CN110010517A - 加热台以及用于处理半导体晶片的设备 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种加热台及用于处理半导体晶片的设备。一种加热台包含底座以及导热板。导热板位于底座上。导热板具有中央部以及包围中央部的边缘部，且边缘部包括第一部分以及连接到第一部分的第二部分，其中第一部分包夹在中央部与第二部分之间。第二部分的高度沿从中央部朝向边缘部的方向逐渐降低。

Description

加热台以及用于处理半导体晶片的设备
技术领域
本发明实施例是有关于一种加热台以及用于处理半导体晶片的设备。
背景技术
制造半导体集成电路(integrated circuit；IC)通常涉及许多需要升高晶片(wafer)温度的处理技术来执行所需工艺，例如化学气相沉积(chemical vapordeposition；CVD)、物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)、干式蚀刻或其他处理技术。由于温度升高，有可能出现严重弯曲或翘曲，而在处理晶片时导致晶片损坏。因此，改进的晶片固持设备是抑制所述影响的关键因素。
发明内容
本发明实施例提供一种加热台包含底座和导热板。所述导热板位于所述底座上。所述导热板具有中央部和包围所述中央部的边缘部，且所述边缘部包含第一部分和连接到所述第一部分的第二部分，其中所述第一部分包夹在所述中央部与所述第二部分之间。所述第二部分的高度沿从所述中央部朝向所述边缘部的方向逐渐降低。
本发明实施例提供一种加热台包含底座、导热板、支撑轴杆以及通管。所述底座具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面。所述导热板位于所述底座的所述第一主表面上，其中所述导热板具有中央部和包围所述中央部的边缘部，且所述边缘部包含第一部分和连接到所述第一部分的第二部分，其中所述第一部分包夹在所述中央部与所述第二部分之间，且所述第二部分的高度沿从所述中央部朝向所述边缘部的方向逐渐降低。所述支撑轴杆位于所述底座的所述第二主表面上，其中所述底座位于所述导热板与所述支撑轴杆之间。所述通管嵌入于所述支撑轴杆中。
本发明实施例提供一种用于处理半导体晶片的设备包含腔室，所述腔室包含外壳、喷头以及加热台。所述外壳具有顶部表面、与顶部表面相对的底部表面以及连接顶部表面与底部表面的侧壁。所述喷头位于所述外壳内部且设置于所述顶部表面上。所述加热台至少部分地位于所述外壳内部且设置于所述底部表面上，其中所述加热台包含底座和设置于所述底座上的导热板，其中所述导热板具有中央部和包围所述中央部的边缘部，且所述边缘部包含第一部分和连接到所述第一部分的第二部分，其中所述第一部分包夹在所述中央部与所述第二部分之间，且所述第二部分的高度沿从所述中央部朝向所述边缘部的方向逐渐降低。
附图说明
结合附图阅读以下详细说明，会最佳地理解本公开实施例的各方面。应注意，根据行业中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。
图1是根据本公开的一些示例性实施例的具有加热台的设备的示意性横截面图。
图2是根据本公开的一些示例性实施例的加热台的示意性横截面图。
图3是图2中所描绘的加热台的一部分的放大示意性横截面图。
图4是根据本公开的一些示例性实施例的加热台的示意性俯视平面图。
图5是根据本公开的一些示例性实施例的加热台的示意性俯视平面图。
图6是根据本公开的一些示例性实施例的加热台的示意性俯视平面图。
图7是根据本公开的一些示例性实施例的加热台的示意性俯视平面图。
[附图标号说明]
100：腔室；
110：外壳；
110a：顶部部分；
110b：底部部分；
110s：侧壁部分；
120：喷头；
130：加热台；
132：底座；
132a、S1、WSa：顶部表面；
132b、S2：底部表面；
132s：底座的侧壁；
134：板；
134a：环形框架部；
134b：中央部；
