KR102431938B1 - 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법 - Google Patents

기판 반송 장치 및 기판 반송 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102431938B1
KR102431938B1 KR1020200076252A KR20200076252A KR102431938B1 KR 102431938 B1 KR102431938 B1 KR 102431938B1 KR 1020200076252 A KR1020200076252 A KR 1020200076252A KR 20200076252 A KR20200076252 A KR 20200076252A KR 102431938 B1 KR102431938 B1 KR 102431938B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
wafer
vacuum
substrate
transfer
Prior art date
Application number
KR1020200076252A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20210004843A (ko
Inventor
게이타 호리우치
고지 마에다
모리히로 다카나시
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20210004843A publication Critical patent/KR20210004843A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102431938B1 publication Critical patent/KR102431938B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G47/00—Article or material-handling devices associated with conveyors; Methods employing such devices
    • B65G47/74—Feeding, transfer, or discharging devices of particular kinds or types
    • B65G47/90—Devices for picking-up and depositing articles or materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Abstract

중간실을 거쳐서 복수의 진공 반송실이 연결된 기판 반송 장치를 소형화한다.
기판을 반송하는 기판 반송 장치에 있어서, 기판을 보지하고 반송하는 기판 반송 기구가 내부에 마련된 복수의 진공 반송실과, 서로 인접하는 상기 진공 반송실 사이에 배설된 중간실을 가지며, 상기 서로 인접하는 상기 진공 반송실의 한쪽을 제 1 진공 반송실, 다른쪽을 제 2 진공 반송실로 했을 때, 상기 중간실과 상기 제 1 진공 반송실 사이에 제 1 기판 반입·반출구, 상기 중간실과 상기 제 2 진공 반송실 사이에 제 2 기판 반입·반출구가 각각 마련되며, 상기 제 1 및 제 2 기판 반입·반출구 중 상기 제 2 기판 반입·반출구에 대해서만 게이트 밸브가 배설되며, 상기 제 1 기판 반입·반출구와, 상기 제 2 상기 기판 반입·반출구에서 높이방향의 위치가 상이하다.

Description

기판 반송 장치 및 기판 반송 방법{SUBSTRATE TRANSFER APPARATUS AND SUBSTRATE TRANSFER METHOD}
본 개시는 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, PVD 공정 등을 위한 프로세스 챔버를 4개 갖는 멀티 클러스터 툴이 개시되어 있다. 이 멀티 클러스터 툴에서는, 로봇 웨이퍼 반송 기구를 포함하는 제 1 트랜스퍼 스페이스와 제 2 트랜스퍼 스페이스가 프리 클린 챔버를 거쳐서 연결되어 있다. 프리 클린 챔버는, 제 1 트랜스퍼 스페이스와 제 2 트랜스퍼 스페이스 사이에서 웨이퍼 반송을 실행하는 패스스루 챔버로서도 이용된다.
일본 특허 공개 제 2001-319842 호 공보
본 개시에 따른 기술은, 중간실을 거쳐서 복수의 진공 반송실이 연결된 기판 반송 장치를 소형화한다.
본 개시된 일 태양은 기판을 반송하는 기판 반송 장치에 있어서, 기판을 보지하고 반송하는 기판 반송 기구가 내부에 마련된 복수의 진공 반송실과, 서로 인접하는 상기 진공 반송실 사이에 배설된 중간실을 가지며, 상기 서로 인접하는 상기 진공 반송실의 한쪽을 제 1 진공 반송실, 다른쪽을 제 2 진공 반송실로 했을 때에, 상기 중간실과 상기 제 1 진공 반송실 사이에 제 1 기판 반입·반출구, 상기 중간실과 상기 제 2 진공 반송실 사이에 제 2 기판 반입·반출구가 각각 마련되며, 상기 제 1 및 제 2 기판 반입·반출구 중 상기 제 2 기판 반입·반출구에 대해서만, 게이트 밸브가 배설되며, 상기 제 1 기판 반입·반출구와, 상기 제 2 기판 반입·반출구에서 높이방향의 위치가 상이하다.
본 개시에 의하면, 중간실을 거쳐서 복수의 진공 반송실이 연결된 기판 반송 장치를 소형화할 수 있다.
도 1은 본 실시형태에 따른 기판 반송 장치로서의 진공 반송 장치를 구비하는 처리 시스템의 일 예를 도시하는 개략 평면도이다.
도 2는 중간실 및 그 주위의 종단면도이다.
도 3은 온도 조절실 및 그 주위의 종단면도이다.
도 4는 도 2의 Ⅳ-Ⅳ 단면, 도 3의 Ⅳ-Ⅳ 단면을 포함하는, 중간실, 온도 조절실 및 그 주위의 횡단면도이다.
도 5는 도 2의 Ⅴ-Ⅴ 단면, 도 3의 Ⅴ-Ⅴ 단면을 포함하는, 중간실, 온도 조절실 및 그 주위의 횡단면도이다.
반도체 디바이스 등의 제조 프로세스에 있어서는, 예를 들면 반도체 웨이퍼(이하, "웨이퍼"라 함)에 대한 성막 처리 등의 각종 처리가 개별의 진공 처리실 내에서 실행된다. 성막 처리 등은 1매의 웨이퍼에 대하여 필요에 따라서 다수 실행된다. 그 때문에, 스루풋 등의 향상을 목적으로 하여, 각각 동일 또는 상이한 복수의 처리가 실행되는 진공 처리실을 공통의 진공 반송 장치를 거쳐서 서로 접속하는 것에 의해, 웨이퍼를 대기에 노출시키는 일이 없이 각종 처리를 연속적으로 실행하는 처리 시스템이 있다. 진공 반송 장치란, 진공 분위기 하에서 웨이퍼를 반송하는 장치이다.
상술의 처리 시스템에서는 진공 반송 장치로서, 웨이퍼를 보지하고 반송하는 반송 기구가 마련된 복수의 진공 반송실이 중간실을 거쳐서 연결된 장치가 이용되는 경우가 있다. 예를 들면 특허문헌 1의 멀티 클러스터 툴에서는, 로봇 웨이퍼 반송 기구를 포함하는 제 1 트랜스퍼 스페이스와 제 2 트랜스퍼 스페이스가 패스스루 챔버로서도 이용되는 프리 클린 챔버를 거쳐서 연결되어 있다.
또한, 종래 상술하는 바와 같이 중간실을 거쳐서 복수의 진공 반송실이 연결된 진공 반송 장치에서는, 진공 반송실의 연결방향에 관계하는 중간실의 양단에 게이트 밸브가 마련되어 있다.
진공 반송 장치에 상술하는 바와 같이 중간실을 마련하는 것에 의해, 진공 처리실을 거치지 않고, 반송실 사이에서 웨이퍼(W)의 주고받음을 실행할 수 있게 되는 등의 이점도 있지만, 진공 반송 장치의 풋프린트가 증대하여, 상기 진공 반송 장치를 구비하는 처리 시스템의 풋프린트도 증대되어 버린다.
그래서, 본 개시에 따른 기술은 중간실을 거쳐서 복수의 진공 반송실이 연결된 기판 반송 장치를 소형화한다.
이하, 본 실시형태에 따른 기판 반송 장치의 구성에 대해 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 본 명세서에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 요소에 대해서는 동일한 부호를 부여하는 것에 의해 중복 설명을 생략한다.
도 1은 본 실시형태에 따른 기판 반송 장치로서의 진공 반송 장치를 구비하는 처리 시스템의 일 예를 도시하는 개략 평면도이다. 이하에서는, 처리 시스템(1)이 자기 저항 소자의 제조에 이용되는 시스템이며, 기판으로서의 웨이퍼(W)에 미리 정해진 처리로서의 성막 처리를 실행하는 진공 처리실을 구비하는 경우에 대해서 설명한다.
처리 시스템(1)은 복수의 웨이퍼(W)를 수용 가능한 카세트(C)가 반입·반출되는 카세트 스테이션(10)과, 웨이퍼(W)에 성막 처리를 실시하는 처리 모듈을 복수 구비한 처리 스테이션(11)을 일체로 접속한 구성을 갖고 있다. 카세트 스테이션(10)과 처리 스테이션(11)은 2개의 로드록실(12, 13)을 거쳐서 연결되어 있다. 로드록실(12, 13)은 후술하는 대기압 반송 장치(21)와 진공 반송 장치(30)를 연결하도록 마련되어 있다. 로드록실(12, 13)은, 그 내부를 대기압 상태와 진공 상태로 전환되도록 구성되어 있다.
