KR101676519B1 - 기판 반송 장치, 기판 반송 방법 및 기억 매체 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 과제는, 주연부에 절결부가 형성되는 원형의 기판을 반송하는 데 있어서, 당해 기판의 주연부의 위치를 각각 검출하는 센서부의 수가 적어도, 고정밀도로 모듈에 기판을 반송하는 것이다.
제1 모듈로부터 수취한 기판을 보유 지지한 기판 보유 지지부를, 상기 센서부에 대해 미리 설정된 제1 위치, 제2 위치에 각각 위치시켜 상기 기판의 주연부의 각 위치를 검출하는 제1 및 제2 스텝과, 상기 기판의 절결부에 광원부의 광 조사 영역이 위치하고 있는 이상 상태의 종별을 판별하는 제3 스텝과, 제3 스텝의 판별에 의해, 상기 제1 위치 또는 제2 위치에서 검출한 주연부의 각 위치에 기초하여 제2 모듈에 대한 기판 보유 지지부의 전달 위치를 결정할지, 제3 위치에서 다시 기판의 주연부의 각 위치를 검출하고, 당해 각 위치에 기초하여 상기 전달 위치를 결정할지를 선택하는 제4 스텝을 실행한다.

Description

기판 반송 장치, 기판 반송 방법 및 기억 매체 {SUBSTRATE TRANSFER APPARATUS, SUBSTRATE TRANSFER METHOD AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은, 모듈 사이에서 기판을 반송하는 기판 반송 장치, 기판 반송 방법 및 그 기판 반송 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기억한 기억 매체에 관한 것이다.
예를 들어, 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서는, 장치 내에 기판인 웨이퍼에 대해 처리를 행하는 처리 모듈을 복수개 설치하고, 이들 처리 모듈 사이를 기판 반송 장치에 의해 웨이퍼를 순차 반송함으로써, 소정의 처리가 행해진다.
상기 기판 반송 장치는, 웨이퍼를 보유 지지하는 보유 지지부를 구비한다.
웨이퍼에 적절한 처리를 행하기 위해서는, 모듈의 소정의 위치에 상기 웨이퍼를 고정밀도로 전달하는 것이 요구된다. 그것을 위해, 상기 보유 지지부에 있어서의 웨이퍼의 주연부의 위치를 검출부(센서)에 의해 검출하고, 그 검출한 위치에 기초하여 웨이퍼를 반송하는 것이 검토되고 있다. 예를 들어, 특허문헌 1에는, 그와 같이 검출한 웨이퍼의 주연부의 위치에 기초하여, 모듈의 상호간의 웨이퍼의 반송량을 보정하여, 상기 모듈에 있어서의 웨이퍼의 위치 어긋남을 해소하는 것이 기재되어 있다. 또한, 특허문헌 2에는, 검출한 주연부의 위치로부터 웨이퍼의 중심 위치를 구하여, 당해 중심 위치와 미리 정해진 기준 위치의 어긋남량에 기초하여 반송 아암부가 웨이퍼를 반송 목표 위치로 이동 탑재할 수 있도록 제어하는 것이 기재되어 있다.
그러나 웨이퍼는 진원이 아니고, 그 주연부에 웨이퍼를 위치 결정하기 위한 절결부(노치)가 형성되어 있다. 상기 검출부의 검출 범위가, 이 절결부에 겹쳐져 버린 경우에는, 보유 지지부에 있어서의 웨이퍼의 위치를 정상적으로 검출할 수 없게 되므로, 그것에 적합한 대처가 필요하다. 또한, 무언가의 문제에 의해 상기한 복수 설치되는 검출부가 고장난 경우, 장치 내의 처리중인 웨이퍼의 반송을 정지하고, 웨이퍼를 회수하기 위해 작업자가 장치 내로 들어가 웨이퍼를 제거하는 것이 생각된다. 그러나 그렇게 되면 장치 내에서 웨이퍼의 처리가 중단되어, 처리량이 크게 저하되어 버릴 우려가 있다. 이러한 사정으로부터, 복수 설치되는 검출부의 일부를 사용할 수 없는 경우에도, 상기 웨이퍼의 위치를 고정밀도로 검출하는 것이 요구되고 있다. 특허문헌 1, 2의 각 장치에서는 이들과 같은 문제에 대해서는 고려되어 있지 않아, 당해 문제를 해결할 수 있는 것이 아니다.
일본 특허 출원 공개 평8-31905호 공보 일본 특허 출원 공개 제2006-351884호 공보
본 발명은 상기한 점에 비추어 이루어진 것이며, 그 주연부에 절결부가 형성되는 원형의 기판을 반송하는 데 있어서, 당해 기판의 주연부의 위치를 각각 검출하는 광원부 및 당해 광원부에 쌍으로 되는 수광부의 수가 적어도, 고정밀도로 모듈에 기판을 반송할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.
본 발명의 기판 반송 장치는, 제1 모듈로부터 제2 모듈로, 그 주연부에 절결부가 형성된 원형의 기판을 반송하기 위해, 횡방향으로 이동 가능한 기판 보유 지지부를 구비하는 기판 반송 장치에 있어서,
상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판의 주연부 3개소의 위치를 검출하기 위해, 상기 주연부에 있어서의 서로 다른 위치에 광을 조사하는 3기의 광원부와, 상기 각 광원부에 대해 쌍으로 되는 3기의 수광부를 구비하는 센서부와,
상기 센서부에 대해 상기 기판 보유 지지부를 상대적으로 이동시키기 위한 구동부와,
상기 기판 보유 지지부, 구동부 및 센서부의 각 동작을 제어하기 위해 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비하고,
상기 제어부는,
상기 제1 모듈로부터 수취한 기판을 보유 지지한 기판 보유 지지부를, 상기 센서부에 대해 미리 설정된 제1 위치에 위치시켜 상기 기판의 주연부의 각 위치를 검출하는 제1 스텝과,
상기 기판 보유 지지부를 센서부에 대해 당해 제1 위치로부터 어긋난 제2 위치에 위치시켜 기판의 주연부의 각 위치를 검출하는 제2 스텝과,
상기 기판의 절결부에 광원부의 광 조사 영역이 위치하고 있는 상태를 이상 상태라 칭하는 것으로 하면, 상기 제1 스텝 및 제2 스텝의 각 검출 결과에 기초하여,
a. 상기 제1 위치 및 제2 위치 중 어느 하나에서 이상 상태가 발생하고 있고, 그 위치를 특정할 수 있음
b. 상기 제1 위치 및 제2 위치 중 어느 것에 있어서도 이상 상태가 발생하고 있지 않음
c. 상기 제1 위치 및 제2 위치의 양쪽에서 이상 상태가 발생하고 있음
d. 상기 제1 위치 및 제2 위치 중 적어도 어느 하나에서 이상 상태가 발생하고 있지만, 그 위치를 특정할 수 없음
중 어느 하나의 결과를 도출하는 제3 스텝과,
상기 제3 스텝에 있어서의 결과가 a 또는 b일 때에는, 상기 제1 위치 또는 제2 위치에서 검출한 주연부의 각 위치에 기초하여 제2 모듈에 대한 기판 보유 지지부의 전달 위치를 결정하고, 또한 상기 결과가 c 또는 d일 때에는, 상기 기판의 절결부로부터 벗어난 위치에 광을 조사하기 위해, 상기 기판 보유 지지부를 센서부에 대해, 상기 제1 위치 및 제2 위치와 다른 제3 위치로 이동시켜 기판의 주연부의 각 위치를 검출하고, 당해 각 위치에 기초하여 상기 전달 위치를 결정하는 제4 스텝을 실행하도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 구체적 형태는, 예를 들어 하기와 같다.
(a) 상기 센서부는, 4쌍 이상의 상기 광원부와 수광부를 구비하고,
이 4쌍 이상의 광원부와 수광부가 사용 가능일 때에는, 이들 4쌍 이상의 광원부와 수광부에 의해 기판의 주연부의 각 위치가 검출된다.
(b) 상기 제어부는, 상기 제1 내지 제4 스텝으로 이루어지는 제1 모드를 실행하는 대신에,
상기 제1 모듈로부터 수취한 기판을 보유 지지한 기판 보유 지지부를, 센서부에 대해 미리 설정된 제4 위치에 위치시켜 상기 기판의 주연부의 각 위치를 검출하는 스텝과,
상기 스텝에서 검출한 주연부의 각 위치에 기초하여, 상기 이상 상태가 발생 하고 있는지 여부를 판정하는 스텝과,
상기 스텝에서 이상 상태가 발생하고 있지 않다고 판정된 경우에는, 상기 제4 위치에서 검출한 주연부의 각 위치에 기초하여 제2 모듈에 대한 기판 보유 지지부의 전달 위치를 결정하고, 이상 상태가 발생하고 있다고 판정된 경우에는, 기판 보유 지지부를 상기 제4 위치로부터 어긋난 제5 위치로 이동시켜 상기 기판의 주연부의 각 위치를 검출하고, 제4 위치 및 제5 위치에서 검출한 기판의 주연부의 각 위치에 기초하여, 상기 이상 상태로 되는 광원부와 수광부로 이루어지는 센서 쌍을 특정하고, 상기 센서 쌍에 의해 검출된 주연부의 위치 이외의 각 위치에 기초하여 상기 전달 위치를 결정하는 스텝으로 이루어지는 제2 모드를 실행한다.
(c) 상기 제어부는, 상기 제2 모드 실행시에 상기 수광부의 검출 결과에 기초하여, 상기 광원부와 당해 광원부에 쌍으로 되는 수광부로 이루어지는 검출부가 사용 가능인지 사용 불가인지를 판정하고, 사용 가능인 상기 검출부가 3기로 되었을 때에 상기 제2 모드 대신에 제1 모드를 실행한다.
(d) 상기 제2 모드에서, 이상 상태로 되는 검출부의 특정은, 상기 제4 위치 및 제5 위치에서 각각 검출된 기판의 각 주연부의 위치로부터 연산되는 당해 기판의 중심 위치의 변위량과, 제4 위치 및 제5 위치에서 각각 검출된 기판의 각 주연부의 위치로부터 연산되는 기판의 직경의 크기에 기초하여 행해진다.
(e) 상기 제3 스텝에 있어서의 판정은, 상기 제1 위치에서 검출한 기판의 각 주연부의 위치로부터 연산되는 당해 기판의 중심 위치 및 직경의 크기와, 상기 제2 위치에서 검출한 기판의 각 주연부의 위치로부터 연산되는 기판의 중심 위치 및 직경의 크기에 기초하여 행해진다.
(f) 상기 제3 스텝에 있어서의 판정은, 상기 제1 위치에서 검출한 기판의 중심 위치와, 상기 제2 위치에서 검출한 기판의 중심 위치의 변위량에 기초하여 행해진다.
본 발명에 따르면, 3개 설치되는 센서부에 대해 기판의 위치를 어긋나게 하여 각 위치에서 상기 검출부를 구성하는 광원부로부터 수광부에 광을 조사하고, 각 수광량에 기초하여 센서부의 검출 범위가 기판의 절결부에 겹쳐져 있는지 여부를 판정하고, 어느 하나의 위치에서 겹쳐져 있다고 판정되었을 때에는, 기판의 위치를 센서부에 대해 더 어긋나게 하여, 기판의 주연부의 위치를 검출한다. 따라서, 필요한 광원부 및 수광부의 수를 억제하면서, 고정밀도로 모듈에 기판을 전달할 수 있다.
도 1은 본 발명에 관한 기판 반송 기구를 이루는 반송 아암과 모듈의 사시도.
도 2는 상기 반송 아암의 사시도.
도 3은 상기 반송 아암의 평면도.
도 4는 상기 반송 아암의 측면도.
도 5는 상기 반송 아암의 검출부에 의한 검출 결과의 일례를 나타내는 모식도.
도 6은 상기 주연 위치 검출 기구의 검출부의 블록도.
도 7은 상기 반송 아암의 동작을 제어하는 제어부의 블록도.
도 8은 상기 제어부에 설치되는 메모리의 개념도.
도 9는 상기 반송 아암에 의한 반송의 모식도.
도 10은 상기 반송 아암에 의한 반송의 모식도.
도 11은 상기 반송 아암의 보유 지지부와 당해 보유 지지부에 보유 지지되는 웨이퍼의 위치 관계를 도시하는 평면도.
도 12는 검출되는 주연 위치에 기초하여 연산되는 웨이퍼의 각 좌표를 도시하는 평면도.
도 13은 상기 웨이퍼의 각 좌표를 도시하는 평면도.
도 14는 상기 웨이퍼의 각 좌표를 도시하는 평면도.
도 15는 상기 웨이퍼의 각 좌표를 도시하는 평면도.
도 16은 웨이퍼의 중심 좌표가 변화되는 모습을 도시하는 설명도.
도 17은 상기 반송 아암이 행하는 통상 모드의 흐름도.
도 18은 임시 모드 실행시의 보유 지지부의 동작 상태를 도시하는 설명도.
도 19는 임시 모드 실행시의 보유 지지부의 동작 상태를 도시하는 설명도.
도 20은 임시 모드 실행시의 보유 지지부의 동작 상태를 도시하는 설명도.
도 21은 임시 모드 실행시의 보유 지지부의 동작 상태를 도시하는 설명도.
도 22는 임시 모드 실행시의 보유 지지부의 동작 상태를 도시하는 설명도.
도 23은 상기 반송 아암이 행하는 통상 모드의 흐름도.
