CN107104073A - 基板搬送装置、基板搬送方法和存储介质 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板搬送装置，当搬送在周边部设置有切口的圆形的基板时，即使检测该基板周边部的位置的传感器部的数量少，也能高精度地将基板搬送至组件。本发明执行以下步骤：使保持有从第一组件接受到的基板的基板保持部相对上述传感器部分别位于预先设定的第一位置、第二位置，检测基板的周边部的各位置的第一和第二步骤；判别光源部的光照射区域位于基板的切口的异常状态的种类的第三步骤；和根据第三步骤的判别，基于在第一位置或第二位置检测出的周边部的各位置决定基板保持部相对第二组件的交接位置，或在第三位置重新检测基板周边部的各位置，基于该各位置决定交接位置。

Description

基板搬送装置、基板搬送方法和存储介质
技术领域
本发明涉及在组件(模块)间搬送基板的基板搬送装置、基板搬送方法和存储有用于执行该基板搬送方法的程序的存储介质。
背景技术
例如半导体器件的制造工艺中，在装置内设置有多个对作为基板的晶片进行处理的处理组件，通过在这些处理组件间利用基板搬送装置依次搬送晶片，进行规定的处理。上述基板搬送装置具备保持晶片的保持部。
为了对晶片进行适当的处理，要求高精度地将上述晶片交接(移交)至组件的规定的位置。因此，讨论利用检测部(传感器)对上述保持部中的晶片的周边部的位置进行检测，并基于该检测出的位置搬送晶片。例如在专利文献1中记载有，基于上述检测出的晶片的周边部的位置，对组件的相互间的晶片的搬送量进行校正，来消除在上述组件的晶片的位置偏移。另外，在专利文献2中记载有如下控制，根据检测出的周边部的位置求出晶片的中心位置，基于该中心位置与预先确定的基准位置的偏移量，使搬送臂部能够将晶片搬运到搬送目标位置。
但是，晶片不是正圆形，在其周边部形成有用于对晶片进行定位的切口(缺口)。上述检测部的检测范围与该切口重叠的情况下，保持部中的晶片的位置不能够正常检测，所以需要适当的对策。另外，还考虑有以下情况，由于某些问题上述设置有多个的检测部发生故障的情况下，停止装置内的处理中的晶片的搬送，工作者为了收回晶片而进入装置内运走晶片。但是，在那样的情况下，在装置内晶片的处理被中断，存在生产率大幅度降低的问题。根据该问题，要求在设置有多个的检测部的一部分不能够使用的情况下，也能够高精度地检测上述晶片的位置。在专利文献1、2的各装置中，对这些问题没有考虑，不能解决该问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平8－31905号公报
专利文献2：日本特开2006－351884号公报
发明内容
发明想要解决的课题
本发明是鉴于上述的课题而完成的，提供一种技术，通过该技术，在搬送周边部设置有切口的圆形的基板时，即使分别对该基板的周边部的位置进行检测的光源部和与该光源部成对的受光部的数量少，也能够高精度地将基板搬送至组件。
用于解决课题的方法
本发明的基板搬送装置，其特征在于：具备在横方向上能够自由移动的基板保持部，用于从第一组件向第二组件搬送在周边部设置有切口的圆形的基板，
上述基板搬送装置具备：
传感器部，其为了对由上述基板保持部保持的基板的周边部的3个位置进行检测，具备对上述周边部的相互不同的位置照射光的3个光源部和与各上述光源部成对的3个受光部；
用于使上述基板保持部相对上述传感器部相对地移动的驱动部；和
为了控制上述基板保持部、驱动部和传感器部的各动作而输出控制信号的控制部，
上述控制部输出控制信号以执行以下步骤：
第一步骤，使保持有从上述第一组件接受到的基板的基板保持部，相对上述传感器部位于预先设定的第一位置，检测上述基板的周边部的各位置；
第二步骤，使上述基板保持部相对传感器部位于从该第一位置偏移的第二位置，检测基板的周边部的各位置；
第三步骤，当将光源部的光照射区域位于上述基板的切口的状态称为异常状态时，基于上述第一步骤和第二步骤的各检测结果，导出以下a～d中任意一个结果，
a.在上述第一位置和第二位置中的任一个位置发生异常状态，能够确定该位置，
b.在上述第一位置和第二位置中的任一个位置都未发生异常状态，
c.在上述第一位置和第二位置双方发生异常状态，
d.在上述第一位置和第二位置中的至少一个位置发生异常状态，但不能够确定该位置；和
第四步骤，在上述第三步骤的结果为a或b时，基于在上述第一位置或第二位置检测出的周边部的各位置，决定基板保持部相对第二组件的交接位置，另外，在上述结果为c或d时，为了向上述基板的离开切口的位置照射光，使上述基板保持部相对传感器部移动至与上述第一位置和第二位置不同的第三位置，检测基板的周边部的各位置，基于该各位置决定上述交接位置。
本发明的具体方式例如为下面的方式。
(a)上述传感器部具备4对以上的上述光源部和受光部，当该4对以上的光源部和受光部能够使用时，利用这4对以上的光源部和受光部检测基板的周边部的各位置。
(b)上述控制部执行包括以下步骤的第二模式，替代执行包括上述第一步骤至第四步骤的第一模式：
使保持有从上述第一组件接受到的基板的基板保持部，相对传感器部位于预先设定的第四位置，检测上述基板的周边部的各位置的位置检测步骤；
基于在上述位置检测步骤中检测出的周边部的各位置，判定是否发生上述异常状态的异常状态判定步骤；和
在上述异常状态判定步骤中判定为未发生异常状态的情况下，基于在上述第四位置检测出的周边部的各位置，决定基板保持部相对第二组件的交接位置，在判定为发生异常状态的情况下，使基板保持部移动至从上述第四位置偏移的第五位置，检测上述基板的周边部的各位置，基于在第四位置和第五位置检测出的基板的周边部的各位置，确定包括成为上述异常状态的光源部和受光部的传感器对，基于由上述传感器对检测出的周边部的位置以外的各位置决定上述交接位置的步骤。
(c)在执行上述第二模式时，上述控制部基于上述受光部的检测结果，判定包括上述光源部和与该光源部成对的受光部的检测部能否使用，在能够使用的上述检测部为3个时，执行第一模式替代上述第二模式。
(d)在上述第二模式，成为异常状态的检测部的确定基于以下进行：根据在上述第四位置和第五位置分别检测到的基板的各周边部的位置而计算的该基板的中心位置的位移量；和根据在第四位置和第五位置分别检测出的基板的各周边部的位置而计算的基板的直径的大小。
(e)上述第三步骤中的判定基于以下进行：根据在上述第一位置检测出的基板的各周边部的位置而计算的该基板的中心位置和直径的大小；和根据在上述第二位置检测出的基板的各周边部的位置而计算的基板的中心位置和直径的大小。
(f)上述第三步骤中的判定基于在上述第一位置检测出的基板的中心位置与在上述第二位置检测出的基板的中心位置的位移量进行。
发明效果
根据本发明，使基板的位置相对于设置有3个的传感器部错开，在各位置从构成上述检测部的光源部向受光部照射光，基于各受光量判定传感器部的检测范围与基板的切口是否重叠，当判定为在任一位置重叠时，进一步使基板的位置相对于传感器部错开，检测基板的周边部的位置。因此，能够抑制必需的光源部和受光部的数量，并能够高精度地将基板交接至组件。
附图说明
图1是构成本发明的基板搬送机构的搬送臂和组件的立体图。
