JP6753866B2 - ロードロック装置、冷却プレートアセンブリ、並びに電子デバイス処理システム及び方法 - Google Patents

ロードロック装置、冷却プレートアセンブリ、並びに電子デバイス処理システム及び方法 Download PDF

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Description

関連出願の相互参照
本出願は、全ての目的のためにその全体が本明細書に組み込まれている、２０１５年４月２２日に出願された、「LOADLOCK APPARATUS, COOLING PLATE ASSEMBLY, AND ELECTRONIC PROCESSING SYSTEMS AND METHODS」（代理人整理番号第２２３６７／ＵＳＡ号）という名称の米国特許出願第１４／６９３，３８６号からの優先権を主張する。
本発明は、広くは、電子デバイスの製造に関し、特に、ロードロック装置に関する。
従来の電子デバイス製造ツールは、移送チャンバを取り囲んだ、複数の処理チャンバと１以上のロードロックチャンバを含み得る。これらの電子デバイス製造システムは、移送チャンバ内に収容され得る移送ロボットを採用し、移送チャンバが、様々な処理チャンバと１以上のロードロックチャンバとの間で基板を移送する。ある事例では、ロードロックチャンバが、他のものの上に１つ積み重ねられ得る（例えば、二重ロードロック）。
時々、機器フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ）と称される、ファクトリインターフェースが、そのフロントにおける１以上のロードロックチャンバの中へ及び中から基板を積み込んだり積み出したりするために設けられ得る。
それらの意図された目的に対して適切ではあるが、既存のロードロックチャンバの設計は、幾つかの問題を被っている。そのようなロードロックチャンバでは、汚染物、残留物、及び／又は粒子を除去するために、周期的に洗浄が行われ得る。しかし、既存のロードロックチャンバでは、ロードロックチャンバのチャンバ洗浄は、時間がかかり且つ多大な労力を必要とする。更に、積み重ねられたロードロック構成を含む既存のロードロックチャンバは、熱的問題を抱えている場合がある。したがって、洗浄の容易さ及び／又は改良された熱特性を可能にする、改良されたロードロック装置、システム、及び方法が望まれている。
第１の態様では、ロードロック装置が提供される。ロードロック装置は、下側ロードロックチャンバと上側ロードロックチャンバを含むロードロック本体、下側ロードロックチャンバ内に設けられた下側冷却プレート、上側ロードロックチャンバ内に設けられた上側冷却プレート、下側冷却プレートの上方に中心を置いて配置された下側ディスクディフューザ、及び上側冷却プレートの上方に中心を置いて配置された上側ディスクディフューザを含む。
別の一態様によれば、ロードロック装置のための冷却プレートアセンブリが提供される。冷却プレートアセンブリは、穿孔された通路、各々が穿孔された通路に交差する分配チャネル及び収集チャネルを含む、冷却プレートと、冷却プレートに連結された流入連結部材及び流出連結部材であって、流入連結部材は入口チャネルを含み、流出連結部材は出口チャネルを含み、入口チャネル及び出口チャネルが、分配チャネル及び収集チャネルによって、穿孔された通路に相互連結された、流入連結部材及び流出連結部材と、流入連結部材に連結された可撓性流入導管と、流出連結部材に連結された可撓性流出導管とを含む。
別の一態様によれば、電子デバイス処理システムが提供される。電子デバイス処理システムは、基板を移動させるように構成されたロボットを含むメインフレーム、１以上のロードポートを有するファクトリインターフェース、並びにメインフレームとファクトリインターフェースとの間に受け入れられたロードロック装置を含み、ロードロック装置は、下側ロードロックチャンバと上側ロードロックチャンバを含むロードロック本体、下側ロードロックチャンバ内に設けられた下側冷却プレート、上側ロードロックチャンバ内に設けられた上側冷却プレート、下側冷却プレートの上方に中心を置いて配置された下側ディスクディフューザ、及び上側冷却プレートの上方に中心を置いて配置された上側ディスクディフューザを含む。
更に別の一態様では、基板を処理する方法が提供される。基板を処理する方法は、メインフレームとファクトリインターフェースとの間に配置されたロードロック装置であって、下側ロードロックチャンバと上側ロードロックチャンバを含むロードロック本体、下側ロードロックチャンバ内に設けられた下側冷却プレート、上側ロードロックチャンバ内に設けられた上側冷却プレート、下側冷却プレートの上方に中心を置いて配置された下側ディスクディフューザ、及び上側冷却プレートの上方に中心を置いて配置された上側ディスクディフューザを含む、ロードロック装置を提供すること、並びに下側冷却プレートの上方の下側ディスクディフューザを通して不活性ガスを流すことを含む。
本発明の上記の態様及び他の態様により、多数の他の特徴が提供される。本発明の他の特徴及び態様は、以下の詳細な説明、添付の特許請求の範囲、及び添付の図面からより詳細に明らかになる。
当業者は、以下で説明される図面が、例示目的に過ぎないことを理解するだろう。図面は、必ずしも縮尺通りに描かれておらず、本発明の範囲を何らかのやり方で限定することを意図したものではない。
１以上の実施形態による、ロードロック装置を含む（移送チャンバの蓋が除去された）基板処理システムの概略上面図を示す。 １以上の実施形態による、ロードロック装置の第１の側面断面図を示す。 図２Ａの断面に対して垂直に切り取られた、１以上の実施形態による、ロードロック装置の第２の側面断面図を示す。 １以上の実施形態による、ロードロック装置の下側ディフューザアセンブリの拡大断面図を示す。 １以上の実施形態による、ロードロック装置の下側ディフューザアセンブリを上向きに見た断面図を示す。 １以上の実施形態による、冷却プレートアセンブリが除去されたロードロック装置のロードロック本体内に形成されたカットアウトを下向きに見た断面図を示す。 １以上の実施形態による、ロードロック装置の上側リフトアセンブリの様々な上面図の１つを示す。 １以上の実施形態による、ロードロック装置の上側リフトアセンブリの様々な上面図の１つを示す。 １以上の実施形態による、ロードロック装置の上側冷却プレートアセンブリの下側斜視図を示す。 １以上の実施形態による、ロードロック装置の上側冷却プレートアセンブリの上側斜視図を示す。 １以上の実施形態による、上側冷却プレートの上面断面図を示す。 １以上の実施形態による、下側冷却プレートの上面断面図を示す。 １以上の実施形態による、ロードロック本体上に設置された上側冷却プレートアセンブリの側面断面図を示す。 １以上の実施形態による、上側冷却プレートアセンブリの一部分の拡大側面断面図を示す。 １以上の実施形態による、ロードロック装置内で基板を処理する方法を描くフローチャートを示す。
基板の処理では、基板が熱に晒される、移送チャンバに連結された処理チャンバを出ていく基板を能動的に冷却するために、時々、ロードロックチャンバが使用される。基板が、ロードロックチャンバの中へ渡されて冷却を受けると、その後、基板は、ファクトリインターフェースロボットを介してファクトリインターフェースを通って更に移送される。大きなスループットに対して望ましい積み重ねられたロードロックチャンバが使用される事例では、既存のロードロックチャンバ設計が、上側と下側の両方のロードロックチャンバに対して適切な熱環境を提供しない場合がある。これは、上から出ていく基板と下から出ていく基板との間の不均一な冷却、又は異なるサイクル時間の間の不均一な基板の冷却をもたらし得る。それらの両方が、望ましくない。
したがって、第１の実施形態では、積み重ねられたロードロックチャンバを含む改良されたロードロック装置が提供される。ロードロック装置は、下側ロードロックチャンバと上側ロードロックチャンバを含むロードロック本体、下側ロードロックチャンバ内に設けられた下側冷却プレート、上側ロードロックチャンバ内に設けられた上側冷却プレート、下側冷却プレートの上方に中心を置いて配置された下側ディスクディフューザ、及び上側冷却プレートの上方に中心を置いて配置された上側ディスクディフューザを含む。
本発明の様々な実施形態の実施例の更なる詳細を、本明細書の図１から図５を参照しつつ説明する。
次に、図１を参照すると、本発明の実施形態による、電子デバイス処理システム１００の一実施例が開示されている。電子デバイス処理システム１００は、基板１０２上で１以上の処理を実行するために有用である。基板１０２は、シリコンウエハであり、ウエハ上に形成された複数の不完全なチップを有する不完全な半導体ウエハなどの、電子デバイス前駆体であり得る。ある場合では、基板１０２は、その上にマスクを有し得る。
描かれている実施形態では、電子デバイス処理システム１００は、ファクトリインターフェース１０６に隣接して設けられたメインフレーム１０４を含む。メインフレーム１０４は、ハウジング１０８を含み、その中に移送チャンバ１１０を含む。ハウジング１０８は、幾つかの垂直な側壁を含み、それらがチャンバ面を画定し得る。描かれている実施形態では、ハウジング１０８が、対にされたチャンバ面を含み、各側壁上の面は、実質的に平行であり、それらの面に連結されたそれぞれの対にされたチャンバの中へのエントリ方向が、実質的に共に平行である。しかし、理解されるべきなのは、それぞれのチャンバの中へのエントリのラインは、移送ロボット１１２の肩軸（shoulder axis）を通らないということである。移送チャンバ１１０は、その側壁、更には、上壁及び底壁によって画定され、例えば、真空に維持され得る。移送チャンバ１１０に対する真空レベルは、約０．０１Ｔｏｒｒと約８０Ｔｏｒｒの間であり得る。他の真空レベルも使用され得る。
移送ロボット１１２は、移送チャンバ１１０内に受け入れられ、基板１０２を移送するように構成され操作される複数のアームと１以上のエンドエフェクタを含む（例えば、「基板」と基板のための配置位置とが、図１で円として示されている）。移送ロボット１１２は、基板１０２を目的地へ又は目的地から取り上げ又は配置するように適合され得る。目的地は、移送チャンバ１１０に物理的に連結された任意のチャンバであり得る。
例えば、目的地は、ハウジング１０８の１以上の面に連結され、移送チャンバ１１０からアクセス可能な、１以上の第１の処理チャンバ１１４、ハウジング１０８に連結され、移送チャンバ１１０からアクセス可能な、１以上の第２の処理チャンバ１１６、又はハウジング１０８に連結され、移送チャンバ１１０からアクセス可能な、１以上の第３の処理チャンバ１１８であり得る。同じ又は異なる処理が、第１、第２、及び第３の処理チャンバ１１４、１１６、１１８の各々の中で生じ得る。
目的地は、本発明の１以上の実施形態による、１以上のロードロック装置１２４の下側ロードロックチャンバ２２０と上側ロードロックチャンバ２２２（例えば、積み重ねられたロードロックチャンバ、図２Ａ〜図２Ｂ参照）であってもよい。目的地は、点線の円で示されている。
ロードロック装置１２４は、一方の側でファクトリインターフェース１０６と相互作用するように適合されている。ロードロック装置１２４は、ファクトリインターフェース１０６の様々な積み込みポート１２５においてドッキングされた、基板キャリア１２６（例えば、フープ（ＦＯＵＰ））から取り出された基板１０２を受け入れ得る。（点線で示されている）ファクトリインターフェースロボット１２７は、基板キャリア１２６とロードロック装置１２４との間で基板１０２を移送するために使用され得る。任意の従来のロボットの種類が、ファクトリインターフェースロボット１２７のために使用され得る。移送は、任意の順序又は方向で実行され得る。対にされたチャンバを担うことができる任意のロボットの種類が、移送ロボット１１２のために使用され得る。
図１で示されているように、１以上の従来のスリットバルブが、各処理チャンバ１１４、１１６、及び１１８に対する入口において設けられ得る。同様に、ロードロック装置１２４は、ファクトリインターフェース１０６に隣接する第１の側に第１のスリットバルブを含み、移送チャンバ１１０に隣接する第２の側に第２のスリットバルブを含み得る。個別のスリットバルブが、上側ロードロックチャンバ２２２と下側ロードロックチャンバ２２０（図２Ｂ参照）のために設けられ得る。
次に、更に詳細に、本発明の１以上の実施形態による、ロードロック装置１２４が説明される。ロードロック装置１２４は、メインフレーム１０４とファクトリインターフェース１０６の両方の間に配置され、連結され、及びそれらからアクセスされ得る。図２Ａ〜図２Ｂで示されるように、下側ロードロックチャンバ２２０と上側ロードロックチャンバ２２２は、一方の側でハウジング１０８に連結され、他方の側でファクトリインターフェース１０６に連結されている。各ロードロック装置１２４は、異なる垂直レベルにおいて配置（例えば、一方の上に他方が配置）された、下側ロードロックチャンバ２２０と上側ロードロックチャンバ２２２を含む。以下で明らかにされるように、ロードロックチャンバ２２０、２２２は、一態様において、処理後の基板１０２の冷却を実行するように構成且つ適合され、別の一態様において、ファクトリインターフェースと移送チャンバ１１０との間の受け渡しを実現するように構成且つ適合されている。
ロードロック装置１２４は、３００°Ｃより上（例えば、約３８０°Ｃ）から、１００°Ｃ未満（例えば、約８０°Ｃ未満）へ、処理チャンバ１１４、１１６、１１８のうちの１以上から出て行く基板１０２を冷却することができる。各基板１０２の冷却は、約４０秒未満の時間フレームにおいて生じるように適合されている。
処理チャンバ１１４、１１６、１１８内で実行される処理は、堆積、酸化、窒化、エッチング、洗浄、リソグラフィーなどの、何らかの熱が発生する処理であり得る。同様に、他の処理も、そこで実行され得る。
１以上の実施形態では、ロードロック装置１２４の処理チャンバ１１４、１１６、１１８内で実行される処理は、ＴｉＮ堆積処理であり得る。しかし、ロードロック装置１２４は、関連する処理が基板加熱後の速い冷却を含む、任意の電子デバイス製造システムを用いた使用のために有用であり得る。これらの及び他の態様及び実施形態は、以下で詳細に説明される。
図２Ａ〜図２Ｅは、１以上の実施形態による、ロードロック装置１２４の代表的な一実施例の詳細を示している。ロードロック装置１２４は、第１の側でファクトリインターフェース１０６に連結可能であり、反対側でメインフレーム１０４のハウジング１０８に連結可能であり得る、固い材料（例えば、アルミニウム）のロードロック本体２２６を含む。連結は、直接的なものであり又はスペーサなどの中間部材を介していてもよい。更に、連結は、ボルト締めなどの機械的な連結によるものであってもよい。ある実施形態では、ファクトリインターフェース１０６及びハウジング１０８との連結インターフェースの一方又は両方が密封され得る。ロードロック本体２２６は、ある実施形態において、材料の１つの一体的なピースであり、又は他の実施形態において、複数の連結されたピースから構成され得る。
ロードロック装置１２４は、下側ロードロックチャンバ２２０と、下側ロードロックチャンバ２２０の上方に配置された上側ロードロックチャンバ２２２とを含む。上側ロードロックチャンバ２２２と下側ロードロックチャンバ２２０の各々は、移送チャンバ１１０とファクトリインターフェース１０６からもアクセス可能である。
上側ロードロックチャンバ２２２と下側ロードロックチャンバ２２０は、各々、上側開口部２３４Ｕと下側開口部２３４Ｌを含み、各々が、それに対するアクセスを開閉するように作用する、それぞれのスリットバルブを有する。したがって、基板１０２は、何れの方向においても、下側ロードロックチャンバ２２０と上側ロードロックチャンバ２２２を通過し得る。スリットバルブは、米国特許番号第６，１７３，９８３、６，３４７，９１８、及び７，００７，９１９号などで教示される、任意の適切なスリットバルブ構造を含み得る。例えば、ある実施形態では、スリットバルブが、Ｌ‐運動スリットバルブであり得る。
ロードロック装置１２４は、下側ロードロックチャンバ２２０、下側冷却プレート２２８、下側ディフューザアセンブリ２２９、及び下側リフトアセンブリ２３０を含み、それらと関連付けられている。
下側リフトアセンブリ２３０は、下側冷却プレート２２８を通り抜けており、（点線で示された）１以上の基板が、移送ロボット１１２とファクトリインターフェースロボット１２７（図１参照）によって配置され及び除去されることを可能にするように適合された、すなわち、１以上の基板が通過することを許容された、リフトピン（例えば、３つのリフトピン）などの支持体２３２を含み得る。支持体２３２は、リフト部材２３５に連結され得る。リフト部材２３５は、リフトモータによって上下に駆動され得る。支持体２３２上に配置された基板１０２は、それぞれの開口部２３４Ｌを通してエンドエフェクタを下側ロードロックチャンバ２２０の中へ延伸させることによって、移送ロボット１１２とファクトリインターフェースロボット１２７によってアクセス可能である。
移送チャンバ１１０の中へ基板１０２を受け渡すことは、冷却が必要とされない場合の上方の位置にある支持体２３２を用いて行われ得る。処理チャンバ１１４、１１６、１１８のうちの１以上における処理に続く受け渡しの間、基板１０２が熱い（例えば、＞３００°Ｃ）ときに、基板１０２は、先ず、支持体２３２上に配置され、スリットバルブドア２７０が閉められ、その後、支持体２３２は、基板１０２を下げて下側冷却プレート２２８と熱接触させるように下げられる。
熱接触は、密接な接触、又は近接伝導（near field conduction）が生じ得る近接接触（near field contact）を介し得る。近接伝導は、基板１０２を下側冷却プレート２２８の上面から（例えば、約０．０２インチ未満によって）間隔を開けられるように維持する、多くの（例えば、約１０から４０の数の）小さいスペーサを使用して実現され得る。一旦、スリットバルブドア２７０が閉められると、熱伝達が効率的に生じ得るように、且つ、基板１０２が冷却プロセスを開始し得るように、不活性ガス（例えば、Ｎ２）が、下側ディフューザアセンブリ２２９の中へ流され、下側ロードロックチャンバ２２０は、ほぼ大気圧に戻され得る。
下側ロードロックチャンバ２２０は、それに連結された真空ポンプ２７８を含み得る。上側及び下側ロードロックチャンバの各々の圧力が、異なる時間に個別に引き落とされ得ることが望ましいにも関わらず、真空ポンプ２７８は、上側及び下側ロードロックチャンバの間で共有され得る。したがって、ロードロックチャンバ２２０、２２２は、異なる時間において冷却しながら、通過又は任意選択的な通過を経験し得る。
下側ディフューザアセンブリ
下側ディフューザアセンブリ２２９は、図２Ａ及びその拡大図である図２Ｃで最も良く示されるように、円形（ディスク形状）であり且つ下側冷却プレート２２８の上方に中心を置いて配置された、下側ディスクディフューザ２５０を含み得る。例えば、下側ディスクディフューザ２５０の中央軸方向軸は、下側冷却プレート２２８の中央軸方向軸と実質的に一致し得る。それによって、下側ディスクディフューザ２５０は、基板１０２が支持体２３２又は下側冷却プレート２２８上に配置される際に、基板１０２に中心を置いて且つ基板１０２の上方に直接的に垂直に配置される。下側ディスクディフューザ２５０は、約５０ｍｍと約２５０ｍｍの間の外径を有し得る。下側ディスクディフューザ２５０は、例えば、焼結金属（例えば、ステンレススチール若しくはニッケル又はそれらの合金）などの、多孔性金属であり得る。下側ディスクディフューザ２５０は、開かれた相互に連結された多孔性を有し、ＩＢＲＥ３０４毎に０．２μｍの粒子径で、約９９．９％の粒子捕集率を有し、全ての粒子径に対して約９０％よりも上の粒子捕集率を有し得る。したがって、下側ディスクディフューザ２５０は、流れを下側ロードロックチャンバ２２０の中へ拡散させるように機能するが、粒子フィルタとしても機能し得る。他の適切なサイズ、多孔性、及び多孔性微細構造も、使用され得る。下側ディスクディフューザ２５０の使用は、基板１０２への粒子の再分配を低減させ、不活性ガス供給２７９からの新しい粒子の導入を妨げ得る。下側冷却プレート２２８及び下側冷却プレート２２８上の基板１０２の上方に中心を置いて、下側ディスクディフューザ２５０を配置することは、低減された基板上粒子という利益を提供し得る。上側及び下側ロードロックチャンバ２２２、２２０の両方において中心に配置された上側及び下側ディスクディフューザ２７４、２５０を含む、本発明の実施形態の更なる利点は、上側又は下側ロードロックチャンバ２２２、２２０を通過する全ての基板が、ほぼ同じ状態を経験するということである。本発明のロードロック装置１２４の実施形態は、処理ガスの流れが、上側及び下側ロードロックチャンバ２２２、２２０の間で実質的に同じであり得る、上側及び下側ロードロックチャンバ２２２、２２０のチャンバ設計を含む。本発明の実施形態において中心に配置されたディスクディフューザ２７４、２５０は、上側及び下側ロードロックチャンバの両方の中へ統合される。
下側ディフューザアセンブリ２２９は、ロードロック本体２２６に取り付けられたディフューザハウジング２５２、少なくとも部分的にディフューザハウジング２５２の壁によって形成されたディフューザキャビティ２５４、及び下側ディスクディフューザ２５０を含み得る。１以上の実施形態では、下側ディスクディフューザ２５０が、ディフューザフレーム２５５に取り付けられ、ディフューザフレーム２５５の部分が、ディフューザキャビティ２５４を画定する助けとなり得る。
下側ディフューザアセンブリ２２９は、ロードロック本体２２６内に形成された凹部２５６の中へ取り付けられ、それと共に、凹部２５６と下側ディフューザアセンブリ２２９は、環状空間などのチャネル２５８を形成する。チャネル２５８は、凹部２５６の壁と下側ディフューザアセンブリ２２９の外側部分との間に形成されている。下側ディフューザアセンブリ２２９は、例えば、ディフューザハウジング２５２の壁を通過し、チャネル２５８（例えば、環状空間）とディフューザキャビティ２５４との間を連結する複数の孔２５９を含み得る。
したがって、動作では、不活性ガス供給２７９（図２Ａ参照）からの不活性ガスが、下側ロードロックチャンバ２２０と上側ロードロックチャンバ２２２との間で、ロードロック本体２２６内に概して水平に形成され得るガス通路２６０を通して、提供され得る。不活性ガスは、チャネル２５８の周りで移動し、複数の孔２５９を通ってディフューザキャビティ２５４の中へ流れる。孔２５９の数は、例えば、約６個と約１９個の間であり得る。孔２５９の直径は、例えば、約２ｍｍと約６ｍｍとの間であり得る。孔２５９は、円形状、楕円形状、スロット形状などであり得る。孔２５９の他の数、サイズ、及び形状も、使用され得る。孔２５９は、ディフューザキャビティ２５４の中へ均一な流れを提供するように設計され得る。圧力下でディフューザキャビティ２５４の中へ流れる不活性ガスは、その後、下側ディスクディフューザ２５０の多孔性壁を通して、下側ロードロックチャンバ２２０の中へ拡散する。
１以上の実施形態では、ディフューザハウジング２５２の上側部分が、上側冷却プレート２４２の底部分内に形成されたポケット２６４内に受け入れられ得る。これは、下側ディスクディフューザ２５０の位置を合せるように機能し得る。示されているように、上側冷却プレート２４２は、ロードロック本体２２６に対して上側冷却プレート２４２を配置する、位置合わせ特徴を含み得る。上側冷却プレート２４２は、（図示せぬ）ファスナによってロードロック本体２２６に固定され、シール（例えば、Ｏリング）を用いてロードロック本体２２６に密封され得る。ディフューザハウジング２５２のフランジは、第１のシール２６５（例えば、Ｏリングシール）及び上側冷却プレート２４２をロードロック本体２２６に固定する工程などによって、又はロードロック本体２２６に個別に固定されることなどによって、ロードロック本体２２６の上面に接触して密封され得る。固定することは、ボルト、ねじなどによって行われ得る。
描かれている実施形態では、ディフューザフレーム２５５及び下側ディスクディフューザ２５０が、ロードロック本体２２６内の開口部２６８内に受け入れられ、第２のシール（例えば、Ｏリング）によって密封され、且つ、上側冷却プレートをロードロック本体２２６に固定することによって又はディフューザハウジング２５２をロードロック本体２２６に固定することによって、適所に固定されることによって、位置合わせされる。下側ディスクディフューザ２５０は、溶接され、又はさもなければディフューザフレーム２５５に固定され得る。
上側ロードロックチャンバ
ロードロック装置１２４は、上側ロードロックチャンバ２２２も含み得る。上側ロードロックチャンバ２２２は、下側ロードロックチャンバ２２０とは異なる垂直レベルにおいて（例えば、下側ロードロックチャンバ２２０の直接的に上方に）配置されている。下側ロードロックチャンバ２２０のように、上側ロードロックチャンバ２２２は、基板１０２の通過及び／又は強化された冷却を伴う基板１０２の通過を可能にするように適合されている。このやり方では、更なるスループットと特定のツールのための冷却能力とが、ロードロック装置１２４内に設けられている。
上側及び下側ロードロックチャンバ２２２、２２０が、異なる高さにあるので、Ｚ‐軸能力が、移送ロボット１１２とファクトリインターフェースロボット１２７内に提供され得る。ある実施形態では、約９０ｍｍまでの垂直Ｚ‐軸能力が、移送ロボット１１２とファクトリインターフェースロボット１２７によって提供され得る。上側ロードロックチャンバ２２２と下側ロードロックチャンバ２２０との間の中心から中心への垂直な間隔は、約８０ｍｍであり得る。他の垂直な間隔の寸法も、使用され得る。
処理チャンバ１１４、１１６、１１８は、例えば、下側ロードロックチャンバ２２０と同じ垂直レベル、上側ロードロックチャンバ２２２と同じ垂直レベル、又はそれらの間の垂直レベルに配置され得る。他の処理チャンバの配置も、使用され得る。
図２Ｂで示されているように、描かれている実施形態における基板１０２のエントリは、移送チャンバ１１０とファクトリインターフェース１０６に連通した、上側開口部２３４Ｕと下側開口部２３４Ｌを通る。描かれている実施形態では、それぞれ、スリットバルブドア２７０が、上側ロードロックチャンバ２２２と下側ロードロックチャンバ２２０の上側開口部２３４Ｕと下側開口部２３４Ｌを密封し得る。スリットバルブドア２７０は、上述された任意の適切な種類のスリットバルブ機構によって駆動され得る。
次に、図２Ａと図２Ｂの両方を参照すると、上側ロードロックチャンバ２２２は、それと共に操作され得る上側リフトアセンブリ２３９を含み得る。基板１０２は、ある時に、上側リフトアセンブリ２３９の上に載置され、他の時（例えば、強化された冷却が望ましいとき）に、上側冷却プレート２４２を含む上側冷却プレートアセンブリ２４１の上に載置され得る。ロードロック装置１２４は、上側ロードロックチャンバ２２２に関連付けられた上側ディフューザアセンブリ２４４も含み得る。
上側リフトアセンブリ
上側リフトアセンブリ２３９の一部分は、図３Ａと図３Ｂで示されているように構築され得る。上側リフトアセンブリ２３９は、リング２４０、及び示されているスペーサ２４３などによってリング２４０の下方に連結されたセグメント２４５を含み得る。各セグメント２４５は、リング２４０に対して間隔を空けられており、その上にフィンガタブであり得る１以上の上側支持体２４６を含み得る。上側支持体２４６の一部又は全部は、上側ロードロックチャンバ２２２内で冷却するために、又は基板１０２の通過動作（ファクトリインターフェース１０６と移送チャンバ１１０との間での通過）のために、上側冷却プレート２４２上に基板１０２が下げられた際に、基板１０２と接触するように構成され且つ適合されている。描かれている実施形態では、２以上の上側支持体２４６が、各セグメント２４５上に設けられている。上側リフトアセンブリ２３９にわたり３点接触が提供されるならば、より多い又はより少ない数の上側支持体２４６が使用され得る。上側リフトアセンブリ２３９は、ボルト、ねじなどによって、リング２４０上に形成されたリフトコネクタ２４８と連結するように適合されたリフトアクチュエータ２４９（図２Ａ参照）を含み得る。
上側ディフューザアセンブリ
より詳細には、図２Ａ〜図２Ｂで示されるように、上側ディフューザアセンブリ２４４が、ファスナ（例えば、ボルト、ねじなど）などによって、チャンバ蓋２７３に連結された上側ディフューザハウジング２７２を含み得る。上側ディスクディフューザ２７４は、上側ディフューザアセンブリ２４４の部分として設けられ、本明細書で説明された下側ディスクディフューザ２５０と構造が同じであり得る。上側ディスクディフューザ２７４は、下側ディスクディフューザ２５０と同じやり方で、ディフューザフレーム２５５内に取り付けられ得る。上側ディフューザアセンブリ２４４は、第３のシール２７５（例えば、Ｏリングシール）によって、チャンバ蓋２７３に密封され得る。同様に、チャンバ蓋２７３は、第４のシール２７６（例えば、Ｏリングシール）によって、ロードロック本体２２６に密封され得る。
上側ロードロックチャンバ２２２及び下側ロードロックチャンバ２２０内の真空レベルは、制御され得る。例えば、ある実施形態では、上側ロードロックチャンバ２２２と下側ロードロックチャンバ２２０は、連結された真空ポンプ２７８によって、適切な真空レベルまで排気され得る。例えば、真空レベルは、約０．０１Ｔｏｒｒから約８０Ｔｏｒｒの間の範囲内の圧力において提供され得る。他の真空圧が使用されてもよい。真空ポンプ２７８が、上側ロードロックチャンバ２２２と下側ロードロックチャンバ２２０の両方に連結され得ることは、理解されるべきである。上側と下側ロードロックチャンバ２２２、２２０が異なるサイクル時間で（例えば、上側と下側ロードロックチャンバ２２２、２２０の間で交互に）操作され得るとすれば、真空ポンプ２７８は、上側と下側ロードロックチャンバ２２２、２２０の間で共有され得る。真空ポンプ２７８と制御バルブ（図２Ａ参照）は、ロードロック本体２２６の下方に設けられ、上側と下側ロードロックチャンバ２２２、２２０内で適切な真空を生成するために使用され得る。制御バルブは、ＫＦ‐４０タイプのゲートバルブなどであり得る。真空ポンプ２７８は、ＢＯＣエドワードポンプなどであり得る。他の適切な制御バルブと真空ポンプが使用されてもよい。
更に、上述されたように、不活性ガス（例えば、Ｎ２）が、上側と下側ロードロックチャンバ２２２、２２０に供給され、圧力レベルを大気圧の近くまで戻し、基板１０２が大量の酸素又は水蒸気に晒されないことを保証し得る。例えば、窒素（Ｎ２）若しくは更にアルゴン（Ａｒ）、又はヘリウム（Ｈｅ）などの不活性ガスが、不活性ガス供給２７９から導入され得る。不活性ガスの組み合わせが供給されてもよい。
再び、図１を参照すると、電子デバイス処理システム１００は、示されるように横に並んだ配置で配置された、２以上のロードロック装置１２４を含み得る。２つのロードロック装置１２４は、互いに同一であり得る。ある実施形態では、２つのロードロック装置１２４が、両方に対して共通なロードロック本体２２６（図２Ａ参照）を共有し得る。
１以上の実施形態では、スリットバルブドア２７０を含むスリットバルブアセンブリが、ロードロック装置１２４が横に並んだ関係で配置されたときでさえ、ロードロック装置１２４を同時に密封するように十分に広くなり得る。
上側冷却プレートアセンブリ
次に、図２Ｅ並びに図４Ａ〜図４Ｃ及び図４Ｅを参照すると、上側冷却プレートアセンブリ２４１が、詳細に説明されている。上側冷却プレートアセンブリ２４１は、上側冷却プレート２４２を含み得る。上側冷却プレート２４２は、基板１０２と熱接触するように提供されるように適合された熱伝導性材料（例えば、アルミニウム又はアルミニウム合金材料）から作られ得る。図４Ｃ及び図４Ｅで示されているように、上側冷却プレート２４２は、その中に形成された複数の通路４８０Ａ〜４８０Ｅ、分配チャネル４８１、及び収集チャネル４８３を含み得る。
複数の通路４８０Ａ〜４８０Ｅ、分配チャネル４８１、及び収集チャネル４８３の一部は、穿孔された通路であり得る。それらは、通路４８０Ａ〜４８０Ｅ、分配チャネル４８１、及び収集チャネル４８３の端を閉じるためのプラグ４８２を用いて塞がれ得る。本明細書で使用される「穿孔された通路」は、上側冷却プレート２４２の上面２４２Ｕ（図４Ｂ参照）に概して平行な、上側冷却プレート２４２の横方向の範囲にわたり機械加工（穿孔、穿孔及びリーム（ｒｅａｍ）、又はさもなければ機械加工）された通路を意味する。プラグ４８２は、ねじが切られたプラグ４８２であり、複数の通路４８０Ａ〜４８０Ｅ、分配チャネル４８１、及び収集チャネル４８３のねじが切られた端部分内に受け入れられ、密封され得る。任意の適切なねじ密封が使用されてもよい。他の種類のプラグも使用され得る。
図４Ｃで示されているように、通路４８０Ａ、４８０Ｂ、４８０Ｄ、及び４８０Ｅは、例えば、上側冷却プレート２４２の両側の側面から穿孔され、上側冷却プレート２４２の中央付近で互いに交差し得る、交差する直線的な孔として形成され得る。ある実施形態では、通路４８０Ａ、４８０Ｂ、４８０Ｄ、及び４８０Ｅが、機械加工される際に、互いから及び中央通路４８０Ｃから分岐し得る。中央通路４８０Ｃは、一方の側面からのみ機械加工（例えば、穿孔）され得る。通路４８０Ａ〜４８０Ｅ、分配チャネル４８１、及び収集チャネル４８３は、例えば、直径が、約６ｍｍから約１２ｍｍの間であり得る。他のサイズが使用されてもよい。上側冷却プレート２４２の直径は、例えば、約３００ｍｍから約４５０ｍｍの直径を有する基板１０２を受け入れるように十分大きくなり得る。他の基板サイズが受け入れられてもよい。
図４Ｃで示されているように、分配チャネル４８１と収集チャネル４８３は、穿孔され、通路４８０Ａ〜４８０Ｅと交差し得る。交差は、冷却液体の分配と冷却液体の流れ（矢印参照）を可能にする。冷却液体の流れは、入口４８４Ａにおいて入り、分配チャネル４８１によって分配され、通路４８０Ａ〜４８０Ｅの中へ流れ、上側冷却プレート２４２の能動的な冷却を提供し、収集チャネル４８３によって収集され、その後、出口４８４Ｂから出て行く。
入口４８４Ａと出口４８４Ｂは、それぞれ、流入連結部材４８５Ａと流出連結部材４８５Ｂに連結され、及び、流体的に相互連結され得る。したがって、流入連結部材４８５Ａは、流体（例えば、冷却液体）を受け入れ、流出冷却部材４８５Ｂは、上側冷却プレート２４２から流体（例えば、冷却液体）を排除する。
図４Ｅの拡大図で示されているように、流入連結部材４８５Ａと流出連結部材４８５Ｂは、ねじ又はボルトなどによって、上側冷却プレート２４２の下側に固定され、又はある実施形態では上側冷却プレート２４２と統合され得る。ある実施形態では、流入連結部材４８５Ａと流出連結部材４８５Ｂが、Ｏリング４９３などを用いて、上側冷却プレート２４２の下側に密封され得る。流入連結部材４８５Ａと流出連結部材４８５Ｂは、同一であり得る。
可撓性流入導管４８６Ａと可撓性流入導管４８６Ｂが、それぞれ、流入連結部材４８５Ａと流出連結部材４８５Ｂに連結され、それぞれ、流入連結部材４８５Ａへ冷却液体を運び入れ、流出連結部材４８５Ｂから冷却流体を運び出し、冷媒流入路（例えば、可撓性流入導管４８６Ａ）と冷媒流出路（例えば、可撓性流出路４８６Ｂ）として機能するように、構成され得る。可撓性流入導管４８６Ａと可撓性流出導管４８６Ｂは、約６ｍｍと約１３ｍｍの間の内径、及び、約４０ｃｍと約６５ｃｍの間の長さを有する、ステンレススチール編み上げホースであり得る。他のサイズ及びホースの種類が、使用されてもよい。
ある実施形態では、可撓性流入導管４８６Ａと可撓性流出導管４８６Ｂは、（図示せぬ）冷却液体の源に連結された、急速着脱カップリングであり得る、コネクタ４８７を含み得る。可撓性流入導管４８６Ａと可撓性流出導管４８６Ｂは、通路２９１を通過し、ロードロック本体２２６から間隔を空けられた場所にコネクタ４８７を配置するのに十分な長さを有し得る。その場所では、コネクタ４８７が、容易にアクセスされ連結され得る（図２Ａ及び図４Ｅ参照）。
拡大図４Ｆで示されているように、ロードロック装置１２４のための上側冷却プレートアセンブリ２４１は、上側冷却プレート２４２に連結され密封された流入連結部材４８５Ａを含む。流入連結部材４８５Ａは、入口チャネル４９４を含み、流出連結部材４８５Ｂは、（入口チャネル４９４と同一な）出口チャネルを含む。入口チャネル４９４と出口チャネルは、分配チャネル４８１と収集チャネル４８３によって、穿孔された通路４８０Ａ〜４８０Ｅに相互連結され得る。示されているように、ホースコネクタ４９５などによって、可撓性流入導管４８６Ａは、流入連結部材４８５Ａに連結され、可撓性流出導管４８６Ｂは、流出連結部材４８５Ｂに連結され得る。
上側冷却プレート２４２（図４Ａ〜図４Ｃ参照）において示されているのは、その上面２４２Ｕの下方に上側支持体２４６（図３Ａ、図３Ｂ参照）を受け入れるように構成され適合された、複数の端凹部４８８である。上側リフトアセンブリ２３９（図３Ａ及び図３Ｂ参照）の上側支持体２４６は、引き渡し及び／又は冷却の間に、時々、基板１０２と接触し、基板１０２を持ち上げ、又は下げるように適合されている。上面２４２Ｕは、その上に配置された複数のコンタクト４８９を含み得る。コンタクト４８９は、上述されたように、基板１０２を上面２４２Ｕの非常に近くに、しかし、上面１０２と近接熱接触するように間隔を空けるように配置され得る。
下側ディフューザアセンブリ２２９のロードロック本体２２６への設置の後に、上側冷却プレートアセンブリ２４１が、ロードロック本体２２６に組み付けられ得る。図２Ｅ、図４Ｄ、図４Ｅ、及び図４Ｆで最も良く示されているように、上側冷却プレートアセンブリ２４１を受け入れるために、ロードロック本体２２６は、通路２９１によって交差され、通路２９１に連結された、ロードロック本体２２６の床内の２つのカットアウト２９０を含む。カットアウト２９０は、約１４０ｍｍの長さ、３５ｍｍの幅、及び約２２ｍｍの深さであり得る。他のサイズ及び形状も、使用され得る。カットアウト２９０は、流入連結部材４８５Ａと流出連結部材４８５Ｂを受け入れ、（図２Ｅで点線で示されている）通路２９１は、その内部に、可撓性流入導管４８６Ａと可撓性流出導管４８６Ｂを受け入れるように構成されている。通路２９１は、コネクタ４８７が概して滑らかにそこを通過できるのに十分な直径を有し得る。
上側冷却プレートアセンブリ２４１をロードロック本体２２６に設置するために、コネクタ４８７が、カットアウト２９０の中へ供給され、その後、ロードロック本体２２６内に概して水平に形成された通路２９１の中へ供給される。その後、上側冷却プレートアセンブリ２４１は、ねじ又はボルトなどによって、適所に固定され得る。この後に、上側リフトアセンブリ２３９とチャンバ蓋２７３が、設置され固定され得る。洗浄のために上側冷却プレートアセンブリ２４１を除去するために、上述の逆が行われ得る。上側冷却プレートアセンブリ２４１の特有の構造が、洗浄のための除去を容易にし、ロードロック装置１２４への連結／ロードロック装置１２４からの連結解除を容易にする。上側冷却プレート２４２の穿孔され塞がれた通路は、上側冷却プレート２４２の本体の単一ピースの構築を可能にする。
下側冷却プレートアセンブリ
図２Ａ、図２Ｂ、及び図４Ｄは、下側冷却プレートアセンブリ２４７の例示的な一実施形態を示している。下側冷却プレートアセンブリ２４７は、下側冷却プレート２２８、及び下側冷却プレート２２８に連結された下側プレート延長部２９６を含む。図４Ｄで示されているように、下側冷却プレート２２８は、端がプラグ４８２で塞がれ得る、穿孔された通路４８０Ａ〜４８０Ｅを含み得る。この実施形態では、入口４８４Ａと出口４８４Ｂが、中央に配置され得る。以前の実施形態のように、分配チャネル４８１は、流体の流れを受け入れ、流体の流れを穿孔された通路４８０Ａ〜４８０Ｅに分配し、収集チャネル４８３は、穿孔された通路４８０Ａ〜４８０Ｅから流体の流れを収集する。流体の流れは、プレート延長部２９６を通して入り、出て行く。流体カップリング２９７（図２Ｂ参照）が、プレート延長部２９６に連結され、プレート延長部２９６が、（図示せぬ）流体源に連結され得る。開孔４９２を通して支持体２３２（図２Ａのリフトピン）を受け入れるために、開孔４９２が内部に形成され得る。
図５で示されるように、基板（例えば、基板１０２）を処理する方法５００が提供される。方法５００は、５０２で、メインフレーム（例えば、移送装置１１０）とファクトリインターフェース（例えば、ファクトリインターフェース１０６）との間に配置されるロードロック装置（例えば、ロードロック装置１２４）を提供することを含む。ロードロック装置は、下側ロードロックチャンバ（例えば、下側ロードロックチャンバ２２０）と上側ロードロックチャンバ（例えば、上側ロードロックチャンバ２２２）、下側ロードロックチャンバ内に設けられた下側冷却プレート（例えば、下側冷却プレート２２８）、上側ロードロックチャンバ内に設けられた上側冷却プレート（例えば、上側冷却プレート２４２）、下側冷却プレートの上方に中心を置いて配置された下側ディスクディフューザ（例えば、下側ディスクディフューザ２５０）、及び上側冷却プレートの上方に中心を置いて配置された上側ディスクディフューザ（例えば、上側ディスクディフューザ２７４）を含む。
方法５００は、５０４で、下側冷却プレートの上方の下側ディスクディフューザを通して不活性ガスを流すことを含む。方法５００は、５０６で、上側冷却プレート（例えば、上側冷却プレート２４２）の上方の上側ディスクディフューザ（例えば、上側ディスクディフューザ２７４）を通して不活性ガスを流すことも含み得る。
前述の説明は、本発明の例示的な実施形態を開示しているに過ぎない。本発明の範囲に含まれる先ほど開示されたシステム、装置、及び方法の変形は、当業者にはすぐに明らかになるだろう。したがって、本発明は、その例示的な実施形態に関連して開示されているが、他の実施形態が、以下の特許請求の範囲によって定義される本発明の範囲に含まれることもあると、理解すべきである。

Claims (20)

  1. 下側ロードロックチャンバと上側ロードロックチャンバを含むロードロック本体、
    前記下側ロードロックチャンバ内に設けられた下側冷却プレート、
    前記上側ロードロックチャンバ内に設けられた上側冷却プレート、
    前記下側冷却プレートの上方に中心を置いて配置された下側ディスクディフューザ、
    前記上側冷却プレートの上方に中心を置いて配置された上側ディスクディフューザ、及び
    前記下側ディスクディフューザを含む下側ディフューザアセンブリであって、前記ロードロック本体に取り付けられたディフューザハウジングを含む下側ディフューザアセンブリ
    を備える、ロードロック装置であって、
    前記ディフューザハウジングの上側部分が、前記上側冷却プレート内に形成されたポケット内に受け入れられている、ロードロック装置。
  2. 少なくとも部分的に前記ディフューザハウジングの壁と前記下側ディスクディフューザとによって形成されたディフューザキャビティを含む、請求項１に記載のロードロック装置。
  3. 少なくとも部分的に前記ディフューザハウジングの壁と前記下側ディスクディフューザとによって形成されたディフューザキャビティ、及び前記壁を貫通した複数の孔を含む、請求項１に記載のロードロック装置。
  4. 前記ロードロック本体内に形成された凹部、下側ディフューザアセンブリの外側部分と前記凹部との間でチャネルを形成する前記下側ディフューザアセンブリ、少なくとも部分的に前記ディフューザハウジングの内壁と前記下側ディスクディフューザとによって形成されたディフューザキャビティ、及び、前記壁を貫通し、前記チャネルと前記ディフューザキャビティとを連結する複数の孔を含む、請求項１に記載のロードロック装置。
  5. 前記チャネルに連結された前記ロードロック本体内の通路を備える、請求項４に記載のロードロック装置。
  6. 前記上側冷却プレートが、
    入口開口部を有する穿孔された分配チャネル、
    出口開口部を有する穿孔された収集チャネル、
    前記穿孔された分配チャネル及び前記穿孔された収集チャネルと交差する穿孔された複数の通路、並びに
    前記穿孔された複数の通路、前記穿孔された分配チャネル及び前記穿孔された収集チャネルについてそれぞれの端部を塞ぐための複数のプラグ
    を備える、請求項１に記載のロードロック装置。
  7. 前記ディフューザハウジングのフランジが、前記ロードロック本体に対して密封されている、請求項４に記載のロードロック装置。
  8. 前記ロードロック本体が、ポケットと前記ポケットに連結された通路とを備え、前記ポケットが流入連結部材と流出連結部材を受け入れ、前記通路が、前記上側冷却プレートを含む上側冷却プレートアセンブリの可撓性導管を受け入れる、請求項１に記載のロードロック装置。
  9. 前記ロードロック本体が、前記ロードロック本体の床内に形成された２つのポケットと、前記ポケットの各々と交差し、前記ロードロック本体内を水平に通る、通路とを備え、前記ポケットが、流入連結部材と流出連結部材を受け入れるように適合され、前記通路が、可撓性導管を受け入れるように適合されている、請求項１に記載のロードロック装置。
  10. 前記下側冷却プレートが、塞がれた穿孔された通路を備える、請求項１に記載のロードロック装置。
  11. 前記上側冷却プレートが、塞がれた穿孔された通路を備える、請求項１に記載のロードロック装置。
  12. 前記穿孔された通路の一部が、前記上側冷却プレートの両側の側面から機械加工された、交差する直線的な孔を備える、請求項１１に記載のロードロック装置。
  13. 穿孔された通路を含む前記上側冷却プレートと、前記上側冷却プレートに連結され、前記穿孔された通路に流体連通をもたらす、流入連結部材及び流出連結部材と、前記流入連結部材及び前記流出連結部材の各々に連結された可撓性導管とを備えた、上側冷却プレートアセンブリを備える、請求項１に記載のロードロック装置。
  14. 電子デバイス処理システムであって、
    基板を移動させるように構成されたロボットを含むメインフレーム、
    １以上の積み込みポートを有するファクトリインターフェース、並びに
    前記メインフレームと前記ファクトリインターフェースとの間に受け入れられたロードロック装置を備え、前記ロードロック装置が、
    下側ロードロックチャンバと上側ロードロックチャンバを含むロードロック本体、
    前記下側ロードロックチャンバ内に設けられた下側冷却プレート、
    前記上側ロードロックチャンバ内に設けられた上側冷却プレート、
    前記下側冷却プレートの上方に中心を置いて配置された下側ディスクディフューザ、
    前記上側冷却プレートの上方に中心を置いて配置された上側ディスクディフューザ、及び
    前記下側ディスクディフューザを含む下側ディフューザアセンブリであって、前記ロードロック本体に取り付けられたディフューザハウジングを含む下側ディフューザアセンブリ
    を含み、
    前記ディフューザハウジングの上側部分が、前記上側冷却プレート内に形成されたポケット内に受け入れられている、電子デバイス処理システム。
  15. 前記上側冷却プレートが、
    入口開口部を有する穿孔された分配チャネル、
    出口開口部を有する穿孔された収集チャネル、
    前記穿孔された分配チャネル及び前記穿孔された収集チャネルと交差する穿孔された複数の通路、並びに
    前記穿孔された複数の通路、前記穿孔された分配チャネル及び前記穿孔された収集チャネルについてそれぞれの端部を塞ぐための複数のプラグ
    を備える、請求項１４に記載の電子デバイス処理システム。
  16. 基板を処理する方法であって、
    メインフレームとファクトリインターフェースとの間に配置されたロードロック装置であって、下側ロードロックチャンバと上側ロードロックチャンバを含むロードロック本体、前記下側ロードロックチャンバ内に設けられた下側冷却プレート、前記上側ロードロックチャンバ内に設けられた上側冷却プレート、前記下側冷却プレートの上方に中心を置いて配置された下側ディスクディフューザ、及び前記上側冷却プレートの上方に中心を置いて配置された上側ディスクディフューザを含む、ロードロック装置と、
    前記下側ディスクディフューザを含む下側ディフューザアセンブリであって、前記ロードロック本体に取り付けられたディフューザハウジングを含む下側ディフューザアセンブリと、
    を提供すること、ここで前記ディフューザハウジングの上側部分は、前記上側冷却プレート内に形成されたポケット内に受け入れられている、並びに
    前記下側冷却プレートの上方の前記下側ディスクディフューザを通して不活性ガスを流すことを含む、方法。
  17. 前記上側冷却プレートの上方の前記上側ディスクディフューザを通して不活性ガスを流すことを含む、請求項１６に記載の方法。
  18. 前記上側ロードロックチャンバ又は前記下側ロードロックチャンバ内の基板を冷却することを含む、請求項１６に記載の方法。
  19. 前記基板を冷却することが、前記上側冷却プレート又は前記下側冷却プレート内の穿孔された通路を通して冷却液体の流れを提供することを含む、請求項１８に記載の方法。
  20. 前記ロードロック本体内に水平に形成された通路の中へ可撓性流入導管と可撓性流出導管を挿入すること、及び、前記ロードロック本体内に形成されたカットアウトの中へ流入連結部材と流出連結部材を受け入れることによって、上側冷却プレートアセンブリを前記ロードロック本体に設置することを含む、請求項１６に記載の方法。
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