CN209065998U - 薄膜制备设备及其反应腔室 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种薄膜制备设备及其反应腔室。包括腔体以及设置在所述腔体内的载物平台；所述腔体包括：进气口，设置在所述载物平台的上方，用于输入反应气体；筒形的侧壁，设置有位于同一水平高度、由侧壁的内周壁凹陷形成且环绕所述载物平台分布的多个排气孔；以及排气流道，连通于每个所述排气孔；其中，所述排气流道抽气时，载物平台上方的气体从中间均匀地向四周流动。采用这种反应腔室制备的薄膜更加均匀。

Description

薄膜制备设备及其反应腔室

技术领域

本实用新型总体来说涉及一种半导体加工领域，具体而言，涉及一种薄膜制备设备及其反应腔室。

背景技术

在现今的半导体工业中，硬掩模主要运用于多重光刻工艺中，首先把多重光刻胶图像转移到硬掩模上，然后通过硬掩模将最终图形刻蚀转移到衬底上。

为应对集成电路临界尺寸越来越窄的需求，需要制造更高分辨率的图形，光刻胶厚度必须相应的降低以增加图样转移的精确度。因此,我们需要一个有高选择比的材料当硬掩模来减少光刻胶的厚度，尤其是应用在70纳米以下先进工艺中的高深宽比下的图样转移。

现有技术中氮化硅，氮碳化硅,非晶硅,碳薄膜等薄膜皆可作为硬掩模。但对于底材氧化硅薄膜或是掺杂硼、磷或氟的氧化硅薄膜而言，碳薄膜的制造成本低，因此碳薄膜常用于高深宽比的光刻胶图样转移层或是硬掩模层。

然而，现有技术中生长出的碳薄膜厚度的均匀程度较低，导致最终产品的良品率较低。

在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本实用新型的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

实用新型内容

在实用新型内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本实用新型内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

实用新型人通过大量实践发现，碳薄膜的厚度不均匀是由于反应气体在晶圆上不均匀流动所导致的。如图1所示，图1为一种碳薄膜制备设备的反应腔室1a的剖视示意图。反应腔室1a包括筒体11a、顶壁13a、底壁12a、抽气环和载物台14a。顶壁13a和底壁12a分别封堵柱筒体11a的两端。筒体11a竖直设置，顶壁13a位于筒体11a的上方，底壁12a位于筒体11a的底部。顶壁13a上设置有进气口131a。进气口131a用于进入反应气体。载物台14a设置在筒体11a内。载物台14a用于放置晶圆2。筒体11a设置有内壁向内凹陷形成的环形凹槽112a。抽气环与环形凹槽112a同轴设置，抽气环覆盖在环形凹槽112a上的开口上。环形凹槽112a的内壁与抽气环113a围合出环形流道111a。如图2所示，抽气环113a上设置有均匀分布的多个排气孔114a。排气孔114a均连通于环形流道111a。筒体11a上还设置有一个出气孔115a。出气孔115a一端连通于环形流道111a、另一端连通到真空泵上。真空泵开动后，筒体11a内的气体依次通过排气孔114a、环形流道111a和出气孔115a而排出。但由于有些排气孔114a距离出气孔115a近，有些排气孔114a距离出气孔115a远，这样，靠近出气孔115a的排气孔114a吸气快，远离出气孔115a的排气孔114a吸气慢，这样，在晶圆2表面的反应气体气流一侧流速快、另一侧流速慢，由此导致反应气体在晶圆2表面沉积的薄膜的厚度一侧厚、一侧薄。

本实用新型所要解决的一个技术问题为如何使得晶圆上生成的薄膜的厚度更均匀。

本实用新型的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种薄膜制备设备的反应腔室，其包括腔体以及设置在所述腔体内的载物平台；所述腔体包括：进气口，设置在所述载物平台的上方，用于输入反应气体；筒形的侧壁，设置有位于同一水平高度、由侧壁的内周壁凹陷形成且环绕所述载物平台分布的多个排气孔；以及排气流道，连通于每个所述排气孔；

