드록실(12a, 12b) 및 대기 반송실(13)에 의해서, 반입 포트(15a, 15b, 15c)에 접속된 반송실이 구성되고, 이 반송실에, 플라즈마 처리 모듈(20a, 20b) 및 열처리 모듈(30a, 30b)이 접속되어 있다.
진공 반송실(11)에는 플라즈마 처리 모듈(20a, 20b), 열처리 모듈(30a, 30b) 및 로드록실(12a, 12b)에 대해 웨이퍼(W)의 반입 반출을 실행하는 반송 수단인 반송 아암 기구(50)가 마련되어 있다. 이 반송 아암 기구(50)는 진공 반송실(11)의 대략 중앙에 배치되어 있다. 반송 아암 기구(50)는 회전 가능한 동시에 신축 가능 한 회전?신축부(51)의 선단에, 웨이퍼(W)의 하면 둘레가장자리부를 지지하는 2개의 포크 형상의 아암(52a, 52b)을 갖고 있다. 이들 2개의 아암(52a, 52b)은 서로 반대 방향을 향하도록 회전?신축부(51)에 부착되어 있다.
FOUP(9)가 부착되게 되는 대기 반송실(13)의 3개의 반입 포트(15a, 15b, 15c)에는 각각 셔터(ST)가 마련되어 있다. 웨이퍼(W)를 수납한 FOUP(9)가 반입 포트(15a, 15b, 15c)에 부착되었을 때에는 상기 셔터(ST)를 열어, 대기 반송실(13)내에의 외기의 침입을 방지하면서, 대기 반송실(13)과 FOUP(9)가 연통하는 것을 가능하게 한다. 즉, 반입 포트(15a, 15b, 15c)는 셔터(ST)를 거쳐서, 상기 반송실에 직접 접속되어 있다.
또한, 대기 반송실(13)에는 FOUP(9)에 대한 웨이퍼(W)의 반입 반출 및 로드록실(12a, 12b)에 대한 웨이퍼(W)의 반입 반출을 실행하는 반송 수단인 반송 아암 기구(90)가 마련되어 있다. 이 반송 아암 기구(90)는 다관절 아암 구조를 갖고 있으며, FOUP(9)의 배열을 따라 레일(91)상을 주행 가능하게 되어 있다. 또, 상기 대기 반송실(13)의 측면에는 웨이퍼(W)의 방향(회전 방향에 있어서의 위치) 및 중심의 위치를 맞추기 위한 위치 맞춤 모듈(40)이 마련되어 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 위치 맞춤 모듈(40)은 편평한 대략 상자형상의 용기(41)를 갖고 있다. 용기(41)는 대기 반송실(13)의 측벽에 부착되어 있다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 용기(41)는 칸막이판(44)에 의해서 상부실(42)과 하부실(43)로 구획되어 있다. 용기(41)의 상부실(42)측의 측벽에는 대기 반송실(13)과의 사이에서 반송 아암 기구(90)를 이용한 웨이퍼(W)의 수수를 실행하기 위한 반입출구(41a)가 마련되어 있다. 상부실(42)내에는 웨이퍼(W)를 탑재하기 위한 탑재대(45)가 마련되어 있다. 탑재대(45)는 하부실(43)측에 마련된 회전 구동 기구(47)에 샤프트(46)를 거쳐서 접속되어 있다. 탑재대(45)는 회전 구동 기구(47)에 의해서 구동되고, 연직축에 평행한 축선을 중심으로 해서 회전 가능하게 되어 있다.
용기(41)내에는 탑재대(45)상에 탑재된 웨이퍼(W)의 둘레가장자리의 위치를 검출하기 위한 검출 기구(48)가 마련되어 있다. 이 검출 기구(48)는 하부실(43)측에 마련된 예를 들면 LED 등으로 이루어지는 발광부(48b)와, 상부실(42)측에 마련된 예를 들면 CCD센서 등으로 이루어지는 수광부(48a)를 갖고 있다. 발광부(48b)로부터 방출된 광은 칸막이판(44)에 형성된 구멍부(44a)를 거쳐, 수광부(48a)에 입사할 수 있도록 되어 있다.
수광부(48a)는 입사된 광의 광량을 나타내는 신호(검출 데이터)를 후술하는 제어 장치(7)에 출력하도록 구성되어 있다. 그리고, 제어 장치(7)는 회전 구동 기구(47)에 의해서 웨이퍼(W)를 대략 1주 회전시키고, 그 동안에 수광부(48a)에 입사하는 광량의 변화에 의거하여, 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부에 형성된 노치의 위치를 산출한다. 또한, 제어 장치(7)는 후술하는 바와 같이 해당 노치의 방향이 기준 방향을 향하도록 탑재대(45)를 회전시키고, 그 후, 부대 정보 기재란(부대 정보란)(84)에 입력되어 있는 노치 각도에 의거하여 탑재대(45)를 회전시키는 제어 동작을 실행한다.
또한, 위치 맞춤 모듈(40)은 웨이퍼(W)의 둘레가장자리의 검출 데이터에 의거하여 웨이퍼(W)의 중심위치를 산출하고, 탑재대(45)의 회전중심으로부터의 위치 어긋남량을 산출하도록 구성되어 있다. 또한, 이 위치 어긋남량에 의거하여 반송 아암 기구(90)에 의한 웨이퍼(W)의 수취 위치를 보정하여, 반송 아암 기구(90)의 소정의 위치에 웨이퍼(W)가 탑재되도록 되어 있다.
다음에, 열처리 모듈(30a, 30b)에 대해, 도 3 및 도 4를 참조하면서 설명한다. 본 실시형태에 있어서, 각종 열처리 모듈을 사용할 수 있지만, 이하에 있어서는 램프 어닐 방식의 열처리 모듈(30a, 30b)을 이용한 예를 설명한다. 이 열처리 모듈(30a, 30b)은 처리용기(31)의 내부 위쪽을 수평으로 횡단하는 투명한 석영 유리판(32)을 갖고 있다. 덮개부(33)와 석영 유리판(32)의 사이의 공간에는 가열원으로서 예를 들면 램프(34)가 배치되어 있다. 램프(34)는 도시하지 않은 전원으로부터의 전력 공급에 의해서 작동하고, 처리용기(31)내의 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 가열하도록 되어 있다.
처리용기(31)의 바닥부의 둘레가장자리측은 링형상의 홈부(35)로서 형성되어 있다. 이 홈부(35)의 내에는 내측 회전체(36)가 마련되어 있다. 이 내측 회전체(36)는 홈부(35)의 내벽에 축받이부(37)를 거쳐서 지지되고, 연직축에 평행한 축선을 중심으로 해서 회전 가능하게 되어 있다. 내측 회전체(36)의 상단부에는 링형상의 탑재대(38)가 마련되어 있다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 이 탑재대(38)의 표면부(38a)에는 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부에 아래측으로부터 국소적으로 접촉하여, 해당 웨이퍼(W)를 지지하는 지지 부재(60a, 60b, 60c)가 마련되어 있다. 도시하는 예에 있어서, 지지 부재는 3개의 핀(60a, 60b, 60c)으로서 구성되어 있다. 3개의 핀(60a, 60b, 60c)은 소정의 간격을 두도록 하여, 동일한 원주상에 배열되어 있다. 이 탑재대(38)는 내측 회전체(36)와 일체로 되어 회전하도록 되어 있다.
처리용기(31)의 중앙 저면부는 유리 플레이트(39)로 구성되어 있다. 이 유리 플레이트(39)에는 홈부(35)를 형성하는 하우징(61)이 연결되어 있다. 하우징(61)의 외측에는 외측 회전체(63)가 축받이부(62)를 거쳐서 지지되어 있다. 외측 회전체(63)는 연직축에 평행한 축선을 중심으로 해서 회전 가능하게 되어 있다. 내측 회전체(36) 및 외측 회전체(63)에는 각각 자극부(64, 65)가 마련되어 있고, 이들 자극부(64, 65)는 서로 자기 커플링을 구성하고 있다.
외측 회전체(63)는 스테핑 모터(67)의 구동에 의해서 회전되도록 구성되어 있다. 또한, 외측 회전체(63)가 회전하면, 내측 회전체(36)가 자기에 의해서 외측 회전체(63)와 연동해서 회전하도록 되어 있다. 처리용기(31)의 측벽에는 도시하지 않은 배기구가 형성되어 있다. 이 배기구를 거쳐서 진공 배기 수단에 의해 처리용기(31)내를 소정의 진공 분위기로 유지할 수 있도록 되어 있다. 처리용기(31)의 측벽에는 웨이퍼(W)의 반입 반출용의 개구부(68)가 형성되어 있다. 이 개구부(68)를 덮도록 해서 게이트밸브(G)가 마련되어 있다. 처리용기(31)의 측벽에 있어서의 석영 유리판(32)의 아래쪽에는 가스 공급구(69)가 마련되어 있다. 이 가스 공급구(69)를 거쳐서 처리용기(31)내에 처리 가스인 질소 가스 및 산소 가스가 공급되도록 되어 있다.
