TW396386B - Load-lock mechanism and processing unit - Google Patents
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Description
五 經漪部中央標準局貝工消费合作社印聚 多 空 閘 並 列 Λ7 R7 、發明説明( 本發明所屬之技術領域 本發明係有關於一種在半導體處理工程上處理晶圓等 之被處理體的負載緊固機構及處理裝置。 習知技藝 在半導體製造工程上之晶圓處理,有從現在之6英吋 或8英吋之半導體晶圓(以下,僅稱之為「晶圓」)急速轉 變為12英吋晶圓之傾向。因此,半導體製造裝置就隨其而 開發對應於12英吋之裝置。在12英吋晶圓,由於晶圓之大 口從化,大重量化,而使各半導體製造關連裝置亦更大 化° 例如,第6圖係表示將多數之處理作連續性進行之 餘室處理裝置(以下僅稱之為「處理裝置」)例的平面圖。 該處理裝置,如第6圖所示,保持為所定之真空度。又, 該裝置具有例如,各別進行蝕刻處理及成膜處理等之多數 之處理室1、介著閘閥2八,而對各處理室連結為連通或遮 斷均為可行,並且,於符合於各處理室丨之真空度的真 環境下,將晶圓W以各1片作搬送之第丨搬送室3、介著 閥2B,而對第丨搬送室3連結為連通或遮斷均為可行, 且,依成符合於第丨搬送室3之真空度的真空環境之2系, 的負載緊固室4 '介著閘閥2 c而對各負載緊 連通或遮斷均為可行,並且,對各負載緊固室4於大^ 環境下可將晶圓W以各i片作搬送之第2搬送室5、以及介 著閉閥2D’而對第2搬送室5連結為連通或遮斷均為可行 ,並且,以托架單位可將晶圓w收納之托架收納室6。而 冰張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4ΐ¥77^^-
-4 Λ7 〜〜________H7 五、發明説明(2 ) ~ 在第1、第2搬送室3、5分別配設具有操縱臂(處理臂)之晶 圓搬送裝置3A、5A。各晶圓搬送裝置3a、5A之操縱臂( 處理臂)’乃將晶圓W以各1片搬送。又,在第6圖上,4A 為載置晶圓W而能作溫度調整之載置台。該載置台4八與 負載緊固室4共同構成負載緊固機構,並將晶圓調整為所 定溫度》 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印" -------------.— 丁 , -§ 例如’對左侧之托架收納室6内之晶圓w進行所定之 處理的場合,閘閥2D就開啟,並且第2搬送室5内之晶圓 搬送裝置5A驅動,而從托架收納室6之托架c取出丨片晶圓 W,而後,閘閥2D就關閉而遮斷托架收納室6及第2搬送 室5。接著,左側之負載緊固室4之閘閥乂就開啟,晶圆 搬送裝置5A乃將晶圓W從第2搬送室5移載至負載緊固室4 内之載置台4A上,而後,閘閥2C就關閉。然後,負載緊 固室4之真空排氣裝置(未圖示)驅動,而使室内成為所定 之真空環境。當負載緊固室4成為所定之真空環境,並且 ,晶圓w為所定之溫度之時,閘閥2B就開啟,使第1搬送 室3之晶圓搬送裝置3八驅動,而將負載緊固室4内之晶圓 W,於真空環境下搬入至第1搬送室3内,而閘閥四就關 閉。接著’例如’左側之處理室1之閘閥2a開啟,晶圓搬 送裝置3A將晶圓從第1搬送室3移載至處理室,閘閥2A 就關閉,而晶圓W在處理室1内作所定之處理,例如為, 成膜處理。這期間,在其他處理室1内,其他之晶圓W, 即與其並行作蝕刻處理等之處理。 然後’例如,在右侧之處理室1内完成晶圓W的所定 本紙張尺度iA财轉(CNS ) Λ4^( 210x1^1 五、發明说明(3 ) A7 B7 處理之後,閘閥2A就開啟,而將處理完成之晶圓w搬入 第1,送室3内。接著,右側之已抽成真空的負載緊固室4 之閘閥2B就開啟,晶圓搬送裝置3人乃將處理完成之晶圓 W移載至負載緊固室4内,而閘閥2B就關閉。隨後,負載 緊固室4内乃回復為大氣壓’閘閥2C開啟,於負載緊固室 4内之處理完成的晶圓w,乃經由第2搬送室5回復至左側 之托架收納室6内之托架C。於該期間,於左側之處理室ι 的處理完成之晶圓W,乃介著第丨搬送室3之晶圓搬送裝置 3A而移載至右側之處理室丨。與該動作並行而從左侧之托 架收納室6内取出其次應處理之晶圓w,並經由左側之負 載緊固室4内搬入至左側之處理室ι而作成膜處理。 即,於習知之處理裝置的場合,乃配置2系列之負載 緊固室4作為真空壓侧與大氣壓側之連絡通路。該處理裝 置乃以有效利用各負載緊固室4,提高晶圓之搬送效率以 圖提升其生產量。 · 但是,為要極力抑制微粒之產生等之故,有必要將第 1搬送室3内之晶圓搬送裝置3 A的驅動部多少作削減。因 此,於習知之處理裝置的場合’乃並列配置2系列之負載 緊固室4,使晶圓搬送裝置3八之操縱臂不在上下方向動作 ,而於同一搬送高度僅在水平方向驅動。由於此,有負載 緊固室4的範圍較為廣大之課題存在。又,今後,晶圓為^ 英吋時,配線構造將更多層化,而於處理裝置上之處理數 ’即,處理室1之數量將增加,但,習知之處理裝置,以 並列所配置之2系列的負載緊固室4,有大幅度限制處理室 (請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) ,νβ • I - I —i— tn 氺紙張纽刺巾肖附:料(rNS )八4祕(210X297公楚 I I ml li - -6 經濟部中央標挲局員工消費合作社印裝 Λ7 __ ΙΠ五、發明説明(4 ) —~1$佈置的課題存在» 解決課題之本發明裝置 本發明係欲解決上述課題所進行,乃以提供能削減動 作範圍,並能提高處理室之佈置的彈性之負載緊固機構及 處理裝置為目的。 即,本發明係配置在真空壓領域與大氣壓領域之間, 其具備具有向真空壓領域側開口之第【開口部、最少有i對 向大氣壓領域側開口之第2開口部、及開閉各第2開口部用 之開閉機構的真空室 '在真空室内最少收容丨對移動可行 之負載緊固室、以及對各負載緊固室給排空氣用之給排氣 機構。各負載緊固室具有與第1開口部可連通之第丨出入口 、與其所對應之第2開口部可連通之第2出入口、以及於第 2開口部與第2出入口連通之時,要遮斷真空室内與負載緊 固室内用之遮斷機構,為其特徵。 第1出入口與第2出入口,以形成在同一水平面内為宜 °又’負載緊固定’於真空室内可在上下方向移動可行為 宜。特別是負載緊固室在上下設置2個,而真空室在上部 及下部具有2個第2開口部',並在各第2開口部,各負載緊 固室之第2出入口分別可連通為宜。 又,給排氣機構,於形成在真空室之負載緊固室的第 2開口部與第2出入口相連通之時,應具有與第斶口部相 連通之給排氣路為宜。或著,負載緊固室具有給排氣而 給排氣機構,於形成在真空室之負載緊固室的第2開口部 ’與第2出人π相連通之時’應具有與給排氣口相連通之 本紙張尺度剌tun丨縣(CNS ) (誚先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) "· • i· ί—
