TWI756496B - 加熱台以及具有加熱台的設備 - Google Patents

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TWI756496B TW107142184A TW107142184A TWI756496B TW I756496 B TWI756496 B TW I756496B TW 107142184 A TW107142184 A TW 107142184A TW 107142184 A TW107142184 A TW 107142184A TW I756496 B TWI756496 B TW I756496B
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邱柏淵
黃之駿
沈秉廷
黃力上
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台灣積體電路製造股份有限公司
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Abstract

一種加熱台包含底座以及導熱板。導熱板位於底座上。導熱板具有中央部以及包圍中央部的邊緣部，且邊緣部包括第一部分以及連接到第一部分的第二部分，其中第一部分包夾在中央部與第二部分之間。第二部分的高度沿從中央部朝向邊緣部的方向逐漸降低。

Description

加熱台以及具有加熱台的設備
本發明實施例涉及加熱台以及具有加熱台的設備。
製造半導體積體電路(integrated circuit；IC)通常涉及許多需要升高晶圓(wafer)溫度的處理技術來執行所需製程，例如化學氣相沉積(chemical vapor deposition；CVD)、物理氣相沉積(physical vapor deposition；PVD)、幹式蝕刻或其他處理技術。由於溫度升高，在處理晶圓時有可能出現嚴重彎曲或翹曲，而導致晶圓損壞。因此，改進的晶圓固持設備是抑制所述影響的關鍵因素。
本發明實施例提供一種加熱台包含底座和導熱板。所述導熱板位於所述底座上。所述導熱板具有中央部和包圍所述中央部的邊緣部，且所述邊緣部包含第一部分和連接到所述第一部分的第二部分，其中所述第一部分包夾在所述中央部與所述第二部分之間。所述第二部分的高度沿從所述中央部朝向所述邊緣部的方向逐漸降低。
本發明實施例提供一種加熱台包含底座、導熱板、支撐軸 杆以及通管。所述底座具有第一主表面和與所述第一主表面相對的第二主表面。所述導熱板位於所述底座的所述第一主表面上，其中所述導熱板具有中央部和包圍所述中央部的邊緣部，且所述邊緣部包含第一部分和連接到所述第一部分的第二部分，其中所述第一部分包夾在所述中央部與所述第二部分之間，且所述第二部分的高度沿從所述中央部朝向所述邊緣部的方向逐漸降低。所述支撐軸杆位於所述底座的所述第二主表面上，其中所述底座位於所述導熱板與所述支撐軸杆之間。所述通管嵌入於所述支撐軸杆中。
本發明實施例提供一種用於處理半導體晶圓的設備包含腔室，所述腔室包含外殼、噴頭以及加熱台。所述外殼具有頂部表面、與頂部表面相對的底部表面以及連接頂部表面與底部表面的側壁。所述噴頭位於所述外殼內部且設置於所述頂部表面上。所述加熱台至少部分地位於所述外殼內部且設置於所述底部表面上，其中所述加熱台包含底座和設置於所述底座上的導熱板，其中所述導熱板具有中央部和包圍所述中央部的邊緣部，且所述邊緣部包含第一部分和連接到所述第一部分的第二部分，其中所述第一部分包夾在所述中央部與所述第二部分之間，且所述第二部分的高度沿從所述中央部朝向所述邊緣部的方向逐漸降低。
100:腔室
110:外殼
110a:頂部部分
110b:底部部分
110s:側壁部分
120:噴頭
130:加熱台
132:底座
132a、S1、WSa:頂部表面
132b、S2:底部表面
132s:底座的側壁
134:板
134a:環形框架部
134b:中央部
136:針腳
138:支撐軸杆
138a:通管
138a1:第一末端開口
138a2:第二末端開口
140:排氣裝置
142、152:閥門
144、154:導管
150:供氣裝置
CS:封閉空間
GV:溝渠
H1、H2、H5、Ha、Hb:高度
