CN101855719A - 负载锁定装置和基板冷却方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供负载锁定装置和基板冷却方法，该负载锁定装置(6、7)包括：容器(31)，其设置为能够使压力在与真空的搬送室(5)对应的压力和大气压之间变动；将容器(31)内的压力调整为与搬送室(5)对应的真空和大气压的压力调整机构(49)；相对地设置在容器(31)内的、通过与晶片(W)接近或接触而冷却晶片(W)的下部冷却板(32)和上部冷却板(33)；将晶片(W)搬送至下部冷却板(32)的冷却位置的晶片升降销(50)和驱动机构(53)；以及将晶片(W)搬送至上部冷却板(33)的冷却位置的晶片支承部件(60)和驱动机构(63)。

Description

负载锁定装置和基板冷却方法
技术领域
本发明涉及例如对半导体晶片等被处理基板实施真空处理的真空处理装置中所使用的负载锁定装置和这样的负载锁定装置中的基板冷却方法。
背景技术
在半导体器件的制造工序中，对作为被处理基板的半导体晶片(以下仅记作晶片)，常使用成膜处理或蚀刻处理等在真空气氛中进行的真空处理。最近，从这样的真空处理的高效化的观点、和抑制氧化、污染物等的污染的观点出发，将多个真空处理单元与保持为真空的搬送室连结、能够利用设置在该搬送室的搬送装置将晶片向各真空处理单元搬送的群集工具(cluster tool)型的多腔室型的真空处理系统受到关注(例如日本特开2000-208589号公报)。
在这样的多腔室处理系统中，为了将晶片从置于大气中的晶片盒向保持为真空的搬送室搬送，在搬送室与晶片盒之间设置负载锁定室，晶片通过该负载锁定室被搬送。
但是，在将这样的多腔室处理系统应用于像成膜处理这样的高温处理的情况下，晶片在保持例如500℃左右的高温的状态下被从真空处理单元取出而搬送到负载锁定室，若在这样的高温状态下将晶片暴露在大气中，则晶片发生氧化。另外，若将保持这样的高温的晶片收纳入收纳容器，则会产生通常为树脂制的收纳容器发生溶化等问题。
为避免这样的问题，在负载锁定室配置冷却板，该冷却板具备冷却晶片的冷却机构，以将晶片载置于冷却板或使晶片接近冷却板的状态下，在负载锁定室从真空恢复为大气压的期间进行晶片的冷却。
这时，若晶片被急速冷却，则晶片会因晶片正面背面的热膨胀差造成变形，冷却效率降低，因此，需要以晶片不发生变形的程度的冷却速度进行冷却。所以，晶片的冷却需要较长时间，而负载锁定室中的晶片的冷却时间限制了系统整体的处理速度，因此在负载锁定室的冷却时间中晶片的处理个数受到制约，吞吐量降低。
发明内容
本发明的目的在于，提供能够高效冷却基板并提高基板处理的吞吐量的负载锁定装置。
另外，本发明的另外的目的在于，提供能够实现这样的基板的冷却的负载锁定装置的基板冷却方法。
根据本发明的第一方面，提供负载锁定装置，其用于从大气气氛向保持为真空的真空室搬送基板、并从上述真空室向上述大气气氛搬送高温的基板，上述负载锁定装置包括：容器，其设置为能够使压力在与真空室对应的压力和大气压之间变动；压力调整机构，其当上述容器内与上述真空室连通时，将上述容器内的压力调整为与上述真空室对应的压力，当上述容器内与上述大气气氛的空间连通时，将上述容器内的压力调整为大气压；第一和第二冷却部件，其在上述容器内相对地设置，通过与基板接近或接触而冷却基板；第一搬送机构，其接收被搬送至上述容器内的基板，并将基板搬送至与上述第一冷却部件接近或接触的位置；和第二搬送机构，其接收被搬送至上述容器内的基板，并将基板搬送至与上述第一冷却部件接近或接触的位置。
在上述第一方面中，上述第一搬送机构，在与外部的搬送臂之间进行基板的交接的交接位置、和与上述第一冷却部件接近或接触的冷却位置之间搬送基板，上述第二搬送机构，在与外部的搬送臂之间进行基板的交接的交接位置、和与上述第二冷却部件接近或接触的冷却位置之间搬送基板。
