JP2018514089A - ロードロック装置、冷却プレートアセンブリ、並びに電子デバイス処理システム及び方法 - Google Patents
ロードロック装置、冷却プレートアセンブリ、並びに電子デバイス処理システム及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018514089A JP2018514089A JP2017555330A JP2017555330A JP2018514089A JP 2018514089 A JP2018514089 A JP 2018514089A JP 2017555330 A JP2017555330 A JP 2017555330A JP 2017555330 A JP2017555330 A JP 2017555330A JP 2018514089 A JP2018514089 A JP 2018514089A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- load lock
- cooling plate
- diffuser
- lock device
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
Abstract
Description
本出願は、全ての目的のためにその全体が本明細書に組み込まれている、2015年4月22日に出願された、「LOADLOCK APPARATUS, COOLING PLATE ASSEMBLY, AND ELECTRONIC PROCESSING SYSTEMS AND METHODS」(代理人整理番号第22367/USA号)という名称の米国特許出願第14/693,386号からの優先権を主張する。
下側ディフューザアセンブリ229は、図2A及びその拡大図である図2Cで最も良く示されるように、円形(ディスク形状)であり且つ下側冷却プレート228の上方に中心を置いて配置された、下側ディスクディフューザ250を含み得る。例えば、下側ディスクディフューザ250の中央軸方向軸は、下側冷却プレート228の中央軸方向軸と実質的に一致し得る。それによって、下側ディスクディフューザ250は、基板102が支持体232又は下側冷却プレート228上に配置される際に、基板102に中心を置いて且つ基板102の上方に直接的に垂直に配置される。下側ディスクディフューザ250は、約50mmと約250mmの間の外径を有し得る。下側ディスクディフューザ250は、例えば、焼結金属(例えば、ステンレススチール若しくはニッケル又はそれらの合金)などの、多孔性金属であり得る。下側ディスクディフューザ250は、開かれた相互に連結された多孔性を有し、IBRE304毎に0.2μmの粒子径で、約99.9%の粒子捕集率を有し、全ての粒子径に対して約90%よりも上の粒子捕集率を有し得る。したがって、下側ディスクディフューザ250は、流れを下側ロードロックチャンバ220の中へ拡散させるように機能するが、粒子フィルタとしても機能し得る。他の適切なサイズ、多孔性、及び多孔性微細構造も、使用され得る。下側ディスクディフューザ250の使用は、基板102への粒子の再分配を低減させ、不活性ガス供給279からの新しい粒子の導入を妨げ得る。下側冷却プレート228及び下側冷却プレート228上の基板102の上方に中心を置いて、下側ディスクディフューザ250を配置することは、低減された基板上粒子という利益を提供し得る。上側及び下側ロードロックチャンバ222、220の両方において中心に配置された上側及び下側ディスクディフューザ274、250を含む、本発明の実施形態の更なる利点は、上側又は下側ロードロックチャンバ222、220を通過する全ての基板が、ほぼ同じ状態を経験するということである。本発明のロードロック装置124の実施形態は、処理ガスの流れが、上側及び下側ロードロックチャンバ222、220の間で実質的に同じであり得る、上側及び下側ロードロックチャンバ222、220のチャンバ設計を含む。本発明の実施形態において中心に配置されたディスクディフューザ274、250は、上側及び下側ロードロックチャンバの両方の中へ統合される。
ロードロック装置124は、上側ロードロックチャンバ222も含み得る。上側ロードロックチャンバ222は、下側ロードロックチャンバ220とは異なる垂直レベルにおいて(例えば、下側ロードロックチャンバ220の直接的に上方に)配置されている。下側ロードロックチャンバ220のように、上側ロードロックチャンバ222は、基板102の通過及び/又は強化された冷却を伴う基板102の通過を可能にするように適合されている。このやり方では、更なるスループットと特定のツールのための冷却能力とが、ロードロック装置124内に設けられている。
上側リフトアセンブリ239の一部分は、図3Aと図3Bで示されているように構築され得る。上側リフトアセンブリ239は、リング240、及び示されているスペーサ243などによってリング240の下方に連結されたセグメント245を含み得る。各セグメント245は、リング240に対して間隔を空けられており、その上にフィンガタブであり得る1以上の上側支持体246を含み得る。上側支持体246の一部又は全部は、上側ロードロックチャンバ222内で冷却するために、又は基板102の通過動作(ファクトリインターフェース106と移送チャンバ110との間での通過)のために、上側冷却プレート242上に基板102が下げられた際に、基板102と接触するように構成され且つ適合されている。描かれている実施形態では、2以上の上側支持体246が、各セグメント245上に設けられている。上側リフトアセンブリ239にわたり3点接触が提供されるならば、より多い又はより少ない数の上側支持体246が使用され得る。上側リフトアセンブリ239は、ボルト、ねじなどによって、リング240上に形成されたリフトコネクタ248と連結するように適合されたリフトアクチュエータ249(図2A参照)を含み得る。
より詳細には、図2A〜図2Bで示されるように、上側ディフューザアセンブリ244が、ファスナ(例えば、ボルト、ねじなど)などによって、チャンバ蓋273に連結された上側ディフューザハウジング272を含み得る。上側ディスクディフューザ274は、上側ディフューザアセンブリ244の部分として設けられ、本明細書で説明された下側ディスクディフューザ250と構造が同じであり得る。上側ディスクディフューザ274は、下側ディスクディフューザ250と同じやり方で、ディフューザフレーム255内に取り付けられ得る。上側ディフューザアセンブリ244は、第3のシール275(例えば、Oリングシール)によって、チャンバ蓋273に密封され得る。同様に、チャンバ蓋273は、第4のシール276(例えば、Oリングシール)によって、ロードロック本体226に密封され得る。
