KR20210014496A - 반도체 제조 장치 - Google Patents

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곽노성
김성연
김형준
박해중
선종우
오상록
한일영
홍정표
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Abstract

본 발명의 반도체 제조 장치는 복수개의 기판들이 탑재된 기판 컨테이너가 위치한 로드 포트를 포함하는 로드 모듈; 상기 로드 모듈의 일측에 위치하여 상기 기판 컨테이너와 직접적으로 연결됨과 아울러 대기압과 진공압을 혼용하는 로드락 챔버, 및 상기 로드락 챔버 내에 위치한 제1 이송 로봇, 및 상기 로드락 챔버 내에 상기 기판이 탑재될 수 있는 기판 스테이지를 포함하는 로드락 모듈; 상기 로드락 챔버와 연결된 이송 챔버, 상기 이송 챔버 내에 위치한 제2 이송 로봇, 및 상기 이송 챔버 내에 위치하는 기판 얼라이너를 포함하는 이송 모듈; 및 상기 이송 모듈과 연결된 공정 챔버를 포함하는 공정 모듈을 구비한다.

Description

반도체 제조 장치{semiconductor manufacturing apparatus}
본 발명의 기술적 사상은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 풋프린트(footprint)를 줄임과 아울러 기판 오염도 줄일 수 있는 반도체 제조 장치에 관한 것이다.
하나의 반도체 제조 장치가 반도체 제조 공장의 내부에 차지하는 공간, 즉 풋프린트(footprint)를 줄어야 반도체 소자를 많이 생산할 수 있어 생산 단가를 낮출 수 있다. 아울러서, 반도체 제조 장치를 이용하여 반도체 소자를 제조할 때 기판, 즉 웨이퍼의 오염을 줄여야 공정 수율(process yield)을 높일 수 있어 반도체 소자의 생산 단가를 낮출 수 있다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는 풋프린트(footprint)를 줄임과 아울러 기판 오염도 줄일 수 있는 반도체 제조 장치를 제공하는 데 있다.
상술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 기술적 사상의 반도체 제조 장치는 복수개의 기판들이 탑재된 기판 컨테이너가 위치한 로드 포트를 포함하는 로드 모듈; 상기 로드 모듈의 일측에 위치하여 상기 기판 컨테이너와 직접적으로 연결됨과 아울러 대기압과 진공압을 혼용하는 로드락 챔버, 및 상기 로드락 챔버 내에 위치한 제1 이송 로봇, 및 상기 로드락 챔버 내에 상기 기판이 탑재될 수 있는 기판 스테이지를 포함하는 로드락 모듈; 상기 로드락 챔버와 연결된 이송 챔버, 상기 이송 챔버 내에 위치한 제2 이송 로봇, 및 상기 이송 챔버 내에 위치하는 기판 얼라이너를 포함하는 이송 모듈; 및 상기 이송 모듈과 연결된 공정 챔버를 포함하는 공정 모듈을 구비한다.
본 발명의 기술적 사상의 반도체 제조 장치는 복수개의 기판들이 탑재된 기판 컨테이너가 위치한 로드 포트를 포함하는 로드 모듈; 상기 로드 모듈의 일측에 위치하여 상기 기판 컨테이너와 직접적으로 연결되는 아이솔레이션 챔버를 포함하는 아이솔레이션 모듈; 상기 아이솔레이션 챔버와 연결되는 로드락 챔버, 상기 로드락 챔버 내에 위치한 제1 이송 로봇, 및 상기 로드락 챔버 내에 상기 기판이 탑재될 수 있는 기판 스테이지를 포함하는 로드락 모듈; 상기 로드락 챔버와 연결된 이송 챔버, 및 상기 이송 챔버 내에 위치한 제2 이송 로봇을 포함하는 이송 모듈; 및 상기 이송 모듈과 연결된 공정 챔버를 포함하는 공정 모듈을 구비한다.
본 발명의 기술적 사상의 반도체 제조 장치는 기판 컨테이너 이송 시스템으로 이송되고 일측에 도어를 가지는 기판 컨테이너가 안착되는 로드 포트를 포함하고, 상기 기판 컨테이너 내부로 퍼지 가스를 공급하는 퍼지 가스 공급부가 연결된 로드 모듈; 상기 로드 모듈의 일측에 위치하고 상기 기판 컨테이너의 도어에 대응하게 기판 유출입구, 및 상기 기판 유출입구의 반대측에 설치된 기판 유출입 도어를 가지는 아이솔레이션 챔버와, 상기 아이솔레이션 챔버 내에 상기 기판 컨테이너의 도어를 열고 닫을 수 있게 설치된 도어 잠금 장치를 포함하는 아이솔레이션 모듈; 상기 아이솔레이션 챔버와 연결되는 로드락 챔버, 상기 로드락 챔버 내에 위치한 제1 이송 로봇, 및 상기 로드락 챔버 내에 상기 기판이 탑재될 수 있는 기판 스테이지를 포함하는 로드락 모듈; 상기 로드락 챔버와 연결된 이송 챔버, 및 상기 이송 챔버 내에 위치한 제2 이송 로봇을 포함하는 이송 모듈; 및 상기 이송 모듈과 연결된 공정 챔버를 포함하는 공정 모듈을 구비한다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 제조 장치에 의하면, 기판 컨테이너가 위치하는 로드 모듈(load module)을 로드락 모듈(loadlock module)에 직접 연결하여 반도체 제조 장치의 풋프린트를 크게 감소시킬 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 제조 장치에 의하면, 기판 컨테이너가 위치하는 로드 모듈이나 아이솔레이션 모듈에 퍼지 가스를 공급하여 기판의 오염을 줄일 수 있다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 개략적으로 보여주는 레이아웃도(layout)이다.
도 2는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 개략적으로 보여주는 레이아웃도(layout)이다.
도 3은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 개략적으로 보여주는 레이아웃도(layout)이다.
도 4는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 반도체 제조 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 기술적 사상의 반도체 제조 장치에 이용될 수 있는 이송 로봇들의 실시예를 설명하기 위하여 도시한 도면들이다.
도 6은 본 발명의 기술적 사상의 반도체 제조 장치에 이용될 수 있는 기판 컨테이너를 설명하기 위하여 도시한 사시도이다.
도 7은 본 발명의 기술적 사상의 반도체 제조 장치의 로드 포트, 도어 홀더 및 아이솔레이션 챔버를 설명하기 위하여 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 기술적 사상의 반도체 제조 장치의 로드 포트 상의 기판 컨테이너와 아이솔레이션 챔버 사이의 결합 관계를 설명하기 위한 사시도이다.
도 9는 본 발명의 기술적 사상의 반도체 제조 장치에 이용될 수 있는 도어 홀더를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명의 기술적 사상의 반도체 제조 장치에 이용될 수 있는 기판 얼라이너를 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 기술적 사상의 반도체 제조 장치의 기판 컨테이너 및 아이솔레이션 챔버 간의 결합 관계 및 퍼지 가스의 공급을 설명하기 위한 단면도이다.
도 12는 본 발명의 기술적 사상의 반도체 제조 장치의 기판 컨테이너, 아이솔레이션 챔버 및 로드락 챔버에 공급되는 퍼지 가스의 흐름도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 기술적 사상의 실시예들에 대해 상세히 설명한다. 도면 상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고, 이들에 대한 중복된 설명은 생략한다.