136：针脚；
138：支撑轴杆；
138a：通管；
138a1：第一末端开口；
138a2：第二末端开口；
140：排气装置；
142、152：阀门；
144、154：导管；
150：供气装置；
CS：封闭空间；
GV：沟槽；
H1、H2、H5、Ha、Hb：高度；
H4：高度差；
PG：处理气体；
Ra、Rb：部分；
S：空间；
S3：非平面表面；
S3a、S3b：平面表面；
S4：内侧壁；
S5：外侧壁；
W1、W2：半径；
W3、W4、W5、W6、Wa、Wb：宽度；
WS：晶片衬底；
WSb：背侧表面；
X、Y：方向。
具体实施方式
以下公开内容提供用于实作所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件、值、操作、材料、布置或其类似者的特定实例以简化本公开实施例。当然，这些只是实例且并不意欲为限制性的。涵盖其它组件、值、操作、材料、布置或其类似者。举例来说，在以下描述中，第一特征在第二特征上方或第二特征上的形成可包含第一特征与第二特征直接接触地形成的实施例，并且还可包含额外特征可在第一特征与第二特征之间形成，使得第一特征和第二特征可不直接接触的实施例。另外，本发明实施例可以在各种实例中重复参考标号和/或字母。此重复是出于简化和清楚的目的，且本身并不指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。
此外，为易于描述，可在本文中使用空间相对术语，例如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…上方”、“上部”等，以描述如图式中所绘示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除图式中所描绘的取向之外，空间相对术语意图涵盖在使用或操作中的装置的不同取向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它取向)，且本文中所使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。
另外，为易于描述，可在本文中使用例如“第一”、“第二”、“第三”等术语以描述如图式中所绘示的类似或不同的元件或特征，且可取决于存在次序或描述的上下文而互换使用。
本公开将于文中以特定的实施例进行描述，所述实施例涉及升高晶片温度的工艺期间实现晶片衬底中的均匀温度分布而不具有由弯曲或翘曲所引起损坏的加热台，所述工艺例如化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、原子层沉积(atomic layer deposition；ALD)、杂质掺杂、高速热处理(rapid thermal process；RTP)、退火以及金属沉积。所述实施例可用于加热具有各种直径的晶片衬底，实现每一晶片衬底上的均匀温度分布，从而执行所需工艺的同时抑制由弯曲或翘曲效应所引起的损坏。应注意，尽管已结合特定实施例描述本公开，但应理解，本公开不限于这些实施例，且可在不脱离如在所述实施例中所具体界定的本公开的范围和精神的情况下作出许多修改和改变。举例来说，所述实施例可用于其它半导体制造工艺，其中在该些半导体制造工艺中涉及处理半导体工件，使半导体工件达到所需要的均匀的热分布而没有由弯曲或翘曲效应所引起的损坏。
图1是根据本公开的一些示例性实施例的具有加热台的设备的示意性横截面图。图2是根据本公开的一些示例性实施例的加热台的示意性横截面图。图3是图2中所描绘的加热台的一部分的放大示意性横截面图。图4是根据本公开的一些示例性实施例的加热台的示意性俯视平面图，其中图4绘示图2中所描绘的加热台的俯视平面图。在图1至图4中所示的示例性实施例中，本公开的加热台可用于化学气相沉积(CVD)腔室中，然而本公开不限于此。在一替代实施例中，本公开的加热台可用于执行其它工艺的腔室或装置，所述工艺例如物理气相沉积、原子层沉积、杂质掺杂、高速热处理、退火、金属沉积等。