另外，能够具备控制部，其控制上述第一搬送机构和上述第二搬送机构，使得在利用上述第一搬送机构和上述第二搬送机构中的任意一方使基板与上述第一冷却部件和上述第二冷却部件中的任意一方接近或接触而冷却基板的期间，利用上述第一搬送机构和上述第二搬送机构中的另一方将基板向上述第一冷却部件和上述第二冷却部件中的另一方搬送。
另外，上述第一搬送机构和上述第二搬送机构，能够构成为具有支承基板的基板支承部和驱动基板支承部的驱动机构的结构。
另外，还能够构成为下述结构：上述第一冷却部件设置在上述容器的下部，从下方冷却基板，上述第二冷却部件设置在上述容器的上部，从上方冷却基板。这种情况下，能够构成为下述结构：上述第一搬送机构具有：相对于上述第一冷却部件能够自由伸出没入地设置的支承销；和使上述支承销升降的驱动机构，上述第二搬送机构具有：支承基板并且能够与上述第二冷却部件自由接触分离地设置的基板支承部件；和使上述基板支承部件升降的驱动机构。
另外，上述第一搬送机构和上述第二搬送机构可以分别具有独立的驱动机构。上述第一搬送机构和上述第二搬送机构也可以具有共用的驱动机构。
根据本发明的第二方面，提供负载锁定装置的基板冷却方法，上述负载锁定装置用于从大气气氛向保持为真空的真空室搬送基板、并从上述真空室向上述大气气氛搬送高温的基板，该负载锁定装置包括：容器，其设置为能够使压力在与真空室对应的压力和大气压之间变动；压力调整机构，其当上述容器内与上述真空室连通时，将上述容器内的压力调整为与上述真空室对应的压力，当上述容器内与上述大气气氛的空间连通时，将上述容器内的压力调整为大气压；第一和第二冷却部件，其在上述容器内相对地设置，通过与基板接近或接触而冷却基板；第一搬送机构，其接收被搬送至上述容器内的基板，并将基板搬送至与上述第一冷却部件接近或接触的位置；和第二搬送机构，其接收被搬送至上述容器内的基板，并将基板搬送至与上述第一冷却部件接近或接触的位置，上述基板冷却方法包括：利用上述第一搬送机构和上述第二搬送机构中的任意一方使基板与上述第一冷却部件和上述第二冷却部件中的任意一方接近或接触而冷却基板；和在该基板的冷却期间，利用上述第一搬送机构和上述第二搬送机构中的另一方将基板向上述第一冷却部件和上述第二冷却部件中的另一方搬送。
根据本发明，在容器内相对地设置第一冷却部件和第二冷却部件，能够通过各冷却部件分别进行基板的冷却，因此，能够高效地冷却基板，能够避免负载锁定装置中的基板的冷却时间限制系统整体的处理速度。所以，基板的处理个数不受负载锁定装置的冷却时间的限制，能够以高吞吐量进行基板的处理。
另外，在用一个冷却部件冷却基板的期间，通过将另外的基板向另一冷却部件搬送，能够在两个冷却部件以独立的顺序进行基板的搬送和冷却，能够进行自由度极高的冷却动作。
附图说明
图1是示意地表示搭载有本发明的一个实施方式的负载锁定装置的多腔室型的真空处理系统的平面图。
图2是表示本发明的一个实施方式的负载锁定装置的垂直截面图。
图3是表示本发明的一个实施方式的负载锁定装置的水平截面图。
图4是表示在本发明的一个实施方式的负载锁定装置中，向下部冷却板搬送晶片的状态的示意图。
图5是表示在本发明的一个实施方式的负载锁定装置中，在用下部冷却板冷却晶片的期间向上部冷却板搬送晶片的状态的示意图。
图6是表示在本发明的一个实施方式的负载锁定装置中，用下部冷却板和上部冷却板两者冷却晶片的状态的示意图。
图7是表示在本发明的一个实施方式的负载锁定装置中，在用下部冷却板冷却晶片的期间向上部冷却板搬送晶片的状态的示意图。
图8是表示本发明的另一个实施方式的负载锁定装置的垂直截面图。
