CN107910250A - 晶片处理设备及方法 - Google Patents

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CN107910250A CN201711133140.6A CN201711133140A CN107910250A CN 107910250 A CN107910250 A CN 107910250A CN 201711133140 A CN201711133140 A CN 201711133140A CN 107910250 A CN107910250 A CN 107910250A
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pedestal
chip
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wafer processing
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李国强
林宗贤
吴龙江
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Huaian Imaging Device Manufacturer Corp
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Abstract

本公开涉及一种晶片处理设备及方法，其中设备包括：处理腔室；以及放置于所述处理腔室中的基座，其中，所述基座的上表面具有用于放置晶片的区域，所述基座包括：一个或多个第一进气口，所述第一进气口设置于所述区域的中央部分，用于使保护气体经所述第一进气口流到所述基座的上表面之上；以及一个或多个第一出气口，所述第一出气口设置于所述区域的边缘部分，用于使所述基座的上表面之上的所述保护气体经所述第一出气口流到所述基座的内部，其中，所述保护气体用于保护所述晶片的下表面，以使所述晶片的下表面不受用于所述晶片的上表面的处理气体的影响。本公开能够避免在晶片处理中处理气体对晶片下表面的影响。

Description

晶片处理设备及方法
技术领域
本公开涉及半导体技术，具体来说，涉及一种晶片处理设备及方法。
背景技术
现有的晶片处理设备中，当晶片放置在基座上进行处理时，由于在基座的上表面和晶片的下表面之间存在缝隙(特别是当基座的上表面和/或晶片的下表面不平坦时)，处理设备内的用于晶片上表面的处理气体会扩散/流动到基座的上表面和晶片的下表面之间的缝隙中，从而对晶片的下表面产生影响。这是不被希望的。
因此，需要提出一种新的技术来解决上述现有技术中的问题。
发明内容
本公开的一个目的是避免在晶片处理中处理气体对晶片下表面的影响。
根据本公开的第一方面，提供了一种晶片处理设备，包括：处理腔室；以及放置于所述处理腔室中的基座，其中，所述基座的上表面具有用于放置晶片的区域，所述基座包括：一个或多个第一进气口，所述第一进气口设置于所述区域的中央部分，用于使保护气体经所述第一进气口流到所述基座的上表面之上；以及一个或多个第一出气口，所述第一出气口设置于所述区域的边缘部分，用于使所述基座的上表面之上的所述保护气体经所述第一出气口流到所述基座的内部，其中，所述保护气体用于保护所述晶片的下表面，以使所述晶片的下表面不受用于所述晶片的上表面的处理气体的影响。
根据本公开的第二方面，提供了一种晶片处理方法，包括：提供晶片处理设备，所述晶片处理设备包括处理腔室和放置在所述处理腔室中的基座，所述基座的上表面具有用于放置晶片的区域；将晶片放置在所述区域上；向所述基座通入保护气体，使得所述保护气体进入所述基座的内部后从设置于所述区域的中央部分的一个或多个第一进气口流到所述基座的上表面之上并流过所述晶片的下表面，然后从设置于所述区域的边缘部分的一个或多个第一出气口流到所述基座的内部之后流出所述处理腔室；以及向所述处理腔室通入处理气体，使得所述处理气体流过所述晶片的上表面之后流出所述处理腔室。