도 24는 상기 반송 아암의 검출부에 의한 검출 결과의 일례를 나타내는 모식도.
도 25는 상기 반송 아암의 검출부에 의한 검출 결과의 일례를 나타내는 모식도.
도 26은 상기 반송 아암을 구비하는 도포, 현상 장치의 평면도.
도 27은 상기 반송 아암을 구비하는 도포, 현상 장치의 사시도.
도 28은 상기 반송 아암을 구비하는 도포, 현상 장치의 측면도.
도 29는 상기 반송 아암의 다른 구성 및 다른 반송 방법을 도시하는 개략도.
도 30은 상기 반송 아암의 다른 구성 및 다른 반송 방법을 도시하는 개략도.
도 31은 상기 반송 아암의 다른 구성 및 다른 반송 방법을 도시하는 개략도.
도 1은 기판 반송 장치를 이루는 반송 아암(30)과, 반송 아암(30)에 의해 원형의 기판인 웨이퍼(W)가 전달되는 모듈군의 사시도를 도시하고 있다. 웨이퍼(W)의 주연부에는 절결부인 노치(N)가 형성되어 있다. 도면 중 부호 11은, 웨이퍼(W)에 레지스트를 도포하는 모듈(COT)이 수납되는 하우징이며, 반송구(12)를 통해 상기 모듈(COT)에 웨이퍼(W)가 전달되어, 상기 레지스트 도포 처리가 행해진다. 하우징(11)은 상기 반송 아암(30)이 이동하는 웨이퍼(W)의 반송로(20)에 면하고 있고, 이 반송로(20)를 사이에 두고 하우징(11)에 대향하도록 복수의 가열 모듈(21)이 설치되어 있다. 가열 모듈(21)은 상기 레지스트가 도포된 웨이퍼(W)를 적재하는 열판을 구비하여, 웨이퍼(W)를 가열 처리한다. 도면 중 부호 22는 가열 모듈(21)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송구이다.
반송 아암(30)은, 상류측의 모듈(도 1에서는 생략하고 있음)로부터 레지스트 도포 모듈로 웨이퍼(W)를 반송 후, 가열 모듈(21)로 반송하여 웨이퍼(W)에 일련의 처리를 행한다. 반송 아암(30)은, 웨이퍼(W)의 보유 지지부를 이루는 포크[3(3A, 3B)], 베이스(31), 회전 기구(32), 승강대(34) 및 기판 주연 위치 검출 기구(40)를 구비한다.
2매의 포크(3A, 3B)는 서로 상하로 겹쳐지도록 베이스(31) 상에 지지부(33A, 33B)를 통해 각각 지지되어 있고, 서로 독립적으로 베이스(31) 상을 진퇴한다. 베이스(31)는, 회전 기구(32)에 의해, 상기 승강대(34) 상에 연직축 주위로 회전 가능하게 설치되어 있다. 승강대(34)는, 상하 방향으로 연신된 프레임(35)에 둘러싸이도록 설치되고, 상하 방향(도 1 중 Z방향)으로 승강한다. 프레임(35)의 내부에는 승강대(34)를 승강시키기 위한 승강 기구가 설치되어 있다. 가열 모듈(21)의 하방에 설치되는 하우징(36)에 횡방향(도 1 중 Y방향)으로 직선 형상으로 신장되는 Y축 가이드 레일이 설치되고, 프레임(35)은 당해 가이드 레일에 접속되어 있다. 그리고 프레임(35)은, Y방향으로 이동하도록 구성되어 있다. 이와 같이 구성됨으로써, 상기 포크(3A, 3B)는 Z방향, Y방향 및 이들 Z, Y방향에 직교하는 X방향으로 이동 가능, 또한 연직축 주위로 회전 가능하게 구성되고, 상기한 각 모듈에 액세스하여, 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다.
반송 아암(30)의 베이스(이동 기체)(31) 및 포크(3A, 3B)에 대해, 그 사시도, 평면도, 측면도인 도 2, 도 3, 도 4도 참조하면서 더 설명한다. 포크(3A, 3B)는 서로 마찬가지로 구성되어 있으므로, 대표로 포크(3A)를 설명한다. 포크(3A)는 평판의 원호 형상으로 형성되고, 도 3에 도시하는 바와 같이 반송하는 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸도록 구성된다. 이 포크(3A)의 내주는, 모듈 내외에서의 반송시에 웨이퍼(W)의 위치가 약간 어긋나도 반송을 행할 수 있도록 웨이퍼(W)의 외주보다도 약간 크게 형성되어 있다.
또한, 포크(3A)의 내주 하측에는, 서로 간격을 두고, 웨이퍼(W)의 이면 주연부가 적재되는 4개의 보유 지지 갈고리(37)가 포크(3A)의 내측을 향해 돌출되도록 형성되어 있다. 보유 지지 갈고리(37) 각각에는, 진공 흡착구(38)가 설치되어 있다. 진공 흡착구(38)는, 보유 지지 갈고리(37)에 웨이퍼(W)의 이면 주연부가 적재되었을 때에, 당해 주연부를 진공 흡착하여 웨이퍼(W)를 당해 보유 지지 갈고리(37)에 보유 지지한다. 진공 흡착구(38)는 포크(3A)에 설치되는 배관(39)에 접속되어 있다. 이와 같이 진공 흡착을 행함으로써, 웨이퍼(W)의 주연부의 수평 위치를 위치 결정할 수 있다. 도면 중 부호 33A는, 포크(3A)를 베이스(31)에 지지하는 지지부이다.
상기한 바와 같이 포크(3)는 베이스(31) 상을 진퇴하지만, 통상은 베이스(31)의 후퇴 위치에 위치하고, 모듈에 웨이퍼(W)를 전달하는 데 있어서, 후퇴 위치로부터 전진한 전달 위치로 이동한다. 도 3, 도 4는, 포크(3A, 3B)가 각각 후퇴 위치, 전달 위치로 이동한 상태를 도시하고 있다. 반송 아암(30)은 한쪽 포크에 의해 모듈로부터 웨이퍼(W)를 수취하고, 다른 쪽 포크에 의해 모듈에 대해 웨이퍼(W)를 전달한다. 즉, 반송 아암(30)은, 모듈과의 사이에서 보유 지지하는 웨이퍼(W)를 교체하도록 동작한다.
계속해서 기판 주연 위치 검출 기구(40)에 대해 설명한다. 센서부인 기판 주연 위치 검출 기구(40)는 4개의 검출부[4(4A 내지 4D)]를 구비하고, 포크(3A 또는 3B)가 웨이퍼(W)를 보유 지지한 상태에서 베이스(31)의 후퇴 위치(기준 위치)에 위치할 때에, 상기 웨이퍼(W)의 주연부의 위치를 각각 검출하기 위해 설치된다. 각 검출부(4)는, 웨이퍼(W)의 서로 다른 4개의 주연 위치를 검출할 수 있도록 상기 웨이퍼(W)의 주연부를 따라 서로 간격을 두고 설치된다.
검출부(4A 내지 4D)는, 4개의 광원부[41(41A 내지 41D)]와, 각 광원부(41)와 쌍을 이루는 4개의 수광부[42(42A 내지 42D)]에 의해 구성된다. 상기 광원부[41(41A 내지 41D)]는, 예를 들어 LED(Light Emitting Diode)를 구비하고, 상기 베이스(31) 상에 설치되고, 예를 들어 상기 후퇴 위치의 포크(3A, 3B)의 하방측에 배치되어 있다. 또한, 광원부(41)는 도시하지 않은 렌즈를 구비하고, 상기 LED의 광은 이 렌즈를 통해 도 4 중 화살표로 나타내는 바와 같이 수직 상방으로 조사된다. 또한, 광원부(41)의 광의 조사 영역은, 평면에서 볼 때, 후퇴 위치의 포크(3)의 웨이퍼(W)의 외측으로부터 중심부측을 향해 직선 형상으로 형성된다.
수광부(42)는, 복수의 수광 소자가 직선 형상으로 배열되어 구성된 리니어 이미지 센서(LIS)이다. 상기 수광 소자는, 예를 들어 CCD(Charge Coupled Device)에 의해 구성된다. 그리고 수광부(42)는 지지 부재(43)를 통해 베이스(31) 상에 설치되고, 상기 포크(3A, 3B)의 상방측에 배치되어 있다. 즉, 서로 쌍으로 되는 광원부(41)와 수광부(42)는, 상기 후퇴 위치의 포크(3A, 3B)가 보유 지지하는 웨이퍼(W)를 상하로부터 끼우도록 설치되어 있다. 그리고 수광부(42)의 각 수광 소자는, 광원부(41)의 광을 수광할 수 있도록 상기 웨이퍼(W)의 외측으로부터 중심부측을 향해 배열된다.
포크(3)가 웨이퍼(W)를 보유 지지하고, 상기 후퇴 위치 및 후술하는 바와 같이 후퇴 위치보다 약간 전진한 위치에 정지하고 있을 때에, 상기 각 광원부(41)에 의해 하방으로부터 상방을 향해 광을 발광한다. 발광한 광을 포크(3A)의 상방에 설치되어 있는 수광부(42)에 의해 수광한다. 이때, 수광부(42)의 각 화소인 CCD의 검출값에 기초하여, 후술하는 제어부는 수광한 화소와 수광하지 않는 화소의 경계의 위치를 결정할 수 있다. 그리고 결정한 경계의 위치를 XY 평면의 소정의 위치를 원점으로 하는 좌표로 나타내고, 후술하는 바와 같이 웨이퍼(W)의 중심 위치나 반경을 산출하기 위한 연산을 행할 수 있다. 상기 XY 평면의 Y방향은 베이스(31)의 이동 방향이고, X방향은 상기 Y방향에 직교하여, 포크(3)가 이동하는 방향이다.
수광부(42)에 의해 상기 경계의 위치, 즉, 웨이퍼(W)의 주연부의 위치가 인식되는 모습을 구체적으로 나타내기 위해, 도 5를 사용하여 설명한다. 도 5는 웨이퍼(W) 및 포크(3)의 위치와 상기 수광부(리니어 이미지 센서)(42)에 있어서의 각 수광 소자에 대응하는 화소의 수광량의 관계를 모식적으로 도시한 도면으로, 광원부(41)에 의해 발광한 광을 수광하고 있지 않은 화소의 검출값(이하, 「수광량」이라 함)을 제1 값 n1로 하고, 광원부(41)에 의해 발광한 광을 수광하고 있는 화소의 수광량을 제2 값 n2로 한다. 이때, 웨이퍼(W)의 주연부의 위치를, 각 화소의 수광량이 제1 값 n1과 제2 값의 사이에서 변화하는 위치 E로서 검출할 수 있다. 수광량을 8비트의 데이터로서 처리할 때에는, 제1 값 n1을 예를 들어 0으로 하고, 제2 값 n2를 예를 들어 255 이하의 소정의 값으로 할 수 있다. 도 5에서는, 웨이퍼(W)의 내측으로부터 화소에 번호를 부여하여 나타내고 있고, 베이스(31) 상을 후퇴한 포크(3)가 기준 위치(후퇴 위치)에 있을 때에, 광원부(41)에 의해 발광한 광이 포크(3)에 의해 차단되는 수광 소자의 화소 번호를 900으로 하고 있다. 이와 같이 수광부(42)는, 당해 수광부(42)의 신장 방향을 따른 웨이퍼(W)의 주연부의 위치를 검출하는 CCD 라인 센서로서 구성되어 있다.
검출부(4)의 구성에 대해 더 설명한다. 도 6에 도시하는 바와 같이, 검출부(4)는, 광원부(41), 수광부(42)에 더하여, CCD 라인 센서 제어부(44), 디지털 아날로그 컨버터(DAC)(45), 아날로그 디지털 컨버터(ADC)(46)를 갖는다. CCD 라인 센서 제어부(44)는, 도시하지 않은 클록으로부터의 클록 신호에 기초하여 수광부(42)를 이루는 CCD 라인 센서의 각 수광 소자(CCD 소자)의 동작 타이밍을 어긋나게 하여, 전하 이동시키기 위한 타이밍 제너레이터로, 광원부(41)에 대한 전류 제어도 행한다. DAC(45)는, CCD 라인 센서 제어부(44)로부터의 디지털 제어 신호를, 광원부(41)에 입력하기 위해 아날로그 변환한다. ADC(46)는, 수광부(42)로부터의 검출 신호인 아날로그 출력 신호를 후술하는 제어부(5)에 출력하기 위해, 디지털 변환한다.
이상과 같은 구성에 의해, CCD 라인 센서 제어부(44)로부터의 제어 신호가, DAC(45)에 의해 아날로그 변환되어, 광원부(41)에 입력된다. 그것에 의해, 광원부(41)의 LED가 발광한다. 광원부(41)로부터의 출력광을 수광한 수광부(42)는, CCD 라인 센서 제어부(44)로부터의 제어 신호의 타이밍에 기초하여, 수광부(42) 내에서 전하 이동시켜짐으로써 각 화소의 수광량에 따른 신호를 출력한다. 이 신호(검출값)가 ADC(46)를 통해, 제어부(5)에 입력된다.