카세트 스테이션(10)은 카세트 탑재대(20)와 대기압 반송 장치(21)를 갖고 있다. 또한, 카세트 스테이션(10)에는 추가로 웨이퍼(W)의 방향을 조절하는 오리엔터(도시하지 않음)가 마련되어 있어도 좋다.
카세트 탑재대(20)는 처리 시스템(1)의 Y방향 부방향(도 1의 하방향)측의 단부에 마련되어 있다. 카세트 탑재대(20)에는, 카세트(C)를 복수, 예를 들면 3개 탑재할 수 있도록 되어 있다.
대기압 반송 장치(21)는, 웨이퍼 반송 기구(도시하지 않음)에 의해 웨이퍼(W)를 대기압 상태로 반송한다. 웨이퍼 반송 기구는 웨이퍼(W)를 대략 수평으로 보지하는 반송 아암을 가지며, 이 반송 아암은 수평방향으로 신축 및 선회 가능하게 구성되며, 또한, 연직방향으로 승강 가능하게 구성되어 있다. 그리고, 웨이퍼 반송 기구는, 이 반송 아암에 의해 웨이퍼(W)를 보지하면서 반송하는 구성으로 되어 있다.
또한, 대기압 반송 장치(21)의 Y방향 정방향(도 1의 상방향)측에는, 게이트 밸브(G1, G2)를 거쳐서 로드록실(12, 13)이 접속되어 있다. 또한, 로드록실(12, 13)의 Y방향 정방향측에는 게이트 밸브(G3, G4)를 거쳐서 처리 스테이션(11)의 진공 반송 장치(30), 구체적으로는 후술의 진공 반송실(311)이 접속되어 있다.
처리 스테이션(11)은 진공 반송 장치(30)와, 복수(본 예에서는 6개)의 진공 처리실(401 내지 406)(이하, 통합하여 "진공 처리실(40)"이라 하는 경우가 있음)을 갖고 있다. 진공 반송 장치(30) 및 진공 처리실(40)의 내부는 각각, 처리 시스템(1)에서의 웨이퍼(W)에 대한 일련의 처리 중에 있어서, 대기압보다 감압된 분위기(진공 분위기)로 유지된다.
진공 반송 장치(30)는, 중간실(32)을 거쳐서 복수(본 예에서는 3개)의 진공 반송실(311 내지 313)(이하, 통합하여 "진공 반송실(31)"이라 하는 경우가 있음)을 연결한 것이다. 또한, 진공 반송 장치(30)는 도면의 Y방향을 따라서 복수 마련된 진공 반송실(31)과, 서로 인접하는 진공 반송실(31) 사이 등에 배설된 중간실(321 내지 323)(이하, 통합하여 "중간실(32)"이라 하는 경우가 있음) 및 온도 조절실(331 내지 333)(이하, 통합하여 "온도 조절실(33)"이라 하는 경우가 있음)이 일체화된 것이다. 진공 반송실(31), 중간실(32) 및 온도 조절실(33)은 각각, 평면에서 보아 대략 다각형상을 이루도록 형성된 밀폐 가능한 구조의 하우징을 갖고 있으며, 진공 반송 장치(30)는, 이들 하우징이 일체화된 하우징(후술의 도 2의 도면부호(30a)참조)을 갖고 있다.
진공 반송 장치(30)의 장치 폭방향인 X방향의 부방향(도면의 좌측방향) 외측에 있어서, 진공 반송실(31)의 연결 방향이며 장치 안길이 방향인 Y방향(도면의 상하방향)을 따라서 진공 처리실(401 내지 403)이 배설되어 있으며, 각각 대응하는 진공 반송실(31)에 접속되어 있다. 구체적으로는, 진공 처리실(401)이 게이트 밸브(G11, G12)를 거쳐서 진공 반송실(311), 진공 반송실(312)에 접속되며, 진공 처리실(402)이 게이트 밸브(G13, G14)를 거쳐서 진공 반송실(312), 진공 반송실(313)에 접속되며, 진공 처리실(403)이 게이트 밸브(G15)를 거쳐서 진공 반송실(313)에 접속되어 있다.
또한, 진공 반송 장치(30)의 X방향 정방향(도면의 우측방향) 외측에 있어서, Y방향(도면의 상하방향)을 따라서 진공 처리실(404 내지 406)이 배설되어 있으며, 각각 대응하는 진공 반송실(31)에 접속되어 있다. 구체적으로는, 진공 처리실(404)이 게이트 밸브(G16)를 거쳐서 진공 반송실(313)에 접속되며, 진공 처리실(405)이 게이트 밸브(G17, G18)를 거쳐서 진공 반송실(313), 진공 반송실(312)에 접속되며, 진공 처리실(406)이 게이트 밸브(G19, G20)를 거쳐서 진공 반송실(312), 진공 반송실(311)에 접속되어 있다.
진공 반송실(31)은 각각, 상기 진공 반송실(31)에 인접하는 모듈(진공 처리실(40)이나 중간실(32), 온도 조절실(33), 로드록실(12, 13)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 상기 진공 반송실(31)에 인접하는 다른 모듈에 웨이퍼(W)를 반송한다.
또한, 각 진공 반송실(31)의 내부에는, 웨이퍼(W)를 반송하는 웨이퍼 반송 기구(50)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(50)는 웨이퍼(W)를 대략 수평으로 보지하는 반송 아암(51)을 갖고 있다. 반송 아암(51)은 수평방향으로 신축 및 선회 가능하게 구성되어 있다. 또한, 웨이퍼 반송 기구(50)는 반송 아암(51)의 하방에 마련된 승강부(52)를 갖고 있다. 승강부(52)에 의해, 반송 아암(51)은 연직방향으로 승강 가능하게 구성되어 있다. 그리고, 웨이퍼 반송 기구(50)는 반송 아암(51)에 의해 웨이퍼(W)를 보지하면서 반송하는 구성으로 되어 있다. 또한, 이하에서는, 웨이퍼 반송 기구(50n), 반송 아암(51n)(n=1~3)은 진공 반송실(31n)에 마련된 웨이퍼 반송 기구(50), 상기 웨이퍼 반송 기구(50)가 갖는 반송 아암(51)을 의미한다.
또한, 각 진공 반송실(31)에는, 진공 반송 장치(30)의 외부의 모듈(진공 처리실(40)이나 로드록실(12, 13)) 사이에서 웨이퍼(W)를 주고받기 위한 개구(후술의 도 4의 도면부호(34) 참조)가 마련되어 있다.
중간실(32)은 예를 들면 인접하는 진공 반송실(31) 사이에서의 웨이퍼(W)의 주고받음시에 중계부로서 이용되는 모듈이다. 중간실(32)의 내부 공간을 거쳐서, 인접하는 진공 반송실(31)의 내부 공간끼리가 연통되어 있으며, 이에 의해 상기 주고받음을 가능하게 하고 있다.
진공 반송 장치(30)는 이 중간실(32)을 Y방향(도면의 상하방향)을 따라서, 본 예에서는 3개(Y방향 부방향(도면의 하방향)측으로부터 순서대로 중간실(321), 중간실(322), 중간실(323)) 갖고 있다. 또한, 중간실(323)은 처리 시스템(1)의 구성 상, 진공 반송실(31) 사이에 마련되어 되어 있지 않지만, 중간실(321), 중간실(322)과 마찬가지의 구성을 갖기 때문에, 본 명세서에서는 "중간실"로 하여 설명한다.
또한, 복수의 중간실(32)의 일부 또는 전체는 상기 중간실(32)에 반입된 웨이퍼(W)의 실온으로의 온도 조절 기능을 갖는다. 구체적으로는, 복수의 중간실(32)의 일부 또는 전체는 상기 중간실(32)에 반입된 웨이퍼(W)를 실온까지 냉각 또는 온도 상승시키는 기능을 갖는다. 또한, 이하에서는 중간실(321 내지 323) 중, 중간실(322 및 323)만이 이 실온으로의 온도 조절 기능을 갖는 것으로 한다.
중간실(32)의 구체적인 구성에 대해서는 후술한다.
온도 조절실(33)은 웨이퍼(W)를 실온보다 고온 또는 저온으로 온도 조절하는 처리를 실행하는 모듈이다. 구체적으로는, 온도 조절실(33)은 실온보다 높은 소망의 온도까지 웨이퍼(W)를 가열하거나, 상기 온도로 웨이퍼(W)를 유지하는 고온 가열 처리나, 실온보다 낮은 소망의 온도까지 냉각하거나, 상기 온도로 웨이퍼(W)를 유지하는 저온 냉각 처리를 실행하는 모듈이다.
진공 반송 장치(30)는 이 온도 조절실(33)을 Y방향(도면의 상하방향)을 따라서, 본 예에서는 3개(Y방향 부방향(도면의 하방향)측으로부터 순서대로, 온도 조절실(331), 온도 조절실(332), 온도 조절실(333)) 갖고 있다. 또한, 이하의 설명에서는 온도 조절실(331 내지 333) 중, 온도 조절실(332) 및 온도 조절실(333)이 상기 고온 가열 처리를 실행하고, 온도 조절실(331)이 상기 저온 냉각 처리를 실행하는 것으로 한다.
온도 조절실(33)의 구체적인 구성에 대해서는 후술한다.
또한, 온도 조절실(331)과 중간실(321)은 장치 폭방향인 X방향(도면의 좌우방향)에 있어서 서로 인접하도록 마련되어 있다. 온도 조절실(332)과 중간실(322), 온도 조절실(333)과 중간실(323)도 동일하게 마련되어 있다.
진공 처리실(40)은 웨이퍼(W)에 대해 PVD 처리 등의 성막 처리를 실시한다. 진공 처리실(40) 내에는, 웨이퍼(W)가 수평으로 탑재되는 탑재대(41)가 마련되어 있다. 탑재대(41)의 상부에는 필요에 따라서 정전 척이 마련되어 있다. 또한, 탑재대(41)에는 상기 탑재대(41)를 소망의 온도로 조정하여 상기 탑재대(41)에 탑재된 웨이퍼(W)를 소망의 온도로 조절하기 위한 온도 조절 기구(도시하지 않음)로서 열판이나, 온조 매체의 유로가 마련되어 있다.
또한, 예를 들면 진공 처리실(401)에서는, 탑재대(41)가 실온으로 온도 조절되어 전극층 또는 하지층으로서 Ta막이 형성되며, 진공 처리실(402)에서는 탑재대(41)가 고온으로 온도 조절되어 자기 저항 소자의 고정층으로서 Co막이나 Pt막이 형성되며, 진공 처리실(403)에서는 탑재대(41)가 실온으로 온도 조절되어 참조층으로서 CoFeB막이 형성된다. 또한, 예를 들면 진공 처리실(404)에서는, 탑재대(41)가 고온으로 온도 조절되어 배리어층으로서 MgO막이 형성되고, 진공 처리실(405)에서는, 탑재대(41)가 극저온으로 온도 조절되어 자유층으로서 CoFeB막이 형성되고, 진공 처리실(406)에서는, 탑재대(41)가 실온으로 온도 조절되어 캡층 또는 전극층으로서 Ta막이나 Ru막이 형성된다.
이상과 같이 구성되는 처리 시스템(1)에는, 제어부(60)가 마련되어 있다. 제어부(60)는, 예를 들면 CPU나 메모리 등을 구비한 컴퓨터에 의해 구성되며, 프로그램 격납부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 격납부에는, 처리 시스템(1)에 있어서의 후술의 웨이퍼 처리를 실현하기 위한 프로그램 등이 격납되어 있다. 또한, 상기 프로그램은 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것이며, 상기 기억 매체로부터 제어부(60)에 인스톨된 것이어도 좋다. 또한, 프로그램의 일부 또는 전체는 전용 하드웨어(회로 기판)로 실현되어도 좋다.
이어서, 중간실(32) 및 온도 조절실(33)에 대해서 보다 구체적으로 설명한다.
도 2는 도 1의 중간실(322) 및 그 주위의 종단면도이다. 도 3은 온도 조절실(332) 및 그 주위의 종단면도이다. 도 4는 도 2의 Ⅳ-Ⅳ 단면, 도 3의 Ⅳ-Ⅳ 단면을 포함하는 중간실(322), 온도 조절실(332) 및 그 주위의 횡단면도이다. 도 5는 도 2의 Ⅴ-Ⅴ 단면, 도 3의 Ⅴ-Ⅴ 단면을 포함하는 중간실(322), 온도 조절실(332) 및 그 주위의 횡단면도이다.
중간실(322)은 도 2에 도시하는 바와 같이, 진공 반송실(312)과의 사이에 제 1 웨이퍼 반입·반출구(101)가 마련되어 있으며, 진공 반송실(313)과의 사이에 제 2 웨이퍼 반입·반출구(102)가 마련되어 있다. 제 1 웨이퍼 반입·반출구(101)에 의해, 중간실(322)의 내부 공간과 진공 반송실(312)의 내부 공간이 연통되며, 제 2 웨이퍼 반입·반출구(102)에 의해, 중간실(322)의 내부 공간과 진공 반송실(313)의 내부 공간이 연통되어 있다.
이들 제 1 웨이퍼 반입·반출구(101) 및 제 2 웨이퍼 반입·반출구(102) 중, 제 2 웨이퍼 반입·반출구(102)에만 게이트 밸브(G31)가 배설되어 있다.
즉, 진공 반송실(31)의 연결방향(도면의 좌우방향)에 관하여 중간 장치(322)에는, 그 양단에 웨이퍼 반입·반출구(101, 102)가 마련되어 있지만, 일단에 마련된 제 2 웨이퍼 반입·반출구(102)에만 게이트 밸브(G31)가 배설되어 있다.
또한, 제 1 웨이퍼 반입·반출구(101)와 제 2 웨이퍼 반입·반출구(102)에서는 높이방향의 위치가 상이하다.
중간실(322)의 내부에는 웨이퍼(W)가 수평으로 탑재되는, 평면에서 보아 원형의 탑재대(110)가 마련되어 있다. 탑재대(110)의 상부에는 정전 척(111)이 마련되어 있다. 또한, 탑재대(110)의 내부에는 웨이퍼(W)를 실온으로 냉각하기 위한 냉각 기구(112)가 마련되어 있다. 냉각 기구(112)는 예를 들면 냉각수의 유로로 구성된다.
또한, 탑재대(110)의 하면 중앙부에는 상하방향으로 연장되는 지지 부재(113)의 상단부가 접속되어 있다. 지지 부재(113)의 하단부는 하우징(30a)의 저벽에 접속되어 있다.
중간실(322)의 내부에 있어서의 탑재대(110)의 하방에는, 기판 승강 기구로서의 웨이퍼 승강 기구(120)가 배설되어 있다. 웨이퍼 승강 기구(120)는 웨이퍼 승강 부재(121)와 지지 기둥(122)과 승강 기구(123)를 갖는다. 웨이퍼 승강 부재(121)의 상면측에는 상하방향으로 연장되는 지지 핀(121a)이 복수, 예를 들면 3개 마련되어 있다. 또한, 지지 기둥(122)은 상하방향으로 연장되고, 그 상단이 웨이퍼 승강 부재(121)의 하면에 접속되며, 그 하단이 승강 기구(123)에 접속되어 있다. 승강 기구(123)는 웨이퍼 승강 부재(121)를 상하방향으로 구동한다. 승강 기구(123)의 구동에 의해 웨이퍼 승강 부재(121)가 상하동하는 것에 의해, 지지핀(121a)이 탑재대(110)에 마련된 관통 구멍(110a)을 거쳐서 상기 탑재대(110)의 상면으로부터 돌몰(突沒)된다. 또한, 웨이퍼 승강 부재(121)가 상하동하고, 지지 핀(121a)이 상하동하는 것에 의해, 제 1 웨이퍼 반입·반출구(101)나 제 2 웨이퍼 반입·반출구(102)로부터 삽입되는 웨이퍼 반송 기구(50)의 반송 아암(51)과 상기 지지 핀(121a) 사이나, 탑재대(110)와 상기 지지 핀(121a) 사이에서 웨이퍼(W)의 주고받음을 실행할 수 있다.