반도체 제조 장치(10)는 제어 장치(7)를 더 구비하고 있다. 이 장치(7)에 대해, 도 5를 참조하면서 설명한다. 도 5 중의 ‘70’은 버스이며, 이 버스(70)에는 반도체 제조 장치(10)에 있어서의 열처리 모듈(30a, 30b) 등의 처리계(80) 및 반송 아암 기구(50) 등의 반송계(81)에 대해 제어 신호를 보내기 위한 신호 라인이 접속되어 있다. 또한, 이 버스(70)에는 레시피 설정부(71), 위치 맞춤 모듈(40), CPU(74) 및 기억부(72) 및 기억 매체(75) 등이 접속되어 있다. 기억매체(72) 및/또는 기억부(75)에는 처리 프로그램(73) 및 레시피가 저장된다. 도 5에 있어서는 이들을 기능적으로 표현하기 위해 블럭화해서 나타내고 있다.
레시피 설정부(71)는 웨이퍼(W)의 처리 레시피에 있어서의 처리 조건 예를 들면 프로세스 압력, 프로세스 온도, 가스 유량, 처리 시간 및 웨이퍼(W)의 반송 경로 등의 처리 조건을 설정하기 위한 레시피 설정 화면(레시피 설정용 인터페이스)(82)을 구비하고 있다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 레시피 설정 화면(82)은 소프트 스위치를 포함하는 터치 패널 등으로 이루어져 있다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 레시피 설정 화면(82)에는 레시피명 기재란(레시피란)(83) 및 부대 정보 기재란(부대 정보란)(84)이 마련되어 있다. 레시피명 기재란(83)에는 선택한 레시피의 형식번호가 기재되고, 부대 정보 기재란(84)에는 부대 정보, 예를 들면 레시피의 처리내용이나 용도 등이 기재된다. 또 부대 정보 기재란(84)은 그 판면이 수평 방향을 따르도록 해서 지지된 웨이퍼(W)의 방향, 더욱 구체적으로는 웨이퍼(W)에 형성된 노치가 향하는 방향을 설정하기 위한 설정 각도의 입력을 접수하는 기능을 갖고 있다.
부대 정보 기재란(84)을 거쳐서 예를 들면 0～360도의 범위에서 노치 각도를 입력하면, 위치 맞춤 모듈(40)에 있어서 노치의 방향이 기준 방향으로부터 설정된 각도분만큼 회전한 위치에서 정지(靜止)하도록 컨트롤된다. 이 기준 방향은 예를 들면 도 7에 나타내는 바와 같이 회전 스테이지의 회전 중심으로부터 반입출구(41a)의 중심을 향하는 방향이며, 도 7에는 이 방향을 특정하는 기준선(P)가 기재되어 있다. 즉, 본 예에 있어서, 웨이퍼(W)의 방향은 수평자세로 유지된 웨이퍼(W)가, 해당 웨이퍼(W)의 노치가 기준선(P)상에 있는 위치로부터, 웨이퍼(W)의 중심을 통과하는 동시에 웨이퍼(W)의 판면에 수직인 회전 축선을 중심으로 하고, 어느 정도의 각도(회전 각도)만큼 회전했는지에 의해 특정된다.
상술한 바와 같이, 위치 맞춤 모듈(40)은 수광부(48a)로부터 보내져오는 검출 데이터에 의거하여, 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부에 형성된 노치의 위치를 산출하는 기능을 갖고 있다. 처리 프로그램(73)은 후술하는 도 8 및 도 9에 나타내는 흐름을 실행하도록 스텝군이 짜여져 있다. 이 처리 프로그램(73)은 기억 매체(72)에 기록되어 있다. 기억 매체(72)는 ROM이나 RAM 등의 메모리, 하드 디스크, CD-ROM 등의 디스크형상 기록 매체, 그 밖의 공지의 기록 매체로 구성될 수 있다. 또한, 하드 디스크 등의 고정식의 기억 매체(72)가 이용되는 경우에는 다른 장치로부터 예를 들면 전용 회선을 거쳐서 처리 프로그램(73)을 전송시키고, 온라인에서 해당 기억 매체(72)에 해당 처리 프로그램(73)을 인스톨(설치)할 수 있다. 제어 장치(7)는 기억 매체(72)에 저장된 처리 프로그램(73)을 그대로 실행하거나, 또는 제어 장치(7)에 내장된 별도의 기억부(75)에 처리 프로그램(73)을 이동시켜 해당 처리 프로그램(73)을 실행하게 된다.