通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。
参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：
图1是以截面图的形式示出根据本公开的一个实施例的晶片处理设备及其运行状态的示意图。
图2是以截面图的形式示出根据本公开的一个实施例的晶片处理设备中的基座及其运行状态的示意图。
图3是以截面图的形式示出根据本公开的一个实施例的晶片处理设备中的基座及其运行状态的示意图。
图4是以截面图的形式示出根据本公开的一个实施例的晶片处理设备中的基座及其运行状态的示意图。
图5是以截面图的形式示出根据本公开的一个实施例的晶片处理设备中的基座及其运行状态的示意图。
图6是以截面图的形式示出根据本公开的一个实施例的晶片处理设备中的基座及其运行状态的示意图。
图7是以截面图的形式示出根据本公开的一个实施例的晶片处理设备中的基座及其运行状态的示意图。
图8是以立体图的形式示出根据本公开的一个实施例的晶片处理设备中的基座的结构(包括内部结构)的示意图。
图9是以俯视图的形式示出根据本公开的一个实施例的晶片处理设备中的基座的结构的示意图。
图10是以俯视图的形式示出根据本公开的一个实施例的晶片处理设备中的基座的结构的示意图。
图11是用来说明根据本公开的一个实施例的晶片处理设备中的基座的运行方式的局部结构示意图。
图12是用来说明根据本公开的一个实施例的晶片处理设备中的基座的运行方式的局部结构示意图。
图13是用来说明根据本公开的一个实施例的晶片处理设备中的基座的运行方式的局部结构示意图。
注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在本说明书中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，所公开的发明并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。
在本公开中，对“一个实施例”的提及意味着结合该实施例描述的特征、结构或特性包含在本公开的至少一个实施例中。因此，短语“在一个实施例中”在本公开的各处的出现未必是指同一个实施例。此外，在一个或多个实施例中，可以任何合适的组合和/或子组合来组合特征、结构或特性。
图1是以截面图的形式示出根据本公开的一个实施例的晶片处理设备及其运行状态的示意图。晶片的处理包括沉积处理、外延生长处理、干法刻蚀处理等。
如图1所示，根据本公开的一个实施例的晶片处理设备包括处理腔室10和放置于处理腔室中的基座20。其中，基座20的上表面具有用于放置晶片30的区域。为了简明地示出本公开的实施例中的晶片处理设备的结构，本公开的附图中示出的基座20在其上表面仅具有一个用于放置晶片30的区域，但本领域技术人员可以理解，本公开的附图仅是示例性的，基座20在其上表面可以具有多个用于放置晶片30的区域。
下面将参照图1至10来具体描述本公开的实施例中的晶片处理设备的结构。
在一些实施例中，基座20包括一个或多个第一进气口21以及一个或多个第一出气口22。第一进气口21设置于基座20的上表面的用于放置晶片30的区域的中央部分，用于使保护气体经第一进气口21流到基座20的上表面之上，如图中箭头向上的实线所示。第一出气口22设置于基座20的上表面的用于放置晶片30的区域的边缘部分，用于使基座20的上表面之上的保护气体经第一出气口22流到基座的内部，如图中箭头向下的实线所示。