한편, 온도 조절실(332)은, 도 3에 도시하는 바와 같이, 상기 온도 조절실(332)에 인접하는 진공 반송실(312, 313) 중, 진공 반송실(312)과의 사이에만, 제 3 웨이퍼 반입·반출구(201)가 마련되어 있으며, 진공 반송실(313)과의 사이에는, 웨이퍼 반입·반출구가 마련되어 있지 않다. 제 3 웨이퍼 반입·반출구(201)에 의해, 온도 조절실(332)의 내부 공간과 진공 반송실(312)의 내부 공간이 연통되어 있다.
이 제 3 웨이퍼 반입·반출구(201)에는 게이트 밸브(G32)가 마련되어 있다.
또한, 제 3 웨이퍼 반입·반출구(201)의 높이방향의 위치는 중간실(322)의 제 2 웨이퍼 반입·반출구(102)와 대략 동일하며, 또한 중간실(322)의 제 1 웨이퍼 반입·반출구(101)와는 상이하다.
온도 조절실(332)의 내부에는, 웨이퍼(W)가 수평으로 탑재되는, 평면에서 보아 원형의 탑재대(210)가 마련되어 있다. 탑재대(210)의 상부에는, 정전 척(211)이 마련되어 있다. 또한, 탑재대(210)의 내부에는, 웨이퍼(W)를 실온보다 높은 소망의 온도로 가열하거나, 상기 온도로 웨이퍼(W)를 유지하기 위한 가열 기구(212)가 마련되어 있다. 가열 기구(212)는 예를 들면 저항 가열 히터로 구성된다.
또한, 탑재대(210)의 하면 중앙부에는 상하방향으로 연장되는 지지 부재(213)의 상단부가 접속되어 있다. 지지 부재(213)의 하단부는 온도 조절실(332)의 하우징의 저벽에 접속되어 있다.
온도 조절실(332)의 내부에 있어서의 탑재대(210)의 하방에는, 웨이퍼 승강 기구(220)가 배설되어 있다. 웨이퍼 승강 기구(220)는 웨이퍼 승강 부재(221), 지지 기둥(222), 승강 기구(223)를 갖는다. 웨이퍼 승강 부재(221)의 상면측에는 상하방향으로 연장되는 지지 핀(221a)이 복수, 예를 들면 3개 마련되어 있다. 또한, 지지 기둥(222)은 상하방향으로 연장되며, 그 상단이 웨이퍼 승강 부재(221)의 하면에 접속되며, 그 하단이 승강 기구(223)에 접속되어 있다. 승강 기구(223)는 웨이퍼 승강 부재(221)를 상하방향으로 구동한다. 승강 기구(223)의 구동에 의해 웨이퍼 승강 부재(221)가 상하동하는 것에 의해, 지지 핀(221a)이 탑재대(210)에 마련된 관통 구멍(210a)을 거쳐서 상기 탑재대(210)의 상면으로부터 돌몰된다. 또한, 웨이퍼 승강 부재(221)가 상하동하여, 지지 핀(221a)이 상하동하는 것에 의해, 제 3 웨이퍼 반입·반출구(201)로부터 삽입되는 웨이퍼 반송 기구(50)의 반송 아암(51)과 상기 지지 핀(221a) 사이나, 탑재대(210)와 상기 지지 핀(221a) 사이에서 웨이퍼(W)의 주고받음을 실행할 수 있다.
또한, 온도 조절실(332) 내의 탑재대(210)의 중심으로부터 웨이퍼 반송 기구(50)의 회전 중심까지의 거리와, 중간실(322) 내의 탑재대(110)의 중심으로부터 웨이퍼 반송 기구(50)의 회전 중심까지의 거리는, 웨이퍼 반송 기구(50)의 회전 중심으로부터 진공 처리실(40)의 탑재대(41)의 중심까지의 거리 이하로 되어 있다. 즉, 온도 조절실(332) 내의 탑재대(210), 중간실(322) 내의 탑재대(110)는 웨이퍼 반송 기구(50)의 아암 선회 범위 내에 마련되어 있다.
또한, 온도 조절실(332)에 대하여 마련된 게이트 밸브(G32)는 제 1 웨이퍼 반입·반출구(101)에 대한 웨이퍼(W)의 반송 레벨에는 존재하지 않도록 마련되어 있다. 환언하면, 게이트 밸브(G32)는 도 3 및 도 4에 도시하는 바와 같이, 제 1 웨이퍼 반입·반출구(101)와 동일 수평면 상에는 존재하지 않도록 마련되어 있다. 구체적으로는, 게이트 밸브(G32)는 제 1 웨이퍼 반입·반출구(101)와 동일 수평면 상에는 존재하지 않도록 진공 반송 장치(30)에 있어서의 상측에 배설되어 있다. 따라서, 도 5에 도시하는 바와 같이, 평면에서 본 장치 폭방향인 X방향에 관하여, 게이트 밸브(G32)와 제 1 웨이퍼 반입·반출구(101)가 서로의 일부가 중첩되도록 배설되어 있어도, 제 1 웨이퍼 반입·반출구(101)를 거친 웨이퍼(W)의 반입·반출이 방해받는 일이 없다.
전술과 같이, 제 2 웨이퍼 반입·반출구(102) 및 제 3 웨이퍼 반입·반출구(201)에는 게이트 밸브(G31, G32)가 마련되며, 제 1 웨이퍼 반입·반출구(101)에는 게이트 밸브는 마련되어 있지 않다. 이것은 중간실(322)과 온도 조절실(332)에서는 게이트 밸브(G31, G32)가 진공 반송실(31)의 연결방향, 즉 장치 안길이 방향(Y방향)에 관하여 서로 상이한 측에 마련되며, 게이트 밸브(G31, G32)는 또한 장치 폭방향(X방향)에서 상이한 위치에 마련되는 것을 의미한다.
또한, 진공 반송실(31)에는 진공 처리실(40)이나 로드록실(12, 13)에 대한 개구(34)가 복수 마련되어 있으며, 이들 개구(34)는 제 1 웨이퍼 반입·반출구(101)와 높이방향의 위치가 동일하며, 즉 제 1 웨이퍼 반입·반출구(101)와 동일 수평면 내에 있다. 그리고, 제 1 웨이퍼 반입·반출구(101) 및 개구(34)와, 제 2 웨이퍼 반입·반출구(102) 및 제 3 웨이퍼 반입·반출구(201)에서는 높이방향의 위치가 상이하다. 이 높이방향의 위치의 상이에 대응하기 위해, 각 진공 반송실(31)의 웨이퍼 반송 기구(50)에는 전술과 같이 승강부(52)가 마련되어 있다. 예를 들면 중간실(322)이나 온도 조절실(332)로부터 제 2 웨이퍼 반입·반출구(102)나 제 3 웨이퍼 반입·반출구(201)를 거쳐서 반출된 웨이퍼(W)를 승강부(52)에 의해 하방으로 이동시킬 수 있으며, 이에 의해, 상기 웨이퍼(W)를 개구(34)를 거쳐서 진공 처리실(40)에 반입할 수 있다.
중간실(321, 323)의 구조는 중간실(322)과 마찬가지이며, 온도 조절실(331, 333)의 구조는 온도 조절실(332)과 마찬가지이기 때문에, 이들 설명은 생략한다. 단, 중간실(321)에 대해서는 탑재대(110)나 그 지지 부재(113)는 생략하여도 좋으며, 중간실(323)에 대해서는 제 2 웨이퍼 반입·반출구(102)와 게이트 밸브(G31)는 생략하여도 좋다. 또한, 온도 조절실(331)에는 가열 기구(212) 대신, 웨이퍼(W)를 실온보다 낮은 소망의 온도로 냉각하거나, 상기 온도로 웨이퍼(W)를 유지하기 위한 냉각 기구가 마련되어 있다. 상기 냉각 기구는 예를 들면 0℃ 미만의 냉매의 유로로 구성된다.
다음에, 이상과 같이 구성된 처리 시스템(1)을 이용한 웨이퍼 처리에 대해 설명한다.