其中，所述排气流道抽气时，载物平台上方的气体从中间均匀地向四周流动。

根据本实用新型的一个实施例，所述排气流道包括设置在所述侧壁内的环空流道以及分别连通所述环空流道对称两侧的两个第一通道；多个所述排气孔均从所述内周壁延伸到所述环空流道。

根据本实用新型的一个实施例，所述腔体还包括覆盖在所述侧壁的底部的底壁，两个所述第一通道从所述环空流道向下延伸到所述底壁；

所述排气流道还包括设置在所述底壁的中部的出气口，以及设置在所述侧壁内且分别从两个所述第一通道延伸到所述出气口的两个第二通道。

根据本实用新型的一个实施例，多个所述排气孔均分为分别靠近两个所述第二通道的两组排气孔；在每组排气孔中，越接近其所对应的第二通道则相邻两个所述排气孔之间的间距越大。

根据本实用新型的一个实施例，在每组排气孔中，越接近其所对应的第二通道则排气孔的孔径越小。

根据本实用新型的一个实施例，所述腔体还包括覆盖在所述侧壁的顶端的顶壁，所述进气口设置在所述顶壁的中部。

根据本实用新型的一个实施例，所述多个排气孔均匀环绕所述载物平台；所述腔体还包括：覆盖所述侧壁的顶端的顶壁，所述进气口设置在所述顶壁的中部且朝向所述载物平台；覆盖所述侧壁的底端的底壁，所述底壁的中部下方设置有用于排出所述腔体内的气体的出气口；其中，所述腔体的壁面内还设置有连通排气孔和出气口的排气流道，腔体内的气体从每个排气孔经排气流道到达出气口的路径相等。

根据本实用新型的一个实施例，所述排气流道包括设置在侧壁内的第一流道和设置在底壁内的第二流道；所述第一流道从每个排气孔延伸到所述第二流道，所述第二流道从所述第一流道延伸到所述出气口。

根据本实用新型的一个实施例，所述第一流道为沿着所述侧壁的轴向延伸的直流道，所述第二流道为从每个第一流道从径向延伸到所述出气口的直流道。

根据本实用新型的一个实施例，所述第一流道为一端连通每个排气孔、另一端连通所述第二流道的环空腔室。

根据本实用新型的一个实施例，所述第二流道为圆盘形的腔室，所述第一流道的端部连接所述第二流道的边缘，所述出气口连通于所述第二流道的中部。

根据本实用新型的一个实施例，所述排气孔的横截面为长轴水平设置的椭圆形。

根据本实用新型的一个实施例，所述横截面的面积为0.5π～2πcm²。

根据本实用新型的一个实施例，所述侧壁为圆筒形，所述载物平台为圆形板，所述侧壁与所述载物平台同轴设置。

根据本实用新型的一个实施例，所述排气孔平齐于所述载物平台的承载面。

本实用新型还提出了一种薄膜制备设备，其包括如上所述的反应腔室。

由上述技术方案可知，本实用新型的反应腔室的优点和积极效果在于：

载物平台上方的反应气体能从中间均匀地向四周流动，晶圆装载在载物平台上时，反应气体能从晶圆的中部均匀地向四周流动，反应气体在晶圆表面流过时其中的一部分沉积在晶圆表面，晶圆上沉积薄膜的速度相同，晶圆上生成薄膜的厚度也更加均匀。

附图说明

通过结合附图考虑以下对本实用新型的优选实施例的详细说明，本实用新型的各种目标、特征和优点将变得更加显而易见。附图仅为本实用新型的示范性图解，并非一定是按比例绘制。在附图中，同样的附图标记始终表示相同或类似的部件。其中：

图1显示了一种碳薄膜制备设备的反应腔室的结构示意图；

图2显示了一种碳薄膜制备设备的抽气环的结构示意图；

图3显示了本实用新型的实施例一中的反应腔室的全剖示意图；

图4显示了本实用新型的实施例一中从斜上方俯视排气流道的立体示意图；

图5显示了本实用新型的实施例一中从斜下方仰视排气流道的立体示意图；

图6显示了本实用新型的实施例一中的抽气环的立体示意图；

图7显示了本实用新型的实施例二中的反应腔室的全剖示意图；

图8显示了本实用新型的实施例二中从斜上方俯视排气流道的立体示意图；

图9显示了本实用新型的实施例二中从斜下方仰视排气流道的立体示意图；

图10是本实用新型的实施方式中的抽气环的立体示意图；

图11显示了本实用新型的实施例三中从斜上方俯视排气流道的立体示意图；

图12显示了本实用新型的实施例三中从斜下方仰视排气流道的立体示意图。

其中，附图标记说明如下：

1a、反应腔室；11a、筒体；111a、环形流道；112a、环形凹槽；113a、抽气环；114a、排气孔；115a、出气孔；12a、底壁；13a、顶壁；131a、进气口；14a、载物台；2、晶圆；

1b、反应腔室；10b、腔体；11b、侧壁；110b、筒体；112b、环形凹槽；113b、抽气环；114b、排气孔；115b、出气口；116b、排气流道；117b、第一通道；118b、第二通道；119b、环空流道；12b、底壁；13b、顶壁；131b、进气口；14b、载物平台；15b、喷头；

1、反应腔室；10、腔体；11、侧壁；110、筒体；112、环形凹槽；113、抽气环；114、排气孔；115、出气口；116、排气流道；117、第一流道；118、第二流道；117c、第一流道；118c、第二流道；12、底壁；13、顶壁；131、进气口；14、载物平台；15、喷头。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本实用新型将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。

实施例一

如图3所示，图3显示了一种半导体处理设备的反应腔室1b。反应腔室1b包括腔体10b和载物平台14b。载物平台14b设置在腔体10b内。载物平台14b的顶部设置有水平的承载面。承载面用于承载待加工的晶圆2。

腔体10b包括底壁12b、侧壁11b和顶壁13b。侧壁11b设置成筒形结构。侧壁11b竖直设置。顶壁13b和底壁12b分别设置在侧壁11b的顶端和底端，底壁12b、侧壁11b和顶壁13b围合成空腔结构。

侧壁11b内具有内腔，该内腔优选为圆柱形空腔。载物平台14b设置在该内腔内。载物平台14b下方设置有支撑载物平台14b的支撑柱。侧壁11b优选为圆筒结构，载物平台14b优选为圆板形，载物平台14b与侧壁11b同轴设置。侧壁11b设置有多个排气孔114b。排气孔114b由侧壁11b的内周壁径向凹陷形成。多个排气孔114b环绕载物平台依次排布。

顶壁13b可以设置成板状结构，优选为圆板。顶壁13b覆盖在侧壁11b的顶端上，覆盖侧壁11b的顶端。顶壁13b的中部设置有进气口131b。进气口131b朝外的一端通过管路与反应气体源接通。反应气体源可以是盛装有反应气体的罐体，也可以是制造反应气体的发生装置。该进气口131b用于向腔体10b内输入反应气体。进气口131b朝下设置以使得反应气体向下喷出。载物平台14b设置在进气口131b的下方。进气口131b对准载物平台14b的中部。

底壁12b设置在侧壁11b的底端，并覆盖侧壁11b的底端。底壁12b可以设置成平板结构，优选为圆板。底壁12b中部的下方设置有出气口115b。出气口115b用于排出腔体10b内的气体。出气口115b用于连接抽气装置，例如，出气口115b通过管路连通于真空泵。抽气装置启动后抽空气体以在出气口115b处产生负压。

参照图4和图5，腔体10b的壁面内还设置有连通排气孔114b和出气口115b的排气流道116b。排气流道116b包括环空流道119b，两个第一通道117b和两个第二通道118b。环空流道119b设置成环状，优选为圆环。环空流道119b和第一通道117b均设置在侧壁11b内，第二通道118b设置在底壁12b内。每个排气孔114b均从侧壁11b的内周壁延伸到环空流道119b上。两个第一通道117b均连通环空流道119b。两个第一流道117b分别设置在侧壁11b的相对两侧，并分别连通于环空流道119b的相对两侧。两个第二通道118b分别从两根第一通道117b延伸到出气口115b。