经位于用于放置晶片30的区域的中央部分的第一进气口21流到基座20的上表面之上的保护气体，遇到晶片30的阻挡后不再继续向上流动，而开始向周围扩散/流动，即开始从用于放置晶片30的区域的中央部分向边缘部分流动，如图1中箭头向两边的实线所示。当保护气体流到用于放置晶片30的区域的边缘部分时，从第一出气口22流到基座的内部。适当控制第一进气口21和第一出气口22的保护气体的流速，可以使得保护气体充满基座20的上表面和晶片30的下表面之间的所有缝隙，从而对晶片30的下表面进行保护，使其不受用于晶片30的上表面的处理气体(在图1中以带箭头的虚线示出)的影响。
保护气体可以是氢气、氮气、氦族气体中的一种或多种的混合。处理气体可以是沉积处理所用的气体、外延生长处理所用的气体、干法刻蚀处理所用的气体等。
在一些实施例中，多个第一进气口21在水平面上以在径向上均匀地和/或在周向上均匀地形式在用于放置晶片30的区域的中央部分均匀地分布。图9示出了其中的一个示例。在一些实施例中，多个第一出气口22在水平面上以在径向上均匀地和/或在周向上均匀地形式在用于放置晶片30的区域的边缘部分均匀地分布。图8至10示出了其中的一些示例。本领域技术人员可以理解，第一进气口21和第一出气口22的分布并不限于附图示出的情况。第一进气口21和第一出气口22的均匀分布，对保护气体的均匀流动是有利的。
在一些实施例中，全部或部分第一出气口22在水平方向上超出晶片30的边缘，如图5、6所示；或者全部或部分第一出气口22中的每一个的一部分在水平方向上超出晶片30的边缘，如图4、7所示。
在如图2、3所示的一些实施例中，从用于放置晶片30的区域的中央部分的上方向边缘部分的上方流动的保护气体，在尚未到达晶片30的下表面的边缘时，就有一部分保护气体从第一出气口22流入基座20的内部，如图12所示，这会使得保护气体对晶片30的下表面的边缘的保护变弱，可参见图12中的A’区域。将第一出气口22或者第一出气口22的一部分设置在在水平方向上超出晶片30的边缘，能够使得更多的保护气体在经过晶片30的下表面的边缘之后，再经第一出气口22流入基座20的内部，如图13所示，从而加强了对晶片30的下表面的边缘的保护，可参见图12中的A区域。
此外，将第一出气口22或者第一出气口22的一部分设置在在水平方向上超出晶片30的边缘，还可以使得保护气体在晶片30的下表面的边缘的周围形成向外流动的场，如图13中的B区域。当用于晶片30的上表面的处理气体从上方接近该流动的场时，会被带动着向外流动，从而使得处理气体不容易进入该流动的场，以及更加不容易通过该场而到达晶片30的下表面，从而更加避免了处理气体对晶片30的下表面的影响。上述用于“向外”是指从用于放置晶片30的区域的中央区域向着边缘区域的方向。
在一些实施例中，基座20还包括形成在基座20的上表面的多个凸部26，每个凸部26被构造为与晶片30的下表面接触。相应地，凸部26之间形成有互相连通的凹部27，互相连通的凹部27引导经第一进气口21流到基座20的上表面之上的保护气体流向第一出气口22。
需要说明的是，附图中为了明显地示出基座20的上表面和晶片30的下表面之间存在的缝隙，看起来晶片30似乎是悬置的基座20上的。然而本领域技术人员可以理解，当晶片30放置在基座20上时，晶片30在其重力的作用下与基座20的上表面相接触。
参考图11可以更加直观地理解凹部27对保护气体的引导作用。图11中示出的多个凸部26为以二维矩阵形式均匀排布的立方体。在凸部26和凸部26之间形成有凹部27，各个凹部27之间互相连通。以带箭头的实线示出的保护气体从这些凸部26所形成的结构的一侧(例如，如图中箭头向左的实线示出的，从这些凸部26所形成的结构的右侧)流入该结构，在凹部27的引导作用下，有一部分气体被引导为从这些凸部26所形成的结构的另一侧(例如，如图中箭头向左下方的实线示出的，从这些凸部26所形成的结构的前侧)流出该结构。可见，这些凸部26的存在，能够使得保护气体更加分散地在基座20的上表面和晶片30的下表面之间流动，从而可对晶片30的下表面提供更加均匀的保护。