H4:高度差
PG:處理氣體
Ra、Rb:部分
S:空間
S3:非平面表面
S3a、S3b:平面表面
S4:內側壁
S5:外側壁
W1、W2:半徑
W3、W4、W5、W6、Wa、Wb:寬度
WS:晶圓基底
WSb:背側表面
X、Y:方向
當結合附圖閱讀時，自以下詳細描述最佳地理解本揭露的態樣。應注意，根據業界中的標準慣例，各種特徵未按比例繪製。實際上，可出於論述清楚起見，任意地增加或減小各種特徵的 尺寸。
圖1是根據本公開的一些示例性實施例的具有加熱台的設備的示意性橫截面圖。
圖2是根據本公開的一些示例性實施例的加熱台的示意性橫截面圖。
圖3是圖2中所描繪的加熱台的一部分的放大示意性橫截面圖。
圖4是根據本公開的一些示例性實施例的加熱台的示意性俯視平面圖。
圖5是根據本公開的一些示例性實施例的加熱台的示意性俯視平面圖。
圖6是根據本公開的一些示例性實施例的加熱台的示意性俯視平面圖。
圖7是根據本公開的一些示例性實施例的加熱台的示意性俯視平面圖。
以下公開內容提供了許多不同的實施例或實施例，用於實現所提供主題的不同特徵。以下描述元件以及佈置的具體示例以簡化本公開。當然，這些僅僅是示例而非旨在進行限制。舉例來說，在下面的描述中將第一特徵形成在第二特徵“之上”或在第二特徵“上”可包括其中第一特徵及第二特徵被形成為直接接觸的實施例，且也可包括其中第一特徵與第二特徵之間可形成有附加特徵，進而使得所述第一特徵與所述第二特徵可能不直接接 觸的實施例。另外，本發明實施例可能在各種實例中重複使用參照編號及/或字母。此種重複使用是出於簡潔及清晰的目的，而不是自身表示所論述的各種實施例及/或配置之間的關係。
此外，為易於說明，本文中可能使用例如“在...下”、“在...下方”、“下部”、“在...上”、“在...上方”、“上部”等空間相對性用語來闡述圖中所示一個元件或特徵與另一(其他)元件或特徵的關係。空間相對性用語旨在除圖中所繪示取向外還囊括裝置在使用或操作中的不同取向。設備可具有另外的取向(旋轉90度或其他取向)，且本文中所使用的空間相對性描述語可同樣相應地進行解釋。
另外，為易於描述，可在本文中使用例如“第一”、“第二”、“第三”等術語以描述如圖式中所繪示的類似或不同的元件或特徵，且可取決於存在次序或描述的上下文而互換使用。
本公開將于文中以特定的實施例進行描述，所述實施例涉及升高晶圓溫度的製程期間實現晶圓基底中的均勻溫度分佈而不具有由彎曲或翹曲所引起損壞的加熱台，所述製程例如化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、原子層沉積(atomic layer deposition；ALD)、雜質摻雜、高速熱處理(rapid thermal process；RTP)、退火以及金屬沉積。所述實施例可用於加熱具有各種直徑的晶圓基底，實現每一晶圓基底上的均勻溫度分佈，從而執行所需製程的同時抑制由彎曲或翹曲效應所引起的損壞。應注意，儘管已結合特定實施例描述本公開，但應理解，本公開不限於這些實施例，且可在不脫離如在所述實施例中所具體界定的本公開的範圍和精神的情況下作出許多修改和改變。舉例來說，所述實施例可用 於其它半導體製造製程，其中在該些半導體製造製程中涉及處理半導體工件，使半導體工件達到所需要的均勻的熱分佈且無由彎曲或翹曲效應所引起的損壞。
圖1是根據本公開的一些示例性實施例的具有加熱台的設備的示意性橫截面圖。圖2是根據本公開的一些示例性實施例的加熱台的示意性橫截面圖。圖3是圖2中所描繪的加熱台的一部分的放大示意性橫截面圖。圖4是根據本公開的一些示例性實施例的加熱台的示意性俯視平面圖，其中圖4繪示圖2中所描繪的加熱台的俯視平面圖。在圖1至圖4中所示的示例性實施例中，本公開的加熱台可用於化學氣相沉積(CVD)腔室中，然而本公開不限於此。在一替代實施例中，本公開的加熱台可用於執行其它製程的腔室或裝置，所述製程例如物理氣相沉積、原子層沉積、雜質摻雜、高速熱處理、退火、金屬沉積等。