抽气装置启动时，腔体10b内的气体依次通过排气孔114b、环空流道119b、第一通道117b和第二通道118b，最后从出气口115b排出。

进气口131b向腔体10b内输入反应气体，反应气体从进气口131b输入到腔体10b内后，喷向载物平台的晶圆2b，反应气体在晶圆2b表面流过时其中的一部分沉积在晶圆2b表面，另一部分反应气体通过多个排气孔114b经由排气流道到达出气口115b，并从出气口115b输出。

由于两个第一通道117b对称设置在环空流道119b上，两个第一通道117b从环空流道119b对称的部位以相同的吸力抽取环空流道119b内的空气，使得每个排气孔114b抽取空气的速度相对而言更加均匀，进而，载物平台14b上方的反应气体能从中间均匀地向四周流动。晶圆2装载在载物平台14b上时，反应气体能从晶圆2的中部均匀地向四周流动，晶圆2上沉积薄膜的速度相同，晶圆2上生成薄膜的厚度也更加均匀。

进一步地，参照图6，多个排气孔114b均分为分别靠近两个第二通道118b的两组排气孔。每组排气孔与其所最接近的第二通道118b相对应。在每组排气孔中，越接近其所对应的第二通道118b则相邻两个排气孔114b之间的间距越大。

在每组排气孔中，越靠近其所对应第二通道118b的排气孔114b，则排气孔114b内的气压越小，排气孔114b排气越快。将排气孔114b按上述方式排列后，能使得多个排气孔114b在载物平台14b的周向上能更加均匀地抽气，从而使得载物平台14b上方的反应气体能从中间更加均匀地向四周流动，进而晶圆2上生成的薄膜的厚度也更加均匀。

进一步地，在每组排气孔中，越接近其所对应的第二通道118b则排气孔114b的孔径越小。

在每组排气孔中，越靠近其所对应第二通道118b的排气孔114b，则排气孔114b内的气压越小，将排气孔114b设置成越靠近第二通道118b孔径越小，则每个排气孔114b抽气的速度更加接近。因此，将排气孔114b按上述方式排列后，能使得多个排气孔114b在载物平台14b的周向上能更加均匀地抽气，从而使得载物平台14b上方的反应气体能从中间更加均匀地向四周流动，进而晶圆2上生成的薄膜的厚度也更加均匀。

进一步地，如图4、5所示，第一通道117b和第二通道118b均为直流道。每根第一通道117b从环空流道119b沿着侧壁11b的轴向延伸到与其相对应的第二通道118b上。每根第二通道118b从与其相对于的第一通道117b的端部延伸到出气口115b。

进一步地，侧壁11b为圆筒形，载物平台为圆形板，侧壁11b与载物平台同轴设置。载物平台与侧壁11b同轴设置后，载物平台与侧壁11b之间的间距相同，气流从载物平台向侧壁11b的排气孔114b流动时在各个方向上分布更加均匀，由此，晶圆2表面上生长出的薄膜厚度更加均匀。

进一步地，排气孔114b平齐于载物平台14b的承载面。排气孔114b平齐于载物平台14b的承载面时，从进气口喷向承载面的反应气体在承载面上换向，然后水平地进入到排气孔114b，反应气体从承载面到排气孔114b不会换向，为层流，不会产生紊流而从使得晶圆2表面上生长出的薄膜的厚度更加均匀。

进一步地，侧壁11b包括筒体110b和抽气环113b。筒体110b优选为圆筒。筒体110b与抽气环113b同轴设置，抽气环113b嵌入到筒体110b的内壁上。第一通道117b和环空流道119b均设置在筒体110b的壁面内。如图6所示，抽气环113b上设置有多个径向延伸的排气孔114b。排气孔114b径向贯穿抽气环113b。排气孔114b与环空流道119b连通。抽气环113b优选为圆环形。