图9和10以俯视图的形式示出了一些实施例中基座的结构。在一些实施例中，如图9所示，多个凸部26在水平面上以二维矩阵的形式在用于放置晶片30的区域中均匀地分布。在一些实施例中，如图10所示，多个凸部26在水平面上以径向上均匀地和/或周向上均匀地形式在用于放置晶片30的区域中均匀地分布。凸部26的形状并无限制，例如凸部26的上表面可以是扇形、扇环、圆形、椭圆形、四边形中的一种或多种。
在一些实施例中，如图1至8所示，基座20还包括在基座20的内部延伸的一个或多个进气通道23以及在基座20的内部延伸的一个或多个出气通道24。
其中，进气通道23的上端与第一进气口21连通，进气通道23的下端穿过基座20的下表面或基座20的侧壁的下半部分与基座20之外的空间连通。保护气体可以从与基座20之外的空间连通的进气通道23的下端进入进气通道23并向着进气通道23的上端流动，之后经第一进气口21流到基座20的上表面之上。
出气通道24的上端与第一出气口22连通，出气通道24的下端穿过基座20的下表面或基座20的侧壁的下半部分与基座20之外的空间连通。经第一出气口22向下流动的保护气体，从出气通道24的上端向着出气通道24的下端流动，之后经出气通道24的下端流到基座20之外的空间。
图8示出了在基座20的内部延伸的进气通道23和出气通道24的一个示例。其中为了简洁，省去了基座20的其他结构。在该示例中，进气通道23从基座20的上表面一直延伸到基座20的下表面。多个出气通道24从基座20的上表面延伸到基座20的下半部分，之后与设置在基座20内部的位于基座20的下半部分的连通通道29相连通。在图8所示的一些实施例中，连通通道29为环形，与多个出气通道24的下端均连通。基座20的侧壁的下半部分还设置有排气通道28，其一端与连通通道29的一处连通，另一端与基座20的外部空间连通。该结构使得保护气体经进气通道23和第一进气口21之后流到基座20的上表面之上，然后向外扩散/流动从多个第一出气口22分别进入多个出气通道24，继续向下流动以致来自多个出气通道24的保护气体均进入连通通道29，最后从与连通通道29相连通的排气通道28排出。
相比于晶片30的下表面的中央部分，晶片30的下表面的边缘部分更易受到用于晶片30的上表面的处理气体的影响。为此，在一些实施例中，如图6所示，全部或部分进气通道23具有向上且向外倾斜的斜度。这种结构使得通过进气通道23并从第一进气口21流到基座20的上表面之上的保护气体更容易向外流动/扩散，从而能够加强对晶片30的下表面的边缘部分的影响。
在一些实施例中，基座20还包括从基座20的上表面向上延伸的凸台25，凸台25形成为围绕晶片30，如图1、4至6、9和10所示。凸台25可以用于定位晶片30，还可以对从晶片30的下表面的边缘向外流出的保护气体进行阻挡，使得晶片30的下表面的边缘附近聚集更多的保护气体，以更好的防止处理气体的进入，从而加强对晶片30的下表面的影响。
在一些实施例中，全部或部分第一出气口22设置在基座20的上表面的靠近凸台25处，如图1、4所示。在一些实施例中，全部或部分第一出气口22设置在凸台25的内侧壁上，优选地，设置在凸台25的内侧壁的靠近基座20的上表面处，如图5、6所示。
在一些实施例中，凸台25的上表面与晶片30的上表面平齐或低于晶片30的上表面。这样的结构可以避免对用于晶片30的上表面的处理过程的影响。
在一些实施例中，晶片处理设备被构造为当其运行时，能够使得保护气体的压力等于或大于(优选地，为微大于)处理气体的压力。例如，晶片处理设备还可以包括压力调整装置，用于调整通入处理腔室的保护气体和/或处理气体的压力，以使得保护气体的压力等于或大于处理气体的压力。在一些实施例中，晶片处理设备被构造为当其运行时，能够使得在晶片30的下表面的边缘处，保护气体的压力等于或大于(优选地，为微大于)处理气体的压力。在一些实施例中，保护气体的压力比处理气体的压力大0～8Torr。
在一些实施例中，如图1所示，晶片处理设备还包括第二进气口11和第二出气口12。其中，第二进气口11可以使处理气体(如图1中带箭头的虚线所示)流入处理腔室10，处理气体对晶片30的上表面进行处理之后，第二出气口12可以使处理后的气体流出处理腔室10。为了保证对晶片30的上表面的处理效果，第二进气口11与晶片30的上表面平齐或高于晶片30的上表面，从而使得处理气体更好地流过晶片30的上表面。尽管图1中示出的第二进气口11设置于处理腔室10的顶壁的靠近侧壁的外置，本领域技术人员可以理解，这并非是限制性的，可以根据实际应用进行其他的布置。例如，第二进气口11还可以设置于晶片30的正上方，以使得处理气体向下流动即可流过晶片30的上表面。同样地，第二出气口12也不必须设置在图1中所示的位置，本领域技术人员可以根据实际应用进行其他的布置，例如，第二出气口12可以设置在处理腔室10的底部。
在一些实施例中，第二出气口12还用于流出保护气体，例如，从排气通道28排出的保护气体。这样的结构使得不需要在处理腔室10中对保护气体设置另外的排出口，有利于结构的简化。
在一些实施例中，晶片处理设备还包括保护气体进入通道13，其可以设置在处理腔室10的底部，如图1所示。保护气体进入通道13的下端与处理腔室10的外部空间连通，其上端与基座20的进气通道23连通。当晶片处理设备运行时，可以向保护气体进入通道13通入保护气体，保护气体依次通过气体进入通道13、进气通道23、以及第一进气口21之后流到基座20的上表面之上。
以下结合图1说明本公开的晶片处理方法。
在一些实施例中，本公开的晶片处理方法包括以下步骤：
步骤1：提供晶片处理设备，晶片处理设备包括处理腔室10和放置在处理腔室10中的基座20，基座20的上表面具有用于放置晶片30的区域。
步骤2：将晶片30放置在该区域上。
步骤3：向基座20通入保护气体，使得保护气体进入基座20的内部后从设置于用于放置晶片30的区域的中央部分的一个或多个第一进气口21流到基座20的上表面之上并流过晶片30的下表面，然后从设置于用于放置晶片30的区域的边缘部分的一个或多个第一出气口22流到基座20的内部之后流出处理腔室10，如图1中带箭头的实线所示。保护气体可以是氢气、氮气、氦族气体中的一种或多种的混合。
步骤4：向处理腔室10通入处理气体，例如通过第二进气口11，使得处理气体到达晶片30的上表面之上并对晶片30的上表面进行处理，并使得处理后的气体流出处理腔室10，例如第二出气口12，如图1中带箭头的虚线所示。处理气体可以是沉积处理所用的气体、外延生长处理所用的气体、干法刻蚀处理所用的气体等。在一些实施例中，处理气体为化学气相沉积(CVD)处理中使用的反应气体，将反应气体从第二进气口11通入处理腔室10，反应气体在晶片30的上表面之上进行反应，使得反应产物中的固态物质沉积在晶片30的上表面，反应产物中的气态物质通过第二出气口12流出处理腔室10。此外，还有可能存在部分剩余的反应气体，即已经从第二进气口11通入处理腔室10但并未发生化学反应的反应气体，这些气体也可以通过第二出气口12流出处理腔室10。虽然此处仅以CVD处理为例描述了步骤4，但本领域技术人员可以得到其他的晶片处理过程中本步骤的操作。
虽然以上用“步骤”来描述本公开的方法中的各种处理，但本领域技术人员可以理解，上述步骤的编号并不限制其先后顺序，本领域技术人员可以根据实际应用变换各个步骤执行的顺序。此外，本领域技术人员还可以根据实际应用增加或减少步骤。
在一些实施例中，本公开的晶片处理方法还包括控制保护气体的压力(例如在晶片处理设备运行时控制保护气体的压力)，使得保护气体的压力等于或大于(优选地，为微大于)处理气体的压力。在一些实施例中，控制保护气体的压力，使得在晶片30的下表面的边缘处，保护气体的压力等于或大于(优选地，为微大于)处理气体的压力。在一些实施例中，保护气体的压力比处理气体的压力大0～8Torr。
在说明书及权利要求中的词语“A或B”包括“A和B”以及“A或B”，而不是排他地仅包括“A”或者仅包括“B”，除非另有特别说明。
在说明书及权利要求中的词语“前”、“后”、“顶”、“底”、“之上”、“之下”等，如果存在的话，用于描述性的目的而并不一定用于描述不变的相对位置。应当理解，这样使用的词语在适当的情况下是可互换的，使得在此所描述的本公开的实施例，例如，能够在与在此所示出的或另外描述的那些取向不同的其他取向上操作。
如在此所使用的，词语“示例性的”意指“用作示例、实例或说明”，而不是作为将被精确复制的“模型”。在此示例性描述的任意实现方式并不一定要被解释为比其它实现方式优选的或有利的。而且，本公开不受在上述技术领域、背景技术、发明内容或具体实施方式中所给出的任何所表述的或所暗示的理论所限定。
如在此所使用的，词语“基本上”意指包含由设计或制造的缺陷、器件或元件的容差、环境影响和/或其它因素所致的任意微小的变化。词语“基本上”还允许由寄生效应、噪音以及可能存在于实际的实现方式中的其它实际考虑因素所致的与完美的或理想的情形之间的差异。
上述描述可以指示被“连接”或“耦合”在一起的元件或节点或特征。如在此所使用的，除非另外明确说明，“连接”意指一个元件/节点/特征与另一种元件/节点/特征在电学上、机械上、逻辑上或以其它方式直接地连接(或者直接通信)。类似地，除非另外明确说明，“耦合”意指一个元件/节点/特征可以与另一元件/节点/特征以直接的或间接的方式在机械上、电学上、逻辑上或以其它方式连结以允许相互作用，即使这两个特征可能并没有直接连接也是如此。也就是说，“耦合”意图包含元件或其它特征的直接连结和间接连结，包括利用一个或多个中间元件的连接。
另外，仅仅为了参考的目的，还可以在下面描述中使用某种术语，并且因而并非意图限定。例如，除非上下文明确指出，否则涉及结构或元件的词语“第一”、“第二”和其它此类数字词语并没有暗示顺序或次序。
还应理解，“包括/包含”一词在本文中使用时，说明存在所指出的特征、整体、步骤、操作、单元和/或组件，但是并不排除存在或增加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、单元和/或组件以及/或者它们的组合。
在本公开中，术语“提供”从广义上用于涵盖获得对象的所有方式，因此“提供某对象”包括但不限于“购买”、“制备/制造”、“布置/设置”、“安装/装配”、和/或“订购”对象等。
本领域技术人员应当意识到，在上述操作之间的边界仅仅是说明性的。多个操作可以结合成单个操作，单个操作可以分布于附加的操作中，并且操作可以在时间上至少部分重叠地执行。而且，另选的实施例可以包括特定操作的多个实例，并且在其他各种实施例中可以改变操作顺序。但是，其它的修改、变化和替换同样是可能的。因此，本说明书和附图应当被看作是说明性的，而非限制性的。
另外，本公开的实施方式还可以包括以下示例：
1.一种晶片处理设备，其特征在于，包括：
处理腔室；以及
放置于所述处理腔室中的基座，其中，
所述基座的上表面具有用于放置晶片的区域，所述基座包括：
一个或多个第一进气口，所述第一进气口设置于所述区域的中央部分，用于使保护气体经所述第一进气口流到所述基座的上表面之上；以及
一个或多个第一出气口，所述第一出气口设置于所述区域的边缘部分，用于使所述基座的上表面之上的所述保护气体经所述第一出气口流到所述基座的内部，其中，
所述保护气体用于保护所述晶片的下表面，以使所述晶片的下表面不受用于所述晶片的上表面的处理气体的影响。
2.根据1所述的晶片处理设备，其特征在于，所述基座还包括：
形成在所述基座的上表面的多个凸部，所述凸部之间形成有互相连通的凹部，其中，所述凸部被构造为与所述晶片的下表面接触，所述凹部引导经所述第一进气口流到所述基座的上表面之上的所述保护气体流向所述第一出气口。