반송 아암(30)은 컴퓨터로 이루어지는 제어부(5)를 구비하고, 이 제어부(5)에 의해 각 부의 동작이 제어된다. 도 7에 도시하는 제어부(5)의 블록도도 참조하면서 설명한다. 제어부(5)는 앰프(47)를 통해, 포크(3A, 3B)를 구동시키기 위해 베이스(31)에 설치된 X축 구동용 모터(M1, M2), 베이스(31)를 Y방향으로 구동시키기 위해 하우징(36)에 설치된 Y축 구동용 모터(M3), 승강대(34)를 Z방향으로 구동시키기 위해 프레임(35)에 설치된 Z축 구동용 모터(M4), 회전 기구(32)에 설치된 회전 구동용 모터(M5)의 총 5기의 모터(M1 내지 M5)를 제어한다. 모터(M1 내지 M5)의 회전 동작은 타이밍 벨트 등의 전달 기구에 의해, 포크(3), 베이스(31), 회전 기구(32) 및 승강대(34)에 각각 전달된다.
그리고 각 모터(M1 내지 M5)의 각 회전량에 따른 거리만큼, 이들 반송 아암(30)의 각 부가 상기한 바와 같이 XYZ 방향으로 각각 직선 이동하여, 상기 회전 기구(32)가 회전한다. 또한, 모터(M1 내지 M5)에는, 그 회전량에 따라서 펄스를 출력하는 인코더(48) 및 상기 펄스수를 카운트하는 카운터(49)가 각각 접속되어 있다. 카운터(49)가 상기 카운트에 따른 신호를 제어부(5)에 출력하고, 그것에 의해 제어부(5)는 반송 아암(30)의 각 부의 위치를 검출할 수 있다. 도 7에서는 도면이 번잡화되는 것을 방지하기 위해 모터(M), 인코더(48) 및 카운터(49)의 세트를 하나만 도시하고 있다.
도 7에 도시하는 바와 같이 제어부(5)는, 연산 처리부(51), 프로그램 저장부(52), 표시부(53), 알람 발생부(54) 및 기억부(55)를 구비하고 있다. 도면 중 부호 50은 버스이다. 연산 처리부(51)는, 예를 들어 메모리, CPU(Central Processing Unit)를 갖는 데이터 처리부이다. 연산 처리부(51)는, 프로그램 저장부(52)에 기록된 각 프로그램을 판독하고, 이들 프로그램에 포함되는 명령(코맨드)에 따라서 각 부로 제어 신호를 보내, 웨이퍼(W)의 반송을 실행한다.
프로그램 저장부(52)는, 컴퓨터가 판독 가능한 기억 매체이며, 웨이퍼(W)의 반송 모드인 통상 모드 실행 프로그램(56), 임시 모드 실행 프로그램(57)을 저장하고 있다. 각 모드에 대해서는 후술한다. 프로그램 저장부(52)는, 예를 들어 플렉시블 디스크, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, 광자기(Magnetoptical;MO) 디스크 등에 의해 구성된다. 표시부(53)는, 예를 들어 컴퓨터의 화면으로 이루어진다.
또한, 제어부(5)는 각 모듈의 동작도 제어하여, 상기 표시부(53)로부터, 모듈에서의 각종 기판 처리의 선택이나, 각 기판 처리에 있어서의 파라미터의 입력 조작을 행할 수 있다. 알람 발생부(54)는, 예를 들어 검출부(4) 중 하나가 사용 불가로 되면, 그 취지를 나타내는 알람음을 발한다. 기억부(55)는, 도 8에 도시하는 바와 같이 상기한 검출부(4A 내지 4D)에 의해 검출되는 웨이퍼(W)의 주연부의 위치(주연 위치)나, 상기 각 모드를 실행함으로써 얻어지는 연산값이 기억된다. 상기 연산값에 대해서는, 각 모드를 설명할 때에 서술한다.
그런데, 도 7에는 가열 모듈(21)의 종단면을 도시하고 있고, 반송 아암(30)에 의한 웨이퍼(W)의 반송을 설명하기 위해, 이 가열 모듈(21)의 구성을 간단히 설명해 두면, 도면 중 부호 23은 웨이퍼(W)가 적재되는 열판이다. 부호 24는 승강 핀으로, 승강 기구(25)에 의해 승강하여 포크(3A, 3B)와 열판(23) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다. 즉, 열판(23)으로 이동한 웨이퍼(W)는 포크(3)에 의해 보유 지지된 위치로부터 수직으로 이동하여 열판(23)에 전달된다.
여기서, 반송 아암(30)에 의한 레지스트 도포 모듈(COT)로부터 가열 모듈(21)로의 웨이퍼의 반송의 개요를 도 9, 도 10을 참조하면서 설명한다. 도 9 이후의 각 도면에서는, 설명을 위해 포크(3) 및 베이스(31)를 약간 간략하게 도시하고 있다. 상기한 바와 같이 포크(3)는 레지스트 도포 모듈(COT)로부터 전달된 웨이퍼(W)의 측주위를 둘러싸도록 당해 웨이퍼(W)를 보유 지지한다. 이와 같이 웨이퍼(W)가 보유 지지되었을 때에, 도 9에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)가 포크(3)에 적재되었을 때, 그 중심 위치 o가 포크(3)의 미리 설정된 적정 위치 p에 겹쳐지는 상태이면, 포크(3)의 상기 적정 위치 p가, 열판(23)의 적정 위치 q[도면 중에 좌표 (α, β)로서 나타내고 있음]에 겹쳐지도록 베이스(31) 및 포크(3)가 이동하고, 그것에 의해 웨이퍼(W)의 중심 위치 o가 상기 적정 위치 q에 겹쳐지도록, 즉, 열판(23)의 적정한 위치에 웨이퍼(W)를 적재할 수 있다.
그러나 도 10에 도시하는 바와 같이, 상기 웨이퍼(W)의 중심 위치 o와 포크(3)의 적정 위치 p가 어긋나 있는 경우, 상기한 바와 같이 포크(3)의 적정 위치 p가 열판(23)의 적정 위치 q에 겹쳐지도록 이동하면, 웨이퍼(W)의 중심 위치 o는, 상기 포크(3)의 적정 위치 p와의 어긋남량만큼 열판(23)의 적정 위치 q로부터 어긋나 전달되어 버린다. 도면 중, X방향, Y방향의 상기 적정 위치 p에 대한 웨이퍼(W)의 중심 위치 o의 어긋남량을 각각 ΔX, ΔY로 하고 있다. 또한, 이와 같이 적정 위치로부터 어긋난 경우의 중심 위치 o를 o'로서 나타낸다.
따라서, 상기 XY 평면에 있어서의 웨이퍼(W)의 주연부의 좌표 위치를 각 검출부(4)에서 검출하고, 그 검출 결과에 기초하여 XY 평면에 있어서의 웨이퍼(W)의 중심 위치(중심 좌표) o'를 연산한다. 그리고 이 웨이퍼(W)를 가열 모듈(21)에 전달할 때에는, 이 중심 위치 o'과 포크(3)의 적정 위치 p의 어긋남량이 해소되도록, 베이스(31)의 Y방향의 위치 및 포크(3)의 X방향의 위치를 제어한다.
도 10에서는 적정 위치 p에 대해 중심 위치 o'이, 열판(23)측으로 ΔX, 레지스트 도포 모듈(COT)로부터의 베이스(31)의 이동 방향으로 ΔY 어긋난 경우의 예를 나타내고 있다. 이 경우, 열판(23)에의 웨이퍼(W)의 전달시에 포크(3)의 적정 위치 p는, 열판(23)의 적정 위치 q의 좌표 (α, β)로부터 ΔX, ΔY만큼 어긋난, (α-ΔX, β-ΔY)에 위치하도록, 포크(3) 및 베이스(31)의 위치가 보정된다. 즉, 중심 위치 o'과 적정 위치 p의 어긋남량에 대응하여, 웨이퍼(W)를 전달할 때의 포크(3)의 열판(23)에 대한 위치가 변경된다. 그것에 의해 웨이퍼(W)의 중심 위치 o'이, 열판(23)의 적정 위치 q에 겹쳐지도록 전달된다. 이러한 모듈의 적정 위치 q의 좌표 데이터는 제어부(5)의 기억부(55)에 기억되고, 그와 같이 기억된 데이터에 기초하여 상기 전달을 행하기 위해 연산이 행해진다.
그런데, 상기한 바와 같이 웨이퍼(W)에는 노치(N)가 형성되어 있으므로, 포크(3)가 후퇴 위치에 위치하고 있을 때에, 예를 들어 도 11에 도시하는 바와 같이 검출부(4A 내지 4D) 중 어느 하나의 검출 범위가 노치(N)에 겹쳐지는, 즉, 광원부(41)로부터의 광이 노치(N)에 조사되는 경우가 있다. 도 11에서는 검출부(4A)의 검출 범위가 노치(N)에 겹쳐진 예를 나타내고 있다. 이러한 경우, 노치(N)에 겹쳐지는 검출부(4A)는, 웨이퍼(W)의 외형보다도 내측의 위치를 주연부의 위치로서 검출하므로, 당해 검출부(4A)의 검출 결과를 사용하여 연산한 중심 위치(도면 중, of로 하고 있음)는, 실제의 중심 위치 o로부터 어긋나 버린다. 그것을 방지하기 위해, 제어부(5)에는, 노치(N)가 상기 검출 범위에 겹쳐져 있는지 여부를 판정하고, 겹쳐져 있다고 판정한 경우에는 노치(N)와 검출부(4)의 위치가 어긋나도록 포크(3)를 이동시켜, 다시 중심 위치를 연산하는 기능이 구비되어 있다.
그리고 제어부(5)는 이 검출부(4A 내지 4D)가 모두 사용 가능일 때에는, 프로그램(56)에 의해 통상 모드를 실행하고, 검출부(4A 내지 4D) 중 하나가 고장 등에 의해 사용 불가로 된 경우는, 프로그램(57)에 의해 임시 모드를 실행한다. 각 모드는 각각 다른 프로세스에 의해, 노치(N)의 겹쳐짐 판정과 중심 위치의 연산을 실행한다.
어떻게 상기 노치(N)의 겹쳐짐 판정을 행하는지 설명하기 전에, 웨이퍼(W)의 주연부의 위치로부터 중심 위치의 좌표(중심 좌표)를 산출하는 방법에 대해 도 12를 참조하면서 설명한다. 웨이퍼(W)의 중심 위치 o가 상술한 포크(3)의 적정 위치 p에 겹쳐지도록 위치할 때의, 각 수광부(42) 상의 웨이퍼(W)의 주연부의 위치를, 각각 a점, b점, c점, d점으로서 나타내고 있다. 또한, 4개의 수광부(42A 내지 42D)가 연장되는 방향과 Y축이 이루는 각을 θ1, θ2, θ3, θ4로 한다.
그리고 이 적정 위치 p에 대해 보유 지지된 웨이퍼(W)가 어긋나 있을 때의 당해 웨이퍼(W)의 위치를 어긋남 위치로 하고, 어긋남 위치에 있어서의 수광부(42) 상의 웨이퍼(W)의 주연부의 위치를, 각각 a'점, b'점, c'점, d'점으로 한다.
각 수광부(42)에 있어서의, a점, b점, c점, d점과 a'점, b'점, c'점, d'점의 거리를 Δa, Δb, Δc, Δd로 한다. 이때, Δa, Δb, Δc, Δd는,
Figure 112013009420520-pat00001
또한, a점의 화소수라 함은, 수광부(42)의 웨이퍼(W)의 중심측에 있어서의 시작점으로부터 a점까지에 있어서의 화소의 수를 의미한다.
그러면, a점 내지 d점, a'점 내지 d'점의 좌표는, 다음과 같이 나타낸다. 식 중 R은 웨이퍼(W) 반경이다. 또한, X, Y는 포크(3)가 각 모듈로부터 전달 위치에서 웨이퍼(W)를 수취하여, 후퇴 위치로 이동하였을 때의 적정 위치 p의 좌표, 즉, 상기 웨이퍼(W)가 포크(3)에 적정하게 보유 지지되었을 때의 상기 중심 위치 o의 X좌표, Y좌표이다. 이들 R의 값 및 o의 좌표는 미리 설정된 기지의 값이다.
Figure 112013009420520-pat00002
따라서, 식(6), 식(8), 식(10), 식(12)에 의해, a'점(X1', Y1'), b'점(X2', Y2'), c'점(X3', Y3'), d'점(X4', Y4')의 좌표를 구할 수 있다.
그리고 이와 같이 산출된 a'점, b'점, c'점, d'점 중 어느 3점으로부터, 어긋남 위치에 있어서의 웨이퍼(W)의 중심 위치 o'의 좌표(X', Y')를 산출할 수 있다. 예를 들어, a'점(X1', Y1'), b'점(X2', Y2'), c'점(X3', Y3')의 3점으로부터 어긋남 위치에 있어서의 중심 위치 o'의 좌표 (X', Y')를 산출하는 식은, 하기 식(13) 및 (14)로 나타내어진다.
Figure 112013009420520-pat00003
그런데, 상기한 노치(N)와 검출부(4)의 검출 범위의 겹쳐짐 판정을 행하기 위해서는, 이와 같이 3개의 주연 위치로부터 연산된 중심 위치와, 상기 3개의 주연 위치 중 1개로부터 연산되는 웨이퍼(W)의 반경 R'이 사용된다. 예를 들어, a'점, b'점, c'점으로부터 중심 좌표를 산출한 경우, 반경 R'은 하기 식(15)로 연산된다.