参照图1，在一些实施例中，提供腔室100。在一些实施例中，腔室100为用于在晶片衬底制造期间将材料层沉积于衬底上的材料沉积腔室，且可经由使用化学气相沉积工艺的沉积工艺来沉积各层，其中气体在一或多个晶片衬底上流动。所述化学气相沉积工艺例如是等离子体增强式化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition；PECVD)或高密度等离子体化学气相沉积(high density plasma chemical vapor deposition；HDP-CVD)。如图1所示，举例来说，腔室100包含外壳110、喷头120、加热台130、排气装置140以及供气装置150。
在一些实施例中，在沉积工艺期间，提供晶片衬底WS且将其放置于腔室100中。举例来说，如图1所示，经由使晶片衬底WS的背侧表面WSb与加热台130物理接触而通过加热台130定位并支撑晶片衬底WS。在一些实施例中，晶片衬底WS为经掺杂或未经掺杂的硅晶片或是绝缘体上半导体(semiconductor-on-insulator；SOI)衬底的有源层。在替代实施例中，晶片衬底WS可为硅锗(silicon germanium；SiGe)，然而本公开不限于此。晶片衬底WS可例如包含：其它半导体材料，例如锗(germanium；Ge)；化合物半导体，包含碳化硅(siliconcarbide；SiC)、砷化镓(gallium arsenic；GaAs)、磷化镓(gallium phosphide；GaP)、磷化铟(indium phosphide；InP)、砷化铟(indium arsenide；InAs)和/或锑化铟(indiumantimonide；InSb)；合金半导体，包含硅锗(SiGe)、磷砷化鎵(gallium arsenidephosphide；GaAsP)、砷化鋁銦(aluminum indium arsenide；AlInAs)、砷化鋁鎵(aluminumgallium arsenide；AlGaAs)、砷化鎵銦(gallium indium arsenide；GaInAs)、(galliumindium phosphide；GaInP)和/或磷砷化鎵銦(gallium indium arsenide phosphide；GaInAsP)；或其组合。在一些实施例中，晶片衬底WS可为多层或梯度(gradient)衬底。在一个实施例中，晶片衬底WS可为用于半导体装置制造工业中的衬底或用于半导体装置制造以外的工业中的衬底，但本公开不限于此。
如图1所示，在一些实施例中，沉积工艺包含(但不限于)以下步骤：将晶片衬底WS放置于加热台130上；开启排气装置140以排出晶片衬底WS与加热台130之间的空间S中的气体，以用于将晶片衬底WS固持在所需位置而无法轻易移动；经由喷头120将处理气体(processing gas)排放至外壳110中；当处理气体对晶片衬底WS所施加的压力大到足以维持晶片衬底WS的放置位置时，关闭排气装置140；以及开启供气装置150以排放工作气体，以用于确保晶片衬底WS的均匀温度分布。应注意，沉积工艺更包含以下步骤：通过加热台130加热晶片衬底WS；通过处理气体在晶片衬底WS上沉积薄膜；以及直到在晶片衬底WS上沉积出所需高度的薄膜时，终止沉积工艺。以下描述将详述外壳110、喷头120、加热台130、排气装置140、供气装置150、处理气体PG以及工作气体的详细结构和材料。
如图1所示，在一些实施例中，外壳110包含顶部部分110a、与顶部部分110a相对的底部部分110b以及连接顶部部分110a与底部部分110b的侧壁部分110s。在一些实施例中，顶部部分110a、底部部分110b以及侧壁部分110s形成用于容纳喷头120和加热台130的封闭空间CS。在一些实施例中，外壳110的材料包含铁(iron；Fe)、铬(chromium；Cr)、镍(Nickel；Ni)、铝(alumium；Al)、其组合或其类似者。本公开不限于此。
