JP2001254178A - 処理装置のクリーニング方法及び処理装置 - Google Patents

処理装置のクリーニング方法及び処理装置

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JP2001254178A
JP2001254178A JP2000067827A JP2000067827A JP2001254178A JP 2001254178 A JP2001254178 A JP 2001254178A JP 2000067827 A JP2000067827 A JP 2000067827A JP 2000067827 A JP2000067827 A JP 2000067827A JP 2001254178 A JP2001254178 A JP 2001254178A
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    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 少ない工程数かつ低コストで効率よく処理装
置をクリーニングでき、処理装置の能力や処理後のウエ
ハの品質に変動をきたすことなくクリーニングする方
法、及びそのようなクリーニングを行なうことのできる
処理装置を提供する。 【解決手段】 処理装置の処理チャンバ内を真空引きし
た状態で、前記処理チャンバ内にＴＦＡＡ（トリフルオ
ロ酢酸）をクリーニング剤として含むクリーニングガス
を供給する。処理チャンバの内壁に付着した配線又は電
極を形成するのに用いられる銅などの金属は前記クリー
ニングガス中のクリーニング剤（ＴＦＡＡ）に触れる
と、酸化物や金属塩を形成することなく直接錯体化され
る。この錯体は真空引きにより昇華し処理チャンバ外へ
排出されるので少ない工数、低コストで効率よくクリー
ニングされる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は処理装置のクリーニ
ング方法に係り、更に詳細には処理装置の処理チャンバ
内壁に付着した金属等を除去するクリーニング方法及び
そのようなクリーニングを行い得る処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来よりＣＶＤなどの処理装置では、シ
リコンウエハ（以下「シリコンウエハ」を単に「ウエ
ハ」と略す。）等の被処理基板を収容した処理チャンバ
内を略真空状態に保ち、この処理チャンバ内に銅などの
ウエハ上に析出させたい各種金属を含んだ処理ガスを供
給してウエハ上に金属を薄膜状に析出させる。この処理
ガスが処理チャンバの内壁に付着すると処理チャンバの
内壁上にも金属の薄膜が形成される。この処理チャンバ
内壁に付着した金属薄膜をそのまま放置するとウエハの
処理時にトラブルを引き起こす原因となるので定期的に
処理チャンバ内をクリーニングして内壁に付着した金属
薄膜を除去する必要がある。
【０００３】ここで、銅はイオン化が難しくなかなか処
理できないので、クリーニングする方法として、従来は
銅などの金属薄膜が付着した処理チャンバ内に酸化剤を
供給して銅の金属薄膜を酸化して酸化銅に変化させ、そ
の後にこの酸化銅を除去することによりクリーニングを
行っていた。
【０００４】例えば、特開平１１−１４０６５２号公報
には、処理チャンバ内に付着した金属を酸化させて金属
酸化物を形成し、しかる後にこの酸化物を錯化して金属
錯体を形成し、次いで処理チャンバ内を真空引きしてこ
の金属錯体を昇華することにより処理チャンバ内壁に付
着した金属膜を除去する処理装置のクリーニング方法が
開示されている。
【０００５】しかしこの方法では、酸化工程、錯化工
程、及び昇華工程という３段階の工程を必要とするため
に処理全体の工数が多く煩雑であるという工程上の問題
がある。
【０００６】また、上記方法では錯化工程にβジケトン
を用いているが、このβジケトンは高価であるため、ク
リーニングの材料コストが高くなるというコスト上の問
題がある。
【０００７】更に、上記方法では、最初の段階で酸化を
行なっているため、処理チャンバ内に酸素が残留するこ
とがあり、この残留酸素による処理チャンバの劣化やウ
エハへの悪影響が懸念されるという処理装置へ与える影
響の問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来の問
題を解決するためになされた発明である。
【０００９】即ち、本発明は、少ない工程数で効率よく
処理装置をクリーニングすることができるクリーニング
方法及びそのようなクリーニングを行うことのできるク
リーニング機構を備えた処理装置を提供することを目的
とする。
【００１０】また本発明は、高価なクリーニング材料を
用いることなく低コストで効率よく処理装置をクリーニ
ングすることができるクリーニング方法及びそのような
クリーニングを行うことのできるクリーニング機構を備
えた処理装置を提供することを目的とする。
【００１１】更に本発明は、クリーニング前後で処理装
置の処理能力が低下したり、処理されたウエハの品質が
変動することのないクリーニング方法及びそのようなク
リーニングを行うことのできるクリーニング機構を備え
た処理装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のクリーニング方法は、被処理基板を処理す
る処理装置の処理チャンバ内に、電極又は配線を形成す
る金属を直接錯体化する物質を含むクリーニングガスを
供給して前記処理チャンバ内に付着した前記金属を錯体
化する一方、前記処理チャンバ内を減圧して前記錯体を
前記処理チャンバ外へ排出することを特徴とする。
【００１３】上記クリーニング方法において、「電極又
は配線に用いる金属」としては、例えば銅、アルミニウ
ム、金、銀等の金属が挙げられ、特に銅の場合に有効で
ある。
【００１４】また「電極又は配線を形成する金属を直接
錯体化する物質」とは、酸化性ガスにより金属酸化物や
金属塩の形成を経由することなく、直接前記金属と錯体
を形成する物質をいう。この直接前記金属と錯体を形成
する物質の例としては、例えばカルボン酸又はカルボン
酸誘導体が挙げられる。更に具体的には、例えば、ＲＣ
ＯＯＨ、ＲＣＯＯＲ´、又はＲ（ＣＯＯＨ）nで表され
る物質（Ｒ、Ｒ´はハロゲン原子を含むことがある炭化
水素基を表し、ｎは整数を表す）があげられ、より具体
的にはＴＦＡＡ（トリフルオロ酢酸）が好ましい。上記
方法において、処理装置としては例えば、ＣＶＤ（化学
的気相成長装置）、ＰＶＤ（物理的気相成長装置）、メ
ッキ装置などの成膜装置が挙げられ、他にエッチング装
置や、ＣＭＰ（化学機械研磨）装置といったものも挙げ
られる。
【００１５】また本発明の他のクリーニング方法は、被
処理基板を処理する処理装置の処理チャンバ内に、電極
又は配線を形成する金属との間で直接前記金属の錯体を
形成する物質を含む錯体形成ガスを供給して前記処理チ
ャンバ内に付着した前記金属の錯体を形成する工程と、
前記処理チャンバ内を減圧して前記錯体を前記処理チャ
ンバ外へ排出する工程と、を具備する。
【００１６】上記方法において、前記錯体を形成する工
程及び前記排出する工程はそれぞれ断続的に行なわれ、
かつ、前記錯体を形成する工程と前記排出する工程とは
繰り返し交互に行なわれても良い。
【００１７】本発明の処理装置は、被処理基板を処理す
る処理空間を画定する処理チャンバと、前記処理チャン
バ内に配設され前記被処理基板が載置されるサセプタ
と、前記処理チャンバ内に銅を主成分とする処理ガスを
供給する処理ガス供給系と、前記処理チャンバ内に真空
を供給する真空供給系と、前記処理チャンバ内にＴＦＡ
Ａ（トリフルオロ酢酸）を供給するＴＦＡＡ供給系と、
を具備する。
【００１８】上記処理装置において、前記処理ガス供給
系としては、例えば処理剤タンクと、前記処理チャンバ
と前記処理剤タンクとを接続する処理ガス供給配管と、
前記処理ガス供給配管の途中に配設された処理剤気化器
とからなるものが挙げられる。
【００１９】同様に前記ＴＦＡＡ供給系としては、例え
ばＴＦＡＡタンクと、前記ＴＦＡＡタンクと前記処理剤
気化器より処理ガス移動方向下流側の処理ガス供給配管
とを接続するＴＦＡＡ供給配管とからなるものが挙げら
れる。
【００２０】また、上記処理装置において、少なくとも
前記処理剤供給配管の前記気化器より下流側の部分には
ヒータが配設されていることが好ましい。
【００２１】例えば、上記処理チャンバには同処理チャ
ンバ内壁を加熱して処理チャンバ内の温度を上昇させる
ためのヒータ、例えばニクロム線等の電気的加熱が可能
なヒータを内蔵させたものが挙げられる。
【００２２】更に上記処理装置において、前記処理剤タ
ンクとしては、銅を主成分とする処理剤を含むタンクが
挙げられる。
【００２３】本発明によれば、電極又は配線を形成する
金属を直接錯体化する物質を含むクリーニングガスを用
いてクリーニングするので、処理チャンバ内にクリーニ
ングガスを供給するとチャンバ内壁に付着した金属が短
時間で錯体化され、そのまま真空引きすることにより除
去される。そのため、クリーニングを行なう際の工程数
が少なく、短時間で簡単にクリーニングすることができ
る。
【００２４】また、クリーニング剤としてＴＦＡＡのよ
うな有機カルボン酸等の安価な材料を用いることにより
低コストでクリーニングできる。
【００２５】更に、処理チャンバ内に付着した金属の酸
化工程がないので、残留酸素による弊害を招く虞れがな
い。
【００２６】また、前記金属を錯体化する工程と、減圧
して前記錯体を前記処理チャンバ外へ排出する工程とを
二つの段階に分けても良く、その場合には錯体化した前
記金属を順次排出するので効率よくクリーニングするこ
とができる。
【００２７】更に、前記錯体化工程と前記排出工程とを
それぞれ断続的に行ない、かつ、前記錯体化工程と前記
排出工程とを繰り返し交互に行なっても良い。こうする
ことにより錯体化と排出とが完全に行なわれるので効率
よくクリーニングすることができる。
【００２８】本発明の処理装置では、処理チャンバ内に
ＴＦＡＡ（トリフルオロ酢酸）を供給するＴＦＡＡ供給
系を備えているので、少ない工程数で、低コストでしか
も処理装置を傷めることなくクリーニングを行うことが
できる。
【００２９】また、前記処理ガス供給系として、処理剤
タンクと、前記処理チャンバと前記処理剤タンクとを接
続する処理ガス供給配管と、前記処理ガス供給配管の途
中に配設された処理剤気化器とからなるものを用い、前
記ＴＦＡＡ供給系として、ＴＦＡＡタンクと、前記ＴＦ
ＡＡタンクと前記処理剤気化器より処理ガス移動方向下
流側の処理ガス供給配管とを接続するＴＦＡＡ供給配管
とからなるものを用いることにより、配管内に付着した
金属をもクリーニングすることができる。
【００３０】この場合には少なくとも前記処理剤供給配
管の前記気化器より下流側の部分にはヒータが配設され
ていることが好ましく、このヒータで配管を加熱するこ
とにより、より効率よく配管内をクリーニングすること
ができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）本発明の第１
の実施の形態に係るクリーニング方法、及び処理装置に
ついて以下に説明する。
【００３２】図１は、本発明に係るクリーニング機構を
備えたＣＶＤ処理装置の全体構成を示した垂直断面図で
ある。
【００３３】図１に示したように、この処理装置１０
は、例えばアルミニウム等により略円筒形に形成された
処理チャンバ１を備えている。
【００３４】処理チャンバ１の天井部には、この中に処
理ガスを供給するためのシャワーヘッド１３が設けられ
ている。このシャワーヘッド１３は、処理ガス供給用配
管１４を介して供給された処理ガスをシャワーヘッド１
３内の拡散室１３ａ内で一旦拡散させた後、拡散室１３
ａの底板に穿孔した複数の吐出孔１３ｂ，１３ｂ，…か
らサセプタ２上に載置されたウエハＷに向けて吐出する
ようになっている。
【００３５】処理チャンバ１の内部には被処理基板とし
ての例えばウエハＷを載置するためのグラファイト等で
形成されたサセプタ２が、底部より支柱３を介して保持
されている。このサセプタ２の材質としては、例えば、
アモルファスカーボン、コンポジットカーボン、ＡｌＮ
などを用いることができる。このサセプタ２の下方に
は、例えば図示しない昇降手段により上下移動可能に配
設された石英ガラス製のリフタピン４が設けられてお
り、サセプタ２に設けた貫通孔４Ａを挿通してウエハＷ
の搬出入時にこれを持ち上げるようになっている。
【００３６】サセプタ２の内部には、ニクロム線等によ
りなる強力なヒータ（図示省略）が設けられており、こ
のヒータからの熱により上記処理チャンバ１内のサセプ
タ２を加熱し、この熱でウエハＷを所定の温度、例えば
１５０〜３００℃程度に間接的に加熱維持できるように
なっている。
【００３７】処理チャンバ１の側壁には、処理チャンバ
１に対してウエハＷを搬入・搬出するときに開閉される
ゲートバルブ１１が配設されており、処理チャンバ１の
底部周縁部には、図示しない真空ポンプに接続された排
気口１２が設けられ、処理チャンバ１内を真空引きでき
るようになっている。
【００３８】図２は本実施形態に係る処理装置の配管系
路を模式的に示した図である。
【００３９】図２に示したように、処理チャンバ１内の
シャワーヘッド１３に接続された処理ガス供給用の配管
１４の上流側の先端側１４Ａは処理剤を収容した処理剤
タンク１７に接続されている。
【００４０】処理剤タンク１７の上部にはアルゴンなど
の不活性ガスを供給する不活性ガス供給用の配管１８が
開閉バルブ１９と共に配設されており、この配管１８を
介してアルゴンなどの不活性ガスを処理剤タンク１７内
に供給することにより処理剤の液面が押され、この力で
処理剤タンク１７内の処理剤が配管１４内に供給される
ようになっている。
【００４１】この処理剤タンク１７内には配線又は電極
を形成するのに用いられる金属、例えば銅の薄膜を形成
する処理剤が収容されている。例えば銅を含む前駆体で
あり、更に詳細には下記の物質を挙げることができる。
【００４２】即ち、Ｃｕ+1(ヘキサフルオロアセチルア
セトネート)とシリロレフィン配位子を含み、前記シリ
ロレフィン配位子は、トリメチルビニルシラン（ＴＭＶ
Ｓ）、ジメトキシメチルビニルシラン（ＤＭＯＭＶ
Ｓ）、メトキシジメチルビニルシラン（ＭＯＤＭＶ
Ｓ）、トリメトキシビニルシラン（ＴＭＯＶＳ）、トリ
エトキシビニルシラン（ＴＥＯＶＳ）、エトキシメトキ
シメチルビニルシラン（ＥＯＭＯＭＶＳ）、ジエトキシ
メチルビニルシラン（ＤＥＯＭＶＳ）、ジエトキシメト
キシビニルシラン（ＤＥＯＭＯＶＳ）、エトキシジメト
キシビニルシラン（ＥＯＤＭＯＶＳ）、エトキシジエチ
ルビニルシラン（ＥＯＤＥＶＳ）、ジエトキシエチルビ
ニルシラン（ＤＥＯＥＶＳ）、ジメトキシエチルビニル
シラン（ＤＭＯＥＶＳ）、エトキシジメチルビニルシラ
ン（ＥＯＤＭＶＳ）、メトキシジエチルビニルシラン
（ＭＯＤＥＶＳ）、およびエチルメトキシメチルビニル
シラン（ＥＭＯＭＶＳ）からなる群から選択される物質
が挙げられる。
【００４３】配管１４の途中には液体マスフローコント
ローラ１５Ｂが配設されており、処理剤タンク１７から
汲み出された処理剤の流量を調節する。マスフローコン
トローラ１５Ｂの処理剤移動方向上流側には開閉バルブ
１５Ａが配設され、マスフローコントローラ１５Ｂの処
理剤移動方向下流側には開閉バルブ１５Ｃが配設されて
いる。
【００４４】マスフローコントローラ１５Ｂと開閉バル
ブ１５Ｃとを繋ぐ配管１４Ｂには途中でドレインとして
機能する分岐配管１４Ｃが接続され、開閉バルブ１５Ｄ
が配設されている。開閉バルブ１５Ｃの更に下流側には
気化器１６が配設され、処理剤がここで気化されるよう
になっている。気化器１６の更に下流側の配管１４Ｄは
開閉バルブ１６Ｃを介してシャワーヘッド１３に接続さ
れている。また配管１４Ｄには途中でドレインとして機
能する分岐配管１４Ｅが接続され、開閉バルブ１６Ｅが
配設されている。
【００４５】気化器１６には配管１４とは別のクリーニ
ング用の配管２０が配設されている。
【００４６】図２に示したように、気化器１６に接続さ
れたクリーニング用の配管２０の上流側の先端側２０Ａ
は例えばＴＦＡＡ（トリフルオロ酢酸）などのクリーニ
ング剤を収容したクリーニング剤タンク２１に接続され
ている。
【００４７】クリーニング剤タンク２１の上部にはアル
ゴンなどの不活性ガスを供給する不活性ガス供給用の配
管２２が開閉バルブ２３と共に配設されており、この配
管２２を介してアルゴンなどの不活性ガスをクリーニン
グ剤タンク２１内に供給することによりクリーニング剤
の液面が押され、この力でクリーニング剤タンク２１内
のクリーニング剤が配管２０内に供給されるようになっ
ている。配管２０の途中にはマスフローコントローラ２
５が配設されており、クリーニング剤タンク２１から汲
み出されたクリーニング剤の流量を調節する。マスフロ
ーコントローラ２５のクリーニング剤移動方向上流側に
は開閉バルブ２４が配設され、マスフローコントローラ
２５のクリーニング剤移動方向下流側には開閉バルブ２
７が配設されている。
【００４８】マスフローコントローラ２５と開閉バルブ
２７とを繋ぐ配管２０Ｂには途中でドレインとして機能
する分岐配管２０Ｃが接続され、開閉バルブ２６が配設
されている。開閉バルブ２７の更に下流側には分岐配管
２０Ｄが配設され、この分岐配管２０Ｄには開閉バルブ
２８が配設されている。
【００４９】気化器１６及びこの気化器１６より下流側
の配管１４にはリボンヒータなどのヒータ３０が配設さ
れており、気化器１６及びこの気化器１６より下流側の
配管を所定の温度まで加熱することができるようになっ
ている。
【００５０】次に本発明のクリーニング方法を用いて処
理装置のクリーニングを行う場合の手順について説明す
る。図３は本発明のクリーニング方法を実施する場合の
フローを示したフローチャートである。
【００５１】処理装置のクリーニングを行う場合には、
まず開閉バルブ１９，１５Ａ，１５Ｃなどのバルブを閉
じて処理剤の供給を停止する（ステップ１）。
【００５２】次に、ヒータ３０の電源をオンにして気化
器１６及びこの気化器１６より下流側の配管１４と処理
チャンバ１を所定の温度、例えば３００℃まで加熱する
（ステップ２）。
【００５３】次いで、開閉バルブ２３，２４，２７，１
６Ｃを開き、マスフローコントローラ２５をオンにして
クリーニング剤の供給を開始する（ステップ３）。
【００５４】クリーニング剤タンク２１から配管２０を
介してクリーニング剤が供給されると、クリーニング剤
は気化器１６の作用と熱とで気化され、気化器１６の内
壁や配管１４の内壁、更に、処理チャンバ１の内壁に付
着した銅などの、半導体装置の電極や配線を形成する金
属と接触する。このとき、気化器１６、配管１４及び処
理チャンバ１内は十分高い温度に加熱されているので、
供給されたクリーニング剤と前記金属とが接触すると速
やかに錯体を形成する。
【００５５】一方、処理チャンバ１内は真空引きされて
減圧状態に保たれているので、上記のようにして形成さ
れた金属錯体は昇華して処理チャンバ１外へ排出され
る。
【００５６】以上説明したように、本実施形態に係るク
リーニング方法では、電極又は配線を形成する金属を直
接錯体化する物質を含むクリーニングガスを用いて処理
装置のクリーニングを行うので、少ない工数で簡単且つ
短時間にクリーニングすることができる。
【００５７】また、上記実施形態で用いたようなＴＦＡ
Ａ（トリフルオロ酢酸）などの廉価な物質を用いること
によりクリーニングにかかる材料コストを低減化するこ
とができる。
【００５８】更に、上記実施形態で示したような処理ガ
ス供給配管の気化器にクリーニングガスを供給する機構
を備えた処理装置を用いることにより、処理チャンバの
みならず、処理ガス供給配管内に付着した銅などの金属
をも簡単にクリーニングすることができる。
【００５９】（実施例）以下、本発明の実施例について
説明する。
【００６０】上記実施の形態で説明したような処理装置
を用いて、表面に厚さ５０００オングストロームの銅が
成膜されたウエハＷをサセプタ２の上に設置した後、処
理チャンバ１内の雰囲気を純窒素に置換した。サセプタ
２を３００℃まで加熱し、処理チャンバ１内の圧力を
１．３３×１０4Ｐａ（１００Ｔｏｒｒ）になるよう調
節した。圧力を一定に保ちながら、供給配管１４を経由
して、ＴＦＡＡ３５ｓｃｃｍ、希釈Ｎ2 を供給した。そ
のまま１０分間同じ状態を維持した後、ＴＦＡＡとＮ2
を供給した。
【００６１】供給を停止し、処理チャンバ１内の残留ガ
スを排気した後、ウエハＷを払い出した。
【００６２】走査型電子顕微鏡による観察結果から、ウ
エハＷ上の銅がドライクリーニングにより全て除去され
たことが確認された。
【００６３】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態について説明する。なお、以下の実施形態につ
いて先行する実施形態と重複する内容については説明を
省略する。
【００６４】本実施形態では、処理チャンバ内に付着し
た金属を錯体化する工程と、形成された錯体を真空引き
により昇華させて除去する工程との２段階に分かれた構
成とした。
【００６５】図４は本実施形態に係るクリーニング方法
のフローチャートである。
【００６６】本実施形態に係るクリーニング方法を実施
するには、まず図３のフローチャートに示したように、
図２に示した処理装置において、開閉バルブ１９，１５
Ａ，１５Ｃなどのバルブを閉じて処理剤の供給を停止す
る（ステップ１）。
【００６７】次に、ヒータ３０の電源をオンにして気化
器１６及びこの気化器１６より下流側の配管１４と処理
チャンバ１を所定の温度、例えば３００℃まで加熱する
（ステップ２）。
【００６８】次いで、開閉バルブ２３，２４，２７，１
６Ｃを開き、マスフローコントローラ２５をオンにして
クリーニング剤の供給を開始する（ステップ３）。
【００６９】クリーニング剤タンク２１から配管２０を
介してクリーニング剤が供給されると、クリーニング剤
は気化器１６の作用と熱とで気化され、気化器１６の内
壁や配管１４の内壁、更に、処理チャンバ１の内壁に付
着した銅などの、半導体装置の電極や配線を形成する金
属と接触する。このとき、気化器１６、配管１４及び処
理チャンバ１内は十分高い温度に加熱されているので、
供給されたクリーニング剤と前記金属とが接触すると速
やかに錯体を形成する。
【００７０】所定時間が経過して前記金属の錯体化が十
分行なわれたら開閉バルブ２３、２４、２７を閉じてク
リーニング剤の供給を停止する。
【００７１】それと同時に真空ポンプを作動させて処理
チャンバ１内を真空引きする（ステップ４）。
【００７２】処理チャンバ１内を真空引きすることによ
り前記ステップ３で形成した前記金属の錯体を昇華さ
せ、処理チャンバ１の外へ排出する。
【００７３】以上説明したように、本実施形態に係るク
リーニング方法では、前記金属を錯体化する錯体化工程
と、かくして形成した錯体を昇華する昇華工程とを別々
の工程に分けた２段階の構成としたので、錯体化と昇華
とをそれぞれ完全に行なうことができ、クリーニングの
効率が向上するという特有の効果が得られる。
【００７４】（第３の実施形態）以下、本発明の第３の
実施形態について説明する。
【００７５】本実施形態では、処理チャンバ内に付着し
た金属を錯体化する工程と、形成された錯体を真空引き
により昇華させて除去する工程との２段階の工程を断続
的に繰り返し行なう構成とした。
【００７６】図５は本実施形態に係るクリーニング方法
のフローチャートである。
【００７７】本実施形態に係るクリーニング方法を実施
するには、前記第２の実施形態と同様に、処理剤の供給
停止（ステップ１）、気化器、配管、処理チャンバの加
熱（ステップ２）、クリーニング剤の供給を開始する。
（ステップ３）。
【００７８】処理チャンバ内壁に付着した金属の表面が
十分錯体化されたと思われる所定時間が経過したらクリ
ーニング剤の供給を停止し（ステップ４）、処理チャン
バの真空引きを開始する（ステップ５）。
【００７９】ステップ３で形成された金属錯体が十分昇
華されて処理チャンバ外へ排出されたと思われる所定時
間経過後、真空引きを停止する（ステップ６）。
【００８０】次いで処理チャンバ内壁に付着した金属の
量を確認する（ステップ７）。この確認作業は直接処理
チャンバの内壁の金属付着状態を確認してもよいし、モ
ニタリング用ウエハの表面に形成した金属膜の残存量を
確認することにより行なってもよい。
【００８１】ステップ７の確認の結果、処理チャンバ内
の金属付着量が十分低減された場合にはクリーニングを
終了する。
【００８２】反対にステップ７の確認の結果、処理チャ
ンバ内の金属付着量が十分低減されていない場合にはス
テップ３〜７の操作を繰り返し行ない、最終的に付着金
属がなくなるまでクリーニング操作を継続する。
【００８３】以上説明したように、本実施形態に係るク
リーニング方法では、前記金属を錯体化する錯体化工程
と、かくして形成した錯体を昇華する昇華工程とを２段
階に分けると共に断続的に繰り返し行なっているので、
錯体化と昇華とをそれぞれ完全に行なうことができ、ク
リーニングの効率が向上するという特有の効果が得られ
る。
【００８４】なお、本発明は上記実施形態に記載された
範囲に限定されない。例えば、上記実施形態では処理装
置としてＣＶＤを例にして説明したが、ＣＶＤ以外の処
理装置例えばＰＶＤ等にも適用できる。
【００８５】また、上記実施形態では処理チャンバに処
理剤を供給する配管の途中にＴＦＡＡ等のクリーニング
剤を供給する構成としたが、処理チャンバ内に直接クリ
ーニング剤を供給する配管を備えた処理装置にも本発明
を適用することができる。
【００８６】更に上記実施形態ではシリコンウエハの処
理装置を例にして説明したが、液晶表示装置（ＬＣＤ）
用ガラス基板を処理する処理装置にも適用できる。
【００８７】
【発明の効果】本発明によれば、電極又は配線を形成す
る金属を直接錯体化する物質を含むクリーニングガスを
用いてクリーニングするので、処理チャンバ内にクリー
ニングガスを供給するとチャンバ内壁に付着した金属が
短時間で錯体化され、そのまま真空引きすることにより
除去される。そのため、クリーニングを行なう際の工程
数が少なく、短時間で簡単にクリーニングすることがで
きる。
【００８８】また、クリーニングガスに含まれる物質に
はＴＦＡＡのような有機カルボン酸など、安価な材料を
用いるのでクリーニングの材料コストが嵩まず、低コス
トでクリーニングできる。
【００８９】更に、処理チャンバ内に付着した金属を酸
化させる工程がないので、残留酸素による処理チャンバ
の破損や処理装置の処理能力が変動する虞れがない。
【００９０】また本発明のクリーニング方法では、前記
クリーニングガスを供給して前記処理チャンバ内に付着
した前記金属を錯体化する工程と、前記処理チャンバ内
を減圧して前記錯体を前記処理チャンバ外へ排出する工
程とを二つの段階に分けても良い。その場合には錯体化
した前記金属を順次排出するので効率よくクリーニング
することができる。
【００９１】更に前記錯体化工程と前記排出工程とをそ
れぞれ断続的に行ない、かつ、前記錯体化工程と前記排
出工程とを繰り返し交互に行なっても良い。こうするこ
とにより錯体化と排出とが完全に行なわれるので効率よ
くクリーニングすることができる。
【００９２】本発明の処理装置では、処理チャンバ内に
ＴＦＡＡ（トリフルオロ酢酸）を供給するＴＦＡＡ供給
系を備えているので上記クリーニングを行うことがで
き、少ない工程数で、低コストでしかも処理能力に変動
を来すことなく付着金属のクリーニングを行うことがで
きる。
【００９３】また、上記処理装置において、前記処理ガ
ス供給系として、処理剤タンクと、前記処理チャンバと
前記処理剤タンクとを接続する処理ガス供給配管と、前
記処理ガス供給配管の途中に配設された処理剤気化器と
からなるものを用い、前記ＴＦＡＡ供給系として、ＴＦ
ＡＡタンクと、前記ＴＦＡＡタンクと前記処理剤気化器
より処理ガス移動方向下流側の処理ガス供給配管とを接
続するＴＦＡＡ供給配管とからなるものを用いることに
より、配管内に付着した金属をもクリーニングすること
ができる。
【００９４】この場合には少なくとも前記処理剤供給配
管の前記気化器より下流側の部分にはヒータが配設され
ていることが好ましく、このヒータで配管を加熱するこ
とにより、より効率よく配管内をクリーニングすること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る処理装置（ＣＶＤ）の全体構成を
示した垂直断面図である。
【図２】本発明に係る処理装置の配管系路を模式的に示
した図である。
【図３】第１の実施形態に係るクリーニング方法のフロ
ーチャートである。
【図４】第２の実施形態に係るクリーニング方法のフロ
ーチャートである。
【図５】第３の実施形態に係るクリーニング方法のフロ
ーチャートである。
【符号の説明】
Ｗ…ウエハ（被処理基板）、 １…処理チャンバ、 ２…サセプタ、 ７…ヒータ、 １７…処理剤タンク（処理剤供給系）、 １６…気化器、 １４…配管、 ２０…配管、 １５Ｂ…マスフローコントローラ（処理剤供給系）、 ２１…クリーニング剤タンク、 ３０…ヒータ。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 DA06 KA08 5F004 AA15 BA19 CA01 CA02 DB08 5F045 AC07 BB08 BB10 CB10 EB06 EB09 EC07 EC09 EE02 EE03 EE04 EF05 EG03 EK06 EK09 EM09 EM10

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被処理基板を処理する処理装置の処理チ
    ャンバ内に、電極又は配線を形成する金属を直接錯体化
    する物質を含むクリーニングガスを供給して前記処理チ
    ャンバ内に付着した前記金属を錯体化する一方、 前記処理チャンバ内を減圧して前記錯体を前記処理チャ
    ンバ外へ排出することを特徴とする処理装置のクリーニ
    ング方法。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載のクリーニング方法であ
    って、前記直接錯体化する物質が、カルボン酸又はカル
    ボン酸誘導体であることを特徴とするクリーニング方
    法。
  3. 【請求項３】 請求項２に記載のクリーニング方法であ
    って、前記カルボン酸又はカルボン酸誘導体が、次式：
    ＲＣＯＯＨ、ＲＣＯＯＲ´、又はＲ（ＣＯＯＨ）nで表
    される物質（Ｒ、Ｒ´はハロゲン原子を含むことがある
    炭化水素基を表し、ｎは整数を表す。）であることを特
    徴とするクリーニング方法。
  4. 【請求項４】 請求項３に記載のクリーニング方法であ
    って、前記直接錯体化する物質がＴＦＡＡ（トリフルオ
    ロ酢酸）であることを特徴とするクリーニング方法。
  5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項に記載のク
    リーニング方法であって、前記処理装置が、成膜装置で
    あることを特徴とするクリーニング方法。
  6. 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項に記載のク
    リーニング方法であって、前記電極又は配線を形成する
    金属が、銅であることを特徴とするクリーニング方法。
  7. 【請求項７】 被処理基板を処理する処理装置の処理チ
    ャンバ内に、電極又は配線を形成する金属を直接錯体化
    する物質を含むクリーニングガスを供給して前記処理チ
    ャンバ内に付着した前記金属を錯体化する工程と、 前記処理チャンバ内を減圧して前記錯体を前記処理チャ
    ンバ外へ排出する工程と、 を具備する処理装置のクリーニング方法。
  8. 【請求項８】 請求項７に記載のクリーニング方法であ
    って、前記錯体化する工程及び前記排出する工程はそれ
    ぞれ断続的に行なわれ、かつ、前記錯体化する工程と前
    記排出する工程とは繰り返し交互に行なわれることを特
    徴とするクリーニング方法。
  9. 【請求項９】 被処理基板を処理する処理空間を画定す
    る処理チャンバと、 前記処理チャンバ内に配設され前記被処理基板が載置さ
    れるサセプタと、 前記処理チャンバ内に銅を主成分とする処理ガスを供給
    する処理ガス供給系と、前記処理チャンバ内に真空を供
    給する真空供給系と、 前記処理チャンバ内にＴＦＡＡ（トリフルオロ酢酸）を
    供給するＴＦＡＡ供給系と、を具備する処理装置。
  10. 【請求項１０】 請求項９に記載の処理装置であって、
    前記処理ガス供給系が、処理剤タンクと、前記処理チャ
    ンバと前記処理剤タンクとを接続する処理ガス供給配管
    と、前記処理ガス供給配管の途中に配設された処理剤気
    化器とからなり、 前記ＴＦＡＡ供給系が、ＴＦＡＡタンクと、前記ＴＦＡ
    Ａタンクと前記処理剤気化器より処理ガス移動方向下流
    側の処理ガス供給配管とを接続するＴＦＡＡ供給配管と
    からなることを特徴とする処理装置。
  11. 【請求項１１】 請求項１０に記載の処理装置であっ
    て、少なくとも前記処理剤供給配管の前記気化器より下
    流側の部分にはヒータが配設されていることを特徴とす
    る処理装置。
  12. 【請求項１２】 請求項１０又は１１に記載の処理装置
    であって、前記処理剤タンクが、銅を主成分とする処理
    剤を含むタンクであることを特徴とする処理装置。
  13. 【請求項１３】 請求項１１又は１２に記載の処理装置
    であって、前記処理チャンバが、同処理チャンバの壁面
    を加熱するためのヒータを具備することを特徴とする処
    理装置。
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KR1020010011654A KR100776058B1 (ko) 2000-03-10 2001-03-07 기판 처리 장치의 클리닝 방법, 처리 챔버의 클리닝 방법, 막의 제거 방법, 및 기판 처리 장치
US09/801,825 US7172657B2 (en) 2000-03-10 2001-03-09 Cleaning method of treatment equipment and treatment equipment
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040022056A (ko) * 2002-09-06 2004-03-11 삼성전자주식회사 반응 챔버의 표면 처리 방법
JP2004311894A (ja) * 2003-04-10 2004-11-04 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2006278635A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法及びその製造に用いられる成膜装置
JP2007529895A (ja) * 2004-03-16 2007-10-25 ラム　リサーチ　コーポレーション セルフクリーニング式ドライエッチング用システム、方法、並びに、装置
KR100802212B1 (ko) 2002-03-28 2008-02-11 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치
WO2008023585A1 (en) * 2006-08-24 2008-02-28 Tokyo Electron Limited Method of treating substrate, process for manufacturing semiconductor device, substrate treating apparatus and recording medium
JP2008186864A (ja) * 2007-01-26 2008-08-14 Tokyo Electron Ltd ゲートバルブの洗浄方法及び基板処理システム
JP2013033996A (ja) * 2006-08-24 2013-02-14 Fujitsu Semiconductor Ltd 金属付着物の除去方法、基板処理装置、および記録媒体
US8440577B2 (en) 2006-03-24 2013-05-14 Fujitsu Semiconductor Limited Method for reducing metal, multilayer interconnection structure and manufacturing method for the same, and semiconductor device and manufacturing method for the same
WO2022259399A1 (ja) * 2021-06-09 2022-12-15 株式会社日立ハイテク 半導体製造方法及び半導体製造装置

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4663059B2 (ja) * 2000-03-10 2011-03-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置のクリーニング方法
JP3734447B2 (ja) * 2002-01-18 2006-01-11 富士通株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
JP4632290B2 (ja) * 2004-03-23 2011-02-16 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム製サセプターの洗浄方法
CN101327487B (zh) * 2007-06-21 2010-12-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 炉管的清洗方法和系统
CN102784775B (zh) * 2012-08-23 2014-12-10 英利能源（中国）有限公司 硼扩散用炉管的清洗方法
JP6087236B2 (ja) * 2013-07-24 2017-03-01 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
KR102357845B1 (ko) 2013-12-02 2022-01-28 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 프로세스 챔버의 인-시츄 세정을 위한 방법들 및 장치
CN103894381A (zh) * 2014-03-20 2014-07-02 上海华力微电子有限公司 一种炉管清洗方法
US9611552B2 (en) * 2015-03-13 2017-04-04 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. System and method for controllable non-volatile metal removal
JP6742265B2 (ja) * 2017-03-28 2020-08-19 東京エレクトロン株式会社 洗浄副生成物の付着抑制方法及びこれを用いた反応室内のクリーニング方法、並びに室温成膜装置
CN111322226A (zh) * 2018-12-14 2020-06-23 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 真空系统及半导体加工设备
JP7379993B2 (ja) * 2019-09-20 2023-11-15 東京エレクトロン株式会社 エッチング装置及びエッチング方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11140652A (ja) * 1997-11-06 1999-05-25 Anelva Corp 成膜処理装置内の付着金属膜のクリーニング方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4238399A (en) * 1977-11-14 1980-12-09 Hoffmann-La Roche Inc. 3,4-Anhydro-2,6-dideoxy-L-ribohexose
US5244629A (en) * 1990-08-31 1993-09-14 Caputo Ross A Plasma sterilizing process with pulsed antimicrobial agent pretreatment
US5213621A (en) * 1991-10-11 1993-05-25 Air Products And Chemicals, Inc. Halogenated carboxylic acid cleaning agents for fabricating integrated circuits and a process for using the same
US5647945A (en) * 1993-08-25 1997-07-15 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus
JP3247270B2 (ja) * 1994-08-25 2002-01-15 東京エレクトロン株式会社 処理装置及びドライクリーニング方法
US5540959A (en) * 1995-02-21 1996-07-30 Howard J. Greenwald Process for preparing a coated substrate
JP3601153B2 (ja) * 1995-12-27 2004-12-15 東京エレクトロン株式会社 処理ガス供給装置のクリーニング方法
US6195504B1 (en) * 1996-11-20 2001-02-27 Ebara Corporation Liquid feed vaporization system and gas injection device
US6090960A (en) * 1997-01-07 2000-07-18 Sharp Laboratories Of America, Inc. Precursor with (methoxy) (methyl) silylolefin ligand to deposit copper and method same
JP3085364B2 (ja) * 1997-07-22 2000-09-04 日本電気株式会社 Ｃｖｄ装置のクリーニング方法
US5993679A (en) 1997-11-06 1999-11-30 Anelva Corporation Method of cleaning metallic films built up within thin film deposition apparatus
JPH11312649A (ja) * 1998-04-30 1999-11-09 Nippon Asm Kk Ｃｖｄ装置
DE19833448C2 (de) * 1998-07-24 2003-07-17 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Reinigung von CVD-Anlagen
US6284052B2 (en) * 1998-08-19 2001-09-04 Sharp Laboratories Of America, Inc. In-situ method of cleaning a metal-organic chemical vapor deposition chamber
JP3003684B1 (ja) * 1998-09-07 2000-01-31 日本電気株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄液
JP4663059B2 (ja) * 2000-03-10 2011-03-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置のクリーニング方法
JP4754080B2 (ja) * 2001-03-14 2011-08-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置のクリーニング方法及び基板処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11140652A (ja) * 1997-11-06 1999-05-25 Anelva Corp 成膜処理装置内の付着金属膜のクリーニング方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
S. E. BECK ET AL.: "Vapor phase cleaning with β-diketones", PROC. ANNU. TECH. MEET. EXPO. INST. ENVIRON. SCI. TECHNOL., vol. 44, JPN6010034101, 1998, US, pages 80 - 86, XP008009817, ISSN: 0001647204 *

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100802212B1 (ko) 2002-03-28 2008-02-11 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치
KR20040022056A (ko) * 2002-09-06 2004-03-11 삼성전자주식회사 반응 챔버의 표면 처리 방법
JP4585178B2 (ja) * 2003-04-10 2010-11-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2004311894A (ja) * 2003-04-10 2004-11-04 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2007529895A (ja) * 2004-03-16 2007-10-25 ラム　リサーチ　コーポレーション セルフクリーニング式ドライエッチング用システム、方法、並びに、装置
JP2006278635A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法及びその製造に用いられる成膜装置
US8440577B2 (en) 2006-03-24 2013-05-14 Fujitsu Semiconductor Limited Method for reducing metal, multilayer interconnection structure and manufacturing method for the same, and semiconductor device and manufacturing method for the same
JP2008078618A (ja) * 2006-08-24 2008-04-03 Fujitsu Ltd 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体
KR101133821B1 (ko) * 2006-08-24 2012-04-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
JP2013033996A (ja) * 2006-08-24 2013-02-14 Fujitsu Semiconductor Ltd 金属付着物の除去方法、基板処理装置、および記録媒体
WO2008023585A1 (en) * 2006-08-24 2008-02-28 Tokyo Electron Limited Method of treating substrate, process for manufacturing semiconductor device, substrate treating apparatus and recording medium
JP2008186864A (ja) * 2007-01-26 2008-08-14 Tokyo Electron Ltd ゲートバルブの洗浄方法及び基板処理システム
WO2022259399A1 (ja) * 2021-06-09 2022-12-15 株式会社日立ハイテク 半導体製造方法及び半導体製造装置

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