1 -I I I -7 A7 IV7 五、發明説明(5 ) 給排氣路為宜。 而負載緊固室在室内下面,慮設有可冷卻收容在室内 之被處理體的冷卻機構為宜。 本發明之實施態樣 以下,依據在第1圖〜第5圖所示之實施態樣說明本發 明〇 首先,本實施例之多艙室處理裝置(以下,簡稱為「 處理裝置」)’例如在第1圖所示,具備對晶圓W以連續性 進行成膜處理或蝕刻處理等之處理的多數(於第1圊為4室) 之處理室10 ’介著閘閥(未圖示,以下同樣)而對該等之處 理室10分別連結成為可連通或遮斷的多角形狀之第1搬送 室20(真空搬送室)’對第1搬送室20所連結之負載緊固機 構30、介著將後述之閘閥而對該負載緊固機構3〇之左右兩 避面,連結成為可連通或遮斷之第2搬送室40(大氣壓搬送 室)、以及介著閘閥51而對該等之第2搬送室40連結成為連 通或遮斷可行之多數(於第1圖為4室)的以並列配置之托架 收納室50。在第1,第2搬送室20,40内,個別配設各以! 片晶圓搬送之晶圓搬送裝置21,41。 經濟部中央標卒局月工消费合作社印褽 ---------装-- - - {誚先閲讀背而之注項再填寫本玎) 由第1圖可知,本實施例之處理裝置僅具有1系列之負 載緊固機構30,是故,處理裝置之動作範圍與習知比較, 即予削減,並且,使處理室1 〇之佈置的彈性提高。第2圊 係以該負載緊固機構30為主題之圖面。第2圖為第1圖上之 Π-Π線方向之載面圖。 現參照第2圖針對本實施例之負載緊固機構3〇作說明 本紙張尺度適用中國國家榡率(CNS ) Λ4规梠(21〇Χ 297公筇). 經濟部中央標準局負工消費合作社印聚 A7 ________ Η·7 五、發明説明(6 ) 。本實施例之負載緊固機構30如在第2圖所示,具備矩形 狀之真空室31,並且,介著真空室31而連結在真空情況下 搬送晶圓之第1搬送室20及在大氣壓情況下搬送晶圓之第2 搬送室40,即’在真空室31之3個側壁分別連結第1、第2 搬送室20,40。第1 ’第2負載緊固室32,33以上下二段設 在真空室31内.。區隔真空室η與第!搬送室2〇之側壁上, 於其上下方向中央形成第1開口部31A,而區隔真空室31 與左右之第2搬送室40的左右兩側壁上,於其上部及下部 分別形成第2開口部3 1B,3 1B。 第1,第2負載緊固室32, 33均在真空室31内保持氣密 而能作上下方向移動。第!,第2負載緊固室32,33之内部 乃形成為載置晶圓W之空間。該等之内部空間個別在第j 搬送室20側之側壁有第!出入口 32A +,33A之開口,而在第 2搬送室40側之左右兩側壁有第2出入口 32B,33B之開口 。當下側之第1負載緊固室32位於下降端之位置時,第 入口 32A由真空至31之側壁所閉塞,同時,第2出入口 32b 就連通於真空室3 1之第2開口部3丨B。又,上倒之第2負載 緊固室38位於上昇端之位置時,第i出入口da由真空室3][ 之側壁所閉塞,同時,第2出入口 33B即連通於真空室31 之第2開口部31B。 又,在真空室31之上下的第2開口部31B,31B之外壁 面,分別裝置第1、第2閘閥34A,34B。第1、第2負載緊 固至32, 33分別處於下降端及上昇端之位置時,第i、第2 負載緊固室32, 33與第2搬送室40各介著閘閥34A,灿而 本紙張尺度適用中國國家_ (CNS) 11-------士民--------丁 , ^ '1' ("·先閱讀背而之注意事項4填寫本頁) -9- 經漪部中央標苹局員工消費合作社印製 Μ -— ----- m '·»—— — II , — ——. - 五、發明説明(7 ) ‘ 連通或遮斷。 又,第1搬送室20内之晶圓搬送裝置21,由於避免微 粒之發生,乃將操縱臂(處理臂)於水平面内作旋轉及屈伸 ,並介著真空室31之第1開口部31A而對第i、第2負載緊 固室32, 33,以同一搬送高度搬出入晶圓另方面,第 2搬送至40内之晶圓搬送裝置41具有昇降驅動機構及水平 移動機構。晶園搬送裝置41乃在上下之第2開口部31B,31B 間作昇降,並在其各自之高度的水平面内使操縱臂作旋轉 及屈伸,而如在第1圖所示,將操縱臂整體在與第2搬送室 40相對向之各托架收納室5〇間作水平移動,並在各托架收 納室50與第1、第2負載緊固室32, 33之間搬送晶圓w。 如在第2围所示,位於真空室31内之下方的第丨負載緊 固室32,在其下面之外周具有作為遮斷機構之段部32c及 密封部材35A〇在真空室31之内壁&,有形成對應於段部 32C之段部31C。當第!負載砮固室32位於下降端之位置時 ,兩段部31C , 32C乃介著密封部材35A作氣密性耦合,而 第1負載緊固室32内就從真空室31内之下方空間被遮斷。 另方面,第1負載緊固室32在上端之外週有凸緣部32D 及密封部材35B,作為遮斷機構。在真空室3丨之内壁面, 有形成對應於凸緣部32D之段部31D。當第1負載緊固室32 處於下降端之位置之時,段部31D及凸緣部32D就介著密 封邛材35B作氣密之耦合,而使第1負載緊固室32内亦從 真空室31内之上方空間所遮斷。 密封部材35A,35B乃與第1負載緊固室32形成為一體 (CNS ) Λ4規枯(210χ —----I—----d------訂 (对先閱讀背而之注意事項再填邦本頁) -10- A7 s.____B7 五、發明説明(8 ) (婧先閱讀背而之注項再填寫本I) ,而第1負載緊固至32於真空室31内昇降之時,作成與第1 負載緊固室32以一體性移動,但,以別體之形成亦可以。 在第1負載緊固至32之側壁,有形成雖與其内部不連通, 而與上方空間及下方空間相連通之通氣路32H。 又,在第1負載緊固室32之下面中央有連結昇降桿32E 。該昇降桿32E乃從第1負載緊固室32下垂,並貫通真空 室31之底面中央的貫通孔,而連接於配設在下方而未圖示 之昇降驅動機構。在昇降桿32E與貫通孔間有介在密封部 材35C,使昇降桿32E在貫通孔保持氣密性而作昇降。昇 降驅動機構乃介著該昇降桿32E而昇降操作第i負載緊固 室32。當第1閘閥34A開放之時,第!負載緊固室32乃成為 大耽壓與真空空間之境界,並以該時之壓差押上第1負載 緊固室32。由於此,在該昇降驅動機構上,有必要經常附 與(給予)擴充押上力之力量。