在一个实施例中，外壳110被说明为大小设定成适合单一晶片衬底。然而，在某些实施例中，外壳110可足够大以在沉积工艺期间容纳多于一个晶片衬底。在一些实施例中，外壳110包含一或多个晶片衬底的入口和出口(未描绘)，以允许将晶片衬底放入封闭空间CS以及从所述空间CS移出晶片衬底。可替代地，外壳110可包含可分离部分，所述分离部分可自外壳110分离以放入和移出晶片衬底；且在操作期间中，所述分离部分可与外壳110紧固在一起。
如图1所示，在一些实施例中，喷头120位于封闭空间CS中且设置于外壳110的顶部部分110a上。在某些实施例中，喷头120例如充当气体源，其提供待沉积至晶片衬底WS上的处理气体PG，如图1所示。在一些实施例中，处理气体可为气体形式的前驱物(gasprecursor)，例如四(二甲氨基)钛(tetrakis(dimethylamino)titanium；TDMAT)，以用于沉积一或多个氮化钛层。在一些实施例中，喷头120的材料包含铝(Al)或其类似者。然而，本公开不限于此。在一个实施例中，可同时或分开地经由喷头120供应多于一种的处理气体。在本公开中，处理气体的物质可基于需求而指定或选择，且在本文中不受限。
另外，喷头120例如可在供应处理气体PG的同时另外供应载气(carrier gas)(未图示)，其中所述载气不与处理气体PG或形成腔室100的任何材料反应，而是仅促进对处理气体PG的流动速率的调节。在一些实施例中，载气可为单一气体或气体混合物。在一个实施例中，载气可包含惰性气体，然而本公开不限于此。
如图1至图4所示，在一些实施例中，加热台130至少部分地位于封闭空间CS中且设置于外壳110的底部部分110b上方。在某些实施例中，举例来说，加热台130不仅作为用于保持晶片衬底WS的放置位置的支撑元件，并且还作为用于加热晶片衬底WS的加热元件。在某些实施例中，一个或多于一个加热装置(未图示)嵌入于加热台130中且耦接到所述加热台130，其中在沉积工艺期间可将晶片衬底WS加热到预定温度(例如300℃至400℃)。加热装置的数量在本公开中不受限，且可基于需求而指定。
在一些实施例中，如图1的横截面图中所绘示，加热台130位于喷头120的正下方，其中加热台130的放置位置与喷头120的放置位置彼此至少部分地重叠。换句话说，喷头120至少部分地位于加热台130上方，使得放置于加热台130上的晶片衬底WS也与喷头120重叠，其中这样的配置可被视为沉积工艺的适当位置(proper position)。如图1所示，在某些实施例中，喷头120的中心、加热台130的中心以及晶片衬底WS的中心彼此对准，其中晶片衬底WS的顶部表面WSa面向喷头120，且晶片衬底WS的背侧表面WSb物理接触加热台130，使得晶片衬底WS的温度通过加热台130而升高，并且通过喷头120所提供的处理气体而在晶片衬底WS上形成并沉积薄膜或膜层。
参照图2至图4，加热台130具有底座132、板(plate)134、多个针脚(pin)136、支撑轴杆138以及至少一个通管(through pipe)138a。如图2所示，在某些实施例中，沿着方向Y，底座132包夹在板134与支撑轴杆138之间，且针脚136位于板134上，使得板134包夹在针脚136与底座132之间。在一些实施例中，至少一个通管138a以从下到上的次序穿透支撑轴杆138、底座132以及传导板134。在一些实施例中，加热台130可由不锈钢制成。在一个实施例中，底座132、传导板134、针脚136以及支撑轴杆138可一体成型，然而本公开不限于此。在以下实施例中，出于清楚说明的目的，可通过虚线指示彼此连接的两个元件或部分的交接面；或可通过一条或多于一条虚线将元件或部分划分成两个或多于两个不同部分。在一替代实施例中，底座132、传导板134、针脚136以及支撑轴杆138可分开形成，且随后以机械方式相互组装。