图2是上述搬送臂的立体图。
图3是上述搬送臂的平面图。
图4是上述搬送臂的侧视图。
图5是表示上述搬送臂的检测部的检测结果的一个例子的示意图。
图6是上述周边位置检测机构的检测部的块图。
图7是控制上述搬送臂的动作的控制部的块图。
图8是设置于上述控制部的存储器的概念图。
图9是上述搬送臂的搬送的示意图。
图10是上述搬送臂的搬送的示意图。
图11是表示上述搬送臂的保持部与由该保持部保持的晶片的位置关系的平面图。
图12是表示基于检测的周边位置计算的晶片的各坐标的平面图。
图13是表示上述晶片的各坐标的平面图。
图14是表示上述晶片的各坐标的平面图。
图15是表示上述晶片的各坐标的平面图。
图16是表示晶片的中心坐标变化的状况的说明图。
图17是上述搬送臂进行的通常模式的流程图。
图18是表示暂时模式执行时的保持部的动作状态的说明图。
图19是表示暂时模式执行时的保持部的动作状态的说明图。
图20是表示暂时模式执行时的保持部的动作状态的说明图。
图21是表示暂时模式执行时的保持部的动作状态的说明图。
图22是表示暂时模式执行时的保持部的动作状态的说明图。
图23是上述搬送臂进行的通常模式的流程图。
图24是表示上述搬送臂的检测部的检测结果的一个例子的示意图。
图25是表示上述搬送臂的检测部的检测结果的一个例子的示意图。
图26是具有上述搬送臂的涂布、显影装置的平面图。
图27是具有上述搬送臂的涂布、显影装置的立体图。
图28是具有上述搬送臂的涂布、显影装置的侧视图。
图29是表示上述搬送臂的其它结构和其它搬送方法的概略图。
图30是表示上述搬送臂的其它结构和其它搬送方法的概略图。
图31是表示上述搬送臂的其它结构和其它搬送方法的概略图。
附图标记的说明
N 缺口
W 晶片
3A、3B 叉
30 搬送臂
31 基台
40 基板周边位置检测机构
4 检测部
41 光源部
42 受光部
5 控制部
56 通常模式执行程序
57 暂时模式执行程序。
具体实施方式
图1表示作为基板搬送装置的搬送臂30、和由搬送臂30被交接作为圆形的基板的晶片W的组件组的立体图。在晶片W的周边部设置有作为切口的缺口N。图中11是容纳对晶片W涂布抗蚀剂的组件COT的壳体，经由搬送口12向上述组件COT交接晶片W，进行上述抗蚀剂涂布处理。壳体11面向上述搬送臂30移动的晶片W搬送路20，以夹着该搬送路20与壳体11相对的方式设置有多个加热组件21。加热组件21具备载置涂布有上述抗蚀剂的晶片W的热板，对晶片W进行加热处理。图中22是加热组件21的晶片W的搬送口。
搬送臂30从上游侧的组件(图1中省略)将晶片W搬送至抗蚀剂涂布组件后，再搬送至加热组件21，对晶片W进行一系列的处理。搬送臂30具备作为晶片W的保持部的叉3(3A、3B)、基台31、旋转机构32、升降台34和基板周边位置检测机构40。
2个叉3A、3B以相互上下重叠的方式经由支撑部33A、33B被分别支撑在基台31上，相互独立地在基台31上进退。基台31设置为通过旋转机构32在上述升降台34上围绕铅垂轴自由旋转。升降台34设置为被在上下方向上延伸的框架35包围，在上下方向(图1中Z方向)上升降。在框架35的内部设置有用于使升降台34升降的升降机构。在设置于加热组件21的下方的壳体36，设置有在横向(图1中Y方向)上直线状地延伸的Y轴引导件，框架35与该引导件连接。而且，框架35构成为在Y方向上移动。通过这样构成，上述叉3A、3B构成为在Z方向、Y方向和与这些Z、Y方向正交的X方向上能够自由移动且围绕铅垂轴自由旋转，能够访问上述的各组件并交接晶片W。
对于搬送臂30的基台(移动基体)31和叉3A、3B，参照作为其立体图、平面图、侧视图的图2、图3、图4进一步进行说明。叉3A、3B相互同样地构成，所以作为代表对3A进行说明。叉3A形成为平板的圆弧状，如图3所示包围要搬送的晶片W的周围。该叉3A的内周形成为比晶片W的外周稍微大，使得在组件内外的搬送时晶片W的位置稍微偏移也能够进行搬送。
另外，在叉3A的内周下侧形成有载置晶片W的背面周边部的4个保持爪37，该4个保持爪37相互隔着间隔，且向叉3A的内侧突出。在保持爪37分别设置有真空吸附口38。当保持爪37载置晶片W的背面周边部时，真空吸附口38对该周边部进行真空吸附，将晶片W保持于该保持爪37。真空吸附口38与设置于叉3A的配管39连接。通过这样进行真空吸附，能够对晶片W的周边部的水平位置进行定位。图中33A是将叉3A支撑于基台31的支撑部。
如上所述，叉3在基台31上进退，但通常位于基台31的后退位置，在将晶片W交接至组件时，从后退位置向前进的交接位置移动。图3、图4表示叉3A、3B分别移动到后退位置、交接位置的状态。搬送臂30利用一个叉从组件接受晶片W，用另一个叉向组件交接晶片W。即，搬送臂30以替换在与组件之间保持的晶片W的方式动作。
接着，对基板周边位置检测机构40进行说明。作为传感器部的基板周边位置检测机构40具备4个检测部4(4A～4D)，当叉3A或3B在保持有晶片W的状态下位于基台31的后退位置(基准位置)时，对上述晶片W的周边部的位置分别进行检测。各检测部4沿着上述晶片W的周边部相互隔着间隔地设置，以能够检测晶片W的相互不同的4个周边位置。
检测部4A～4D包括4个光源部41(41A～41D)和与各光源部41成对的4个受光部42(42A～42D)。上述光源部41(41A～41D)例如具备LED(Light Emitting Diode：发光二极管)，设置在上述基台31上，例如配置于上述后退位置的叉3A、3B的下方侧。另外，光源部41具备未图示的透镜，上述LED的光经由该透镜以图4中箭头所示的方式对垂直上方照射。另外，光源部41的光的照射区域，俯视时，从后退位置的叉3的晶片W的外侧朝向中心部一侧形成为直线状。
受光部42是多个受光元件直线状地排列而构成的线性图像传感器(LIS)。上述受光元件含有例如CCD(Charge Coupled Device：电荷藕合器件)。而且，受光部42经由支撑部件43设置于基台31上，配置于上述叉3A、3B的上方侧。即，相互成对的光源部41和受光部42设置为从上下夹着上述后退位置的叉3A、3B所保持的晶片W。而且，受光部42的各受光元件以能够接受光源部41的光的方式从上述晶片W的外侧朝向中心部一侧排列。
当叉3保持晶片W，停止于上述后退位置和后述的比后退位置稍微前进的位置时，由上述各光源部41从下方向上方发出光。由设置于叉3A的上方的受光部42接受发出的光。此时，基于作为受光部42的各像素的CCD的检测值，后述的控制部能够决定受光的像素与不受光的像素的边界的位置。而且，用以XY平面的规定的位置为原点的坐标表示决定出的边界的位置，如后所述，能够进行用于算出晶片W的中心位置和半径的计算。上述XY平面的Y方向为基台31的移动方向，X方向与上述Y方向正交，为叉3移动的方向。