3.根据2所述的晶片处理设备，其特征在于，所述多个凸部在水平面上以径向上均匀地和/或周向上均匀地形式在所述区域中均匀地分布。
4.根据2所述的晶片处理设备，其特征在于，所述多个凸部在水平面上以二维矩阵的形式在所述区域中均匀地分布。
5.根据2所述的晶片处理设备，其特征在于，所述凸部的上表面为扇形、扇环、圆形、椭圆形、四边形中的一种或多种。
6.根据1所述的晶片处理设备，其特征在于，所述基座还包括在所述基座的内部延伸的一个或多个进气通道以及在所述基座的内部延伸的一个或多个出气通道，其中，
所述进气通道的上端与所述第一进气口连通，下端穿过所述基座的下表面或所述基座的侧壁的下半部分与所述基座之外的空间连通；以及
所述出气通道的上端与所述第一出气口连通，下端穿过所述基座的下表面或所述基座的侧壁的下半部分与所述基座之外的空间连通。
7.根据6所述的晶片处理设备，其特征在于，全部或部分所述进气通道具有向上且向外倾斜的斜度。
8.根据1所述的晶片处理设备，其特征在于，多个所述第一进气口在水平面上以在径向上均匀地和/或在周向上均匀地形式在所述区域的中央部分均匀地分布。
9.根据1所述的晶片处理设备，其特征在于，多个所述第一出气口在水平面上以在径向上均匀地和/或在周向上均匀地形式在所述区域的边缘部分均匀地分布。
10.根据1所述的晶片处理设备，其特征在于，
全部或部分所述第一出气口在水平方向上超出所述晶片的边缘；或者
全部或部分所述第一出气口中的每一个的一部分在水平方向上超出所述晶片的边缘。
11.根据1所述的晶片处理设备，其特征在于，所述基座还包括从所述基座的上表面向上延伸的凸台，所述凸台形成为围绕所述晶片。
12.根据11所述的晶片处理设备，其特征在于，全部或部分所述第一出气口设置在所述基座的上表面的靠近所述凸台处。
13.根据11所述的晶片处理设备，其特征在于，全部或部分所述第一出气口设置在所述凸台的内侧壁上。
14.根据13所述的晶片处理设备，其特征在于，所述全部或部分所述第一出气口设置在所述凸台的内侧壁的靠近所述基座的上表面处。
15.根据11所述的晶片处理设备，其特征在于，所述凸台的上表面与所述晶片的上表面平齐或低于所述晶片的上表面。
16.根据1所述的晶片处理设备，其特征在于，所述晶片处理设备被构造为当其运行时，能够使得所述保护气体的压力等于或大于所述处理气体的压力。
17.根据1所述的晶片处理设备，其特征在于，所述晶片处理设备被构造为当其运行时，能够使得在所述晶片的下表面的边缘处，所述保护气体的压力等于或大于所述处理气体的压力。
18.根据16或17所述的晶片处理设备，其特征在于，所述保护气体的压力比所述处理气体的压力大0～8Torr。
19.根据1所述的晶片处理设备，其特征在于，所述保护气体为氢气、氮气、氦族气体中的一种或多种的混合。
20.根据1所述的晶片处理设备，其特征在于，所述晶片处理设备还包括：
用于使所述处理气体流入所述处理腔室的第二进气口；以及
用于使所述处理气体流出所述处理腔室的第二出气口，其中，
所述第二进气口与所述晶片的上表面平齐或高于所述晶片的上表面。
21.根据20所述的晶片处理设备，其特征在于，所述第二出气口还用于流出所述保护气体。
22.一种晶片处理方法，其特征在于，包括：
提供晶片处理设备，所述晶片处理设备包括处理腔室和放置在所述处理腔室中的基座，所述基座的上表面具有用于放置晶片的区域；
将晶片放置在所述区域上；
向所述基座通入保护气体，使得所述保护气体进入所述基座的内部后从设置于所述区域的中央部分的一个或多个第一进气口流到所述基座的上表面之上并流过所述晶片的下表面，然后从设置于所述区域的边缘部分的一个或多个第一出气口流到所述基座的内部之后流出所述处理腔室；以及
向所述处理腔室通入处理气体，使得所述处理气体对所述晶片的上表面进行处理，并使得处理后的气体流出所述处理腔室。