參照圖1，在一些實施例中，提供腔室100。在一些實施例中，腔室100為用於在晶圓基底製造期間將材料層沉積於基底上的材料沉積腔室，且可經由使用化學氣相沉積製程的沉積製程來沉積各層，其中氣體在一或多個晶圓基底上流動。所述化學氣相沉積製程例如是等離子體增強式化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition；PECVD)或高密度等離子體化學氣相沉積(high density plasma chemical vapor deposition；HDP-CVD)。如圖1所示，舉例來說，腔室100包含外殼110、噴頭120、加熱台130、排氣裝置140以及供氣裝置150。
在一些實施例中，在沉積製程期間，提供晶圓基底WS且將其放置於腔室100中。舉例來說，如圖1所示，經由使晶圓基 底WS的背側表面WSb與加熱台130物理接觸而通過加熱台130定位並支撐晶圓基底WS。在一些實施例中，晶圓基底WS為經摻雜或未經摻雜的矽晶圓或是絕緣體上半導體(semiconductor-on-insulator；SOI)基底的有源層。在替代實施例中，晶圓基底WS可為矽鍺(silicon germanium；SiGe)，然而本公開不限於此。晶圓基底WS可例如包含：其它半導體材料，例如鍺(germanium；Ge)；化合物半導體，包含碳化矽(silicon carbide；SiC)、砷化鎵(gallium arsenic；GaAs)、磷化鎵(gallium phosphide；GaP)、磷化銦(indium phosphide；InP)、砷化銦(indium arsenide；InAs)和/或銻化銦(indium antimonide；InSb)；合金半導體，包含矽鍺(SiGe)、磷砷化鎵(gallium arsenide phosphide；GaAsP)、砷化鋁銦(aluminum indium arsenide；AlInAs)、砷化鋁鎵(aluminum gallium arsenide；AlGaAs)、砷化鎵銦(gallium indium arsenide；GaInAs)、(gallium indium phosphide；GaInP)和/或磷砷化鎵銦(gallium indium arsenide phosphide；GaInAsP)；或其組合。在一些實施例中，晶圓基底WS可為多層或梯度(gradient)基底。在一個實施例中，晶圓基底WS可為用於半導體裝置製造工業中的基底或用於半導體裝置製造以外的工業中的基底，但本公開不限於此。
如圖1所示，在一些實施例中，沉積製程包含(但不限於)以下步驟：將晶圓基底WS放置於加熱台130上；開啟排氣裝置140以排出晶圓基底WS與加熱台130之間的空間S中的氣體，以用於將晶圓基底WS固持在所需位置而無法輕易移動；經由噴頭120將處理氣體(processing gas)排放至外殼110中；當處理氣體對晶圓基底WS所施加的壓力大到足以維持晶圓基底WS的 放置位置時，關閉排氣裝置140；以及開啟供氣裝置150以排放工作氣體，以用於確保晶圓基底WS的均勻溫度分佈。應注意，沉積製程更包含以下步驟：通過加熱台130加熱晶圓基底WS；通過處理氣體在晶圓基底WS上沉積薄膜；以及直到在晶圓基底WS上沉積出所需高度的薄膜時，終止沉積製程。以下描述將詳述外殼110、噴頭120、加熱台130、排氣裝置140、供氣裝置150、處理氣體PG以及工作氣體的詳細結構和材料。
如圖1所示，在一些實施例中，外殼110包含頂部部分110a、與頂部部分110a相對的底部部分110b以及連接頂部部分110a與底部部分110b的側壁部分110s。在一些實施例中，頂部部分110a、底部部分110b以及側壁部分110s形成用於容納噴頭120和加熱台130的封閉空間CS。在一些實施例中，外殼110的材料包含鐵(iron；Fe)、鉻(chromium；Cr)、鎳(Nickel；Ni)、鋁(alumium；Al)、其組合或其類似者。本公開不限於此。
在一個實施例中，外殼110被說明為大小設定成適合單一晶圓基底。然而，在某些實施例中，外殼110可足夠大以在沉積製程期間容納多於一個晶圓基底。在一些實施例中，外殼110包含一或多個晶圓基底的入口和出口(未描繪)，以允許將晶圓基底放入封閉空間CS以及從所述封閉空間CS移出晶圓基底。可替代地，外殼110可包含可分離部分，所述分離部分可自外殼110分離以放入和移出晶圓基底；且在操作期間中，所述分離部分可與外殼110緊固在一起。
如圖1所示，在一些實施例中，噴頭120位於封閉空間CS中且設置於外殼110的頂部部分110a上。在某些實施例中，噴 頭120例如充當氣體源，其提供待沉積至晶圓基底WS上的處理氣體PG，如圖1所示。在一些實施例中，處理氣體可為氣體形式的前驅物(gas precursor)，例如四(二甲氨基)鈦(tetrakis(dimethylamino)titanium；TDMAT)，以用於沉積一或多個氮化鈦層。在一些實施例中，噴頭120的材料包含鋁(Al)或其類似者。然而，本公開不限於此。在一個實施例中，可同時或分開地經由噴頭120供應多於一種的處理氣體。在本公開中，處理氣體的物質可基於需求而指定或選擇，且在本文中不受限。
另外，噴頭120例如可在供應處理氣體PG的同時另外供應載體氣體(carrier gas)(未圖示)，其中所述載體氣體不與處理氣體PG或形成腔室100的任何材料反應，而是僅促進對處理氣體PG的流動速率的調節。在一些實施例中，載體氣體可為單一氣體或氣體混合物。在一個實施例中，載體氣體可包含惰性氣體，然而本公開不限於此。
如圖1至圖4所示，在一些實施例中，加熱台130至少部分地位於封閉空間CS中且設置於外殼110的底部部分110b上方。在某些實施例中，舉例來說，加熱台130不僅作為用於保持晶圓基底WS的放置位置的支撐元件，並且還作為用於加熱晶圓基底WS的加熱元件。在某些實施例中，一個或多於一個加熱裝置(未圖示)嵌入於加熱台130中且耦接到所述加熱台130，其中在沉積製程期間可將晶圓基底WS加熱到預定溫度(例如300℃至400℃)。加熱裝置的數量在本公開中不受限，且可基於需求而指定。
在一些實施例中，如圖1的橫截面圖中所繪示，加熱台 130位於噴頭120的正下方，其中加熱台130的放置位置與噴頭120的放置位置彼此至少部分地重疊。換句話說，噴頭120至少部分地位於加熱台130上方，使得放置於加熱台130上的晶圓基底WS也與噴頭120重疊，其中這樣的配置可被視為沉積製程的適當位置(proper position)。如圖1所示，在某些實施例中，噴頭120的中心、加熱台130的中心以及晶圓基底WS的中心彼此對準，其中晶圓基底WS的頂部表面WSa面向噴頭120，且晶圓基底WS的背側表面WSb物理接觸加熱台130，使得晶圓基底WS的溫度通過加熱台130而升高，並且通過噴頭120所提供的處理氣體而在晶圓基底WS上形成並沉積薄膜或膜層。
參照圖2至圖4，加熱台130具有底座132、板(plate)134、多個針腳(pin)136、支撐軸杆138以及至少一個通管(through pipe)138a。如圖2所示，在某些實施例中，沿著方向Y，底座132包夾在板134與支撐軸杆138之間，且針腳136位於板134上，使得板134包夾在針腳136與底座132之間。在一些實施例中，至少一個通管138a以從下到上的次序穿透支撐軸杆138、底座132以及板134。在一些實施例中，加熱台130可由不銹鋼製成。在一個實施例中，底座132、板134、針腳136以及支撐軸杆138可一體成型，然而本公開不限於此。在以下實施例中，出於清楚說明的目的，可通過虛線指示彼此連接的兩個元件或部分的交接面；或可通過一條或多於一條虛線將元件或部分劃分成兩個或多於兩個不同部分。在一替代實施例中，底座132、板134、針腳136以及支撐軸杆138可分開形成，且隨後以機械方式相互組裝。
在一些實施例中，如圖2至圖4所示，底座132具有頂 部表面132a、與頂部表面132a相對的底部表面132b以及連接頂部表面132a與底部表面132b的側壁132s。在一些實施例中，底座132在圖4中所描繪的俯視平面圖中呈圓形形狀，其中底座132具有沿方向X測量的最大半徑W1和沿方向Y測量的高度H1，且方向X不平行於方向Y。舉例來說，方向X實質上垂直於方向Y，如圖2所示。在一個實施例中，最大半徑W1大約介於168mm至172mm的範圍內。在一個實施例中，高度H1大約介於15.6mm至15.8mm的範圍內。然而，在替代實施例中，底座132的(俯視平面圖)形狀可為橢圓形、蛋形、其它類似形狀、或任何合適的多邊形形狀，本公開不限於此。
在一些實施例中，參照圖2至圖4，板134設置於底座132的頂部表面132a上且以機械方式連接到所述頂部表面132a。在某一實施例中，如圖4所示，底座132的一部分由板134暴露，其中由板134暴露的底座132的所述部分具有沿方向X測量的寬度W3。在一個實施例中，由板134暴露的底座132的所述部分的寬度W3大約介於21mm至23mm的範圍內。在一個實施例中，寬度W3與最大半徑W1的比值介於約12.2%至約13.7%的範圍內。舉例來說，寬度W3與最大半徑W1的比值可約為13%，然本公開不限於此。
在某些實施例中，如圖2至圖3所示，板134具有頂部表面S1、與頂部表面S1相對的底部表面S2(其為沿方向X自由板134暴露的底座132的所述部分的頂部表面延長的平面表面)、與底部表面S2相對的非平面表面S3、連接頂部表面S1與非平面表面S3的內側壁S4、以及連接非平面表面S3與底部表面S2的 外側壁S5。在一些實施例中，非平面表面S3包含平面表面S3a和連接到平面表面S3a的平面表面S3b，其中平面表面S3a實質上平行於底部表面S2，且平面表面S3b不平行於平面表面S3a。如圖2和圖3所示，在平面表面S3a的延長平面(表示為虛線)與平面表面S3b的延長平面(表示為虛線)之間具有角度θ。在一些實施例中，角度θ是銳角。在某些實施例中，角度θ大約介於0.1°至2.0°的範圍內。舉例來說，平面表面S3b為傾斜表面，如圖2和圖3所示。
在一些實施例中，如圖2和圖3所示，沿著方向X，板134包含環形框架部134a和中央部134b，所述中央部134b連接到所述環形框架部134a且由所述環形框架部134a包圍。在一些實施例中，舉例來說，板134的形狀對應於底座132的形狀。在某些實施例中，在圖4中所描繪的俯視平面圖中，板134呈圓形形狀，其中沿方向X測量，板134具有最大半徑W2且環形框架部134a具有寬度W4。在一個實施例中，最大半徑W2(例如W2=W1-W3)大約介於145mm至151mm的範圍內。在一個實施例中，寬度W4大約介於6.3mm至6.5mm的範圍內。在一個實施例中，寬度W4與最大半徑W2的比值介於約4.2%至約4.5%的範圍內。舉例來說，寬度W4與最大半徑W2的比值可約為4.3%，然本公開不限於此。如圖3和圖4所示，中央部134b具有沿方向X測量的寬度W6(例如W6=W2-W4)和沿方向Y測量的高度H2。在一個實施例中，高度H2大約介於9.6mm至9.9mm的範圍內。
繼續參照圖2和圖3，在一些實施例中，環形框架部134a包含部分Ra和部分Rb，其中部分Ra對應於平面表面S3a，且部 分Rb對應於平面表面S3b。在某些實施例中，環形框架部134a的部分Ra沿方向X位於環形框架部134a的部分Rb與中央部134b之間。如圖2和圖3所示，沿著方向X，部分Ra具有寬度Wa，且部分Rb具有寬度Wb，其中寬度Wa小於寬度Wb。在一些實施例中，寬度Wa介於約2.34mm至約2.36mm的範圍內。在一些實施例中，寬度Wb介於約3.9mm至約4.1mm的範圍內。在一個實施例中，寬度Wa與寬度Wb的比值介於約57.1%至約60.5%的範圍內。舉例來說，寬度Wa與寬度Wb的比值可約為60%，然本公開不限於此。由於非平面表面S3的配置，對於在沉積期間中彎曲的每一晶圓基底WS來說，晶圓基底WS的邊緣與同其物理接觸的環形框架部134a之間的接觸面積增加，而使得晶圓基底WS的邊緣所接收到的應力相應地減小，從而有效避免由於彎曲或翹曲效應所引起的損壞。
繼續參照圖3，對應於平面表面S3a的部分Ra具有沿方向Y測量的高度Ha，且對應於平面表面S3b的部分Rb具有沿方向Y測量的高度Hb，其中高度Ha為恒定的，而高度Hb沿方向X從內表面S4到外表面S5逐漸降低，且高度Ha實質上等於高度Hb的最大值。在一些實施例中，高度Hb與高度H2的高度差(例如Hb-H2)介於約0.3mm至約0.6mm的範圍內。在一些實施例中，沿著方向Y，平面表面S3a與頂部表面S1之間的高度差H4大約介於0.4mm至0.6mm的範圍內。換句話說，內側壁S4的高度為平面表面S3a與頂部表面S1之間的高度差H4。