为了具体表示由受光部42识别上述边界的位置、即晶片W的周边部的位置的状况，使用图5进行说明。图5是示意地表示晶片W和叉3的位置、与上述受光部(线性图像传感器)42中的与各受光元件对应的像素的受光量的关系的图，将不接受由光源部41发出的光的像素的检测值(以下称为“受光量”。)设为第一值n1，接受由光源部41发出的光的像素的受光量为第二值n2。此时，能够将晶片W的周边部的位置作为各像素的受光量在第一值n1与第二值n2之间变化的位置E进行检测。当将受光量作为8比特的数据进行处理时，使第一值n1例如为0，使第二值n2例如为255以下的规定的值。图5中，从晶片W的内侧对像素标记号码，当在基台31上后退的叉3位于基准位置(后退位置)时，将由光源部41发出的光被叉3遮蔽的受光元件的像素号码设为900。这样，受光部42构成为对沿该受光部42的伸长方向的晶片W的周边部的位置进行检测的CCD线传感器。
对检测部4的结构进一步进行说明。如图6所示，检测部4除了光源部41、受光部42之外还具有CCD线传感器控制部44、数字模拟转换器(DAC)45、模拟数字转换器(ADC)46。CCD线传感器控制部44基于来自未图示的时钟的时钟信号，错开作为受光部42的CCD线传感器的各受光元件(CCD元件)的动作定时，作为用于使电荷移动的定时发电机，对光源部41进行电流控制。DAC45为了将来自CCD线传感器控制部44的数字控制信号输入光源部41，而进行模拟转换。ADC46为了将作为来自受光部42的检测信号的模拟输出信号向后述的控制部5输出，而进行数字转换。
根据以上的结构，来自CCD线传感器控制部44的控制信号被DAC45模拟转换，被输入光源部41。由此，光源部41的LED发光。接受来自光源部41的输出光的受光部42，基于来自CCD线传感器控制部44的控制信号的定时，通过使电荷在受光部42内移动，输出与各像素的受光量匹配的信号。该信号(检测值)经由ADC46输入控制部5。
搬送臂30具备包括机算机的控制部5，由该控制部5控制各部的动作。参照图7所示的控制部5的块图进行说明。控制部5经由放大器47控制合计5台电动机M1～M5：为了驱动叉3A、3B而设置于基台31的X轴驱动用的电动机M1、M2；为了在Y方向上驱动基台31而设置于壳体36的Y轴驱动用的电动机M3；为了在Z方向上驱动升降台34而设置于框架35的Z轴驱动用的电动机M4；和设置于旋转机构32的旋转驱动用的电动机M5。电动机M1～M5的旋转动作通过同步带等的传递机构分别传递至叉3、基台31、旋转机构32和升降台34。
而且，根据与各电动机M1～M5的各旋转量对应的距离，这些搬送臂30的各部如上所述在XYZ方向上各自直线移动，上述旋转机构32旋转。另外，电动机M1～M5分别与根据其旋转量输出脉冲的编码器48和对上述脉冲数进行计数的计数器49连接。计数器49将与上述计数对应的信号输出到控制部5，由此，控制部5能够对搬送臂30的各部的位置进行检测。图7中为了防止图变得复杂化，仅表示一个电动机M、编码器48和计数器49的组。
图7所示控制部5具备运算处理部51、程序存储部52、显示部53、警报发出部54和存储部55。图中50是主线。运算处理部51例如是具有存储器、CPU(Central Processing Unit：中央处理器)的数据处理部。运算处理部51读取记录在程序存储部52的各程序，按照这些程序所包含的命令(指令)对各部发送控制信号，执行晶片W的搬送。
程序存储部52是计算机可读取的存储介质，存储有执行作为晶片W的搬送模式的通常模式的程序56、执行暂时模式程序57。关于各模式在后文中叙述。程序存储部52例如包括磁盘、光盘、硬盘、磁光(Magnetoptical：MO)盘等。显示部53例如包括计算机的画面。
另外，控制部5也控制各组件的动作，能够从上述显示部53进行组件中的各种基板处理的选择、各基板处理中的参数的输入操作。警报发出部54例如当检测部4中的一个不能使用时，发出表示该意思的警报音。存储部55如图8所示存储有：由上述检测部4A～4D检测到的晶片W的周边部的位置(周边位置)；和通过执行上述各模式而获得的计算值。关于上述计算值，在说明各模式时进行述说。
此外，图7表示加热组件21的纵截面，为了说明搬送臂30所进行的晶片W的搬送，提前简单地说明该加热组件21的结构，图中23是载置晶片W的热板。24是升降销，通过升降机构25进行升降，在叉3A、3B与热板23之间交接晶片W。即，移动至热板23的晶片W自由叉3保持的位置起垂直地移动，被交接至热板23。
在此，参照图9、图10对搬送臂30从抗蚀剂涂布组件COT向加热组件21搬送晶片的概要进行说明。在图9以后的各图中，为了方便说明，稍微简略地表示叉3和基台31。如上所述，叉3以包围从抗蚀剂涂布组件COT交接的晶片W的侧周的方式保持该晶片W。这样，在晶片W被保持时，在如图9所示晶片W载置于叉3时，如果为其中心位置o与叉3的预先设定的适当位置p重合的状态，则基台31和叉3以叉3的上述适当位置p与热板23的适当位置q(图中作为坐标(α、β)表示)重合的方式移动，由此，能够使晶片W的中心位置o与上述适当位置q重合，即将晶片W载置于热板23的适当的位置。
但是，如图10所示，在上述晶片W的中心位置o与叉3的适当位置p偏移的情况下，如上所述，在以叉3的适当位置p与热板23的适当位置q重合的方式进行移动时，晶片W的中心位置o从热板23的适当位置q偏移其与上述叉3的适当位置p的偏移量地进行交接。分别用ΔX、ΔY表示图中X方向、Y方向的晶片W的中心位置o相对于上述适当位置p的偏移量。另外，这样，将从适当位置偏移的情况下的中心位置o表示为o′。
于是，利用各检测部4检测上述XY平面中的晶片W的周边部的坐标位置，并基于该检测结果计算XY平面中的晶片W的中心位置(中心坐标)o′。而且，在将该晶片W交接至加热组件21时，控制基台31的Y方向的位置和叉3的X方向的位置，以消除该中心位置o′与叉3的适当位置p的偏移量。
图10中表示中心位置o′相对于适当位置p在热板23一侧偏移ΔX、自抗蚀剂涂布组件COT起在基台31的移动方向上偏移ΔY的情况的例子。在该情况下，在向热板23交接晶片W时，对叉3和基台31的位置进行校正，使得叉3的适当位置p成为从热板23的适当位置q的坐标(α、β)偏移ΔX、ΔY量的(α－ΔX、β－ΔY)。即，和中心位置o′与适当位置p的偏移量对应地，变更交接晶片W时的叉3相对于热板23的位置。由此，使晶片W的中心位置o′与热板23的适当位置q重合地进行交接。这种组件的适当位置q的坐标数据存储于控制部5的存储部55，如上所述，为了基于存储的数据进行上述交接而进行计算。
但是，如上所述，在晶片W设置有缺口N，所以在叉3位于后退位置时，例如图11所示存在检测部4A～4D中的任一个的检测范围与缺口N重叠、即来自光源部41的光照射到缺口N的情况。图11中表示检测部4A的检测范围与缺口N重叠的例子。在这种情况下，与缺口N重叠的检测部4A，将比晶片W的外形(外缘)更靠内侧的位置作为周边部的位置进行检测，使用该检测部4A的检测结果计算出的中心位置(图中为of)从实际的中心位置o偏移。为了防止这种情况，控制部5设置有如下功能：判定缺口N是否与上述检测范围重叠，在判断为重叠的情况下，使叉3移动，使得缺口N与检测部4的位置偏移，并再次对中心位置进行计算。
而且，控制部5在该检测部4A～4D全部能够使用时，利用程序56执行通常模式，在检测部4A～4D中的一个由于故障等而不能够使用的情况下，利用程序57执行暂时模式。各模式在各自不同的工序中，执行缺口N的重叠判定和中心位置的计算。