먼저, 복수의 웨이퍼(W)를 수납한 카세트(C)가 처리 시스템(1)의 카세트 스테이션(10)에 반입되고, 카세트 탑재대(20)에 탑재된다. 그 후, 대기압 반송 장치(21)의 웨이퍼 반송 기구(도시하지 않음)에 의해 카세트(C)로부터 1매의 웨이퍼(W)가 취출되고, 게이트 밸브(G1)가 개방되고, 상기 웨이퍼(W)가 로드록실(12) 내에 반입된다. 로드록실(12) 내에 웨이퍼(W)가 반입되면, 게이트 밸브(G1)가 폐쇄되고 로드록실(12) 내가 밀폐되어 감압된다. 그 후, 게이트 밸브(G3)가 개방되고, 로드록실(12)과 미리 진공 분위기로 된 진공 반송실(311)이 연통된다. 그리고, 웨이퍼 반송 기구(501)의 반송 아암(511)에 의해, 웨이퍼(W)가 로드록실(12)로부터 반출되고, 진공 반송실(311) 내에 반입된다.
이어서, 게이트 밸브(G3)가 폐쇄되는 동시에, 게이트 밸브(G11)가 개방되고, 진공 반송실(311)과 진공 처리실(401)이 연통된다. 그리고, 웨이퍼 반송 기구(501)의 반송 아암(511)이나 진공 처리실(401) 내의 웨이퍼 승강 기구(도시하지 않음) 등을 이용하여, 웨이퍼(W)가 진공 처리실(401) 내의 상온의 탑재대(41)에 탑재된다.
또한, 진공 반송실(311)에 대해, 웨이퍼(W)를 가열하고 웨이퍼(W)로부터 탈가스시키는 디가스 처리를 실행하는 디가스실(도시하지 않음)을 마련하고, 진공 처리실(401)에 웨이퍼(W)를 반입하기 전에, 상기 디가스실에서 상기 웨이퍼(W)에 대해 디가스 처리를 실시하여도 좋다.
상술의 탑재대(41)로의 탑재 후, 게이트 밸브(G11)가 폐쇄되고, 진공 처리실(401)이 밀폐된 후에, 상기 진공 처리실(401) 내에서 웨이퍼(W)에 대해 성막 처리가 실행되어, 웨이퍼(W) 상에 예를 들면 전극층 또는 하지층으로서 Ta막이 형성된다.
진공 처리실(401)에서의 처리가 종료되면, 게이트 밸브(G12)가 개방되고, 진공 처리실(401)과 진공 반송실(312)이 연통된다. 그리고, 웨이퍼 반송 기구(502)의 반송 아암(512)에 의해 웨이퍼(W)가 진공 처리실(401)로부터 반출되고, 진공 반송실(312) 내에 반입된다.
이어서, 게이트 밸브(G12)가 폐쇄되는 동시에 게이트 밸브(G13)가 개방되고, 진공 반송실(312)과 진공 처리실(402)이 연통된다. 그리고, 웨이퍼 반송 기구(502)의 반송 아암(512)이나 진공 처리실(402) 내의 웨이퍼 승강 기구(도시하지 않음) 등을 이용하여, 웨이퍼(W)가 진공 처리실(402) 내의 미리 고온이 된 탑재대(41)에 탑재된다.
탑재 후, 게이트 밸브(G13)가 폐쇄되고, 진공 처리실(402)이 밀폐된 후에, 상기 진공 처리실(402) 내에서 웨이퍼(W)에 대해 성막 처리가 실행되어, 웨이퍼(W) 상에 예를 들면 자기 저항 소자의 고정층으로서 Co막이나 Pt막이 형성된다.
진공 처리실(402)에 있어서의 처리가 종료되면, 게이트 밸브(G14)가 개방되고, 진공 처리실(402)과 진공 반송실(313)이 연통된다. 그리고, 웨이퍼 반송 기구(503)의 반송 아암(513)에 의해, 웨이퍼(W)가 진공 처리실(402)로부터 반출되고, 진공 반송실(313) 내에 반입된다.
이어서, 게이트 밸브(G14)가 폐쇄되는 동시에 게이트 밸브(G15)가 개방되고, 진공 반송실(313)과 진공 처리실(403)이 연통된다. 그리고, 웨이퍼 반송 기구(503)의 반송 아암(513)이나 진공 처리실(403) 내의 웨이퍼 승강 기구(도시하지 않음) 등을 이용하여, 웨이퍼(W)가 진공 처리실(403) 내의 상온의 탑재대(41)에 탑재된다.
탑재 후, 게이트 밸브(G15)가 폐쇄되고, 진공 처리실(403)이 밀폐된 후에, 상기 진공 처리실(403) 내에서 웨이퍼(W)에 대해 성막 처리가 실행되어, 웨이퍼(W) 상에 예를 들면 참조층으로서 CoFeB막이 형성된다.
진공 처리실(403)에 있어서의 처리가 종료되면, 게이트 밸브(G15)가 개방되고, 진공 처리실(403)과 진공 반송실(313)이 연통된다. 그리고, 웨이퍼 반송 기구(503)의 반송 아암(513)에 의해, 웨이퍼(W)가 진공 처리실(403)로부터 반출되고, 진공 반송실(313) 내에 반입된다.
이어서, 게이트 밸브(G15)가 폐쇄되는 동시에, 게이트 밸브(G16)가 개방되고, 진공 반송실(313)과 진공 처리실(404)이 연통된다. 그리고, 웨이퍼 반송 기구(503)의 반송 아암(513)이나 진공 처리실(404) 내의 웨이퍼 승강 기구(도시하지 않음) 등을 이용하여, 웨이퍼(W)가 진공 처리실(404) 내의 미리 고온이 된 탑재대(41)에 탑재된다.
탑재 후, 게이트 밸브(G16)가 폐쇄되고 진공 처리실(404)이 밀폐된 후에, 상기 진공 처리실(404) 내에서 웨이퍼(W)에 대해 성막 처리가 실행되어, 웨이퍼(W) 상에 예를 들면 배리어층으로서 MgO막이 형성된다.
진공 처리실(404)에 있어서의 처리가 종료되면, 게이트 밸브(G16)가 개방되고, 진공 처리실(404)과 진공 반송실(313)이 연통된다. 그리고, 웨이퍼 반송 기구(503)의 반송 아암(513)에 의해, 웨이퍼(W)가 진공 처리실(404)로부터 반출되고, 진공 반송실(313) 내에 반입된다.
이어서, 게이트 밸브(G16)가 폐쇄되는 동시에, 온도 조절실(333)에 대한 게이트 밸브(G32)가 개방되고, 진공 반송실(313)과 온도 조절실(333)이 연통된다. 그리고, 웨이퍼 반송 기구(503)의 반송 아암(513)이나 온도 조절실(333) 내의 웨이퍼 승강 기구(220) 등을 이용하여, 웨이퍼(W)가 온도 조절실(333) 내의 미리 고온이 된 탑재대(210)에 탑재된다.
탑재 후, 상기 게이트 밸브(G32)가 폐쇄되고, 온도 조절실(333)이 밀폐되며, 이 상태로 소망 시간 유지된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)에 대해 고온으로 열처리가 실시되어, 막질이 향상된다.
이 고온에서의 열처리가 종료되면, 온도 조절실(333) 대한 게이트 밸브(G32)가 개방되고, 온도 조절실(333)과 진공 반송실(313)이 연통된다. 그리고, 웨이퍼 반송 기구(503)의 반송 아암(513)에 의해, 웨이퍼(W)가 온도 조절실(333)로부터 반출되고, 진공 반송실(313) 내에 반입된다.
이어서, 웨이퍼 반송 기구(503)의 반송 아암(513)이나 진공 반송실(313)과 연통되어 있는 중간실(323) 내의 웨이퍼 승강 기구(120) 등을 이용하여, 웨이퍼(W)가 상기 중간실(323) 내의 탑재대(110)에 탑재된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)가 실온으로 되돌려지기 때문에, 다음 공정으로 진행되었을 때에 웨이퍼(W)의 급격한 온도 변화를 억제할 수 있어서, 웨이퍼(W)나 탑재대의 데미지를 억제할 수 있다.
그 후, 웨이퍼 반송 기구(503)의 반송 아암(513)에 의해 웨이퍼(W)가 중간실(323)로부터 반출되고, 진공 반송실(313) 내에 반입된다.
이어서, 게이트 밸브(G17)가 개방되고, 진공 반송실(313)과 진공 처리실(405)이 연통된다. 그리고, 웨이퍼 반송 기구(503)의 반송 아암(513)이나 진공 처리실(405) 내의 웨이퍼 승강 기구(도시하지 않음) 등을 이용하여, 웨이퍼(W)가 진공 처리실(405) 내의 미리 극저온이 된 탑재대(41)에 탑재된다.
탑재 후, 게이트 밸브(G17)가 폐쇄되고, 진공 처리실(405)이 밀폐된 후에, 상기 진공 처리실(405) 내에서 웨이퍼(W)에 대해 성막 처리가 실행되어, 웨이퍼(W) 상에 예를 들면 자유층으로서 CoFeB막이 형성된다.
진공 처리실(405)에 있어서의 처리가 종료되면, 게이트 밸브(G18)가 개방되고, 진공 처리실(405)과 진공 반송실(312)이 연통된다. 그리고, 웨이퍼 반송 기구(502)의 반송 아암(512)에 의해 웨이퍼(W)가 진공 처리실(405)로부터 반출되고, 진공 반송실(312) 내에 반입된다.
이어서, 게이트 밸브(G18)가 폐쇄되는 동시에, 웨이퍼 반송 기구(502)의 반송 아암(512)이나 진공 반송실(312)과 연통되어 있는 중간실(322) 내의 웨이퍼 승강 기구(120) 등을 이용하여, 웨이퍼(W)가 상기 중간실(322) 내의 탑재대(110)에 탑재된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)가 실온으로 되돌려진다.
그 후, 웨이퍼 반송 기구(502)의 반송 아암(512)에 의해 웨이퍼(W)가 중간실(323)로부터 반출되고, 진공 반송실(312) 내에 반입된다.
이어서, 온도 조절실(332)에 대한 게이트 밸브(G32)가 개방되고, 진공 반송실(312)과 온도 조절실(332)이 연통된다. 그리고, 웨이퍼 반송 기구(502)의 반송 아암(512)이나 온도 조절실(332) 내의 웨이퍼 승강 기구(220) 등을 이용하여, 웨이퍼(W)가 온도 조절실(332) 내의 미리 고온이 된 탑재대(210)에 탑재된다.
탑재 후, 상기 게이트 밸브(G32)가 폐쇄되고, 온도 조절실(332)이 밀폐되며, 이 상태에서 소망 시간 유지된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)에 대해 고온으로 열처리가 실시되어 막질이 향상된다.
이 고온에서의 열처리가 종료되면, 온도 조절실(332) 대한 게이트 밸브(G32)가 개방되고, 온도 조절실(332)과 진공 반송실(312)이 연통된다. 그리고, 웨이퍼 반송 기구(502)의 반송 아암(512)에 의해, 웨이퍼(W)가 온도 조절실(332)로부터 반출되고, 진공 반송실(312) 내에 반입된다.
이어서, 중간실(321)에 대한 게이트 밸브(G31)가 개방되고, 진공 반송실(312)과 진공 반송실(311)이 중간실(321)을 거쳐서 연통된다. 그리고, 웨이퍼 반송 기구(502)의 반송 아암(512)이나 중간실(321) 내의 웨이퍼 승강 기구(120), 웨이퍼 반송 기구(501)의 반송 아암(511) 등을 이용하여 웨이퍼(W)가 진공 반송실(312)로부터 반출되고, 중간실(321)을 거쳐서 진공 반송실(311) 내에 반입된다.
이어서, 상기 게이트 밸브(G31)가 폐쇄되는 동시에 온도 조절실(331)에 대한 게이트 밸브(G32)가 개방되고, 진공 반송실(311)과 온도 조절실(331)이 연통된다. 그리고, 웨이퍼 반송 기구(501)의 반송 아암(511)이나 온도 조절실(331) 내의 웨이퍼 승강 기구(220) 등을 이용하여, 웨이퍼(W)가 온도 조절실(331) 내의 미리 상온보다 저온이 된 탑재대(210)에 탑재된다.
탑재 후, 상기 게이트 밸브(G32)가 폐쇄되고, 온도 조절실(331)이 밀폐되며, 이 상태로 소망 시간 유지된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)가 상온보다 저온으로 냉각 처리되기 때문에, 막질의 안정화를 도모할 수 있다.
이 냉각 처리가 종료되면, 온도 조절실(331)에 대한 게이트 밸브(G32)가 개방되고, 온도 조절실(331)과 진공 반송실(311)이 연통된다. 그리고, 웨이퍼 반송 기구(501)의 반송 아암(511)에 의해 웨이퍼(W)가 온도 조절실(331)로부터 반출되고, 진공 반송실(311) 내에 반입된다.
이어서, 상기 게이트 밸브(G32)가 폐쇄되는 동시에, 게이트 밸브(G20)가 개방되고, 진공 반송실(311)과 진공 처리실(406)이 연통된다. 그리고, 웨이퍼 반송 기구(501)의 반송 아암(511)이나 진공 처리실(406) 내의 웨이퍼 승강 기구(도시하지 않음) 등을 이용하여, 웨이퍼(W)가 진공 처리실(406) 내의 상온의 탑재대(41)에 탑재된다.
탑재 후, 게이트 밸브(G20)가 폐쇄되고, 진공 처리실(406)이 밀폐된 후에, 상기 진공 처리실(406) 내에서 웨이퍼(W)에 대해 성막 처리가 실행되고, 웨이퍼(W) 상에 예를 들면 캡층 또는 전극층으로서 Ta막이나 Ru막이 형성된다.
진공 처리실(406)에 있어서의 처리가 종료되면, 게이트 밸브(20)가 개방되고, 진공 처리실(406)과 진공 반송실(311)이 연통된다. 그리고, 웨이퍼 반송 기구(501)의 반송 아암(511)에 의해, 웨이퍼(W)가 진공 처리실(406)로부터 반출되고, 진공 반송실(311) 내에 반입된다.
그 후, 웨이퍼(W)는 카세트(C)로부터의 반입시와 반대의 순서로 로드록실(13)을 거쳐서, 원래의 카세트(C)로 되돌려진다.
또한, 온도 조절실(331)에서의 냉각 처리가 불필요한 경우가 있다. 이 경우는, 웨이퍼(W)는 중간실(321) 등을 거치지 않고 게이트 밸브(G19)를 거쳐서 진공 처리실(406)로 반송되기도 한다.
이상과 같이, 본 실시형태에서는 웨이퍼(W)를 반송하는 진공 반송 장치(30)가 웨이퍼(W)를 보지하고 반송하는 웨이퍼 반송 기구(50)가 내부에 마련된 복수의 진공 반송실(31)과, 서로 인접하는 진공 반송실(31) 사이에 배설된 중간실(32)을 갖는다. 또한, 상기 서로 인접하는 진공 반송실(31)의 한쪽을 제 1 진공 반송실(31), 다른쪽을 제 2 진공 반송실(31)로 했을 때에, 중간실(32)과 제 1 진공 반송실(31) 사이에 제 1 웨이퍼 반입·반출구(101)가 상기 중간실(32)과 제 2 진공 반송실(31) 사이에 제 2 웨이퍼 반입·반출구(102)가 각각 마련되어 있다. 그리고, 제 1 및 제 2 웨이퍼 반입·반출구(101, 102) 중 제 2 웨이퍼 반입·반출구(102)에 대해서만, 게이트 밸브(G31)가 배설되어 있다. 따라서, 제 1 및 제 2 웨이퍼 반입·반출구(101, 102)의 양쪽에 대해서, 게이트 밸브가 배설되어 있는 경우에 비해, 진공 반송 장치(30)의 진공 반송실의 연결방향, 즉 장치 안길이 방향의 풋프린트를 작게 할 수 있어서, 진공 반송 장치(30)를 소형화할 수 있다. 또한, 본 실시형태에서는 제 1 웨이퍼 반입·반출구(101)와, 제 2 웨이퍼 반입·반출구(102)에서 높이방향의 위치가 상이하기 때문에, 예를 들면 이하의 구조 등을 채용할 수 있어서, 진공 반송 장치(30)의 풋프린트를 더욱 작게 할 수 있다. 예를 들면 중간실(32)과 장치 폭방향으로 인접하는 위치에 온도 조절실(33)이 배설되고, 제 1 및 제 2 진공 반송실(31) 중 제 1 진공 반송실(31)만 상기 온도 조절실(33)과의 사이에, 제 1 웨이퍼 반입·반출구(101)와 높이방향의 위치가 상이한 제 3 웨이퍼 반입·반출구(201)가 마련되고, 상기 제 3 웨이퍼 반입·반출구(201)에 게이트 밸브(G32)가 배설된 구조를 채용할 수 있다.