第2負載緊固室33在下面之外週具有作為遮斷機構之 凸緣部33C及密封部材36A。在真空室31之内壁面有形成 對應於凸緣部33C之段部31E。第2負載緊固室33處於上昇 端之位置之時,段部31E及凸緣部33C就介著密封記材36A 作氣密之耦合’而使第2負載緊固室33内從真空室31内之 下方空間被遮斷。 又,第2負載緊固室33在上端之外週具有.作為遮斷機 構用之段部33D及密封部材36B。在真空室31之内壁面有 形成對應於段部33D之段部3 1F。第2負載緊固室33位於上 昇端位置之時’段部31F與段部33D介著密封躬材36B作氣 (CNS ) Λ4規格(210X 297公漤) ~ -11 - Λ7 H'7 五、發明説明(9 ) 密之耦合,而第2負載緊固室33内亦從真空室31内之上方 空間遮斷。 密封部材36A,36B,乃與第2負載緊固室33形成為一 體’而使其於第2負載緊固室33在真空室31内昇降之時, 與第2負載緊固室33作一趙性之移動,但形成為別體亦 可以。在第2負載緊固室33之側壁’雖形成為與其内部不 連通,但使上方部份及下方部份相連通之通氣路33h。 又’在第2負載緊固室33之上面中央有連結昇降桿现 。該昇降桿33E乃從第2負載緊固室33以垂直向上方延設 ’並貫通真空室31之上面中央的賁通孔,而連接至配設在 上方之未圖示的昇降驅動機構。在昇降桿33E與貫通孔間 介著密封部材36C ’而使昇降桿33£在貫通孔中保持氣密 作昇降。昇降驅動機構介著該昇降桿33E而將第2負載緊 固室33作昇降操作。當第2閘閥34B開放之時第2負載緊 固室33乃成為大氣壓與真空空間之境界,而以該時之壓差 押下第2負載緊固室33。由於此’在該昇降驅動機構上有 必要經常附予(給予)與押下力相抗衡之力量。 經濟部中决標準扃員工消费合作社印裂 又,在真空室31之上下,有形成第卜第2給排氣路3ΐϋ 、31H作為給排氣機構,而第!、第2給排氣路3丨〇、3m 為抽第1、第2負載緊固室32、33内為真空,乃連結於真空 排氣裝置(未圖示)。第丨給排氣路31G,例如,於段部3ic 與段部31D之大約中間處,而第丨負載緊固室32於下降端 之時,(第2開口部與第2出入口連通之時)乃在與第丨出入 口 32A相對向之位置開口。又,第2給排氣路3^,, 本紙張尺度適财鮮(CNS ) Λ4Jm~( 2i〇X2^'f 12 五、發明説明(10 ) A7 1V7 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 在段部31E與段部31F之大約中間處;而第2負載緊固室33 在上昇端之時(第2開口部與第2出入口相連通之時),乃在 與第1出入口 33A相對向之位置開口。 於各負載緊固室32,33之側壁設置給排氣口之場合, 將各給排氣路31G,31H形成為各負載緊固室之第2開口部 與所對應之第2出入口相連通之時/與給排氣口相連通亦 可以。 第3圖、第4圖係分別將第1、第2負載緊固室32, ”擴 大表示之構成圖。第1、第2負載緊固室32, 33,如在各圊 所示,在室内下面均具有可載置晶圓在上下方向昇降之昇 降機構。又,第1、第2負載緊固室32, 33具備調節晶圓w 之溫度用的溫度調節機構。 即,第1負載緊固室32,如在第3圖所示,於上部與下 部之間具有收納晶圓W之内部空間,而其下部形成為晶圓 w之載置部。在該載置部内有配該作為昇降機構之3栓昇 降機32F,而該3栓昇降機似介著貫通昇降機饥之棒部 材連結於昇降機構(未圖示)。因此,如第3圖所示,3栓昇 降機32F介著昇降機構,從實線位置昇降至十點虛線位置 。在上昇時(十點虛線位置)3栓昇降機321?之上端乃由載置 部突出而將晶圓W以水平抬高,而於下降時(實線位置), 其上端就退隱在載置部内而將晶圓W載置在載置部上。 如在第3圖上以虛線所示,於載置部内有溫度調節機 構32G配設得不與3栓昇降機创產生干擾。該溫度調節機 構32G係將載置部之上面整體調節為所定溫度,而該溫 (諳先閱讀背面之>1意事項再填寫本頁) Λ .I I i— - - ·
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木紙張尺度ϋ财關纟:料~( CNS ) Λ 4 2iOx2^X 13 - kl kl 經濟部中央標準局負工消费合作社印裝 '、發明説明(11 ) 調節機構32G乃由冷卻機構及加熱機構所構成。冷卻機構 例如,具備以蛇行裝置於載置部之上面近傍的冷媒通路 以及將冷媒循環於該冷媒通路之冷媒供給機構,並冷媒介 著冷媒供給機構而循環於冷媒通路之間,使晶圓w全面能 均等冷卻。又,加熱機構,例如,具備配設在載置部之上 面近傍的面熱絲或著以蛇行裝置在載置部之上面近傍的線 圈熱絲等,而由面熱絲或線圈熱絲,使晶圓w全面能作均 等加熱。 第2負載緊固室33,如在第4圖所示,於下部與上部之 間具有收納晶圓W之内部空間,而其下部形成為晶圓冒之 載置部。在該載置部内配設作為昇降機構之3栓昇降機33ρ ,而該3栓昇降機33F乃經由第2負載緊固室33之上部,並 介著貫通昇降桿33E之棒部材而連結於昇降機構(未圖示) 。因此,如在第4圖所示,3栓昇降機331?乃介著昇降機構 從實線位置昇降至-點虛線之位置。於上昇時(十點虛線 位置)’ 3栓昇降機33F之上端乃從載置部突出而將晶圓* 以水平掻上,於下降時(實線位置),其上端就退隱於載置 部内而將晶圓W載置在載置台上。 #在第4圖以虛線所示,在載置部内有溫度調節機構 33G配設得不與3栓昇降機33F不產生干擾,而該溫度調節 機構33G乃將載置部之上面整體調節為所定溫度。溫度調 節機構33G與上述之溫度調節機構32G同樣,係由冷卻機 構以及加熱機構所構成。 其次,參照第1圖〜第4圖說明處理裝置之動作。首先 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS χ Υ]—--------------------------- -14 - -----------A-------訂 (誚先閲讀11Γ而之注意事項再填碎本页) 經漪部中央標牟局負工消f合作社印絮 Λ7 ____ Η-7 五、發明説明(12 ) ,收容在處理裝置所應處理之所定片數的晶圓W之托架, 乃被收納在排列於處理裝置正面之4處的托架收納室50。 然後’處理裝置於控制器的控制下驅動,使第1圖上之左 端的閘閥5 1開啟,而第2搬送室40内之晶圓搬送裝置41就 t 移動至該閘閥51之前面。其次,晶圓搬送裝置41就驅動, 並介著操縱臂(處理臂)取出托架内之1片晶圓W。其後, 閘閥5 1就關閉’而晶圓搬送裝置41就接近至負載緊固機構 30之側面。與其並行,使真空排氣裝置對第1負載緊固室32 ,以不作用(不運作)之狀態下,使負載緊固狀態3〇之下側 的第1閘閥34Α開啟,並介著真空室3丨之第2開口部3 1 β, 而將第1負載緊固室32之第2出入口32Β連通於大氣壓之第 2搬送室40。 接著’晶圓搬送裝置41驅動並介著操縱臂而將晶圓w 搬送至第1負載緊固室32内之載置面中央。其;又,如在第3 圖所不’ 3栓昇降機32F乃從貪線位置上昇至1點虛線位置 ,而從晶圓搬送裝置41括上晶圓w。而後,晶圓搬送裝置 41之操縱臂就從第丨負載緊固室32後退,使第:丨閘閥34A關 閉,而第1負載緊固室32與大氣壓側之第2搬送室4〇就被遮 斷。與其並行,在第1負載緊固室32内,3栓昇降機32F下 降而使晶圓W載置在載置部上。載置部之上面介著溫度調 節機構32G而經調節為所定之溫度,乃使載置部上之晶圓 W的贩度調gp為所定溫度。另方面第!搬送室2〇及真空 室3 1乃經抽為真空而達到所定之真空度。 以第1閘閥34A關閉並第!負載緊固室32内從第2搬送 本纸‘張尺度ϋ财關家轉(CNS) (請先閱讀背而之注意事項得填寫本頁} 訂 -15- Λ7 Β·7 五、 發明説明(13 室40之大氣壓側所遮斷之狀態下,真空排氣裝置就對第2 負載緊固室32開始運作,而第1負載緊固室32内就介著給 排氣路31G被抽成真空。當第!負載緊固室32内達到所定 之真空度之後,第1負載緊固室32乃依昇降桿32在真空室31 内以保持氣密狀態(内部之真空度)而從第2圖之實線位置 上昇至1點虛線位置。