在说明以何种方式进行上述缺口N的重叠判定之前，参照图12对根据晶片W的周边部的位置算出中心位置的坐标(中心坐标)的方法进行说明。在将晶片W的中心位置o设为与已述的叉3的适当位置p重合的位置时，各受光部42上的晶片W的周边部的位置分别表示为a点、b点、c点、d点。另外，将4个受光部42A～42D的延伸的方向与Y轴所成的角设为θ1、θ2、θ3、θ4。
接着，将在该适当位置p保持的晶片W发生偏移时的该晶片W的位置设为偏移位置，将偏移位置中的受光部42上的晶片W的周边部的位置分别设为a′点、b′点、c′点、d′点。
设各受光部42中的a点、b点、c点、d点与a′点、b′点、c′点、d′点的距离为Δa、Δb、Δc、Δd。此时，Δa、Δb、Δc、Δd如下。
Δa[mm]＝((a'点的像素数)－(a点的像素数))×像素间隔[mm] (1)
Δb[mm]＝((b'点的像素数)－(b点的像素数))×像素间隔[mm] (2)
Δc[mm]＝((c'点的像素数)－(c点的像素数))×像素间隔[mm] (3)
Δd[mm]＝((d'点的像素数)－(d点的像素数))×像素间隔[mm] (4)
其中，a点的像素数表示从受光部42的晶片W的中心侧的开始点至a点的像素的数量。
这样，a点～d点、a′点～d′点的坐标以如下方式表示。式中R是晶片W的半径。另外，X、Y是指，叉3在交接位置从各组件接受晶片W并移动到后退位置时的适当位置p的坐标，即上述晶片W被适当地保持于叉3时的上述中心位置o的X坐标、Y坐标。这些R的值和o的坐标是预先设定的已知的值。
a点(X1，Y1)＝(X－Rsinθ1，Y－Rcosθ1) (5)
a'点(X1'，Y1')＝(X1－Δasinθ1，Y1－Δacosθ1)
＝(X－(R+Δa)sinθ1，Y－(R+Δa)cosθ1) (6)
b点(X2，Y2)＝(X－Rsinθ2，Y+Rcosθ2) (7)
b'点(X2'，Y2')＝(X2－Δbsinθ2，Y2+Δbcosθ2)
＝(X－(R+Δb)sinθ2，Y+(R+Δb)cosθ2) (8)
c点(X3，Y3)＝(X+Rsinθ3，Y+Rcosθ3) (9)
c'点(X3'，Y3')＝(X3+Δcsinθ3，Y3+Δccosθ3)
＝(X+(R+Δc)sinθ3，Y+(R+Δc)cosθ3) (10)
d点(X4，Y4)＝(X+Rsinθ4，Y－Rcosθ4) (11)
d'点(X4'，Y4')＝(X4+Δdsinθ4，Y4－Δdcosθ4)
＝(X+(R+Δd)sinθ4，Y－(R+Δd)cosθ4) (12)
因此，利用式(6)、式(8)、式(10)、式(12)，能够求出a′点(X1′，Y1′)、b′点(X2′，Y2′)、c′点(X3′，Y3′)、d′点(X4′，Y4′)的坐标。
而且，根据这样算出的a′点、b′点、c′点、d′点中的任意3点，能够算出在偏移位置的晶片W的中心位置o′的坐标(X′、Y′)。例如根据a′点(X1′，Y1′)、b′点(X2′，Y2′)、c′点(X3′，Y3′)的3点算出在偏移位置的中心位置o′的坐标(X′、Y′)的式，由下述式(13)
和(14)表示。
另外，为了进行上述缺口N与检测部4的检测范围的重叠判定，需要使用如上所述根据3个周边位置计算出的中心位置和根据上述3个周边位置中的一个计算出的晶片W的半径R′。例如在根据a′点、b′点、c′点算出中心坐标的情况下，半径R′由下述式(15)计算。
在上述式(15)中，根据中心坐标o′和b′点的坐标算出半径R′，但在根据3个周边位置计算中心坐标o′时，预先决定有使用这些周边位置中的哪个周边坐标算出半径。例如根据a′点、b′点、d′点的各坐标算出中心坐标o′时，使用a′点的坐标，根据b′点、c′点、d′点的各坐标算出中心坐标o′时，使用c′点的坐标，根据a′点、c′点、d′点的各坐标算出中心坐标o′时，使用d′点的坐标。
接着，说明在通常模式中，进行有无缺口N与检测部4的检测范围的重叠的判定的方法、和判定的结果为重叠时的应对。为了说明的方便，令根据a′点、b′点、d′点计算出的中心坐标(中心位置)为o′1，令半径为R′1，令根据a′点、b′点、c′点计算出的中心坐标为o′2，令半径为R′2。另外，令根据b′点、c′点、d′点计算出的中心坐标为o′3，令半径为R′3，令根据a′点、c′点、d′点计算出的中心坐标为o′4，令半径为R′4。图13表示晶片W与检测部4的位置关系的一个例子，保持晶片W的叉3位于后退位置(基准位置)。检测部4A～4D的检测范围中的任一个都不与缺口N重叠。在该情况下，如上所述，使用a′～d′点中的3点求出4种中心位置o′(o′1～o′4)和半径R′(R′1～R′4)时，因为该4种的半径R′处于正常范围内，所以其最大值－最小值为预先设定的阈值以下。因此，控制部5判定为各检测部4不与缺口N重叠，对4种求出的中心位置o′1～o′4计算平均值，将该计算值设为中心位置o′。
图14表示晶片W与检测部4的位置关系的其它的一个例子，检测部4A的检测范围与缺口N重叠。图14表示此时算出的各中心位置o′1～o′4。此时，由于发生上述重叠，半径R1′～R4′中的2个与作为已知的值的实际的晶片W的半径相比变短。图14所示的例中，R2′和R4′如上所述变短。因此，当对上述的半径R′计算其最大值－最小值时，变得比上述阈值大。因此，能够判别缺口N与检测部4A～4D中的任一个的检测范围重叠。
此时，使用检测范围不与缺口N重叠的检测部4算出的半径R′当然表示与实际的半径相同的正常值。但是，即使为使用与缺口N重叠的检测部4的数据算出的半径R′，由于计算出的中心位置o′从晶片W的实际的中心位置向缺口N的切口方向偏移，因此存在处于上述正常范围的情况。图14的例中相当于根据b′点、c′点、d′点求出的半径R′1。
于是，为了确定不与缺口N重叠的检测部，控制部5使叉3稍微前进，使图15所示检测部4与晶片W的位置错开。该前进的距离例如为1mm，设这样前进的位置为第一微小前进位置。在第一微小前进位置，控制部5再次对中心位置o′1～o′4和半径R′1～半径R′4进行计算。
图16上部表示例如以基台31的规定的位置为原点，在XY坐标系上中心位置o′1～o′4移动的状况。分别用白点表示在图中后退位置取得的中心位置o′1～o′4，用黑点表示在第一微小前进位置取得的中心位置o′1～o′4。如图所示，当对在后退位置的各中心位置o′与在第一微小前进位置的各中心位置o′进行比较时，由于检测部4相对于缺口N的位置发生变化，因此使用与缺口N重叠的检测部4算出的中心位置o′中的Y方向的位置发生移动。
图16中下部是表示从在使缺口N刚好从检测部4A的检测范围离开地移动晶片W时正常检测出的中心位置o′3看，由于缺口N而误检测的其它的中心位置o′1、o′2、o′4的动作的概念图，表示有在后退位置与第一微小前进位置之间，减去叉3的移动量而得到的各坐标o′的移动。这样，误计算出的各中心位置以向恰好正常计算出的中心位置接近的方式移动。此外，在使检测部4A的检测范围与缺口N的切口的重叠逐渐变大地移动晶片W时，其它的中心位置o′1、o′2、o′4以离开正常计算出的中心位置o′3的方式移动。