Figure 112013009420520-pat00004
상기 식(15)에서는 중심 좌표 o'과 b'점의 좌표로부터 반경 R'을 산출하고 있지만, 3개의 주연 위치로부터 중심 좌표 o'을 연산하였을 때에, 이들 주연 위치 중 어느 주연 좌표를 사용하여 반경을 산출할지는 미리 정해져 있다. 예를 들어, a'점, b'점, d'점의 각 좌표로부터 중심 좌표 o'를 산출하였을 때에는, a'점의 좌표가 사용되고, b'점, c'점, d'점의 각 좌표로부터 중심 좌표 o'을 산출하였을 때에는, c'점의 좌표가 사용되고, a'점, c'점, d'점의 각 좌표로부터 중심 좌표 o'을 산출하였을 때에는, d'점의 좌표가 사용된다.
다음에, 통상 모드에 있어서, 노치(N)와 검출부(4)의 검출 범위의 겹쳐짐의 유무의 판정을 행하는 방법과, 판정 결과, 겹쳐짐이 있었을 때의 대처를 설명한다. 설명의 편의상, a'점, b'점, d'점으로부터 연산되는 중심 좌표(중심 위치)를 o'1, 반경을 R'1로 하고, a'점, b'점, c'점으로부터 연산되는 중심 좌표를 o'2, 반경을 R'2로 한다. 또한, b'점, c'점, d'점으로부터 연산되는 중심 좌표를 o'3, 반경을 R'3으로 하고, a'점, c'점, d'점으로부터 연산되는 중심 좌표를 o'4, 반경을 R'4로 한다. 도 13은 웨이퍼(W)와 검출부(4)의 위치 관계의 일례를 나타내고 있고, 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 포크(3)는 후퇴 위치(기준 위치)에 있는 것으로 한다. 검출부(4A 내지 4D)의 검출 범위 중 어느 것에도 노치(N)가 겹쳐져 있지 않다. 이 경우, 상기한 바와 같이 a' 내지 d'점 중 3점을 사용하여 4가지 중심 위치 o'(o'1 내지 o'4) 및 반경 R'(R'1 내지 R'4)을 구하면, 그 4가지의 반경 R'은 정상 범위 내에 들어가므로, 그 최대값－최소값이 미리 설정한 임계값 이하로 된다. 따라서, 제어부(5)는, 각 검출부(4)가 노치(N)에 겹쳐져 있지 않은 것이라고 판정하여, 4가지 구해진 중심 위치 o'1 내지 o'4에 대해 평균값을 연산하고, 그 연산값을 중심 위치 o'로 한다.
도 14에는 웨이퍼(W)와 검출부(4)의 위치 관계의 다른 일례를 나타내고 있고, 검출부(4A)의 검출 범위에 노치(N)가 겹쳐져 있다. 도 14에는, 이때에 산출되는 각 중심 위치 o'1 내지 o'4를 나타내고 있다. 이때 상기 겹쳐짐이 발생함으로써, 반경 R1'∼R4' 중 2개는 기지의 값인 실제의 웨이퍼(W)의 반경과 비교하여 짧아진다. 도 14에 나타낸 예에서는 R2' 및 R4'이 그와 같이 짧게 되어 있다. 따라서, 상기한 반경 R'에 대해 그 최대값－최소값을 연산하면, 상기 임계값보다도 커진다. 따라서, 검출부(4A 내지 4D) 중 어느 하나의 검출 범위에 노치(N)가 겹쳐진 것을 판별할 수 있다.
이때 검출 범위가 노치(N)에 겹쳐져 있지 않은 검출부(4)를 사용하여 산출한 반경 R'에 대해서는 당연히 실제의 반경과 동일한 정상값을 나타낸다. 그러나 노치(N)에 겹쳐진 검출부(4)의 데이터를 사용하여 산출된 반경 R'이라도, 연산되는 중심 위치 o'이 웨이퍼(W)의 실제의 중심 위치로부터 노치(N)의 절결 방향으로 어긋남으로써, 상기 정상 범위에 들어가게 되어 버리는 경우가 있다. 도 14의 예에서는 b'점, c'점, d'점으로부터 구한 반경 R'1이 해당된다.
따라서, 노치(N)에 겹쳐지지 않는 검출부를 특정하기 위해, 제어부(5)는 포크(3)를 약간 전진시켜, 도 15에 도시하는 바와 같이 검출부(4)와 웨이퍼(W)의 위치를 어긋나게 한다. 이 전진시키는 거리는 예를 들어 1㎜이며, 이와 같이 전진한 위치를 제1 미소 전진 위치로 한다. 제1 미소 전진 위치에서 제어부(5)는, 다시 중심 위치 o'1 내지 o'4 및 반경 R'1 내지 반경 R'4에 대해 연산한다.
도 16의 상단은, 예를 들어 베이스(31)의 소정의 위치를 원점으로 하여, XY좌표계를 중심 위치 o'1 내지 o'4가 이동하는 모습을 도시하고 있다. 도면 중 후퇴 위치에서 취득한 중심 위치 o'1 내지 o'4를 백색 점으로, 제1 미소 전진 위치에서 취득한 중심 위치 o'1 내지 o'4를 흑색 점으로 각각 나타내고 있다. 도면에 도시하는 바와 같이, 후퇴 위치에 있어서의 각 중심 위치 o'과, 제1 미소 전진 위치에 있어서의 각 중심 위치 o'을 비교하면, 노치(N)에 대한 검출부(4)의 위치가 변화됨으로써, 노치(N)에 겹쳐지는 검출부(4)를 사용하여 산출한 중심 위치 o' 중, Y방향의 위치가 이동하는 것이 있다.
도 16의 하단은, 노치(N)가 검출부(4A)의 검출 범위로부터 점차 벗어나도록 웨이퍼(W)가 이동하였을 때에, 정상적으로 검출되는 중심 위치 o'3으로부터 보아, 노치(N)에 의해 잘못 검출된 다른 중심 위치 o'1, o'2, o'4의 움직임을 도시하는 개념도로, 후퇴 위치와 제1 미소 전진 위치 사이에서, 포크(3)의 이동량을 뺀 각 좌표 o'의 이동을 나타내고 있다. 이와 같이 잘못 연산된 각 중심 위치는, 마치 정상적으로 연산된 중심 위치에 근접해 가는 것처럼 이동해 간다. 또한, 노치(N)의 절입부에 대해 검출부(4A)의 검출 범위의 겹쳐짐이 점차 커져 가도록 웨이퍼(W)가 이동할 때에는, 다른 중심 위치 o'1, o'2, o'4는 정상적으로 연산되는 중심 위치 o'3으로부터 이격되도록 이동한다.
그리고 상술한 바와 같이 후퇴 위치에 있어서, 노치(N)에 겹쳐지는 검출부(4)를 포함하여, 정상값과 마찬가지의 반경 R'을 연산하는 검출부(4)의 조합(이 예에서는, 4A, 4B, 4D)으로부터 산출되는 중심 위치에 대해서는, 노치(N)에 대한 검출 위치가 웨이퍼(W)의 내측과 외측 사이에서 변화함으로써, 상기한 Y방향으로의 위치의 변동이 일어난다. 즉, 후퇴 위치에서 연산된 반경 R'이 정상값이며, 후퇴 위치 및 제1 미소 전진 위치에서 산출되는 중심 위치 o'을 서로 비교하여 Y방향으로 변화가 일어나지 않는 검출부(4)의 조합이, 노치(N)에 겹쳐지지 않는 검출부(4)라고 특정할 수 있어, 이 조합으로부터 얻어진 중심 위치 o'을 정확한 웨이퍼(W)의 중심 위치로서 결정할 수 있다. 검출부(4A) 이외의 검출부(4)가 노치(N)에 겹쳐진 경우에도 마찬가지로 하여 웨이퍼(W)의 중심 위치가 특정된다.
상기 제어부(5)의 기억부(55)는 이러한 연산을 행할 수 있도록, 도 8에 나타내는 바와 같이 기준 위치(후퇴 위치), 제1 미소 전진 위치 각각에서 각 검출부(4A 내지 4D)에 의해 취득한 주연 위치의 좌표, 중심 좌표 o'1 내지 o'4, 반경 R'1 내지 R'4의 각 데이터를 기억한다. 또한, 상기한 바와 같이 중심 위치의 Y방향의 변화의 유무를 판정할 수 있도록, 중심 좌표의 Y 성분에 대해 기준 위치와 제1 미소 전진 위치의 차분을 연산하고, 그 연산 결과를 기억하는 영역이 마련되어 있다. 제어부(5)는, 연산되는 차분이 소정의 범위를 넘으면 상기 Y 성분의 변화가 있었다고 간주하고, 넘지 않는 경우는 변화가 없는 것으로 한다.
이와 같이 검출부(4A 내지 4D)를 사용한 노치(N)의 검출 방법과, 정상적인 중심 위치의 산출 방법을 설명한 시점에서, 통상 모드의 일련의 동작에 대해, 레지스트 도포 모듈(COT)로부터 가열 모듈(21)로의 웨이퍼(W)의 반송을 예로 들어 도 17의 플로우를 따라 설명한다. 베이스(31)가 레지스트 도포 모듈(COT)을 향하도록 위치하고, 포크(3A)가 베이스(31)로부터 전달 위치로 전진하여, 레지스트 도포 모듈(COT)로부터 웨이퍼(W)를 수취한 후, 후퇴 위치로 이동한다(스텝 S1). 각 검출부(4A 내지 4D)의 광원부(41)로부터 수광부(42)에 광이 조사되고, 이들 각 검출부(4A 내지 4D)에 의해 웨이퍼(W)의 주연 위치의 좌표가 취득된다. 그리고 이 주연 위치의 좌표에 기초하여 중심 좌표 o'1 내지 o'4 및 반경 R'1 내지 R'4가 연산되어 기억된다(스텝 S2). 그리고 제어부(5)는, 반경 R'1 내지 R'4 중 최대값과 최소값을 사용하여, 상기 최대값－최소값이 미리 설정된 임계값보다 큰지 여부를 판정한다(스텝 S3).
상기 임계값보다 크지 않다고 판정된 경우는, 어느 검출부(4)의 검출 범위도 노치(N)에 겹쳐져 있지 않다고 판정되어, 중심 좌표 o'1 내지 o'4의 X 성분, Y 성분에 대한 각각 평균값을 산출하고, 그 평균값을 중심 좌표 o'(X', Y')로 한다. 그 후, 도 10에서 설명한 바와 같이, 포크(3A)에 있어서의 적정 좌표 p(X, Y)와의 어긋남량 ΔX, ΔY를 산출한다.
Figure 112013009420520-pat00005
그리고 도 10에서 설명한 바와 같이, 이 ΔX, ΔY와, 가열 모듈(21)의 열판(23)의 적정 위치의 좌표에 기초하여, 중심 좌표 o'이 가열 모듈(21)의 열판(23)의 적정 위치 q에 겹쳐지도록 웨이퍼(W)를 전달할 때의 포크(3)의 적정 위치 p의 좌표 위치가 연산된다. 즉, 웨이퍼(W) 전달시의 베이스(31)의 위치 및 포크(3)의 위치가 연산된다. 그리고 그와 같이 연산한 위치로 베이스(31)가 이동하고, 포크(3)가 가열 모듈을 향해 연산된 위치로 전진하여, 웨이퍼(W)의 중심 위치 o'이 열판(23)의 적정 위치 q에 겹쳐지도록 적재된다(스텝 S4).
스텝 S3에서, 연산된 반경 R'의 최대값－최소값이 임계값보다 크다고 판정된 경우는, 어느 하나의 검출부(4)의 검출 범위가 노치(N)에 겹쳐져 있다고 판정되어, 포크(3A)를 제1 미소 전진 위치로 전진시키고, 광원부(41)로부터 광을 조사하여, 스텝 S2와 마찬가지로 각 검출부(4A 내지 4D)에 의해 주연 위치의 좌표가 취득된다. 그리고 이 제1 미소 전진 위치에 있어서의 중심 좌표 o'1 내지 o'4 및 반경 R'1 내지 R'4가 연산된다(스텝 S5). 그리고 후퇴 위치, 제1 미소 전진 위치 각각에서 취득된 중심 좌표의 Y 성분의 차분이 연산된다.
상기 후퇴 위치에서 연산된 반경 R'이 정상 범위 내이고, 또한 상기 Y 성분의 차분이 미리 설정한 범위 내에 들어가도록 연산되어 있는 검출부(4)의 조합을 특정하여, 이 조합에 의해 연산된 중심 좌표 o'을 실제의 중심 좌표 o'으로 한다. 조합을 특정한 후의 중심 좌표에 대해서는 상기 스텝 S2에서 산출한 데이터를 사용해도 되고, 본 스텝 S6에서 산출한 데이터를 사용해도 된다. 그리고 스텝 S4와 마찬가지로, 포크(3)의 적정 위치 p에 대한 어긋남량 ΔX, ΔY를 연산하여, 이 중심 좌표 o'이 상기 열판(23)의 적정 위치 q에 겹쳐지도록, 상기 웨이퍼(W)의 반송을 행한다(스텝 S6). 상기한 일련의 동작은 통상 모드 실행 프로그램(56)에 의해 제어된다.