반도체 소자는 기판(substrate) 상에 여러 가지 물질을 박막 형태로 증착한 후 박막을 패터닝하여 제조될 수 있다. 기판은 웨이퍼(wafer)라고 칭할 수 있다. 반도체 소자의 제조를 위하여 증착 공정, 식각 공정, 세정 공정 및 건조 공정 등 여러 단계의 제조 공정들이 요구된다. 각각의 제조 공정에서 기판은 최적의 조건을 제공하는 공정 챔버(process chamber)에 장착되어 처리될 수 있다.
반도체 소자의 미세화, 고집적화 및 생산성 향상 관점에서, 제조 공정이 고정밀도화, 복잡화 및 기판의 대구경화가 요구되고 있다. 아울러서, 반도체 소자 제조 장치는 제조 공정을 일괄 처리할 수 있도록 복수개의 챔버들을 구비하는 멀티 챔버 방식이 이용되고 있다. 이하에서 설명하는 본 발명의 기술적 사상의 반도체 제조 장치는 멀티 챔버를 구비하는 것이면 증착 공정, 식각 공정, 세정 공정 및 건조 공정 등 어디에도 이용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 개략적으로 보여주는 레이아웃도(layout)이다.
구체적으로, 도 1은 반도체 제조 장치(1)의 플랫폼(platform)을 도시한 도면일 수 있다. 도 1의 반도체 제조 장치(1)는 이송 챔버(500)의 양측에 복수개의 공정 챔버들(700)이 직렬로 배치되는 인라인 플랫폼(inline platform) 구조일 수 있다.
반도체 제조 장치(1)는 로드 모듈(10, load module), 로드락 모듈(30, loadlock module), 이송 모듈(50, transfer module), 및 공정 모듈(70, process module)을 포함할 수 있다. 반도체 제조 장치(1)는 로드 모듈(10), 이송 모듈(50), 및 이송 모듈(50) 주위에 마련된 로드락 모듈(30) 및 공정 모듈(70)을 포함하는 멀티 챔버 방식의 기판 처리 장치(또는 기판 처리 시스템)일 수 있다.
이하에서 모듈(module)은 복수개의 구성 요소들 또는 구성 부품들을 포함하는 것을 설명하기 위한 것이다. 로드 모듈(10), 로드락 모듈(30), 이송 모듈(50), 및 공정 모듈(70)은 각각 로드부, 로드락부, 이송부, 및 공정부로 명명될 수 있다.
로드 모듈(10) 및 로드락 모듈(30)은 반도체 제조 공장의 내부에서 평면적으로 동일 열, 예컨대 제1 열(1R)에 위치할 수 있다. 이송 모듈(50) 및 공정 모듈(70)은 반도체 제조 공장의 내부에서 평면적으로 로드 모듈(10) 및 로드락 모듈(30)이 위치하는 열과는 다른 열, 예컨대 제2 열(2R) 내지 4열에 위치할 수 있다.
로드 모듈(10)은 복수개, 예컨대 2개의 로드 모듈들을 포함할 수 있다. 로드락 모듈(30)은 복수개, 예컨대 2개의 로드락 모듈들을 포함할 수 있다. 공정 모듈(70)은 반도체 제조 공장의 내부에서 평면적으로 열 및 행 방향에 각각 위치하는 열 공정 모듈들 및 행 공정 모듈들을 포함할 수 있다.
열 공정 모듈들은 제2 열(2R), 제3 열(3R) 및 제4 열(4R)에 위치하는 공정 모듈들(70)일 수 있다. 행 공정 모듈들은 제1 행(1C) 및 제3 행(3C)에 위치하는 공정 모듈들(70)일 수 있다. 이송 모듈(50)은 반도체 제조 공장의 내부에서 평면적으로 행 공정 모듈들 사이, 즉 제2 행(2C)에 위치할 수 있다.
로드 모듈(10)은 복수개의 기판들(102)이 탑재된 기판 컨테이너(100)가 위치한 로드 포트(200, load port)를 포함할 수 있다. 도 1에서, 로드 모듈(10)을 2개 도시하였으나 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다.
기판 컨테이너(100)는 기판 캐리어(substrate carrier) 또는 웨이퍼 캐리어(wafer carrier)라고 명명될 수 있다. 기판 컨테이너(100)는 웨이퍼와 같은 기판(102)을 수납하는 용기로써, 기판의 이송 중에 대기중의 이물질이나 화학적인 오염으로부터 기판(102)이 오염되는 것을 방지하기 위하여 밀폐형의 전면 개방 일체식 포드(front open unified pod, FOUP)가 이용될 수 있다. 기판 컨테이너(100)는 기판(102)이 반입 또는 반출되는 개구를 개폐하도록 기판 컨테이너(60)의 몸체(도 6의 120)에 탈착 가능하게 장착된 도어(도 6의 140)를 포함할 수 있다.
기판 컨테이너(100)는 화살표로 표시한 바와 같이 기판 컨테이너 이송 시스템(OHTS)을 이용하여 로드 포트(200)로 이송될 수 있다. 기판 컨테이너 이송 시스템(OHTS)은 반도체 제조 공장 내에서 반도체 제조 장치(1)의 상부 및 작업자의 머리 위에서 기판 컨테이너(100)를 이송하는 오버헤드 호이스트 트랜스포트 시스템(Overhead Hoist Transport System)일 수 있다. 기판 컨테이너 이송 시스템(OHTS)은 작업자의 개입 없이 반도체 제조 공장의 천장에 설치된 레일을 따라 기판 컨테이너(100)를 반도체 제조 장치(1)로 이송하는 시스템일 수 있다.
기판 컨테이너(100)는 기판(102)에 대한 반도체 제조 공정이 진행되는 동안 로드 포트(200)에서 대기할 수 있다. 기판 컨테이너(100)는 반도체 제조 공정이 완료된 기판(102)이 수납(탑재)된 후 로드 포트(200)로부터 이송될 수 있다.
기판 컨테이너(100)에는 퍼지 가스, 예컨대 질소 가스를 공급하여 제조 공정 전의 기판(102)의 오염을 방지하거나, 반도체 제조 공정이 완료된 기판(102)으로부터 방출된 가스(gas)를 제거하여 제조 공정 후의 기판(102)의 오염을 방지할 수 있다.
기판 컨테이너(100)가 위치하는 로드 모듈(10)의 일측에 로드락 모듈(30)이 직접적으로 연결되어 있다. 기판 컨테이너(100)가 위치하는 로드 모듈(10)은 로드락 모듈(30)과 밀폐성이 좋게 연결될 수 있다. 반도체 제조 장치(1)는 로드 모듈(10)의 일측에 로드락 모듈(30)이 직접적으로 연결하여 반도체 제조 공장 내에서 차지하는 공간, 즉 풋프린트를 크게 감소시킬 수 있다.
더하여, 본 발명의 반도체 제조 장치(1)는 높은 청정도를 유지하는 설비 전방 단부 모듈(equipment front end module, EFEM)이 포함되지 않아 반도체 제조 장치(1)가 반도체 제조 공장 내에서 차지하는 공간, 즉 풋프린트를 크게 줄일 수 있다.
로드락 모듈(30)은 제1 이송 로봇(304, TR1a, TR1b) 및 기판 스테이지(306, WS1a, WS1b)를 수용하는 내부 공간(302)을 가지는 로드락 챔버(300)를 포함할 수 있다. 도 1에서 로드락 모듈(30)을 두 개 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 로드락 챔버(300)는 반도체 제조 공장의 외기와 차단되어 있을 수 있다. 로드락 챔버(300)에는 기판(102)의 오염을 방지하게 퍼지 가스를 공급할 수 있다.