而且，如上所述，在后退位置，对于利用包含与缺口N重叠的检测部4且对与正常值相同的半径R′进行计算的检测部4的组合(在该例中，4A、4B、4D)算出的中心位置，由于检测位置相对于缺口N在晶片W的内侧与外侧之间变化，因此产生向上述的Y方向的位置的变动。即，在后退位置计算出的半径R′为正常值，对在后退位置和第一微小前进位置算出的中心位置o′进行相互比较，能够确定在Y方向上不发生变化的检测部4的组合为与缺口N不重叠的检测部4，能够将根据该组合获得的中心位置o′决定为正确的晶片W的中心位置。在检测部4A以外的检测部4与缺口N重叠的情况下，也同样地确定晶片W的中心位置。
如图8所示，上述控制部5的存储部55存储在基准位置(后退位置)、第一微小前进位置分别利用各检测部4A～4D取得的周边位置的坐标、中心坐标o′1～o′4、半径R′1～R′4的各数据，以能够进行上述计算。另外，还设置有存储以下计算结果的区域：以如上所述能够判定中心位置的Y方向的变化的有无的方式，计算基准位置与第一微小前进位置在中心坐标的Y成分的差。控制部5在计算出的差超过规定的范围时设为上述Y成分发生变化，在未超过的情况下设为无变化。
对如上所述使用检测部4A～4D的缺口N的检测方法和正常的中心位置的算出方法进行了说明，对于通常模式的一系列的动作，以从抗蚀剂涂布组件COT向加热组件21搬送晶片W为例，沿着图17的流程进行说明。基台31以朝向抗蚀剂涂布组件COT的方式设置，叉3A从基台31向交接位置前进，从抗蚀剂涂布组件COT接受晶片W后，向后退位置移动(步骤S1)。从各检测部4A～4D的光源部41向受光部42照射光，利用这些各检测部4A～4D取得晶片W的周边位置的坐标。接着，基于该周边位置的坐标计算出中心坐标o′1～o′4和半径R′1～R′4并进行存储(步骤S2)。接着，控制部5使用半径R′1～R′4中的最大值和最小值，来判定上述最大值－最小值是否比预先设定的阈值大(步骤S3)。
在判定为不比上述阈值大的情况下，判定为任一检测部4的检测范围都不与缺口N重叠，算出中心坐标o′1～o′4的X成分、Y成分的各自平均值，设其平均值为中心坐标o′(X′、Y′)。然后，如图10中说明的方式算出在叉3A的与适当坐标p(X，Y)的偏移量ΔX、ΔY。
ΔX[mm]＝X′－X(16)
ΔY[mm]＝Y′－Y(17)
接着，如图10中说明的方式，基于该ΔX、ΔY和加热组件21的热板23的适当位置的坐标，来计算交接晶片W时的叉3的适当位置p的坐标位置，使得中心坐标o′与加热组件21的热板23的适当位置q重合。即，计算晶片W交接时的基台31的位置和叉3的位置。接着，基台31向如以上方式计算出的位置移动，叉3朝向加热组件前进到计算出的位置，以晶片W的中心位置o′与热板23的适当位置q重合的方式被载置(步骤S4)。
在步骤S3中，在判定为计算出的半径R′的最大值－最小值比阈值大的情况下，判定为任一检测部4的检测范围与缺口N重叠，使叉3A向第一微小前进位置前进，从光源部41照射光，与步骤S2同样地利用各检测部4A～4D取得周边位置的坐标。接着，计算在该第一微小前进位置的中心坐标o′1～o′4和半径R′1～R′4(步骤S5)。接着，计算在后退位置、第一微小前进位置分别取得的中心坐标的Y成分的差。
对在上述后退位置计算出的半径R′处于正常范围内，且计算出上述Y成分的差处于预先设定的范围内的检测部4的组合进行确定，将利用该组合计算出的中心坐标o′设为实际的中心坐标o′。对于确定组合后的中心坐标，可以使用在上述步骤S2中算出的数据，也可以使用本步骤S6中算出的数据。接着，与步骤S4同样地，计算叉3的与适当位置p的偏移量ΔX、ΔY，进行上述晶片W的搬送，使该中心坐标o′与上述热板23的适当位置q重合(步骤S6)。上述的一系列的动作由通常模式执行程序56控制。
接着，说明在暂时模式中判定缺口N与检测部4的检测范围的重叠的有无的方法、和判定的结果为重叠时的应对。与通常模式同样，保持有晶片W的叉3向后退位置移动，使用将4个检测部4A～4D中的不能使用的检测部除去之后的3个检测部4，对晶片W的周边位置进行检测，基于其周边位置计算晶片W的半径R′和中心坐标o′。然后，叉3向第一微小前进位置移动，使用上述3个检测部4对晶片W的周边位置进行检测，基于其周边位置计算晶片W半径R′和中心坐标o′。
在此，如在通常模式中说明过的方式，当在后退位置或第一微小前进位置，3个检测部4中的一个的检测范围与缺口N重叠时，如上所述，在重叠状态下算出的半径R′存在比正常范围小的情况。另外，即使在后退位置或第一微小前进位置算出的半径R′均处于正常范围，在后退位置与第一微小前进位置之间，中心坐标o′的Y成分也发生变化。
如上所述，对于晶片W的半径R′，求出中心坐标o′与检测部4的检测坐标的距离，其中，该检测部4为从晶片W的圆周方向上看3个检测部4的排列间隔最短、且位于该排列的中央的检测部4。因此，当不能使用的检测部4的圆周方向上相邻的任一检测部4的检测范围与缺口N重叠时，半径R′比实际的半径小。而且，当在不能使用的检测部4的夹着晶片W中心相对的检测部4的检测范围与缺口N重叠时，半径R′处于正常范围，但发生上述Y成分的变动。
图18中表示检测部4C为不能使用的例子，表示叉3位于后退位置时，检测部4A的检测范围与缺口N重叠的例子。图19中表示上述叉3移动至第一微小前进位置的状态。如图18、图19所示，缺口N相对于检测部4A的位置发生偏移，所以由检测部4A、4B、4D计算的o′1的位置发生偏移。因此，可知从控制部5来看，在后退位置和/或第一微小前进位置，检测部4A与缺口N重叠。
于是，如图20所示，叉3进一步前进预先设定的距离。该前进距离为使缺口N仅从检测范围离开的充分的距离。接着，在该前进位置(设为第二微小前进位置)使用检测部4A、4B、4D对晶片W的周边位置进行检测，基于该周边位置计算正确的中心位置o′1。因此，如图8所示，上述控制部5的存储部55包括对上述第二微小前进位置的周边位置、根据该周边位置计算出的中心位置进行存储的存储区域。检测部4C以外的其它的检测部成为不能使用情况、和检测部4A以外的检测部4与缺口N重叠的情况，也同样地进行中心位置的检测。
图18～图20中对中心坐标的Y成分变化的情况进行了说明，以下，对其它的情况进行说明。在后退位置和第一微小前进位置计算出的半径R′都比正常范围短的情况下，因为在后退位置和第一微小前进位置，缺口N与任一检测部4的检测范围重叠，所以与上述Y成分变化的情况同样，使叉3移动至第二微小前进位置，算出中心坐标。
在后退位置和第一微小前进位置的中心坐标的Y成分无变化，仅在后退位置算出的半径R′比正常范围小、且在第一微小前进位置的半径R′处于正常范围的情况，表示在后退位置缺口N与检测范围重叠，而在第一微小前进位置检测范围从缺口N离开。因此，将根据在第一微小前进位置取得的周边位置而取得的中心坐标设为正确的晶片W的中心坐标。图21、图22表示这种例子，检测部4D变为不能使用，在后退位置缺口N与检测部4A重叠。在该情况下，在第一微小前进位置取得的中心坐标o′2为正确的中心坐标，因此不进行向叉3的第二微小前进位置的移动。
