TWI713136B - 負載鎖定設備、冷卻板組件及電子裝置處理系統與方法 - Google Patents

負載鎖定設備、冷卻板組件及電子裝置處理系統與方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI713136B
TWI713136B TW105109912A TW105109912A TWI713136B TW I713136 B TWI713136 B TW I713136B TW 105109912 A TW105109912 A TW 105109912A TW 105109912 A TW105109912 A TW 105109912A TW I713136 B TWI713136 B TW I713136B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
load lock
cooling plate
diffuser
channel
coupling member
Prior art date
Application number
TW105109912A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201705344A (zh
Inventor
魯特保羅Ｂ
莫瑞崔維斯
Original Assignee
美商應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商應用材料股份有限公司 filed Critical 美商應用材料股份有限公司
Publication of TW201705344A publication Critical patent/TW201705344A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI713136B publication Critical patent/TWI713136B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Robotics (AREA)

Abstract

提供有包括下盤形擴散器的負載鎖定設備。負載鎖定設備包括負載鎖定本體，負載鎖定本體含有下負載鎖定腔室和上負載鎖定腔室，下冷卻板在下負載鎖定腔室，且上冷卻板在上負載鎖定腔室中。下盤形擴散器可被置中地位於下冷卻板之上方。上盤形擴散器可被置中地位於上冷卻板之上方。提供有包括負載鎖定設備之系統和操作負載鎖定設備的方法。亦提供有易於移除而用於清潔的冷卻板組件，因為有許多其他的態樣。

Description

負載鎖定設備、冷卻板組件及電子裝置處理系統與方法 【相關申請案】
本申請案請求於2015年4月22日提交的名稱為「負載鎖定設備、冷卻板組件及電子裝置處理系統與方法」(案號為第22367/USA號)的美國非臨時申請案第14/693,386號之優先權，此優先權係出於所有的目的而於此藉由引用其全文的方式併入本文。
本發明大體關於電子裝置製造，且更具體地，關於負載鎖定設備。
傳統的電子裝置製造工具可包括多個製程腔室和圍繞傳送腔室的一或多個負載鎖定腔室。這些電子裝置製造系統可使用可被容納在傳送腔室內，且傳送基板於各種製程腔室和一或多個負載鎖定腔室之間的傳送機械手臂。在一些例子中，負載鎖定腔室可被堆疊成一者在另一者之頂部(如，雙負載鎖定)。
工廠介面(有時被稱為設備前端模塊(equipment front end module,EFEM))可被提 供以在工廠介面的前面處將基板裝載進出於一或多個負載鎖定腔室中。
雖然足以滿足他們所預期的目的，現有的負載鎖定腔室設計受到一些問題之困擾。在此些負載鎖定腔室中，清潔可被週期性地進行，以移除污染物、殘餘物及/或顆粒。然而，在現有的負載鎖定腔室中，腔室清洗負載鎖定腔室是耗時且勞力密集的。此外，現有的包括堆疊負載鎖定配置之負載鎖定腔室可能受到熱有關之困擾。因此，期望有使能易於清潔及/或改良的熱性質之改良負載鎖定設備、系統及方法。
在第一態樣中，提供有一種負載鎖定設備。負載鎖定設備包括：負載鎖定本體，包括下負載鎖定腔室和上負載鎖定腔室；下冷卻板，設置在下負載鎖定腔室中；上冷卻板，設置在上負載鎖定腔室中；下盤形擴散器，置中地位於下冷卻板之上方；及上盤形擴散器，置中地位於上冷卻板之上方。
根據另一態樣，提供有一種用於負載鎖定設備的冷卻板組件。冷卻板組件包括：冷卻板，包括交叉鑽孔通道、分配通道和收集通道，其中分配通道和收集通道之每一者與交叉鑽孔通道相交；流入耦接構件和流出耦接構件，耦接到冷卻板，流入耦接構件包括入口通道且流出耦接構件包括出口通道，入口通道和出口通道係藉由分配通道和收集通道而被互連至交叉鑽孔通道； 撓性流入導管，耦接到流入耦接構件；及撓性流出導管，耦接到流出耦接構件。
根據另一態樣，提供有一種電子裝置的處理系統。電子裝置處理系統包括：主框架，包括經配置以移動基板的機械手臂；工廠介面，具有一或多個負載埠；及負載鎖定設備，容納於主框架和工廠介面之間，負載鎖定設備包括：負載鎖定本體，包括下負載鎖定腔室和上負載鎖定腔室；下冷卻板，設置在下負載鎖定腔室中；上冷卻板，設置在上負載鎖定腔室中；下盤形擴散器，置中地位於下冷卻板之上方；及上盤形擴散器，置中地位於上冷卻板之上方。
在另一個態樣中，提供有一種處理基板的方法。處理基板的方法包括以下步驟：提供位於主框架和工廠介面之間的負載鎖定設備，負載鎖定設備包括：負載鎖定本體，包括下負載鎖定腔室和上負載鎖定腔室；下冷卻板，設置在下負載鎖定腔室中；上冷卻板，設置在上負載鎖定腔室中；下盤形擴散器，置中地位於下冷卻板之上方；及上盤形擴散器，置中地位於上冷卻板之上方；及將惰性氣體流動通過在下冷卻板之上的下盤形擴散器。
提供有根據本發明的這些和其它態樣之許多其他的特徵。本發明的其它特徵和態樣將由以下的實施方式、所附的申請專利範圍和附隨的圖式而將變得更完全地顯而易見。
100‧‧‧電子裝置處理系統
102‧‧‧基板
104‧‧‧主框架
106‧‧‧工廠介面
108‧‧‧外殼
110‧‧‧傳送腔室
112‧‧‧機械手臂
114‧‧‧製程腔室
116‧‧‧製程腔室
118‧‧‧製程腔室
124‧‧‧負載鎖定設備
125‧‧‧負載埠
126‧‧‧基板載體
127‧‧‧工廠介面機械手臂
220‧‧‧負載鎖定腔室
222‧‧‧負載鎖定腔室
226‧‧‧負載鎖定本體
228‧‧‧下冷卻板
229‧‧‧下擴散器組件
230‧‧‧下舉升組件
232‧‧‧支撐件
234L‧‧‧下開口
234U‧‧‧上開口
235‧‧‧舉升構件
236‧‧‧舉升馬達
239‧‧‧上舉升組件
240‧‧‧環
241‧‧‧上冷卻板組件
242‧‧‧上冷卻板
242U‧‧‧上表面
243‧‧‧間隔件
244‧‧‧上擴散器組件
245‧‧‧區段
246‧‧‧上支撐件
247‧‧‧下冷卻板組件
248‧‧‧舉升連接件
249‧‧‧舉升致動器
250‧‧‧下盤形擴散器
252‧‧‧擴散器外殼
254‧‧‧擴散器凹穴
255‧‧‧擴散器框架
256‧‧‧凹陷
258‧‧‧通道
259‧‧‧孔
260‧‧‧氣體通路
264‧‧‧腔袋
265‧‧‧第一密封件
268‧‧‧開口
270‧‧‧狹縫閥門
272‧‧‧上擴散器外殼
273‧‧‧腔室蓋
274‧‧‧上盤形擴散器
275‧‧‧第三密封件
276‧‧‧第四密封件
278‧‧‧真空泵
279‧‧‧惰性氣體供應器
290‧‧‧切口
291‧‧‧通路
296‧‧‧板延伸部
297‧‧‧流體耦接件
480A‧‧‧通道
480B‧‧‧通道
480C‧‧‧通道
480D‧‧‧通道
480E‧‧‧通道
481‧‧‧分配通道
482‧‧‧插塞
483‧‧‧收集通道
484A‧‧‧入口
484B‧‧‧出口
485A‧‧‧流入耦接構件
485B‧‧‧流出耦接構件
486A‧‧‧撓性流入導管
486B‧‧‧撓性流出導管
487‧‧‧連接件
488‧‧‧邊緣凹陷
489‧‧‧接點
492‧‧‧孔洞
493‧‧‧O形環
494‧‧‧入口通道
495‧‧‧連接件
500‧‧‧方法
502
504
506
本領域中具有通常知識者將理解於下所描述的圖式係僅用於說明的目的。圖式不必按比例而繪製，且不意欲以任何方式限制本發明之實施例的範圍。
第1圖顯示包括根據一或多個實施例之負載鎖定設備的基板處理系統之概要頂視圖(移除傳送腔室的蓋)。
第2A圖顯示根據一或多個實施例之負載鎖定設備的第一剖面側視圖。
第2B圖顯示由垂直於第2A圖之剖面所獲得的根據一或多個實施例之負載鎖定設備的第二剖面側視圖。
第2C圖顯示根據一或多個實施例之負載鎖定設備的下擴散器組件之放大的剖面圖。
第2D圖顯示根據一或多個實施例之負載鎖定設備的下擴散器組件之剖面上視圖。
第2E圖顯示根據一或多個實施例的移除冷卻板組件之負載鎖定設備的負載鎖定本體上形成的切口之剖面下視圖。
第3A-3B圖顯示根據一或多個實施例之負載鎖定設備的上提升組件之各個頂視圖。
第4A圖顯示根據一或多個實施例之負載鎖定設備的上冷卻板組件之下側透視圖。
第4B圖顯示根據一或多個實施例之負載鎖定設備的上冷卻板組件之頂部透視圖。
第4C圖顯示根據一或多個實施例之上冷卻板的剖面頂視圖。
第4D圖顯示根據一或多個實施例的下冷卻板的剖面頂視圖。
第4E圖顯示根據一或多個實施例之安裝到負載鎖定本體的上冷卻板組件之剖面側視圖。
第4F圖顯示根據一或多個實施例之上冷卻板組件的一部分之放大的剖面側視圖。
第5圖顯示描述在根據一或多個實施例之負載鎖定設備中處理基板的方法之流程圖。
在基板處理中，有時負載鎖定腔室被用以主動地冷卻退出耦接至傳送腔室之製程腔室的基板，於製程腔室處基板被曝露至高溫。基板被傳送到負載鎖定腔室中，經過冷卻，且接著藉由工廠介面機械手臂而被進一步傳送通過工廠介面。在使用堆疊負載鎖定腔室的例子中(這是為了獲得大的產出)，現有的負載鎖定腔室設計可能無法提供合適的熱環境給上及下負載鎖定腔室兩者。此可能導致離開頂部或底部之基板之間，或可能不同循環時間之間的不均勻冷卻，這兩者都是非所欲的。
因此，在第一實施例中，提供有包括堆疊的負載鎖定腔室之改良的負載鎖定設備。負載鎖定設備包括：負載鎖定本體，包括下負載鎖定腔室和上負載鎖定腔室；下冷卻板，設置在下負載鎖定腔室中；上冷卻板，設置在上負載鎖定腔室中；下盤形擴散器，置中地位下冷卻板之上方；及上盤形擴散器，置中地位於上冷卻板之上方。
對本發明的各種實施例的例子之進一步細節係參考第1-5圖而於此描述。
現在參考第1圖，揭露有根據本發明之實施例的電子裝置處理系統100之例子。電子裝置處理系統100係用以在基板102上實施一或多個製程。基板102可為矽晶圓，矽晶圓可為電子裝置的前身，諸如具有複數個未完成的晶片形成於上未完成的半導體晶圓。在一些例子中，基板102可具有遮罩在上。
在所示的實施例中，電子裝置處理系統100包括設置鄰近於工廠介面106的主框架104。主框架104包括外殼108，且包括在外殼108中的傳送腔室110。外殼108可包括多個垂直的側壁，多個垂直的側壁可界定腔室的小平面。在所示的實施例中，外殼108包括成對的腔室小平面，其中在每一側壁上的小平面係實質平行的，且進入到耦接至小平面的各成對的腔室中之進入方向係實質共平行的。然而，如應理解的，進入各腔室中的進入線係不通過傳送機械手臂112的肩軸。傳送腔室110係由傳送腔室110的側壁，及頂壁和底壁所界定，且(例如)可被維持在真空。用於傳送腔室110 的真空等級可為在(例如)約0.01Torr至約80Torr之間。可以使用其它的真空等級。
機械手臂112係接收在傳送腔室110中，且包括多個臂和經配置且可操作以傳送基板102的一或多個端效器(如，在第1圖中顯示為圓形之「基板」和用於基板的置放位置)。傳送機械手臂112可經調適以從目的地拾取基板102或放置基板102至目的地。目的地可為實體地耦接至傳送腔室110的任何腔室。
例如，目的地可為耦接至外殼108的一或多個小平面且可從傳送腔室110存取之一或多個第一製程腔室114，可為耦接至外殼108且可從傳送腔室110存取之一或多個第二製程腔室116，或可為耦接至外殼108且可從傳送腔室110存取之一或多個第三製程腔室118。相同或不同的製程可能發生在第一、第二和第三製程腔室114、116、118之每一者中。
目的地還可為根據本發明的一或多個實施例之一或多個負載鎖定設備124的下負載鎖定腔室220和上負載鎖定腔室222(如，堆疊的負載鎖定腔室-見第2A-2B圖)。目的地係顯示為虛線圓形。
負載鎖定設備124經調適以在一側上與工廠介面106介面連接，且可接收從停靠在工廠介面106的各種負載埠125處的基板載體126(如，前開式晶圓傳送盒(Front Opening Unified Pods,FOUP))移除之基板102。工廠介面機械手臂127(顯示為虛線) 可被用以傳送基板102在基板載體126和負載鎖定設備124之間。任何傳統的機械手臂類型可被用於工廠介面機械手臂127。傳送可以任何順序或方向而實施。能夠服務成對的腔室之任何機械手臂類型可被用於傳送機械手臂112。
如第1圖中所示，一或多個傳統的狹縫閥可被設置在進入每一製程腔室114、116和118的入口處。同樣地，負載鎖定設備124可包括在鄰近工廠介面106之第一側上的第一狹縫閥，和鄰近傳送腔室110之第二側上的第二狹縫閥。可提供分離的狹縫閥用於上負載鎖定腔室222和下負載鎖定腔室220(第2B圖)。
更具體地，根據本發明的一或多個實施例之負載鎖定設備124現將被說明。負載鎖定設備124可位於主框架104和工廠界面106兩者之間，負載鎖定設備124可被耦接到主框架104和工廠界面106兩者及可從主框架104和工廠界面106兩者存取。如在第2A-2B圖中所示，下負載鎖定腔室220和上負載鎖定腔室222在一側上被耦接到外殼108且在另一側上被耦接到工廠介面106。每一負載鎖定設備124包括位於不同垂直水平(如，一個在另一個之上)之下負載鎖定腔室220和上負載鎖定腔室222。負載鎖定腔室220、222經配置及調適以在一個態樣中實施基板102處理之後的冷卻，且在另一個態樣中完成工廠介面和傳送腔室110之間的交接，如將由以下部分而顯而易見者。
負載鎖定設備124能夠將從一或多個製程腔室114、116、118離開的基板102從300℃以上(如，約380℃)冷卻至低於100℃(如，低於約80℃)。每一基板102的冷卻經調適以發生在小於約40秒的時段。
在製程腔室114、116、118中實施的製程可為任何的熱產生製程，諸如沉積、氧化、硝化、蝕刻、清潔、顯影或類似者。其它製程也可在那裏實施。
在一或多個實施例中，在負載鎖定設備124的製程腔室114、116、118中實施的製程可為TiN沉積製程。然而，負載鎖定設備124可有利地用於與任何電子裝置製造系統使用，其中所關於的製程包括基板加熱，接著快速冷卻。這些和其他態樣及實施例係詳述於下。
第2A-2E圖顯示根據一或多個實施例之負載鎖定設備124的代表性例子的細節。負載鎖定設備124包括剛性材料(如，鋁)的負載鎖定本體226，負載鎖定本體226可為在第一側上可連接至工廠介面106，且在相對側上可連接至主框架104的外殼108的。連接可為直接地或通過中間構件，諸如間隔件。連接可進一步係藉由機械連接，諸如藉由螺栓或類似者。與工廠介面106和外殼108連接的連接介面之一者或兩者可在一些實施例中被密封。負載鎖定本體226在一些實施例中可為整體的材料件，或在其他實施例中可被多個連接件所構成。
負載鎖定設備124包括下負載鎖定腔室220和位於下負載鎖定腔室220之上的上負載鎖定腔室222。上負載鎖定腔室222和下負載鎖定腔室220之每一者可由傳送腔室110存取，且也可從工廠介面106存取。
上負載鎖定腔室222和下負載鎖定腔室220每一者包括上開口234U和下開口234L，每個開口具有作用以打開和關閉到每個開口的存取之各個狹縫閥。故，基板102可在任一方向通過下負載鎖定腔室220和上負載鎖定腔室222。狹縫閥可包括任何合適的狹縫閥構造，諸如在美國專利第6,173,938號；第6,347,918號；及第7,007,919號中所教示者。在一些實施例中，狹縫閥可(例如)為L-運動的狹縫閥。
負載鎖定設備124可與下負載鎖定腔室220、下冷卻板228、下擴散器組件229和下舉升組件230相關聯。
下舉升組件230可包括通過下冷卻板228，且經調適以允許一或多個基板102(顯示為虛線)藉由傳送機械手臂112及工廠介面機械手臂127(第1圖)而被放置和移除(亦即，允許通過)的支撐件232(諸如舉升銷(如，三個舉升銷))。支撐件232可被耦接至升降構件235，升降構件235可藉由升降馬達236而被向上及向下致動。被放置在支撐件232上之基板102可藉由延伸端效器通過各個開口234L到下負載鎖定腔室220 中而藉由傳送機械手臂112與工廠介面機械手臂127存取。
進入到傳送腔室110中之基板102的交接可以在上位置中的支撐件232而被處理，於上位置中不希望有冷卻。在交接之後在製程腔室114、116、118之一或多者處的處理期間，當基板102是熱的(如，>300℃)時，基板102首先被放置在支撐件232上，狹縫閥門270關閉，接著支撐件232被降低，以降低基板102而與下冷卻板228熱接觸。
熱接觸可為通過直接接觸或近場接觸，其中近場傳導可能發生。近場傳導可藉由使用許多(如，從約10至40編號)的小間隔件而完成，小間隔件保持基板102與下冷卻板228的上表面間隔(如，小於約0.02英寸)。一旦狹縫閥門270被關閉，惰性氣體(如，N2)可被流入到下擴散器組件229中，且下負載鎖定腔室220可被回復至約大氣壓力，使得熱傳送可有效地發生，且基板102可開始冷卻製程。
下負載鎖定腔室220可包括連接到下負載鎖定腔室220之真空泵278。真空泵278可被共享於上及下負載鎖定腔室之間，儘管期望每一個負載鎖定腔室的壓力可在不同的時間被分別地抽出。因此，負載鎖定腔室220、222可在不同的時間遭遇冷卻的經歷或任選地遭遇冷卻的經歷。
下擴散器組件
下擴散器組件229可包括(如在第2A圖和在放大圖第2C圖中所最佳地顯示)為圓形(盤形)的，且置中地位於下冷卻板228之上的下盤形擴散器250。例如，下盤形擴散器250的中央軸之軸線可實質地與下冷卻板228的中央軸之軸線重疊，使得下盤形擴散器250被置中地設置且當基板102被設置在支撐件232上或在下冷卻板228上時直接地垂直於基板102之上方。下盤形擴散器250可具有約50mm至250mm之間之外徑。下盤形擴散器250可為多孔的金屬材料，(例如)諸如燒結的金屬(如，不銹鋼或鎳或它們的合金)。下盤形擴散器250可具有開放的互連孔隙，且根據IBR E304可具有0.2μm之顆粒尺寸的約99.9%的顆粒收集效率，且可具有對所有的顆粒尺寸而言大於約90%的顆粒收集效率。因此，下盤形擴散器250運作以將流擴散到下負載鎖定腔室220中，但也可如顆粒過濾器運用。可使用其它合適的尺寸、孔隙和多孔微結構。下盤形擴散器250的使用可減少顆粒再分配到基板102上，且可防止從惰性氣體供應器279引入新的顆粒。將下盤形擴散器250置中地位於下冷卻板228及下冷卻板上的基板102之上可提供減少在基板上之顆粒的優點。包括有在上及下負載鎖定腔室220、222兩者中置中設置的上及下盤形擴散器250、274之本發明的實施例之額外的優點係通過上或下負載鎖定腔室220、222的所有基板102將遭遇大約相同的條件。本發明之負載鎖定設備124的實 施例包括的上及下負載鎖定腔室220、222的腔室設計，其製程氣體流可在上及下負載鎖定腔室220、222之間實質地相同。在本發明之實施例中的置中地設置之盤形擴散器250、274係整合至上和下負載鎖定腔室兩者中。
下擴散器組件229可包括安裝到負載鎖定本體226的擴散器外殼252、至少部分地藉由擴散器外殼252和下盤形擴散器250的壁所形成的擴散器凹穴254。在一或多個實施例中，下盤形擴散器250可被安裝到擴散器框架255，且擴散器框架255的部分可幫助界定擴散器凹穴254。
下擴散器組件229可被安裝到在負載鎖定本體226中所形成的凹陷256，且凹陷256和下擴散器組件229一起形成通道258，諸如環。通道258係形成在凹陷256的壁和下擴散器組件229的外部之間。下擴散器組件229可包括通過擴散器外殼252的壁，(例如)且連接在通道258(如，環)和擴散器凹穴254之間的複數個孔259。
因此，在操作中，來自惰性氣體供應器279(第2A圖)的惰性氣體可通過氣體通路260而被提供至通道258，氣體通路260可在負載鎖定本體226中，在下負載鎖定腔室220和上負載鎖定腔室222之間大體水平地形成。惰性氣體繞通道258而橫穿且流進及流經複數個孔259到擴散器凹穴254中。孔259的數量可為(例 如)約6和18個之間。孔259的直徑可為(例如)約2mm至6mm之間。孔259可為圓形、長橢圓形、槽形或類似者。可使用其它的孔259的數目、尺寸和形狀。孔259可經設計以提供到擴散器凹穴254中之均勻流動。在壓力下流到擴散器凹穴254中的惰性氣體接著通過下盤形擴散器250的多孔壁而擴散，且接著進入到下負載鎖定腔室220中。