次に、図2E並びに図4A〜図4C及び図4Eを参照すると、上側冷却プレートアセンブリ241が、詳細に説明されている。上側冷却プレートアセンブリ241は、上側冷却プレート242を含み得る。上側冷却プレート242は、基板102と熱接触するように提供されるように適合された熱伝導性材料(例えば、アルミニウム又はアルミニウム合金材料)から作られ得る。図4C及び図4Eで示されているように、上側冷却プレート242は、その中に形成された複数の通路480A〜480E、分配チャネル481、及び収集チャネル483を含み得る。
図2A、図2B、及び図4Dは、下側冷却プレートアセンブリ247の例示的な一実施形態を示している。下側冷却プレートアセンブリ247は、下側冷却プレート228、及び下側冷却プレート228に連結された下側プレート延長部296を含む。図4Dで示されているように、下側冷却プレート228は、端がプラグ482で塞がれ得る、穿孔された通路480A〜480Eを含み得る。この実施形態では、入口484Aと出口484Bが、中央に配置され得る。以前の実施形態のように、分配チャネル481は、流体の流れを受け入れ、流体の流れを穿孔された通路480A〜480Eに分配し、収集チャネル483は、穿孔された通路480A〜480Eから流体の流れを収集する。流体の流れは、プレート延長部296を通して入り、出て行く。流体カップリング297(図2B参照)が、プレート延長部296に連結され、プレート延長部296が、(図示せぬ)流体源に連結され得る。開孔492を通して支持体232(図2Aのリフトピン)を受け入れるために、開孔492が内部に形成され得る。
Claims (20)
- 下側ロードロックチャンバと上側ロードロックチャンバを含むロードロック本体、
前記下側ロードロックチャンバ内に設けられた下側冷却プレート、
前記上側ロードロックチャンバ内に設けられた上側冷却プレート、
前記下側冷却プレートの上方に中心を置いて配置された下側ディスクディフューザ、及び
前記上側冷却プレートの上方に中心を置いて配置された上側ディスクディフューザを備える、ロードロック装置。 - 前記下側ディスクディフューザを含む下側ディフューザアセンブリであって、前記ロードロック本体に取り付けられたディフューザハウジングと、少なくとも部分的に前記ディフューザハウジングの壁と前記下側ディスクディフューザとによって形成されたディフューザキャビティとを含む、下側ディフューザアセンブリを備える、請求項1に記載のロードロック装置。
- ディフューザハウジング、少なくとも部分的に前記ディフューザハウジングの壁と前記下側ディスクディフューザとによって形成されたディフューザキャビティ、及び前記壁を貫通した複数の孔を含む、下側ディフューザアセンブリを備える、請求項1に記載のロードロック装置。
- 前記ロードロック本体内に形成された凹部と、前記ロードロック本体に取り付けられたディフューザハウジングであって、下側ディフューザアセンブリの外側部分と前記凹部との間でチャネルを形成する、ディフューザハウジング、少なくとも部分的に前記ディフューザハウジングの内壁と前記下側ディスクディフューザとによって形成されたディフューザキャビティ、及び前記壁を貫通し、前記チャネルと前記ディフューザキャビティとを連結する、複数の孔を含む、前記下側ディフューザアセンブリとを備える、請求項1に記載のロードロック装置。
- 前記チャネルに連結された前記ロードロック本体内の通路を備える、請求項4に記載のロードロック装置。
- 前記ディフューザハウジングの上側部分が、前記上側冷却プレート内に形成されたポケット内に受け入れられている、請求項4に記載のロードロック装置。
- 前記ディフューザハウジングのフランジが、前記ロードロック本体に対して密封されている、請求項4に記載のロードロック装置。
- 前記ロードロック本体が、ポケットと前記ポケットに連結された通路とを備え、前記ポケットが流入連結部材と流出連結部材を受け入れ、前記通路が、前記上側冷却プレートを含む上側冷却プレートアセンブリの可撓性導管を受け入れる、請求項1に記載のロードロック装置。
- 前記ロードロック本体が、前記ロードロック本体の床内に形成された2つのポケットと、前記ポケットの各々と交差し、前記ロードロック本体内を水平に通る、通路とを備え、前記ポケットが、流入連結部材と流出連結部材を受け入れるように適合され、前記通路が、可撓性導管を受け入れるように適合されている、請求項1に記載のロードロック装置。
- 前記下側冷却プレートが、塞がれた穿孔された通路を備える、請求項1に記載のロードロック装置。
- 前記上側冷却プレートが、塞がれた穿孔された通路を備える、請求項1に記載のロードロック装置。
- 前記穿孔された通路の一部が、前記上側冷却プレートの両側の側面から機械加工された、交差する直線的な孔を備える、請求項11に記載のロードロック装置。
- 穿孔された通路を含む前記上側冷却プレートと、前記上側冷却プレートに連結され、前記穿孔された通路に流体連通をもたらす、流入連結部材及び流出連結部材と、前記流入連結部材及び前記流出連結部材の各々に連結された可撓性導管とを備えた、上側冷却プレートアセンブリを備える、請求項1に記載のロードロック装置。
- ロードロック装置のための冷却プレートアセンブリであって、
穿孔された通路と、各々が前記穿孔された通路に交差する分配チャネルと収集チャネルとを含む、冷却プレート、
前記冷却プレートに連結された流入連結部材と流出連結部材であって、前記流入連結部材が入口チャネルを含み、前記流出連結部材が出口チャネルを含み、前記入口チャネルと前記出口チャネルが、前記分配チャネルと前記収集チャネルによって、前記穿孔された通路に相互連結された、流入連結部材と流出連結部材、
前記流入連結部材に連結された可撓性流入導管、及び
前記流出連結部材に連結された可撓性流出導管を備える、アセンブリ。 - 電子デバイス処理システムであって、
基板を移動させるように構成されたロボットを含むメインフレーム、
1以上の積み込みポートを有するファクトリインターフェース、並びに
前記メインフレームと前記ファクトリインターフェースとの間に受け入れられたロードロック装置を備え、前記ロードロック装置が、
下側ロードロックチャンバと上側ロードロックチャンバを含むロードロック本体、
前記下側ロードロックチャンバ内に設けられた下側冷却プレート、
前記上側ロードロックチャンバ内に設けられた上側冷却プレート、
前記下側冷却プレートの上方に中心を置いて配置された下側ディスクディフューザ、及び
前記上側冷却プレートの上方に中心を置いて配置された上側ディスクディフューザを含む、システム。 - 基板を処理する方法であって、
メインフレームとファクトリインターフェースとの間に配置されたロードロック装置であって、下側ロードロックチャンバと上側ロードロックチャンバを含むロードロック本体、前記下側ロードロックチャンバ内に設けられた下側冷却プレート、前記上側ロードロックチャンバ内に設けられた上側冷却プレート、前記下側冷却プレートの上方に中心を置いて配置された下側ディスクディフューザ、及び前記上側冷却プレートの上方に中心を置いて配置された上側ディスクディフューザを含む、ロードロック装置を提供すること、並びに
前記下側冷却プレートの上方の前記下側ディスクディフューザを通して不活性ガスを流すことを含む、方法。 - 前記上側冷却プレートの上方の前記上側ディスクディフューザを通して不活性ガスを流すことを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記上側ロードロックチャンバ又は前記下側ロードロックチャンバ内の基板を冷却することを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記基板を冷却することが、前記上側冷却プレート又は前記下側冷却プレート内の穿孔された通路を通して冷却液体の流れを提供することを含む、請求項18に記載の方法。
- 前記ロードロック本体内に水平に形成された通路の中へ可撓性流入導管と可撓性流出導管を挿入すること、及び、前記ロードロック本体内に形成されたカットアウトの中へ流入連結部材と流出連結部材を受け入れることによって、上側冷却プレートアセンブリを前記ロードロック本体に設置することを含む、請求項16に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/693,386 | 2015-04-22 | ||
US14/693,386 US20160314997A1 (en) | 2015-04-22 | 2015-04-22 | Loadlock apparatus, cooling plate assembly, and electronic device processing systems and methods |
PCT/US2016/025293 WO2016171867A1 (en) | 2015-04-22 | 2016-03-31 | Loadlock apparatus, cooling plate assembly, and electronic device processing systems and methods |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018514089A true JP2018514089A (ja) | 2018-05-31 |
JP6753866B2 JP6753866B2 (ja) | 2020-09-09 |
Family
ID=57144616
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017555330A Active JP6753866B2 (ja) | 2015-04-22 | 2016-03-31 | ロードロック装置、冷却プレートアセンブリ、並びに電子デバイス処理システム及び方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20160314997A1 (ja) |
JP (1) | JP6753866B2 (ja) |
KR (1) | KR102278413B1 (ja) |
CN (1) | CN107534001B (ja) |
TW (1) | TWI713136B (ja) |
WO (1) | WO2016171867A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7394554B2 (ja) | 2019-08-07 | 2023-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9929029B2 (en) * | 2015-10-15 | 2018-03-27 | Applied Materials, Inc. | Substrate carrier system |
JP6554387B2 (ja) * | 2015-10-26 | 2019-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | ロードロック装置における基板冷却方法、基板搬送方法、およびロードロック装置 |
JP6270952B1 (ja) * | 2016-09-28 | 2018-01-31 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体。 |
JP7158133B2 (ja) * | 2017-03-03 | 2022-10-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 雰囲気が制御された移送モジュール及び処理システム |
US10796935B2 (en) | 2017-03-17 | 2020-10-06 | Applied Materials, Inc. | Electronic device manufacturing systems, methods, and apparatus for heating substrates and reducing contamination in loadlocks |
US10755955B2 (en) | 2018-02-12 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Substrate transfer mechanism to reduce back-side substrate contact |
US10720348B2 (en) * | 2018-05-18 | 2020-07-21 | Applied Materials, Inc. | Dual load lock chamber |
US20200126826A1 (en) * | 2018-10-18 | 2020-04-23 | Applied Materials, Inc. | Load lock body portions, load lock apparatus, and methods for manufacturing the same |
US11211269B2 (en) | 2019-07-19 | 2021-12-28 | Applied Materials, Inc. | Multi-object capable loadlock system |
USD973116S1 (en) | 2020-11-17 | 2022-12-20 | Applied Materials, Inc. | Mainframe of substrate processing system |
USD973737S1 (en) * | 2020-11-17 | 2022-12-27 | Applied Materials, Inc. | Mainframe of substrate processing system |
CN113035752B (zh) * | 2021-03-05 | 2022-11-11 | 上海广川科技有限公司 | 负载锁定装置及基片传片方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001319885A (ja) * | 2000-03-02 | 2001-11-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体製造方法 |
JP2004523880A (ja) * | 2000-09-15 | 2004-08-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 処理装置用ダブル二重スロット式ロードロック |
JP2005175440A (ja) * | 2003-10-20 | 2005-06-30 | Applied Materials Inc | 大面積基板処理システムのためのロードロックチャンバ |
JP2006303013A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Tokyo Electron Ltd | ロードロック装置及び処理方法 |
US20070045108A1 (en) * | 2005-08-26 | 2007-03-01 | Demaray Richard E | Monolithic sputter target backing plate with integrated cooling passages |
JP2013526060A (ja) * | 2010-04-30 | 2013-06-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | チャンバにガスを放射状に分配するための装置及びその使用方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6717115B1 (en) * | 2000-04-25 | 2004-04-06 | Teradyne, Inc. | Semiconductor handler for rapid testing |
JP3448737B2 (ja) * | 2000-05-25 | 2003-09-22 | 住友重機械工業株式会社 | ウエハーチャック用冷却板及びウエハーチャック |
US7665951B2 (en) * | 2006-06-02 | 2010-02-23 | Applied Materials, Inc. | Multiple slot load lock chamber and method of operation |
US7822324B2 (en) * | 2006-08-14 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Load lock chamber with heater in tube |
US20120258259A1 (en) * | 2011-04-08 | 2012-10-11 | Amit Bansal | Apparatus and method for uv treatment, chemical treatment, and deposition |
WO2014143846A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc | Multi-position batch load lock apparatus and systems and methods including same |
-
2015
- 2015-04-22 US US14/693,386 patent/US20160314997A1/en not_active Abandoned
-
2016
- 2016-03-29 TW TW105109912A patent/TWI713136B/zh active
- 2016-03-31 JP JP2017555330A patent/JP6753866B2/ja active Active
- 2016-03-31 WO PCT/US2016/025293 patent/WO2016171867A1/en active Application Filing
- 2016-03-31 KR KR1020177033844A patent/KR102278413B1/ko active IP Right Grant
- 2016-03-31 CN CN201680023208.2A patent/CN107534001B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001319885A (ja) * | 2000-03-02 | 2001-11-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体製造方法 |
JP2004523880A (ja) * | 2000-09-15 | 2004-08-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 処理装置用ダブル二重スロット式ロードロック |