进一步地，腔体10b还包括设置在顶部的喷头15b。喷头15b连通于进气口131b。喷头15b用于将从进气口131b输入的反应气体均匀地喷向载物平台14b上。

进一步地，该薄膜制备设备用于制备碳薄膜。该薄膜制备设备采用化学气相沉积法沉积薄膜。在进行沉积时，腔体10b内的气压为1～50torr。载物平台14b能进行加热，例如载物平台14b内设置有电热丝。

进一步地，排气孔114b到出气口115b之间的距离为50～200mm。排气口为圆形，其直径优选为50～200mm。

进一步地，反应腔室1b设置有多个腔体10b和多个载物平台14b。腔体10b和载物平台14b的数量相同，例如均设置有两个。载物平台14b与腔体10b一一对应设置，载物平台14b设置在与其对应的腔体10b内。

实施例二

如图7所示，图7显示了一种半导体处理设备的反应腔室1。反应腔室1包括腔体10和载物平台14。载物平台14设置在腔体10内。载物平台14的顶部设置有水平的承载面。承载面用于承载待加工的晶圆2。

腔体10包括底壁12、侧壁11和顶壁13。侧壁11设置成筒形结构。侧壁11竖直设置。顶壁13和底壁12分别设置在侧壁11的顶端和底端，底壁12、侧壁11和顶壁13围合成空腔结构。

侧壁11内具有内腔，该内腔优选为圆柱形空腔。载物平台14设置在该内腔内。载物平台14下方设置有支撑载物平台14的支撑柱。侧壁11优选为圆筒结构，载物平台14优选为圆板形，载物平台14与侧壁11同轴设置。侧壁11设置有多个排气孔114。排气孔114由侧壁11的内周壁径向凹陷形成。多个排气孔114环绕载物平台依次排布。相邻两个排气孔114之间的间距相同。

顶壁13可以设置成板状结构，优选为圆板。顶壁13覆盖在侧壁11的顶端上，覆盖侧壁11的顶端。顶壁13的中部设置有进气口131。进气口131朝外的一端通过管路与反应气体源接通。反应气体源可以是盛装有反应气体的罐体，也可以是制造反应气体的发生装置。该进气口131用于向腔体10内输入反应气体。进气口131朝下设置以使得反应气体向下喷出。载物平台14设置在进气口131的下方。进气口131对准载物平台14的中部。

底壁12设置在侧壁11的底端，并覆盖侧壁11的底端。底壁12可以设置成平板结构，优选为圆板。底壁12中部的下方设置有出气口115。出气口115用于排出腔体10内的气体。出气口115用于连接抽气装置，例如，出气口115通过管路连通于真空泵。抽气装置启动后抽空气体以在出气口115处产生负压。

腔体10的壁面内还设置有连通排气孔114和出气口115的排气流道116。排气流道116包括第一流道117和第二流道118。第一流道117设置在侧壁11内，第二流道118设置在底壁内。第一流道117从每个排气孔114延伸到第二流道118。第二流道118从第一流道117的一端延伸到出气口115。气体依次通过排气孔114、第一流道117和第二流道118进入到出气口115。腔体10内的气体从每个排气孔114径排气流道116到达出气口的路径相等。这里所说的路径相等是指气体运动的轨迹的形状相同、长度相等。

将晶圆2放置在载物平台的中部。进气口131向腔体10内输入反应气体，反应气体从进气口131输入到腔体10内后，喷向载物平台的晶圆2，反应气体在晶圆2表面流过时其中的一部分沉积在晶圆2表面，另一部分反应气体通过多个排气孔114经由排气流道到达出气口115，并从出气口115输出。由于气体从每个排气孔114到出气口115的路径相等，气体进入到每个排气孔114的速度相同，使得流经晶圆2中心向四周扩散的反应气体气流的流速相等，晶圆2表面上生长出的薄膜更加均匀。

进一步地，如图8和图9所示，第一流道117和第二流道118均为直流道。第一流道117和第二流道118均设置有多条。第一流道117的数量、第二流道118的数量均与排气孔114的数量相等，第一流道117与排气孔114一一对应设置，第二流道118与第一流道117一一对应设置。每根第一流道117从与其相对应的排气孔114沿着侧壁11的轴向延伸到与其相对应的第二流道118上。每根第二流道118从与其相对于的第一流道117的端部延伸到出气口115。这样设置后，每根排气流道116均由一根第一流道117和一根与该第一流道117相对应的第二流道118组成，并且每根排气流道116形状和长度均相同，这就使得通过每根排气流道116的气体受到的阻力相同，由此，每个排气孔114吸入气体的速度相同。

进一步地，排气孔114的横截面为椭圆形。该横截面的长轴水平设置，短轴竖直设置。这样设置后，排气孔114在水平方向上更加狭长，在竖直方向上更加扁平，这种排气孔114在吸气时能使得气流在周向上能被更均匀地吸取，进而使得晶圆2上向四周扩散的反应气体气流分布更加均匀，晶圆2表面上生长出的薄膜厚度更加均匀。排气孔114的横截面的面积优选为0.5π～2πcm²。这样，排气孔114的大小适中，能达到更好的效果。

进一步地，侧壁11为圆筒形，载物平台为圆形板，侧壁11与载物平台同轴设置。载物平台与侧壁11同轴设置后，载物平台与侧壁11之间的间距相同，气流从载物平台向侧壁11的排气孔114流动时在各个方向上分布更加均匀，由此，晶圆2表面上生长出的薄膜厚度更加均匀。

进一步地，排气孔114平齐于载物平台14的承载面。排气孔114平齐于载物平台14的承载面时，从进气口喷向承载面的反应气体在承载面上换向，然后水平地进入到排气孔114，反应气体从承载面到排气孔114不会换向，为层流，不会产生紊流而从使得晶圆2表面上生长出的薄膜的厚度更加均匀。

进一步地，侧壁11包括筒体110和抽气环113。筒体110优选为圆筒。筒体110与抽气环113同轴设置，抽气环113嵌入到筒体110的内壁上。第一流道117设置在筒体110的壁面内。如图10所示，抽气环113上设置有多个径向延伸的排气孔114。排气孔114径向贯穿抽气环113。排气孔114与第一流道117连通。抽气环113优选为圆环形。

进一步地，腔体10还包括设置在顶部的喷头15。喷头15连通于进气口131。喷头15用于将从进气口131输入的反应气体均匀地喷向载物平台14上。

进一步地，该薄膜制备设备用于制备碳薄膜。该薄膜制备设备采用化学气相沉积法沉积薄膜。在进行沉积时，腔体10内的气压为1～50torr。载物平台14能进行加热，例如载物平台14内设置有电热丝。

进一步地，排气孔114到出气口115之间的距离为50～200mm。排气口为圆形，其直径优选为50～200mm。

进一步地，反应腔室1设置有多个腔体10和多个载物平台14。腔体10和载物平台14的数量相同，例如均设置有两个。载物平台14与腔体10一一对应设置，载物平台14设置在与其对应的腔体10内。

实施例三

实施例三中的反应腔室与实施例二中的反应腔室相比，仅在于排气流道的设计不相同。

如图11和图12所示，第一流道117c构造为环空腔室，该环空腔室设置在侧壁11内并与侧壁11同轴设置。环形空腔的一端连通每个排气孔114、另一端连通第二流道118c。第二流道118c构造为圆盘形的腔室，第二流道118c设置在底壁12内并与底壁12同轴设置。第一流道117c的端部连接第二流道118c的边缘，出气口115连通于第二流道118c的中部。这样设置后，腔体10内的气体从每个排气孔114经排气流道116到达出气口115的路径相等，由此，每个排气孔114吸入气体的速度相同。

应理解，以上描述的多个示例可沿多个方向(如倾斜、颠倒、水平、垂直，等等)并且以多个构造被利用，而不背离本实用新型的原理。附图中示出的实施例仅作为本实用新型的原理的有效应用的示例而被示出和描述，本实用新型并不限于这些实施例的任何具体的细节。

当然，一旦仔细考虑代表性实施例的以上描述，本领域技术人员就将容易理解，可对这些具体的实施例做出多种改型、添加、替代、删除以及其他变化，并且这些变化在本实用新型的原理的范围内。因此，前面的详细描述应被清楚地理解为是仅以说明和示例的方式来给出的，本实用新型的精神和范围仅由所附权利要求书及其等同物限定。

Claims (16)

1.一种薄膜制备设备的反应腔室，其特征在于，包括腔体以及设置在所述腔体内的载物平台；

所述腔体包括：

进气口，设置在所述载物平台的上方，用于输入反应气体；

筒形的侧壁，设置有位于同一水平高度、由侧壁的内周壁凹陷形成且环绕所述载物平台分布的多个排气孔；以及

排气流道，连通于每个所述排气孔；

其中，所述排气流道抽气时，载物平台上方的气体从中间均匀地向四周流动。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述排气流道包括设置在所述侧壁内的环空流道以及分别连通所述环空流道对称两侧的两个第一通道；

多个所述排气孔均从所述内周壁延伸到所述环空流道。

3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述腔体还包括覆盖在所述侧壁的底部的底壁，两个所述第一通道从所述环空流道向下延伸到所述底壁；

所述排气流道还包括设置在所述底壁的中部的出气口，以及设置在所述侧壁内且分别从两个所述第一通道延伸到所述出气口的两个第二通道。

4.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，多个所述排气孔均分为分别靠近两个所述第二通道的两组排气孔，每组排气孔与其最接近的第二通道相对应；

在每组排气孔中，越接近其所对应的第二通道则相邻两个所述排气孔之间的间距越大。

5.根据权利要求4所述的反应腔室，其特征在于，在每组排气孔中，越接近其所对应的第二通道则排气孔的孔径越小。

6.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述腔体还包括覆盖在所述侧壁的顶端的顶壁，所述进气口设置在所述顶壁的中部。

7.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述多个排气孔均匀环绕所述载物平台；

所述腔体还包括：

覆盖所述侧壁的顶端的顶壁，所述进气口设置在所述顶壁的中部且朝向所述载物平台；

覆盖所述侧壁的底端的底壁，所述底壁的中部下方设置有用于排出所述腔体内的气体的出气口；

其中，所述腔体的壁面内还设置有连通排气孔和出气口的排气流道，腔体内的气体从每个排气孔经排气流道到达出气口的路径相等。

8.根据权利要求7所述的反应腔室，其特征在于，所述排气流道包括设置在侧壁内的第一流道和设置在底壁内的第二流道；

所述第一流道从每个排气孔延伸到所述第二流道，所述第二流道从所述第一流道延伸到所述出气口。

9.根据权利要求8所述的反应腔室，其特征在于，所述第一流道为沿着所述侧壁的轴向延伸的直流道，所述第二流道为从每个第一流道从径向延伸到所述出气口的直流道。

10.根据权利要求8所述的反应腔室，其特征在于，所述第一流道为一端连通每个排气孔、另一端连通所述第二流道的环空腔室。

11.根据权利要求10所述的反应腔室，其特征在于，所述第二流道为圆盘形的腔室，所述第一流道的端部连接所述第二流道的边缘，所述出气口连通于所述第二流道的中部。

12.根据权利要求7至11中任一项所述的反应腔室，其特征在于，所述排气孔的横截面为长轴水平设置的椭圆形。

13.根据权利要求12所述的反应腔室，其特征在于，所述横截面的面积为0.5π～2πcm²。

14.根据权利要求1至11中任一项所述的反应腔室，其特征在于，所述侧壁为圆筒形，所述载物平台为圆形板，所述侧壁与所述载物平台同轴设置。

15.根据权利要求14所述的反应腔室，其特征在于，所述排气孔平齐于所述载物平台的承载面。

16.一种薄膜制备设备，其特征在于，包括根据权利要求1至15中任一项所述的反应腔室。