在一或多個實施例中，擴散器外殼252的上部可被接收於腔袋264中，腔袋264係形成在上冷卻板242之底部中。此可運作以指示下盤形擴散器250的位置。如圖所示，上冷卻板242可包括指示特徵，指示特徵相對於負載鎖定本體226定位上冷卻板242。上冷卻板242可藉由緊固件(未顯示)而被緊固到負載鎖定本體226，且可以密封件(如，O形環)而密封負載鎖定本體226。擴散器外殼252的凸緣可諸如藉由第一密封件265(如，O型環密封件)和將上冷卻板242固定到負載鎖定本體226的操作，或藉由被分別地緊固到負載鎖定本體226而被密封抵住負載鎖定本體226的上表面。緊固可為藉由螺栓、螺釘或類似者。
在所示的實施例中，擴散器框架255和下盤形擴散器250是藉由在負載鎖定本體226中之開口268被接收而指示，藉由第二密封件(如，O形環)而密封，並藉由將上冷卻板固定到負載鎖定本體226或藉由將擴散器外殼252固定到負載鎖定本體226而固定在定位。 下盤形擴散器250可被焊接或以其它方式固定到擴散器框架255。
上負載鎖定腔室
負載鎖定設備124還可包括上負載鎖定腔室222。上負載鎖定腔室222是位於不同於下負載鎖定腔室220(例如，直接在上面)之垂直高度處。上負載鎖定腔室222(像下負載鎖定腔室220)經調適以允許通過基板102及/或以增加的冷卻通過基板102。以此方式，在負載鎖定設備124中對特定的工具提供額外的產出和冷卻能力。
因為上和下負載鎖定腔室220、222是在不同的高度，Z軸能力可被提供在傳送機械手臂112和工廠介面機械手臂127中。在一些實施例中，高達約90mm的垂直Z軸能力可藉由傳送機械手臂112及工廠介面機械手臂127而提供。在上負載鎖定腔室222和下負載鎖定腔室220之間的中心到中心的垂直間隔可為約80mm。可使用其它的垂直間隔。
製程腔室114、116、118可(例如)位於如下負載鎖定腔室220般相同的垂直水平處，位於如上負載鎖定腔室222般相同的垂直水平處，或位於在下負載鎖定腔室220和上負載鎖定腔室222之間的水平處。可使用其它的製程腔室位置。
如第2B圖中所示，在所示的實施例中之基板102的進入是通過與傳送腔室110與工廠介面106連通的上開口234U和下開口234L。在所示的實施例中，狹縫閥門270可分別地密封上負載鎖定腔室222和下負載鎖定腔室220的上開口234U和下開口234L。狹縫閥門270可藉由以上所討論的任何合適類型的狹縫閥機構而被致動。
現在參考第2A和2B圖兩者，上負載鎖定腔室222可包括可與上負載鎖定腔室222操作的上升降組件239。基板102可有時安置在上舉升組件239上，且可在其他時候(如，當需要增加的冷卻時)安置在包括上冷卻板242之上冷卻板組件241上。負載鎖定設備124還可包括與上負載鎖定腔室222相關聯的上擴散器組件244。
上舉升組件
上舉升組件239的一部分可被構造為如第3A和3B圖中所示。上舉升組件239可包括環240和在環240之下(諸如藉由所示的間隔件243)耦接的區段245。每一區段245可遍佈環240而被間隔，且可在區段245上包括一或多個上支撐件246，一或多個上支撐件246可為指狀凸片。上支撐件246的一些或全部經配置且經調適以當基板102被降低到上冷卻板242上時接觸基板102，用於在上負載鎖定腔室222中冷卻，或用於通過基板102的操作(在工廠介面106和轉移腔室110之間傳送)。在所示的實施例中，兩或更多個上支撐件246係設置在每一區段245上。以三點接觸係跨越上舉升組件239而提供作為條件，可使用更多或更少數量的支撐件246。上舉升組件239可包括舉升致動器249(第2A圖)，舉升致動器249經調適以(諸如藉由螺栓、螺釘或類似者)耦接到在環240上所形成的舉升連接器248。
上擴散器組件
更具體地，如在第2A-2B圖中所示的上擴散器組件244可包括(諸如藉由緊固件(如，螺栓、螺釘，或類似者))耦接到腔室蓋273的上擴散器外殼272。上盤形擴散器274可被提供作為上擴散器組件244的部分，且可在結構上相同於如於此所述的下盤形擴散器250。上盤形擴散器274可以如下盤形擴散器250相同的方式而被安裝在擴散器框架255中。上擴散器組件244可藉由第三密封件275(如，O形環密封件)而密封到腔室蓋273。同樣地，腔室蓋273可藉由第四密封件276(如，O形環密封件)而被密封到負載鎖定本體226。
在上負載鎖定腔室222和下負載鎖定腔室220中的真空等級可被控制。例如，在一些實施例中，上負載鎖定腔室222和下負載鎖定腔室220可藉由耦接的真空泵278而被抽空到合適的真空等級。例如，真空等級可以在約0.01Torr至約80Torr之間的範圍之壓力而提供。可使用其它的真空壓力。應認清真空泵278可被同時連接到上負載鎖定腔室222和下負載鎖定腔室220。考慮到上和下負載鎖定腔室222、220可以不同 的循環時間來操作(如，在上和下負載鎖定腔室222、220之間交替)，真空泵278可被共享於上和下負載鎖定腔室222、220之間。真空泵278和控制閥(第2A圖)可被提供於負載鎖定本體226之下，且可被用以產生在上和下負載鎖定腔室222、220內的適當真空。控制閥可為KF-40型閘閥或類似者。真空泵278可為BOC Edwards泵或類似者。可使用其它合適的控制閥和真空泵。
此外，如以上所討論者，惰性氣體(如N2)可被提供給上和下負載鎖定腔室222、220，以將壓力水平返回接近大氣壓力，並確保基板102不被暴露於任何明顯數量的氧氣或水分。例如，惰性氣體(諸如氮氣(N2)或甚至氬氣(Ar)或氦氣(He))可從惰性氣體供應器279而被引入。可供應惰性氣體的結合。
再參考第1圖，電子裝置處理系統100可包括超過一個的負載鎖定設備124，如圖所示配置成側面並排配置。兩個負載鎖定設備124可為彼此相同的。在一些實施例中，兩個負載鎖定設備124可分享給兩者共用之負載鎖定本體226(參見第2A圖)。
在一或多個實施例中，包括狹縫閥門270之狹縫閥組件可為夠寬的，以同時地密封負載鎖定設備124，即便當負載鎖定設備124以側面並排關係配置時。
上冷卻板總成
現在參考第2E及4A-4C和4E圖，上冷卻板組件241將被詳細地描述。上冷卻板組件241可包括上冷卻板242，上冷卻板242可由熱傳導材料(如，鋁或鋁合金材料)所製成，上冷卻板242經調適以被設置成與基板102熱接觸。上冷卻板242可包括在上冷卻板242中形成的複數個通道480A-480E(如第4C和4E圖中所示)、分配通道481和收集通道483。