기판 컨테이너(100)에 탑재된 기판(102)은 화살표로 표시한 바와 같이 제1 이송 로봇(304)을 이용하여 로드락 챔버(300)의 기판 스테이지(306)로 로딩될 수 있다. 기판 컨테이너(100)에 탑재된 기판(102)은 로드락 챔버(300)로 이송되기 때문에 기판 스테이지(306)는 반도체 제조 장치(1)에서 필요한 구성 요소일 수 있다. 아울러서, 공정 챔버(700)로부터 제조 공정이 완료된 기판(102)도 로드락 챔버(300)로 이송되기 때문에 기판 스테이지(306)는 반도체 제조 장치(1)에서 필요한 구성 요소일 수 있다.
기판 스테이지(306)는 반도체 제조 공정의 수행 전 또는 반도체 제조 공정이 완료된 기판(102)을 수용할 수 있다. 기판 스테이지(306)는 반도체 제조 공정의 수행 전 또는 반도체 제조 공정이 완료된 기판(102)이 대기하는 곳일 수 있다.
일 실시예에서, 제1 이송 로봇(304)은 복수개의 기판들(102)을 이송할 수 있는 복수개의 로봇 핸드들을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 이송 로봇(304)은 하나의 기판(102)을 이송할 수 있는 하나의 로봇 핸드를 포함할 수도 있다.
로드락 모듈(30)은 로드락 챔버(300)의 내부 압력을 조절할 수 있다. 로드락 모듈(30)은 대기압과 진공압 사이에서 로드락 챔버(300)의 내부 압력을 조절할 수 있다. 로드락 모듈(30)은 로드 포트(200)의 기판 컨테이너(100)에서 기판(102)을 로드락 챔버(300)로 이송할 때 로드락 챔버(300)의 내부 압력을 외부의 압력과 균형을 이루도록 대기압으로 조절할 수 있다.
이에 따라, 반도체 제조 장치(1)는 반도체 제조 공장의 외기가 로드락 챔버(300)의 내부 공간(302)으로 유입되는 것을 방지할 수 있다. 더하여, 로드락 모듈(30)은 로드락 챔버(300)에 수용된 기판(102)이 이송 챔버(500)로 이송될 때, 로드락 모듈(30)은 로드락 챔버(300) 내의 압력을 진공압으로 조절될 수 있다.
로드락 모듈(30)과 이송 모듈(50) 사이에는 통로를 개폐하여 기판의 유출입을 제한하는 유출입 도어(308)가 설치되며, 유출입 도어(308)는 로드락 챔버(300)의 내부와 이송 모듈(50)의 이송 챔버(500)의 내부를 연결하거나 또는 분리할 수 있다. 로드락 모듈(30)은 유출입 도어(308)가 개방되기 전에, 로드락 챔버(300) 내의 압력을 진공압으로 조절할 수 있다.
로드락 챔버(300)의 내부 압력은 이송 모듈(50)의 이송 챔버(500)의 진공압에 근접한 압력을 가지도록 조절될 수 있다. 로드락 챔버(300)의 내부 압력이 이송 챔버(500)의 내부 압력에 근접하도록 조절되므로, 유출입 도어(308)의 개방에 따라 이송 챔버(500)의 압력 상태가 변하는 것을 방지할 수 있다.
이송 모듈(50)은 내부(502)가 진공 분위기를 가지는 이송 챔버(500)와, 이송 챔버(500) 내에 마련되어 기판(102)을 이송하는 제2 이송 로봇(504, TR2)을 포함할 수 있다. 도 1에서 제2 이송 로봇(504)은 하나 도시하였으나, 복수개, 예컨대 2개의 공정 챔버(700)에 하나의 이송 로봇을 설치할 수 있다. 제2 이송 로봇(504)은 이송 모듈(50)과 로드락 모듈(30) 사이의 유출입 도어(308)가 개방되었을 때, 제2 이송 로봇(504)이 기판 스테이지(306)로부터 기판(102)을 반출하거나 기판 스테이지(306)로 기판(102)을 반입할 수 있다.
이송 챔버(500)에는 기판 얼라이너(506, substrate aligner)가 설치될 수 있다. 기판 얼라이너(506)는 기판(102)이 공정 챔버(700)로 이송되기 전에 기판(102)의 위치나 방향을 얼라인시킬 수 있다.
이송 챔버(500)의 면적 내지 공간이 로드락 챔버(300)보다 넓어 기판 얼라이너(506)는 이송 챔버(500) 내에 설치될 수 있다. 아울러서, 공정 챔버(700)에서 제조 공정이 완료된 기판(102)은 기판 얼라이너(506)를 거치지 않고 로드락 챔버(300)의 기판 스테이지(306)로 이송될 수 있다.
이송 모듈(50)은 로드락 모듈(30) 내의 기판 스테이지(306) 및 공정 모듈(70) 사이에서 기판(102)의 이송을 담당할 수 있다. 이송 모듈(50)은 진공 분위기에서 기판(102)의 이송을 수행하는 진공 이송 모듈(vacuum transfer module)일 수 있다.
공정 모듈(70)은 기판에 대한 반도체 제조 공정을 수행할 수 있다. 공정 모듈(70)과 이송 모듈(50) 사이에는 통로를 개폐하여 기판의 유출입을 제한하는 유출입 도어(518)가 설치될 수 있다. 공정 모듈(70)은 이송 모듈(50)의 일 측벽에 배치된 복수의 공정 챔버들(700, PM1-PM6)을 포함할 수 있다. 공정 챔버(700)는 진공압 하에서 반도체 제조 공정이 수행될 수 있다.
공정 모듈(70)은 공정 챔버(700)의 내부 공간(702), 기판(102)이 위치하는 스테이션(704), 및 공정 챔버(700)의 주위의 서비스 공간(706)을 포함할 수 있다. 로드 모듈(10)은 행 방향으로 공정 챔버(700)의 서비스 공간(706)에 대응되게 위치함으로써 반도체 제조 장치의 풋프린트를 감소시킬 수 있다. 공정 모듈(70)은 식각 설비, 예컨대 건식 식각(dry etch) 설비(또는 장치), 증착 설비, 예컨대 화학 기상 증착(chemical vapor deposition) 설비, 열확산로(thermal furnace), 현상(developing) 설비 또는 세정(cleaning) 설비일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
반도체 제조 장치(1)는 로드 모듈(10), 로드락 모듈(30), 이송 모듈(50), 공정 모듈(70)의 동작을 제어하기 위한 제어부(미도시)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제어부는 일반 PC(Personal Computer), 워크스테이션(workstation), 슈퍼컴퓨터 등으로 구성될 수 있다.
이상과 같은 본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 제조 장치(1)는 기판 컨테이너(100)가 위치하는 로드 모듈(load module, 10)을 로드락 모듈(30)에 직접 연결하여 반도체 제조 장치(1)의 풋프린트를 크게 감소시킬 수 있다.
아울러서, 본 발명의 반도체 제조 장치(1)는 행 방향으로 공정 모듈(70)의 서비스 공간(706)에 대응되게 로드 모듈(10)을 위치하여 풋프린트를 크게 감소시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 제조 장치(1)는 기판 컨테이너(100)가 위치하는 로드 모듈(10)에 퍼지 가스를 공급하여 기판(102)의 오염을 줄일 수 있다.
도 2는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 개략적으로 보여주는 레이아웃도(layout)이다.
구체적으로, 도 2의 반도체 제조 장치(3)는 도 1의 반도체 제조 장치(1)와 비교할 때 로드 모듈(10)과 로드락 모듈(30) 사이에 아이솔레이션 모듈(isolation module)을 더 포함하는 것을 제외하고는 동일할 수 있다. 아이솔레이션 모듈(25)은 분리 모듈, 분리부, 또는 아이솔레이션부 등으로 칭할 수 있다. 도 2에서, 도 1과 동일한 참조번호는 동일한 부재를 나타낸다. 도 2에서 도 1과 동일한 내용은 간단히 설명하거나 생략한다.
반도체 제조 장치(3)는 로드 모듈(10), 아이솔레이션 모듈(25), 로드락 모듈(30), 이송 모듈(50), 및 공정 모듈(70)을 포함할 수 있다. 아이솔레이션 모듈(25)은 로드 모듈(10)의 일측에 위치하여 기판 컨테이너(100)와 직접적으로 연결되는 아이솔레이션 챔버(250)를 포함할 수 있다. 아이솔레이션 챔버(250)는 로드락 모듈(30)의 로드락 챔버(300)와 연결될 수 있다.
아이솔레이션 챔버(250)는 기판 컨테이너(100)와 로드락 챔버(300) 사이에 위치할 수 있다. 아이솔레이션 챔버(250)는 기판 컨테이너(100)와 로드락 챔버(300) 사이에 위치하여 기판 컨테이너(100)와 로드락 챔버(300)를 밀폐시킬 수 있다. 아이솔레이션 챔버(250)는 반도체 제조 공장 내에서 로드락 챔버(300)를 외기에 노출되지 않게 하여 기판(102)의 오염을 방지할 수 있다. 아이솔레이션 챔버(250)는 후에 설명하는 바와 같이 반도체 소자 제조 공정 동안에 퍼지 가스를 공급하여 기판(102)의 오염을 방지할 수 있다.
도 3은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 개략적으로 보여주는 레이아웃도(layout)이다.
구체적으로, 도 3의 반도체 제조 장치(5)는 도 1 및 도 2의 반도체 제조 장치(1, 3)와 비교할 때 로드락 챔버(300)에 제2 기판 얼라이너(310, AL1a, AL1b)를 위치시키고, 이송 챔버(500)에 제2 기판 스테이지(324, WS2)를 더 포함하는 것을 제외하고는 동일할 수 있다. 도 3에서, 도 1 및 도 2와 동일한 참조번호는 동일한 부재를 나타낸다. 도 3에서 도 1 및 도 2와 동일한 내용은 간단히 설명하거나 생략한다.
반도체 제조 장치(3)는 로드 모듈(10), 아이솔레이션 모듈(25), 로드락 모듈(30), 이송 모듈(50), 및 공정 모듈(70)을 포함할 수 있다. 필요에 따라서, 로드락 모듈(30)의 로드락 챔버(300)에 제2 기판 얼라이너(310, AL1a, AL1b)를 위치시킨다.
제2 기판 얼라이너(310)는 이송 챔버(500)로 기판(102)으로 이송하기 전에 기판(102)의 위치나 방향을 얼라인할 수 있다. 아울러서, 필요에 따라서 로드락 챔버(300)으로부터 기판 컨테이너(100)로 이송하기 전에 기판(102)의 위치나 방향을 얼라인할 수 있다.
이송 챔버(500)의 내부에 제2 기판 스테이지(324)가 설치될 수 있다. 제2 기판 스테이지(324)는 공정 챔버(700)로 기판(102)이 이송되기 전 또는 로드락 챔버(300)로 기판(102)이 이송되기 전에 위치시킬 수 있다.
이상과 같은 반도체 제조 장치(5)는 로드 모듈(10)로부터 공정 모듈(70)까지의 기판(102)의 이송이나 공정 모듈(70)로부터 로드 모듈(10)까지의 기판(102)의 이송을 다양하게 신뢰성 있게 수행할 수 있다.
도 4는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 반도체 제조 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
구체적으로, 도 4는 아이솔레이션 모듈(25)을 포함하는 도 2의 반도체 제조 장치(3)를 설명하기 위한 단면도일 수 있다. 반도체 제조 장치(3)는 일측에 로드 모듈(10)이 위치할 수 있다. 로드 모듈(10)을 구성하는 로드 포트(200) 상에 기판 컨테이너(100)가 위치할 수 있다.
기판 컨테이너(100)에는 복수개의 기판(102)이 탑재될 수 있다. 기판 컨테이너(100)는 도어(140)가 포함되어 앞서 설명한 바와 같이 기판 컨테이너 이송 시스템(OHTS)에 의해 기판 컨테이너(100)를 이송할 때 기판(102)의 오염을 방지할 수 있다.
로드 포트(200)에 위치하는 기판 컨테이너(100)는 구동부(278)와 연결되어 있다. 이에 따라, 기판 컨테이너(100)는 Y축 방향으로 이동하여 아이솔레이션 챔버(250) 방향으로 이동할 수 있다. 기판 컨테이너(100)는 회전하여 도어(140)가 아이솔레이션 챔버(250) 방향으로 위치하게 할 수 있다.
로드 모듈(10)의 일측에 아이솔레이션 챔버(250)를 포함하는 아이솔레이션 모듈(25)이 위치할 수 있다. 아이솔레이션 챔버(250)는 내부 공간(252)을 구비할 수 있다. 아이솔레이션 챔버(250)는 기판 컨테이너(100)의 도어(140)를 열고 닫을 수 있는 도어 잠금 장치(264, 270)가 설치될 수 있다. 도어 잠금 장치(264, 270)는 도어 홀더(264) 및 도어 홀더(264)에 연결된 구동 수단(270)을 포함할 수 있다.
도어 홀더(264)는 기판 컨테이너(100)의 도어(140)에 부착하여 도어를 열고 닫을 수 있다. 도어 홀더(264)는 상하 방향, 즉 Z 축 방향으로 이동할 수 있다. 구동 수단(270)은 도어 홀더(264)에 연결된 암(266, arm) 및 구동부(268), 예컨대 구동 모터를 포함할 수 있다.
아이솔레이션 챔버(250)는 기판 컨테이너의 도어(140)에 대응하게 유출입구(272), 및 로드락 챔버 방향으로 유출입구(272)의 반대측에 설치된 유출입 도어(262)를 포함할 수 있다. 아이솔레이션 모듈(25)은 아이솔레이션 챔버(250)의 내부(252)에 퍼지 가스, 예컨대 질소 가스를 공급하는 퍼지 가스 공급부(256) 및 아이솔레이션 챔버(250)의 내부에 공급된 퍼지 가스를 배기하는 퍼지 가스 배기부(260)가 설치될 수 있다.
퍼지 가스 공급부(256) 및 퍼지 가스 배기부(260)는 각각 아이솔레이션 챔버(250)의 상부 및 하부에 설치된 가스 공급홀(254) 및 가스 배기홀(258)을 통하여 퍼지 가스를 공급하거나 배기할 수 있다. 아이솔레이션 챔버(250)에 퍼지 가스를 공급함으로써 반도체 소자 제조 공정 동안에 기판(102)의 오염을 방지할 수 있다.
아이솔레이션 모듈(25)의 일측에는 로드락 모듈(30)이 위치할 수 있다. 로드락 모듈(30)은 로드락 챔버(300)를 포함할 수 있다. 아이솔레이션 챔버(250)에 설치된 유출입 도어(262)는 로드락 챔버(300)의 내부 공간(302)을 외부와 단절시킬 수 있다.
로드락 챔버(300)에는 내부 공간(302)에 제1 이송 로봇(304) 및 기판 스테이지(306)가 위치할 수 있다. 제1 이송 로봇(304)은 복수개의 로봇 핸드들(312), 지지부(314), 로봇암(316) 및 회전축(318)을 포함할 수 있다. 제1 이송 로봇(304)은 상하, 즉 Z 축 방향이나 회전 방향, 즉 X축이나 Y축 방향으로 이동될 수 있다.