계속해서, 임시 모드에 있어서, 노치(N)와 검출부(4)의 검출 범위의 겹쳐짐의 유무의 판정을 행하는 방법과, 판정 결과, 겹쳐짐이 있었을 때의 대처를 설명한다. 통상 모드와 마찬가지로 웨이퍼(W)를 보유 지지한 포크(3)가 후퇴 위치로 이동하고, 4개의 검출부(4A 내지 4D) 중 사용 불가의 검출부를 제외한 3개의 검출부(4)를 사용하여 웨이퍼(W)의 주연 위치를 검출하고, 그 주연 위치에 기초하여 웨이퍼(W)의 반경 R' 및 중심 좌표 o'을 연산한다. 그 후, 포크(3)가 제1 미소 전진 위치로 이동하고, 상기 3개의 검출부(4)를 사용하여 웨이퍼(W)의 주연 위치를 검출하고, 그 주연 위치에 기초하여 웨이퍼(W) 반경 R' 및 중심 좌표 o'을 연산한다.
여기서, 통상 모드에서 설명한 바와 같이 후퇴 위치 또는 제1 미소 전진 위치에 있어서, 3개의 검출부(4) 중 1개의 검출 범위가 노치(N)에 겹쳐져 있다고 하면, 그와 같이 겹쳐져 있는 상태에서 산출되는 반경 R'은 정상 범위보다도 작아지는 경우가 있다. 또한, 후퇴 위치 또는 제1 미소 전진 위치에서 산출된 반경 R'이 모두 정상 범위에 들어가 있어도 후퇴 위치와 제1 미소 전진 위치의 사이에서, 중심 좌표 o'의 Y 성분이 변화된다.
상술한 바와 같이 웨이퍼(W)의 반경 R'에 대해서는, 중심 좌표 o'과, 웨이퍼(W)의 주위 방향에서 보아 3개의 검출부(4)의 배열 간격이 가장 짧아지고, 그 배열의 중앙에 위치하는 검출부(4)의 검출 좌표와의 거리로서 구하고 있다. 그것으로부터, 사용 불가로 된 검출부(4)의 주위 방향에 인접하는 어느 하나의 검출부(4)의 검출 범위가 노치(N)에 겹쳐지면, 반경 R'이 실제의 반경보다도 작아진다. 그리고 사용 불가로 된 검출부(4)의 웨이퍼(W) 중심을 사이에 두고 대향하는 검출부(4)의 검출 범위가 노치(N)에 겹쳐지면, 반경 R'은 정상 범위에 들어가지만, 상기 Y 성분의 변동이 일어나게 된다.
도 18에서는, 검출부(4C)가 사용 불가로 된 예를 나타내고 있고, 포크(3)가 후퇴 위치에 있을 때에 검출부(4A)의 검출 범위가 노치(N)에 겹쳐진 예를 나타내고 있다. 도 19에서는, 상기 포크(3)가 제1 미소 전진 위치로 이동한 상태를 도시하고 있다. 도 18, 도 19에 도시하는 바와 같이 검출부(4A)에 대한 노치(N)의 위치가 어긋남으로써 검출부(4A, 4B, 4D)에 의해 연산되는 o'1의 위치가 어긋난다. 따라서, 제어부(5)로부터 보면, 후퇴 위치 및/또는 제1 미소 전진 위치에서 검출부(4A)가 노치(N)에 겹쳐져 있는 것을 알 수 있다.
따라서, 도 20에 도시하는 바와 같이 미리 설정된 거리를, 포크(3)가 더 전진한다. 이 전진 거리는, 노치(N)가 검출 범위로부터 벗어날 만큼의 충분한 거리로 한다. 그리고 이 전진 위치(제2 미소 전진 위치로 함)에서 검출부(4A, 4B, 4D)를 사용하여 웨이퍼(W)의 주연 위치를 검출하고, 그 주연 위치에 기초하여 정확한 중심 위치 o'1을 연산한다. 따라서, 도 8에 도시하는 바와 같이 상기 제어부(5)의 기억부(55)는, 상기 제2 미소 전진 위치의 주연 위치, 이 주연 위치로부터 연산되는 중심 위치를 기억하는 기억 영역을 구비하고 있다. 검출부(4C) 이외의 다른 검출부가 사용 불가로 된 경우나 검출부(4A) 이외의 검출부(4)가 노치(N)에 겹쳐진 경우도, 마찬가지로 중심 위치의 검출이 행해진다.
도 18 내지 도 20에서는 중심 좌표의 Y 성분이 변화되는 경우에 대해 설명하였지만, 다른 경우에 대해 설명한다. 후퇴 위치 및 제1 미소 전진 위치에 있어서 함께 연산되는 반경 R'이 정상 범위보다도 짧은 경우에는, 후퇴 위치 및 제1 미소 전진 위치에 있어서 노치(N)가 어느 하나의 검출부(4)의 검출 범위에 겹쳐져 있으므로, 상기 Y 성분이 변화되어 있는 경우와 마찬가지로 포크(3)를 제2 미소 전진 위치로 이동시켜 중심 좌표를 산출한다.
후퇴 위치 및 제1 미소 전진 위치에 있어서 중심 좌표의 Y 성분에 변화가 없고, 후퇴 위치에서 산출한 반경 R'만이 정상 범위보다도 작고, 또한 제1 미소 전진 위치에 있어서의 반경 R'이 정상 범위에 들어가 있는 경우에 대해서는, 후퇴 위치에서는 노치(N)에 검출 범위가 겹쳐져 있었지만, 제1 미소 전진 위치에서는 검출 범위가 노치(N)로부터 벗어난 것을 나타낸다. 따라서, 제1 미소 전진 위치에서 취득된 주연 위치로부터 취득한 중심 좌표를 정확한 웨이퍼(W)의 중심 좌표로 한다. 도 21, 도 22에서는 이러한 예를 나타내고 있고, 검출부(4D)가 사용 불가로 되어 있고, 후퇴 위치에서 노치(N)는 검출부(4A)에 겹쳐져 있다. 이 경우는, 제1 미소 전진 위치에서 취득한 중심 좌표 o'2가 정확한 중심 좌표이므로, 포크(3)의 제2 미소 전진 위치로의 이동은 행해지지 않는다.
그리고 후퇴 위치 및 제1 미소 전진 위치에 있어서 중심 좌표의 Y 성분에 변화가 없고, 제1 미소 전진 위치에서 산출한 반경 R'만이 정상 범위보다도 작고, 후퇴 위치에 있어서의 반경 R'이 정상 범위에 들어가 있는 경우에 대해서는, 제1 미소 전진 위치에서는 노치(N)에 검출 범위가 겹쳐져 있고, 후퇴 위치에서는 상기 검출 범위로부터 노치(N)가 벗어나 있었던 것을 나타낸다. 따라서, 제1 미소 전진 위치에서 취득된 주연 위치로부터 취득한 중심 위치를 정확한 웨이퍼(W)의 중심 위치로 하고, 포크(3)의 제2 전진 위치로의 이동은 행해지지 않는다.
임시 모드의 일련의 동작에 대해 상기 통상 모드와의 차이점을 중심으로, 레지스트 도포 모듈(COT)로부터 가열 모듈(21)로의 웨이퍼(W)의 반송을 예로 들어, 도 23의 플로우를 따라 설명한다. 여기서는 도 18 내지 도 20의 예와 마찬가지로 검출부(4C)가 사용 불가로 되어 있는 것으로 한다. 상기한 스텝 S1과 마찬가지로 예를 들어 포크(3A)가 레지스트 도포 모듈(COT)로부터 웨이퍼(W)를 수취하여, 후퇴 위치로 이동하고(스텝 T1), 이 후퇴 위치에서 광원부(41)로부터 광이 조사되어, 각 검출부(4A, 4B, 4D)에 의해 주연 위치의 좌표가 취득된다. 그리고 상기 주연 위치의 좌표에 기초하여 중심 좌표 o'(o'1) 및 반경 R'(R'1)이 연산된다(스텝 T2). 그 후, 포크(3A)가 제1 미소 전진 위치로 이동하고, 광원부(41)로부터 광이 조사되어 각 검출부(4A, 4B, 4D)에 의해 이 제1 미소 전진 위치에 있어서의 웨이퍼(W)의 주연 위치의 좌표가 취득된다. 그리고 상기 주연 위치의 좌표에 기초하여 중심 위치 o'1 및 반경 R'1이 연산된다(스텝 T3).
그런 후, 상술한 바와 같이 스텝 T2, 스텝 T3에서 취득된 중심 위치 o'1의 Y 성분의 차분을 연산하여, 허용 범위에 들어가 있는지 여부를 판정한다. 허용 범위에 들어가 있으면 스텝 T2, T3에서 각각 연산한 반경 R'1이 정상 범위에 들어가 있는지 여부를 판정한다. 즉, 상기 후퇴 위치 및 제1 미소 전진 위치에서 검출부(4A, 4B, 4D) 중 어느 하나의 검출 범위가 노치(N)에 겹쳐져 있는지 여부를 판정한다(스텝 T4). 어느 한쪽의 반경 R'1만이 정상 범위에 들어가 있다고 판정되면, 그 반경 R'1과 동일한 스텝에서 구한 중심 좌표를 정상적인 중심 좌표로서 결정한다. 양쪽의 R'1이 정상 범위에 들어가 있으면 스텝 T2, T3에서 산출한 것 중 어느 한쪽의 중심 좌표, 예를 들어 스텝 T2에서 산출한 중심 좌표를 정상적인 중심 좌표로서 결정한다. 그리고, 그와 같이 결정한 중심 좌표에 기초하여, 통상 모드와 마찬가지로 웨이퍼(W)의 반송을 행한다(스텝 T5).
스텝 T4에 있어서, 중심 좌표 o'1의 Y 성분의 차분이 허용 범위에 들어가 있지 않다고 판정된 경우 및 스텝 T2, T3에서 연산한 반경 R'1이 정상 범위에 포함되어 있지 않다고 판정된 경우는, 포크(3A)를 제2 미소 전진 위치로 이동시켜, 검출부(4)의 검출 범위로부터 노치(N)가 벗어난 상태에서, 각 광원부(41)로부터 광이 조사되어 웨이퍼(W)의 주연 위치의 좌표가 취득된다. 그 주연 위치의 좌표에 기초하여 중심 좌표 o'1이 연산되고(스텝 T6), 이 스텝 T6에서 연산한 중심 좌표 o'1에 기초하여, 포크(3A)의 적정 위치 p와의 어긋남량 ΔX, ΔY가 연산되고, 이 어긋남량에 기초하여 이 중심 좌표 o'1이 상기 열판(23)의 적정 위치 q에 겹쳐지도록, 상기 웨이퍼(W)의 반송이 행해진다(스텝 T7).
그런데, 웨이퍼(W)의 포크(3)의 보유 지지 위치에 따라서는, 예를 들어 제2 미소 전진 위치로 포크(3A)가 전진하였을 때에 어느 하나의 검출부(4)의 검출 범위로부터 웨이퍼(W)가 어긋나 버리는 경우가 있다. 상기한 도 5의 모식도에서 말하면, 제1 값 n1이 되는 수광량이 검출되지 않고, 제2 값 n2의 수광량만이 검출되는 경우이다. 이러한 상태로 되었을 때에는 웨이퍼(W)의 주연 위치의 검출을 행할 수 없으므로, 반송 아암(30)에 의한 웨이퍼(W)의 반송이 정지되어, 예를 들어 제어부(5)에 설치되는 표시부(53)에, 그러한 반송 정지가 일어난 취지를 나타내는 경고가 표시되거나, 제어부(5)에 설치되는 알람 발생부(54)로부터 알람음이 발생된다. 상기한 일련의 동작은 임시 모드 실행 프로그램(57)에 의해 제어된다.
계속해서, 통상 모드로부터 임시 모드로의 전환 동작에 대해 설명한다. 이 전환은, 각 검출부(4)에 있어서의 광원부(41)의 이상 또는 수광부(42)의 이상을 검출하면 자동으로 행해져, 이상 발생시에 포크(3)가 보유 지지하고 있는 웨이퍼(W) 및 후속 웨이퍼(W)를 임시 모드로 반송한다.
상기한 바와 같이 광원부(41)는, 예를 들어 LED에 의해 구성되어 있고, LED에 발생하는 이상으로서는, LED의 소등, LED의 광량의 저하, LED에 구비된 렌즈의 오염, 혹은 제어부(5)와 LED 사이의 어느 하나의 케이블의 단선 등이 있다. 상기한 바와 같은 광원부(41)의 이상의 검출은, 예를 들어 상기한 웨이퍼(W)의 주연 위치를 검출할 때에, 웨이퍼(W)를 보유 지지한 포크(3)가 후퇴 위치로 이동할 때마다 행해지고, 포크(3)에 보유 지지되어 있는 웨이퍼(W)에 통상 차단되지 않는 위치에 배치되어 있는 수광 소자에 의해, 광원부(41)로부터 발한 광의 광량을 검출하여 행한다.
도 24는, 상술한 도 5와 마찬가지로, 수광부(42)의 화소 번호와 수광량의 관계를 모식적으로 나타내는 그래프로, 이 도 24를 참조하면서 설명한다. 상기한 바와 같은 광원부(41)의 이상이 발생하면, 도 24에 예시하는 바와 같이 광원부(41)로부터 광을 발하도록 제어부(5)로부터 신호가 송신되었을 때에, 검출되는 광량이 제2 값 n2로부터 변화된다. 이 수광량이 허용값보다 낮아진 경우에는, 그 광원부(41)를 구비하는 검출부(4)를 사용 불가로 하고, 알람음의 발생 및 경고의 화면 표시를 행하는 동시에 동작 모드를 통상 모드로부터 임시 모드로 전환한다. 즉, 이 예에서는 웨이퍼의 중심 위치를 산출하는 동시에, 광원부(41)의 이상의 판정을 행하므로, 광원부(41)의 문제를 즉시 파악할 수 있도록 되어 있다.