다음에, 상술한 반도체 제조 장치(10)의 작용에 대해, 도 8 및 도 9를 참조하면서 설명한다. 우선, 외부로부터 웨이퍼(W)를 수납한 웨이퍼 캐리어인 FOUP(9) 가 반입 포트(15a)에 반입(탑재)된다. 다음에, 오퍼레이터가 레시피 설정 화면(82)에 의해 프로세스 레시피를 설정한다. 이 설정은 예를 들면 기억 매체(72)내나 제어 장치(7)의 기억부(75)내 등에 저장되어 있는 레시피군으로부터 레시피를 선택하는 것에 의해 실행된다. 이 반도체 제조 장치(10)에 있어서는 플라즈마 처리와 어닐 처리가 연속해서 실행된다. 그리고, 탑재대가 고정된 플라즈마 처리 모듈(20a, 20b)내에는 미리 정해진 방향에서 웨이퍼(W)를 반입하지 않으면 안 된다. 이 때문에, 위치 맞춤 모듈(40)에 있어서 웨이퍼(W)가 향하게 될 방향을 미리 설정해둔다.
그런데, 본 예에 있어서는 위치 맞춤 모듈(40)에 있어서 웨이퍼(W)가 향하게 될 방향은 기준 방향, 즉 각도 0도이다. 따라서, 레시피 설정 화면(82)의 부대 정보 기재란(84)에 「0도」를 입력해도 좋지만, 이 입력을 실행하지 않아도 자동적으로 0도로 설정된다. 즉, 부대 정보 기재란(84)은 소위 특별한 웨이퍼의 방향을 설정하는 경우에 사용되며, 해당 기재란(84)에 각도를 입력하지 않으면, 0도로 되도록 시스템이 짜여져 있다.
레시피의 설정이 종료하면, 반입 포트(15a)의 셔터(ST)가 열리고, 반송 아암 기구(90)에 의해, 반입 포트(15a)에 반입된 FOUP(9)내로부터 처리전의 웨이퍼(W)가 대기 반송실(13)내로 들어간다. FOUP(9)내로부터 꺼내어진 웨이퍼(W)는 대기 반송실(13)내를 통해 위치 맞춤 모듈(40)에 반송된다(도 8의 화살표 A). 이 위치 맞춤 모듈(40)에서, 기술한 바와 같이 해서, 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부에 형성된 노치(N)의 방향 및 중심(O)의 위치 맞춤이 실행된다. 여기서는 노치(N)의 방향이 0도로 미리 설정되어 있기 때문에, 노치(N)은 용기(41)에 형성된 반입출구(41a)의 방 향으로 향하게 된다. 즉, 도 8에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 노치(N)은 기준선(P)상에서 용기(41)의 반입출구(41a)에 대면한 위치에 설정된다.
계속해서, 반송 아암 기구(90)에 의해서 위치 맞춤 모듈(40)로부터 웨이퍼(W)가 꺼내어진다. 꺼내어진 웨이퍼(W)는 로드록실(12a)에 반송된다(도 8의 화살표 B). 그리고, 로드록실(12a)내를 진공 배기한 후, 진공 반송실(11)내의 반송 아암 기구(50)에 의해, 해당 로드록실(12a)내의 웨이퍼(W)가 꺼내어진다. 그 후, 웨이퍼(W)는 플라즈마 처리 모듈(20a)에 반입되고, 예를 들면 플라즈마에 의해서 질화 처리된다(도 8의 화살표 C).
질화 처리된 웨이퍼(W)는 진공 반송실(11)내의 반송 아암 기구(50)에 의해서, 열처리 모듈(30a)내에 반입된다(도 8의 화살표 D). 아암(52a)과 탑재대(38)에 마련된 지지 핀(60a, 60b, 60c)이 평면적으로 간섭하지 않도록, 반송 아암(52a)의 좌우의 아암은 3개의 지지 핀(60a, 60b, 60c)의 바깥쪽으로 연장하도록 설계되어 있다. 이 때문에, 아암(52a)을 하강시키면, 아암(52a)이 지지 핀(60a, 60b, 60c)과 간섭해 버리는 일 없이, 지지 핀(60a, 60b, 60c)상에 웨이퍼(W)가 수수되게 된다. 이 때의 지지 핀(60a, 60b, 60c)의 위치와 노치(N)의 방향의 관계를 도 10a에 나타내 둔다.