接着，在后退位置和第一微小前进位置的中心坐标的Y成分无变化，仅在第一微小前进位置算出的半径R′比正常范围小、在后退位置的半径R′处于正常范围的情况，表示在第一微小前进位置缺口N与检测范围重叠，在后退位置缺口N从上述检测范围离开。因此，将根据在第一微小前进位置取得的周边位置而取得的中心位置设为正确的晶片W的中心位置，不进行叉3的向第二微小前进位置的移动。
关于暂时模式的一系列的动作，以与上述通常模式的不同点为中心，以从抗蚀剂涂布组件COT向加热组件21搬送晶片W为例，沿着图23的流程进行说明。在此，与图18～图20的例子同样地，假设检测部4C成为不能使用。与上述的步骤S1同样地，例如叉3A从抗蚀剂涂布组件COT接受晶片W，向后退位置移动(步骤T1)，从光源部41向该后退位置照射光，利用各检测部4A、4B、4D取得周边位置的坐标。接着，基于上述周边位置的坐标计算中心坐标o′(o′1)和半径R′(R′1)(步骤T2)。然后，叉3A向第一微小前进位置移动，从光源部41照射光，利用各检测部4A、4B、4D取得在该第一微小前进位置的晶片W的周边位置的坐标。接着，基于上述周边位置的坐标计算中心位置o′1和半径R′1(步骤T3)。
然后，如以上所述，计算在步骤T2、步骤T3中取得的中心位置o′1的Y成分的差，判定是否处于容许范围。当处于容许范围时，判定在步骤T2、T3中分别计算的半径R′1是否处于正常范围。即，判定检测部4A、4B、4D在上述后退位置和第一微小前进位置中任一个的检测范围是否与缺口N重叠(步骤T4)。当判定仅任一个的半径R′1处于正常范围时，将通过与该半径R′1相同的步骤求出的中心坐标决定为正常的中心坐标。当双方的R′1处于正常范围时，将在步骤T2、T3算出的任一中心坐标例如在步骤T2中算出的中心坐标决定为正常的中心坐标。接着，如上所述，基于决定了的中心坐标，与通常模式同样地进行晶片W的搬送(步骤T5)。
在步骤T4中，判定为中心坐标o′1的Y成分的差未处于容许范围的情况、和判定为在步骤T2、T3计算出的半径R′1不包含于正常范围情况下，使叉3A向第二微小前进位置移动，在缺口N从检测部4的检测范围离开的状态下，从各光源部41照射光，取得晶片W的周边位置的坐标。基于其周边位置的坐标计算中心坐标o′1(步骤T6)，基于在该步骤T6计算出的中心坐标o′1，计算叉3A的与适当位置p的偏移量ΔX、ΔY，基于该偏移量进行上述晶片W的搬送，使该中心坐标o′1与上述热板23的适当位置q重合(步骤T7)。
但是，由于晶片W的叉3的保持位置，存在例如在叉3A前进至第二微小前进位置时晶片W从任一检测部4的检测范围离开的情况。根据上述图5的示意图，存在未检测到成为第一值n1的受光量，而仅检测到第二值n2的受光量的情况。当成为这种状态时，不进行晶片W的周边位置的检测，所以利用搬送臂30的晶片W的搬送被停止，例如在设置于控制部5的显示部53显示发生上述搬送停止的情况的警告，或者从设置于控制部5的警报发出部54发出警报音。上述的一系列的动作由暂时模式执行程序57控制。
接着，对从通常模式向暂时模式的切换进行说明。该切换在检测出各检测部4的光源部41的异常或受光部42的异常时自动进行，发生异常时以暂时模式搬送叉3所保持的晶片W和后续的晶片W。
如上所述，光源部41例如包括LED，作为LED发生的异常，包括LED的灭灯、LED的光量的降低、LED所具备的透镜的不干净、或者在控制部5与LED之间的任一电线的断线等。上述的光源部41的异常的检测，例如在检测上述晶片W的周边位置时每当保持有晶片W的叉3向后退位置移动时进行，利用通常配置于未被由叉3保持的晶片W遮蔽的位置的受光元件，检测从光源部41发出的光的光量而进行。
图24与上述图5同样，是示意地表示受光部42的像素号码与受光量的关系的图，参照该图24进行说明。当上述的光源部41发生异常时，如图24的例示，在从控制部5发送出信号使光从光源部41发出时，检测出的光量从第二值n2开始变化。在该受光量比容许值低的情况下，使具备该光源部41的检测部4为不能使用，进行警报音的发生和警告的画面显示，并且使动作模式从通常模式向暂时模式切换。即，在该例中，在计算晶片的中心位置时，进行光源部41的异常的判定，所以能够立即把握光源部41的不良。
接着，对受光部42的异常的检测方法进行说明。作为受光部42发生的异常，例示有各CCD的亏损、在控制部5与受光部42之间的任一电线的断线等。也参照与图24同样示意性地表示像素号码与受光量的关系的图25进行说明。
叉3在将晶片W交接到组件后，在不保持晶片W的状态下向后退位置移动。在这样移动至后退位置时，也与对晶片W的周边位置进行检测的情况同样地从光源部41向受光部42照射光。接着，对受光的光量进行检测，基于该检测值进行。这样接受到光时，受光部42存在上述的异常时，配置于未被叉3遮蔽的位置的像素的受光量不是本来应检测的第二值n2，而发生变化。例如，构成受光部42的发生异常的CCD都不能检测出光时，包括上述CCD的像素如图25中虚线所示，例如检测出与第一值n1等的第二值n2不同的值。
因此，在这样存在显示不为第二值n2的检测值的像素时，或者在不能够获得检测值的数据的情况下，控制部5判定在表示这种检测值的受光部42发生异常，将具备该受光部42的检测部4设为不能使用。接着，与在光源部41发生有异常的情况同样地进行警报音的发出和警告的画面显示，并且进行搬送模式的切换。该受光部42中的异常的有无的检测，例如在叉3A、3B中的一个将晶片W交接至组件后每当以未保持晶片W的状态向后退位置移动时进行。此时，例如以光源部41的光不被晶片W遮蔽的方式，另一个叉3为了交接晶片W而向交接位置移动。
具备以下模式：利用上述搬送臂30，使用3个检测部4，以晶片W的缺口N与各检测部4的检测范围不重叠的方式算出晶片W的中心坐标，并基于该中心坐标进行晶片W的向组件的搬送的模式。因此，即使4个检测部4中的一个成为不能使用，也无需使搬送臂30的动作停止，用户无需进入装置内，因此能够高精度地向组件的适当位置交接晶片W，并且能够抑制包括搬送臂30和上述各组件的基板处理装置的工作率的降低。而且，当4个检测部4为能够使用时，使用该4个检测部4检测晶片W的中心坐标。因此，能够抑制进行为了检测晶片W的中心坐标而前进的动作的次数，能够抑制生产率的降低。
作为上述光源部41，能够使用将多个LED直线状排列而得到的光源、或在单一的LED的发光侧直线状地设置导光材料的直线状的光源。另外，作为受光部42，除了CCD(Charge Coupled Device)线传感器之外，还能够使用光纤传感器、光电传感器等各种线性图像传感器。即，作为受光部42的受光元件，能够使用CCD、光电传感器等各种受光元件。另外，可以将光源部41设置在叉3的上侧，也可以将受光部42设置在叉3的下侧。并且，能够采用在2个叉3A、3B分别设置4个检测部4那样的结构。在该情况下，构成一对检测部4的光源部41和线性图像传感器42也可以以从上下夹着被保持于后退的叉3A、3B的晶片W的任一个的方式设置。检测部4也可以设置4个以上。
接着，参照图26～图28对搬送臂30、加热组件21和抗蚀剂涂布组件COT所适用的涂布、显影装置简单地进行说明。上述涂布、显影装置与曝光装置连接构成抗蚀剂图案形成装置，图26、图27、图28分别是上述抗蚀剂图案形成装置的平面图、概略立体图、侧视图。
