CN101689528A - 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种基板处理装置，该装置能够防止在用热处理模块对晶片(W)进行多次热处理时因支承部件的支承所导致的晶片(W)损伤。本发明的晶片处理装置具有用于对半导体晶片(W)的处理方案中的处理条件和半导体晶片(W)的方向关联地进行设定的方案设定部。通过该方案设定部设定半导体晶片(W)的方向，能够在位置对合模块中对合半导体晶片(W)的方向使之成为设定的方向。通过这样的结构，能够使每次用热处理模块进行热处理时半导体晶片背面的由支承部件(60a、60b、60c)所支承的部位(R)发生变化。
Description
技术领域
本发明涉及用位置对合模块对半导体晶片(以下称晶片)的方向进行对合之后对该晶片进行热处理的技术领域。
背景技术
在半导体制造工厂，使用了被称为多腔室系统等的半导体制造装置，该系统具有对晶片以单片进行真空处理的多个处理模块。这种半导体制造装置典型地包括：作为晶片装载体的载置部、与载置部连接的大气搬送室、通过负载锁定室与大气搬送室连接的真空搬送室、和与真空搬送室连接的多个处理模块。这样的半导体制造装置适用于，例如，等离子体处理之后进行减压退火处理、以高生产能力对晶片进行连续处理等情况。
在实施多腔室系统中的等离子体处理或退火处理等工艺时，由于要正确评价晶片表面的处理状态，以形成于晶片周缘部的槽口或定向平面(orientation flat)的方向(位置)总是一定的方式载置于腔室的各模块内。因此，半导体制造装置中，例如，在大气搬送室设置位置对合模块，用于对合晶片的方向和中心的位置。涉及该位置对合模块中的晶片方向的参数，由于与工艺无关，所以预先由制造商方设定，是固定值。因此，在腔室内进行处理的晶片的工艺顺序(工艺方案)的设定项目中不包括涉及晶片方向的参数。
如上所述，在多腔室系统包括热处理模块和等离子体处理模块的情况下，热处理模块，例如，为了修复等离子体处理后的晶片表面的损伤、为了对该晶片进行退火处理而被使用(例如，参照日本特开2006-156995的权利要求1、0029段以及0030段)。在该热处理模块，晶片由3个支承销支承。而且，如上所述，由于搬送到真空搬送室内的晶片的方向总是保持一定，所以被热处理模块搬送的晶片以总是朝向一定方向的状态由支承销支承。
另外，由于半导体器件的种类或晶片检查的运用等，存在使从多腔室系统搬出的晶片再次回到该系统，用热处理模块进行退火处理的情况。
退火处理中，晶片在被支承销支承的状态下被加热，但由于对晶片W的热输入沿着支承销散失，所以晶片W和支承销的接触部位上的温度局部变低，在该部位有时会发生被称作滑移(slip)的Si晶体缺陷。如果进行1次退火处理，即使发生滑移通常也不会影响到产品的成品率。但是，进行第二次退火处理时，由于被搬送到热处理模块的晶片的方向总是一定，所以由支承销支承晶片背面的位置与第一次重合。结果，在第一次退火处理和第二次退火处理向同一部位施加热应力，会产生滑移；或者，第一次时产生的滑移的程度变大。结果，产生成为产品的成品率下降的主要原因的问题。
发明内容
本发明是鉴于这样的情况作出的，其目的在于，提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，能够在用热处理模块对晶片进行多次热处理时，防止由支承部件的支承所导致的晶片的损伤。
本发明的基板处理装置的特征在于，包括：热处理模块，具有对半导体晶片从背面局部地进行支承的支承部件，对所支承的半导体晶片进行热处理；方案设定部，能够对半导体晶片的处理方案中的处理条件和半导体晶片的方向关联地进行设定；位置对合模块，与上述方案设定部连接，对合半导体晶片的方向使之成为由上述方案设定部所设定的方向；搬入端口，使得收纳有多块半导体晶片的装载体被搬入；和搬送机构，将从被搬入上述搬入端口的装载体取出的半导体晶片搬送到位置对合模块，上述搬送机构为了进一步向热处理模块进行搬送，从位置对合模块取出半导体晶片。
本发明的基板处理装置中，上述方案设定部可以具有作为对晶片W的搬送路径等处理条件进行设定和对设定内容进行显示的输入装置兼显示装置的方案设定画面。这样的本发明的基板处理装置中，上述方案设定画面可以包括能够对上述处理条件以外的处理方案的附带信息进行输入和显示的附带信息栏，通过上述附带信息栏能够输入上述半导体晶片的方向。
本发明的基板处理装置，也可以是，上述搬入端口与搬送室连接，在上述搬送室连接有上述热处理模块与上述等离子体处理模块。
本发明的基板处理方法的特征在于，包括：工序(a)，从被搬入到搬入端口的装载体取出半导体晶片，将其搬送到位置对合模块；工序(b)，用位置对合模块使上述半导体晶片的方向与第一角度相一致；工序(c)，接着，将上述半导体晶片搬入热处理模块，由多个支承部件对上述半导体晶片从背面局部地进行支承，对上述半导体晶片进行热处理；工序(d)，之后，用上述位置对合模块使上述半导体晶片的方向与和第一角度不同的第二角度相一致；和工序(e)，然后，将上述半导体晶片搬入与上述热处理模块相同的模块，由多个支承部件对半导体晶片从背面局部地进行支承，对该半导体晶片进行热处理。
本发明的基板处理方法，也可以是，经由搬送室从上述位置对合模块向上述热处理模块搬送上述半导体晶片，该处理方法在上述工序(b)和上述工序(d)之间，还包括用与上述搬送室连接的等离子体处理模块对上述半导体晶片进行等离子体处理的工序。
另外，本发明的基板处理方法，可以在上述工序(c)和上述工序(d)之间还包括将上述半导体晶片从上述搬入端口临时搬出的工序(c1)、和之后将装载体收纳的该半导体晶片再次向该搬入端口搬入的工序(c2)。这样的本发明的基板处理方法也可以在上述工序(c1)和上述工程(c2)之间包括使用方案设定部对要由上述位置对合模块调节的上述半导体晶片的方向进行预先设定的工序。
本发明的存储介质，存储有由控制装置所执行的程序，上述控制装置对包括进行半导体晶片的位置对合的位置对合模块、和对被位置对合的半导体晶片进行热处理的热处理模块的基板处理装置进行控制，上述存储介质的特征在于：通过上述控制装置执行上述程序，使基板处理装置实施半导体晶片的处理方法，该处理方法包括，工序(a)，从被搬入到搬入端口的装载体取出半导体晶片，将其搬送到位置对合模块；工序(b)，用位置对合模块使上述半导体晶片的方向与第一角度相一致；工序(c)，接着，将上述半导体晶片搬入热处理模块，由多个支承部件对上述半导体晶片从背面局部地进行支承，对上述半导体晶片进行热处理；工序(d)，之后，用上述位置对合模块使上述半导体晶片的方向与和第一角度不同的第二角度相一致；和工序(e)，然后，将上述半导体晶片搬入与上述热处理模块相同的模块，由多个支承部件对半导体晶片从背面局部地进行支承，对该半导体晶片进行热处理。
本发明可以用位置对合模块对合半导体晶片的方向，使之成为方案设定部所设定的方向。因此，能够使半导体晶片背面的由支承部件支承的部位在每次由热处理模块进行的热处理时都不同。如此，能够使得基于支承部位和未支承部位之间的温度差的应力不在半导体晶片上的相同位置重复施加，因此能够防止滑移的产生；而且，即使出现滑移，也能使其程度减小。由此，能够抑制产品的成品率下降。
附图说明
图1为表示本发明的一个实施方式的半导体制造装置的横剖面图。
图2为表示图1的能使用于半导体制造装置的位置对合模块的一例的纵剖侧视图。
图3为表示图1的能使用于半导体制造装置的热处理模块的一例的纵剖侧视图。
图4为表示设置于图3的热处理模块的载置台的概略立体图。
图5为表示能设置于图1的半导体制造装置的控制装置的结构图。
图6为表示设置于图5的控制装置上的方案设定部的方案设定画面的图。
图7为用于说明槽口的基准方向的图。
图8为用于说明图1的半导体制造装置作用的图。
图9为用于说明图1的半导体制造装置作用的图。
图10A为用于说明第一次退火处理中的支承销的位置和槽口方向之间关系的图。
图10B为用于说明第二次退火处理中的支承销的位置和槽口方向之间关系的图。
具体实施方式
下面说明本发明的一个实施方式。图1为表示作为本发明一个实施方式的基板处理装置的半导体制造装置的一例的横剖面图。图1中，10是一块一块地搬送半导体晶片(以下简称晶片)W以实施规定处理的单片式半导体制造装置。该半导体装置10包括：例如，2台等离子体处理模块20a、20b和2台热处理模块30a、30b。这些等离子体处理模块20a、20b和热处理模块30a、30b与横剖面形状呈六角形的真空搬送室11的4个边分别气密连接。可以将等离子体处理模块20a、20b和热处理模块30a、30b分别做成1台，此外编入其他的处理模块。
负载锁定室12a、12b分别气密连接于真空搬送室11的2个边。在这些负载锁定室12a、12b的与真空搬送室11相反的一侧的横方向上设有呈长条的箱状的大气搬送室13。在该大气搬送室13的与负载锁定室12a、12b相反的一侧设有搬入端口15a、15b、15c，该搬入端口被构成为安装有可收纳多块晶片W例如25块晶片W的3个FOUP(装载体)9。另外，图1中的G是闸阀。
即，与搬入端口15a、15b、15c连接的搬送室由真空搬送室11、负载锁定室12a、12b以及大气搬送室13构成，等离子体处理模块20a、20b以及热处理模块30a、30b与该搬送室连接。
在真空搬送室11设有作为搬送装置的搬送臂机构50，用于对等离子体处理模块20a、20b和热处理模块30a、30b以及负载锁定室12a、12b进行晶片W的搬出和搬入。该搬送臂机构50配置在真空搬送室11的大约中央。搬送臂机构50在可旋转并且可伸缩的旋转/伸缩部51的前端设有支承晶片W的下表面周缘部的2个叉状的臂52a、52b。这2个臂52a、52b被安装于旋转/伸缩部51上，彼此朝向相反的方向。
安装FOUP9的大气搬送室13的3个搬入端口15a、15b、15c分别设有闸门ST。收纳了晶片W的FOUP9被安装到搬入端口15a、15b、15c时，上述闸门ST打开，防止外部空气侵入大气搬送室13内，并且大气搬送室和FOUP9能够连通。即，搬入端口15a、15b、15c通过闸门ST与上述搬送室直接连接。
另外，在大气搬送室13设有作为搬送装置的搬送臂机构90，用于进行对FOUP9的晶片的搬入、搬出以及对负载锁定室12a、12b的晶片的搬入、搬出。该搬送臂机构90具有多关节臂结构，能够沿着FOUP9的排列在轨道91上运行。在上述大气搬送室13的侧面设有位置对合模块40，用于对合晶片W的方向(旋转方向上的位置)以及中心的位置。
如图2所示，位置对合模块40包括扁平的大致箱状的容器41。容器41被安装在大气搬送室13的侧壁。如图2所示，容器41由被隔板44划分为上部室42和下部室43。在容器41的上部室42侧的侧壁设有搬入搬出口41a，用于在与大气搬送室13之间进行使用了搬送臂机构90的晶片W的交接。上部室42内设有用于载置晶片W的载置台45。载置台45通过轴46与设在下部室43侧的旋转驱动机构47连接。载置台45由旋转驱动机构47驱动，能够以平行于铅垂轴的轴线为中心旋转。
容器41内设有用于检测载置于载置台45上的晶片W的周缘的位置的检测机构48。该检测机构48包括：设在下部室43侧的、例如由LED等构成的发光部48b，和设在上部室42侧的、例如由CCD传感器等构成的受光部48a。从发光部48b发出的光能够通过隔板44上形成的孔部44a射入受光部48a。
受光部48a向后述的控制装置7输出表示射入光的光量的信号(检测数据)。控制装置7通过旋转驱动机构47使晶片W旋转约一周，根据这期间射入受光部48a的光量的变化，计算形成于晶片W的周缘部的槽口的位置。如下所述，控制装置7使载置台45旋转使得槽口的方向朝向基准方向，然后，根据输入到附带信息记载栏(附带信息栏)84的槽口角度进行使载置台45旋转的控制操作。
位置对合模块40根据晶片W的周缘的检测数据计算晶片W的中心位置，计算距载置台45的旋转中心的位置偏移量。另外，根据该位置偏移量修改基于搬送臂机构90的晶片W的接收位置，将晶片W载置于搬送臂机构90的规定位置上。
下面，参照图3及图4说明热处理模块30a、30b。虽然本实施方式能够使用各种各样的热处理模块，但以下说明使用灯退火方式的热处理模块30a、30b的例子。该热处理模块30a、30b包括在处理容器31的内部上方水平横穿的透明的石英玻璃板32。在盖部33和石英玻璃板32之间的空间作为加热源配置有例如灯34。灯34借助于来自未图示电源的电力供给而起动，将处理容器31内的晶片加热到规定温度。
处理容器31的底部的周缘侧形成为环状的槽部35。该槽部35之中设有内侧旋转体36。该内侧旋转体36通过轴承部37支承在槽部35的内壁，能够以平行于铅垂轴的轴线为中心旋转。在内侧旋转体36的上端部设有环状的载置台38。如图4所示，在该载置台38的表面部38a设有从下方与晶片W的周缘部局部接触来支承该晶片W的支承部件60a、60b、60c。在图示的例子中，支承部件被构成为3个销60a、60b、60c。3个销60a、60b、60c隔开规定的间隔，排列在同一圆周上。该载置台38和内侧旋转体36成为一体而旋转。
处理容器31的中央底面部由玻璃板39构成。该玻璃板39上连结有形成槽部35的外壳61。外侧旋转体63通过轴承部62支承于外壳61的外侧。外侧旋转体63能够以平行于铅垂轴的轴线为中心旋转。在内侧旋转体36和外侧旋转体63分别设有磁极部64、65，这些磁极部64、65彼此构成磁耦合。
外侧旋转体63通过步进电动机67的驱动而旋转。另外，当外侧旋转体63旋转时，内侧旋转体36由于磁力而与外侧旋转体63联动旋转。处理容器31的侧壁上形成有未图示的排气口。通过该排气口，真空排气装置能够将处理容器31内维持在规定的真空气氛。在处理容器31的侧壁形成有用于搬入搬出晶片W的开口部68。设有闸阀G以覆盖该开口部68。在处理容器31的侧壁上的石英玻璃板32的下方，设有气体供给口69。通过该气体供给口69，向处理容器31内供给作为处理气体的氮气和氧气。
半导体制造装置10还包括控制装置7。参照图5说明该控制装置7。图5中的70为总线，该总线70上连接有信号线，用于向半导体制造装置10的热处理模块30a、30b等处理系统80和搬送臂机构50等搬送系统81输送控制信号。该总线70上还连接有方案设定部71、位置对合模块40、CPU74以及存储部(存储介质)75等。存储部75存储处理程序73和方案。图5为了按功能表现这些而块化表示。
方案设定部71包括方案设定画面(方案设定用界面)82，用于设定晶片W的处理方案中的处理条件，例如，工艺压力、工艺温度、气体流量、处理时间以及晶片W的搬送路径等。如图6所示，方案设定画面82由包含软开关的触摸面板等构成。如图6所示，在方案设定画面82设有方案名记载栏(方案栏)83以及附带信息记载栏(附带信息栏)84。在方案名记载栏83记载所选择的方案的类型号，在附带信息记载栏84记载附带信息，例如，方案的处理内容和用途等。另外，附带信息记载栏84具有以下功能：接受用于设定其板面沿水平方向被支承的晶片W的方向、更具体地说是晶片W上形成的槽口所朝向的方向的设定角度的输入。
当通过附带信息记载栏84例如在0～360度的范围内输入角度时，进行控制使得在位置对合模块40中在槽口的方向从基准方向旋转了设定的角度的位置静止。所谓该基准方向，例如，如图7所示，是从旋转台的旋转中心朝向搬入搬出口41a的中心的方向，图7中记载了特定该方向的基准线P。即，本例中，所谓晶片W的方向，由被保持为水平姿势的晶片W从该晶片W的槽口在基准线P上的位置通过晶片W的中心，并且以垂直于晶片W的板面的旋转轴线为中心以何种角度(旋转角度)旋转而特别规定。
如上所述，位置对合模块40具有根据受光部48a送出的检测数据计算在晶片W的周缘部形成的槽口的位置的功能。处理程序73组成步骤群以执行后述图8和图9所示的流程。该处理程序73被记录在存储介质72。存储介质72由ROM或RAM等存储器、硬盘、CD-ROM等磁盘状存储介质、其他的众所周知的存储介质构成。另外，使用硬盘等固定式的存储介质72时，能够从其他装置，例如，通过专用线路传送处理程序73，在线向该存储介质72安装该处理程序73。控制装置7原样执行存储在存储介质72的处理程序73，或者将处理程序73转移到控制装置7内置的其他存储部75，来执行该处理程序73。
下面，参照图8和图9说明上述半导体制造装置10的作用。首先，将收纳晶片W的晶片装载体即FOUP9从外部搬入(载置)搬入端口15a。然后，操作人员通过方案设定画面82设定处理方案。该设定，例如，通过从存储介质72内或控制装置7的存储部75内等存储的方案群中选择方案而进行。该半导体制造装置10中，连续进行等离子体处理和退火处理。而且，必须以预先决定的方向将晶片W搬入固定了载置台的等离子体处理模块20a、20b内。因此，要预先在位置对合模块40中设定好晶片W要朝向的方向。
本例中，位置对合模块40中晶片W要朝向的方向为基准方向，即角度0度。因此，可以在方案设定画面82的附带信息记载栏84输入“0度”，但不进行这种输入也能自动地设定为0度。即，可以说，附带信息记载栏84被用于设定特别的晶片方向的情况，构成如果不在该记载栏84输入角度就默认为0度的系统。
当方案设定结束时，搬入端口15a的闸门ST打开，由搬送臂机构90将处理前的晶片W从被搬入搬入端口15a的FOUP9内带入大气搬送室13内。从FOUP9内取出的晶片W在大气搬送室13内通过而被搬送向位置对合模块40(图8的箭头A)。在该位置对合模块40，如上所述，进行在晶片W的周缘部形成的槽口N的方向以及中心O的位置对合。这里，由于预先将槽口N的方向设定为0度，所以槽口N方向形成于容器41的搬入搬出口41a的方向。即，如图8所示，晶片W的槽口N被设定于基准线P上与容器41的搬入搬出口41a相面对的位置。
之后，由搬送臂机构90从位置对合模块40取出晶片W。被取出的晶片W被搬送到负载锁定室12a(图8的箭头B)。对负载锁定室12a内抽真空之后，由真空搬送室11内的搬送臂机构50取出该负载锁定室12a内的晶片W。然后，晶片W被搬入等离子体处理模块20a，例如，由等离子体进行氮化处理(图8的箭头C)。
被氮化处理的晶片W由真空搬送室11内的搬送臂机构50搬入处理模块30a内(图8的箭头D)。臂52a和设于载置台38的支承销60a、60b、60c被设计为在平面不相干涉，搬送臂52a的左右腕被设计为在3个支承销的外方延伸。因此，如果使臂52a下降，则臂52a不会与支承销60a、60b、60c相干涉地在支承销60a、60b、60c上交接晶片W。此时的支承销60a、60b、60c的位置和槽口N的方向之间的关系显示在图10A中。
使臂52a从处理容器31退出后，将该处理容器31内维持在例如133Pa(1Torr)左右的真空气氛。然后，一边旋转晶片W一边利用来自灯34的辐射热将晶片W加热到1000℃左右。进一步，从气体供给口69供给N2气体和O2气体的混合气体，对晶片W进行退火处理。退火处理后的晶片W由搬送臂机构50搬入到负载锁定室12b(图8的箭头E)。然后，使该负载锁定室12b内恢复为大气压后，晶片W由大气搬送室13内的搬送臂机构90返回原来的FOUP9(图8的箭头F)。
上述动作，例如，对FOUP9收纳的1组晶片W依次进行，结束一系列的处理。这些晶片W被送到与该半导体制造装置10不同的半导体制造装置进行规定的处理。
之后，该组晶片W被再次搬入该半导体制造装置10。此时，操作人员利用方案设定画面82设定程序方案，并且在附带信息记载栏84输入为晶片W要被定位的“0度”之外的角度，详细地说，连接被定位的晶片W的中心和槽口的线相对于基准线P所成的角度，例如输入为“30度”。
之后，与上述方法相同，晶片W由搬送臂机构90从安装在搬入端口15a的FOUP9取出，通过大气搬送室13搬送到位置对合模块40。位置对合模块40，如上所述，对在晶片W的周缘部形成的槽口N的方向和中心O进行位置对合(图9的箭头A)。对晶片W在附带信息记载栏84进行槽口角度的指定。因此，根据被指定的槽口角度，例如，如图9所示，使晶片与从基准线P顺时针旋转30度的方向相一致。结果，使得晶片W的槽口N配置于从基准线P偏离的位置。
之后，晶片W通过大气搬送室13、负载锁定室12a以及真空搬送室11从位置对合模块40搬入到热处理模块30a(图9的箭头B和箭头C)。热处理模块30a内，如上所述，在支承销60a、60b、60c之上载置晶片W。如图10B所示，此时该晶片W通过支承销60a、60b、60c与第一次退火处理时支承销60a、60b、60c所接触的部位R不同的部位接触，从下方被支承。对如此被支承的晶片W，例如，在与第一次相同的处理条件下，进行第二次退火处理。退火处理后的晶片W由搬送臂机构50搬入负载锁定室12b(图9的箭头D)，然后通过大气搬送室13返回原来的FOUP9(图9的箭头E)。
通过上述实施方式，可实现以下效果。多腔室系统中，连接有等离子体CVD、等离子体蚀刻或者热CVD等工艺腔室；这些处理，如上所述，将晶片设定为被预先决定的方向进行处理。为此，必须存在用位置对合模块40使晶片W的方向和预先设定的方向相一致的工序，但该实施方式能够通过方案设定画面(方案设定界面)82任意设定晶片W的方向。为此，对晶片W只进行退火处理的方案中，能够使由相同的热处理模块30a进行的第二次退火处理时的支承部位与第一次退火处理时的支承部位不同。因此，能够使得对晶片W上的相同地方不重复施加基于支承部位和不支承部位的温度差的应力。由此，能抑制滑移的产生，而且，即使发生滑移也能使其程度变小，结果能够抑制产品的成品率下降。
结束第一次退火处理，从半导体制造装置10搬出的晶片W根据作为目的的半导体器件的品种而被进行规定的处理，但也可以不进行该规定的处理而进行第二次退火处理。例如，为了评价第一次退火处理所产生的滑移的程度，对进行了第一次处理的组中的一部分晶片W以加速实验的目的进行退火处理的情况下也能应用本发明。另外，所谓相同(热处理)模块指的是相同机种的(热处理)模块，而不是(热处理)模块的个体本身。因此，第一次用一方的热处理模块30a进行退火处理、并且第二次用另一方的热处理模块30b进行退火处理的情况也属于使用相同(热处理)模块处理，能够得到相同的效果。而且，例如，用1号机的半导体制造装置10的等离子体处理模块20a和热处理模块30a顺次进行晶片W的处理，之后，关于第二次退火处理，也可以用与1号机不同的2号机的半导体制造装置10的热处理模块30a对该晶片W进行处理。
上述的实施方式中，作为用于判别结晶定向的部位在晶片W的周缘部形成槽口N，通过设定该槽口N的方向来对合晶片W的方向，但该部位不限于槽口N，也可以是定向平面。
而且，在半导体制造装置10内暂时不从半导体制造装置10搬出晶片W而是使用相同的热处理模块30a进行2次热处理的情况也能够应用本发明。例如，可以列举作为进行等离子体处理的前处理和后处理进行退火处理的情况，即按顺序进行退火处理、等离子体处理、退火处理的情况。这种情况下，进行第二次退火处理前，向位置对合模块40搬送晶片W，进行位置对合使得成为与第一次退火处理之前设定的晶片W的方向不同的方向。在这种情况下，例如，也可以在方案设定画面82上，分别设定第一次位置对合时的晶片W的方向和第二次位置对合时的方向。
而且，也能够在成批处理的纵型的热处理装置上应用本发明。例如，在纵型的热处理装置中，将晶片用晶舟局部地例如3个点支承，搬入管内进行处理。
另一方面，例如，根据前工序的种类对齐晶片装载体内的晶片W的方向。在这种状态下，会产生与对晶片W使用相同的纵型热处理装置进行二次热处理相同的问题。因此，在纵型热处理装置内设置位置对合机构，设置与上述相同的方案设定画面82是有效的。
上述实施方式中，示出了连接于搬入端口15a、15b、15c的搬送室由真空搬送室11、负载锁定室12a、12b以及大气搬送室13构成的例子，但不仅限于此。作为一例，也可以设置直接连接于真空搬送室11的可抽真空的搬入室，将FOUP(装载体)搬入该搬入室。
而且，上述实施方式在大气搬送室13的侧面设置位置对合模块40，但不限于此。作为一例，也可以在沿搬入端口15a、15b、15c和热处理模块20a、20b之间的晶片W的搬送路径的任意位置，例如真空搬送室11的侧面配置位置对合模块40。
Claims (9)
1.一种基板处理装置，其特征在于：
包括
热处理模块，具有对半导体晶片从背面局部地进行支承的支承部件，对所支承的半导体晶片进行热处理；
方案设定部，能够对半导体晶片的处理方案中的处理条件和半导体晶片的方向关联地进行设定；
位置对合模块，与所述方案设定部连接，对合半导体晶片的方向使之成为由所述方案设定部所设定的方向；
搬入端口，使得收纳有多块半导体晶片的装载体被搬入；和
搬送机构，将从被搬入所述搬入端口的装载体取出的半导体晶片搬送到位置对合模块，
所述搬送机构进而为了向热处理模块进行搬送，从位置对合模块取出半导体晶片。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述方案设定部具有作为对晶片W的搬送路径等处理条件进行设定和对设定内容进行显示的输入装置兼显示装置的方案设定画面。
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：
所述方案设定画面包括能够对所述处理条件以外的处理方案的附带信息进行输入和显示的附带信息栏，
通过所述附带信息栏能够输入所述半导体晶片的方向。
4.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述搬入端口与搬送室连接，
所述搬送室连接有所述热处理模块和等离子体处理模块。
5.一种基板处理方法，其特征在于：
包括
工序(a)，从被搬入到搬入端口的装载体取出半导体晶片，将其搬送到位置对合模块；
工序(b)，用位置对合模块使所述半导体晶片的方向与第一角度相一致；
工序(c)，接着，将所述半导体晶片搬入热处理模块，由多个支承部件对所述半导体晶片从背面局部地进行支承，对所述半导体晶片进行热处理；
工序(d)，之后，用所述位置对合模块使所述半导体晶片的方向与和第一角度不同的第二角度相一致；和
工序(e)，然后，将所述半导体晶片搬入与所述热处理模块相同的模块，由多个支承部件对半导体晶片从背面局部地进行支承，对该半导体晶片进行热处理。
6.如权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于：
经由搬送室从所述位置对合模块向所述热处理模块搬送所述半导体晶片，
在所述工序(b)和所述工序(d)之间，还包括用与所述搬送室连接的等离子体处理模块对所述半导体晶片进行等离子体处理的工序。
7.如权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于：
所述工序(c)和所述工序(d)之间，还包括
工序(c1)，临时从所述搬入端口搬出所述半导体晶片；和
工序(c2)，之后，将装载体所收纳的该半导体晶片再次向所述搬入端口搬入。
8.如权利要求7所述的基板处理方法，其特征在于：
所述工序(c1)和所述工序(c2)之间，还包括使用方案设定部对要由所述位置对合模块调节的所述半导体晶片的方向进行预先设定的工序。
9.一种存储介质，存储有由控制装置所执行的程序，所述控制装置对包括进行半导体晶片的位置对合的位置对合模块、和对被位置对合的半导体晶片进行热处理的热处理模块的基板处理装置进行控制，所述存储介质的特征在于：
通过所述控制装置执行所述程序，
使基板处理装置实施半导体晶片的处理方法，该处理方法包括，
工序(a)，从被搬入到搬入端口的装载体取出半导体晶片，将其搬送到位置对合模块；
工序(b)，用位置对合模块使所述半导体晶片的方向与第一角度相一致；
工序(c)，接着，将所述半导体晶片搬入热处理模块，由多个支承部件对所述半导体晶片从背面局部地进行支承，对所述半导体晶片进行热处理；
工序(d)，之后，用所述位置对合模块使所述半导体晶片的方向与和第一角度不同的第二角度相一致；和
工序(e)，然后，将所述半导体晶片搬入与所述热处理模块相同的模块，由多个支承部件对半导体晶片从背面局部地进行支承，对该半导体晶片进行热处理。
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (8)
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|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5801945A (en) * | 1996-06-28 | 1998-09-01 | Lam Research Corporation | Scheduling method for robotic manufacturing processes |
| JPH10233368A (ja) * | 1997-02-20 | 1998-09-02 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 縦型ウエハボート |
| JPH11106287A (ja) * | 1997-10-03 | 1999-04-20 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | 半導体ウエハ処理方法及び装置 |
| US6232248B1 (en) * | 1998-07-03 | 2001-05-15 | Tokyo Electron Limited | Single-substrate-heat-processing method for performing reformation and crystallization |
| JP2000269223A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-09-29 | Japan Radio Co Ltd | 半導体結晶基板の支持装置 |
| KR100811964B1 (ko) * | 2000-09-28 | 2008-03-10 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 레지스트 패턴 형성장치 및 그 방법 |
| JP3783557B2 (ja) * | 2000-11-30 | 2006-06-07 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | シリコンウェーハ熱処理用３点支持具の配置方法 |
| JP3531672B2 (ja) * | 2001-03-26 | 2004-05-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 金属酸化膜の形成方法 |
| JP2005064367A (ja) * | 2003-08-19 | 2005-03-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置、半導体装置の製造方法、基板の製造方法及び基板処理方法 |
| JP2005294460A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置 |
| JP2006019625A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Renesas Technology Corp | 熱処理装置 |
| JP4906714B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2012-03-28 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、集中管理装置、基板処理装置の表示方法及び調整方法 |
| US7957827B2 (en) * | 2007-12-27 | 2011-06-07 | United Microelectronics Corp. | Method of controlling statuses of wafers |
-
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-
2010
- 2010-01-04 US US12/651,718 patent/US20100168889A1/en not_active Abandoned
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107104073A (zh) * | 2012-02-03 | 2017-08-29 | 东京毅力科创株式会社 | 基板搬送装置、基板搬送方法和存储介质 |
| CN107104073B (zh) * | 2012-02-03 | 2020-06-02 | 东京毅力科创株式会社 | 基板搬送装置、基板搬送方法和存储介质 |
| TWI694516B (zh) * | 2017-01-11 | 2020-05-21 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理裝置 |
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| PB01 | Publication | ||
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