JP2018195810A - ハロゲン除去モジュールならびに関連のシステムおよび方法 - Google Patents
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Abstract
Description
例えば、本発明は、以下の形態としても実施可能である。
[形態1]
ハロゲン除去モジュールであって、
処理領域を囲むように形成されたチャンバと、
前記チャンバ内への通路であって、前記処理領域内に基板を入れることと、前記処理領域から前記基板を取り出すことと、を可能にするよう構成された通路と、
前記処理領域内に配置され、前記処理領域内で前記基板を支持するよう構成された基板支持構造と、
1または複数のガスを前記処理領域に供給するよう構成された少なくとも1つのガス入力と、
ガスを前記処理領域から排気するよう構成された少なくとも1つのガス出力と、
前記処理領域内の相対湿度を制御するよう構成された湿度制御装置と、
前記処理領域内の前記基板の温度制御を行うために配置された少なくとも1つの加熱装置と、
を備える、ハロゲン除去モジュール。
[形態2]
形態1に記載のハロゲン除去モジュールであって、前記チャンバは、一度に1つの基板を受け入れて処理するよう構成されている、ハロゲン除去モジュール。
[形態3]
形態1に記載のハロゲン除去モジュールであって、前記チャンバは、一度に複数の基板を受け入れて処理するよう構成されている、ハロゲン除去モジュール。
[形態4]
形態1に記載のハロゲン除去モジュールであって、さらに、
前記チャンバの外部の環境を前記処理領域から保護するよう構成されたドアを備える、ハロゲン除去モジュール。
[形態5]
形態1に記載のハロゲン除去モジュールであって、前記基板支持構造は、ペデスタルである、ハロゲン除去モジュール。
[形態6]
形態5に記載のハロゲン除去モジュールであって、前記少なくとも1つの加熱装置は、前記ペデスタル内に配置された抵抗加熱装置である、ハロゲン除去モジュール。
[形態7]
形態1に記載のハロゲン除去モジュールであって、前記基板支持構造は、前記基板の周縁領域に沿って前記基板を支持するよう構成された縁部支持体である、ハロゲン除去モジュール。
[形態8]
形態7に記載のハロゲン除去モジュールであって、前記少なくとも1つの加熱装置は、前記基板が前記縁部支持体上に存在する時に、前記基板に向かって放射熱を方向付けるように配置された放射加熱装置である、ハロゲン除去モジュール。
[形態9]
形態1に記載のハロゲン除去モジュールであって、前記少なくとも1つの加熱装置は、抵抗加熱装置および放射加熱装置の一方または両方を含む、ハロゲン除去モジュール。
[形態10]
形態1に記載のハロゲン除去モジュールであって、前記少なくとも1つのガス入力は、酸素、窒素、および、空気の内の1または複数の供給源に接続されている、ハロゲン除去モジュール。
[形態11]
形態1に記載のハロゲン除去モジュールであって、前記少なくとも1つのガス入力および前記少なくともガス出力は、前記基板が前記基板支持構造上に存在する時に、前記基板にわたって制御されたガス流プロファイルを提供するように構成および配置される、ハロゲン除去モジュール。
[形態12]
形態1に記載のハロゲン除去モジュールであって、前記湿度制御装置は、前記少なくとも1つのガス入力の内の1または複数に沿って接続される、ハロゲン除去モジュール。
[形態13]
形態1に記載のハロゲン除去モジュールであって、前記ハロゲン除去モジュールは、大気圧の環境から前記通路を通して前記処理領域へアクセスすることを可能にするように配置される、ハロゲン除去モジュール。
[形態14]
形態1に記載のハロゲン除去モジュールであって、さらに、
前記処理領域に露出した前記チャンバの表面を加熱するために配置された1または複数の加熱装置を備える、ハロゲン除去モジュール。
[形態15]
基板から発生する残留ハロゲンを管理するための方法であって、
第1期間中に、前記基板に暴露する相対湿度を約100%に維持すると共に前記基板の温度を約セ氏20度(20℃)〜約26℃の範囲内に維持しつつ、少なくとも1つのガスの流れに前記基板を暴露させる工程であって、前記第1期間は、前記基板からフッ素を実質的に完全にオフガスとして放出することを可能にするよう設定される、工程と、
前記第1期間に続く第2期間中に、前記基板に暴露する相対湿度を約50%〜約100%の範囲内に維持すると共に前記基板の温度を約60℃〜約200℃の範囲内に維持しつつ、少なくとも1つのガスの流れに前記基板を暴露させる工程であって、前記第2期間は、前記基板から臭素および塩素を実質的に完全にオフガスとして放出することを可能にするよう設定される、工程と、
を備え、
前記基板は、前記第1期間および前記第2期間の両方の間、同じ処理環境に維持される、方法。
[形態16]
形態15に記載の方法であって、前記第1期間は、約2分〜約15分であり、前記第2期間は、約2分〜約15分である、方法。
[形態17]
形態15に記載の方法であって、前記第1期間は、約10分である、方法。
[形態18]
形態15に記載の方法であって、前記第2期間は、約5分である、方法。
[形態19]
形態15に記載の方法であって、前記第1期間中の前記少なくとも1つのガスは、酸素、窒素、および、空気の内の1または複数であり、前記第2期間中の前記少なくとも1つのガスは、酸素、窒素、および、空気の内の1または複数である、方法。
[形態20]
形態15に記載の方法であって、前記第1期間中の前記少なくとも1つのガスの流れの流量は、約60標準リットル毎分(slm)〜約200slmの範囲であり、前記第2期間中の前記少なくとも1つのガスの流れの流量は、約60標準リットル毎分(slm)〜約200slmの範囲である、方法。
[形態21]
形態15に記載の方法であって、前記第1期間中の前記基板の前記温度は、約23℃に維持される、方法。
[形態22]
形態15に記載の方法であって、前記処理環境内の圧力は、前記第1期間および前記第2期間の両方の間、1500Torr未満に維持される、方法。
[形態23]
形態15に記載の方法であって、前記処理環境内の圧力は、前記第1期間および前記第2期間の両方の間、760Torr未満に維持される、方法。
[形態24]
形態15に記載の方法であって、前記方法は、大気圧の環境内で基板を操作するよう構成された基板ハンドリングモジュールから直接アクセスできるチャンバ内で実行される、方法。
[形態25]
基板から発生する残留ハロゲンを管理するためのシステムであって、
基板ハンドリングモジュールに結合するよう構成されたチャンバであって、前記チャンバは、処理領域を囲むように形成され、前記基板ハンドリングモジュールは、大気圧の環境内で基板を操作するよう構成されている、チャンバと、
前記チャンバ内への通路であって、前記基板ハンドリングモジュール内の前記環境と前記チャンバ内の前記処理領域との間での基板の移送を可能にするよう構成されている、通路と、
前記チャンバ内の前記処理領域内に配置された基板支持構造であって、前記基板が前記チャンバ内の前記処理領域に存在する時に前記基板を保持するよう構成されている、基板支持構造と、
前記チャンバ内の前記処理領域への1または複数のガスの供給を制御するよう構成され、さらに、前記チャンバ内の前記処理領域からのガスの排気を制御するよう構成され、さらに、前記チャンバ内の前記処理領域内の相対湿度を制御するよう構成され、さらに、前記基板が前記チャンバ内の前記処理領域に存在する時に前記基板の温度を制御するよう構成された制御システムと、
を備える、システム。
Claims (25)
- ハロゲン除去モジュールであって、
処理領域を囲むように形成されたチャンバと、
前記チャンバ内への通路であって、前記処理領域内に基板を入れることと、前記処理領域から前記基板を取り出すことと、を可能にするよう構成された通路と、
前記処理領域内に配置され、前記処理領域内で前記基板を支持するよう構成された基板支持構造と、
1または複数のガスを前記処理領域に供給するよう構成された少なくとも1つのガス入力と、
ガスを前記処理領域から排気するよう構成された少なくとも1つのガス出力と、
前記処理領域内の相対湿度を制御するよう構成された湿度制御装置と、
前記処理領域内の前記基板の温度制御を行うために配置された少なくとも1つの加熱装置と、
を備える、ハロゲン除去モジュール。 - 請求項1に記載のハロゲン除去モジュールであって、前記チャンバは、一度に1つの基板を受け入れて処理するよう構成されている、ハロゲン除去モジュール。
- 請求項1に記載のハロゲン除去モジュールであって、前記チャンバは、一度に複数の基板を受け入れて処理するよう構成されている、ハロゲン除去モジュール。
- 請求項1に記載のハロゲン除去モジュールであって、さらに、
前記チャンバの外部の環境を前記処理領域から保護するよう構成されたドアを備える、ハロゲン除去モジュール。 - 請求項1に記載のハロゲン除去モジュールであって、前記基板支持構造は、ペデスタルである、ハロゲン除去モジュール。
- 請求項5に記載のハロゲン除去モジュールであって、前記少なくとも1つの加熱装置は、前記ペデスタル内に配置された抵抗加熱装置である、ハロゲン除去モジュール。
- 請求項1に記載のハロゲン除去モジュールであって、前記基板支持構造は、前記基板の周縁領域に沿って前記基板を支持するよう構成された縁部支持体である、ハロゲン除去モジュール。
- 請求項7に記載のハロゲン除去モジュールであって、前記少なくとも1つの加熱装置は、前記基板が前記縁部支持体上に存在する時に、前記基板に向かって放射熱を方向付けるように配置された放射加熱装置である、ハロゲン除去モジュール。
- 請求項1に記載のハロゲン除去モジュールであって、前記少なくとも1つの加熱装置は、抵抗加熱装置および放射加熱装置の一方または両方を含む、ハロゲン除去モジュール。
- 請求項1に記載のハロゲン除去モジュールであって、前記少なくとも1つのガス入力は、酸素、窒素、および、空気の内の1または複数の供給源に接続されている、ハロゲン除去モジュール。
- 請求項1に記載のハロゲン除去モジュールであって、前記少なくとも1つのガス入力および前記少なくともガス出力は、前記基板が前記基板支持構造上に存在する時に、前記基板にわたって制御されたガス流プロファイルを提供するように構成および配置される、ハロゲン除去モジュール。
- 請求項1に記載のハロゲン除去モジュールであって、前記湿度制御装置は、前記少なくとも1つのガス入力の内の1または複数に沿って接続される、ハロゲン除去モジュール。
- 請求項1に記載のハロゲン除去モジュールであって、前記ハロゲン除去モジュールは、大気圧の環境から前記通路を通して前記処理領域へアクセスすることを可能にするように配置される、ハロゲン除去モジュール。
- 請求項1に記載のハロゲン除去モジュールであって、さらに、
前記処理領域に露出した前記チャンバの表面を加熱するために配置された1または複数の加熱装置を備える、ハロゲン除去モジュール。 - 基板から発生する残留ハロゲンを管理するための方法であって、
第1期間中に、前記基板に暴露する相対湿度を約100%に維持すると共に前記基板の温度を約セ氏20度(20℃)〜約26℃の範囲内に維持しつつ、少なくとも1つのガスの流れに前記基板を暴露させる工程であって、前記第1期間は、前記基板からフッ素を実質的に完全にオフガスとして放出することを可能にするよう設定される、工程と、
前記第1期間に続く第2期間中に、前記基板に暴露する相対湿度を約50%〜約100%の範囲内に維持すると共に前記基板の温度を約60℃〜約200℃の範囲内に維持しつつ、少なくとも1つのガスの流れに前記基板を暴露させる工程であって、前記第2期間は、前記基板から臭素および塩素を実質的に完全にオフガスとして放出することを可能にするよう設定される、工程と、
を備え、
前記基板は、前記第1期間および前記第2期間の両方の間、同じ処理環境に維持される、方法。 - 請求項15に記載の方法であって、前記第1期間は、約2分〜約15分であり、前記第2期間は、約2分〜約15分である、方法。
- 請求項15に記載の方法であって、前記第1期間は、約10分である、方法。
- 請求項15に記載の方法であって、前記第2期間は、約5分である、方法。
- 請求項15に記載の方法であって、前記第1期間中の前記少なくとも1つのガスは、酸素、窒素、および、空気の内の1または複数であり、前記第2期間中の前記少なくとも1つのガスは、酸素、窒素、および、空気の内の1または複数である、方法。
- 請求項15に記載の方法であって、前記第1期間中の前記少なくとも1つのガスの流れの流量は、約60標準リットル毎分(slm)〜約200slmの範囲であり、前記第2期間中の前記少なくとも1つのガスの流れの流量は、約60標準リットル毎分(slm)〜約200slmの範囲である、方法。
- 請求項15に記載の方法であって、前記第1期間中の前記基板の前記温度は、約23℃に維持される、方法。
- 請求項15に記載の方法であって、前記処理環境内の圧力は、前記第1期間および前記第2期間の両方の間、1500Torr未満に維持される、方法。
- 請求項15に記載の方法であって、前記処理環境内の圧力は、前記第1期間および前記第2期間の両方の間、760Torr未満に維持される、方法。
- 請求項15に記載の方法であって、前記方法は、大気圧の環境内で基板を操作するよう構成された基板ハンドリングモジュールから直接アクセスできるチャンバ内で実行される、方法。
- 基板から発生する残留ハロゲンを管理するためのシステムであって、
基板ハンドリングモジュールに結合するよう構成されたチャンバであって、前記チャンバは、処理領域を囲むように形成され、前記基板ハンドリングモジュールは、大気圧の環境内で基板を操作するよう構成されている、チャンバと、
前記チャンバ内への通路であって、前記基板ハンドリングモジュール内の前記環境と前記チャンバ内の前記処理領域との間での基板の移送を可能にするよう構成されている、通路と、
前記チャンバ内の前記処理領域内に配置された基板支持構造であって、前記基板が前記チャンバ内の前記処理領域に存在する時に前記基板を保持するよう構成されている、基板支持構造と、
前記チャンバ内の前記処理領域への1または複数のガスの供給を制御するよう構成され、さらに、前記チャンバ内の前記処理領域からのガスの排気を制御するよう構成され、さらに、前記チャンバ内の前記処理領域内の相対湿度を制御するよう構成され、さらに、前記基板が前記チャンバ内の前記処理領域に存在する時に前記基板の温度を制御するよう構成された制御システムと、
を備える、システム。
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