複數個通道480A-480E、分配通道481和收集通道483的一些可為交叉鑽孔通道，複數個通道480A-480E、分配通道481和收集通道483可接著被插塞482插入，以關閉通道480A-480E、分配通道481和收集通道483的端部。如於此所使用的「交叉鑽孔通道」意指遍佈上冷卻板242的橫向範圍，大體平行於上冷卻板242的上表面242U(第4B圖)而被機械加工(如，被鑽孔、被鑽孔並擴大或被以其他方式機械加工)之通道。插塞482可為帶螺紋的插塞482，且可被接收，並密封在，複數個通道480A-480E、分配通道481和收集通道483的螺紋端部部分。可使用任何合適的螺紋密封劑。可使用其它類型的插塞。
如第4C圖中所示，通道480A、480B、480D和480E可被形成為(例如)從上冷卻板242的相對橫向側被交叉鑽孔且可在上冷卻板242的中心附近彼此相交的交叉平直孔。在一些實施例中，當被機械加工時，通道480A、480B、480D和480E可為彼此發散到且從中 心通道480C發散的。中心通道480C可從僅一個橫向側而被機械加工(如，被鑽孔)。通道480A-480E、分配通道481和收集通道483可為具有(例如)約6mm至約12mm之間的直徑。可使用其它的尺寸。上冷卻板242的直徑可為足夠大以容納具有(例如)約300mm到約450mm之直徑的基板102。可容納其它的基板尺寸。
如第4C圖中所示，分配通道481和收集通道483可為交叉鑽孔的，且可與通道480A-480E相交。交叉允許冷卻液體分配和冷卻液體流動(見箭頭)。冷卻液體流在入口484A處進入；藉由分配通道481而分配；通到通道480A-480E中提供上冷卻板242的主動冷卻；藉由收集通道483而收集；及接著在出口484B處離開。
入口484A和出口484B可被分別耦接到流入耦接構件485A和流出耦接構件485B，且和流入耦接構件485A和流出耦接構件485B流體地互連。因此，流入耦接構件485A接收流體(如，冷卻液體)而流出耦接構件485B從上冷卻板242排出流體(如，冷卻液體)。
如第4E圖的放大圖中所示，流入耦接構件485A和流出耦接構件485B可被(諸如藉由螺釘或螺栓)緊固在上冷卻板242的下側，或可在一些實施例中係與上冷卻板242整合為一體。在一些實施例中，流入耦接構件485A和流出耦接構件485B可(諸如以O形環493)被密封到上冷卻板242的下側。流入耦接構件485A和流出耦接構件485B可為相同的。
撓性流入導管486A和撓性流出導管486B可被分別地耦接到流入耦接構件485A和流出耦接構件485B，且可經配置以將冷卻液體攜帶分別進出流入耦接構件485A和流出耦接構件485B，且作為冷卻劑流入(如，撓性流入導管486A)和冷卻劑流出(如，撓性流出導管486B)般運作。撓性流入導管486A和撓性流出導管486B可為具有在約6mm和13mm之間的內徑和在約40cm和65cm之間的長度之不銹鋼編織軟管。也可使用其他的尺寸和軟管類型。
撓性流入導管486A和撓性流出導管486B可包括連接器487，在一些實施例中連接器487可為快速斷耦接件，快速斷耦接件耦接到冷卻液體的源(未顯示)。撓性流入導管486A和撓性流出導管486B可具有一長度，該長度足以通過通路291並令連接器487放置在與負載鎖定本體226相隔的一位置處，於該位置中連接器487可被容易地存取和連接(見第2A和4E圖)。
如在放大的第4F圖中所示，用於負載鎖定設備124的上冷卻板組件241包括流入耦接構件485A，流入耦接構件485A被耦接到並被密封到上冷卻板242，其中流入耦接構件485A包括入口通道494，且流出耦接構件485B包括一個出口通道(與入口通道494相同)。入口通道494和出口通道可藉由分配通道481和收集通道483而與交叉鑽孔通道480A-480E互連。如圖所示，撓性流入導管486A(諸如藉由軟管接頭495)被耦接到流入耦接構件485A，且撓性流出導管486B可被耦接到流出耦接構件485B。
在上冷卻板242(第4A-4C圖)中所示者為經構造及調適以接收上支撐件246(第3A、3B圖)於上冷卻板242之上表面242U之下的多個邊緣凹陷488。上舉升組件239(第3A和3B圖)的上支撐件246經調適以於交接及/或冷卻期間不時接觸、舉升或降低基板102。上表面242U可包括位於上表面242U上之多個接點489。接點489可經定位以使基板102間隔成非常靠近上表面242U，但如上所討論的與上表面242U為近場熱接觸。
在將下擴散器組件229安裝到負載鎖定本體226上之後，上冷卻板組件241可被組裝到負載鎖定本體226。為接收上冷卻板組件241(如第2E和4D、4E及4F圖中所最佳地顯示)，負載鎖定本體226包括兩個切口290在負載鎖定本體226的底板中，切口290可藉由通道291而相交並耦接到通路291。切口290可為約140mm長、35mm寬和約22mm深。可使用其它的尺寸和形狀。切口290接收流入耦接構件485A和流出耦接構件485B，且通路291(在第2E圖中顯示為虛線)經配置以接收在通路291中的撓性流入導管486A和撓性流出導管486B。通路291可具有足夠的直徑，以允許連接器487大體不受阻礙地通過那裡。
為將上冷卻板組件241安裝到負載鎖定本體226，連接器487被饋送到切口290，並接著進入到在負載鎖定本體226中大體水平地形成之通路291。上冷卻板組件241可接著(諸如藉由螺釘或螺栓)被緊固定位。在此之後，上舉升組件239和腔室蓋273可被安裝並固定。為了清潔而移除上冷卻板組件241，以上方式的反向操作可被進行。上冷卻板組件241的獨特結構允許為了清潔而易於移除和易於與負載鎖定設備124連接/斷開。上冷卻板242之交叉鑽孔的和插入的通道允許上冷卻板242的本體之單件式結構。
下冷卻板總成
第2A、2B和4D圖顯示下冷卻板組件247的示例實施例。下冷卻板組件247包括下冷卻板228，及耦接到下冷卻板228之下板延伸部296。如第4D圖中所示，下冷卻板228可包括可以插塞482而於端部被插入之交叉鑽孔通道480A-480E。在此實施例中，入口484A和出口484B可被置中地定位。就像先前的實施例，分配通道481接收和分配流體流到交叉鑽孔通道480A-480E，且收集通道483收集來自交叉鑽孔通道480A-480E之流體流。流體流進入並通過板延伸部296而離開。流體耦接件297(第2B圖)可被耦接到板延伸部296，板延伸部296可耦接到流體源(未顯示)。 孔洞492可被形成在下冷卻板228中以在那裏接受支撐件232通過(第2A圖的舉升銷)。
如第5圖中所示，提供有一種處理基板500(如，基板102)的方法。方法500包括以下步驟：在502中，提供負載鎖定設備(如，負載鎖定設備124)於主框架(如，主框架104)和工廠介面(如，工廠介面106)之間，負載鎖定設備包括負載鎖定本體(如，負載鎖定本體226)；負載鎖定本體包括下負載鎖定腔室(如，下負載鎖定腔室220)和上負載鎖定腔室(如，上負載鎖定腔室222)；下冷卻板(如，下冷卻板228)，設置在下負載鎖定腔室中；上冷卻板(如，上冷卻板242)，設置在上負載鎖定腔室中；下盤形擴散器(如，下盤形擴散器250)，置中地設置在下冷卻板之上方；及上盤形擴散器(如，上盤形擴散器274)，置中地設置在上冷卻板之上方。