다음에, 수광부(42)의 이상의 검지 방법에 대해 설명한다. 수광부(42)에 발생하는 이상으로서는, 각 CCD의 결함, 제어부(5)와 수광부(42) 사이의 어느 하나의 케이블의 단선 등이 예시된다. 도 24와 마찬가지로 화소 번호와 수광량의 관계를 모식적으로 나타낸 도 25도 참조하면서 설명한다.
포크(3)가 웨이퍼(W)를 모듈에 전달한 후, 웨이퍼(W)를 보유 지지하지 않은 상태에서 후퇴 위치로 이동한다. 이와 같이 후퇴 위치로 이동하였을 때에도 웨이퍼(W)의 주연 위치를 검출하는 경우와 마찬가지로 광원부(41)로부터 수광부(42)로 광이 조사된다. 그리고 수광한 광량을 검출하여, 그 검출값에 기초하여 행한다. 이와 같이 광을 수광하였을 때에, 수광부(42)에 상기한 이상이 있으면, 포크(3)에 차단되어 있지 않은 위치에 배치되어 있는 화소의 수광량이, 본래 검출될 제2 값 n2로 되지 않고, 변화되는 경우가 있다. 예를 들어, 수광부(42)를 구성하는 이상이 발생한 CCD가 전혀 광을 검출할 수 없을 때, 상기 CCD로 이루어지는 화소는 도 25 중 점선으로 나타내는 바와 같이, 예를 들어 제1 값 n1 등의, 제2 값 n2와 다른 값을 검출한다.
따라서, 이와 같이 제2 값 n2가 아닌 검출값을 나타내는 화소가 있거나, 검출값의 데이터가 얻어지지 않는 경우, 제어부(5)는 이러한 검출값을 나타내는 수광부(42)에 이상이 발생하고 있다고 판정하여, 당해 수광부(42)를 구비하는 검출부(4)를 사용 불가로 한다. 그리고 광원부(41)에 이상이 발생한 경우와 마찬가지로 알람음의 발생 및 경고의 화면 표시를 행하는 동시에, 반송 모드의 전환을 행한다. 이 수광부(42)에 있어서의 이상의 유무의 검출은, 예를 들어 포크(3A, 3B) 중 한쪽이 웨이퍼(W)를 모듈에 전달한 후, 웨이퍼(W)를 보유 지지하고 있지 않은 상태에서 후퇴 위치로 이동할 때마다 행해진다. 이때, 예를 들어 광원부(41)의 광이 웨이퍼(W)에 차단되지 않도록, 다른 쪽 포크(3)는 웨이퍼(W)를 전달하기 위해 전달 위치로 이동하고 있다.
상기한 반송 아암(30)에 따르면, 3개의 검출부(4)를 사용하여, 웨이퍼(W)의 노치(N)에 각 검출부(4)의 검출 범위가 겹쳐지지 않도록 웨이퍼(W)의 중심 좌표가 산출되고, 그 중심 좌표에 기초하여 웨이퍼(W)의 모듈로의 반송이 행해지는 모드를 구비하고 있다. 따라서, 4개의 검출부(4) 중 1개가 사용 불가로 되어도, 반송 아암(30)의 동작을 정지시킬 필요가 없고, 사용자가 장치 내로 들어갈 필요도 없으므로, 모듈의 적정 위치에 고정밀도로 웨이퍼(W)를 전달할 수 있는 동시에, 반송 아암(30)과 상술한 각 모듈로 이루어지는 기판 처리 장치의 가동률의 저하를 억제할 수 있다. 그리고 4개의 검출부(4)가 사용 가능일 때에는, 이 4개의 검출부(4)를 사용하여 웨이퍼(W)의 중심 좌표를 검출한다. 따라서, 웨이퍼(W)의 중심 좌표를 검출하기 위해 전진하는 동작을 행하는 횟수를 억제할 수 있어, 처리량의 저하를 억제할 수 있다.
상기 광원부(41)로서는, 복수의 LED를 직선 형상으로 배열시킨 광원, 또는 단일의 LED의 발광측에 직선 형상으로 도광 재료를 설치하여 직선 형상의 광원으로 한 것을 사용할 수 있다. 또한, 수광부(42)로서, CCD(Charge Coupled Device) 라인 센서 외에, 파이버 라인 센서, 광전 센서 등 각종 리니어 이미지 센서를 사용할 수 있다. 즉, 수광부(42)의 수광 소자로서, CCD, 광전 센서 등의 각종 수광 소자를 사용할 수 있다. 또한, 광원부(41)를 포크(3)의 상측에, 수광부(42)를 포크(3)의 하측에 설치해도 된다. 또한, 2매의 포크(3A, 3B)에 각각 검출부(4)가 4개씩 설치되어 있는 구성으로 하는 것도 가능하다. 그 경우에는, 검출부(4)를 구성하는 한 쌍의 광원부(41)와 리니어 이미지 센서는, 후퇴하고 있는 포크(3A, 3B)가 보유 지지하고 있는 웨이퍼(W) 중 어느 하나를 상하로부터 끼우도록 설치된 것이면 된다. 검출부(4)는 4기이상 설치되어 있어도 된다.
계속해서, 반송 아암(30), 가열 모듈(21) 및 레지스트 도포 모듈(COT)이 적용되는 도포, 현상 장치에 대해 도 26 내지 도 28을 참조하면서 간단하게 설명한다. 상기 도포, 현상 장치는 노광 장치에 접속되어 레지스트 패턴 형성 장치를 구성하고 있고, 도 26, 도 27, 도 28은 각각 상기 레지스트 패턴 형성 장치의 평면도, 개략 사시도, 측면도이다.
레지스트 패턴 형성 장치는, 도 26 및 도 27에 도시하는 바와 같이, 캐리어 블록(61), 처리 블록(62), 인터페이스 블록(63)을 갖는다. 또한, 레지스트 패턴 형성 장치의 인터페이스 블록(63)측에, 노광 장치(64)가 설치되어 있다. 처리 블록(62)은, 캐리어 블록(61)에 인접하도록 설치되어 있다. 인터페이스 블록(63)은, 처리 블록(62)의 캐리어 블록(61)측과 반대측에, 처리 블록(62)에 인접하도록 설치되어 있다. 노광 장치(64)는, 인터페이스 블록(63)의 처리 블록(62)측과 반대측에, 인터페이스 블록(63)에 인접하도록 설치되어 있다.
캐리어 블록(61)은, 캐리어(71), 적재대(72) 및 전달 수단 C를 갖는다. 캐리어(71)는, 적재대(72) 상에 적재되어 있다. 전달 수단 C는, 캐리어(71)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여, 처리 블록(62)에 전달하는 동시에, 처리 블록(62)에 있어서 처리된 처리 완료된 웨이퍼(W)를 수취하여, 캐리어(71)로 복귀시키기 위한 것이다.
처리 블록(62)은, 도 26 및 도 27에 도시하는 바와 같이, 선반 유닛 U1, 선반 유닛 U2, 제1 블록(DEV층) B1, 제2 블록(BCT층) B2, 제3 블록(COT층) B3, 제4 블록(TCT층) B4를 갖는다. 제1 블록(DEV층) B1은, 현상 처리를 행하기 위한 것이다. 제2 블록(BCT층) B2는, 레지스트막의 하층측에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 것이다. 제3 블록(COT층) B3은, 레지스트액의 도포 처리를 행하기 위한 것이다. 제4 블록(TCT층) B4는, 레지스트막의 상층측에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 것이다. 도 26 및 상술한 도 1은, 상기 제3 블록(COT층) B3을 도시하고 있다.
선반 유닛 U1은, 각종 모듈이 적층되어 구성되어 있다. 선반 유닛 U1은, 도 28에 도시하는 바와 같이, 예를 들어 하방으로부터 차례로 적층된, 전달 모듈 TRS1, TRS1, CPL11, CPL2, BF2, CPL3, BF3, CPL4, TRS4를 갖는다. 또한, 도 26에 도시하는 바와 같이, 선반 유닛 U1의 근방에는, 승강 가능한 전달 아암 D가 설치되어 있다. 선반 유닛 U1의 각 모듈끼리의 사이에서는, 전달 아암 D에 의해 웨이퍼(W)가 반송된다.
선반 유닛 U2는, 각종 모듈이 적층되어 구성되어 있다. 선반 유닛 U2는, 도 28에 도시하는 바와 같이, 예를 들어 하방으로부터 차례로 적층된, 전달 모듈 TRS6, TRS6, CPL12를 갖는다. 또한, 도 28에 있어서, CPL이 부여되어 있는 전달 모듈은, 온도 조절용 냉각 모듈을 겸하고 있고, BF가 부여되어 있는 전달 모듈은, 복수매의 웨이퍼(W)를 적재 가능한 버퍼 모듈을 겸하고 있다.
제1 블록(DEV층) B1과 제2 블록(BCT층) B2 사이에는, 선반 유닛 U1으로부터 선반 유닛 U2에 웨이퍼(W)를 직접 반송하는 셔틀(SH)이 설치되어 있다.
제2 블록(BCT층) B2, 제3 블록(COT층) B3 및 제4 블록(TCT층) B4는, 각각 약액의 도포 모듈, 가열 모듈군 및 상술한 반송 아암(30)을 갖는다. 제2 블록(BCT층) B2로부터 제4 블록(TCT층) B4의 각 블록은, 제2 블록(BCT층) B2 및 제4 블록(TCT층) B4에 있어서의 약액이 반사 방지막용 약액이고, 제3 블록(COT층) B3에 있어서의 약액이 레지스트액인 것을 제외하고, 마찬가지의 구성을 갖는다. 제1 블록(DEV층) B1은 약액의 도포 모듈 대신에 현상액의 공급 모듈이 설치되는 것을 제외하고 다른 단위 블록과 마찬가지의 구성이다. 도시의 편의상, 각 단위 블록의 반송 아암(30)을 A1, A2, A3, A4로서 나타내고 있다.
인터페이스 블록(63)은, 도 28에 도시하는 바와 같이, 인터페이스 아암 F를 갖는다. 인터페이스 아암 F는, 처리 블록(62)의 선반 유닛 U2의 근방에 설치되어 있다. 선반 유닛 U2의 각 처리 모듈끼리의 사이 및 노광 장치(64) 사이에서는, 인터페이스 아암 F에 의해 웨이퍼(W)가 반송된다.
캐리어 블록(61)으로부터의 웨이퍼(W)는, 선반 유닛 U1 중 하나의 전달 모듈, 예를 들어 제2 블록(BCT층) B2에 대응하는 전달 모듈 CPL2로, 전달 수단 C에 의해 순차 반송된다. 전달 모듈 CPL2로 반송된 웨이퍼(W)는, 제2 블록(BCT층) B2의 반송 아암 A2에 전달되고, 반송 아암 A2를 통해 각 처리 모듈(도포 모듈 및 가열ㆍ냉각계 처리 모듈군의 각 처리 모듈)로 반송되어, 각 처리 모듈에서 처리가 행해진다. 이에 의해, 웨이퍼(W)에 반사 방지막이 형성된다.
반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는, 반송 아암 A2, 선반 유닛 U1의 전달 모듈 BF2, 전달 아암 D, 선반 유닛 U1의 전달 모듈 CPL3을 통해, 제3 블록(COT층) B3의 반송 아암 A3에 전달된다. 그리고 웨이퍼(W)는, 반송 아암 A3을 통해 각 처리 모듈(도포 모듈 및 가열ㆍ냉각계 처리 모듈군의 각 처리 모듈)로 반송되어, 각 처리 모듈에서 처리가 행해진다. 이에 의해, 웨이퍼(W)에 레지스트막이 형성된다.
레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, 반송 아암 A3을 통해, 선반 유닛 U1의 전달 모듈 BF3으로 전달된다. 또한, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, 제4 블록(TCT층) B4에 있어서 반사 방지막이 더 형성되는 경우도 있다. 이 경우는, 웨이퍼(W)는 전달 모듈 CPL4를 통해, 제4 블록(TCT층) B4의 반송 아암 A4로 전달되고, 반송 아암 A4를 통해 각 처리 모듈(도포 모듈 및 가열ㆍ냉각계의 처리 모듈군의 각 처리 모듈)로 반송되어, 각 처리 모듈에서 처리가 행해진다. 이에 의해, 웨이퍼(W)에 반사 방지막이 형성된다. 그리고 반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는, 반송 아암 A4를 통해, 선반 유닛 U1의 전달 모듈 TRS4로 전달된다.
레지스트막이 형성된 웨이퍼(W) 또는 레지스트막 상에 반사 방지막이 더 형성된 웨이퍼(W)는, 전달 아암 D, 전달 모듈 BF3, 또는 TRS4를 통해 전달 모듈 CPL11에 적재되고, 셔틀(SH)에 전달되어, 선반 유닛 U2의 전달 모듈 CPL12로 직접 반송된 후, 인터페이스 블록(63)의 인터페이스 아암 F에 전달된다. 인터페이스 아암 F에 전달된 웨이퍼(W)는, 노광 장치(64)로 반송되어, 소정의 노광 처리가 행해진다. 그 후 웨이퍼(W)는, 인터페이스 아암 F를 통해, 선반 유닛 U2의 전달 모듈 TRS6에 적재되어, 처리 블록(62)으로 복귀된다. 처리 블록(62)으로 복귀된 웨이퍼(W)는, 제1 블록(DEV층) B1에 있어서 현상 처리가 행해진다. 현상 처리가 행해진 웨이퍼(W)는, 반송 아암 A1, 선반 유닛 U1의 전달 모듈 TRS1, 전달 수단 C를 통해, 캐리어(71)로 복귀된다.
상술한 예에서는, 반송 아암(30)에 의한 레지스트 도포 모듈(COT)로부터 가열 모듈(21)로의 반송예를 설명하였지만, 반송 아암(30) 외에 상기 전달 수단 C, 전달 아암 D 및 인터페이스 아암 F도, 본 발명에 있어서의 기판 반송 장치에 상당하고, 반송 아암(30)과 마찬가지로 상기한 기판 주연 위치 검출 기구(40)를 구비하고 있다. 그리고 이들 기판 반송 장치에 있어서도 전단측의 모듈로부터 후단측의 모듈로 웨이퍼(W)를 전달하는 데 있어서, 반송 아암(30)에서 설명한 바와 같이 웨이퍼(W)의 중심 좌표의 연산이 행해져, 당해 중심 좌표에 기초하여 반송이 행해진다. 즉, 상기 반송 경로에 있어서, 전단측의 모듈로부터 후단측의 모듈로의 반송은 모두, 레지스트 도포 모듈(COT)로부터 가열 모듈(21)로의 반송예에서 설명한 바와 같이 행해진다.
그런데, 상기한 바와 같이 검출부(4)는, 베이스(31)에 설치되는 것에는 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 29, 도 30에 도시하는 바와 같이 반송로(20)의 천장측, 바닥측에 각각 광원부(41), 수광부(42)를 배치하고, 베이스(31) 및 포크(3)가 이들 사이를 통과할 때에, 상기한 웨이퍼(W)의 중심 위치의 검출 및 포크(3)의 전달 위치의 결정이 행해져도 된다. 베이스(31)는, 광원부(41)의 광을 차단하지 않는 형상으로 한다. 그리고 이러한 경우 포크(3)를 검출부(4)에 대해 X방향으로 약간 어긋나게 하는 대신에, 도 31에 도시하는 바와 같이 베이스(31)를 Y방향으로 약간 이동시켜, 노치(N)에 대한 웨이퍼(W)의 위치를 어긋나게 하여, 상기한 중심 위치의 검출을 행할 수 있다.
또한, 상기한 웨이퍼(W)의 중심 위치의 검출은 웨이퍼(W)를 수취하는 전단측 모듈로부터 웨이퍼(W)를 전달하는 후단측 모듈로 웨이퍼(W)를 전달할 때까지 행하면 된다. 따라서 포크(3)를 후퇴시킨 후, 베이스(31)가 정지한 상태에서 행해도 되고, 베이스(31)가 후단측 모듈로 이동하고 있는 도중에, 포크(3)를 전진시켜 검출을 행해도 된다. 또한, 포크(3)의 후퇴 위치를 기준 위치로 하여, 그 기준 위치로부터 전진시킴으로써, 노치(N)의 검출 작업을 행하고 있지만, 기준 위치를 상기 후퇴 위치의 전방측으로 하고, 그 위치로부터 포크(3)를 후퇴시켜, 노치(N)의 검출 작업을 행해도 된다. 또한, 베이스(31)에 대해, 검출부(4)를 이동할 수 있도록 구동 기구를 설치하여, 포크(3) 대신에 검출부(4)를 이동시켜 웨이퍼(W)의 중심 위치의 검출을 행할 수 있다. 또한, 임시 모드에 있어서 중심 위치 o'을 검출하는 경우, 통상 모드에 있어서 중심 위치 o'을 취득하는 위치와는 다른 위치로 포크(3)를 이동시켜 취득해도 된다. 즉, 상기 후퇴 위치 및 제1 미소 전진 위치로부터 각각 어긋난 위치로 포크를 이동시켜 검출을 행해도 된다.
또한, 검출부(4)를 5쌍 이상 설치하여 통상 모드는 이들 검출부(4)를 사용하고, 사용 가능인 검출부(4)가 3쌍으로 되었을 때에 상기한 임시 모드를 실행하도록 해도 된다.
또한, 상기한 예에서는 스텝 S6, T4에 있어서 중심 좌표의 Y방향의 위치 변동의 유무에 기초하여, 노치(N)에 검출부(4)의 검출 범위가 겹쳐져 있는지 여부를 판정하고 있지만, 다른 판정 방법에 대해 나타낸다. 제1 미소 전진 위치에서 취득한 각 좌표 o'에 대해, 후퇴 위치로부터의 포크(3)의 이동량만큼 포크(3)의 후방측으로 어긋나게 한다. 이와 같이 취득한 각 좌표 o'과 후퇴 위치에서 취득한 각 좌표 o'의 거리를 계산한다. 즉, 도 16의 하단에 나타낸 바와 같이, 후퇴 위치와 제1 미소 전진 위치 사이에서 각 좌표 o'의 포크(3)의 이동량을 뺀 각 좌표 o'의 이동량(변위량)을 연산한다. 이 이동량은, 상기한 바와 같이 제1 미소 전진 위치로부터 어긋나게 한 o'의 X좌표, Y좌표를 X'', Y'', 후퇴 위치의 X좌표, Y좌표를 X', Y'으로 하면, {(X''-X')2＋(Y''-Y')2}1/2이다. 상기 도 16에 도시한 바와 같이 검출 범위가 노치(N)에 겹쳐지지 않는 센서를 사용하여 연산한 o'은 다른 o'에 비해 이 이동량이 작다.
따라서, 통상 모드의 스텝 S5, S6에 있어서는 반경이 정상 범위 내이고, 이 이동량이 최소로 되는 o'을 정확한 중심 위치로 할 수 있다. 임시 모드의 스텝 T4에 있어서는, 상기 이동량이 미리 설정한 허용 범위에 들어가고, 연산되는 각 반경이 정상 범위에 들어가면 노치(N)에 검출 범위가 겹쳐져 있지 않다고 판정할 수 있다. 이동량이 허용 범위에 들어가 있지 않은 경우는, Y 성분의 차분이 허용 범위에 들어가 있지 않다고 판정된 경우와 같이 포크(3A)를 제2 미소 전진 위치로 이동시켜, 중심 좌표를 취득한다.
N : 노치
W : 웨이퍼
3A, 3B : 포크
30 : 반송 아암
31 : 베이스
40 : 기판 주연 위치 검출 기구
4 : 검출부
41 : 광원부
42 : 수광부
5 : 제어부
56 : 통상 모드 실행 프로그램
57 : 임시 모드 실행 프로그램

Claims (21)

  1. 제1 모듈로부터 제2 모듈로, 그 주연부에 절결부가 형성된 원형의 기판을 반송하기 위해, 횡방향으로 이동 가능한 기판 보유 지지부를 구비하는 기판 반송 장치에 있어서,
    상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판의 주연부 3개소의 위치를 검출하기 위해, 상기 주연부에 있어서의 서로 다른 위치에 광을 조사하는 3기의 광원부와, 상기 각 광원부에 대해 쌍으로 되는 3기의 수광부를 구비하는 센서부와,
    상기 센서부에 대해 상기 기판 보유 지지부를 상대적으로 이동시키기 위한 구동부와,
    상기 기판 보유 지지부, 구동부 및 센서부의 각 동작을 제어하기 위해 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 제1 모듈로부터 수취한 기판을 보유 지지한 기판 보유 지지부를, 상기 센서부에 대해 미리 설정된 제1 위치에 위치시켜 상기 기판의 주연부의 각 위치를 검출하는 제1 스텝과,
    상기 기판 보유 지지부를 센서부에 대해 당해 제1 위치로부터 어긋난 제2 위치에 위치시켜 기판의 주연부의 각 위치를 검출하는 제2 스텝과,
    상기 기판의 절결부에 광원부의 광 조사 영역이 위치하고 있는 상태를 이상 상태라 칭하는 것으로 하면, 상기 제1 스텝 및 제2 스텝의 각 검출 결과에 기초하여,
    a. 상기 제1 위치 및 제2 위치 중 어느 하나에서 이상 상태가 발생하고 있고, 상기 제1 위치 및 제2 위치 중 어느 쪽에서 이상 상태가 발생하였는지를 특정할 수 있음
    b. 상기 제1 위치 및 제2 위치 중 어느 것에 있어서도 이상 상태가 발생하고 있지 않음
    c. 상기 제1 위치 및 제2 위치의 양쪽에서 이상 상태가 발생하고 있음
    d. 상기 제1 위치 및 제2 위치 중 적어도 어느 하나에서 이상 상태가 발생하고 있지만, 그 위치를 특정할 수 없음
    중 어느 하나의 결과를 도출하는 제3 스텝과,
    상기 제3 스텝에 있어서의 결과가 a 또는 b일 때에는, 상기 제1 위치 및 제2 위치 중 이상 상태가 발생하고 있지 않은 위치에서 검출한 주연부의 각 위치에 기초하여 제2 모듈에 대한 기판 보유 지지부의 전달 위치를 결정하고, 또한 상기 결과가 c 또는 d일 때에는, 상기 기판의 절결부로부터 벗어난 위치에 광을 조사하기 위해, 상기 기판 보유 지지부를 센서부에 대해, 상기 제1 위치 및 제2 위치와 다른 제3 위치로 이동시켜 기판의 주연부의 각 위치를 검출하고, 당해 각 위치에 기초하여 상기 전달 위치를 결정하는 제4 스텝을 실행하도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 센서부는, 4쌍 이상의 상기 광원부와 수광부를 구비하고,
    이 4쌍 이상의 광원부와 수광부가 사용 가능일 때에는, 이들 4쌍 이상의 광원부와 수광부에 의해 기판의 주연부의 각 위치가 검출되는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 제1 내지 제4 스텝으로 이루어지는 제1 모드를 실행하는 대신에,
    상기 제1 모듈로부터 수취한 기판을 보유 지지한 기판 보유 지지부를, 센서부에 대해 미리 설정된 제4 위치에 위치시켜 상기 기판의 주연부의 각 위치를 검출하는 스텝과,
    상기 스텝에서 검출한 주연부의 각 위치에 기초하여, 상기 이상 상태가 발생하고 있는지 여부를 판정하는 스텝과,
    상기 스텝에서 이상 상태가 발생하고 있지 않다고 판정된 경우에는, 상기 제4 위치에서 검출한 주연부의 각 위치에 기초하여 제2 모듈에 대한 기판 보유 지지부의 전달 위치를 결정하고, 이상 상태가 발생하고 있다고 판정된 경우에는, 기판 보유 지지부를 상기 제4 위치로부터 어긋난 제5 위치로 이동시켜 상기 기판의 주연부의 각 위치를 검출하고, 제4 위치 및 제5 위치에서 검출한 기판의 주연부의 각 위치에 기초하여, 상기 이상 상태로 되는 광원부와 수광부로 이루어지는 센서 쌍을 특정하고, 상기 센서 쌍에 의해 검출된 주연부의 위치 이외의 각 위치에 기초하여 상기 전달 위치를 결정하는 스텝으로 이루어지는 제2 모드를 실행하는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 제2 모드 실행시에 상기 수광부의 검출 결과에 기초하여, 상기 광원부와 당해 광원부에 쌍으로 되는 수광부로 이루어지는 검출부가 사용 가능인지 사용 불가인지를 판정하고, 사용 가능인 상기 검출부가 3기로 되었을 때에 상기 제2 모드 대신에 제1 모드를 실행하는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 장치.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 제2 모드에서, 이상 상태로 되는 검출부의 특정은, 상기 제4 위치 및 제5 위치에서 각각 검출된 기판의 각 주연부의 위치로부터 연산되는 당해 기판의 중심 위치의 변위량과, 제4 위치 및 제5 위치에서 각각 검출된 기판의 각 주연부의 위치로부터 연산되는 기판의 직경의 크기에 기초하여 행해지는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 장치.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제3 스텝에 있어서의 판정은, 상기 제1 위치에서 검출한 기판의 각 주연부의 위치로부터 연산되는 당해 기판의 중심 위치 및 직경의 크기와, 상기 제2 위치에서 검출한 기판의 각 주연부의 위치로부터 연산되는 기판의 중심 위치 및 직경의 크기에 기초하여 행해지는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제3 스텝에 있어서의 판정은, 상기 제1 위치에서 검출한 기판의 중심 위치와, 상기 제2 위치에서 검출한 기판의 중심 위치의 변위량에 기초하여 행해지는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 장치.
