JP2001254178A - 処理装置のクリーニング方法及び処理装置 - Google Patents
処理装置のクリーニング方法及び処理装置Info
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Abstract
置をクリーニングでき、処理装置の能力や処理後のウエ
ハの品質に変動をきたすことなくクリーニングする方
法、及びそのようなクリーニングを行なうことのできる
処理装置を提供する。 【解決手段】 処理装置の処理チャンバ内を真空引きし
た状態で、前記処理チャンバ内にTFAA(トリフルオ
ロ酢酸)をクリーニング剤として含むクリーニングガス
を供給する。処理チャンバの内壁に付着した配線又は電
極を形成するのに用いられる銅などの金属は前記クリー
ニングガス中のクリーニング剤(TFAA)に触れる
と、酸化物や金属塩を形成することなく直接錯体化され
る。この錯体は真空引きにより昇華し処理チャンバ外へ
排出されるので少ない工数、低コストで効率よくクリー
ニングされる。
Description
ング方法に係り、更に詳細には処理装置の処理チャンバ
内壁に付着した金属等を除去するクリーニング方法及び
そのようなクリーニングを行い得る処理装置に関する。
リコンウエハ(以下「シリコンウエハ」を単に「ウエ
ハ」と略す。)等の被処理基板を収容した処理チャンバ
内を略真空状態に保ち、この処理チャンバ内に銅などの
ウエハ上に析出させたい各種金属を含んだ処理ガスを供
給してウエハ上に金属を薄膜状に析出させる。この処理
ガスが処理チャンバの内壁に付着すると処理チャンバの
内壁上にも金属の薄膜が形成される。この処理チャンバ
内壁に付着した金属薄膜をそのまま放置するとウエハの
処理時にトラブルを引き起こす原因となるので定期的に
処理チャンバ内をクリーニングして内壁に付着した金属
薄膜を除去する必要がある。
理できないので、クリーニングする方法として、従来は
銅などの金属薄膜が付着した処理チャンバ内に酸化剤を
供給して銅の金属薄膜を酸化して酸化銅に変化させ、そ
の後にこの酸化銅を除去することによりクリーニングを
行っていた。
には、処理チャンバ内に付着した金属を酸化させて金属
酸化物を形成し、しかる後にこの酸化物を錯化して金属
錯体を形成し、次いで処理チャンバ内を真空引きしてこ
の金属錯体を昇華することにより処理チャンバ内壁に付
着した金属膜を除去する処理装置のクリーニング方法が
開示されている。
程、及び昇華工程という3段階の工程を必要とするため
に処理全体の工数が多く煩雑であるという工程上の問題
がある。
を用いているが、このβジケトンは高価であるため、ク
リーニングの材料コストが高くなるというコスト上の問
題がある。
行なっているため、処理チャンバ内に酸素が残留するこ
とがあり、この残留酸素による処理チャンバの劣化やウ
エハへの悪影響が懸念されるという処理装置へ与える影
響の問題がある。
題を解決するためになされた発明である。
処理装置をクリーニングすることができるクリーニング
方法及びそのようなクリーニングを行うことのできるク
リーニング機構を備えた処理装置を提供することを目的
とする。
用いることなく低コストで効率よく処理装置をクリーニ
ングすることができるクリーニング方法及びそのような
クリーニングを行うことのできるクリーニング機構を備
えた処理装置を提供することを目的とする。
置の処理能力が低下したり、処理されたウエハの品質が
変動することのないクリーニング方法及びそのようなク
リーニングを行うことのできるクリーニング機構を備え
た処理装置を提供することを目的とする。
め、本発明のクリーニング方法は、被処理基板を処理す
る処理装置の処理チャンバ内に、電極又は配線を形成す
る金属を直接錯体化する物質を含むクリーニングガスを
供給して前記処理チャンバ内に付着した前記金属を錯体
化する一方、前記処理チャンバ内を減圧して前記錯体を
前記処理チャンバ外へ排出することを特徴とする。
は配線に用いる金属」としては、例えば銅、アルミニウ
ム、金、銀等の金属が挙げられ、特に銅の場合に有効で
ある。
錯体化する物質」とは、酸化性ガスにより金属酸化物や
金属塩の形成を経由することなく、直接前記金属と錯体
を形成する物質をいう。この直接前記金属と錯体を形成