이 구조를 채용하면, 중간실(32)과 장치 폭 방향으로 인접하는 위치에 배설된 온도 조절실(33)에 대해 게이트 밸브(G32)를 마련할 필요가 있는 경우에 있어서, 제 1 웨이퍼 반입·반출구(101)에 대한 웨이퍼(W)의 반입·반출이 게이트 밸브(G32)에 의해 방해받는 일이 없다. 특히, 장치 폭방향에 관하여, 게이트 밸브(G32)가 제 1 웨이퍼 반입·반출구(101)에 가까워도, 제 1 웨이퍼 반입·반출구(101)에 대한 웨이퍼(W)의 반입·반출이 게이트 밸브(G32)에 의해 방해받는 일이 없다. 따라서, 상기 구조를 채용하면, 제 1 웨이퍼 반입·반출구(101)와 게이트 밸브(G32)(가 마련된 제 3 웨이퍼 반입·반출구(201))와의 장치 폭방향의 거리를 짧게 하여, 중간실(32)과 온도 조절실(33)의 장치 폭방향의 거리를 짧게 할 수 있어서, 진공 반송 장치(30)의 풋프린트를 작게 할 수 있다. 또한, 상술하는 바와 같이 중간실(32)과 온도 조절실(33)의 장치 폭방향의 거리를 짧게 할 수 있기 때문에, 진공 처리실(40)을 장치 폭방향의 중심에 가깝게 배설할 수 있다. 따라서, 본 실시형태에 따른 진공 반송 장치(30)를 구비하는 처리 시스템(1)의 장치 폭방향의 풋프린트를 더욱 작게 할 수 있어서, 상기 처리 시스템(1)을 소형화할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는 평면에서 본 장치 폭방향에 관하여, 게이트 밸브(G32)와 제 1 웨이퍼 반입·반출구(101)가 서로의 일부가 중첩되도록 배설되어 있다. 이 구조에서는, 중간실(32)과 온도 조절실(33)의 장치 폭방향의 거리가 더욱 짧기 때문에, 진공 반송 장치(30)의 풋프린트를 더욱 작게 할 수 있다.
또한, 온도 조절실(33)에 대해 마련되어 있는 웨이퍼 반입·반출구는 상기 온도 조절실(33)에 인접하는 2개의 진공 반송실(31) 중, 한쪽의 진공 반송실(31)에 대해서만 마련되어 있다. 이에 의해 게이트 밸브를 삭감할 수 있어서, 진공 반송 장치(30)의 풋프린트를 작게 할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 게이트 밸브(G31, G32)는 진공 반송 장치(30)에 있어서의 상측에 배설되어 있다. 진공 반송 장치(30)의 하방에는, 웨이퍼 반송 기구(50)의 구동 장치(도시하지 않음)가 마련되어 있으며, 게이트 밸브(G31, G32)를 진공 반송 장치(30)에 있어서의 하측에 배설한 경우, 상기 구동 장치에 의해 게이트 밸브(G31, G32)의 구동이 저해되지 않도록 하기 위해서 풋프린트를 크게 할 필요가 있으며, 또한, 게이트 밸브(G31, G32)의 메인테넌스가 곤란하다. 이와 같은 문제는 게이트 밸브(G31, G32)를 진공 반송 장치(30)에 있어서의 상측에 배설하는 것에 의해 해소할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는 온도 조절실(33)을 가지며, 또한 중간실(32)이 웨이퍼(W)의 온도를 조절하는 것이 가능한 탑재대(110)를 갖는다. 따라서, 온도 조절실(33)이나 중간실(32)에서, 웨이퍼(W)의 예비 가열 처리나 예비 냉각 처리를 실행할 수 있기 때문에, 각 진공 처리실(40) 내에서의 처리 시간을 단축할 수 있다. 그 결과, 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 종래 예비 가열 처리 전용 또는 예비 냉각 처리 전용의 진공 처리실(40)과 동등한 구조를 갖는 모듈을 이용하는 경우가 있었다. 이 경우에 비해, 본 실시형태에 따른 진공 반송 장치(30)를 구비하는 처리 시스템(1)은 상술과 같은 전용 모듈을 마련할 필요가 없기 때문에, 상기 처리 시스템(1)의 풋프린트를 삭감할 수 있다.
또한, 웨이퍼(W)의 예비 가열 처리나 예비 냉각 처리를 실행할 수 있기 때문에, 진공 처리실(40)의 탑재대(41)와, 상기 탑재대(41)에 탑재되는 웨이퍼(W)와의 온도차를 감소시킬 수 있으므로, 이 온도차에 기인하는 웨이퍼(W) 및 탑재대(41)로의 데미지를 경감시킬 수 있다.
또한, 본 실시형태에 따른 진공 반송 장치(30)를 갖는 처리 시스템(1)에서는, 진공 처리실(401 내지 406)이 U자형상으로 나열되어 있으며, 이 나열된 순서로 진공 처리실(401 내지 406)을 이용할 수 있다. 또한, 1매의 웨이퍼(W)에 대하여, 동일한 진공 처리실(40)이 복수회 사용되지 않도록 반송할 수 있어서, 즉, 리비짓(revisit)이 없는 반송을 할 수 있다. 동일한 진공 처리실(40)을 복수회 사용하는 것에 의해, 상술의 예비 가열 처리 등을 실행하는 것은 가능하지만 생산성이 저하된다. 이에 대하여, 본 실시형태에서는 상술하는 바와 같이, 리비짓이 없는 반송을 할 수 있기 때문에, 예비 가열 처리 등을 실행하여도 생산성이 저하되는 일이 없다.
또한, 이상의 설명에서는, 중간실(32)과 장치 폭방향으로 인접하고 있던 것은 온도 조절실(33)이었지만, 다른 중간실이어도 좋다. 즉, 중간실을 장치 폭방향으로 배열하여도 좋다. 단, 이 경우, 하나의 중간실과 인접하는 다른 중간실에서, 게이트 밸브가 장치 안길이 방향 반대측에 마련된다.
이상에서는 성막 처리를 예로 설명했지만, 성막 처리를 대신하여 또는, 성막 처리에 부가하여 에칭 처리 등의 다른 처리를 실행하는 경우에도, 본 실시형태에 따른 기판 반송 장치를 이용할 수 있다.
금회 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 고려되어야 한다. 상기의 실시형태는 첨부된 청구의 범위 및 그 주지를 일탈하는 일이 없이, 여러가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.
또한, 이하와 같은 구성도 본 개시된 기술적 범위에 속한다.
(1) 기판을 반송하는 기판 반송 장치에 있어서, 기판을 보지하고 반송하는 기판 반송 기구가 내부에 마련된 복수의 진공 반송실과, 서로 인접하는 상기 진공 반송실 사이에 배설된 중간실을 가지며, 상기 서로 인접하는 상기 진공 반송실의 한쪽을 제 1 진공 반송실, 다른쪽을 제 2 진공 반송실로 했을 때, 상기 중간실과 상기 제 1 진공 반송실 사이에 제 1 기판 반입·반출구, 상기 중간실과 상기 제 2 진공 반송실 사이에 제 2 기판 반입·반출구가 각각 마련되며, 상기 제 1 및 제 2 기판 반입·반출구 중 상기 제 2 기판 반입·반출구에 대해서만, 게이트 밸브가 배설되며, 상기 제 1 기판 반입·반출구와, 상기 제 2 기판 반입·반출구에서 높이방향의 위치가 상이한 기판 반송 장치.
상기 (1)에 의하면, 기판 반송 장치의 진공 반송실의 연결 방향의 풋프린트를 작게 할 수 있어서, 기판 반송 장치를 소형화할 수 있다. 또한, 제 1 기판 반입·반출구와 제 2 기판 반입·반출구에서 높이방향의 위치가 상이하기 때문에, 기판 반송 장치의 풋프린트를 더욱 작게 하는 것이 가능한 구조를 채용할 수 있다.
(2) 상기 서로 인접하는 상기 진공 반송실의 사이에 있어서의, 상기 중간실과 인접하는 위치에 기판의 온도 조절 처리를 실행하는 온도 조절실을 가지며,
상기 제 1 진공 반송실 및 상기 제 2 진공 반송실 중 어느 하나만 상기 온도 조절실과의 사이에 제 3 기판 반입·반출구가 마련되어 있는 상기 (1)에 기재된 기판 반송 장치.