由於該上昇,使第】負載緊固室32之 真空空間與第1搬送室20之真空空間相連通,並在上昇端 ,使第1負載緊固室32之第1出入口 32A與真空室31之第i 開口部31A相一致》 經漪部中央標卒局貝工消资合作社印聚 其次,第1搬送室20之晶圓搬送裝置21乃介著操縱臂 而從第1負載緊固室32取出晶圓w,並將晶圊w移載於所 定之處理室10,而處理室10乃對晶圓界施予所定之處理, 例如’成膜處理。在該處理之間,由昇降桿32E而使第i 負載緊固室32下降,並在下降端使第!出人口似從真空 至31之真空之間被遮斷,同時,第2出入口 32β與真空室η 之第2開口部3職一致。接著,介著給排氣路3ΐ(}將空氣 供給於第!負載緊固室32之内部,使第i負載緊固室32内回 復為大氣愿。然後,第lf„34A就開放,並反覆上述之 動作’使其次之晶圓W從第2搬送室4〇搬送至處理室1〇。 另方面,在處理室10完成成膜處理時,第1搬送室20 之晶圓搬送裝置2m驅動,並且,操縱臂就從處理室1〇取 出處理完成之晶mW,而移載至其次之處理㈣,例如, 其-人之處理室1〇乃進行蝕刻處理。接著,晶圓搬送裝置21 就從第1負載緊固室32將所等待之其次之晶圓靠載至空 本紙‘張尺錢财家縣(CNS ) -16- A7 Β·7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(14 間之成膜用的處理室1G,而成膜用之處理室u丨就對晶圓w 進行成膜處理。如是,晶圓W依序供給於各處理室1〇内, 而各處理室10乃各自連續進行其處理。 入對於多數之各處理室10之晶園w,當多數種之處理完 王終了時,於負載緊固機構3〇,已經抽為真空之第2負載 緊固室33就介著昇降桿33E,在真空室31内以保持氣密狀 態(内部之真空度)下降。到達下降端之時,第2負載緊固 至33之第1出入口33A乃與真空室31之第】開口部BA一致 ’使第2負載緊固室33與^搬送室2Q連通。該時,第⑽ 送室20之晶圓搬送裝置21乃與從第i負載緊固室32搬出晶 圓W之場合為同樣之高度,介著操縱臂而從處理室骑處 理完了之晶圓W移載至第2負載緊固室33内。 在第2負載緊固室33,3栓昇降機33F在上昇位置接受 晶圓W之後,3栓昇降機331;就下降並退穩於載置部内而將 圓W載置在載置部上。另方面,由於冷卻等使晶圓贾之 溫度回復為常溫,而於此期間,第2負載緊固室33就介著 昇降桿现而上昇。當到達上昇端之時,第1出入口 33A就 從真空空間被遮斷,同時,第2出入口 33B乃與真空室31 之第2開口部31B一致。接著,利用給排氣路31H使空氣供 給於第2負載緊固室33之内部’而第2負載緊固室33内就回 復為大氣壓。該時,3栓昇降機33F上昇而成為晶圓臀能引 渡之狀態。然後,第2閘閥34B開放,第2搬送室40之晶圓 搬送裝置41驅動,操縱臂乃將第2負載緊固室33内之處理 完了的晶圓W移載至托架收納室5〇内之托架的原來位置上 本紙張尺度it财關家料(CNS ) λ7^"717〇χ2"9τ7>'f~ 一 . n n I n l[ n I I I. I 丁 __---I : I n _ y ------------------- (請先閱讀背而之注意事項再填寫本I ) -17- Λ 7 --------Η7 五、發明説明(15 ) ~— 。由此’完成晶圓W之一連串的處理。 對於收納在其他托架收納室5〇内之晶靠,亦以同樣 之步驟能連續進行其所定之處理。又,晶圓w被搬入第2 負載緊固室33内之時,若不需要晶靠之溫度調整之場合 ,即將3栓昇降機33E維持為上昇位置就可以。 第5圖係表示本發明之其他實施例的處理裝置之平面 圖。本實施例之處理裝置如在第5圖所示,在^搬送室2〇a 乃比上述實施例之處理裝置,連結較多之處理室1〇A。如 在第5圊所*,由於處理室1〇A延伸至負載.緊固機構3〇a之 左右兩側面,是故,唯一之第2搬送室4〇A就配置在負載 緊固機構30A之正面。多層化之配線構造,就作更有效之 配置與作成。其以外之構成,即如上述實施例之構成。本 實施例之處理裝置,其動作範圍雖比上述實施例之場合, 稍為較大,但,其比上述實施例之場合,所增加之處理室 10A的數量,就能連續進行較多之份量的相異之處理。 本發明之效果 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 n In n n n In n I I ^ In I ^11 I T , - X 、T (請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) 如上述說明,依據本實施態樣,負載緊固機構3〇具備 真空室31以及在該真空室31内上下移動之上下二段的第1 、第2負載緊固室32,33»由於從第1搬送室2〇介著1處之 第1開口部3 1A ’以同樣之高度能搬出入晶圓w之故,可 將負載緊固機構30之動作範圍能削減為習知之大約一半, 並且,不必更換第1搬送室2〇之晶圓搬送裝置2丨的構造, 而能對第1、第2負載緊固室32,33進行晶圓之搬出入。由 於此,將本實施態樣之負載緊固機構30適用於處理裝置, 本紙張尺度適财ϋϋ^ν( CNS ) ( 21GX297;>U …. ' -18 - Λ7 ------ _ Η 7 五、發明説明(16 ) — · 一- 即,不僅能削減處理裝置本體之動作範圍,並且,更能提 南處理室10之佈置的自由性(彈性)。 - I.---^---<! (誚先間讀背而之項再填寫本頁) 又’由於第!、第2負載緊固室32, 33分別對應於真空 室31之各給排氣路31G,31H,是故,使第卜第2負載; 固室32, 33雖配設於同一真空室31内,亦能將其各自之室 内個別作給排氣。因此’能將第1、第2負載緊固室32, 33 分別區分為晶圓W之搬入專用或搬出專用而使用之。當然 ,亦能將其各自使用為搬入及搬出之兩方面。 又’由於第卜第2負載緊固室32,33,具有將晶圓w 昇降之昇降機構32F,33F之故,乃能將晶圓w之搬出入於 第1、第2負載緊固室32, 33圓滑進行。 又,由於第1、第2負載緊固室32,33,具有調節晶圓 w之溫度的溫度調節機構32G,33G,是故,纟晶靠之 搬出入時,能將晶圓W冷卻或加熱於所定之溫度。 又’本發明之負載緊固機構,其負載緊固室僅為—室 亦可以。而所處理之被處理體並不限於晶圓,以玻璃基板 等亦可以。 圖面之簡單說明 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 第1圖係表示本發明之處理裝置的—實施例之平面圖 第2圖係表示在第i圖所示之處理装置的^線截面 圖; 第3圖係表示在第丨圖及第2圖所示之下段的負載緊固 室之擴大構成圖; 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(2IOX2^>iri -19- A7 IV7 五、發明説明(17 ) 第4圖係表示在第1圖及第2圖所示之上段的負載緊固 室之擴大構成圊; 第5圖係表示本發明之處理裝置的其他實施例之平面 圖; 第6圖係表示習知之處理裝置之平面圖。 (銘先閱讀背而之注意事項#填寫本页) 經濟部中央標準局員工消费合作社印聚 本紙張尺度適用中國國家栋準(CNS ) Λ4現抬(210X297公焓) -20 - 經滴部中央樣率局貝工消费合作社印製 Λ7 1Π 五、發明説明(丨8 ) 元件標號對照 1··.處理室 31Η…第2給排氣路 2A ’ 2B ’ 2C ’ 2D…閘閥 32…第1負載緊固室 3...第1搬送室 32Α ’ 33Α···第 1 出入 口 3A,5A…晶圓搬送裝置 32Β ’ 33Β.··第 2 出入口 4·.·負載緊固室 32D,33C··.凸緣部 4A…載置台(可調整溫度) 32Ε,33Ε···昇降椁 5··.第2搬送室 32F ’ 33F_._3拴昇降機 6…托架收納室 32G ’ 33G...溫度調節機構 10,10A...處理室 33.··第2負載緊固室 20,20A.··第1搬送室 33D,32C···段部 (真空搬送室) 34A...第1閘間 30,30A…負載緊固機構 34B...第2閘閥 21,41…晶圓搬送裝置 35A,35B ’ 35C...密封部材 31…真空室(矩形狀) 36A,36B,36C··.密封部材 31A...第1開口部 40,40A...第2搬送室 31B...第2開口部 (大氣壓搬送室) 31C,31D,31E,31F··· 50...托架收納室 段部 51...閘閥 31G...第1給排氣路 (諳先閱讀背而之注意事項再填湾本頁} -- 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4ϋ( 210x2^1 -21 -
Claims (1)
- 經濟部中央棣準局負工消费合作社印製 申請專利範固 種負載緊固機構,其構成特徵在於包含有: —真空室,其更含有: -第1開口部,係配置在真空壓領域與大氣麼領域 之間,並向真空壓領域側開口; 第2開口部,係向大氣壓領域側開口而最少亦有 1對,及 ―開閉機構,係開閉各第2開口部之用; 負載緊固至’係在真空室内收容為移動可行而 最少亦有1對,其各負載緊固室具有: 第1出入σ,係能與第1開口部相連通; -第2出入口,係與所對應之第2開口部能相連通 ,及 一遮斷機構,係於第2開口部與第2出入口相達 之時,遮斷真空室内與負載緊固室内之用。 .如申請專利範圍第1項所記載之負載緊固機構,其中 第丨出入口與第2出入口乃形成在同一水平面内 .如申請專利範圍第2項所記載之負載緊固機構 =緊固室於真空室内,可作上下方向之移動 :專利範圍第3項所記載之負載緊固機構,其中 負載緊固室沒有上下兩個; 真空室在上部及下部具有2個第2開口部;及 在各第2開口部,夂 可連通。 *負載緊固室之第2出入口分 5.如申請專利範圍第1項所記載之負載緊固機構’其中 本紙張纽適用巾訂 -22-經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 給排氣機構具有’於形成在真空室之負載緊固室 =第2開口部,與第2出入口連通之時,與第1開口部相 連通之給排氣路。 如申請專利第1項所記載之負„固機構,其中, 負載緊固室具有給排氣口;及 給排氣機構具有,於形成在真空室之負載緊固室 的第2開口部,與第2 ψ入-„、由、s 丄 ㈣2出人D連敎時,與給排氣口相 連通之給排氣路。 7·如申請專利範圍第i項所記載之負載緊固機構,其中, 負載緊固室於其室内下面設有可載置被處理趙在 上下方向移動之昇降機構。 8.如申請專利範圍第!項所記載之負載緊固機構,其中, 負載緊固室於其室内下面設有可冷卻收容在室内 之被處理體的冷卻機構。 9·—種處理裝置,其構成特挺在於包含有: 一真空搬送室,係為真空壓領域; 一大氣壓搬送室,係為大氣壓領域; 一真空室’係配置在真空搬送室與大氤壓搬送室 之間’其更含有:一 口部,係向真空搬送室側開口; 一第、2開口部’係向大氣壓搬送室侧開口而最少亦 有1對;及 一開閉機構,係開閉各第2開口部之用; 一 jmi’一傳查真空室内收容為移動可行而 —-· 6. (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) ,II I — I · *11 本从張从適用中國國家揉準(CNS )八4胁(21〇><297公痊 -23- A8 B8 C8 D8 申請專利範囷 *亦有1對,並且,各負載緊固室更含有: π请先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1出入口,係與第1開口部為可連通; —第2出入口,係與所對應之第2開口部為可速通 ;及 —遮斷機構,係於第2開口部與第2出入口相連通 時遮斷真空至内與負載緊固室内之用;以及 給排氣機構’係對各負載緊固室内給排氣空氣 之用。 1〇.如申請專利範圍第9項所記載之處理裝置,其中, 第1出入口與第2出入口乃形成在同一水平面内。 申》青專利紅圍第1 〇項所記載之處理裝置,其中, 負載緊固室在真空室内可於上下方向移動β 訂 申叫專利範圍第11項所記載之處理裝置,其中, 負載緊固室在上下設置2個; 真空室在上部及下部具有2個第2開口部; 在各第2開口部,各負載緊固室之第2出入口各自 為可行連通。 經濟部中央標率局負工消費合作社印製 如申請專利範圍第’9項所記載之處理裝置,其中, 給排氣機構具有,於形成在真空室之負載緊固室 的第2開口部,與第2出入口相連通之時,與第1開口部 相連通之給排氣路。 14.如申請專利範圍第9項所記載之處理裝置,其中, 負載緊固室具有給排氣口; 給排氣機構具有,於形成在真空室之負載緊固室 私紙張U適用中國因家搞丰(CNS ) Α4ί)^ ( 210X297公釐 -24 - 、申請專利範團 A8 B8 C8. D8 的第2開口部,與第2 φ 弟2出入口相連通之時,與給排氣路 相連通之給排氣路。 15.如申請專利範圍第9項所記載之處理裝置,其中, 負載緊固室在其室内下面,設有可載置被處理體 在上下方向移動之昇降機構。 16·如申請專利範圍第9項所記載之處理裝置,其中, 負載緊固室在其室内下面,設有可冷卻收容在 内之被處理體之冷卻機構。 室 經濟部中央榡準局属工消费合作社印$L 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) Α4规格(2丨0X297公釐) -25- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
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US6440261B1 (en) * | 1999-05-25 | 2002-08-27 | Applied Materials, Inc. | Dual buffer chamber cluster tool for semiconductor wafer processing |
US6244811B1 (en) * | 1999-06-29 | 2001-06-12 | Lam Research Corporation | Atmospheric wafer transfer module with nest for wafer transport robot |