該方法500包括以下步驟：在504中，將惰性氣體流動通過在下冷卻板之上的下盤形擴散器。方法500還可包括以下步驟：在506中，將惰性氣體流動通過在上冷卻板(如，上冷卻板242)之上的上盤形擴散器(如，上盤形擴散器274)。
前面的實施方式僅揭露了本發明的示例性實施例。落入本發明之範圍內的上述所揭露的系統、設備和方法的修改對於該技術領域中具有通常知識者將是顯而易見的。因此，雖然本發明已結合本發明之示例性實施例而揭露，應理解其他實施例可能落入本發明的範圍內，本發明的範圍係由以下的申請專利範圍所界定。
102‧‧‧基板
124‧‧‧負載鎖定設備
220‧‧‧負載鎖定腔室
222‧‧‧負載鎖定腔室
226‧‧‧負載鎖定本體
228‧‧‧下冷卻板
229‧‧‧下擴散器組件
230‧‧‧下舉升組件
232‧‧‧支撐件
234L‧‧‧下開口
234U‧‧‧上開口
235‧‧‧舉升構件
236‧‧‧舉升馬達
239‧‧‧上舉升組件
241‧‧‧上冷卻板組件
242‧‧‧上冷卻板
244‧‧‧上擴散器組件
247‧‧‧下冷卻板組件
249‧‧‧舉升致動器
250‧‧‧下盤形擴散器
255‧‧‧擴散器框架
272‧‧‧上擴散器外殼
273‧‧‧腔室蓋
274‧‧‧上盤形擴散器
275‧‧‧第三密封件
276‧‧‧第四密封件
278‧‧‧真空泵
279‧‧‧惰性氣體供應器

Claims (17)

  1. 一種負載鎖定設備，包含：一負載鎖定本體，包括一下負載鎖定腔室和一上負載鎖定腔室；一下冷卻板，設置在該下負載鎖定腔室中；一上冷卻板，設置在該上負載鎖定腔室中；一下盤形擴散器，置中地位於該下冷卻板之上方；一上盤形擴散器，置中地位於該上冷卻板之上方；一下擴散器組件，包括：一擴散器外殼；一擴散器凹穴，至少部分地藉由該擴散器外殼和該下盤形擴散器之多個壁而形成；及複數個孔，通過該等壁；及一凹陷，形成在該負載鎖定本體中，其中該擴散器外殼被安裝到該負載鎖定本體並形成一通道於該下擴散器組件之一外部和該凹陷之間，且該複數個孔連接該通道和該擴散器凹穴。
  2. 如請求項1所述之負載鎖定設備，包括一通路，在該負載鎖定本體中，與該通道連接。
  3. 如請求項1所述之負載鎖定設備，其中該擴散器外殼之一上部係接收於在該上冷卻板中所形成的一腔袋中，其中該擴散器外殼位於該上冷卻板的該 腔袋中並與該上冷卻板的該腔袋接觸，且藉由一密封件而密封抵住該負載鎖定本體的一上表面。
  4. 如請求項1所述之負載鎖定設備，其中該擴散器外殼之一凸緣被密封抵住該負載鎖定本體。
  5. 如請求項1所述之負載鎖定設備，其中該負載鎖定本體包含多個腔袋和耦接至該等腔袋之多個通路，其中該等腔袋接收一流入耦接構件和一流出耦接構件，且該等通路接收包括該上冷卻板之一上冷卻板組件的多個撓性導管。
  6. 如請求項1所述之負載鎖定設備，其中該負載鎖定本體包括：兩個腔袋，形成在該負載鎖定本體之一底板中；及一通路，與該等腔袋之每一者相交並在該負載鎖定本體中水平地通過，其中該等腔袋經調適以接收一流入耦接構件和一流出耦接構件，且該等通路經調適以接收多個撓性導管。
  7. 如請求項1所述之負載鎖定設備，其中該下冷卻板包含被插入的多個交叉鑽孔通道。
  8. 如請求項1所述之負載鎖定設備，其中該上冷卻板包含被插入的多個交叉鑽孔通道。
  9. 如請求項8所述之負載鎖定設備，其中該等交叉鑽孔通道之一些包含多個交叉平直孔，該等交叉平直孔始於該上冷卻板的相對橫向側。
  10. 如請求項1所述之負載鎖定設備，進一步包含一上冷卻板組件，該上冷卻板組件包含：該上冷卻板，包括多個交叉鑽孔通道；一流入耦接構件，耦接到該上冷卻板；及一流出耦接構件，耦接到該上冷卻板並提供與該等交叉鑽孔通道之流體連通；及一撓性導管，耦接到該流入耦接構件及該流出耦接構件之每一者。
  11. 一種用於一負載鎖定設備的冷卻板組件，包含：一冷卻板，包括多個交叉鑽孔通道、一分配通道和一收集通道，其中該分配通道和該收集通道之每一者與該等交叉鑽孔通道相交；一流入耦接構件和一流出耦接構件，耦接到該冷卻板，該流入耦接構件包括一入口通道且該流出耦接構件包括一出口通道，該入口通道和該出口通道係藉由該分配通道和該收集通道而被互連至該等交叉鑽孔通道；一撓性流入導管，耦接到該流入耦接構件；及一撓性流出導管，耦接到該流出耦接構件。
  12. 一種電子裝置的處理系統，包含：一主框架，包括一機械手臂，經配置以移動多個基 板；一工廠介面，具有一或多個負載埠；及一負載鎖定設備，容納於該主框架和該工廠介面之間，該負載鎖定設備包括：一負載鎖定本體，包括一下負載鎖定腔室和一上負載鎖定腔室；一下冷卻板，設置在該下負載鎖定腔室中；一上冷卻板，設置在該上負載鎖定腔室中；一下盤形擴散器，置中地位於該下冷卻板之上方；一上盤形擴散器，置中地位於該上冷卻板之上方；一下擴散器組件，包括：一擴散器外殼；一擴散器凹穴，至少部分地藉由該擴散器外殼和該下盤形擴散器之多個壁而形成；及複數個孔，通過該等壁；及一凹陷，形成在該負載鎖定本體中，其中該擴散器外殼被安裝到該負載鎖定本體並形成一通道於該下擴散器組件之一外部和該凹陷之間，且該複數個孔連接該通道和該擴散器凹穴。
  13. 一種處理基板的方法，包括以下步驟：提供位於一主框架和一工廠介面之間的一負載鎖 定設備，該負載鎖定設備包括：一負載鎖定本體，包括：一下負載鎖定腔室和一上負載鎖定腔室；一下冷卻板，設置在該下負載鎖定腔室中；一上冷卻板，設置在該上負載鎖定腔室中；一下盤形擴散器，置中地位於該下冷卻板之上方；一上盤形擴散器，置中地位於該上冷卻板之上方；一下擴散器組件，包括：一擴散器外殼；一擴散器凹穴，至少部分地藉由該擴散器外殼和該下盤形擴散器之多個壁而形成；及複數個孔，通過該等壁及一凹陷，形成在該負載鎖定本體中，其中該擴散器外殼被安裝到該負載鎖定本體並形成一通道於該下擴散器組件之一外部和該凹陷之間，且該複數個孔連接該通道和該擴散器凹穴；及將惰性氣體流動通過在該下冷卻板之上的該下盤形擴散器，以包括流動通過該通道和該複數個孔。
  14. 如請求項13所述之方法，進一步包含以下步驟：將惰性氣體流動通過在該上冷卻板之上的該上盤形擴散器。
  15. 如請求項13所述之方法，進一步包含以下步驟：在該上負載鎖定腔室或該下負載鎖定腔室中冷卻多個基板。
  16. 如請求項15所述之方法，其中該冷卻多個基板之步驟包含以下步驟：提供冷卻液體流通過在該上冷卻板或該下冷卻板中之多個交叉鑽孔通道。
  17. 如請求項13所述之方法，進一步包含以下步驟：藉由將一撓性流入導管和一撓性流出導管插入到在該負載鎖定本體中水平地形成之多個通路而將一上冷卻板組件安裝至該負載鎖定本體；及將一流入耦接構件和一流出耦接構件接收到在該負載鎖定本體中所形成的多個切口中。
TW105109912A 2015-04-22 2016-03-29 負載鎖定設備、冷卻板組件及電子裝置處理系統與方法 TWI713136B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/693,386 US20160314997A1 (en) 2015-04-22 2015-04-22 Loadlock apparatus, cooling plate assembly, and electronic device processing systems and methods
US14/693,386 2015-04-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201705344A TW201705344A (zh) 2017-02-01
TWI713136B true TWI713136B (zh) 2020-12-11

Family

ID=57144616

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105109912A TWI713136B (zh) 2015-04-22 2016-03-29 負載鎖定設備、冷卻板組件及電子裝置處理系統與方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20160314997A1 (zh)
JP (1) JP6753866B2 (zh)
KR (1) KR102278413B1 (zh)
CN (1) CN107534001B (zh)
TW (1) TWI713136B (zh)
WO (1) WO2016171867A1 (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3363044B1 (en) * 2015-10-15 2021-12-15 Applied Materials, Inc. Substrate carrier system
JP6554387B2 (ja) * 2015-10-26 2019-07-31 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置における基板冷却方法、基板搬送方法、およびロードロック装置
JP6270952B1 (ja) * 2016-09-28 2018-01-31 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体。
JP7158133B2 (ja) * 2017-03-03 2022-10-21 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 雰囲気が制御された移送モジュール及び処理システム
US10796935B2 (en) 2017-03-17 2020-10-06 Applied Materials, Inc. Electronic device manufacturing systems, methods, and apparatus for heating substrates and reducing contamination in loadlocks
US10755955B2 (en) 2018-02-12 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Substrate transfer mechanism to reduce back-side substrate contact
US10720348B2 (en) * 2018-05-18 2020-07-21 Applied Materials, Inc. Dual load lock chamber
US20200126826A1 (en) * 2018-10-18 2020-04-23 Applied Materials, Inc. Load lock body portions, load lock apparatus, and methods for manufacturing the same
US11211269B2 (en) 2019-07-19 2021-12-28 Applied Materials, Inc. Multi-object capable loadlock system
JP7394554B2 (ja) 2019-08-07 2023-12-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
USD973737S1 (en) 2020-11-17 2022-12-27 Applied Materials, Inc. Mainframe of substrate processing system
USD973116S1 (en) * 2020-11-17 2022-12-20 Applied Materials, Inc. Mainframe of substrate processing system
CN113035752B (zh) * 2021-03-05 2022-11-11 上海广川科技有限公司 负载锁定装置及基片传片方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100040437A1 (en) * 2005-04-18 2010-02-18 Tokyo Electron Limited Load lock apparatus, processing system and substrate processing method
US20110265887A1 (en) * 2010-04-30 2011-11-03 Applied Materials, Inc. Apparatus for radial delivery of gas to a chamber and methods of use thereof
US20120258259A1 (en) * 2011-04-08 2012-10-11 Amit Bansal Apparatus and method for uv treatment, chemical treatment, and deposition

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001319885A (ja) * 2000-03-02 2001-11-16 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体製造方法
US6717115B1 (en) * 2000-04-25 2004-04-06 Teradyne, Inc. Semiconductor handler for rapid testing
JP3448737B2 (ja) * 2000-05-25 2003-09-22 住友重機械工業株式会社 ウエハーチャック用冷却板及びウエハーチャック
KR100960773B1 (ko) 2000-09-15 2010-06-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 처리 장비용 더블 이중 슬롯 로드록
US7207766B2 (en) * 2003-10-20 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Load lock chamber for large area substrate processing system
US20070045108A1 (en) * 2005-08-26 2007-03-01 Demaray Richard E Monolithic sputter target backing plate with integrated cooling passages
US7665951B2 (en) * 2006-06-02 2010-02-23 Applied Materials, Inc. Multiple slot load lock chamber and method of operation
US7822324B2 (en) 2006-08-14 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Load lock chamber with heater in tube
WO2014143846A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc Multi-position batch load lock apparatus and systems and methods including same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100040437A1 (en) * 2005-04-18 2010-02-18 Tokyo Electron Limited Load lock apparatus, processing system and substrate processing method
US20110265887A1 (en) * 2010-04-30 2011-11-03 Applied Materials, Inc. Apparatus for radial delivery of gas to a chamber and methods of use thereof
US20120258259A1 (en) * 2011-04-08 2012-10-11 Amit Bansal Apparatus and method for uv treatment, chemical treatment, and deposition

Also Published As

Publication number Publication date
CN107534001A (zh) 2018-01-02
KR102278413B1 (ko) 2021-07-15
JP2018514089A (ja) 2018-05-31
KR20170141747A (ko) 2017-12-26
CN107534001B (zh) 2021-08-03
US20160314997A1 (en) 2016-10-27
JP6753866B2 (ja) 2020-09-09
WO2016171867A1 (en) 2016-10-27
TW201705344A (zh) 2017-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI713136B (zh) 負載鎖定設備、冷卻板組件及電子裝置處理系統與方法
US11885023B2 (en) Substrate retaining apparatus, system including the apparatus, and method of using same
TWI618177B (zh) 於負載鎖位置中處理基板之處理負載鎖設備、升降組件、電子裝置處理系統以及方法
KR101109299B1 (ko) 페이스-업 습식 프로세싱을 위해 웨이퍼 온도 균일성을강화시키는 장치
KR102354961B1 (ko) 페디스털 유체-기반 열 제어
US6602348B1 (en) Substrate cooldown chamber
TWI598455B (zh) 傳送腔室氣體淨化裝置、電子設備處理系統及淨化方法
US8741065B2 (en) Substrate processing apparatus
US20150030766A1 (en) Pedestal bottom clean for improved fluorine utilization and integrated symmetric foreline
KR101826789B1 (ko) 전자 디바이스 제조 시스템의 챔버 포트 조립체
KR20100103627A (ko) 기판의 온도를 제어하기 위한 방법 및 장치
US9945570B2 (en) Unit and method for cooling, and apparatus and method for treating substrate
US10818525B2 (en) Ambient controlled transfer module and process system
KR20170102008A (ko) 기판 이송 메커니즘들
JP2017517877A5 (zh)
CN107230655A (zh) 用于等离子体处理的双区式加热器
KR20190077632A (ko) 시간적 원자 층 증착 프로세싱 챔버
JP2008066339A (ja) 半導体装置の製造装置
US11404293B2 (en) Cooling unit and substrate treating apparatus including the same
CN106575619A (zh) 多基板热管理设备
KR102510626B1 (ko) 열 관리 시스템
TWI756496B (zh) 加熱台以及具有加熱台的設備
US20240133035A1 (en) Substrate retaining apparatus, system including the apparatus, and method of using same