23.根据22所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：控制所述保护气体的压力，使得所述保护气体的压力等于或大于所述处理气体的压力。
24.根据22所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：控制所述保护气体的压力，使得在所述晶片的下表面的边缘处，所述保护气体的压力等于或大于所述处理气体的压力。
25.根据23或24所述的方法，其特征在于，所述保护气体的压力比所述处理气体的压力大0～8Torr。
26.根据22所述的方法，其特征在于，所述保护气体为氢气、氮气、氦族气体中的一种或多种的混合。
虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本公开的范围。在此公开的各实施例可以任意组合，而不脱离本公开的精神和范围。本领域的技术人员还应理解，可以对实施例进行多种修改而不脱离本公开的范围和精神。本公开的范围由所附权利要求来限定。

Claims (10)

1.一种晶片处理设备，其特征在于，包括：
处理腔室；以及
放置于所述处理腔室中的基座，其中，
所述基座的上表面具有用于放置晶片的区域，所述基座包括：
一个或多个第一进气口，所述第一进气口设置于所述区域的中央部分，用于使保护气体经所述第一进气口流到所述基座的上表面之上；以及
一个或多个第一出气口，所述第一出气口设置于所述区域的边缘部分，用于使所述基座的上表面之上的所述保护气体经所述第一出气口流到所述基座的内部，其中，
所述保护气体用于保护所述晶片的下表面，以使所述晶片的下表面不受用于所述晶片的上表面的处理气体的影响。
2.根据权利要求1所述的晶片处理设备，其特征在于，所述基座还包括：
形成在所述基座的上表面的多个凸部，所述凸部之间形成有互相连通的凹部，其中，所述凸部被构造为与所述晶片的下表面接触，所述凹部引导经所述第一进气口流到所述基座的上表面之上的所述保护气体流向所述第一出气口。
3.根据权利要求2所述的晶片处理设备，其特征在于，所述多个凸部在水平面上以径向上均匀地和/或周向上均匀地形式在所述区域中均匀地分布。
4.根据权利要求2所述的晶片处理设备，其特征在于，所述多个凸部在水平面上以二维矩阵的形式在所述区域中均匀地分布。
5.根据权利要求2所述的晶片处理设备，其特征在于，所述凸部的上表面为扇形、扇环、圆形、椭圆形、四边形中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的晶片处理设备，其特征在于，所述基座还包括在所述基座的内部延伸的一个或多个进气通道以及在所述基座的内部延伸的一个或多个出气通道，其中，
所述进气通道的上端与所述第一进气口连通，下端穿过所述基座的下表面或所述基座的侧壁的下半部分与所述基座之外的空间连通；以及
所述出气通道的上端与所述第一出气口连通，下端穿过所述基座的下表面或所述基座的侧壁的下半部分与所述基座之外的空间连通。
7.根据权利要求6所述的晶片处理设备，其特征在于，全部或部分所述进气通道具有向上且向外倾斜的斜度。
8.根据权利要求1所述的晶片处理设备，其特征在于，多个所述第一进气口在水平面上以在径向上均匀地和/或在周向上均匀地形式在所述区域的中央部分均匀地分布。
9.根据权利要求1所述的晶片处理设备，其特征在于，多个所述第一出气口在水平面上以在径向上均匀地和/或在周向上均匀地形式在所述区域的边缘部分均匀地分布。
10.根据权利要求1所述的晶片处理设备，其特征在于，
全部或部分所述第一出气口在水平方向上超出所述晶片的边缘；或者
全部或部分所述第一出气口中的每一个的一部分在水平方向上超出所述晶片的边缘。
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