US6318945B1 (en) * | 1999-07-28 | 2001-11-20 | Brooks Automation, Inc. | Substrate processing apparatus with vertically stacked load lock and substrate transport robot |
US6364762B1 (en) | 1999-09-30 | 2002-04-02 | Lam Research Corporation | Wafer atmospheric transport module having a controlled mini-environment |
US6949143B1 (en) * | 1999-12-15 | 2005-09-27 | Applied Materials, Inc. | Dual substrate loadlock process equipment |
EP1124252A2 (en) * | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and process for processing substrates |
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KR100960773B1 (ko) * | 2000-09-15 | 2010-06-01 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 처리 장비용 더블 이중 슬롯 로드록 |
US6951804B2 (en) | 2001-02-02 | 2005-10-04 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
US6878206B2 (en) | 2001-07-16 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
US20020159864A1 (en) * | 2001-04-30 | 2002-10-31 | Applied Materials, Inc. | Triple chamber load lock |
US6918731B2 (en) | 2001-07-02 | 2005-07-19 | Brooks Automation, Incorporated | Fast swap dual substrate transport for load lock |
US6672864B2 (en) * | 2001-08-31 | 2004-01-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for processing substrates in a system having high and low pressure areas |
US7316966B2 (en) * | 2001-09-21 | 2008-01-08 | Applied Materials, Inc. | Method for transferring substrates in a load lock chamber |
US6701972B2 (en) | 2002-01-11 | 2004-03-09 | The Boc Group, Inc. | Vacuum load lock, system including vacuum load lock, and associated methods |
SG115631A1 (en) * | 2003-03-11 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection assembly, load lock and method for transferring objects |
WO2004088743A1 (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-14 | Hirata Corporation | 基板搬送システム |
US7207766B2 (en) * | 2003-10-20 | 2007-04-24 | Applied Materials, Inc. | Load lock chamber for large area substrate processing system |
US10086511B2 (en) | 2003-11-10 | 2018-10-02 | Brooks Automation, Inc. | Semiconductor manufacturing systems |
US8403613B2 (en) * | 2003-11-10 | 2013-03-26 | Brooks Automation, Inc. | Bypass thermal adjuster for vacuum semiconductor processing |
US20070269297A1 (en) * | 2003-11-10 | 2007-11-22 | Meulen Peter V D | Semiconductor wafer handling and transport |
WO2005086207A1 (de) * | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Asys Automatic Systems Gmbh & Co. Kg | Übergabeeinrichtung in handhabungs- und/oder bearbeitungszentren |
US7068230B2 (en) * | 2004-06-02 | 2006-06-27 | Research In Motion Limited | Mobile wireless communications device comprising multi-frequency band antenna and related methods |
US8206075B2 (en) * | 2004-06-02 | 2012-06-26 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for sealing a chamber |
US8648977B2 (en) | 2004-06-02 | 2014-02-11 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for providing a floating seal having an isolated sealing surface for chamber doors |
US20050269291A1 (en) * | 2004-06-04 | 2005-12-08 | Tokyo Electron Limited | Method of operating a processing system for treating a substrate |
US7497414B2 (en) * | 2004-06-14 | 2009-03-03 | Applied Materials, Inc. | Curved slit valve door with flexible coupling |
US20060273815A1 (en) * | 2005-06-06 | 2006-12-07 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with integrated prober drive |
US20070006936A1 (en) * | 2005-07-07 | 2007-01-11 | Applied Materials, Inc. | Load lock chamber with substrate temperature regulation |
US7845891B2 (en) * | 2006-01-13 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Decoupled chamber body |
US20070233313A1 (en) | 2006-03-28 | 2007-10-04 | Tokyo Electron Limited | Transfer pick, transfer device, substrate processing apparatus and transfer pick cleaning method |
US7665951B2 (en) * | 2006-06-02 | 2010-02-23 | Applied Materials, Inc. | Multiple slot load lock chamber and method of operation |
US7845618B2 (en) | 2006-06-28 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Valve door with ball coupling |
JP4635972B2 (ja) * | 2006-06-29 | 2011-02-23 | 株式会社ニコン | ロードロック装置、それを使用した方法及びウエハ接合システム |
US8124907B2 (en) * | 2006-08-04 | 2012-02-28 | Applied Materials, Inc. | Load lock chamber with decoupled slit valve door seal compartment |
JP2008075135A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 真空処理装置および大気開放方法 |
US7993457B1 (en) * | 2007-01-23 | 2011-08-09 | Novellus Systems, Inc. | Deposition sub-chamber with variable flow |
JP2008192642A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-21 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
US7946759B2 (en) * | 2007-02-16 | 2011-05-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate temperature measurement by infrared transmission |
US20080251019A1 (en) * | 2007-04-12 | 2008-10-16 | Sriram Krishnaswami | System and method for transferring a substrate into and out of a reduced volume chamber accommodating multiple substrates |
US10541157B2 (en) * | 2007-05-18 | 2020-01-21 | Brooks Automation, Inc. | Load lock fast pump vent |
KR100887161B1 (ko) * | 2007-08-03 | 2009-03-09 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 플라즈마 처리장치 |
JP4583458B2 (ja) * | 2008-01-31 | 2010-11-17 | 坂口電熱株式会社 | ロードロックチャンバー |
JP5106331B2 (ja) * | 2008-09-16 | 2012-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台の降温方法、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体および基板処理システム |
JP4920667B2 (ja) * | 2008-12-03 | 2012-04-18 | アドヴァンスド・ディスプレイ・プロセス・エンジニアリング・コーポレーション・リミテッド | 基板処理装置 |
US8393502B2 (en) * | 2010-07-22 | 2013-03-12 | Usc, L.L.C. | Seed metering gate assembly |
TWI514089B (zh) * | 2011-04-28 | 2015-12-21 | Mapper Lithography Ip Bv | 在微影系統中用於轉移基板的設備 |
CN103137509B (zh) * | 2011-12-02 | 2016-02-03 | 上海微电子装备有限公司 | 用于晶圆键合的装置及晶圆键合方法 |
JP6024372B2 (ja) * | 2012-10-12 | 2016-11-16 | Tdk株式会社 | 基板処理装置および基板処理チャンバモジュール |
JP6016584B2 (ja) | 2012-11-08 | 2016-10-26 | 東京エレクトロン株式会社 | ロードロック装置 |
US9353439B2 (en) | 2013-04-05 | 2016-05-31 | Lam Research Corporation | Cascade design showerhead for transient uniformity |