처리용기(31)로부터 아암(52a)을 퇴출시킨 후, 해당 처리용기(31)내를 예를 들면 133Pa(1Torr) 정도의 진공 분위기로 유지한다. 그리고, 웨이퍼(W)를 회전시키면서 램프(34)로부터의 복사열에 의해 웨이퍼(W)를 1000℃ 정도로 가열한다. 또한, 가스 공급구(69)로부터 N2 가스 및 O2 가스의 혼합 가스를 공급해서 웨이퍼(W)에 대해 어닐 처리가 실행된다. 어닐 처리된 후의 웨이퍼(W)는 반송 아암 기구(50)에 의해서, 로드록실(12b)에 반입된다(도 8의 화살표 E). 그리고, 해당 로드록실(12b)내를 대기압으로 되돌린 후, 웨이퍼(W)는 대기 반송실(13)내의 반송 아암 기구(90)에 의해서 원래의 FOUP(9)로 되돌려진다(도 8의 화살표 F).
상술한 동작은 예를 들면 FOUP(9)에 수납되어 있는 1로트분의 웨이퍼(W)에 대해 순차 실행되고, 일련의 처리가 종료된다. 이들 웨이퍼(W)는 이 반도체 제조 장치(10)와는 별도의 반도체 제조 장치로 보내져 소정의 처리가 실행된다.
그 후, 해당 로트의 웨이퍼(W)가 재차 해당 반도체 제조 장치(10)에 반입된다. 이 때에도 오퍼레이터는 레시피 설정 화면(82)에 의해 프로세스 레시피를 설정하는 동시에, 부대 정보 기재란(84)에 「0도」이외의 웨이퍼(W)가 위치 결정될 각도, 상세하게는 위치 결정된 웨이퍼(W)의 중심 및 노치를 연결하는 선이 기준선(P)에 대해 이루어질 각도, 예를 들면「30도」로 입력한다.
그 후, 상술한 방법과 마찬가지로 해서, 웨이퍼(W)가, 반송 아암 기구(90)에 의해서, 반입 포트(15a)에 부착된 FOUP(9)로부터 꺼내어지고, 대기 반송실(13)을 거쳐서 위치 맞춤 모듈(40)에 반송된다. 위치 맞춤 모듈(40)에서는 기술한 바와 같이 해서, 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부에 형성된 노치(N)의 방향 및 중심(O)의 위치 맞춤이 실행된다(도 9의 화살표 A). 이 웨이퍼(W)에 대해서는 부대 정보 기재란(84)에서 노치 각도의 지정이 실행되고 있다. 이 때문에, 지정된 노치 각도에 의 거하여, 예를 들면 도 9에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼가 기준선(P)로부터 시계방향으로 30도 회전한 방향에 맞추어진다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 노치(N)은 기준선(P)로부터 어긋난 위치에 배치되게 된다.
이 때, 웨이퍼(W)는 위치 맞춤 모듈(40)로부터, 대기 반송실(13), 로드록실(12a) 및 진공 반송실(11)을 거쳐서 열처리 모듈(30a)에 반입된다(도 9의 화살표 B 및 화살표 C). 열처리 모듈(30a)내에서는 기술한 바와 같이 해서, 지지 핀(60a, 60b, 60c)상에 웨이퍼(W)가 탑재된다. 도 10b에 나타내는 바와 같이, 이 때, 해당 웨이퍼(W)는 1회째의 어닐 처리시에 지지 핀(60a, 60b, 60c)이 접촉하고 있던 부위 R과는 다른 부위에 지지 핀(60a, 60b, 60c)이 접촉하는 것에 의해서, 아래쪽으로부터 지지된다. 이와 같이 해서 지지된 웨이퍼(W)에 대해, 예를 들면 1회째와 마찬가지의 처리 조건에서 2회째의 어닐 처리가 실행된다. 어닐 처리된 후의 웨이퍼(W)는 반송 아암 기구(50)에 의해서 로드록실(12b)에 반입되고(도 9의 화살표 D), 그리고 대기 반송실(13)을 거쳐서 원래의 FOUP(9)로 되돌려진다(도 9의 화살표 E).
상술한 실시형태에 의하면, 다음과 같은 효과가 있다. 멀티 챔버 시스템에서는 플라즈마 CVD, 플라즈마 에칭 혹은 열CVD 등의 프로세스 챔버가 접속되어 있고, 이들 처리는 기술한 바와 같이 웨이퍼(W)가 미리 정해진 방향으로 설정되어 처리된다. 이 때문에 위치 맞춤 모듈(40)에서 웨이퍼(W)의 방향을 미리 설정된 방향에 맞추는 공정이 반드시 개재하지만, 이 실시형태에서는 레시피 설정 화면(레시피 설정 인터페이스)(82)에 의해 웨이퍼(W)의 방향을 임의로 설정할 수 있도록 하고 있다. 이 때문에 웨이퍼(W)에 대해 어닐 처리만을 하는 레시피에 있어서, 동일한 열처리 모듈(30a)에서 실행되는 2회째의 어닐 처리시의 지지 부위를, 1회째의 어닐 처리시의 지지 부위와 다르게 할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)상의 동일 개소에 지지 부위와 지지되지 않는 부위의 온도차에 의거하는 스트레스가 중복해서 가해지지 않도록 할 수 있다. 이것에 의해, 슬립의 발생이 억제되고, 또한 슬립이 일어났다고 해도 그 정도가 작고, 그 결과, 제품의 양품률 저하를 억제할 수 있다.
또, 제1회째의 어닐 처리를 종료하고 반도체 제조 장치(10)로부터 반출된 웨이퍼(W)는 목적으로 하는 반도체 디바이스의 품종에 따라 소정의 처리가 실행되게 되지만, 이 소정의 처리를 실행하지 않고 제2회째의 어닐 처리를 실행하도록 해도 좋다. 예를 들면 1회째의 어닐 처리에 의한 슬립의 정도를 평가하기 위해, 1회째의 처리를 실행한 로트중의 일부의 웨이퍼(W)에 대해 가속 시험의 목적으로 어닐 처리를 실행하는 경우에도, 본 발명을 적용할 수 있다. 또한, 동일한 (열처리) 모듈이란 동일한 기종의 (열처리) 모듈인 것으로, (열처리) 모듈의 개체 자체를 가리키는 것은 아니다. 따라서, 1회째는 한쪽의 열처리 모듈(30a)에서 어닐 처리를 실행함과 아울러 2회째는 다른 방면의 열처리 모듈(30b)에서 어닐 처리를 실행하는 경우도, 동일한 (열처리) 모듈에서 처리하는 것에 해당하여, 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 또한, 예를 들면, 1호기의 반도체 제조 장치(10)의 플라즈마 처리 모듈(20a) 및 열처리 모듈(30a)에서 순차 웨이퍼(W)의 처리를 실행하고, 그 후, 2회째의 어닐 처리에 대해서는 1호기와는 다른 2호기의 반도체 제조 장치(10)의 열처리 모듈(30a)에서 해당 웨이퍼(W)의 처리를 실행하도록 해도 좋다.
또, 상술한 실시형태에서는 결정(結晶) 방향을 판별하기 위한 부위로서 웨이 퍼(W)의 둘레가장자리부에 노치(N)을 형성하고, 이 노치(N)의 방향을 설정함으로써 웨이퍼(W)의 방향이 맞추어져 있지만, 이 부위는 노치(N)에 한정되지 않고 오리엔테이션 플랫이어도 좋다.
또한, 반도체 제조 장치(10)내에서 웨이퍼(W)를 반도체 제조 장치(10)로부터 일단 반출하지 않고 동일한 열처리 모듈(30a)을 이용해서 2회 열처리를 실행하는 경우에도, 본 발명을 적용할 수 있다. 예를 들면, 플라즈마 처리를 실행하는 전처리 및 후처리로서 어닐 처리를 실행하는 경우, 즉 어닐 처리, 플라즈마 처리, 어닐 처리를 이 차례로 실행하는 경우 등을 예로 들 수 있다. 이 경우에는 2회째의 어닐 처리를 실행하기 전에 위치 맞춤 모듈(40)에 웨이퍼(W)를 반송하고, 1회째의 어닐 처리의 전에 설정한 웨이퍼(W)의 방향과는 다른 방향으로 되도록 위치 맞춤을 실행하게 된다. 이 경우에는 예를 들면 레시피 설정 화면(82)상에서, 1회째의 위치 맞춤시의 웨이퍼(W)의 방향과, 2회째의 위치 맞춤시의 방향을 각각 설정할 수 있도록 구성하면 좋다.
또한, 일괄식의 종형의 열처리 장치에 본 발명을 적용할 수도 있다. 예를 들면, 종형의 열처리 장치에서는 웨이퍼(W)를 웨이퍼 보트로 국소적, 예를 들면 3점에서 지지되고, 튜브내에 반입되어 처리된다.
한편, 예를 들면 이전 공정의 종별에 따라서는 웨이퍼 캐리어내의 웨이퍼(W)의 방향이 일치되어 있는 경우가 있다. 이와 같은 상태에서 웨이퍼(W)에 대해 동일한 종형 열처리 장치를 이용하여 두 번의 열처리를 실행하면 마찬가지의 문제가 일어난다. 그래서, 종형 열처리 장치내에 위치 맞춤 기구를 마련하고, 기술한 바와 마찬가지의 레시피 설정 화면(82)을 마련하도록 하는 것이 유효하다.
또한, 상술한 실시형태에 있어서, 반입 포트(15a, 15b, 15c)에 접속된 반송실이, 진공 반송실(11), 로드록실(12a, 12b) 및 대기 반송실(13)로 구성되는 예를 나타냈지만, 이것에 한정되지 않는다. 일예로서, 진공 반송실(11)에 직접 접속된 진공 배기 가능한 반입실을 마련하고, 이 반입실에 FOUP(캐리어)을 반입하도록 해도 좋다.
또한, 상술한 실시형태에 있어서, 위치 맞춤 모듈(40)을 대기 반송실(13)의 측면에 마련하도록 했지만, 이것에 한정되지 않는다. 일예로서, 반입 포트(15a, 15b, 15c)와 열처리 모듈(30a, 30b)의 사이의 웨이퍼(W)의 반송 경로를 따른 어느 하나의 위치에 예를 들면 진공 반송실(11)의 측면에, 위치 맞춤 모듈(40)을 배치하도록 해도 좋다.

Claims (10)

  1. 반도체 웨이퍼를 이면으로부터 국소적으로 지지하는 지지 부재를 갖고, 지지한 반도체 웨이퍼에 대해 열처리를 실행하는 열처리 모듈과,
    반도체 웨이퍼의 처리 레시피에 있어서의 처리 조건과 반도체 웨이퍼의 방향을 대응지어 설정할 수 있도록 구성된 레시피 설정부와,
    상기 레시피 설정부와 접속되고, 상기 레시피 설정부에서 설정된 방향으로 되도록 반도체 웨이퍼의 방향을 맞추는 위치 맞춤 모듈과,
    복수개의 반도체 웨이퍼가 수납된 캐리어가 반입되도록 구성된 반입 포트와,
    상기 반입 포트에 반입된 캐리어로부터 꺼낸 반도체 웨이퍼를 위치 맞춤 모듈에 반송하도록 구성된 반송 기구
    를 구비하되,
    상기 반송 기구는 또한, 열처리 모듈을 향해 반송하기 위해, 위치 맞춤 모듈로부터 반도체 웨이퍼를 꺼내도록 이루어져 있고,
    상기 레시피 설정부에는 상기 열처리시마다 상기 반도체 웨이퍼의 방향이 설정되고,
    상기 위치 맞춤 모듈은 상기 설정된 방향으로 상기 반도체 웨이퍼의 방향을 맞추며,
    상기 반송 기구는 상기 열처리 모듈로부터 반도체 웨이퍼를 꺼내고, 꺼낸 반도체 웨이퍼를 상기 위치 맞춤 모듈로 반송하도록 구성되어 있는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 레시피 설정부는 웨이퍼의 반송 경로 등의 처리 조건을 설정함과 아울러, 그 설정 내용을 표시하는 레시피 설정 화면을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 레시피 설정 화면은 상기 처리 조건 이외의 처리 레시피의 부대 정보의 입력 및 표시를 가능하게 하는 부대 정보란을 포함하고,
    상기 부대 정보란을 거쳐서, 상기 반도체 웨이퍼의 방향이 입력 가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 반입 포트는 반송실과 접속되고,
    상기 반송실에는 상기 열처리 모듈과 플라즈마 처리 모듈이 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 반입 포트에 반입된 캐리어로부터 반도체 웨이퍼를 꺼내고, 위치 맞춤 모듈에 반송하는 공정(a)과,
    상기 위치 맞춤 모듈에서 상기 반도체 웨이퍼의 방향을 제 1 각도에 맞추는 공정(b)과,
    다음에, 상기 반도체 웨이퍼를 열처리 모듈에 반입하여, 복수의 지지 부재에 의해 상기 반도체 웨이퍼를 이면으로부터 국소적으로 지지하고, 상기 반도체 웨이 퍼에 대해 열처리를 실행하는 공정(c)과,
    그 후, 상기 위치 맞춤 모듈에서 상기 반도체 웨이퍼의 방향을 제 1 각도와는 다른 제 2 각도에 맞추는 공정(d)과,
    그 후, 상기 반도체 웨이퍼를 상기 열처리 모듈과 동일한 모듈에 반입하여, 복수의 지지 부재에 의해 반도체 웨이퍼를 이면으로부터 국소적으로 지지하고, 이 반도체 웨이퍼에 대해 열처리를 실행하는 공정(e)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 위치 맞춤 모듈로부터 상기 열처리 모듈로의 상기 반도체 웨이퍼의 반송은 반송실을 거쳐서 실행되고,
    상기 공정(b)과 상기 공정(d)의 사이에, 상기 반송실에 접속된 플라즈마 처리 모듈에서 상기 반도체 웨이퍼를 플라즈마 처리하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 반입 포트로부터 상기 반도체 웨이퍼를 일단 반출하는 공정(c1)과,
    그 후, 캐리어에 수납된 해당 반도체 웨이퍼를 해당 반입 포트에 재차 반입 하는 공정(c2)을 상기 공정(c)과 상기 공정(d)의 사이에 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 위치 맞춤 모듈에 의해서 조절되어야 할 상기 반도체 웨이퍼의 방향을, 레시피 설정부를 이용하여 미리 설정하는 공정을, 상기 공정(c1)과 상기 공정(c2)의 사이에 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  9. 반도체 웨이퍼의 위치 맞춤을 실행하는 위치 맞춤 모듈과, 위치 맞춤된 반도체 웨이퍼에 대해 열처리를 실행하는 열처리 모듈을 갖는 기판 처리 장치를 제어하는 제어 장치에 의해서 실행되는 프로그램이 기록된 기억 매체로서,
    상기 프로그램이 상기 제어 장치에 의해서 실행되는 것에 의해,
    반입 포트에 반입된 캐리어로부터 반도체 웨이퍼를 꺼내고, 위치 맞춤 모듈에 반송하는 공정(a)과,
    상기 위치 맞춤 모듈에서 상기 반도체 웨이퍼의 방향을 제 1 각도에 맞추는 공정(b)과,
    다음에, 상기 반도체 웨이퍼를 열처리 모듈에 반입해서, 복수의 지지 부재에 의해 상기 반도체 웨이퍼를 이면으로부터 국소적으로 지지하고, 상기 반도체 웨이 퍼에 대해 열처리를 실행하는 공정(c)과,
    그 후, 상기 위치 맞춤 모듈에서 상기 반도체 웨이퍼의 방향을 제 1 각도와는 다른 제 2 각도에 맞추는 공정(d)과,
    그 후, 상기 반도체 웨이퍼를 상기 열처리 모듈과 동일한 모듈에 반입하여, 복수의 지지 부재에 의해 반도체 웨이퍼를 이면으로부터 국소적으로 지지하고, 이 반도체 웨이퍼에 대해 열처리를 실행하는 공정(e)을 포함하는 반도체 웨이퍼의 처리 방법을 기판 처리 장치에 실시시키는 것을 특징으로 하는 기억 매체.
  10. 반도체 웨이퍼를 이면으로부터 국소적으로 지지하는 지지 부재를 갖고, 지지한 반도체 웨이퍼에 대해 열처리를 실행하는 열처리 모듈과,
    반도체 웨이퍼의 처리 레시피에 있어서의 처리 조건과 반도체 웨이퍼의 방향을 대응지어 설정할 수 있도록 구성된 레시피 설정부와,
    상기 레시피 설정부와 접속되고, 상기 레시피 설정부에서 설정된 방향으로 되도록 반도체 웨이퍼의 방향을 맞추는 위치 맞춤 모듈과,
    복수개의 반도체 웨이퍼가 수납된 캐리어가 반입되도록 구성된 반입 포트와,
    상기 반입 포트에 반입된 캐리어로부터 꺼낸 반도체 웨이퍼를 위치 맞춤 모듈에 반송하도록 구성된 반송 기구와,
    상기 반송 기구, 상기 열처리 모듈 및 상기 위치 맞춤 모듈에 제어 신호를 보내는 제어부
    를 구비하되,
    상기 제어부는, 상기 반송 기구, 상기 열처리 모듈 및 상기 위치 맞춤 모듈에 제어 신호를 보내어,
    상기 반입 포트에 반입된 캐리어로부터 반도체 웨이퍼를 꺼내고, 상기 위치 맞춤 모듈에 반송하는 것과,
    상기 위치 맞춤 모듈에서 상기 반도체 웨이퍼의 방향을 제 1 각도로 맞추는 것과,
    다음에, 상기 반도체 웨이퍼를 열처리 모듈에 반입하여, 복수의 지지 부재에 의해 상기 반도체 웨이퍼를 이면으로부터 국소적으로 지지하고, 상기 반도체 웨이퍼에 대해 열처리를 실행하는 것과,
    그 후, 상기 위치 맞춤 모듈에서 상기 반도체 웨이퍼의 방향을 제 1 각도와는 다른 제 2 각도로 맞추는 것과,
    그 후, 상기 반도체 웨이퍼를 상기 열처리 모듈과 동일한 모듈에 반입하여, 복수의 지지 부재에 의해 반도체 웨이퍼를 이면으로부터 국소적으로 지지하고, 이 반도체 웨이퍼에 대해 열처리를 실행하는 것
    을 행하도록 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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