  8. 제1항에 기재된 기판 반송 장치를 사용하는 기판 반송 방법에 있어서,
    상기 제1 모듈로부터 수취한 기판을 보유 지지한 기판 보유 지지부를, 센서부에 대해 미리 설정된 제1 위치에 위치시켜 상기 기판의 주연부의 각 위치를 검출하는 제1 공정과,
    상기 기판 보유 지지부를 센서부에 대해 당해 제1 위치로부터 어긋난 제2 위치에 위치시켜 기판의 주연부의 각 위치를 검출하는 제2 공정과,
    상기 기판의 절결부에 광원부의 광 조사 영역이 위치하고 있는 상태를 이상 상태라 칭하는 것으로 하면, 상기 제1 공정 및 제2 공정의 각 검출 결과에 기초하여,
    a. 상기 제1 위치 및 제2 위치 중 어느 하나에서 이상 상태가 발생하고 있고, 상기 제1 위치 및 제2 위치 중 어느 쪽에서 이상 상태가 발생하였는지를 특정함
    b. 상기 제1 위치 및 제2 위치 중 어느 것에 있어서도 이상 상태가 발생하고 있지 않음
    c. 상기 제1 위치 및 제2 위치의 양쪽에서 이상 상태가 발생하고 있음
    d. 상기 제1 위치 및 제2 위치 중 적어도 어느 하나에서 이상 상태가 발생하고 있지만, 그 위치를 특정할 수 없음
    중 어느 하나의 결과를 도출하는 제3 공정과,
    상기 제3 공정에 있어서의 결과가 a 또는 b일 때에는, 상기 제1 위치 및 제2 위치 중 이상 상태가 발생하고 있지 않은 위치에서 검출한 주연부의 각 위치에 기초하여 제2 모듈에 대한 기판 보유 지지부의 전달 위치를 결정하고, 또한 상기 결과가 c 또는 d일 때에는, 상기 기판의 절결부로부터 벗어난 위치에 광을 조사하기 위해, 상기 기판 보유 지지부를 센서부에 대해, 상기 제1 위치 및 제2 위치와 다른 제3 위치로 이동시켜 기판의 주연부의 각 위치를 검출하고, 당해 각 위치에 기초하여, 상기 전달 위치를 결정하는 제4 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 센서부는, 4쌍 이상의 상기 광원부와 수광부를 구비하고,
    이 4쌍 이상의 광원부와 수광부가 사용 가능일 때에는, 상기 제1 내지 제4 공정으로 이루어지는 제1 모드를 실행하는 대신에,
    상기 제1 모듈로부터 수취한 기판을 보유 지지한 기판 보유 지지부를, 센서부에 대해 미리 설정된 제4 위치에 위치시켜 상기 기판의 주연부의 각 위치를 검출하는 공정과,
    상기 공정에서 검출한 기판의 주연부의 각 위치에 기초하여, 상기 이상 상태가 발생하고 있는지 여부를 판정하는 공정과,
    상기 공정에서 이상 상태가 발생하고 있지 않다고 판정된 경우에는, 상기 제4 위치에서 검출한 기판의 주연부의 각 위치에 기초하여 제2 모듈에 대한 기판 보유 지지부의 전달 위치를 결정하고, 이상 상태가 발생하고 있다고 판정된 경우에는, 기판 보유 지지부를 상기 제4 위치로부터 어긋난 제5 위치로 이동시켜 기판의 주연부의 각 위치를 검출하고, 제4 위치 및 제5 위치에서 검출한 기판의 주연부의 각 위치에 기초하여, 상기 이상 상태로 되는 상기 광원부와 당해 광원부에 쌍으로 되는 수광부로 이루어지는 검출부를 특정하고, 상기 검출부에 의해 검출된 주연부의 위치 이외의 각 주연부의 위치에 기초하여 상기 전달 위치를 결정하는 공정으로 이루어지는 제2 모드를 실행하는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제2 모드 실행시에 상기 수광부의 검출 결과에 기초하여, 각 검출부가 사용 가능인지 사용 불가인지를 판정하는 공정과,
    사용 가능인 검출부가 3기로 되었을 때에, 상기 제2 모드 대신에 제1 모드를 실행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 방법.
  11. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제3 공정에 있어서의 판정은, 상기 제1 위치에서 검출한 기판의 각 주연부의 위치로부터 연산되는 당해 기판의 중심 위치 및 직경의 크기와, 상기 제2 위치에서 검출한 기판의 각 주연부의 위치로부터 연산되는 기판의 중심 위치 및 직경의 크기에 기초하여 행해지는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 방법.
  12. 모듈 사이에서 기판을 전달하여 처리를 행하는 기판 반송 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체이며,
    상기 컴퓨터 프로그램은, 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 기판 반송 방법을 실시하기 위한 것인 것을 특징으로 하는, 기억 매체.
  13. 제1 모듈로부터 제2 모듈로, 원형의 기판을 반송하기 위해 횡방향으로 이동 가능한 기판 보유 지지부를 구비하는 기판 반송 장치에 있어서,
    상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판의 주연부의 적어도 4개소의 위치를 검출하기 위해, 상기 주연부에 있어서의 서로 다른 위치에 광을 조사하는 광원부와, 상기 각 광원부에 대해 쌍으로 되는 수광부로 이루어지는 센서 쌍을 적어도 4개 구비하는 센서부와,
    상기 센서부에 대해 상기 기판 보유 지지부를 상대적으로 이동시키기 위한 구동부와,
    상기 기판 보유 지지부, 구동부 및 센서부의 각 동작을 제어하기 위해 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 각 센서 쌍의 수광부의 검출 결과에 기초하여, 센서 쌍마다 당해 센서 쌍이 사용 가능인지 사용 불가인지를 판정하는 판정 스텝과,
    상기 제1 모듈로부터 수취한 기판을 보유 지지한 기판 보유 지지부를, 상기 각 센서 쌍에 대해 미리 설정된 설정 위치에 위치시켜 상기 기판의 주연부의 각 위치를 검출하는 검출 스텝과,
    상기 판정 스텝에서 사용 가능이라고 판정된 센서 쌍이 4개 이상 있을 때에는 적어도 4개의 사용 가능한 센서 쌍에 의해 상기 검출 스텝에서 검출된 각 주연부의 위치에 기초하여 상기 제2 모듈에 대한 기판 보유 지지부의 전달 위치를 결정하고,
    상기 판정 스텝에서 사용 가능이라고 판정된 센서 쌍이 3개일 때에는 당해 3개의 센서 쌍에 의해 상기 검출 스텝에서 검출된 각 주연부의 위치에 기초하여 상기 제2 모듈에 대한 기판 보유 지지부의 전달 위치를 결정하는 결정 스텝을 실행하도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 기판의 주연부에는 절결부가 형성되고,
    상기 판정 스텝에 있어서 사용 가능한 센서 쌍이 3개라고 판정되었을 때,
    상기 제어부는,
    상기 검출 스텝으로서,
    상기 제1 모듈로부터 수취한 기판을 보유 지지한 기판 보유 지지부를, 상기 센서부에 대해 미리 설정된 제1 위치에 위치시켜 상기 기판의 주연부 각 위치를 검출하는 제1 스텝과,
    상기 기판 보유 지지부를 센서부에 대해 당해 제1 위치로부터 어긋난 제2 위치에 위치시켜 기판의 주연부의 각 위치를 검출하는 제2 스텝을 실행하고,
    상기 결정 스텝으로서,
    사용 가능이라고 판정된 센서 쌍으로부터 상기 제1 스텝 및 제2 스텝에서 각각 취득된 주연부의 위치에 기초하여, 상기 제2 모듈에 대한 기판 보유 지지부의 전달 위치를 결정하는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 결정 스텝은,
    상기 기판의 절결부에 광원부의 광 조사 영역이 위치하고 있는 상태를 이상 상태라 칭하는 것으로 하면, 상기 제1 스텝 및 제2 스텝의 각 검출 결과에 기초하여,
    a. 상기 제1 위치 및 제2 위치 중 어느 하나에서 이상 상태가 발생하고 있고, 상기 제1 위치 및 제2 위치 중 어느 쪽에서 이상 상태가 발생하였는지를 특정할 수 있음
    b. 상기 제1 위치 및 제2 위치 중 어느 것에 있어서도 이상 상태가 발생하고 있지 않음
    c. 상기 제1 위치 및 제2 위치의 양쪽에서 이상 상태가 발생하고 있음
    d. 상기 제1 위치 및 제2 위치 중 적어도 어느 하나에서 이상 상태가 발생하고 있지만, 그 위치를 특정할 수 없음
    중 어느 하나의 결과를 도출하는 제3 스텝과,
    상기 제3 스텝에 있어서의 결과가 a 또는 b일 때에는, 상기 제1 위치 및 제2 위치 중 이상 상태가 발생하고 있지 않은 위치에서 검출한 주연부의 각 위치에 기초하여 제2 모듈에 대한 기판 보유 지지부의 전달 위치를 결정하고, 또한 상기 결과가 c 또는 d일 때에는, 상기 기판의 절결부로부터 벗어난 위치에 광을 조사하기 위해, 상기 기판 보유 지지부를 센서부에 대해, 상기 제1 위치 및 제2 위치와 다른 제3 위치로 이동시켜 기판의 주연부의 각 위치를 검출하고, 당해 각 위치에 기초하여 상기 전달 위치를 결정하는 제4 스텝을 실행하는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 장치.
  16. 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 판정 스텝에 있어서, 상기 센서 쌍이 사용 가능인지 사용 불가인지의 판정은, 상기 수광부가 수광하는 광량 혹은 수광하는 영역의 크기에 기초하여 행해지는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 장치.
  17. 제13항에 기재된 기판 반송 장치를 사용하는 기판 반송 방법에 있어서,
    상기 각 센서 쌍의 수광부의 검출 결과에 기초하여, 센서 쌍마다 당해 센서 쌍이 사용 가능인지 사용 불가인지를 판정하는 판정 공정과,
    상기 제1 모듈로부터 수취한 기판을 보유 지지한 기판 보유 지지부를, 상기 각 센서 쌍에 대해 미리 설정된 설정 위치에 위치시켜 상기 기판의 주연부의 각 위치를 검출하는 검출 공정과,
    상기 판정 공정에서 사용 가능이라고 판정된 센서 쌍이 4개 이상 있을 때에는 적어도 4개의 사용 가능한 센서 쌍에 의해 상기 검출 공정에서 검출된 각 주연부의 위치에 기초하여 상기 제2 모듈에 대한 기판 보유 지지부의 전달 위치를 결정하고,
    상기 판정 공정에서 사용 가능이라고 판정된 센서 쌍이 3개일 때에는 당해 3개의 센서 쌍에 의해 상기 검출 공정에서 검출된 각 주연부의 위치에 기초하여 상기 제2 모듈에 대한 기판 보유 지지부의 전달 위치를 결정하는 결정 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 기판의 주연부에는 절결부가 형성되고,
    상기 판정 공정에 있어서 사용 가능인 센서 쌍이 3개라고 판정되었을 때,
    상기 검출 공정으로서는,
    상기 제1 모듈로부터 수취한 기판을 보유 지지한 기판 보유 지지부를, 상기 센서부에 대해 미리 설정된 제1 위치에 위치시켜 상기 기판의 주연부의 각 위치를 검출하는 제1 공정과,
    상기 기판 보유 지지부를 센서부에 대해 당해 제1 위치로부터 어긋난 제2 위치에 위치시켜 기판의 주연부의 각 위치를 검출하는 제2 공정을 포함하고,
    상기 결정 공정으로서는,
    사용 가능이라고 판정된 센서 쌍으로부터 상기 제1 공정 및 제2 공정에서 각각 취득된 주연부의 위치에 기초하여, 상기 제2 모듈에 대한 기판 보유 지지부의 전달 위치를 결정하는 공정이 포함되는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 결정 공정은,
    상기 기판의 절결부에 광원부의 광 조사 영역이 위치하고 있는 상태를 이상 상태라 칭하는 것으로 하면, 상기 제1 공정 및 제2 공정의 각 검출 결과에 기초하여,
    a. 상기 제1 위치 및 제2 위치 중 어느 하나에서 이상 상태가 발생하고 있고, 상기 제1 위치 및 제2 위치 중 어느 쪽에서 이상 상태가 발생하였는지를 특정할 수 있음
    b. 상기 제1 위치 및 제2 위치 중 어느 것에 있어서도 이상 상태가 발생하고 있지 않음
    c. 상기 제1 위치 및 제2 위치의 양쪽에서 이상 상태가 발생하고 있음
    d. 상기 제1 위치 및 제2 위치 중 적어도 어느 하나에서 이상 상태가 발생하고 있지만, 그 위치를 특정할 수 없음
    중 어느 하나의 결과를 도출하는 제3 공정과,
    상기 제3 공정에 있어서의 결과가 a 또는 b일 때에는, 상기 제1 위치 및 제2 위치 중 이상 상태가 발생하고 있지 않은 위치에서 검출한 주연부의 각 위치에 기초하여 제2 모듈에 대한 기판 보유 지지부의 전달 위치를 결정하고, 또한 상기 결과가 c 또는 d일 때에는, 상기 기판의 절결부로부터 벗어난 위치에 광을 조사하기 위해, 상기 기판 보유 지지부를 센서부에 대해, 상기 제1 위치 및 제2 위치와 다른 제3 위치로 이동시켜 기판의 주연부의 각 위치를 검출하고, 당해 각 위치에 기초하여 상기 전달 위치를 결정하는 제4 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 방법.
  20. 제17항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 판정 공정에 있어서, 상기 센서 쌍이 사용 가능인지 사용 불가인지의 판정은, 상기 수광부가 수광하는 광량 혹은 수광하는 영역의 크기에 기초하여 행해지는 것을 특징으로 하는, 기판 반송 방법.
  21. 모듈 사이에서 기판을 전달하여 처리를 행하는 기판 반송 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체이며,
    상기 컴퓨터 프로그램은, 제17항 내지 제19항 중 어느 한 항에 기재된 기판 반송 방법을 실시하기 위한 것인 것을 특징으로 하는, 기억 매체.
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