로드락 챔버(300)에는 복수개의 기판(102)를 탑재할 수 있는 기판 스테이지(306)가 위치할 수 있다. 기판 스테이지(306)는 기판 스테이션(320) 및 회전축(322)를 포함할 수 있다. 기판 스테이지(306)는 상하, 즉 Z 축 방향이나 회전 방향, 즉 X축이나 Y축 방향으로 이동될 수 있다.
제1 이송 로봇(304)은 복수개의 로봇 핸드들(312)을 포함하여 기판 컨테이너(100)에 포함된 복수개의 기판(102)를 아이솔레이션 챔버(250)를 거쳐 로드락 챔버(300)의 기판 스테이지(306)로 이송할 수 있다. 아울러서, 제1 이송 로봇(304)은 복수개의 로봇 핸드들(312)을 포함하여 기판 스테이지(306)에 포함된 복수개의 기판(102)을 아이솔레이션 챔버(250)를 거쳐 기판 컨테이너(100)로 이송할 수 있다.
로드락 모듈(30)의 일측에는 이송 모듈(50)이 위치할 수 있다. 로드락 모듈(30)과 이송 모듈(50) 사이에는 통로를 개폐하여 기판의 유출입을 제한하는 유출입 도어(308)가 설치될 수 있다. 이송 모듈(50)을 구성하는 이송 챔버(500)의 내부 공간(302)에 기판 얼라이너(506)가 설치될 수 있다. 기판 얼라이너(506)는 회전축(516) 및 기판 스테이션(514)을 포함할 수 있다. 기판 얼라이너(506)는 상하, 즉 Z 축 방향이나, 회전 방향, 즉 X축이나 Y축 방향으로 이동될 수 있다.
이송 챔버(500)의 내부 공간(302)에 제2 이송 로봇(504)이 위치할 수 있다. 제2 이송 로봇(504)은 하나의 로봇 핸드들(508), 로봇암(510) 및 회전축(512)을 포함할 수 있다. 제2 이송 로봇(504)는 상하, 즉 Z 축 방향이나 회전 방향, 즉 X축이나 Y축 방향으로 이동될 수 있다. 제2 이송 로봇(504)은 이송 모듈(50)과 로드락 모듈(30) 사이의 유출입 도어(308)가 개방되었을 때, 제2 이송 로봇(504)이 기판 스테이지(306)로부터 기판(102)을 반출하거나 기판 스테이지(306)로 기판(102)을 반입할 수 있다.
이송 모듈(50)의 일측에는 공정 모듈(70)이 위치할 수 있다. 공정 모듈(70)은 공정 챔버(700)를 포함할 수 있다. 이송 챔버(500)와 공정 챔버(700) 사이에는 통로를 개폐하여 기판(102)의 유출입을 제한하는 유출입 도어(518)가 설치될 수 있다. 유출입 도어(518)를 통하여 유입된 기판(102)은 공정 챔버(700)의 내부 공간(702)에서 반도체 제조 공정이 수행될 수 있다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 기술적 사상의 반도체 제조 장치에 이용될 수 있는 이송 로봇들의 실시예를 설명하기 위하여 도시한 도면들이다.
구체적으로, 도 5a에 도시한 이송 로봇(410)은 도 1 내지 도 3의 반도체 제조 장치(1, 3, 5)의 제1 이송 로봇(304)에 이용될 수 있다. 이송 로봇(410)은 기판(WA)이 위치하는 로봇 핸드(RH1), 회전축(CX1), 수평 레일(HL1), 수직 레일(VL1) 및 로봇암(AR1)을 포함할 수 있다. 회전축(CX1)은 지지축이라 명명할 수 있다.
로봇 핸드(RH1)는 복수개 구비하여 복수개의 기판(WA)을 이송할 수 있다. 기판(WA)은 도 1 내지 도 3의 기판(102)에 해당할 수 있다. 회전축(CX1)은 로봇암(AR1)에 연결되고 수평 레일(HL1) 및 수직 레일(VL1) 상에 연결될 수 있다. 이에 따라, 이송 로봇(410)은 수평 레일(HL1)을 따라 전후 방향(또는 좌우 방향) 및 수직 레일(VL1)을 따라 상하 방향으로 이동할 수 있다. 이송 로봇(410)은 회전축(CX1)이 회전함에 따라 회전 방향으로 회전할 수 있다.
도 5b에 도시한 이송 로봇(420)은 도 1 내지 도 3의 반도체 제조 장치(1, 3, 5)의 제2 이송 로봇(504)에 이용될 수 있다. 이송 로봇(420)은 기판(WA)이 위치하는 로봇 핸드(RH2), 회전축(CX2), 수평 레일(HL2), 및 로봇암(AR2)을 포함할 수 있다. 회전축(CX2)은 지지축이라 명명할 수 있다.
로봇 핸드(RH2)는 하나 구비하여 하나의 기판(WA)을 이송할 수 있다. 기판(WA)은 도 1 내지 도 3의 기판(102)에 해당할 수 있다. 회전축(CX2)은 로봇암(AR2)에 연결되고 수평 레일(HL2) 상에 연결될 수 있다. 이에 따라, 이송 로봇(420)은 수평 레일(HL2)을 따라 좌우 방향(또는 전후 방향)을 따라 이동할 수 있다. 이송 로봇(420)은 회전축(CX2)이 회전함에 따라 회전 방향으로 회전할 수 있다. 이송 로봇(420)은 회전축(CX2)이 상하 방향으로 이동할 경우 상하 방향으로 이동할 수 있다.
도 5c에 도시한 이송 로봇(430)은 도 1 내지 도 3의 반도체 제조 장치(1, 3, 5)의 제2 이송 로봇(504)에 이용될 수 있다. 이송 로봇(430)은 기판(WA)이 위치하는 로봇 핸드(RH3), 회전축(CX3) 및 로봇암(AR3)을 포함할 수 있다. 회전축(CX3)은 지지축이라 명명할 수 있다.
로봇 핸드(RH3)는 2개 구비하여 2개의 기판(WA)을 이송할 수 있다. 기판(WA)은 도 1 내지 도 3의 기판(102)에 해당할 수 있다. 회전축(CX3)은 로봇암(AR3)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 이송 로봇(430)은 로봇암(AR3)이 좌우로 연장될 경우 좌우 방향(또는 전후 방향)으로 이동할 수 있다. 이송 로봇(430)은 회전축(CX3)이 회전함에 따라 회전 방향으로 회전할 수 있다. 이송 로봇(430)은 회전축(CX3)이 상하 방향으로 이동할 경우 상하 방향으로 이동할 수 있다.
도 6은 본 발명의 기술적 사상의 반도체 제조 장치에 이용될 수 있는 기판 컨테이너를 설명하기 위하여 도시한 사시도이다.
구체적으로, 기판 컨테이너(100)는 앞서 설명한 바와 같이 밀폐형의 전면 개방 일체식 포드(front open unified pod, FOUP)일 수 있다. 기판 컨테이너(100)는 전방이 개방된 몸체(120), 및 몸체(120)의 전방을 개폐하는 도어(140)를 가질 수 있다. 몸체(120) 내측벽에는 기판(102)이 삽입되는 슬롯(160)이 서로 평행하면서 도어(140)와 수직하게 형성될 수 있다.
기판 컨테이너(100)에는 하부에 가스 공급홀(122)이 설치되어 있을 수 있다. 가스 공급홀(122)에 기판 컨테이너(100) 내부로 퍼지 가스를 공급할 수 있는 퍼지 가스 공급부(미도시)가 연결되어 있을 수 있다. 기판 컨테이너(100)에 퍼지 가스를 공급할 경우 반도체 소자 제조 공정 동안에 기판(도 1 내지 도 3의 102)의 오염을 방지할 수 있다.
도어(140)에는 래치키 홀(142, latch key hole) 및 레지스트레이션 핀 홀(144, registration pin hole)이 형성된다. 래치키 홀(142) 및 레지스트레이션 핀 홀(144)은 도어 홀더(도 1 내지 도 3, 도 7의 264)에 의해 도어(140)를 개폐하기 위하여 형성될 수 있다.
도 7은 본 발명의 기술적 사상의 반도체 제조 장치의 로드 포트, 도어 홀더 및 아이솔레이션 챔버 사이의 결합 관계를 설명하기 위하여 도시한 도면이다.
구체적으로, 로드 포트(200)는 지지 부재(204) 상에 기판 컨테이너(도 1 내지 도 3 및 도 6의 100)가 놓여지는 로드 스테이션(206)이 위치할 수 있다. 도 7에서는 편의상 기판 컨테이너를 도시하지 않는다. 로드 스테이션(206)에는 돌출핀들(208)이 설치될 수 있다.
돌출핀들(208)은 기판 컨테이너(100)가 로드 스테이션(206) 상에 놓여질 때 기판 컨테이너(100)의 바닥면에 형성된 홈들(도시되지 않음)에 삽입될 수 있다. 기판 컨테이너(100)는 로드 스테이션(206) 상의 정해진 위치에 정확하게 놓여질 수 있다. 로드 스테이션(206)은 전후 방향으로 이동할 수 있고, 이에 따라 로드 스테이션(206) 상에 탑재되는 기판 컨테이너(100)도 전후 방향으로 이동할 수 있다.
아울러서, 필요에 따라서 로드 스테이션(206) 내에는 구동부(도 4의 278)와 연결된 회전축(280)이 설치될 수 있다. 이에 따라, 로드 스테이션(206) 상에 위치하는 기판 컨테이너(100)를 회전시켜 기판 컨테이너(100)의 도어(140)가 도어 홀더(264) 방향으로 위치하게 할 수 있다.
로드 포트(200) 및 아이솔레이션 챔버(도 1 내지 도 3의 250)의 수직 프레임(202)에는 도어 홀더(264)가 설치될 수 있다. 도어 홀더(264)는 레지스트레이션 핀(210, registration pin) 및 래치키(212, latch key)가 설치될 수 있다. 레지스트레이션 핀(210)은 기판 컨테이너(100)의 도어(140)가 도어 홀더(264)의 정확한 위치에 결합되도록 하기 위하여 형성될 수 있다. 래치키(212)는 기판 컨테이너(100)의 도어(140)를 열기 위한 것이다.
앞서 도 6에서 설명한 바와 같이 도어(140)에는 레지스트레이션 핀(210)이 삽입되는 레지스트레이션 핀 홀(144)과 래치키(212)가 삽입되는 래치키 홀(142)이 형성된다. 로드 스테이션(206)에 놓여진 기판 컨테이너(100)가 수직 프레임(202)의 도어 홀더(264)를 향해 이동되면, 레지스트레이션 핀(210)이 레지스트레이션 핀 홀(144)에 삽입됨으로써 도어(140)와 도어 홀더(264)의 도킹 위치가 결정된다.
래치키(212)가 래치키 홀(142)에 삽입 및 회전됨으로써 도어(140)는 도어 홀더(264)와 결합될 수 있다. 로드 포트(200)의 일측벽(214) 및 아이솔레이션 챔버(도 1 내지 도 4의 250)의 일측벽(214)에는 기판 컨테이너(100)를 아이솔레이션 챔버와 밀착시킬 수 있는 오링(216)이 설치될 수 있다. 로드 포트(200)의 일측벽(214) 및 아이솔레이션 챔버(도 1 내지 도 4의 250)의 일측벽(214)에는 상기 기판 컨테이너(100)와 아이솔레이션 챔버(도 1 내지 도 4의 250)를 밀착 및 고정시킬 수 있는 클램프(218)가 설치될 수 있다.
그리고, 도어 잠금 장치(도 4의 264, 270)를 구성하는 암(도 4의 266)은 도어 홀더(264)의 일면에 고정 결합되고, 암(266)은 지지 부재(204)에 설치된 구동부(도 4의 268)에 의해 상하 그리고 전후 방향으로 이동된다. 기판 컨테이너(100)로부터 도어(140)가 열리면, 암(266)은 도어 홀더(264)를 일정 거리 후진 및 하강시켜 도어(140)를 기판 컨테이너(100)의 몸체(도 6의 120)로부터 분리시킬 수 있다.
반도체 제조 공정 후에 기판(102)이 제2 이송 로봇(도 1 내지 도 4의 504)및 제1 이송 로봇(도 1 내지 도 4의 304)에 의해 기판 컨테이너(100) 내로 반입되면, 도어 홀더(264)가 승강 후 전진되고 도어(140)는 기판 컨테이너의 몸체(120)와 결합될 수 있다.
도 8은 본 발명의 기술적 사상의 반도체 제조 장치의 로드 포트 상의 기판 컨테이너와 아이솔레이션 챔버 사이의 결합 관계를 설명하기 위한 사시도이다.
구체적으로, 반도체 제조 장치를 구성하는 기판 컨테이너(100)는 로드 포트(200) 상에 위치할 수 있다. 기판 컨테이너(100)는 로드 포트(200) 및 아이솔레이션 챔버(도 1 내지 도 3의 250)의 수직 프레임(202)에는 밀착될 수 있다. 기판 컨테이너(100)와 아이솔레이션 챔버(250)의 밀착은 오링(도 7의 216) 및 클램프(도 7의 218)에 의해 이루어질 수 있다. 아이솔레이션 챔버(250)의 일측에 기판(102)을 유출입할 수 있는 유출입 도어(262)를 포함할 수 있다. 유출입 도어(262)는 게이트부(262a)와 게이트부(262a)를 개폐하는 도어부(262b)를 포함할 수 있다. 유출입 도어(262)는 도어 개폐 수단(274)과 연결될 수 있다.
기판 컨테이너(100)와 아이솔레이션 챔버(250)가 밀착할 경우, 반도체 소자의 제조 공정 중에 기판이 외기로부터 오염되는 것을 방지할 수 있다. 아울러서, 아이솔레이션 챔버(250)에는 퍼지 가스를 공급하는 가스 공급홀(254)이 설치될 수 있다. 따라서, 반도체 소자의 제조 공정 중에 기판(102)이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
도 9는 본 발명의 기술적 사상의 반도체 제조 장치에 이용될 수 있는 도어 홀더를 설명하기 위한 도면이다.
구체적으로, 앞서 설명한 바와 같이 도어 홀더(264)는 레지스트레이션 핀(210) 및 래치키(212)가 설치될 수 있다. 더하여, 도 9에서는 도어 홀더(264)에 도어 고정부(276)가 제공될 수 있다.
도어 고정부(276)는 기판 컨테이너(도 1 내지 도 4, 도 6의 100) 내부로 퍼지 가스가 주입되는 동안에도 기판 컨테이너(100)의 도어(140)가 흔들리는 것을 방지하기 위하여 설치될 수 있다. 다시 말해, 도어 고정부(276)는 진공에 의해 도어(140)를 도어 홀더(264)에 고정시키는 역할을 수행할 수 있다.
도어 고정부(276)는 도어 홀더(264)에 형성된 하나 또는 복수의 진공홀일 수 있다. 도어 고정부(276)에는 진공펌프(도시되지 않음)가 결합될 수 있다.
도 10은 본 발명의 기술적 사상의 반도체 제조 장치에 이용될 수 있는 기판 얼라이너를 설명하기 위한 도면이다.
구체적으로, 도 10에 도시한 기판 얼라이너는 도 1 내지 도 4의 기판 얼라이너(506, 310)에 이용될 수 있다. 도 10에 도시한 기판 얼라이너는 기판(WA)을 고정하는 기판 척(604, 606) 및 기판 척(604, 606)을 회전시킬 수 있는 회전축(602)을 포함할 수 있다. 기판(WA)은 도 1 내지 도 4의 기판(102)에 해당할 수 있다.
기판 척(604, 606)은 기판(WA)을 기계적으로 고정할 수 있다. 기판 척(604, 606)은 기판(WA)이 안착되는 베이스(604) 및 베이스(604)에 안착된 기판(WA)을 지지하기 위한 기판 클램프(606)를 포함할 수 있다.
예를 들어, 기판 얼라이너에 의한 기판(WA)의 정렬 과정을 설명하면 다음과 같다. 먼저, 이송 로봇에 의해 기판(WA)을 베이스(604)로 이송한다. 이송 로봇에 의해 기판(WA)이 베이스(604) 상에 안착되면, 기판 클램프(606)는 기판(WA)을 접촉 지지할 수 있다. 기판 클램프(606)에 의해 기판(WA)이 고정되면, 기판 정렬 장치는 기판(WA)의 결정 방위를 검출하고, 검출된 결정 방위가 미리 설정된 방향을 향하도록 기판 척(606, 606)을 회전시킬 수 있다. 기판(WA)에 대한 정렬이 완료되면, 기판 클램프(606)는 기판(WA)에 대한 고정을 해제할 수 있다.
도 11은 본 발명의 기술적 사상의 반도체 제조 장치의 기판 컨테이너 및 아이솔레이션 챔버 간의 결합 관계 및 퍼지 가스의 공급을 설명하기 위한 단면도이다.
구체적으로, 기판 컨테이너(100)는 로드 포트(200) 상에 위치할 수 있다. 도 11에서는 기판 컨테이너(100)에 도어(140)가 위치한 것을 도시한다. 기판 컨테이너(100)에는 제1 퍼지 가스 공급부(124)에 의해 기판 컨테이너(100) 내부로 퍼지 가스를 공급할 수 있다.
기판 컨테이너(100)는 아이솔레이션 챔버(250)와 밀착될 수 있다. 기판 컨테이너(100)와 아이솔레이션 챔버(250)의 밀착은 아이솔레이션 챔버(250)의 일측에 설치된 클램프(218)에 의해 이루어질 수 있다. 기판 컨테이너(100)와 아이솔레이션 챔버(250)가 밀착할 경우, 반도체 소자의 제조 공정 중에 기판이 외기로부터 오염되는 것을 방지할 수 있다.
아이솔레이션 챔버(250)에는 도어 홀더(264) 및 도어 홀더(264)를 구동하는 구동 수단(270)을 포함할 수 있다. 아이솔레이션 챔버(250)의 일측에 기판(102)을 유출입할 수 있는 유출입 도어(262)를 포함할 수 있다. 유입출 도어(262)는 도어 개폐 수단(274)과 연결될 수 있다.
아이솔레이션 챔버(250)의 상부에는 제2 퍼지 가스 공급부(256)가 연결될 수 있다. 제2 퍼지 가스 공급부(256)를 통하여 퍼지 가스를 아이솔레이션 챔버(250)의 내부(252)로 공급할 수 있다. 아이솔레이션 챔버(250)의 내부(252)로 공급된 퍼지 가스는 아이솔레이션 챔버(250)의 하부에 위치하는 퍼지 가스 배기부(260)로 배기될 수 있다.
이에 따라, 아이솔레이션 챔버(250)로 퍼지 가스를 공급할 경우 반도체 소자의 제조 공정 중에 기판(도 1 내지 도 4의 102)이 오염되는 것을 방지할 수 있다. 도 1에서, 제1 퍼지 가스 공급부(124) 및 제2 퍼지 가스 공급부(126)은 설명의 편의상 제1 및 제2 순서를 명기한 것이다.
도 12는 본 발명의 기술적 사상의 반도체 제조 장치의 기판 컨테이너, 아이솔레이션 챔버 및 로드락 챔버에 공급되는 퍼지 가스의 흐름도이다.
구체적으로, 반도체 제조 장치는 기판 컨테이너(100, FOUP)에 아이솔레이션 챔버(250, ISCH) 및 로드락 챔버(300, LOCH)가 연결될 수 있다. 기판 컨테이너(100)에는 제1 퍼지 가스 공급부(124)에 의해 퍼지 가스를 공급할 수 있다. 제1 퍼지 가스 공급부(124)는 유량 흐름 제어기(MFC(mass flow controller), 124a), 공급 라인(124b) 및 질소 공급원(124c)을 포함할 수 있다. 기판 컨테이너(100)에 공급된 퍼지 가스는 퍼지 가스 배기부(260)를 통하여 배출될 수 있다.
아이솔레이션 챔버(250) 및 로드락 챔버(300)에는 제2 퍼지 가스 공급부(256)가 연결될 수 있다. 도 12에서는 아이솔레이션 챔버(250) 및 로드락 챔버(300)에 제2 퍼지 가스 공급부(256)가 연결된 것으로 도시하였으나, 필요에 따라서 아이솔레이션 챔버(250)에만 제2 퍼지 가스 공급부(256)가 연결될 수 있다. 제2 퍼지 가스 공급부(256)는 유량 흐름 제어기(MFC, 256a), 공급 라인(256b) 및 질소 공급원(256c)을 포함할 수 있다.
아이솔레이션 챔버(250) 및 로드락 챔버(300)에는 퍼지 가스 배기부(260)가 연결될 수 있다. 도 12에서는 아이솔레이션 챔버(250) 및 로드락 챔버(300)에 퍼지 가스 배기부(260)가 연결된 것으로 도시하였으나, 필요에 따라서 아이솔레이션 챔버(250)에만 퍼지 가스 배기부(260)가 연결될 수 있다. 퍼지 가스 배기부(260)는 유량 흐름 제어기(MFC, 260a), 공급 라인(260b) 및 펌프(260c)를 포함할 수 있다.
도 12에서 퍼지 가스로 질소 가스를 이용하였으나, 필요에 따라서 불활성 가스, 예컨대 아르곤 가스를 이용할 수 있다. 도 12에서, 제1 퍼지 가스 공급부(124) 및 제2 퍼지 가스 공급부(126)는 설명의 편의상 제1 및 제2 순서를 명기한 것이다.