JP6454201B2 (ja) * | 2015-03-26 | 2019-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送方法及び基板処理装置 |
US10023959B2 (en) | 2015-05-26 | 2018-07-17 | Lam Research Corporation | Anti-transient showerhead |
US10082104B2 (en) | 2016-12-30 | 2018-09-25 | X Development Llc | Atmospheric storage and transfer of thermal energy |
US20180254203A1 (en) * | 2017-03-02 | 2018-09-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method to reduce particle formation on substrates in post selective etch process |
JP7210960B2 (ja) * | 2018-09-21 | 2023-01-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置及び基板搬送方法 |
KR20210014496A (ko) | 2019-07-30 | 2021-02-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조 장치 |
JP7394554B2 (ja) * | 2019-08-07 | 2023-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム |
WO2021055991A1 (en) * | 2019-09-22 | 2021-03-25 | Applied Materials, Inc. | Multi-wafer volume single transfer chamber facet |
JP7402658B2 (ja) * | 2019-11-01 | 2023-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板収容ユニット及び基板搬送装置における真空搬送ユニットのメンテナンス方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2600399B2 (ja) * | 1989-10-23 | 1997-04-16 | 富士電機株式会社 | 半導体ウエーハ処理装置 |
JPH0613361A (ja) * | 1992-06-26 | 1994-01-21 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
JP3350107B2 (ja) * | 1992-09-17 | 2002-11-25 | 株式会社日立製作所 | 枚葉式真空処理装置 |
EP0608620B1 (en) * | 1993-01-28 | 1996-08-14 | Applied Materials, Inc. | Vacuum Processing apparatus having improved throughput |
JP3335831B2 (ja) * | 1996-01-29 | 2002-10-21 | 株式会社日立製作所 | 真空処理装置 |
US6048154A (en) * | 1996-10-02 | 2000-04-11 | Applied Materials, Inc. | High vacuum dual stage load lock and method for loading and unloading wafers using a high vacuum dual stage load lock |
US5909994A (en) | 1996-11-18 | 1999-06-08 | Applied Materials, Inc. | Vertical dual loadlock chamber |
US6059507A (en) * | 1997-04-21 | 2000-05-09 | Brooks Automation, Inc. | Substrate processing apparatus with small batch load lock |
US6079928A (en) * | 1997-08-08 | 2000-06-27 | Brooks Automation, Inc. | Dual plate gas assisted heater module |
US6270582B1 (en) * | 1997-12-15 | 2001-08-07 | Applied Materials, Inc | Single wafer load lock chamber for pre-processing and post-processing wafers in a vacuum processing system |
-
1997
- 1997-09-10 JP JP26267997A patent/JP4048387B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-09-09 TW TW087114995A patent/TW396386B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-09-10 US US09/508,269 patent/US6338626B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-10 KR KR10-2000-7002506A patent/KR100487666B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-09-10 WO PCT/JP1998/004084 patent/WO1999013504A1/ja active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20010023831A (ko) | 2001-03-26 |
KR100487666B1 (ko) | 2005-05-03 |
JP4048387B2 (ja) | 2008-02-20 |
US6338626B1 (en) | 2002-01-15 |
JPH1187467A (ja) | 1999-03-30 |
WO1999013504A1 (fr) | 1999-03-18 |
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