JP2005175440A (ja) * | 2003-10-20 | 2005-06-30 | Applied Materials Inc | 大面積基板処理システムのためのロードロックチャンバ |
JP2006303013A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Tokyo Electron Ltd | ロードロック装置及び処理方法 |
US20070045108A1 (en) * | 2005-08-26 | 2007-03-01 | Demaray Richard E | Monolithic sputter target backing plate with integrated cooling passages |
JP2013526060A (ja) * | 2010-04-30 | 2013-06-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | チャンバにガスを放射状に分配するための装置及びその使用方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7394554B2 (ja) | 2019-08-07 | 2023-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201705344A (zh) | 2017-02-01 |
KR20170141747A (ko) | 2017-12-26 |
TWI713136B (zh) | 2020-12-11 |
WO2016171867A1 (en) | 2016-10-27 |
KR102278413B1 (ko) | 2021-07-15 |
CN107534001A (zh) | 2018-01-02 |
JP6753866B2 (ja) | 2020-09-09 |
CN107534001B (zh) | 2021-08-03 |
US20160314997A1 (en) | 2016-10-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6753866B2 (ja) | ロードロック装置、冷却プレートアセンブリ、並びに電子デバイス処理システム及び方法 | |
TWI598455B (zh) | 傳送腔室氣體淨化裝置、電子設備處理系統及淨化方法 | |
US9484233B2 (en) | Carousel reactor for multi-station, sequential processing systems | |
KR101109299B1 (ko) | 페이스-업 습식 프로세싱을 위해 웨이퍼 온도 균일성을강화시키는 장치 | |
TWI626685B (zh) | 具有溫控之多充氣部噴淋頭 | |
JP5889806B2 (ja) | 複式噴射を伴う原子層堆積チャンバ | |
US6602348B1 (en) | Substrate cooldown chamber | |
TWI722725B (zh) | 具有更均勻的邊緣清洗的基板支撐件 | |
US9524889B2 (en) | Processing systems and apparatus adapted to process substrates in electronic device manufacturing | |
US20150030766A1 (en) | Pedestal bottom clean for improved fluorine utilization and integrated symmetric foreline | |
US20190385817A1 (en) | Substrate processing chamber including conical surface for reducing recirculation | |
TW201448096A (zh) | 於負載鎖位置中處理基板之處理負載鎖設備、升降組件、電子裝置處理系統以及方法 | |
KR20010113558A (ko) | 세라믹 기판 지지체 | |
KR20130031236A (ko) | 트윈 챔버 프로세싱 시스템 | |
US10818525B2 (en) | Ambient controlled transfer module and process system | |
KR102228490B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 액 공급 장치 | |
KR20190077632A (ko) | 시간적 원자 층 증착 프로세싱 챔버 | |
KR102510626B1 (ko) | 열 관리 시스템 | |
JP5164950B2 (ja) | Cvd装置 | |
US20230116577A1 (en) | Chiller make-break connector for substrate processing systems | |
KR20220116519A (ko) | 비균일성 (non-uniformity) 을 관리하기 위한 웨이퍼 평면 아래의 비대칭 퍼지된 블록 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190319 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200323 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200331 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200630 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200804 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200820 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6753866 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |