JP2001267396A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ロードロック室に基板のみを搬入搬出し、前記
ロードロック室で前記基板を冷却可能にすることによ
り、従来の冷却室を不要にして装置コストを低減すると
共に前記基板の搬送処理工程を簡略化且迅速化し、スル
ープットを向上し、生産性及び成膜品質を高める。 【解決手段】基板を搬送する搬送ロボット２を具備する
気密な搬送室１と、該搬送室に連設され基板を処理する
１以上の気密な処理室７，８と、前記搬送室に連設され
た気密なロードロック室３３，３４を有し、該ロードロ
ック室が基板２４を受載可能な所要段数の基板授受プレ
ートを有する基板載置台３７と、前記ロードロック室に
対峙するカセットローダ４５とを具備し、該カセットロ
ーダに保持された基板カセット２３と前記基板載置台と
の間で前記基板授受プレートによる基板の一括移載を可
能とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はシリコンウェーハ等
の基板から半導体素子を製造する半導体製造装置に関
し、特に半導体製造装置での基板の搬送に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造装置は基板の表面に薄膜を生
成し、燐、硼素等の不純物拡散を行い、或はエッチング
等をして、半導体素子を製造するものである。

【０００３】近年、半導体素子の高密度集積化は一層高
くなり、高密度集積化に伴い基板の微細加工の要請も一
層強くなっている。微細加工が進むにつれ、前記基板に
付着される汚染物質や、空気中の酸素又は水分に起因す
る自然酸化膜により前記半導体素子の性能が阻害される
為、前記基板を基板カセットに収納し、該基板カセット
ごと半導体製造装置に搬送及び搬出する様になってい
る。

【０００４】従来の半導体製造装置を図８及び図９に於
いて説明する。

【０００５】６角形状をした搬送室１の周囲に第１ロー
ドロック室５、第１冷却室６、第１処理室７、第２処理
室８、第２冷却室９及び第２ロードロック室１１が放射
状に又気密に設けられ、前記第１ロードロック室５、第
１冷却室６、第１処理室７、第２処理室８、第２冷却室
９及び第２ロードロック室１１と前記搬送室１との間に
は前記ゲートバルブ１２，１３，１４，１５，１６，１
７が設けられている。

【０００６】前記第１ロードロック室５には外部から基
板カセット２３を搬入搬出する為のゲートバルブ１８が
設けられ、該ゲートバルブ１８に対向してカセット授受
装置１９が設けられている。該カセット授受装置１９は
カセットを乗置した状態で水平軸心を中心にカセットを
９０°回転可能なカセット受載ステージ２０を具備して
いる。

【０００７】同様に前記第２ロードロック室１１にゲー
トバルブ２１が設けられ、該ゲートバルブ２１に対向し
てカセット授受装置２２が設けられている。

【０００８】前記第１ロードロック室５の下側にカセッ
ト昇降装置２５が気密に設けられ、該カセット昇降装置
２５は前記第１ロードロック室５内で昇降可能な昇降台
２６を有し、該昇降台２６に前記基板カセット２３が乗
置される様になっている。同様に前記第２ロードロック
室１１にもカセット昇降装置２５が設けられている。

【０００９】前記第１冷却室６及び前記第２冷却室９に
は図示しない載置台が設けられ、前記第１処理室７及び
前記第２処理室８は２枚の基板２４を載置し得る処理ス
テージ（図示せず）を有し、前記基板２４を２枚一括し
て処理可能となっている。

【００１０】図示しない外部搬送装置により前記基板カ
セット２３が前記カセット授受装置１９に搬送される。
前記基板カセット２３は一方が開放された樹脂成型物で
あり、外部搬送中は落下防止の為前記基板２４が垂直と
なる様上向き姿勢である。

【００１１】前記カセット授受装置１９は前記基板カセ
ット２３を受載すると、前記カセット受載ステージ２０
を介して前記基板カセット２３を９０°回転して水平姿
勢とし、更に前記ゲートバルブ１８を通って前記第１ロ
ードロック室５に搬入する。搬入後前記ゲートバルブ１
８が閉じられる。

【００１２】前記第１ロードロック室５がガス置換さ
れ、真空引きされた後、前記ゲートバルブ１２が開かれ
る。

【００１３】前記搬送室１の内部には基板搬送ロボット
２が設けられ、該基板搬送ロボット２は２組の独立して
駆動される２組の搬送アーム３、搬送アーム４を有して
いる。

【００１４】前記搬送アーム３が前記ゲートバルブ１２
を介して前記第１ロードロック室５に挿入され、前記搬
送アーム３により前記基板２４が前記ゲートバルブ１４
を介して前記第１処理室７に搬入される。前記基板２４
の搬入後前記ゲートバルブ１４が閉じられ、前記第１処
理室７で所要の処理がなされる。

【００１５】前記基板２４の処理が完了すると、前記ゲ
ートバルブ１４が開かれ、前記基板搬送ロボット２によ
り前記搬送アーム３が前記第１処理室７に挿入され、処
理済基板２４が保持される。

【００１６】前記処理済基板２４が高温の場合は前記第
１冷却室６に一旦搬入され、該第１冷却室６に於いて所
定の温度迄冷却される。冷却後前記搬送アーム３が再度
挿入され、該搬送アーム３により前記処理済基板２４が
前記ゲートバルブ１２を介して前記第１ロードロック室
５に搬入され、前記基板カセット２３に戻される。

【００１７】前記搬送アーム３が退出した後、前記基板
カセット２３が前記カセット昇降装置２５により所定高
さ毎に昇降され、新しい基板２４が前述と同様の操作に
より搬送及び処理される。

【００１８】前記基板カセット２３内部の全ての基板２
４が処理され、処理済の基板２４が基板カセット２３に
戻された後、前記ゲートバルブ１２が閉塞され、前記第
１ロードロック室５の大気復帰が成される。前記ゲート
バルブ１８が開かれ、前記カセット授受装置１９により
前記基板カセット２３が前述と逆の動作により前記第１
ロードロック室５から搬出され、次に新しい基板カセッ
ト２３が搬入される。

【００１９】前記第２ロードロック室１１、第２処理室
８及び第２冷却室９に於いても前述と同様の操作が並行
して行われる。

【００２０】図１０は他の従来例を示している。

【００２１】図１０中、図９中で示したものと同一のも
のには同符号を付し、その説明を省略する。

【００２２】第１ロードロック室５、第２ロードロック
室１１に共通して連設する気密なカセット収納室５４が
設けられ、該カセット収納室５４の内部には２台のカセ
ットエレベータ５５が設けられ、更に２台のカセットエ
レベータ５５に対してそれぞれウェーハ移載ロボット５
６が設けられている。

【００２３】前記カセット収納室５４のカセットエレベ
ータ５５に基板カセット２３が搬入されると、カセット
収納室５４内が真空引きされ、その後前記第１ロードロ
ック室５、第２ロードロック室１１と前記カセット収納
室５４間が連通され、前記ウェーハ移載ロボット５６に
より前記カセットエレベータ５５と前記第１ロードロッ
ク室５、第２ロードロック室１１間でウェーハの移載が
行われるものである。

【００２４】この従来例では処理直後の高温の基板２４
は前記第１ロードロック室５、第２ロードロック室１１
で保持されるので、該第１ロードロック室５、第２ロー
ドロック室１１内で冷却が可能である。即ち、前記第１
ロードロック室５、第２ロードロック室１１が冷却室を
兼用するというものである。

【００２５】

【発明が解決しようとする課題】前述した前者の従来例
では、前記基板２４が前記第１処理室７又は前記第２処
理室８に於いて加熱処理される場合には、前記基板２４
が高温になる。前記基板カセット２３は合成樹脂であり
耐熱性に問題があるので、前記処理済基板２４を高温の
まま前記基板カセット２３に戻すと、該基板カセット２
３が変形、溶損する虞れがある。

【００２６】従って、前者の従来例では高温の前記処理
済基板２４は前記第１冷却室６又は第２冷却室９に搬
送、一時保管され、一定の温度迄冷却されるのを待っ
て、前記処理済基板２４を再度前記搬送アーム３により
前記第１ロードロック室５又は前記第２ロードロック室
１１内部の前記基板カセット２３に戻さなければならな
い。又、第１処理室７で基板２４を複数枚処理した場合
にも前記第１冷却室６又は第２冷却室９に対する搬送動
作は基板一枚ずつ行うこととなり、搬送効率は上がらな
い。

【００２７】従って、搬送過程に冷却待ち時間があり、
更に搬送工程が多くなることからスループットが低下す
る原因となっていた。又、前記処理済基板２４が搬送
室、冷却室に長く滞留することで自然酸化により膜質が
低下する虞れもあり、更に前記基板カセット２３が半導
体製造装置内に搬入され、前記搬送室１内の雰囲気に触
れること等から、合成樹脂である前記基板カセット２３
から発生するガスにより前記基板２４が汚染される可能
性が高くなるという問題があった。

【００２８】又、前記第１冷却室６及び前記第２冷却室
９を設けなければならない為、装置コストが高くなり、
更に付随して前記搬送室１との水平出しの調整作業も必
要となり、組立て作業も時間が掛かっていた。

【００２９】又、後者の従来例ではロードロック室に汚
染の少ない耐熱部品を使用することができるので、基板
の汚染が低減され、又ロードロック室が冷却室として機
能するので、搬送室内で基板が冷却するのを待つという
時間ロスをなくすことができる。ところが、大型の気密
室であるカセット収納室５４を必要とし、更に２台のカ
セットエレベータ５５、ウェーハ移載ロボット５６を必
要とする等機構が大幅に複雑となり、装置の製作コスト
が増大する。又、搬送経路が長くなり、自然酸化膜の低
減ということでは不利であり、搬送時間が長くなり、ス
ループットが低下するという問題があった。

【００３０】本発明は斯かる実情に鑑み、ロードロック
室に基板のみを搬入搬出し、前記ロードロック室で前記
基板を冷却することを可能にし、従来の冷却室を不要に
して装置コストを低減すると共に前記基板の搬送工程を
簡略化且つ迅速化し、スループットを向上し、生産性及
び成膜品質を高めようとするものである。

【００３１】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板を搬送す
る搬送ロボットを具備する気密な搬送室と、該搬送室に
連設され基板を処理する１以上の気密な処理室と、前記
搬送室に連設された気密なロードロック室を有し、該ロ
ードロック室が基板を受載可能な所要段数の基板授受プ
レートを有する基板載置台と、前記ロードロック室に対
峙するカセットローダとを具備し、該カセットローダに
保持された基板カセットと前記基板載置台との間で前記
基板授受プレートによる基板の一括移載を可能とした半
導体製造装置に係るものである。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。

【００３３】図１〜図７に於いて本発明の実施の形態を
説明する。

【００３４】尚、図１〜図７中、図８及び図９中と同等
のものには同符号を付してある。

【００３５】筐体２７の前面には開閉可能なカセット授
受口（図示せず）が設けられており、該カセット授受口
に臨接し、内側下方にカセットステージ２９が設けら
れ、該カセットステージ２９には基板カセット２３又は
空の基板カセット３０が載置可能である。前記カセット
ステージ２９の上方にカセット棚３１が設けられ、該カ
セット棚３１に前記基板カセット２３又は空の基板カセ
ット３０が一時的に収納可能になっている。前記カセッ
ト棚３１の上方には清浄空気の一様流れを形成するクリ
ーンモジュール３２が設けられている。

【００３６】前記筐体２７の中央部に搬送室１が設置さ
れ、該搬送室１は６角形状の外形を有し、内部に基板搬
送ロボット２が設けられ、該基板搬送ロボット２は２組
の独立して駆動される搬送アーム３、搬送アーム４を有
する。又該搬送アーム３、搬送アーム４はそれぞれ基板
を受載する基板受載腕１０を有する。該基板受載腕１０
は２股フォーク状をしており、後述する基板授受プレー
ト４２と干渉しない形状となっている。而して、前記基
板搬送ロボット２は２枚の基板２４を並行して搬送可能
である。

【００３７】前記搬送室１の隣接する２側壁に第１処理
室７がゲートバルブ１４を介して連設され、第２処理室
８がゲートバルブ１５を介して連設されている。前記第
１処理室７及び前記第２処理室８の内部に図示しない処
理ステージが設けられ、該処理ステージは２枚の基板２
４を載置し、一括して処理可能となっている。

【００３８】前記搬送室１の前記第１処理室７及び前記
第２処理室８との対称位置に第１ロードロック室３３が
ゲートバルブ１２を介して連設され、第２ロードロック
室３４がゲートバルブ１７を介して連設されている。前
記第１ロードロック室３３及び前記第１ロードロック室
３４にはそれぞれ基板２４搬入搬出用のゲートバルブ４
３，４４（後述）が設けられている。

【００３９】前記第１ロードロック室３３の下側に載置
台昇降装置３５が気密に設けられている。該載置台昇降
装置３５は前記第１ロードロック室３３内に前記昇降台
３６を昇降可能且つ回転可能に有している。前記第２ロ
ードロック室３４も図示しない前記載置台昇降装置３５
及び昇降台３６が前記第１ロードロック室３３と同様に
設けられている。

【００４０】前記昇降台３６上に基板載置台３７が取付
けられている。

【００４１】該基板載置台３７は矩形形状のベース板３
８を有し、該ベース板３８の長手方向一端部に支柱３９
が立設され、該支柱３９には基板授受プレート４２が水
平に固着されたコマ４１が所定数（本実施の形態では前
記基板カセット２３の基板収納数の２倍）所定のピッチ
で嵌装されている。

【００４２】前記基板授受プレート４２は短冊形状で、
上面の先端部、基端部に厚肉部が形成され、前記基板２
４を乗置した状態で、接触部が局部に限定される様にな
っている。前記基板授受プレート４２には石英、アルミ
ナ等の耐熱性高清浄材質が用いられる。又、該基板授受
プレート４２の形状は前述した様に前記搬送アーム３の
基板受載腕１０と基板２４との受渡しの際に干渉しない
形状になっている。

【００４３】前記コマ４１には前記基板授受プレート４
２と同様、石英、アルミナ等の耐熱性高清浄材質が用い
られる。前記コマ４１は前記支柱３９に嵌合する嵌装孔
５１が穿設された基部４１ｂと該基部より水平に延出す
る基板保持部４１ａから形成され、該基板保持部４１ａ
は薄肉となっており、該基板保持部４１ａに前記基板授
受プレート４２の固着部４２ａが螺子５０により固着さ
れる様になっている。前記固着部４２ａも薄肉となって
おり、前記基板保持部４１ａに前記固着部４２ａを固着
した状態でも、前記前記基部４１ｂより薄くなってお
り、前記基板授受プレート４２の上下間ピッチは前記基
板保持部４１ａの厚みを選択することで決定される。決
定される前記基板授受プレート４２の上下間ピッチは前
記基板カセット２３内部の図示しない基板積載溝のピッ
チと等しい。

【００４４】尚、前記コマ４１間にスペーサ等を挾設
し、ピッチを調整してもよい。又、前記すべての基板授
受プレート４２の姿勢を一定とする為、前記嵌装孔５１
にキー溝、前記支柱３９にはキー溝に嵌合する突条の様
なものを形成してもよい。

【００４５】前記全ての基板授受プレート４２を前記支
柱３９に嵌装した後、該支柱３９の上端に押え片５２を
螺子により固着する。而して、前記基板載置台３７は、
全体として櫛状になっている。尚、前記押え片５２、螺
子類についても石英、アルミナ等の耐熱性高清浄材質が
用いられる。

【００４６】前記第１ロードロック室３３及び前記第２
ロードロック室３４は前記ゲートバルブ１２、ゲートバ
ルブ１７と対向して前記ゲートバルブ４３、ゲートバル
ブ４４が設けられ、該ゲートバルブ４３、ゲートバルブ
４４が開の状態に於いて前記基板カセット２３が通過可
能である。

【００４７】該ゲートバルブ４３、ゲートバルブ４４と
対向してカセットローダ４５が設置されている。該カセ
ットローダ４５はカセット搬入搬出台４６を有し、該カ
セット搬入搬出台４６にカセット授受装置４７が水平軸
４８を中心に９０°回転可能に設けられ、前記カセット
搬入搬出台４６及び前記カセット授受装置４７は一体に
昇降可能であり、且つ前記第１ロードロック室３３と前
記第２ロードロック室３４との間を横行可能である。更
に前記カセット搬入搬出台４６は基板カセット２３を前
記基板載置台３７対して進退し得る様になっており、前
記基板カセット２３が前記ゲートバルブ４３を通して前
記第１ロードロック室３３又は前記第２ロードロック室
３４に搬入搬出される様になっている。

【００４８】以下、作用について説明する。

【００４９】搬送室１、第１処理室７及び第２処理室８
は真空状態にあり、前記ゲートバルブ４３，４４が開か
れ、第１ロードロック室３３の及び第２ロードロック室
３４は大気開放されている。

【００５０】図示しない外部搬送装置により基板カセッ
ト２３がカセットステージ２９に載置される。前記基板
カセット２３内部の基板２４は上向き姿勢になってい
る。

【００５１】カセットローダ４５によりカセット搬入搬
出台４６が前記基板カセット２３の高さに昇降され、カ
セット授受装置４７が前記基板カセット２３側に直進さ
れ、前記カセット授受装置４７が９０°回転され、該カ
セット授受装置４７に前記基板カセット２３が移行さ
れ、該基板カセット２３内部の基板２４は水平姿勢にな
る。

【００５２】前記第１ロードロック室３３に於いては、
載置台昇降装置３５により昇降台３６及び基板載置台３
７がストロークエンド近く迄下降されており、前記カセ
ット搬入搬出台４６により前記基板カセット２３が前記
ゲートバルブ４３を介して前記第１ロードロック室３３
に搬入され（図４及び図５参照）、前記基板カセット２
３内部の前記基板２４が前記基板載置台３７の上半分の
基板授受プレート４２間に挿入される。該基板授受プレ
ート４２は前記基板２４の下方に近接して位置してい
る。

【００５３】前記基板載置台３７が僅かに上昇される
か、或は前記カセット搬入搬出台４６が僅かに下降され
ると、前記基板２４が前記基板授受プレート４２に移載
される。

【００５４】前記カセット搬入搬出台４６により前記基
板カセット２３が後退されると、全ての基板２４が前記
基板授受プレート４２上に残され（図６参照）、前記基
板カセット２３が空の状態になって前記第１ロードロッ
ク室３３から搬出される。前記空の基板カセット３０は
前記カセットステージ２９又はカセット棚３１に一時的
に戻される。

【００５５】前記昇降台３６及び前記基板載置台３７が
カセット一個分相当の高さ迄上昇され、前述の操作が再
度繰返され、前記基板載置台３７の下半分に前記基板２
４が一括移載される（図７参照）。

【００５６】前記ゲートバルブ４３が閉となり、前記第
１ロードロック室３３が真空引きされる間に、前記載置
台昇降装置３５により前記昇降台３６を介し前記基板授
受プレート４２が前記基板２４と一体に１８０°水平回
転され、該基板授受プレート４２の先端がゲートバルブ
１２に対向する。

【００５７】前記第１ロードロック室３３が真空引きさ
れた後、前記ゲートバルブ１２が開となり、前記基板搬
送ロボット２により前記搬送アーム３が前記ゲートバル
ブ１２を介して前記第１ロードロック室３３に挿入さ
れ、前記搬送アーム３により前記基板授受プレート４２
上の前記基板２４が２枚並行して搬出され、前記搬送ア
ーム３により前記基板２４がゲートバルブ１４を介して
第１処理室７に搬入される。上記した様に基板授受プレ
ート４２は短冊形状であり、前記基板受載腕１０は２股
フォーク状であるので、前記基板授受プレート４２と前
記基板受載腕１０との間での基板２４の受渡しに相互が
干渉することがない。

【００５８】前記ゲートバルブ１４が閉じられ、前記第
１処理室７で前記基板２４に所定の処理が行われる。該
基板２４の処理が完了すると、前記ゲートバルブ１４が
開かれ前記基板搬送ロボット２により前記搬送アーム３
が前記第１処理室７に挿入され、該第１処理室７から処
理済基板２４が搬出される。該処理済基板２４が高温の
場合にもそのまま前記第１ロードロック室３３に搬入さ
れ、前記基板授受プレート４２上に戻される。前記高温
の処理済基板２４は前記基板授受プレート４２上で冷却
される。

【００５９】前記搬送アーム３３が前記第１ロードロッ
ク室３３から退出した後、前記基板載置台３７が前記載
置台昇降装置３５により基板の２ピッチ分ずつ上昇又は
下降され、新しい基板２４が前述と同様の操作により２
枚ずつ順次搬送及び処理され、前記処理済基板２４は順
次前記基板載置台３７に戻され、待機状態となり、待機
する間冷却される。

【００６０】該基板載置台３７上の前記基板カセット２
３の２個分に相当する前記基板２４が処理された後、前
記ゲートバルブ１２が閉となり、第１ロードロック室３
３が大気復帰される。並行して前記載置台昇降装置３５
により前記昇降台３６及び前記基板授受プレート４２が
一体に１８０°水平回転され、該基板授受プレート４２
の先端が前記ゲートバルブ４３に対向され、該基板授受
プレート４２に支持される前記基板２４も同様に１８０
°水平回転される。最後の基板２４が前記基板授受プレ
ート４２上で所定の温度迄冷却されると、前記ゲートバ
ルブ４３が開となり、前記空の基板カセット３０が前述
の基板カセット２３と同様の操作により前記第１ロード
ロック室３３に搬入される。

【００６１】即ち、前記カセットローダ４５により前記
カセット搬入搬出台４６が前記空の基板カセット３０の
高さに昇降され、前記カセット授受装置４７が前記空の
基板カセット３０側に直進され、前記カセット授受装置
４７が９０°回転され、該カセット授受装置４７に前記
空の基板カセット３０が移行される。

【００６２】前記載置台昇降装置３５により前記昇降台
３６及び前記基板載置台３７がストロークエンド近く迄
上昇されており、前記カセット搬入搬出台４６により前
記空の基板カセット３０が前記ゲートバルブ４３を介し
て前記第１ロードロック室３３に搬入され、前記空の基
板カセット３０の図示しない基板積載溝に前記処理済基
板２４が挿入される。尚、この状態では、基板２４は基
板カセットには接触していない。

【００６３】前記基板載置台３７が僅かに下降される
か、或は前記カセット搬入搬出台４６が僅かに上昇され
ると、前記基板２４が前記基板カセット２３に移載され
る。

【００６４】前記カセット搬入搬出台４６により前記基
板カセット２３が後退されると、前記基板カセット２３
が保持可能な数の前記基板２４が一括して前記基板カセ
ット２３に移載され、前記第１ロードロック室３３から
搬出され、前記基板カセット２３は前記カセットステー
ジ２９を経て搬出され或はカセット棚３１に一時的に保
管される。前記基板載置台３７が前記載置台昇降装置３
５により前記基板カセット２３の１個分相当降下し、更
にもう１個の空の基板カセット３０による基板２４の搬
出が行われる。

【００６５】第２ロードロック室３４、第２処理室８及
び第２冷却室９於いても前述と同様の操作が並行して行
われる。

【００６６】従って、前記基板カセット２３の２個分の
前記基板２４が順次処理されつつ前記第１ロードロック
室３３で冷却されるので、前記基板２４の冷却時間が十
分にとれ、前記基板２４への自然酸化膜の生成が防止さ
れ、膜質が向上する。又前記第１ロードロック室３３又
は前記第２ロードロック室３４で前記基板２４が冷却さ
れるので、従来の様な冷却室が不要となる。

【００６７】前記基板載置台３７の構造は簡易且つ軽重
量である為、故障や搬送不良が発生することがなく信頼
性が高い。又メンテナンスも容易であり、設備コストが
節減される。而も前記基板授受プレート４２は耐熱性高
清浄材質であるので基板汚染の虞れもない。

【００６８】前記基板２４及び前記処理済基板２４は前
記第１ロードロック室３３と前記第１処理室６との間或
は前記第２ロードロック室３４と第２処理室８との間を
基板搬送ロボット２により直接搬送されるので、基板搬
送経路が最短になり、スループットが向上し、生産性が
上がる。

【００６９】冷却後の前記処理済基板２４は前記基板載
置台３７と前記基板カセット２３との間の授受により一
括搬出されるので、冷却待ち時間及び移載時間が大幅に
短縮される。例えば従来一般的に使用されている基板移
載機等に比べ移載時間が短縮される。而して、スループ
ットが向上すると共に自然酸化膜の生成が抑制され、膜
質も向上する。

【００７０】上述した様に、本発明は不活性ガス雰囲気
に置換可能で且つ基板が搬入搬出されるロードロック室
と、基板搬送ロボットを有する搬送室と、前記基板搬送
ロボットにより搬送された基板を処理する処理室とを具
備する半導体製造装置に於いて、複数の耐熱性基板授受
プレートを有する基板載置台が前記ロードロック室に昇
降し得る様設けられ、前記基板載置台方向に開口部を向
けた基板カセットがカセット授受装置に搬送され、該基
板カセットと前記基板載置台とが相対的に進退され、前
記基板カセットと前記基板授受プレートとが遊嵌され、
前記基板が授受される半導体製造装置に係り、又前記基
板載置台に対し基板カセットが進退される半導体製造装
置に係るものであり、又ロードロック室の内部で基板カ
セットと基板載置台とが相対的に進退され、前記基板カ
セットと耐熱性基板授受プレートとが遊嵌され、基板が
授受されるので、前記基板カセットの前記基板積載数以
下の範囲で任意の数の基板が一括して前記ロードロック
室に搬入搬出される半導体製造装置に係るものであり、
又前記ロードロック室に於いて、前記基板及び処理済基
板は前記耐熱性基板授受プレートに保持され、前記基板
及び前記処理済基板はロードロック室と処理室との間を
前記基板搬送ロボットにより直接搬送され、前記基板が
順次処理される間に前記処理済基板が冷却される半導体
製造装置に係るものである。

【００７１】尚、本発明の半導体製造装置は、上述の実
施の形態に限定されるものではなく、ロードロック室に
搬入された基板カセットに対し基板載置台を進退させて
基板を授受し得る様にしてもよいこと、基板授受プレー
トはプレート状でなくフォーク状でもよく、前記基板授
受プレートの数は２段以上あればよく複数の基板カセッ
ト分備えてもよいこと、前記基板載置台は石英等の耐熱
性高清浄材質により一体に形成してもよいこと、前記基
板授受プレートを着脱可能として処理枚数に応じて適宜
段数を決定し、前記基板載置台と前記基板カセットとの
間の基板又は処理済基板の授受は２枚以上で前記基板カ
セット１個分の積載数以下の範囲で任意に行えることは
勿論である。

【００７２】

【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、ロード
ロック室の内部で基板カセットと基板載置台とが相対的
に進退され、前記基板カセットと耐熱性基板授受プレー
トとが遊嵌され、基板が授受されるので、基板カセット
積載数以下の範囲で任意の数の基板が一括して前記ロー
ドロック室に搬入搬出され、短時間で基板の授受が行え
る。

【００７３】前記ロードロック室に於いて、前記基板及
び処理済基板は前記耐熱性基板授受プレートに保持され
るので、従来の冷却室が不要となる。

【００７４】基板載置台の構造は簡易且つ軽重量である
為、信頼性が高く、メンテナンスも容易で、設備コスト
が廉価になり、而も耐熱性であるので基板汚染の虞れも
ない。

【００７５】前記基板及び前記処理済基板はロードロッ
ク室と処理室との間を基板搬送ロボットにより直接搬送
されるので、基板搬送経路が最短になり、スループット
が向上し、生産性が上がる。

【００７６】前記基板が順次処理される間に前記処理済
基板が冷却され、冷却後処理済基板は一括搬出されるの
で、冷却待ち時間及び移載時間が大幅に短縮され、スル
ープットが向上すると共に自然酸化膜が生成される虞れ
がなく、膜質も向上する等種々の優れた効果を発揮す
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態を示す側面図である。

【図２】該実施の形態の平面図である。

【図３】該実施の形態に於ける基板載置台の分解斜視図
である。

【図４】該実施の形態に於ける基板カセットの搬送状態
を示す側面図である。

【図５】図４のＡ−Ａ矢視図である。

【図６】該実施の形態に於いて基板授受プレートに基板
が載置された状態を示す平面図である。

【図７】該実施の形態に於いて基板載置台に基板が全て
移載された状態を示す側面図である。

【図８】従来例の側面図である。

【図９】該従来例の平面図である。

【図１０】他の従来例の平面図である。

【符号の説明】 １ 搬送室 ２ 基板搬送ロボット ７ 第１処理室 ８ 第２処理室 １２ ゲートバルブ １４ ゲートバルブ １５ ゲートバルブ １７ ゲートバルブ ２３ 基板カセット ２４ 基板 ２９ カセットステージ ３３ 第１ロードロック室 ３４ 第２ロードロック室 ３５ 載置台昇降装置 ３６ 昇降台 ３７ 基板載置台 ４２ 基板授受プレート ４３ ゲートバルブ ４４ ゲートバルブ ４５ カセットローダ ４６ カセット搬入搬出台 ４７ カセット授受装置

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を搬送する搬送ロボットを具備する
   気密な搬送室と、該搬送室に連設され基板を処理する１
   以上の気密な処理室と、前記搬送室に連設された気密な
   ロードロック室を有し、該ロードロック室が基板を受載
   可能な所要段数の基板授受プレートを有する基板載置台
   と、前記ロードロック室に対峙するカセットローダとを
   具備し、該カセットローダに保持された基板カセットと
   前記基板載置台との間で前記基板授受プレートによる基
   板の一括移載を可能としたことを特徴とする半導体製造
   装置。