在一些實施例中，如圖2至圖4所示，針腳136設置於板134的頂部表面S1上。針腳136的材料可例如與底座132的材 料、板134的材料和/或支撐軸杆138的材料相同。在一些實施例中，針腳136中的每一個具有沿方向X測量的寬度W5和沿方向Y測量的高度H5。在一些實施例中，寬度W5介於約2.0mm至約3.0mm的範圍內。在一些實施例中，高度H5介於約0.3mm至約0.6mm的範圍內。如圖3所示，高度H5小於平面表面S3a與頂部表面S1之間的高度差H4。在一些實施例中，針腳136均勻分佈在板134上方，其中針腳136實體上以恒定距離彼此相距。在某些實施例中，針腳136以預定形式來佈置，例如使用通管138a作為中心的同心排列，參照圖4。在替代實施例中，針腳136可例如以諸如矩陣排列的預定形式來佈置，如圖5所示。然而，本公開不限於此。在一個實施例中，針腳136隨機分佈在板134上方，其中針腳136實體上以不同距離彼此相距，如圖6所示。針腳136的大小、形狀、間距以及佈置在本文中不受限，且可基於需求而修改或選擇。
在一替代實施例中，加熱台130還包含板134上的多個溝渠GV，如圖7所示。在一些實施例中，溝渠GV沿方向Y貫穿板134的一部分且在空間上與通管138a連通。在一個實施例中，溝渠GV可從通管138a延伸至環形框架部134a。
在一些實施例中，如圖1和圖2所示，支撐軸杆138的一部分位於外殼110內部，且支撐軸杆138的其它部分位於外殼110外部。在一替代實施例中，支撐軸杆138可全部位於外殼110內部。在一個實施例中，支撐軸杆138可全部位於外殼110外部。然而，本公開不限於此。在一些實施例中，支撐軸杆138可耦接到旋轉機構(未圖示)，且底座132可通過支撐軸杆138而旋轉，從 而在晶圓基底WS上獲得更加均勻一致的薄膜。
如圖1和圖2所示，通管138a的第一末端開口138a1位於板134的頂部表面S1處且在空間上與封閉空間CS連通，且通管138a的第二末端開口138a2位於支撐軸杆138距底座132的遠端處且連接到排氣裝置140和供氣裝置150。
在一些實施例中，排氣裝置140經由導管144機械連接到嵌入於支撐軸杆138中的通管138a，如圖1所示。在一些實施例中，排氣裝置140可包含真空泵。在一些實施例中，排氣裝置140用於排出晶圓基底WS與加熱台130之間形成的空間S中的氣體，以將晶圓基底WS固持在所需放置位置(例如上文所提及的用於沉積製程的適當位置)，但本公開不限於此。在一個實施例中，排氣裝置140還可用於排出外殼110的封閉空間CS中的氣體(例如處理氣體PG)。排氣裝置140和導管144的數量可基於需求而改變。
在一些實施例中，供氣裝置150經由導管154機械連接到嵌入於支撐軸杆138中的通管138a，如圖1所示。在一些實施例中，供氣裝置150經由導管154和通管138a將工作氣體供應到晶圓基底WS與加熱台130之間形成的空間S中；基於此，工作氣體改善沉積製程期間中晶圓基底WS的溫度分佈均一性。在一個實施例中，工作氣體可為氬氣，然而本公開不限於此。在一些實施例中，供氣裝置150可供應與晶圓基底WS、加熱台130、噴頭120、外殼110或處理氣體PG不具有反應性的其它適合氣體，例如惰性氣體。排氣裝置150和導管154的數量可基於需求而改變。
在某些實施例中，如圖1所示，腔室100更包含分別控 制排氣裝置140和供氣裝置150的閥門142和閥門152，藉此使得可控制工作氣體輸入到空間S中或從空間S排出的量和/或流動速率。在一個實施例中，可通過控制器(未圖示)遠端控制閥門142和閥門152。
根據一些實施例，一種加熱台包含底座和導熱板。所述導熱板位於所述底座上。所述導熱板具有中央部和包圍所述中央部的邊緣部，且所述邊緣部包含第一部分和連接到所述第一部分的第二部分，其中所述第一部分包夾在所述中央部與所述第二部分之間。所述第二部分的高度沿從所述中央部朝向所述邊緣部的方向逐漸降低。
一些實施例中，所述的加熱台還包括位於所述第一部分的頂部表面的延長平面與所述第二部分的頂部表面的延長平面之間的角度，其中所述角度大約介於0.1°至2.0°的範圍內。一些實施例中，在所述的加熱台中，所述第一部分的寬度小於所述第二部分的寬度。一些實施例中，在所述的加熱台中，所述第一部分的所述寬度與所述第二部分的所述寬度的比值大約介於57.1%至60.5%的範圍內。一些實施例中，所述的加熱台還包括以同心佈置或矩陣佈置定位於所述導熱板的所述中央部上的多個針腳。一些實施例中，所述的加熱台還包括以隨機分佈定位於所述導熱板的所述中央部上的多個針腳。一些實施例中，在所述的加熱台中，所述中央部的頂部表面與所述第一部分的頂部表面之間具有高度差，其中所述加熱台還包括位於所述導熱板的所述中央部上的多個針腳，且所述多個針腳的高度小於所述高度差。一些實施例中，所述的加熱台還包括位於所述導熱板的所述中央部上的多個溝槽，其中所 述多個溝槽均勻分佈在所述導熱板上方以及貫穿所述導熱板的一部分。一些實施例中，在所述的加熱台中，所述導熱板的材料包括不銹鋼。