する物質の例としては、例えばカルボン酸又はカルボン
酸誘導体が挙げられる。更に具体的には、例えば、RC
OOH、RCOOR´、又はR(COOH)nで表され
る物質(R、R´はハロゲン原子を含むことがある炭化
水素基を表し、nは整数を表す)があげられ、より具体
的にはTFAA(トリフルオロ酢酸)が好ましい。上記
方法において、処理装置としては例えば、CVD(化学
的気相成長装置)、PVD(物理的気相成長装置)、メ
ッキ装置などの成膜装置が挙げられ、他にエッチング装
置や、CMP(化学機械研磨)装置といったものも挙げ
られる。
処理基板を処理する処理装置の処理チャンバ内に、電極
又は配線を形成する金属との間で直接前記金属の錯体を
形成する物質を含む錯体形成ガスを供給して前記処理チ
ャンバ内に付着した前記金属の錯体を形成する工程と、
前記処理チャンバ内を減圧して前記錯体を前記処理チャ
ンバ外へ排出する工程と、を具備する。
程及び前記排出する工程はそれぞれ断続的に行なわれ、
かつ、前記錯体を形成する工程と前記排出する工程とは
繰り返し交互に行なわれても良い。
る処理空間を画定する処理チャンバと、前記処理チャン
バ内に配設され前記被処理基板が載置されるサセプタ
と、前記処理チャンバ内に銅を主成分とする処理ガスを
供給する処理ガス供給系と、前記処理チャンバ内に真空
を供給する真空供給系と、前記処理チャンバ内にTFA
A(トリフルオロ酢酸)を供給するTFAA供給系と、
を具備する。
系としては、例えば処理剤タンクと、前記処理チャンバ
と前記処理剤タンクとを接続する処理ガス供給配管と、
前記処理ガス供給配管の途中に配設された処理剤気化器
とからなるものが挙げられる。
ばTFAAタンクと、前記TFAAタンクと前記処理剤
気化器より処理ガス移動方向下流側の処理ガス供給配管
とを接続するTFAA供給配管とからなるものが挙げら
れる。
前記処理剤供給配管の前記気化器より下流側の部分には
ヒータが配設されていることが好ましい。
ンバ内壁を加熱して処理チャンバ内の温度を上昇させる
ためのヒータ、例えばニクロム線等の電気的加熱が可能
なヒータを内蔵させたものが挙げられる。
ンクとしては、銅を主成分とする処理剤を含むタンクが
挙げられる。
金属を直接錯体化する物質を含むクリーニングガスを用
いてクリーニングするので、処理チャンバ内にクリーニ
ングガスを供給するとチャンバ内壁に付着した金属が短
時間で錯体化され、そのまま真空引きすることにより除
去される。そのため、クリーニングを行なう際の工程数
が少なく、短時間で簡単にクリーニングすることができ
る。
うな有機カルボン酸等の安価な材料を用いることにより
低コストでクリーニングできる。
化工程がないので、残留酸素による弊害を招く虞れがな
い。
して前記錯体を前記処理チャンバ外へ排出する工程とを
二つの段階に分けても良く、その場合には錯体化した前
記金属を順次排出するので効率よくクリーニングするこ
とができる。
それぞれ断続的に行ない、かつ、前記錯体化工程と前記
排出工程とを繰り返し交互に行なっても良い。こうする
ことにより錯体化と排出とが完全に行なわれるので効率
よくクリーニングすることができる。
TFAA(トリフルオロ酢酸)を供給するTFAA供給
系を備えているので、少ない工程数で、低コストでしか
も処理装置を傷めることなくクリーニングを行うことが
できる。
タンクと、前記処理チャンバと前記処理剤タンクとを接
続する処理ガス供給配管と、前記処理ガス供給配管の途
中に配設された処理剤気化器とからなるものを用い、前
記TFAA供給系として、TFAAタンクと、前記TF
AAタンクと前記処理剤気化器より処理ガス移動方向下
流側の処理ガス供給配管とを接続するTFAA供給配管
とからなるものを用いることにより、配管内に付着した
金属をもクリーニングすることができる。
管の前記気化器より下流側の部分にはヒータが配設され
ていることが好ましく、このヒータで配管を加熱するこ
とにより、より効率よく配管内をクリーニングすること
ができる。
の実施の形態に係るクリーニング方法、及び処理装置に
ついて以下に説明する。
備えたCVD処理装置の全体構成を示した垂直断面図で
ある。
は、例えばアルミニウム等により略円筒形に形成された
処理チャンバ1を備えている。
理ガスを供給するためのシャワーヘッド13が設けられ