抗蚀剂图案形成装置如图26和图27所示具有载体块61、处理部件区62、接口块63。另外，在抗蚀剂图案形成装置的接口块63一侧设置有曝光装置64。处理部件区62设置为与载体块61相邻。接口块63以与处理部件区62相邻的方式设置在处理部件区62的与载体块61一侧相反的一侧。曝光装置64以与接口块63相邻的方式设置在接口块63的与处理部件区62一侧相反的一侧。
载体区域61具有载体71、载置台72和交接单元C。载体71载置在载置台72上。交接单元C是用于将晶片W从载体71取出并交接至处理部件区62，并且接受在处理部件区62被处理的处理完的晶片W，返回载体71的构件。
如图26和图27所示，处理部件区62具有棚单元U1、棚单元U2、第一部件区(DEV层)B1、第二部件区(BCT层)B2、第三部件区(COT层)B3、第四部件区(TCT层)B4。第一部件区(DEV层)B1是用于进行显影处理的构件。第二部件区(BCT层)B2是用于进行形成于抗蚀剂膜的下层侧的反射防止膜的形成处理的构件。第三部件区(COT层)B3是用于进行抗蚀剂液的涂布处理的构件。第四部件区(TCT层)B4是用于进行形成于抗蚀剂膜的上层侧的反射防止膜的形成处理的构件。图26和已述的图1表示上述第三部件区COT层B3。
棚单元U1由各种的组件层叠地构成。如图28所示，棚单元U1例如具有从下方依次层叠的交接组件TRS1、TRS1、CPL11、CPL2、BF2、CPL3、BF3、CPL4、TRS4。另外，如图26所示，在棚单元U1的附近设置有自由升降的交接臂D。在棚单元U1的各组件彼此之间，由交接臂D搬送晶片W。
棚单元U2由各种的组件层叠而构成。如图28所示，棚单元U2例如具有从下方依次叠层的交接组件TRS6、TRS6、CPL12。此外，图28中，标记有CPL的交接组件兼作为温度调节用的冷却组件，标记有BF的交接组件兼作为能够载置多个晶片W的缓冲组件。
在第一部件区(DEV层)B1与第二部件区(BCT层)B2之间设置有将晶片W从棚单元U1直接搬送向棚单元U2的往返搬运装置SH。
第二部件区(BCT层)B2、第三部件区(COT层)B3、和第四部件区(TCT层)B4分别具有药液的涂布组件、加热组件组和已述的搬送臂30。从第二部件区(BCT层)B2至第四部件区(TCT层)B4的各部件区除了第二部件区(BCT层)B2和第四部件区(TCT层)B4中的药液是反射防止膜用的药液，第三部件区(COT层)B3中的药液是抗蚀剂液之外，具有同样的结构。第一部件区(DEV层)B1除了替代药液的涂布组件而设置有显影液的供给组件之外，为与其它的单位区域同样的结构。为了图示的方便，将各单位区域的搬送臂30表示为A1、A2、A3、A4。
接口部件区63如图28所示具有接口臂F。接口臂F设置于处理部件区62的棚单元U2的附近。在棚单元U2的各处理组件彼此之间和与曝光装置64之间，利用接口臂F搬送晶片W。
来自载体区域61的晶片W，利用交接单元C依次被搬送至棚单元U1的一个交接组件、例如与第二部件区(BCT层)B2对应的交接组件CPL2。搬送至交接组件CPL2的晶片W被交接至第二部件区(BCT层)B2的搬送臂A2，经由搬送臂A2被搬送至各处理组件(涂布组件和加热、冷却类的处理组件组的各处理组件)，在各处理组件中进行处理。由此，在晶片W形成反射防止膜。
形成有反射防止膜的晶片W经由搬送臂A2、棚单元U1的交接组件BF2、交接臂D、棚单元U1的交接组件CPL3被交接至第三部件区(COT层)B3的搬送臂A3。接着，晶片W经由搬送臂A3被搬送至各处理组件(涂布组件和加热、冷却类的处理组件组的各处理组件)，在各处理组件中进行处理。由此，在晶片W形成反射防止膜。
形成有抗蚀剂膜的晶片W经由搬送臂A3被交接至棚单元U1的交接组件BF3。此外，也存在形成有抗蚀剂膜的晶片W在第四部件区(TCT层)B4还形成有反射防止膜的情况。在该情况下，晶片W经由交接组件CPL4被交接至第四部件区(TCT层)B4的搬送臂A4，经由搬送臂A4被搬送至各处理组件(涂布组件和加热、冷却类的处理组件组的各处理组件)，在各处理组件中进行处理。由此，在晶片W形成反射防止膜。接着，形成有反射防止膜的晶片W经由搬送臂A4被交接至棚单元U1的交接组件TRS4。
形成有抗蚀剂膜的晶片W或在抗蚀剂膜上进一步形成有反射防止膜的晶片W，经由交接臂D、交接组件BF3或TRS4被载置于交接组件CPL11，交接至往返搬运装置SH，直接搬送至棚单元U2的交接组件CPL12，之后，交接至接口区域63的接口臂F。交接至接口臂F的晶片W被搬送至曝光装置64，进行规定的曝光处理。然后，晶片W经由接口臂F被载置于棚单元U2的交接组件TRS6，返回至处理区域62。返回至处理区域62的晶片W在第一部件区(DEV层)B1进行显影处理。进行过显影处理的晶片W经由搬送臂A1、棚单元U1的交接组件TRS1、交接单元C返回至载体71。
在已述的例中，说明了通过搬送臂30进行的从抗蚀剂涂布组件COT向加热组件21的搬送例，但除搬送臂30之外，上述交接单元C、交接臂D和接口臂F也与本发明中的基板搬送装置相当，与搬送臂30同样具备上述基板周边位置检测机构40。而且，在这些基板搬送装置，在从前级一侧的组件向后级一侧的组件交接晶片W时，如在搬送臂30说明的那样进行晶片W的中心坐标的计算，并基于该中心坐标进行搬送。即，在上述搬送路径中，从前级一侧的组件向后级一侧的组件的搬送均如在从抗蚀剂涂布组件COT向加热组件21的搬送例中说明的那样进行。
但是，如上所述，检测部4不限于设置在基台31。例如，在图29、30所示搬送路20的顶侧、底板侧分别配置光源部41、受光部42，基台31和叉3在它们之间通过时，也可以不决定上述晶片W的中心位置的检测和叉3的交接位置。基台31采用不遮蔽光源部41的光的形状。而且，在这样的情况下，替代使叉3相对检测部4在X方向上稍微错开，如图31所示使基台31在Y方向上稍微移动，使晶片W相对缺口N位置错开，能够对上述的中心位置进行检测。
另外，上述晶片W的中心位置的检测，从接受晶片W的前级一侧组件向交接晶片W的后级一侧组件交接晶片W为止进行即可。因此，可以在使叉3后退后，在基台31停止的状态下进行，也可以在基台31向后级一侧组件移动的途中，使叉3前进并进行检测。另外，以叉3的后退位置为基准位置，从其基准位置前进，由此进行缺口N的检测作业，但也可以使基准位置为上述后退位置的前方一侧，使叉3从该位置后退，进行缺口N的检测作业。另外，以检测部4相对基台31能够移动的方式设置驱动机构，替代叉3使检测部4移动，能够进行晶片W的中心位置的检测。此外，在暂时模式中检测中心位置o′的情况下，也可以使叉3移动至与通常模式中取得中心位置o′的位置不同的位置而取得。即，也可以使叉3移动至从上述后退位置和第一微小前进位置分别偏移的位置进行检测。
另外，也可以为如下情况，当设置5对以上检测部4时，在通常模式使用这些检测部4，在能够使用的检测部4成为3时才执行上述的暂时模式。