根據一些實施例，一種加熱台包含底座、導熱板、支撐軸杆以及通管。所述底座具有第一主表面和與所述第一主表面相對的第二主表面。所述導熱板位於所述底座的所述第一主表面上，其中所述導熱板具有中央部和包圍所述中央部的邊緣部，且所述邊緣部包含第一部分和連接到所述第一部分的第二部分，其中所述第一部分包夾在所述中央部與所述第二部分之間，且所述第二部分的高度沿從所述中央部朝向所述邊緣部的方向逐漸降低。所述支撐軸杆位於所述底座的所述第二主表面上，其中所述底座位於所述導熱板與所述支撐軸杆之間。所述通管嵌入於所述支撐軸杆中。
一些實施例中，所述的加熱台還包括位於所述第一部分的頂部表面的延長平面與所述第二部分的頂部表面的延長平面之間的角度，其中所述角度大約介於0.1°至2.0°的範圍內。一些實施例中，在所述的加熱台中，其中所述第一部分的寬度與所述第二部分的寬度的比值大約介於57.1%至60.5%的範圍內。一些實施例中，所述的加熱台還包括以同心佈置或矩陣佈置定位於所述導熱板的所述中央部上的多個針腳。一些實施例中，所述的加熱台還包括位於所述導熱板的所述中央部上的多個溝槽，其中所述多個溝槽貫穿所述導熱板的部分以及與所述通管在空間上連通。一些實施例中，在所述的加熱台中，其中所述通管穿透所述支撐軸杆、所述底座以及所述導熱板，且所述通管具有第一末端開口以及第二 末端開口，其中所述第一末端開口位於所述中央部的頂部表面處。
根據一些實施例，一種用於處理半導體晶圓的設備包含腔室，所述腔室包含外殼、噴頭以及加熱台。所述外殼具有頂部表面、與頂部表面相對的底部表面以及連接頂部表面與底部表面的側壁。所述噴頭位於所述外殼內部且設置於所述頂部表面上。所述加熱台至少部分地位於所述外殼內部且設置於所述底部表面上，其中所述加熱台包含底座和設置於所述底座上的導熱板，其中所述導熱板具有中央部和包圍所述中央部的邊緣部，且所述邊緣部包含第一部分和連接到所述第一部分的第二部分，其中所述第一部分包夾在所述中央部與所述第二部分之間，且所述第二部分的高度沿從所述中央部朝向所述邊緣部的方向逐漸降低。
一些實施例中，所述的用於處理半導體晶圓的設備還包括位於所述第一部分的頂部表面的延長平面與所述第二部分的頂部表面的延長平面之間的角度，其中所述角度大約介於0.1°至2.0°的範圍內。一些實施例中，所述的用於處理半導體晶圓的設備還包括以同心佈置或矩陣佈置定位於所述導熱板的所述中央部上的多個針腳。一些實施例中，所述的用於處理半導體晶圓的設備還包括通管，其穿透所述加熱台以及具有第一末端開口以及與所述第一末端開口相對的第二末端開口，其中所述第一末端開口位於所述外殼內部以及位於所述中央部的頂部表面處。一些實施例中，所述的用於處理半導體晶圓的設備還包括排氣裝置以及供氣裝置，其中所述排氣裝置以及所述供氣裝置連接到所述通管的所述第二末端開口。
雖然本發明實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明， 任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明實施例的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧腔室
110‧‧‧外殼
110a‧‧‧頂部部分
110b‧‧‧底部部分
110s‧‧‧側壁部分
120‧‧‧噴頭
130‧‧‧加熱台
138a1‧‧‧第一末端開口
138a2‧‧‧第二末端開口
140‧‧‧排氣裝置
142、152‧‧‧閥門
144、154‧‧‧導管
150‧‧‧供氣裝置
CS‧‧‧封閉空間
PG‧‧‧處理氣體
S‧‧‧空間
WSa‧‧‧頂部表面
WS‧‧‧晶圓基底
WSb‧‧‧背側表面

Claims (10)

  1. 一種加熱台，包括：底座；以及導熱板，位於所述底座上，其中所述導熱板具有中央部以及包圍所述中央部的邊緣部，且所述邊緣部包含第一部分以及包圍所述第一部分的第二部分，其中所述第一部分包夾在所述中央部與所述第二部分之間，且所述中央部與所述第二部分分別直接地連接至所述第一部分，其中所述中央部的高度不變，所述第一部分的高度不變，且所述第二部分的高度沿從所述中央部朝向所述邊緣部的方向逐漸降低，且所述第一部分的寬度與所述第二部分的寬度的比值大約介於57.1%至60.5%的範圍內。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的加熱台，更包括位於所述第一部分的頂部表面的延長平面與所述第二部分的頂部表面的延長平面之間的角度，其中所述角度大約介於0.1°至2.0°的範圍內。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的加熱台，更包括以同心佈置或矩陣佈置定位於所述導熱板的所述中央部上的多個針腳。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的加熱台，更包括以隨機分佈定位於所述導熱板的所述中央部上的多個針腳。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的加熱台，更包括位於所述導熱板的所述中央部上的多個溝渠，其中所述多個溝渠均勻分佈在所述導熱板上方以及貫穿所述導熱板的一部分。
  6. 一種加熱台，包括：底座，具有第一主表面以及與所述第一主表面相對的第二主表面； 導熱板，位於所述底座的所述第一主表面上，其中所述導熱板具有中央部以及包圍所述中央部的邊緣部，所述邊緣部包含第一部分以及連接到所述第一部分的第二部分，其中所述第一部分包夾在所述中央部與所述第二部分之間，且所述中央部與所述第二部分分別直接地連接至所述第一部分，其中所述中央部的高度不變，所述第一部分的高度不變，且所述第二部分的高度沿從所述中央部朝向所述邊緣部的方向逐漸降低，且所述第一部分的寬度與所述第二部分的寬度的比值大約介於57.1%至60.5%的範圍內；支撐軸杆，位於所述底座的所述第二主表面上，其中所述底座位於所述導熱板與所述支撐軸杆之間；以及通管，嵌入於所述支撐軸杆中。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的加熱台，更包括位於所述第一部分的頂部表面的延長平面與所述第二部分的頂部表面的延長平面之間的角度，其中所述角度大約介於0.1°至2.0°的範圍內。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的加熱台，其中所述通管穿透所述支撐軸杆、所述底座以及所述導熱板，且所述通管具有第一末端開口以及第二末端開口，其中所述第一末端開口位於所述中央部的頂部表面處。
  9. 一種用於處理半導體晶圓的設備，包括：外殼，具有頂部表面、與所述頂部表面相對的底部表面以及連接所述頂部表面與所述底部表面的側壁；噴頭，位於所述外殼內部以及設置於所述頂部表面上；以及 加熱台，至少部分地位於所述外殼內部以及設置於所述底部表面上，其中所述加熱台包括底座以及設置於所述底座上的導熱板，其中所述導熱板具有中央部以及包圍所述中央部的邊緣部，且所述邊緣部包含第一部分以及連接到所述第一部分的第二部分，其中所述第一部分包夾在所述中央部與所述第二部分之間，且所述中央部與所述第二部分分別直接地連接至所述第一部分，其中所述中央部的高度不變，所述第一部分的高度不變，且所述第二部分的高度沿從所述中央部朝向所述邊緣部的方向逐漸降低，且所述第一部分的寬度與所述第二部分的寬度的比值大約介於57.1%至60.5%的範圍內。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的用於處理半導體晶圓的設備，更包括通管，其穿透所述加熱台以及具有第一末端開口以及與所述第一末端開口相對的第二末端開口，其中所述第一末端開口位於所述外殼內部以及位於所述中央部的頂部表面處。
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