ている。このシャワーヘッド13は、処理ガス供給用配
管14を介して供給された処理ガスをシャワーヘッド1
3内の拡散室13a内で一旦拡散させた後、拡散室13
aの底板に穿孔した複数の吐出孔13b,13b,…か
らサセプタ2上に載置されたウエハWに向けて吐出する
ようになっている。
ての例えばウエハWを載置するためのグラファイト等で
形成されたサセプタ2が、底部より支柱3を介して保持
されている。このサセプタ2の材質としては、例えば、
アモルファスカーボン、コンポジットカーボン、AlN
などを用いることができる。このサセプタ2の下方に
は、例えば図示しない昇降手段により上下移動可能に配
設された石英ガラス製のリフタピン4が設けられてお
り、サセプタ2に設けた貫通孔4Aを挿通してウエハW
の搬出入時にこれを持ち上げるようになっている。
りなる強力なヒータ(図示省略)が設けられており、こ
のヒータからの熱により上記処理チャンバ1内のサセプ
タ2を加熱し、この熱でウエハWを所定の温度、例えば
150〜300℃程度に間接的に加熱維持できるように
なっている。
1に対してウエハWを搬入・搬出するときに開閉される
ゲートバルブ11が配設されており、処理チャンバ1の
底部周縁部には、図示しない真空ポンプに接続された排
気口12が設けられ、処理チャンバ1内を真空引きでき
るようになっている。
路を模式的に示した図である。
シャワーヘッド13に接続された処理ガス供給用の配管
14の上流側の先端側14Aは処理剤を収容した処理剤
タンク17に接続されている。
の不活性ガスを供給する不活性ガス供給用の配管18が
開閉バルブ19と共に配設されており、この配管18を
介してアルゴンなどの不活性ガスを処理剤タンク17内
に供給することにより処理剤の液面が押され、この力で
処理剤タンク17内の処理剤が配管14内に供給される
ようになっている。
を形成するのに用いられる金属、例えば銅の薄膜を形成
する処理剤が収容されている。例えば銅を含む前駆体で
あり、更に詳細には下記の物質を挙げることができる。
セトネート)とシリロレフィン配位子を含み、前記シリ
ロレフィン配位子は、トリメチルビニルシラン(TMV
S)、ジメトキシメチルビニルシラン(DMOMV
S)、メトキシジメチルビニルシラン(MODMV
S)、トリメトキシビニルシラン(TMOVS)、トリ
エトキシビニルシラン(TEOVS)、エトキシメトキ
シメチルビニルシラン(EOMOMVS)、ジエトキシ
メチルビニルシラン(DEOMVS)、ジエトキシメト
キシビニルシラン(DEOMOVS)、エトキシジメト
キシビニルシラン(EODMOVS)、エトキシジエチ
ルビニルシラン(EODEVS)、ジエトキシエチルビ
ニルシラン(DEOEVS)、ジメトキシエチルビニル
シラン(DMOEVS)、エトキシジメチルビニルシラ
ン(EODMVS)、メトキシジエチルビニルシラン
(MODEVS)、およびエチルメトキシメチルビニル
シラン(EMOMVS)からなる群から選択される物質
が挙げられる。
ローラ15Bが配設されており、処理剤タンク17から
汲み出された処理剤の流量を調節する。マスフローコン
トローラ15Bの処理剤移動方向上流側には開閉バルブ
15Aが配設され、マスフローコントローラ15Bの処
理剤移動方向下流側には開閉バルブ15Cが配設されて
いる。
ブ15Cとを繋ぐ配管14Bには途中でドレインとして
機能する分岐配管14Cが接続され、開閉バルブ15D
が配設されている。開閉バルブ15Cの更に下流側には
気化器16が配設され、処理剤がここで気化されるよう
になっている。気化器16の更に下流側の配管14Dは
開閉バルブ16Cを介してシャワーヘッド13に接続さ
れている。また配管14Dには途中でドレインとして機
能する分岐配管14Eが接続され、開閉バルブ16Eが
配設されている。
ング用の配管20が配設されている。
れたクリーニング用の配管20の上流側の先端側20A
は例えばTFAA(トリフルオロ酢酸)などのクリーニ
ング剤を収容したクリーニング剤タンク21に接続され
ている。
ゴンなどの不活性ガスを供給する不活性ガス供給用の配
管22が開閉バルブ23と共に配設されており、この配
管22を介してアルゴンなどの不活性ガスをクリーニン
グ剤タンク21内に供給することによりクリーニング剤
の液面が押され、この力でクリーニング剤タンク21内
のクリーニング剤が配管20内に供給されるようになっ
ている。配管20の途中にはマスフローコントローラ2
5が配設されており、クリーニング剤タンク21から汲
み出されたクリーニング剤の流量を調節する。マスフロ
ーコントローラ25のクリーニング剤移動方向上流側に
は開閉バルブ24が配設され、マスフローコントローラ
25のクリーニング剤移動方向下流側には開閉バルブ2
7が配設されている。
27とを繋ぐ配管20Bには途中でドレインとして機能
する分岐配管20Cが接続され、開閉バルブ26が配設
されている。開閉バルブ27の更に下流側には分岐配管
20Dが配設され、この分岐配管20Dには開閉バルブ
28が配設されている。
の配管14にはリボンヒータなどのヒータ30が配設さ
れており、気化器16及びこの気化器16より下流側の
配管を所定の温度まで加熱することができるようになっ
ている。
理装置のクリーニングを行う場合の手順について説明す
る。図3は本発明のクリーニング方法を実施する場合の
フローを示したフローチャートである。
まず開閉バルブ19,15A,15Cなどのバルブを閉
じて処理剤の供給を停止する(ステップ1)。
器16及びこの気化器16より下流側の配管14と処理
チャンバ1を所定の温度、例えば300℃まで加熱する
(ステップ2)。
6Cを開き、マスフローコントローラ25をオンにして
クリーニング剤の供給を開始する(ステップ3)。
介してクリーニング剤が供給されると、クリーニング剤
は気化器16の作用と熱とで気化され、気化器16の内
壁や配管14の内壁、更に、処理チャンバ1の内壁に付
着した銅などの、半導体装置の電極や配線を形成する金
属と接触する。このとき、気化器16、配管14及び処
理チャンバ1内は十分高い温度に加熱されているので、
供給されたクリーニング剤と前記金属とが接触すると速
やかに錯体を形成する。
減圧状態に保たれているので、上記のようにして形成さ
れた金属錯体は昇華して処理チャンバ1外へ排出され
る。
リーニング方法では、電極又は配線を形成する金属を直
接錯体化する物質を含むクリーニングガスを用いて処理
装置のクリーニングを行うので、少ない工数で簡単且つ
短時間にクリーニングすることができる。
A(トリフルオロ酢酸)などの廉価な物質を用いること
によりクリーニングにかかる材料コストを低減化するこ
とができる。
ス供給配管の気化器にクリーニングガスを供給する機構
を備えた処理装置を用いることにより、処理チャンバの
みならず、処理ガス供給配管内に付着した銅などの金属
をも簡単にクリーニングすることができる。
説明する。
を用いて、表面に厚さ5000オングストロームの銅が
成膜されたウエハWをサセプタ2の上に設置した後、処
理チャンバ1内の雰囲気を純窒素に置換した。サセプタ
2を300℃まで加熱し、処理チャンバ1内の圧力を
1.33×104Pa(100Torr)になるよう調
節した。圧力を一定に保ちながら、供給配管14を経由
して、TFAA35sccm、希釈N2 を供給した。そ
のまま10分間同じ状態を維持した後、TFAAとN2
を供給した。
スを排気した後、ウエハWを払い出した。
エハW上の銅がドライクリーニングにより全て除去され
たことが確認された。
実施形態について説明する。なお、以下の実施形態につ
いて先行する実施形態と重複する内容については説明を
省略する。
た金属を錯体化する工程と、形成された錯体を真空引き
により昇華させて除去する工程との2段階に分かれた構
成とした。
のフローチャートである。
するには、まず図3のフローチャートに示したように、
図2に示した処理装置において、開閉バルブ19,15
A,15Cなどのバルブを閉じて処理剤の供給を停止す
る(ステップ1)。
器16及びこの気化器16より下流側の配管14と処理
チャンバ1を所定の温度、例えば300℃まで加熱する
(ステップ2)。
6Cを開き、マスフローコントローラ25をオンにして
クリーニング剤の供給を開始する(ステップ3)。
介してクリーニング剤が供給されると、クリーニング剤
は気化器16の作用と熱とで気化され、気化器16の内
壁や配管14の内壁、更に、処理チャンバ1の内壁に付
着した銅などの、半導体装置の電極や配線を形成する金
属と接触する。このとき、気化器16、配管14及び処
理チャンバ1内は十分高い温度に加熱されているので、
供給されたクリーニング剤と前記金属とが接触すると速
やかに錯体を形成する。
分行なわれたら開閉バルブ23、24、27を閉じてク
リーニング剤の供給を停止する。
チャンバ1内を真空引きする(ステップ4)。
り前記ステップ3で形成した前記金属の錯体を昇華さ
せ、処理チャンバ1の外へ排出する。
リーニング方法では、前記金属を錯体化する錯体化工程
と、かくして形成した錯体を昇華する昇華工程とを別々
の工程に分けた2段階の構成としたので、錯体化と昇華
とをそれぞれ完全に行なうことができ、クリーニングの
効率が向上するという特有の効果が得られる。
実施形態について説明する。
た金属を錯体化する工程と、形成された錯体を真空引き
により昇華させて除去する工程との2段階の工程を断続
的に繰り返し行なう構成とした。
のフローチャートである。
するには、前記第2の実施形態と同様に、処理剤の供給
停止(ステップ1)、気化器、配管、処理チャンバの加
熱(ステップ2)、クリーニング剤の供給を開始する。
(ステップ3)。
十分錯体化されたと思われる所定時間が経過したらクリ
ーニング剤の供給を停止し(ステップ4)、処理チャン
バの真空引きを開始する(ステップ5)。
華されて処理チャンバ外へ排出されたと思われる所定時
間経過後、真空引きを停止する(ステップ6)。
量を確認する(ステップ7)。この確認作業は直接処理
チャンバの内壁の金属付着状態を確認してもよいし、モ
ニタリング用ウエハの表面に形成した金属膜の残存量を
確認することにより行なってもよい。
の金属付着量が十分低減された場合にはクリーニングを
終了する。
ンバ内の金属付着量が十分低減されていない場合にはス
テップ3〜7の操作を繰り返し行ない、最終的に付着金
属がなくなるまでクリーニング操作を継続する。
リーニング方法では、前記金属を錯体化する錯体化工程
と、かくして形成した錯体を昇華する昇華工程とを2段
階に分けると共に断続的に繰り返し行なっているので、
錯体化と昇華とをそれぞれ完全に行なうことができ、ク
リーニングの効率が向上するという特有の効果が得られ
る。
範囲に限定されない。例えば、上記実施形態では処理装
置としてCVDを例にして説明したが、CVD以外の処
理装置例えばPVD等にも適用できる。
理剤を供給する配管の途中にTFAA等のクリーニング
剤を供給する構成としたが、処理チャンバ内に直接クリ
ーニング剤を供給する配管を備えた処理装置にも本発明
を適用することができる。
理装置を例にして説明したが、液晶表示装置(LCD)
用ガラス基板を処理する処理装置にも適用できる。
る金属を直接錯体化する物質を含むクリーニングガスを
用いてクリーニングするので、処理チャンバ内にクリー
ニングガスを供給するとチャンバ内壁に付着した金属が
短時間で錯体化され、そのまま真空引きすることにより
除去される。そのため、クリーニングを行なう際の工程
数が少なく、短時間で簡単にクリーニングすることがで
きる。
はTFAAのような有機カルボン酸など、安価な材料を
用いるのでクリーニングの材料コストが嵩まず、低コス
トでクリーニングできる。
化させる工程がないので、残留酸素による処理チャンバ
の破損や処理装置の処理能力が変動する虞れがない。
クリーニングガスを供給して前記処理チャンバ内に付着
した前記金属を錯体化する工程と、前記処理チャンバ内
を減圧して前記錯体を前記処理チャンバ外へ排出する工
程とを二つの段階に分けても良い。その場合には錯体化
した前記金属を順次排出するので効率よくクリーニング
することができる。
れぞれ断続的に行ない、かつ、前記錯体化工程と前記排
出工程とを繰り返し交互に行なっても良い。こうするこ
とにより錯体化と排出とが完全に行なわれるので効率よ
くクリーニングすることができる。
TFAA(トリフルオロ酢酸)を供給するTFAA供給
系を備えているので上記クリーニングを行うことがで
き、少ない工程数で、低コストでしかも処理能力に変動
を来すことなく付着金属のクリーニングを行うことがで
きる。
ス供給系として、処理剤タンクと、前記処理チャンバと
前記処理剤タンクとを接続する処理ガス供給配管と、前
記処理ガス供給配管の途中に配設された処理剤気化器と
からなるものを用い、前記TFAA供給系として、TF
AAタンクと、前記TFAAタンクと前記処理剤気化器
より処理ガス移動方向下流側の処理ガス供給配管とを接
続するTFAA供給配管とからなるものを用いることに
より、配管内に付着した金属をもクリーニングすること
ができる。
管の前記気化器より下流側の部分にはヒータが配設され
ていることが好ましく、このヒータで配管を加熱するこ
とにより、より効率よく配管内をクリーニングすること
ができる。
示した垂直断面図である。
した図である。
ーチャートである。
ーチャートである。
ーチャートである。
Claims (13)
- 【請求項1】 被処理基板を処理する処理装置の処理チ
ャンバ内に、電極又は配線を形成する金属を直接錯体化
する物質を含むクリーニングガスを供給して前記処理チ
ャンバ内に付着した前記金属を錯体化する一方、 前記処理チャンバ内を減圧して前記錯体を前記処理チャ
ンバ外へ排出することを特徴とする処理装置のクリーニ
ング方法。 - 【請求項2】 請求項1に記載のクリーニング方法であ
って、前記直接錯体化する物質が、カルボン酸又はカル
ボン酸誘導体であることを特徴とするクリーニング方
法。 - 【請求項3】 請求項2に記載のクリーニング方法であ
って、前記カルボン酸又はカルボン酸誘導体が、次式:
RCOOH、RCOOR´、又はR(COOH)nで表
される物質(R、R´はハロゲン原子を含むことがある
炭化水素基を表し、nは整数を表す。)であることを特
徴とするクリーニング方法。 - 【請求項4】 請求項3に記載のクリーニング方法であ
って、前記直接錯体化する物質がTFAA(トリフルオ
ロ酢酸)であることを特徴とするクリーニング方法。 - 【請求項5】 請求項1〜4のいずれか1項に記載のク
リーニング方法であって、前記処理装置が、成膜装置で
あることを特徴とするクリーニング方法。 - 【請求項6】 請求項1〜5のいずれか1項に記載のク
リーニング方法であって、前記電極又は配線を形成する
金属が、銅であることを特徴とするクリーニング方法。 - 【請求項7】 被処理基板を処理する処理装置の処理チ
ャンバ内に、電極又は配線を形成する金属を直接錯体化
する物質を含むクリーニングガスを供給して前記処理チ
ャンバ内に付着した前記金属を錯体化する工程と、 前記処理チャンバ内を減圧して前記錯体を前記処理チャ
ンバ外へ排出する工程と、 を具備する処理装置のクリーニング方法。 - 【請求項8】 請求項7に記載のクリーニング方法であ
って、前記錯体化する工程及び前記排出する工程はそれ
ぞれ断続的に行なわれ、かつ、前記錯体化する工程と前
記排出する工程とは繰り返し交互に行なわれることを特
徴とするクリーニング方法。 - 【請求項9】 被処理基板を処理する処理空間を画定す
る処理チャンバと、 前記処理チャンバ内に配設され前記被処理基板が載置さ
れるサセプタと、 前記処理チャンバ内に銅を主成分とする処理ガスを供給
する処理ガス供給系と、前記処理チャンバ内に真空を供
給する真空供給系と、 前記処理チャンバ内にTFAA(トリフルオロ酢酸)を
供給するTFAA供給系と、を具備する処理装置。 - 【請求項10】 請求項9に記載の処理装置であって、
前記処理ガス供給系が、処理剤タンクと、前記処理チャ
ンバと前記処理剤タンクとを接続する処理ガス供給配管
と、前記処理ガス供給配管の途中に配設された処理剤気
化器とからなり、 前記TFAA供給系が、TFAAタンクと、前記TFA
Aタンクと前記処理剤気化器より処理ガス移動方向下流
側の処理ガス供給配管とを接続するTFAA供給配管と
からなることを特徴とする処理装置。 - 【請求項11】 請求項10に記載の処理装置であっ
て、少なくとも前記処理剤供給配管の前記気化器より下
流側の部分にはヒータが配設されていることを特徴とす
る処理装置。 - 【請求項12】 請求項10又は11に記載の処理装置
であって、前記処理剤タンクが、銅を主成分とする処理
剤を含むタンクであることを特徴とする処理装置。 - 【請求項13】 請求項11又は12に記載の処理装置
であって、前記処理チャンバが、同処理チャンバの壁面
を加熱するためのヒータを具備することを特徴とする処
理装置。
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