图9A是用于说明图8的负载锁定室的动作的概略图。
图9B是用于说明图8的负载锁定室的动作的概略图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行具体的说明。
图1是表示搭载有本发明的一个实施方式的负载锁定装置的多腔室型的真空处理系统的概略结构的平面图。
真空处理系统，具备进行例如像成膜处理那样的高温处理的4个真空处理单元1、2、3、4，这些各真空处理单元1～4与成六角形的搬送室5的4个边分别对应地设置。另外，在搬送室5的另外2个边，分别设置有本实施方式的负载锁定装置6、7。在这些负载锁定装置6、7的与搬送室5的相反侧设置有搬入搬出室8，在搬入搬出室8的与负载锁定装置6、7的相反侧，设置有端口9、10、11，这些端口安装能够收容作为被处理基板的晶片W的三个载体(carrier)C。在真空处理单元1、2、3、4中以被处理体载置于处理板上的状态，进行规定的真空处理、例如蚀刻或成膜处理。
如该图所示，真空处理单元1～4，通过闸阀G与搬送室5的各边连接，它们通过打开对应的闸阀G而与搬送室5连通，通过关闭对应的闸阀G而从搬送室5断开。另外，负载锁定装置6、7，通过第一闸阀G1分别与搬送室5的剩余的边连接，另外还通过第二闸阀G2与搬入搬出室8连接。这样，负载锁定装置6、7，通过打开第一闸阀G1而与搬送室5连通，通过关闭第一闸阀G1而从搬送室断开。另外，通过打开第二闸阀G2而与搬入搬出室8连通，通过关闭第二闸阀G2而从搬入搬出室8断开。
在搬送室5内，设置有对真空处理单元1～4和负载锁定装置6、7进行晶片W的搬入搬出的搬送装置12。该搬送装置12设置在搬送室5的大致中央，在能够旋转和伸缩的旋转/伸缩部13的前端具有支承晶片W的两个支承臂14a、14b，这两个支承臂14a、14b按照相互朝向相反方向的方式安装在旋转/伸缩部13。该搬送室5内保持为规定的真空度。
在安装搬入搬出室8的晶片收纳容器即前开式晶圆盒(FOUP；Front Opening Unified Pod)用的三个端口9、10、11，分别设置有未图示的闸门(shutter)，收容有晶片W的或空的前开式晶圆盒F以载置于台S上的状态直接安装在这些端口9、10、11，当已被安装时，闸门打开，在防止外部气体的侵入的同时与搬入搬出室8连通。另外，在搬入搬出室8的侧面，设置有校准腔室15，此处进行晶片W的校准。
在搬入搬出室8内，设置有对前开式晶圆盒F进行晶片W的搬入搬出和对负载锁定装置6、7进行晶片W的搬入搬出的搬送装置16。该搬送装置16具有多关节臂结构，能够沿着前开式晶圆盒F的排列方向在轨道18上运动，将晶片W载置于其前端的支承臂17上而进行搬送。
该真空处理系统，具有由控制各构成部的微处理器(计算机)构成的处理控制器20，形成各构成部与该处理控制器20连接而被控制的结构。另外，在处理控制器20，连接有用户接口21，其由操作者为了管理处理装置而进行指令输入操作等的键盘、将等离子体处理装置的工作状况可视化地显示的显示器等构成。
另外，处理控制器20与存储有方案的存储部22连接，该方案为用于使在处理装置中执行的各种处理通过处理控制器20的控制而实现的控制程序、用于使处理装置的各构成部根据处理条件执行处理的程序。方案被存储在存储部22中的存储介质中。存储分质可以是硬盘等固定的介质，也可以是CDROM、DVD、闪存等可移动性的介质。另外，也可以通过例如专用的线路适宜地从其它的装置传送方案。
并且，按照需要，通过来自用户接口21的指示等从存储部22调出任意的方案并使处理控制器20执行，由此，在处理控制器20的控制下，进行处理装置中的所希望的处理。
接着，对本实施方式的负载锁定装置6、7进行详细的说明。
图2是表示本实施方式的负载锁定装置的垂直截面图，图3是其水平截面图。负载锁定装置6(7)，具有容器31，在容器31内的下部和上部，分别设置有与晶片W接近而冷却晶片W的下部冷却板32和上部冷却板33。
在容器31的一个侧壁，设置有能够与保持为真空的搬送室5连通的开口34，在与其相对的侧壁，设置有能够与保持为大气压的搬入搬出室8连通的开口35。并且，开口34能够通过第一闸阀G1开关，开口35能够通过第二闸阀G2开关。
在容器31的底部，设置有用于将容器31内进行真空排气的排气口36。排气口36与排气管41连接，在该排气管41，设置有开关阀42、排气速度调整阀43和真空泵44。
另外，在容器31的内部的中间高度位置的侧壁部附近，设置有用于向容器31内导入吹扫气体(purge gas)的由多孔质陶瓷形成的吹扫气体导入部件37。该吹扫气体导入部件37具有过滤功能，并具有向容器31内缓慢地导入吹扫气体的功能。该吹扫气体导入部件37与吹扫气体供给配管45连接。该吹扫气体导入配管45从吹扫气体源48延伸，其途中设置有开关阀46和流量调节阀47。
并且，当在与真空侧的搬送室5之间进行晶片W的搬送时，使开关阀46为关闭，开关阀42为打开的状态，调节排气速度调整阀43，利用真空泵44以规定的速度经由排气管41将容器31内排气，使容器31内的压力成为与搬送室5内的压力对应的压力，在这种状态下打开第一闸阀G1而将容器31和搬送室5之间连通。另外，当在与大气侧的搬入搬出室8之间进行晶片W的搬送时，使开关阀42为关闭，开关阀46为打开的状态，调节流量调节阀47，从吹扫气体源48经由吹扫气体导入配管45将氮气等吹扫气体以规定的流量向容器31内导入，使其中的压力成为大气压附近，在这种状态下打开第二闸阀G2，将容器31和搬入搬出室8之间连通。
容器31内的压力，通过压力调整机构49在大气压与规定的真空气氛之间调整。该压力调整机构49，根据由压力计73测定的容器31内的压力，控制开关阀42、排气速度调整阀43、流量调节阀47和开关阀46，从而调整容器31内的压力。压力调整机构49由后述的单元控制器70控制。
在下部冷却板32，相对下部冷却板32的表面(上表面)可伸出缩回地设置有晶片搬送用的3根(图2中仅表示2根)晶片升降销50，这些晶片升降销50被固定在支承板51上。并且，晶片升降销50，通过利用气缸等驱动机构53使棒52升降，从而通过支承板51被升降，成为下述两个位置，即：从下部冷却板32的表面(上表面)突出，当搬送室5中的搬送装置12的支承臂14a或14b、或者搬入搬出室8中的搬送装置16的支承臂17插入容器31时，在与它们之间交接晶片W的交接位置；和缩回下部冷却板32内，使晶片W与下部冷却板32的表面(上表面)接近的冷却位置。在下部冷却板32的表面，安装有3个(图2中仅表示2个)晶片支承销54，利用这些晶片支承销54，使处于冷却位置的晶片W变成位于与下部冷却板32稍微隔开的位置。另外，在下部冷却板32的表面，同心圆状和放射状地形成有槽58。
在下部冷却板32内，形成有冷却介质流路55，该冷却介质流路55与冷却介质导入路56和冷却介质排出路57连接，从未图示的冷却介质供给部流通冷却水等的冷却介质，能够将接近下部冷却板32的晶片W冷却。
在容器31的上部，可升降地设置有晶片支承臂60。在该晶片支承臂60的上表面，设置有3个(图2中仅表示2个)晶片支承销61。通过利用气缸等驱动机构63使棒62升降从而使晶片支承臂60升降，变成为下述两个位置：下降位置，即当搬送室5中的搬送装置12的支承臂14a或14b、或者搬入搬出室8中的搬送装置16的支承臂17插入容器31时，在与它们之间交接晶片W的交接位置；和上升位置，即使晶片W与上部冷却板33的表面(下表面)接近的冷却位置。在冷却位置，为防止晶片W与上部冷却板33的表面(下表面)接触，在棒62设置有停止器(未图示)。另外，在上部冷却板33的表面(下表面)，也形成有同心圆状和放射状的槽。
在上部冷却板33内，形成有冷却介质流路65，该冷却介质流路65与冷却介质导入路66和冷却介质排出路67连接，从未图示的冷却介质供给部流通冷却水等的冷却介质，能够将接近上部冷却板33的晶片W冷却。
单元控制器70是用于控制该负载锁定装置6(7)的控制器，作为上述处理控制器20的下级控制器发挥功能。该控制器70控制上述压力调整机构49、驱动机构53、驱动机构63、闸阀G1和闸阀G2等。
接着，对于如以上所述构成的多腔室型的真空处理系统的动作以本实施方式的负载锁定装置6、7为中心进行说明。
首先，利用搬送装置16从与搬入搬出室8连接的前开式晶圆盒F取出晶片W，并搬入负载锁定装置6(或7)的容器31。这时，负载锁定装置6的容器31内形成为大气气氛，之后在第二闸阀G2被打开的状态下晶片W被搬入。
然后，将容器31内进行真空排气至成为与搬送室5对应的压力，打开第一闸阀G1，通过搬送装置12的支承臂14a或14b从容器31内取出晶片W，打开任意一个真空处理单元的闸阀G并将晶片W搬入其中，对晶片W进行成膜等的在高温下的真空处理。
在真空处理结束的时刻，打开闸阀G，搬送装置12的支承臂14a或14b从对应的真空处理单元搬出晶片W，打开第一闸阀G1，将晶片W向负载锁定装置6和7中的任意一个的容器31内搬入。
在这种情况下，将载置有晶片W的支承臂14a(14b)插入容器31内，最初如图4所示，使晶片升降销50上升至交接位置，接收晶片W。然后，关闭第一闸阀G1，从吹扫气体源48将作为吹扫气体的例如氮气导入作为传热气体，将容器31内的压力上升至由气体种类和上部冷却板33与下部冷却板32间的距离决定的适当的值，使晶片升降销50连同晶片W下降至冷却位置，利用下部冷却板32开始将晶片W冷却。
当在最初的晶片W的冷却途中冷却下一晶片W时，在调整容器31内的压力后，打开第一闸阀G1，利用支承臂14a或14b将晶片W搬入容器31内，如图5所示，使晶片支承臂60成为下降至交接位置的状态并接收晶片W。然后，关闭第一闸阀G1，从吹扫气体源48将作为吹扫气体的例如氮气导入作为传热气体，并进行同样的压力调整，使晶片支承臂60上升，使载置于其上的晶片W上升至与上部冷却板33的下表面接近的冷却位置，利用上部冷却板33开始将晶片W冷却。这时如图6所示，2个晶片W通过下部冷却板32和上部冷却板33冷却。
最初的晶片W的冷却结束后，在搬出时，使吹扫气体的压力上升而使容器31内成为大气压，打开闸阀G2，利用搬送装置16的支承臂17将最初的晶片W取出到大气气氛的搬入搬出室8，并收纳在前开式晶圆盒F。这时被上部冷却板33冷却的晶片W，与最初的晶片W的搬出动作无关而继续被冷却，在经过规定时间后同样地被收纳在前开式晶圆盒F。
作为其它的例子，如图7所示，在使用上部冷却板33冷却晶片W的途中，也能够将通过下部冷却板32进行冷却的晶片W搬入容器31。这时，在维持将保持在晶片支承臂60上的晶片W保持在与上部冷却板33接近的冷却位置的状态下，使晶片升降销50上升至交接位置接收晶片W。然后，关闭第一闸阀G1，导入吹扫气体进行容器31内的压力调整之后，使晶片升降销50连同晶片W下降至冷却位置，利用下部冷却板32开始将晶片W冷却。
如以上所述，根据本实施方式，设置下部冷却板32和上部冷却板33这2个冷却板，能够由各冷却板分别进行晶片W的冷却，所以能够高效地冷却晶片W，能够避免负载锁定装置6(7)中的晶片W的冷却时间限制系统整体的处理速度。因此，在负载锁定装置6(7)的冷却时间中晶片的处理个数不受制约，能够以高吞吐量进行晶片W的处理。
另外，在用一个冷却板冷却晶片W的期间，能够将另外的晶片W搬送到另一冷却板，因此，能够在2个冷却板以独立的顺序进行晶片的搬送和冷却，能够进行自由度极高的冷却动作。
另外，本发明并不限定于上述实施方式，能够有各种变形。例如，在上述实施方式中，将晶片W向下部冷却板32和上部冷却板33搬送时，使用了不同的驱动机构53、63，但也可以用一个驱动机构驱动两者。由此，能够使驱动系统的结构变得简单。例如，能够使用一个双位气缸作为驱动机构，在这种情况下能够构成为图8所示的结构。
即，在支承晶片升降销50的支承板51的底面中央安装有向下方延伸的棒81，在棒81的下端安装有向容器31的外部水平延伸的臂82。另一方面，在晶片支承臂60的边缘部上表面安装有向上方延伸的棒83，在棒83的上端安装有与上述臂82在相同方向上并向容器31的外部水平延伸的臂84。并且，在臂82的端部朝向上方插入有垂直棒85，该垂直棒85由弹簧86向上方施力。另外，在臂84的端部朝向下方插入有垂直棒87，该垂直棒87由弹簧88向下方施力。这些垂直棒85和87通过销90、91被杆89轴支承。杆89构成为绕设置于其中间部的轴92在铅垂面上摆动，在其一侧垂直棒85和87以邻接的状态被轴支承，在另一侧双位气缸93的活塞94通过销95被轴支承。销90、91、95插入形成于杆89的长孔96、97、98，构成联杆机构。并且，通过使双位气缸93的活塞94上下移动，从而使垂直棒85和87上下移动，伴随该移动，通过臂82、棒81和支承板51使晶片升降销50上下移动，并且通过臂84和棒83使晶片支承臂60上下移动。在臂82的下方设置有停止器99，其使得臂82不会使晶片升降销50下降得比规定的下降位置低，在臂84的上方设置有停止器100，其使得晶片支承臂60在支承有晶片W的状态下不会上升得比与上部冷却板33接近的冷却位置高。
在这样构成的负载锁定装置中，当双位气缸93为中间状态时，如图8所示，晶片升降销50成为规定的下降位置，晶片支承臂60成为已上升的位置。当双位气缸93从该状态变成为如图9A所示的已下降了的第一位置时，垂直棒85上升，与此相伴晶片升降销50通过臂82、棒81和支承板51上升至交接位置，能够实现晶片W的交接。另一方面，虽然垂直棒87也上升，但因为臂84被停止器100阻碍了上升，所以晶片支承臂60停留在图8的位置。另一方面，当双位气缸93成为如图9B所示的已上升了的第二位置时，垂直棒87下降，与此相伴晶片支承臂60通过臂84和棒83下降至交接位置，能够实现晶片W的交接。这时，虽然垂直棒85也下降，但因为臂82被停止器99阻碍了下降，所以晶片升降销50停留在图8的位置。
因此，首先，从图8的状态变成图9A所示的状态，将晶片W接收到晶片升降销50上，并再次成为图8的状态，由此，能够仅由下部冷却板32进行晶片W的冷却，接着，成为图9B所示的状态，将晶片W接收到晶片支承臂60的晶片支承销61上，并再次成为图8的状态，由此，能够由下部冷却板32和上部冷却板33两者进行晶片W的冷却。
另外，在上述实施方式中，使晶片向下部冷却板32和上部冷却板33接近而被冷却，但也可以使其接触而进行冷却。
另外，在上述实施方式中，以设置4个真空处理单元、2个负载锁定装置的多腔室型的真空处理系统为例进行说明，但这些数目并不限定。另外，本发明的负载锁定装置并不限定于这样的多腔室型的真空处理装置，真空处理单元为1个的系统也能够应用。再者，对于被处理体，并不限定于半导体晶片，也能够以FPD用玻璃基板等其它部件为对象。

Claims (11)

1.一种负载锁定装置，其用于从大气气氛向保持为真空的真空室搬送基板、并从所述真空室向所述大气气氛搬送高温的基板，所述负载锁定装置的特征在于，包括：
容器，其设置为能够使压力在与真空室对应的压力和大气压之间变动；
压力调整机构，其当所述容器内与所述真空室连通时，将所述容器内的压力调整为与所述真空室对应的压力，当所述容器内与所述大气气氛的空间连通时，将所述容器内的压力调整为大气压；
第一和第二冷却部件，其在所述容器内相对地设置，通过与基板接近或接触而冷却基板；
第一搬送机构，其接收被搬送至所述容器内的基板，并将基板搬送至与所述第一冷却部件接近或接触的位置；和
第二搬送机构，其接收被搬送至所述容器内的基板，并将基板搬送至与所述第一冷却部件接近或接触的位置。
2.如权利要求1所述的负载锁定装置，其特征在于：
所述第一搬送机构，在与外部的搬送臂之间进行基板的交接的交接位置、和与所述第一冷却部件接近或接触的冷却位置之间搬送基板，
所述第二搬送机构，在与外部的搬送臂之间进行基板的交接的交接位置、和与所述第二冷却部件接近或接触的冷却位置之间搬送基板。
3.如权利要求2所述的负载锁定装置，其特征在于：
具备控制部，其控制所述第一搬送机构和所述第二搬送机构，使得在利用所述第一搬送机构和所述第二搬送机构中的任意一方使基板与所述第一冷却部件和所述第二冷却部件中的任意一方接近或接触而冷却基板的期间，利用所述第一搬送机构和所述第二搬送机构中的另一方将基板向所述第一冷却部件和所述第二冷却部件中的另一方搬送。
4.如权利要求1所述的负载锁定装置，其特征在于：
所述第一搬送机构和所述第二搬送机构，具有支承基板的基板支承部和使基板支承部驱动的驱动机构。
5.如权利要求4所述的负载锁定装置，其特征在于：
所述第一搬送机构和所述第二搬送机构分别具有独立的驱动机构。
6.如权利要求4所述的负载锁定装置，其特征在于：
所述第一搬送机构和所述第二搬送机构具有共用的驱动机构。
7.如权利要求1所述的负载锁定装置，其特征在于：
所述第一冷却部件设置在所述容器的下部，从下方冷却基板，
所述第二冷却部件设置在所述容器的上部，从上方冷却基板。
8.如权利要求7所述的负载锁定装置，其特征在于：
所述第一搬送机构具有：相对于所述第一冷却部件能够自由伸出没入地设置的支承销；和使所述支承销升降的驱动机构，
所述第二搬送机构具有：支承基板并且能够与所述第二冷却部件自由接触分离地设置的基板支承部件；和使所述基板支承部件升降的驱动机构。
9.如权利要求8所述的负载锁定装置，其特征在于：
所述第一搬送机构和所述第二搬送机构分别具有独立的驱动机构。
10.如权利要求8所述的负载锁定装置，其特征在于：
所述第一搬送机构和所述第二搬送机构具有共用的驱动机构。
11.一种负载锁定装置的基板冷却方法，所述负载锁定装置用于从大气气氛向保持为真空的真空室搬送基板、并从所述真空室向所述大气气氛搬送高温的基板，该负载锁定装置包括：
容器，其设置为能够使压力在与真空室对应的压力和大气压之间变动；
压力调整机构，其当所述容器内与所述真空室连通时，将所述容器内的压力调整为与所述真空室对应的压力，当所述容器内与所述大气气氛的空间连通时，将所述容器内的压力调整为大气压；
第一和第二冷却部件，其在所述容器内相对地设置，通过与基板接近或接触而冷却基板；
第一搬送机构，其接收被搬送至所述容器内的基板，并将基板搬送至与所述第一冷却部件接近或接触的位置；和
第二搬送机构，其接收被搬送至所述容器内的基板，并将基板搬送至与所述第一冷却部件接近或接触的位置，
所述基板冷却方法包括：
利用所述第一搬送机构和所述第二搬送机构中的任意一方使基板与所述第一冷却部件和所述第二冷却部件中的任意一方接近或接触而冷却基板；和
在该基板的冷却期间，利用所述第一搬送机构和所述第二搬送机构中的另一方将基板向所述第一冷却部件和所述第二冷却部件中的另一方搬送。
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