另外，在上述的例中，在步骤S6、T4，基于中心坐标的Y方向的位置变动的有无，判定检测部4的检测范围是否与缺口N重叠，以下，显示其它的判定方法。对于在第一微小前进位置取得的各坐标o′，向叉3的后方一侧偏移自后退位置起的叉3的移动量。计算这样取得的各坐标o′与在后退位置取得的各坐标o′的距离。即，如图16下段所示，计算减去在后退位置与第一微小前进位置之间各坐标o′的叉3的移动量而得到的各坐标o′的移动量(位移量)。该移动量如上所述，将从第一微小前进位置偏移的o′的X坐标、Y坐设为X″、Y″，将后退位置的X坐标、Y坐标设为X′、Y′时，为((X″－X′)2+(Y″－Y′)2)1/2。如上述图16所示，使用检测范围与缺口N不重叠的传感器计算出的o′与其它的o′相比，该移动量小。
因此，在通常模式的步骤S5、S6中，能够将半径在正常范围内，且该移动量为最小的o′设为最正确的中心位置。在暂时模式的步骤T4中，上述移动量处于预先设定的容许范围，且计算出的各半径处于正常范围时，能够判定为缺口N与检测范围不重叠。在移动量不处于容许范围的情况下，如判定为Y成分的差不处于容许范围的情况那样，使叉3A移动至第二微小前进位置，并取得中心坐标。

Claims (9)

1.一种基板搬送装置，其具有在横方向上能够自由移动的基板保持部，用于从第一组件向第二组件搬送圆形的基板，该基板搬送装置的特征在于，包括：
传感器部，其为了检测由所述基板保持部保持的基板的周边部的至少4个位置，具有至少4个由对所述周边部的相互不同的位置照射光的光源部和与各所述光源部成对的受光部构成的传感器对；
用于使所述基板保持部相对所述传感器部相对地移动的驱动部；和
为了控制所述基板保持部、驱动部和传感器部的各动作而输出控制信号的控制部，
所述控制部输出控制信号以执行以下步骤：
判断步骤，基于所述各传感器对的受光部的检测结果，对于每个传感器对，判断该传感器对能否使用；
检测步骤，使保持有从所述第一组件接受到的基板的基板保持部，相对所述各传感器对，位于预先设定的设定位置，检测所述基板的周边部的各位置；和
决定步骤，在所述判断步骤中判断为能够使用的传感器对为4个以上时，基于由至少4个能够使用的传感器对在所述检测步骤中检测出的各周边部的位置，决定基板保持部对所述第二模块的交接位置，在所述判断步骤中判断为能够使用的传感器对为3个时，基于由该3个传感器对在所述检测步骤中检测出的各周边部的位置，决定基板保持部对所述第二模块的交接位置。
2.如权利要求1所述的基板搬送装置，其特征在于：
在所述基板的周边部设置有切口，
在所述判断步骤中判断为能够使用的传感器对为3个时，
所述控制部输出控制信号，使得在所述检测步骤中执行：
第一步骤，使保持有从所述第一组件接受到的基板的基板保持部，相对所述传感器部位于预先设定的第一位置，检测所述基板的周边部的各位置；和
第二步骤，使所述基板保持部相对传感器部位于从该第一位置偏移的第二位置，检测基板的周边部的各位置，
在所述决定步骤中，基于由判断为能够使用的传感器对在所述第一步骤和所述第二步骤中各自取得的周边部的位置，决定基板保持部对所述第二模块的交接位置。
3.如权利要求2所述的基板搬送装置，其特征在于，
在所述决定步骤中执行以下步骤：
第三步骤，当将光源部的光照射区域位于所述基板的切口的状态称为异常状态时，基于所述第一步骤和所述第二步骤的各检测结果，导出以下a～d中任意一个结果，
a.在所述第一位置和第二位置中的任一个位置发生异常状态，能够确定在所述第一位置和第二位置中的哪一个位置发生了异常状态，
b.在所述第一位置和第二位置均没有发生异常状态，
c.在所述第一位置和第二位置双方发生异常状态，
d.在所述第一位置和第二位置中的至少一个位置发生异常状态，但不能够确定该位置；和
第四步骤，在所述第三步骤的结果为a或b时，基于在所述第一位置和第二位置中的没有发生异常状态的位置检测出的周边部的各位置，决定基板保持部对第二组件的交接位置，在所述结果为c或d时，为了向所述基板的离开切口的位置照射光，使所述基板保持部相对传感器部移动至与所述第一位置和第二位置不同的第三位置，检测基板的周边部的各位置，基于该各位置决定所述交接位置。
4.如权利要求1至3中任一项所述的基板搬送装置，其特征在于：
在所述判断步骤中，所述传感器对能否使用的判断是基于所述受光部接收的光量或接收光的区域的大小进行的。
5.一种基板搬送方法，其特征在于：
其为使用权利要求1所述的基板搬送装置的基板搬送方法，
所述基板搬送方法包括：
判断步骤，基于所述各传感器对的受光部的检测结果，对于每个传感器对，判断该传感器对能否使用；
检测步骤，使保持有从所述第一组件接受到的基板的基板保持部，相对所述各传感器对，位于预先设定的设定位置，检测所述基板的周边部的各位置；和
决定步骤，在所述判断步骤中判断为能够使用的传感器对为4个以上时，基于由至少4个能够使用的传感器对在所述检测步骤中检测出的各周边部的位置，决定基板保持部对所述第二模块的交接位置，在所述判断步骤中判断为能够使用的传感器对为3个时，基于由该3个传感器对在所述检测步骤中检测出的各周边部的位置，决定基板保持部对所述第二模块的交接位置。
6.如权利要求5所述的基板搬送装置，其特征在于：
在所述基板的周边部设置有切口，
在所述判断步骤中判断为能够使用的传感器对为3个时，
在所述检测步骤中包括：
第一步骤，使保持有从所述第一组件接受到的基板的基板保持部，相对所述传感器部位于预先设定的第一位置，检测所述基板的周边部的各位置；和
第二步骤，使所述基板保持部相对传感器部位于从该第一位置偏移的第二位置，检测基板的周边部的各位置，
在所述决定步骤中，基于由判断为能够使用的传感器对在所述第一步骤和所述第二步骤中各自取得的周边部的位置，决定基板保持部对所述第二模块的交接位置。
7.如权利要求6所述的基板搬送装置，其特征在于，
所述决定步骤包括：
第三步骤，当将光源部的光照射区域位于所述基板的切口的状态称为异常状态时，基于所述第一步骤和所述第二步骤的各检测结果，导出以下a～d中任意一个结果，
a.在所述第一位置和第二位置中的任一个位置发生异常状态，能够确定在所述第一位置和第二位置中的哪一个位置发生了异常状态，
b.在所述第一位置和第二位置均没有发生异常状态，
c.在所述第一位置和第二位置双方发生异常状态，
d.在所述第一位置和第二位置中的至少一个位置发生异常状态，但不能够确定该位置；和
第四步骤，在所述第三步骤的结果为a或b时，基于在所述第一位置和第二位置中的没有发生异常状态的位置检测出的周边部的各位置，决定基板保持部对第二组件的交接位置，在所述结果为c或d时，为了向所述基板的离开切口的位置照射光，使所述基板保持部相对传感器部移动至与所述第一位置和第二位置不同的第三位置，检测基板的周边部的各位置，基于该各位置决定所述交接位置。
8.如权利要求5至7任一项所述的基板搬送装置，其特征在于：
在所述判断步骤中，所述传感器对能否使用的判断是基于所述受光部接收的光量或接收光的区域的大小进行的。
9.一种存储介质，其存储有在组件间交接基板来进行处理的基板搬送装置中使用的计算机程序，其特征在于：
所述计算机程序用于实施权利要求5至7中任一项所述的基板搬送方法。
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