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 예시적인 실시예들이 개시되었다. 본 명세서에서 특정한 용어를 사용하여 실시예들을 설명되었으나, 이는 단지 본 개시의 기술적 사상을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 청구범위에 기재된 본 개시의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 개시의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
1, 3, 5: 반도체 제조 장치, 30: 로드락 모듈 300: 로드락 챔버, 50: 이송 모듈, 500: 이송 챔버, 70: 공정 모듈, 700: 공정 챔버

Claims (10)

  1. 복수개의 기판들이 탑재된 기판 컨테이너가 위치한 로드 포트를 포함하는 로드 모듈;
    상기 로드 모듈의 일측에 위치하여 상기 기판 컨테이너와 직접적으로 연결됨과 아울러 대기압과 진공압을 혼용하는 로드락 챔버, 및 상기 로드락 챔버 내에 위치한 제1 이송 로봇, 및 상기 로드락 챔버 내에 상기 기판이 탑재될 수 있는 기판 스테이지를 포함하는 로드락 모듈;
    상기 로드락 챔버와 연결된 이송 챔버, 상기 이송 챔버 내에 위치한 제2 이송 로봇, 및 상기 이송 챔버 내에 위치하는 기판 얼라이너를 포함하는 이송 모듈; 및
    상기 이송 모듈과 연결된 공정 챔버를 포함하는 공정 모듈을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 로드 모듈 및 상기 로드락 모듈은 반도체 제조 공장의 내부에서 평면적으로 동일 열에 위치하고, 상기 이송 모듈 및 상기 공정 모듈은 상기 반도체 제조 공장의 내부에서 평면적으로 상기 로드 모듈 및 상기 로드락 모듈이 위치하는 열과는 다른 열에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판 컨테이너에는 가스 공급홀이 설치되어 있고, 상기 가스 공급홀에는 상기 기판 컨테이너 내부로 퍼지 가스를 공급할 수 있게 퍼지 가스 공급부가 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 공정 모듈은 복수개의 공정 챔버들을 포함하고, 상기 하나의 로드락 모듈은 상기 복수개의 공정 챔버들에 대응되게 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  5. 복수개의 기판들이 탑재된 기판 컨테이너가 위치한 로드 포트를 포함하는 로드 모듈;
    상기 로드 모듈의 일측에 위치하여 상기 기판 컨테이너와 직접적으로 연결되는 아이솔레이션 챔버를 포함하는 아이솔레이션 모듈;
    상기 아이솔레이션 챔버와 연결되는 로드락 챔버, 상기 로드락 챔버 내에 위치한 제1 이송 로봇, 및 상기 로드락 챔버 내에 상기 기판이 탑재될 수 있는 기판 스테이지를 포함하는 로드락 모듈;
    상기 로드락 챔버와 연결된 이송 챔버, 및 상기 이송 챔버 내에 위치한 제2 이송 로봇을 포함하는 이송 모듈; 및
    상기 이송 모듈과 연결된 공정 챔버를 포함하는 공정 모듈을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 아이솔레이션 챔버는 상기 기판 컨테이너의 도어에 대응하게 설치된 유출입구, 및 상기 로드락 챔버 방향으로 상기 유출입구의 반대측에 설치된 유출입 도어를 포함하고,
    상기 아이솔레이션 모듈은 상기 아이솔레이션 챔버 내에 퍼지 가스를 공급하는 퍼지 가스 공급부 및 상기 아이솔레이션 챔버 내의 퍼지 가스를 배기하는 퍼지 가스 배기부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 기판 컨테이너에는 가스 공급홀이 더 설치되어 있고, 상기 가스 공급홀에는 상기 기판 컨테이너 내부로 퍼지 가스를 공급하는 제2 퍼지 가스 공급부가 더 연결되어 있고, 상기 기판 컨테이너 내부의 퍼지 가스는 상기 퍼지 가스 배기부를 통해 배기되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 로드 포트는 상기 기판 컨테이너를 회전시키거나 상기 기판 컨테이너를 상기 아이솔레이션 챔버 방향으로 이동시킬 수 있게 상기 기판 컨테이너와 연결된 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치
  9. 제5항에 있어서, 상기 아이솔레이션 챔버의 일측벽에는 상기 기판 컨테이너를 상기 아이솔레이션 챔버와 밀착시킬 수 있는 오링이 더 설치되어 있고,
    상기 아이솔레이션 챔버의 일측벽에는 상기 기판 컨테이너와 상기 아이솔레이션 챔버를 밀착 및 고정시킬 수 있는 클램프가 더 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  10. 기판 컨테이너 이송 시스템으로 이송되고 일측에 도어를 가지는 기판 컨테이너가 안착되는 로드 포트를 포함하고, 상기 기판 컨테이너 내부로 퍼지 가스를 공급하는 퍼지 가스 공급부가 연결된 로드 모듈;
    상기 로드 모듈의 일측에 위치하고 상기 기판 컨테이너의 도어에 대응하게 기판 유출입구, 및 상기 기판 유출입구의 반대측에 설치된 기판 유출입 도어를 가지는 아이솔레이션 챔버와, 상기 아이솔레이션 챔버 내에 상기 기판 컨테이너의 도어를 열고 닫을 수 있게 설치된 도어 잠금 장치를 포함하는 아이솔레이션 모듈;
    상기 아이솔레이션 챔버와 연결되는 로드락 챔버, 상기 로드락 챔버 내에 위치한 제1 이송 로봇, 및 상기 로드락 챔버 내에 상기 기판이 탑재될 수 있는 기판 스테이지를 포함하는 로드락 모듈;
    상기 로드락 챔버와 연결된 이송 챔버, 및 상기 이송 챔버 내에 위치한 제2 이송 로봇을 포함하는 이송 모듈; 및
    상기 이송 모듈과 연결된 공정 챔버를 포함하는 공정 모듈을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7422577B2 (ja) * 2020-03-23 2024-01-26 平田機工株式会社 ロードポート及び制御方法
CN116230590A (zh) * 2023-02-24 2023-06-06 上海稷以科技有限公司 一种具有腔体自动压力平衡组件的晶圆设备及运行方法
CN116779411B (zh) * 2023-08-17 2023-11-03 成都超迈光电科技有限公司 一种物理化学效应复合的多功能等离子刻蚀机

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06333913A (ja) 1993-05-26 1994-12-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 絶縁膜の形成方法およびその形成装置
JPH10256352A (ja) 1997-03-06 1998-09-25 Murata Mfg Co Ltd 基板の位置決め装置
JP4048387B2 (ja) 1997-09-10 2008-02-20 東京エレクトロン株式会社 ロードロック機構及び処理装置
JP3966594B2 (ja) 1998-01-26 2007-08-29 東京エレクトロン株式会社 予備真空室およびそれを用いた真空処理装置
US6168672B1 (en) 1998-03-06 2001-01-02 Applied Materials Inc. Method and apparatus for automatically performing cleaning processes in a semiconductor wafer processing system
KR20020067960A (ko) 2001-02-19 2002-08-24 삼성전자 주식회사 웨이퍼 캐리어에서 로드락 챔버로의 웨이퍼 이송 장치
JP4283559B2 (ja) 2003-02-24 2009-06-24 東京エレクトロン株式会社 搬送装置及び真空処理装置並びに常圧搬送装置
KR20050036186A (ko) 2003-10-15 2005-04-20 삼성전자주식회사 이너도어 어셈블리 및 반도체 제조장치
KR20060086603A (ko) 2005-01-27 2006-08-01 삼성전자주식회사 반도체 제조설비의 센터파인드보드 구조
JP4933789B2 (ja) * 2006-02-13 2012-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
KR100717990B1 (ko) 2007-01-16 2007-05-14 (주)인터노바 반도체 자재 처리를 위한 이송 시스템
KR20090002709A (ko) 2007-07-04 2009-01-09 주식회사 아이피에스 웨이퍼 처리장치
JP5810929B2 (ja) * 2012-01-13 2015-11-11 シンフォニアテクノロジー株式会社 ウェーハ搬送装置
US20140271097A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
JP6582676B2 (ja) 2015-07-24 2019-10-02 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置、及び基板処理システム
JP6881010B2 (ja) 2017-05-11 2021-06-02 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置

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