在一些实施例中，如图2至图4所示，底座132具有顶部表面132a、与顶部表面132a相对的底部表面132b以及连接顶部表面132a与底部表面132b的侧壁132s。在一些实施例中，底座132在图4中所描绘的俯视平面图中呈圆形形状，其中底座132具有沿方向X测量的最大半径W1和沿方向Y测量的高度H1，且方向X不平行于方向Y。举例来说，方向X实质上垂直于方向Y，如图2所示。在一个实施例中，最大半径W1大约介于168mm至172mm的范围内。在一个实施例中，高度H1大约介于15.6mm至15.8mm的范围内。然而，在替代实施例中，底座132的(俯视平面图)形状可为椭圆形、蛋形、其它类似形状、或任何合适的多边形形状，本公开不限于此。
在一些实施例中，参照图2至图4，板134设置于底座132的顶部表面132a上且以机械方式连接到所述顶部表面132a。在某一实施例中，如图4所示，底座132的一部分由板134暴露，其中由板134暴露的底座132的所述部分具有沿方向X测量的宽度W3。在一个实施例中，由板134暴露的底座132的所述部分的宽度W3大约介于21mm至23mm的范围内。在一个实施例中，宽度W3与最大半径W1的比值介于约12.2％至约13.7％的范围内。举例来说，宽度W3与最大半径W1的比值可约为13％，然本公开不限于此。
在某些实施例中，如图2至图3所示，板134具有顶部表面S1、与顶部表面S1相对的底部表面S2(其为沿方向X自由板134暴露的底座132的所述部分的顶部表面延长的平面表面)、与底部表面S2相对的非平面表面S3、连接顶部表面S1与非平面表面S3的内侧壁S4、以及连接非平面表面S3与底部表面S2的外侧壁S5。在一些实施例中，非平面表面S3包含平面表面S3a和连接到平面表面S3a的平面表面S3b，其中平面表面S3a实质上平行于底部表面S2，且平面表面S3b不平行于平面表面S3a。如图2和图3所示，在平面表面S3a的延长平面(表示为虚线)与平面表面S3b的延长平面(表示为虚线)之间具有角度θ。在一些实施例中，角度θ是锐角。在某些实施例中，角度θ大约介于0.1°至2.0°的范围内。举例来说，平面表面S3b为倾斜表面，如图2和图3所示。
在一些实施例中，如图2和图3所示，沿著方向X，板134包含环形框架部134a和中央部134b，所述中央部134b连接到所述环形框架部134a且由所述环形框架部134a包围。在一些实施例中，举例来说，板134的形状对应于底座132的形状。在某些实施例中，在图4中所描绘的俯视平面图中，板134呈圆形形状，其中沿方向X测量，板134具有最大半径W2且环形框架部134a具有宽度W4。在一个实施例中，最大半径W2(例如W2＝W1-W3)大约介于145mm至151mm的范围内。在一个实施例中，宽度W4大约介于6.3mm至6.5mm的范围内。在一个实施例中，宽度W4与最大半径W2的比值介于约4.2％至约4.5％的范围内。举例来说，宽度W4与最大半径W2的比值可约为4.3％，然本公开不限于此。如图3和图4所示，中央部134b具有沿方向X测量的宽度W6(例如W6＝W2-W4)和沿方向Y测量的高度H2。在一个实施例中，高度H2大约介于9.6mm至9.9mm的范围内。
继续参照图2和图3，在一些实施例中，环形框架部134a包含部分Ra和部分Rb，其中部分Ra对应于平面表面S3a，且部分Rb对应于平面表面S3b。在某些实施例中，环形框架部134a的部分Ra沿方向X位于环形框架部134a的部分Rb与中央部134b之间。如图2和图3所示，沿着方向X，部分Ra具有宽度Wa，且部分Rb具有宽度Wb，其中宽度Wa小于宽度Wb。在一些实施例中，宽度Wa介于约2.34mm至约2.36mm的范围内。在一些实施例中，宽度Wb介于约3.9mm至约4.1mm的范围内。在一个实施例中，宽度Wa与宽度Wb的比值介于约57.1％至约60.5％的范围内。举例来说，宽度Wa与宽度Wb的比值可约为60％，然本公开不限于此。由于非平面表面S3的配置，对于在沉积期间中弯曲的每一晶片衬底WS来说，晶片衬底WS的边缘与同其物理接触的环形框架部134a之间的接触面积增加，而使得晶片衬底WS的边缘所接收到的应力相应地减小，从而有效避免由于弯曲或翘曲效应所引起的损坏。
继续参照图3，对应于平面表面S3a的部分Ra具有沿方向Y测量的高度Ha，且对应于平面表面S3b的部分Rb具有沿方向Y测量的高度Hb，其中高度Ha为恒定的，而高度Hb沿方向X从内表面S4到外表面S5逐渐降低，且高度Ha实质上等于高度Hb的最大值。在一些实施例中，高度Hb与高度H2的高度差(例如Hb-H2)介于约0.3mm至约0.6mm的范围内。在一些实施例中，沿着方向Y，平面表面S3a与顶部表面S1之间的高度差H4大约介于0.4mm至0.6mm的范围内。换句话说，内侧壁S4的高度为平面表面S3a与顶部表面S1之间的高度差H4。
在一些实施例中，如图2至图4所示，针脚136设置于板134的顶部表面S1上。针脚136的材料可例如与底座132的材料、板134的材料和/或支撑轴杆138的材料相同。在一些实施例中，针脚136中的每一个具有沿方向X测量的宽度W5和沿方向Y测量的高度H5。在一些实施例中，宽度W5介于约2.0mm至约3.0mm的范围内。在一些实施例中，高度H5介于约0.3mm至约0.6mm的范围内。如图3所示，高度H5小于平面表面S3a与顶部表面S1之间的高度差H4。在一些实施例中，针脚136均匀分布在板134上方，其中针脚136实体上以恒定距离彼此相距。在某些实施例中，针脚136以预定形式来布置，例如使用通管138a作为中心的同心排列，参照图4。在替代实施例中，针脚136可例如以诸如矩阵排列的预定形式来布置，如图5所示。然而，本公开不限于此。在一个实施例中，针脚136随机分布在板134上方，其中针脚136实体上以不同距离彼此相距，如图6所示。针脚136的大小、形状、间距以及布置在本文中不受限，且可基于需求而修改或选择。
在一替代实施例中，加热台130还包含板134上的多个沟槽GV，如图7所示。在一些实施例中，沟槽GV沿方向Y贯穿板134的一部分且在空间上与通管138a连通。在一个实施例中，沟槽GV可从通管138a延伸至环形框架部134a。
在一些实施例中，如图1和图2所示，支撑轴杆138的一部分位于外壳110内部，且支撑轴杆138的其它部分位于外壳110外部。在一替代实施例中，支撑轴杆138可全部位于外壳110内部。在一个实施例中，支撑轴杆138可全部位于外壳110外部。然而，本公开不限于此。在一些实施例中，支撑轴杆138可耦接到旋转机构(未图示)，且底座132可通过支撑轴杆138而旋转，从而在晶片衬底WS上获得更加均匀一致的薄膜。
如图1和图2所示，通管138a的第一末端开口138a1位于板134的顶部表面S1处且在空间上与封闭空间CS连通，且通管138a的第二末端开口138a2位于支撑轴杆138距底座132的远端处且连接到排气装置140和供气装置150。
在一些实施例中，排气装置140经由导管144机械连接到嵌入于支撑轴杆138中的通管138a，如图1所示。在一些实施例中，排气装置140可包含真空泵。在一些实施例中，排气装置140用于排出晶片衬底WS与加热台130之间形成的空间S中的气体，以将晶片衬底WS固持在所需放置位置(例如上文所提及的用于沉积工艺的适当位置)，但本公开不限于此。在一个实施例中，排气装置140还可用于排出外壳110的封闭空间CS中的气体(例如处理气体PG)。排气装置140和导管144的数量可基于需求而改变。
在一些实施例中，供气装置150经由导管154机械连接到嵌入于支撑轴杆138中的通管138a，如图1所示。在一些实施例中，供气装置150经由导管154和通管138a将工作气体供应到晶片衬底WS与加热台130之间形成的空间S中；基于此，工作气体改善沉积工艺期间中晶片衬底WS的温度分布均一性。在一个实施例中，工作气体可为氩气，然而本公开不限于此。在一些实施例中，供气装置150可供应与晶圆基底WS、加热台130、喷头120、外壳110或处理气体PG不具有反应性的其它适合气体，例如惰性气体。排气装置150和导管154的数量可基于需求而改变。
在某些实施例中，如图1所示，腔室100更包含分别控制排气装置140和供气装置150的阀门142和阀门152，藉此使得可控制工作气体输入到空间S中或从空间S排出的量和/或流动速率。在一个实施例中，可通过控制器(未图示)远程控制阀门142和阀门152。
根据一些实施例，一种加热台包含底座和导热板。所述导热板位于所述底座上。所述导热板具有中央部和包围所述中央部的边缘部，且所述边缘部包含第一部分和连接到所述第一部分的第二部分，其中所述第一部分包夹在所述中央部与所述第二部分之间。所述第二部分的高度沿从所述中央部朝向所述边缘部的方向逐渐降低。
一些实施例中，所述的加热台还包括位于所述第一部分的顶部表面的延长平面与所述第二部分的顶部表面的延长平面之间的角度，其中所述角度大约介于0.1°至2.0°的范围内。一些实施例中，在所述的加热台中，所述第一部分的宽度小于所述第二部分的宽度。一些实施例中，在所述的加热台中，所述第一部分的所述宽度与所述第二部分的所述宽度的比值大约介于57.1％至60.5％的范围内。一些实施例中，所述的加热台还包括以同心布置或矩阵布置定位于所述导热板的所述中央部上的多个针脚。一些实施例中，所述的加热台还包括以随机分布定位于所述导热板的所述中央部上的多个针脚。一些实施例中，在所述的加热台中，所述中央部的顶部表面与所述第一部分的顶部表面之间具有高度差，其中所述加热台还包括位于所述导热板的所述中央部上的多个针脚，且所述多个针脚的高度小于所述高度差。一些实施例中，所述的加热台还包括位于所述导热板的所述中央部上的多个沟槽，其中所述多个沟槽均匀分布在所述导热板上方以及贯穿所述导热板的一部分。一些实施例中，在所述的加热台中，所述导热板的材料包括不锈钢。
根据一些实施例，一种加热台包含底座、导热板、支撑轴杆以及通管。所述底座具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面。所述导热板位于所述底座的所述第一主表面上，其中所述导热板具有中央部和包围所述中央部的边缘部，且所述边缘部包含第一部分和连接到所述第一部分的第二部分，其中所述第一部分包夹在所述中央部与所述第二部分之间，且所述第二部分的高度沿从所述中央部朝向所述边缘部的方向逐渐降低。所述支撑轴杆位于所述底座的所述第二主表面上，其中所述底座位于所述导热板与所述支撑轴杆之间。所述通管嵌入于所述支撑轴杆中。
一些实施例中，所述的加热台还包括位于所述第一部分的顶部表面的延长平面与所述第二部分的顶部表面的延长平面之间的角度，其中所述角度大约介于0.1°至2.0°的范围内。一些实施例中，在所述的加热台中，其中所述第一部分的宽度与所述第二部分的宽度的比值大约介于57.1％至60.5％的范围内。一些实施例中，所述的加热台还包括以同心布置或矩阵布置定位于所述导热板的所述中央部上的多个针脚。一些实施例中，所述的加热台还包括位于所述导热板的所述中央部上的多个沟槽，其中所述多个沟槽贯穿所述导热板的部分以及与所述通管在空间上连通。一些实施例中，在所述的加热台中，其中所述通管穿透所述支撑轴杆、所述底座以及所述导热板，且所述通管具有第一末端开口以及第二末端开口，其中所述第一末端开口位于所述中央部的顶部表面处。
根据一些实施例，一种用于处理半导体晶片的设备包含腔室，所述腔室包含外壳、喷头以及加热台。所述外壳具有顶部表面、与顶部表面相对的底部表面以及连接顶部表面与底部表面的侧壁。所述喷头位于所述外壳内部且设置于所述顶部表面上。所述加热台至少部分地位于所述外壳内部且设置于所述底部表面上，其中所述加热台包含底座和设置于所述底座上的导热板，其中所述导热板具有中央部和包围所述中央部的边缘部，且所述边缘部包含第一部分和连接到所述第一部分的第二部分，其中所述第一部分包夹在所述中央部与所述第二部分之间，且所述第二部分的高度沿从所述中央部朝向所述边缘部的方向逐渐降低。
一些实施例中，所述的用于处理半导体晶片的设备还包括位于所述第一部分的顶部表面的延长平面与所述第二部分的顶部表面的延长平面之间的角度，其中所述角度大约介于0.1°至2.0°的范围内。一些实施例中，所述的用于处理半导体晶片的设备还包括以同心布置或矩阵布置定位于所述导热板的所述中央部上的多个针脚。一些实施例中，所述的用于处理半导体晶片的设备还包括通管，其穿透所述加热台以及具有第一末端开口以及与所述第一末端开口相对的第二末端开口，其中所述第一末端开口位于所述外壳内部以及位于所述中央部的顶部表面处。一些实施例中，所述的用于处理半导体晶片的设备还包括排气装置以及供气装置，其中所述排气装置以及所述供气装置连接到所述通管的所述第二末端开口。
前文概述若干实施例的特征以使得本领域的技术人员可更好地理解本公开的各方面。本领域的技术人员应了解，其可以易于使用本公开作为设计或修改用于进行本文中所介绍的实施例的相同目的和/或获得相同优势的其它工艺和结构的基础。本领域的技术人员还应认识到，此类等效构造并不脱离本公开的精神和范围，且其可在不脱离本公开的精神和范围的情况下在本文中作出各种改变、替代以及更改。

Claims (10)

1.一种加热台，其特征在于，包括：
底座；以及
导热板，位于所述底座上，其中所述导热板具有中央部以及包围所述中央部的边缘部，且所述边缘部包含第一部分以及包围所述第一部分的第二部分，其中所述第一部分包夹在所述中央部与所述第二部分之间，且所述第二部分的高度沿从所述中央部朝向所述边缘部的方向逐渐降低。
2.根据权利要求1所述的加热台，其特征在于，还包括：位于所述第一部分的顶部表面的延长平面与所述第二部分的顶部表面的延长平面之间的角度，其中所述角度大约介于0.1°至2.0°的范围内。
3.根据权利要求1所述的加热台，其特征在于，还包括以同心布置或矩阵布置定位于所述导热板的所述中央部上的多个针脚。
4.根据权利要求1所述的加热台，其特征在于，还包括以随机分布定位于所述导热板的所述中央部上的多个针脚。
5.根据权利要求1所述的加热台，其特征在于，还包括位于所述导热板的所述中央部上的多个沟槽，其中所述多个沟槽均匀分布在所述导热板上方以及贯穿所述导热板的一部分。
6.一种加热台，其特征在于，包括：
底座，具有第一主表面以及与所述第一主表面相对的第二主表面；
导热板，位于所述底座的所述第一主表面上，其中所述导热板具有中央部以及包围所述中央部的边缘部，所述边缘部包含第一部分以及连接到所述第一部分的第二部分，其中所述第一部分包夹在所述中央部与所述第二部分之间，其中所述第二部分的高度沿从所述中央部朝向所述边缘部的方向逐渐降低；
支撑轴杆，位于所述底座的所述第二主表面上，其中所述底座位于所述导热板与所述支撑轴杆之间；以及
通管，嵌入于所述支撑轴杆中。
7.根据权利要求6所述的加热台，其特征在于，还包括：位于所述第一部分的顶部表面的延长平面与所述第二部分的顶部表面的延长平面之间的角度，其中所述角度大约介于0.1°至2.0°的范围内。
8.根据权利要求6所述的加热台，其特征在于，其中所述通管穿透所述支撑轴杆、所述底座以及所述导热板，且所述通管具有第一末端开口以及第二末端开口，其中所述第一末端开口位于所述中央部的顶部表面处。
9.一种用于处理半导体晶片的设备，其特征在于，包括：
外壳，具有顶部表面、与所述顶部表面相对的底部表面以及连接所述顶部表面与所述底部表面的侧壁；
喷头，位于所述外壳内部以及设置于所述顶部表面上；以及
加热台，至少部分地位于所述外壳内部以及设置于所述底部表面上，其中所述加热台包括底座以及设置于所述底座上的导热板，其中所述导热板具有中央部以及包围所述中央部的边缘部，且所述边缘部包含第一部分以及连接到所述第一部分的第二部分，其中所述第一部分包夹在所述中央部与所述第二部分之间，且所述第二部分的高度沿从所述中央部朝向所述边缘部的方向逐渐降低。
10.根据权利要求9所述的用于处理半导体晶片的设备，其特征在于，还包括通管，其穿透所述加热台以及具有第一末端开口以及与所述第一末端开口相对的第二末端开口，其中所述第一末端开口位于所述外壳内部以及位于所述中央部的顶部表面处。
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