(3) 상기 제 3 기판 반입·반출구에 대하여 게이트 밸브가 배설되어 있는 상기 (2)에 기재된 기판 반송 장치.
(4) 상기 제 3 기판 반입·반출구는, 상기 제 1 진공 반송실과 상기 온도 조절실 사이에 마련되며, 상기 제 1 기판 반입·반출구와 높이방향의 위치가 상이한 상기 (3)에 기재된 기판 반송 장치.
상기 (4)에 의하면, 기판 반송 장치의 풋프린트 및 상기 기판 반송 장치를 구비하는 처리 시스템의 풋프린트를 더욱 작게 할 수 있다.
(5) 상기 중간실은 기판이 탑재되며 상기 기판의 온도를 조절하는 탑재대를 갖는 상기 (1) 내지 (4) 중 어느 하나에 기재된 기판 반송 장치.
(6) 상기 게이트 밸브는 상기 기판 반송 장치의 상측에 배설되어 있는 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 기재된 기판 반송 장치.
(7) 상기 (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 기재된 기판 반송 장치를 이용한 기판의 반송 방법.
30: 진공 반송 장치 31: 진공 반송실
32: 중간실 50: 웨이퍼 반송 기구
101: 제 1 웨이퍼 반입·반출구 102: 제 2 웨이퍼 반입·반출구
G31: 게이트 밸브 W: 웨이퍼

Claims (7)

  1. 기판을 반송하는 기판 반송 장치에 있어서,
    기판을 보지하고 반송하는 기판 반송 기구가 내부에 마련된 복수의 진공 반송실과,
    서로 인접하는 상기 진공 반송실의 사이에 배설된 중간실과,
    상기 서로 인접하는 상기 진공 반송실의 사이에 있어서, 상기 중간실과 인접하는 위치에 기판의 온도 조절 처리를 실행하는 온도 조절실을 가지며,
    상기 서로 인접하는 상기 진공 반송실의 한쪽을 제 1 진공 반송실, 다른쪽을 제 2 진공 반송실로 했을 때에, 상기 제 1 진공 반송실, 상기 제 2 진공 반송실, 상기 중간실, 상기 온도 조절실은, 동일 수평면 상에 위치하며,
    상기 중간실과 상기 제 1 진공 반송실 사이에 제 1 기판 반입·반출구, 상기 중간실과 상기 제 2 진공 반송실 사이에 제 2 기판 반입·반출구가 각각 마련되며,
    상기 제 1 및 제 2 기판 반입·반출구 중 상기 제 2 기판 반입·반출구에 대해서만 게이트 밸브가 배설되며,
    상기 제 1 기판 반입·반출구와, 상기 제 2 기판 반입·반출구에서 높이방향의 위치가 상이하며,
    상기 제 1 진공 반송실 및 상기 제 2 진공 반송실 중 어느 하나만 상기 온도 조절실과의 사이에 제 3 기판 반입·반출구가 마련되며,
    상기 제 3 기판 반입·반출구에 대하여 추가 게이트 밸브가 배설되며,
    상기 제 3 기판 반입·반출구는 상기 제 1 진공 반송실과 상기 온도 조절실 사이에 마련되며, 상기 제 1 기판 반입·반출구와 높이방향의 위치가 상이하며,
    상기 추가 게이트 밸브는 상기 제 1 기판 반입·반출구와 동일 수평면 상에는 존재하지 않도록 마련되어 있는
    기판 반송 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 중간실은 기판이 탑재되며 상기 기판의 온도를 조절하는 탑재대를 갖는
    기판 반송 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 게이트 밸브는 상기 기판 반송 장치의 상측에 배설되어 있는
    기판 반송 장치.
  7. 제 1 항, 제 5 항 및 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 기판 반송 장치를 이용한
    기판의 반송 방법.
KR1020200076252A 2019-07-05 2020-06-23 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법 KR102431938B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2019-126173 2019-07-05
JP2019126173A JP7316121B2 (ja) 2019-07-05 2019-07-05 基板搬送装置及び基板搬送方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210004843A KR20210004843A (ko) 2021-01-13
KR102431938B1 true KR102431938B1 (ko) 2022-08-11

Family

ID=73918822

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200076252A KR102431938B1 (ko) 2019-07-05 2020-06-23 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11309199B2 (ko)
JP (1) JP7316121B2 (ko)
KR (1) KR102431938B1 (ko)
CN (1) CN112185848A (ko)
TW (1) TW202111843A (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7240980B2 (ja) * 2019-07-29 2023-03-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板搬送方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140263165A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems, apparatus, and methods adapted to process substrates in electronic device manufacturing
JP2017500755A (ja) * 2013-11-04 2017-01-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 側面数増強対応移送チャンバ、半導体デバイスの製造処理ツール及び処理方法
US10043693B1 (en) 2017-06-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for handling substrates in a processing system having a buffer chamber

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI106168B (fi) * 1998-12-09 2000-11-30 Nokia Networks Oy Järjestelmä ja menetelmä analyysin optimoimiseksi
US6440261B1 (en) 1999-05-25 2002-08-27 Applied Materials, Inc. Dual buffer chamber cluster tool for semiconductor wafer processing
US6519498B1 (en) 2000-03-10 2003-02-11 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for managing scheduling in a multiple cluster tool
US6977014B1 (en) * 2000-06-02 2005-12-20 Novellus Systems, Inc. Architecture for high throughput semiconductor processing applications
JP4925650B2 (ja) 2005-11-28 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5926694B2 (ja) 2011-02-08 2016-05-25 東京エレクトロン株式会社 基板中継装置，基板中継方法，基板処理装置
JP2013033965A (ja) * 2011-07-29 2013-02-14 Semes Co Ltd 基板処理装置、基板処理設備、及び基板処理方法
JP6972852B2 (ja) * 2017-05-23 2021-11-24 東京エレクトロン株式会社 真空搬送モジュール及び基板処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140263165A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems, apparatus, and methods adapted to process substrates in electronic device manufacturing
JP2017500755A (ja) * 2013-11-04 2017-01-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 側面数増強対応移送チャンバ、半導体デバイスの製造処理ツール及び処理方法
US10043693B1 (en) 2017-06-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for handling substrates in a processing system having a buffer chamber

Also Published As

Publication number Publication date
US11309199B2 (en) 2022-04-19
US20210005486A1 (en) 2021-01-07
CN112185848A (zh) 2021-01-05
JP2021012943A (ja) 2021-02-04
KR20210004843A (ko) 2021-01-13
JP7316121B2 (ja) 2023-07-27
TW202111843A (zh) 2021-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10679879B2 (en) Substrate processing apparatus
US7090741B2 (en) Semiconductor processing system
US6331095B1 (en) Transportation system and processing apparatus employing the transportation system
US20120170999A1 (en) Load lock device and processing system
KR20020019414A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치를 이용한 반도체디바이스 제조 방법
KR102355575B1 (ko) 진공 처리 장치
KR20100122893A (ko) 로드락 장치 및 기판 냉각 방법
CN107017182B (zh) 基板处理设备
US9245780B2 (en) Vacuum processing apparatus and operating method of the same
JP2020061472A (ja) 基板処理システム
KR102431938B1 (ko) 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법
KR20200104231A (ko) 로드록 모듈, 기판 처리 장치 및 기판의 반송 방법
JP4885023B2 (ja) ロードロック装置および基板の処理システム
CN116137241A (zh) 连接处理容器和基片处理方法
US11189514B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate transfer method
US9962840B2 (en) Substrate conveyance apparatus
JP7402658B2 (ja) 基板収容ユニット及び基板搬送装置における真空搬送ユニットのメンテナンス方法
KR102577172B1 (ko) 기판 반송 시스템 및 기판 반송 방법
JP2002173775A (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
KR20110016642A (ko) 기판처리장치
US20230106927A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR100807600B1 (ko) 반도체 자재 예열 기능을 갖는 인덱서
JP2022074693A (ja) 基板保持体、基板搬送装置及び基板保持体の製造方法
KR101661217B1 (ko) 로드 포트 그리고 그것을 갖는 클러스터 설비
JP2001267396A (ja) 半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant