KR20160094424A - 프로세스 챔버의 인-시츄 세정을 위한 방법들 및 장치 - Google Patents

프로세스 챔버의 인-시츄 세정을 위한 방법들 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20160094424A
KR20160094424A KR1020167017761A KR20167017761A KR20160094424A KR 20160094424 A KR20160094424 A KR 20160094424A KR 1020167017761 A KR1020167017761 A KR 1020167017761A KR 20167017761 A KR20167017761 A KR 20167017761A KR 20160094424 A KR20160094424 A KR 20160094424A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
inner volume
flow path
outlet
cleaning
Prior art date
Application number
KR1020167017761A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102357845B1 (ko
Inventor
조엘 엠. 휴스턴
니콜라스 알. 테니
치엔-테흐 카오
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20160094424A publication Critical patent/KR20160094424A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102357845B1 publication Critical patent/KR102357845B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

기판 프로세싱 챔버들의 인-시츄 세정을 위한 방법들 및 장치가 본원에서 제공된다. 기판 프로세싱 챔버는, 내측 용적을 에워싸는 챔버 본체; 챔버 본체에 제거 가능하게(removably) 커플링되고, 그리고 선택적으로 내측 용적을 제 1 배출구에 대해 개방하거나 제 1 배출구로부터 밀봉하도록(seal) 내측 용적에 유체적으로(fluidly) 커플링된 제 1 유동 채널을 포함하는 챔버 덮개; 선택적으로 내측 용적을 제 1 유입구에 대해 개방하거나 제 1 유입구로부터 밀봉하도록 내측 용적에 유체적으로 커플링된 제 2 유동 채널을 포함하는 챔버 플로어; 및 내측 용적에 배치되어 내측 용적과 유체 연통하는(in fluid communication with) 펌프 링 ― 펌프 링은, 하부 챔버에 유체적으로 커플링된 상부 챔버, 및 선택적으로 내측 용적을 제 2 배출구에 대해 개방하거나 제 2 배출구로부터 밀봉하도록 하부 챔버에 유체적으로 커플링된 제 2 배출구를 포함함 ― 을 포함할 수 있다.

Description

프로세스 챔버의 인-시츄 세정을 위한 방법들 및 장치{METHODS AND APPARATUS FOR IN-SITU CLEANING OF A PROCESS CHAMBER}
[0001] 본 개시물의 실시예들은 일반적으로, 기판 프로세싱 장비에 관한 것이다.
[0002] 플라즈마 반응기들과 같은 기판 프로세싱 시스템들은, 프로세싱 챔버 내에서 지지되는 기판 상에 층들을 증착하거나, 에칭하거나, 또는 형성하는 데에 사용될 수 있다. 프로세스들은 프로세싱 챔버의 부분들 상에 원치 않는 증착물들(deposits)을 초래할 수 있다. 프로세싱 챔버의 세정 프로세스들은, 챔버에 축적될(accumulate) 수 있는 폐기물들 및 원치 않는 증착물들을 제거하기 위해 주기적으로 수행된다. 종종 인-시츄(in-situ) 세정으로 지칭되는 몇몇 세정 프로세스들에서, 챔버 및 내부 컴포넌트들을 세정하기 위해 세정 가스가 챔버에 도입되고, 그런 다음에, 적절한 취급(handling) 장비로 배기된다(exhausted).
[0003] 본 발명자들은, 몇몇 인-시츄 세정 프로세스들에서, 세정 가스들이 챔버 표면들을 충분하게 세정하지 않으며, 몇몇 표면들을 전혀 접촉하지 않을 수 있다는 것을 관찰하였다.
[0004] 따라서, 본 발명자들은 인-시츄 세정 프로세스들의 성능을 개선할 수 있는 장치 및 방법들을 본원에서 제공하였다.
[0005] 기판 프로세싱 챔버들의 인-시츄 세정을 위한 방법들 및 장치가 본원에서 제공된다. 몇몇 실시예들에서, 기판 프로세싱 챔버는, 내측 용적을 에워싸는 챔버 본체; 챔버 본체의 상부 부분에 제거 가능하게(removably) 커플링된 챔버 덮개(lid) ― 챔버 덮개는, 내측 용적에 유체적으로(fluidly) 커플링되고, 선택적으로 내측 용적을 제 1 배출구에 대해 개방하거나 내측 용적을 제 1 배출구로부터 밀봉하도록(seal) 이루어진 제 1 유동 채널을 포함함 ―; 챔버 본체의 하부 부분에 커플링된 챔버 플로어(floor) ― 챔버 플로어는, 내측 용적에 유체적으로 커플링되고, 선택적으로 내측 용적을 제 1 유입구에 대해 개방하거나 내측 용적을 제 1 유입구로부터 밀봉하도록 이루어진 제 2 유동 채널을 포함함 ―; 및 내측 용적에 배치되고 내측 용적과 유체 연통하는(in fluid communication with) 펌프 링(pump ring) ― 펌프 링은, 하부 챔버에 유체적으로 커플링된 상부 챔버, 및 하부 챔버에 유체적으로 커플링되고, 선택적으로 내측 용적을 제 2 배출구에 대해 개방하거나 내측 용적을 제 2 배출구로부터 밀봉하도록 이루어진 제 2 배출구를 포함함 ― 을 포함하고, 제 2 유동 채널, 내측 용적, 펌프 링, 및 제 2 배출구는 제 1 유동 경로를 구성하고, 제 2 유동 채널, 내측 용적, 제 1 유동 채널, 및 제 1 배출구는 제 2 유동 경로를 구성한다.
[0006] 몇몇 실시예들에서, 프로세스 챔버의 세정 방법은, 챔버 플로어를 통하는 제 2 유동 채널을 통해 세정 가스를 챔버 본체의 내측 용적에 도입하는 단계; 제 2 유동 채널, 챔버의 내측 용적, 챔버 내의 펌프 링, 및 제 2 배출구를 포함하는, 세정 가스를 위한 선택 가능한 제 1 유동 경로를 제공하는 단계; 제 2 유동 채널, 챔버의 내측 용적, 제 1 유동 채널, 및 챔버 덮개를 통하는 제 1 배출구를 포함하는, 세정 가스를 위한 선택 가능한 제 2 유동 경로를 제공하는 단계; 및 세정 가스 유동 경로를 제공하기 위해 유동 경로를 선택하는 단계를 포함한다. 몇몇 실시예들에서, 방법은, 제 1 세정 가스 유동 경로를 제공하기 위해 제 1 유동 경로를 선택하는 단계; 및 제 2 세정 가스 유동 경로를 제공하기 위해 제 2 유동 경로를 선택하는 단계 중 어느 하나 또는 양자 모두를 더 포함할 수 있다
[0007] 본 개시물의 다른 그리고 추가적인 실시예들은 이하에서 설명된다.
[0008] 첨부된 도면들에 도시된 본 개시물의 예시적 실시예들을 참조하여, 앞서 간략히 요약되고 이하에서 더 상세하게 논의되는 본 개시물의 실시예들이 이해될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시물의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 개시물의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시물이, 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0009] 도 1은 본 개시물의 실시예들에 따른 프로세싱 챔버의 개략적인 측단면도를 도시한다.
[0010] 도 2는 본 개시물의 몇몇 실시예들에 따른, 프로세스 챔버의 인-시츄 세정을 위한 방법의 흐름도이다.
[0011] 이해를 용이하게 하기 위하여, 가능하면, 도면들에 공통되는 동일한 엘리먼트들을 나타내는데 동일한 참조번호들이 사용되었다. 도면들은 실척대로 도시된 것은 아니며, 명료함을 위해 단순화될 수 있다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들이, 추가적인 언급 없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있다는 점이 고려된다.
[0012] 기판 프로세싱 챔버들 및 내부 컴포넌트들의 인-시츄 세정을 위한 장치 및 방법들이 본원에서 개시된다. 본 발명의 장치는 챔버 내의 세정 가스들의 개선된 유동을 제공함으로써, 인-시츄 세정 프로세스들의 성능을 유리하게 증진시킬 수 있다.
[0013] 본 개시물의 목적들을 위해, 기판 프로세싱 챔버들의 인-시츄 세정은, 예를 들어, 덮개를 개방하는 것에 의해 챔버를 개방하는 것 없이, 챔버의 내측 용적 내에 로케이팅된 컴포넌트들을 포함하여 챔버의 내측 용적의 세정을 의미하도록 사용된다. 인-시츄 세정은, 챔버 용적 및 컴포넌트들에 대한 물리적 액세스를 얻기 위해 챔버의 개방을 요구하는 습식(wet) 세정과 같은 다른 세정 프로세스들로부터 구분될 수 있다.
[0014] 도 1은 본 개시물의 몇몇 실시예들에 따른 기판 프로세싱 챔버(챔버(100))의 개략적인 측단면도를 도시한다. 챔버(100)는, 예를 들어, 화학 기상 증착(CVD), 또는 원자 층 증착(ALD), 등과 같은 증착 프로세스인, 그러나 이에 제한되지는 않는 하나 또는 그 초과의 기판 프로세스들을 수행하기에 적합한 임의의 챔버일 수 있다. 반응기는 단독형(standalone) 반응기, 또는 캘리포니아 주 산타 클라라의 Applied Materials, Inc.로부터 입수 가능한 CENTURA®, PRODUCER®, 또는 ENDURA® 클러스터 툴들 중 하나와 같은 클러스터 툴의 파트(part)일 수 있다.
[0015] 몇몇 실시예들에서, 챔버(100)는 일반적으로, 챔버 벽(102), 챔버 플로어(104), 및 내측 용적(108)을 에워싸는 챔버 덮개(106)를 포함할 수 있다. 챔버 벽(102), 챔버 플로어(104), 및 챔버 덮개(106)를 포함하여, 챔버(100)의 컴포넌트들은 임의의 프로세스 양립 가능한(compatible) 재료, 예를 들어, 알루미늄 또는 스테인리스 스틸로 형성될 수 있다.
[0016] 챔버 덮개(106)는 임의의 커플링 엘리먼트 또는 엘리먼트들(도시되지 않음)을 사용하여 챔버 벽(102)의 상부 부분에 제거 가능하게 커플링된다. 몇몇 실시예들에서, 챔버 덮개(106)는, 챔버 덮개(106)의 온도 제어를 용이하게 하기 위해, 하나 또는 그 초과의 가열기들(110)을 포함할 수 있다. 본 발명자들은, 몇몇 인-시츄 세정 동작들에서 가열식(heated) 챔버 덮개(106)가 세정을 용이하게 할 수 있음을 주지한다. 가열기(110)는 챔버 덮개(106)의 내측 표면을 약 100℃ 내지 약 300℃, 예를 들어, 약 200℃의 세정 온도로 가열하는 것을 용이하게 할 수 있다.
[0017] 챔버 덮개(106)는, 챔버 덮개(106)를 통해서 연장되고, 내측 용적(108)에 유체적으로 커플링되는 유동 채널(제 1 유동 채널(112))을 포함한다. 제 1 유동 채널(112)은, 내측 용적(108)을 제 1 배출구(125)에 대해 선택적으로 개방하기 위해, 예를 들어, 도관(116)에 의해, 밸브(114)에 유체적으로 커플링된다.
[0018] 밸브(114)는, 챔버(100)의 내측 용적(108)을, 제 1 배출구(125)를 통해 제 1 배기부(120)에 대해 선택적으로 개방한다. 몇몇 실시예들에서, 밸브(114)는 선택적으로 또한, 가스의 하나 또는 그 초과의 소스들, 예컨대, 제 1 가스 공급부(118)(하나가 도시됨)를 내측 용적(108)에 공급하기 위해, 제 1 가스 유입구(117)에 유체적으로 커플링될 수 있다. 가스 공급부는 프로세스 가스의 유동을 내측 용적(108)에 제공할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 밸브(114)는 내측 용적(108)을, 제 1 가스 유입구(117)를 통해 제 1 가스 공급부(118), 예를 들어, 세정 가스 또는 프로세스 가스에 대해, 또는 제 1 배출구(125)를 통해 제 1 배기부(120)에 대해 개방하도록 구성된다.
[0019] 밸브(114)는, 선택적으로 내측 용적(108)을 제 1 가스 유입구(117)(제공되는 경우)에 대해 개방하고 내측 용적(108)을 제 1 배출구(125)로부터 밀봉하도록, 또는 내측 용적(108)을 제 1 배출구(125)에 대해 개방하고 내측 용적(108)을 제 1 가스 유입구(117)로부터 밀봉하도록 기능하거나, 또는, 내측 용적(108)을 제 1 가스 유입구(117)로부터 그리고 제 1 배출구(125)로부터 밀봉할 수 있다.
[0020] 제 1 배기부(120)는, 흡입측(suction side; 124)에서 제 1 배출구(125)를 통해 밸브(114)에 커플링되고, 압력측(pressure side; 127)에서 밸브(129)를 통해 적합한 배기부 취급 장비(도시되지 않음)에 커플링된 제 1 배기부 펌프(제 1 펌프(122))를 포함할 수 있다.
[0021] 챔버 벽(102)은 챔버(100)의 내측 용적(108)을 측방향으로(laterally) 한정하며(bound), 예를 들어, 기판을 내측 용적(108)에 제공하고 그리고 내측 용적(108)으로부터 기판을 제거하기 위해, 내측 용적으로의 액세스를 허용하도록 개구부(126)를 포함할 수 있다. 개구부(126)를 통해 기판을 내측 용적(108)으로 그리고 내측 용적(108)으로부터 이송하기 위해, 로봇과 같은 기판 운송 메커니즘(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. 개구부(126)는, 슬릿 밸브(128)를 통해, 또는 개구부(126)를 통한, 챔버(100)의 내측 용적(108)으로의 액세스를 선택적으로 제공하기 위한 다른 메커니즘을 통해 선택적으로 밀봉될 수 있다.
[0022] 챔버 벽(102)의 하부 부분은 챔버 플로어(104)에 의해 지지되며, 챔버 플로어(104)에 커플링된다. 가열기 플레이트(130)는, 챔버 플로어(104)의 온도 제어를 용이하게 하기 위해, 챔버(100)에 선택적으로 포함될 수 있고, 챔버 플로어(104)에 의해 지지될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 제 2 유동 채널들(132)(하나가 도시됨)은, 내측 용적(108)과 유체적으로 커플링되기 위해, 챔버 플로어(104) 및 가열기 플레이트(130)를 통해 제공될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 제 2 유동 채널(132)은 밸브(136)를 통해 내측 용적(108)을 제 2 가스 공급부(134)에 유체적으로 커플링한다. 하나 초과의 제 2 유동 채널(132)을 포함하는 실시예들에서, 각각의 유동 채널은 개별 밸브(136)에 의해 제어될 수 있거나, 또는 제 2 유동 채널들(132) 전체에 대해 하나의 밸브(136)가 제공될 수 있다. 제 2 유동 채널(132)은 하나 또는 그 초과의 세정 가스들의 내측 용적(108) 내로의 제 2 유입구를 제공하도록 이루어질 수 있다. 하나 초과의 유동 채널을 갖는 실시예들, 하나 초과의 제 2 유동 채널들(132)은, 내측 용적(108) 내로의 세정 가스들의 원하는 유동을 제공하기 위해, 챔버 플로어(104)를 통하는 임의의 위치에 포지셔닝될 수 있다.
[0023] 챔버 벽들(102)에 인접하여 내측 용적(108)을 향해서(facing) 펌프 링(138)이 제공된다. 펌프 링(138)은, 예를 들어, 홀들 또는 통로들(도시되지 않음)을 통해 하부 챔버(142)에 유체적으로 커플링된 상부 챔버(140)를 포함한다. 상부 챔버(140)는, 상부 챔버 벽(146)의 내측 용적 대면 표면(inner volume facing surface)을 통하는 통로들(144)을 통해 내측 용적(108)에 유체적으로 커플링된다. 하부 챔버(142)는 펌프 링(138)으로부터의 배기 경로를 제공할 수 있는 제 2 배기부(148)에 제 2 배출구(154)를 통해 유체적으로 커플링된다. 제 2 배출구(154)는 제 2 배기부 펌프(제 2 펌프(150))의 흡입측(152)에 커플링될 수 있고, 제 2 펌프(150)는 압력측(156)에서, 적합한 배기부 취급 장비(도시되지 않음)에 커플링될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 제 2 배출구(154)는 내측 용적(108)으로부터 프로세스 가스들을 배기하기 위해 사용되는 공통 배출구일 수 있다.
[0024] 몇몇 실시예들에서, 가열기 플레이트(130)는 펌프 링(138)의 내측 대면 벽(inner facing wall; 143)의 가열을 용이하게 할 수 있다. 본 발명자들은, 몇몇 인-시츄 세정 동작들에서 가열식 내측 대면 벽(143) 및 챔버 플로어(104)가 세정을 용이하게 할 수 있음을 주지한다. 가열기 플레이트(130)는 내측 대면 벽(143) 및 챔버 플로어(104)를 약 100℃ 내지 약 300℃, 예를 들어, 약 200℃의 세정 온도로 가열하는 것을 용이하게 할 수 있다.
[0025] 몇몇 실시예들에서, 제 1 펌프(122) 및 제 2 펌프(150)는 동일한 펌프이다. 예를 들어, 몇몇 실시예들에서, 제 1 배출구(125)는, 선택적으로 제 1 배출구(125)를 제 2 펌프(150)에 유체적으로 커플링하거나, 제 2 배출구(154)를 제 2 펌프(150)에 유체적으로 커플링하거나, 또는 제 1 배출구(125) 및 제 2 배출구(154) 양자 모두를 제 2 펌프(150)에 유체적으로 커플링하기 위해, 제 2 펌프(150)의 흡입측(152)에 밸브(도시되지 않음)를 통해 유체적으로 커플링될 수 있다.
[0026] 몇몇 실시예들에서, 기판 지지부(158)는 내측 용적(108) 내에 배치되며, 바닥부 표면(170)에 커플링된 샤프트(162)에 의해 지지되는 플레이트(160)를 포함하는데, 샤프트(162)는, 적어도, 높은(raised) 프로세싱 포지션(도시된 바와 같음)과, 예를 들어, 플레이트(160)의 정상부 표면(168) 상에서 기판을 로딩하거나(loading) 언로딩하기(unloading) 위한 낮은(lower) 포지션 사이에서의 변위를 위한 것이다. 플레이트(160)는, 플레이트(160)의 온도 제어를 용이하게 하기 위해, 가열기 엘리먼트(166)를 포함할 수 있다. 샤프트(162)를 수용하기 위해, 챔버 플로어(104) 및 가열기 플레이트(130)를 통해서 통로(164)가 형성될 수 있다.
[0027] 플레이트(160)는 내측 용적(108)을 플레이트(160)의 정상부 표면(168)과 챔버 덮개(106) 사이의 프로세싱 영역(172)과, 정상부 표면(168)과 챔버 플로어(104) 사이의 비(non)-프로세싱 영역(174)으로 분리한다. 플레이트(160)는 내측 용적(108) 내에서 임의의 수직 포지션에 배치될 수 있다.
[0028] 몇몇 실시예들에서, 제 1 유동 경로는 제 2 유동 채널(132), 내측 용적(108), 펌프 링(138), 및 제 2 배출구(154)를 포함하여 형성될 수 있다. 제 1 유동 경로는 상부 챔버 벽(146)의 영역에 로케이팅된 통로들(144)을 통해, 비-프로세싱 영역(174)으로부터 펌프 링(138)으로 이어져서(flow), 가열기 플레이트(130) 및 챔버 플로어(104)를 통하여, 제 2 배출구(154) 및 밸브(151)를 통해 챔버(100)를 빠져나간다.
[0029] 몇몇 실시예들에서, 제 2 유동 경로는 제 2 유동 채널(132), 내측 용적(108), 제 1 유동 채널(112), 밸브(114), 및 제 1 배출구(125)를 포함하여 형성될 수 있다.
[0030] 본 발명자들은, 내부 챔버 컴포넌트들(즉, 예를 들어, 기판 지지부, 펌프 링, 및 챔버 벽들을 포함할 수 있는, 내측 용적(108) 내의 컴포넌트들)의 인-시츄 세정을 위해 구성된 몇몇 통상적인 챔버들이 챔버 덮개를 통해 세정 가스 또는 가스들을 제공한다는 것을 관찰하였다. 세정 가스들은 프로세스 가스들과 동일한 또는 유사한 유동 경로를 따르는 것으로 관찰되었다. 몇몇 경우들에서, 유동 경로는 프로세싱 영역, 기판 지지 플레이트의 정상부 표면 및 펌프 링을 포함한다. 그러나, 몇몇 프로세스 가스들 또는 프로세스 부산물들은 비-프로세싱 영역으로 이동하여, 다수의 프로세스 사이클들에 걸쳐 축적된다. 프로세스 가스들 및 프로세스 부산물들은 몇몇 조건들 하에서 프로세싱 영역으로 진입할 수 있고, 프로세싱 영역 및 프로세싱을 겪고 있는 기판의 오염을 야기할 수 있다. 따라서, 본 발명자들은 본원에서, 프로세싱 영역의 세정과 마찬가지로 비-프로세싱 영역이 세정될 수 있는, 챔버 컴포넌트들의 더 완전한 인-시츄 세정을 제공할 수 있는 장치 및 방법을 제시한다.
[0031] 도 2는 본 개시물의 실시예들에 따른, 프로세스 챔버의 인-시츄 세정 방법(200)의 개요를 서술하는(outlining) 흐름도이다. 방법은 일반적으로, 세정 가스가, 챔버 플로어(104)를 통하는 유동 채널(제 2 유동 채널(132))을 통해 챔버(100)의 내측 용적(108)에 도입되는 202에서 시작한다. 내측 용적(108)을 통하는 하나 또는 그 초과의 세정 가스들의 원하는 유동 경로를 제공하기 위해, 하나 또는 그 초과의 유동 채널들이, 챔버 플로어(104) 및 가열기 플레이트(130)(존재하는 경우)를 통해 제공될 수 있고 포지셔닝될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 3개의 제 2 유동 채널들(132)이, 챔버의 중앙으로부터 방사상으로 오프셋되고(radially offset) 약 120도 각을 이루어 이격되어 제공될 수 있다. 제 2 유동 채널들(132)의 다른 구성들이 예상된다.
[0032] 204에서, 세정 가스를 위한 선택 가능한 제 1 유동 경로(176)가 제공된다. 제 1 유동 경로(176)는 제 2 유동 채널(132), 챔버(100)의 내측 용적(108), 펌프 링(138), 및 제 2 배출구(154)를 포함한다. 제 1 유동 경로(176)는 플레이트(160)의 정상부 표면(168) 아래의, 내측 용적(108)의 부분을 포함하고, 펌프 링(138) 및 챔버 플로어(104)(또는, 존재하는 경우, 가열기 플레이트(130))에 의해 한정된다. 이러한 영역은 적절하게, 비-프로세싱 영역으로 지칭될 수 있는데, 이는, 기판 프로세싱이, 내측 용적(108)의 이러한 부분에서는 수행되지 않기 때문이다. 그러나, 오염 물질들은 비-프로세싱 영역에 형성될 수 있는데, 이는, 비-프로세싱 영역 내로의 프로세스 가스들 또는 프로세스 부산물들의 이동에 의해 야기된다고 여겨진다. 챔버들의 인-시츄 세정은 비-프로세싱 영역의 오염을 제거하는 데에는 비효과적이었다. 챔버(100)의 비-프로세싱 영역 내로의 세정 가스의 의도적인(purposeful) 유동은 효과적인 인-시츄 세정 프로세스를 제공하기에 충분한 세정 가스를 유리하게 제공할 수 있다.
[0033] 206에서, 세정 가스를 위한 선택 가능한 제 2 유동 경로(178)가 제공된다. 제 2 유동 경로(178)는 제 2 유동 채널(132), 내측 용적(108), 제 1 유동 채널(112), 및 제 1 배출구(125)를 포함한다. 제 2 유동 경로(178)는, 플레이트(160)의 정상부 표면(168), 챔버 덮개(106) 및 펌프 링(138)에 의해 한정되는 프로세싱 영역뿐만 아니라 챔버의 비-프로세싱 영역도 포함한다. 프로세싱 영역은, 플레이트(160)의 정상부 표면(168)에 의해 지지되는 기판이 프로세싱되는 지역을 포함하기 때문에, 프로세싱 영역은 적절하게 이름지어진다(named).
[0034] 208에서, 가스, 예를 들어, 제 1 가스 공급부(118)로부터의 세정 가스를 위한 선택적인 선택 가능한 제 3 유동 경로(180)가 제공된다.
[0035] 210에서, 세정 가스 유동 경로를 제공하기 위해, 제 1 유동 경로(176), 제 2 유동 경로(178), 및 제 3 유동 경로(180) 중 하나 또는 그 초과 사이에서 선택이 이루어지는데, 세정 가스 유동 경로는, 세정 가스를 세정 가스 공급부로부터 챔버(100)의 내측 용적(108)을 통해 유동시키기 위해 이용 가능한 유동 경로이다. 선택되는 유동 경로들은 가스 또는 세정 가스를 내측 용적(108)을 통해 유동시키기 위해 임의의 순서로 순차적으로(sequentially) 선택될 수 있다. 특정 조건들 하에서, 유동 경로들 중 몇몇은, 이하에서 더 상세하게 논의되는 바와 같이, 동시에 선택될 수 있다.
[0036] 도 1에 예시되고 상기 설명된 바와 같이, 제 1 가스 공급부(118)로부터의 가스는 챔버 덮개(106)를 통해 챔버(100)의 내측 용적(108)에 공급될 수 있거나, 제 2 가스 공급부(134)는 챔버 플로어(104)를 통해 내측 용적(108) 내로 공급될 수 있다.
[0037] 제 3 유동 경로(180)는, 챔버 덮개(106)를 통해 내측 용적(108) 내에 제공되는 가스를 위해 제공된다. 제 3 유동 경로는 프로세싱 영역(172), 펌프 링(138), 밸브(151), 및 제 2 배출구(154)를 포함한다.
[0038] 챔버 플로어(104)를 통해 내측 용적(108)에 공급되는 가스를 위해 2개의 유동 경로들이 제공된다. 제 1 유동 경로(176)는 내측 용적(108)의 비-프로세싱 영역(174), 펌프 링(138), 밸브(151), 및 제 2 배출구(154)를 포함한다. 밸브(151)를 개방하는 것은, 가스, 예를 들어, 제 2 가스 공급부(134)로부터 공급되는 세정 가스를 챔버 컴포넌트들을 통해 유동시키고, 예를 들어, 제 2 배출구(154)를 통해 챔버를 빠져나가게 하도록, 제 1 유동 경로를 이용 가능하게 한다. 유동을 용이하게 하기 위해, 챔버를 통하는 유동을 촉진하도록(encourage), 펌프(제 2 펌프(150))가 제공될 수 있다.
[0039] 제 2 유동 경로(178)는 비-프로세싱 영역(174), 프로세싱 영역(172), 제 1 유동 채널(112), 밸브(114) 및 제 1 배출구(125)를 포함한다. 내측 용적(108)을 제 1 배출구(125)에 대해 개방하는 포지션에 밸브(114)를 포지셔닝하는 것은, 가스, 예를 들어, 제 2 가스 공급부(134)로부터 공급되는 세정 가스를 챔버 컴포넌트들을 통해 유동시키고, 예를 들어, 제 1 배출구(125)를 통해 챔버를 빠져나가게 하도록, 제 2 유동 경로(178)를 이용 가능하게 한다. 유동을 용이하게 하기 위해, 챔버(100)를 통하는 유동을 촉진하도록, 펌프(제 1 펌프(122))가 제공될 수 있다.
[0040] 제 1 유동 경로(176) 또는 제 2 유동 경로(178)의 선택은 다른 유동 경로의 조건(이용 가능하거나 이용 가능하지 않음)과 독립적인데, 즉, 하나의 유동 경로는 다른 유동 경로의 이용 가능성과 관계없이 선택될 수 있고 이용 가능하게 될 수 있다. 예를 들어, 제 1 유동 경로(176)가 이용 가능하게 될 수 있는 동안, 제 2 유동 경로(178)는 이용 가능하거나 이용 가능하지 않다. 제 2 유동 경로(178)가 이용 가능하게 되는 경우에 제 1 유동 경로에 대해서도 마찬가지이다.
[0041] 제공되는 경우, 제 3 유동 경로(180)에 대한 선택은, 제 1 유동 경로(176)와 동시에 또는 개별적으로 선택될 수 있고 이용 가능할 수 있다. 제 1 유동 경로(176)와 제 3 유동 경로(180)가 동시에 이용 가능한 경우, 2개의 유동 경로들은, 내측 용적(108) 내로 유동되는 가스를 제거하기 위해, 펌프 링(138) 및 제 2 배출구(154)를 활용할 것이다.
[0042] 212에서, 가스, 예를 들어, 세정 가스는, 챔버(100)의 내측 용적(108)의 인-시츄 세정을 제공하기 위해, 하나 또는 그 초과의 선택된 유동 경로들로 도입된다. 제 1 유동 경로(176)는, 비-프로세싱 영역(174)의 경계(boundary) 표면들 중 적어도 일부를, 제 1 유동 경로(176)에서 유동되는 가스에 노출시킨다. 제 2 유동 경로(178)는, 비-프로세싱 영역(174)의 경계 표면들 중 적어도 일부 및 프로세싱 영역(172) 중 적어도 일부를, 제 2 유동 경로(178)에서 유동되는 가스에 노출시킨다.
[0043] 본 발명자들은, 개시된 인-시츄 세정 방법의 다수의 이익들을 주지하였다. 세정 가스를 챔버(100)의 비-프로세싱 영역(174)에 제공함으로써, 프로세스 가스들 또는 프로세스 부산물들로 오염될 수 있는 표면들이 세정 가스에 의해 접촉되어, 적어도 부분적으로 세정될 수 있다. 이는, 비-프로세싱 영역(174)으로부터 벗어나고 프로세싱 영역(172)에 진입하는 오염 물질들 및 프로세싱되고 있는 기판의 잠재적인 오염에 대한 가능성을 감소시킨다. 개시된 방법은, 세정을 위해 챔버(100)가 서비싱되지 않는(placed out of service) 시간의 기간(종종, 비가동 시간(down-time)으로 지칭됨)을 감소시킬 수 있다. 개시된 인-시츄 세정 프로세스는 챔버의 프로세싱 온도에서 또는 프로세싱 온도 근처에서 일어날 수 있고, 챔버(100)를 세정하기 위한 냉각 시간 및 서비싱하기 위해 챔버(100)를 복귀시키는(return) 재가열 시간을 감소시키거나 제거한다. 이러한 그리고 다른 이익들은, 본 발명의 개시된 방법을 실시할 때 실현될 수 있다.
[0044] 전술한 내용은 본 개시물의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시물의 다른 그리고 추가적인 실시예들은 본 개시물의 기본 범위에서 벗어나지 않고 안출될 수 있다.

Claims (15)

  1. 기판 프로세싱 챔버로서,
    내측 용적을 에워싸는 챔버 본체;
    상기 챔버 본체의 상부 부분에 제거 가능하게(removably) 커플링된 챔버 덮개 ― 상기 챔버 덮개는, 상기 내측 용적에 유체적으로(fluidly) 커플링되고, 선택적으로 상기 내측 용적을 제 1 배출구에 대해 개방하거나 상기 내측 용적을 상기 제 1 배출구로부터 밀봉하도록(seal) 이루어진 제 1 유동 채널을 포함함 ―;
    상기 챔버 본체의 하부 부분에 커플링된 챔버 플로어 ― 상기 챔버 플로어는, 상기 내측 용적에 유체적으로 커플링되고, 선택적으로 상기 내측 용적을 제 1 유입구에 대해 개방하거나 상기 내측 용적을 상기 제 1 유입구로부터 밀봉하도록 이루어진 제 2 유동 채널을 포함함 ―; 및
    상기 내측 용적에 배치되고 상기 내측 용적과 유체 연통하는(in fluid communication with) 펌프 링 ― 상기 펌프 링은, 하부 챔버에 유체적으로 커플링된 상부 챔버, 및 상기 하부 챔버에 유체적으로 커플링되고, 선택적으로 상기 내측 용적을 제 2 배출구에 대해 개방하거나 상기 내측 용적을 상기 제 2 배출구로부터 밀봉하도록 이루어진 제 2 배출구를 포함함 ― 을 포함하고,
    상기 제 2 유동 채널, 상기 내측 용적, 상기 펌프 링, 및 상기 제 2 배출구는 제 1 유동 경로를 구성하고, 상기 제 2 유동 채널, 상기 내측 용적, 상기 제 1 유동 채널, 및 상기 제 1 배출구는 제 2 유동 경로를 구성하는,
    기판 프로세싱 챔버.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 유동 채널은, 선택적으로 상기 내측 용적을 제 2 유입구에 대해 개방하거나 상기 내측 용적을 상기 제 2 유입구로부터 밀봉하도록 추가적으로 이루어진,
    기판 프로세싱 챔버.
  3. 제 2 항에 있어서,
    프로세스 가스 또는 세정 가스 중 적어도 하나를 제공하기 위해 상기 제 2 유입구에 커플링된 제 2 가스 공급부를 더 포함하는,
    기판 프로세싱 챔버.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 내측 용적에 배치된 기판 지지부를 더 포함하고, 상기 기판 지지부는, 정상부 표면을 갖는 플레이트를 포함하며, 상기 플레이트는 샤프트에 의해 지지되고, 상기 플레이트는 상기 내측 용적을 상기 정상부 표면과 상기 챔버 덮개 사이의 프로세싱 영역과, 상기 정상부 표면과 상기 챔버 플로어 사이의 비-프로세싱 영역으로 분리하는,
    기판 프로세싱 챔버.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 유동 경로의 부분은 상기 비-프로세싱 영역의 부분을 포함하는,
    기판 프로세싱 챔버.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 유동 경로의 부분은 상기 비-프로세싱 영역의 부분을 포함하거나; 또는
    상기 제 2 유동 경로의 부분은 상기 프로세싱 영역을 포함하는,
    기판 프로세싱 챔버.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 내측 용적이 선택적으로 제 1 가스 공급부에 대해 개방될 수 있고 상기 제 1 배출구에 대해 폐쇄될 수 있도록, 상기 제 1 배출구에 대해 개방될 수 있고 상기 제 1 가스 공급부에 대해 폐쇄될 수 있도록, 또는 상기 제 1 가스 공급부 및 상기 제 1 배출구 양자 모두에 대해 폐쇄될 수 있도록, 밸브를 통해 상기 제 1 유동 채널에 유체적으로 커플링된 제 1 가스 공급부를 더 포함하는,
    기판 프로세싱 챔버.
  8. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 유동 경로 및 상기 제 2 유동 경로는 동시에 개방되도록, 순차적으로(sequentially) 개방되도록, 또는 폐쇄되도록 선택 가능한,
    기판 프로세싱 챔버.
  9. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    선택적으로 상기 내측 용적을 상기 제 1 배출구에 대해 또는 제 1 가스 유입구에 대해 개방하도록 이루어진, 상기 제 1 유동 채널에 유체적으로 커플링된 밸브를 더 포함하는,
    기판 프로세싱 챔버.
  10. 제 9 항에 있어서,
    제 3 유동 경로는 프로세싱 영역, 상기 펌프 링, 상기 밸브, 및 상기 제 2 배출구를 포함하는.
    기판 프로세싱 챔버.
  11. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 챔버 덮개의 내측 표면을 약 100℃ 내지 약 300℃의 세정 온도로 가열하기 위해 상기 챔버 덮개에 배치된 가열기; 또는
    상기 챔버 플로어 및 상기 펌프 링의 내측 대면 표면(inner facing surface)을 약 100℃ 내지 약 300℃의 세정 온도로 가열하기 위해 상기 챔버 플로어 상에 배치된 가열기 플레이트
    중 적어도 하나를 더 포함하는,
    기판 프로세싱 챔버.
  12. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 챔버를 통하는 유동을 용이하게 하기 위해 상기 제 1 배출구 및 상기 제 2 배출구 중 하나 또는 그 초과에 유체적으로 커플링된 하나 또는 그 초과의 펌프들을 더 포함하는,
    기판 프로세싱 챔버.
  13. 프로세스 챔버의 세정 방법으로서,
    챔버 플로어를 통하는 제 2 유동 채널을 통해 세정 가스를 챔버 본체의 내측 용적에 도입하는 단계;
    상기 제 2 유동 채널, 챔버의 내측 용적, 챔버 내의 펌프 링, 및 제 2 배출구를 포함하는, 상기 세정 가스를 위한 선택 가능한 제 1 유동 경로를 제공하는 단계;
    상기 제 2 유동 채널, 상기 챔버의 내측 용적, 제 1 유동 채널, 및 챔버 덮개를 통하는 제 1 배출구를 포함하는, 상기 세정 가스를 위한 선택 가능한 제 2 유동 경로를 제공하는 단계; 및
    세정 가스 유동 경로를 제공하기 위해 유동 경로를 선택하는 단계를 포함하는,
    프로세스 챔버의 세정 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 유동 경로를 선택하는 단계는, 이하의,
    제 1 세정 가스 유동 경로를 제공하기 위해 상기 제 1 유동 경로를 선택하는 것; 또는
    제 2 세정 가스 유동 경로를 제공하기 위해 상기 제 2 유동 경로를 선택하는 것;
    중 하나 또는 양자 모두를 포함하고,
    상기 제 1 유동 경로 및 상기 제 2 유동 경로 양자 모두가 선택된 경우, 그러면 상기 제 1 세정 가스 유동 경로는 상기 제 2 세정 가스 유동 경로와 동시에 또는 순차적으로 제공되는,
    프로세스 챔버의 세정 방법.
  15. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
    상기 챔버 플로어 및 상기 펌프 링의 내측 대면 표면을 약 100℃ 내지 약 300℃의 세정 온도로 가열하는 것; 또는
    상기 챔버 덮개의 내측 표면을 약 100℃ 내지 약 300℃의 세정 온도로 가열하는 것
    중 적어도 하나를 더 포함하는,
    프로세스 챔버의 세정 방법.
KR1020167017761A 2013-12-02 2014-12-02 프로세스 챔버의 인-시츄 세정을 위한 방법들 및 장치 KR102357845B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361910946P 2013-12-02 2013-12-02
US61/910,946 2013-12-02
US14/557,671 US9627185B2 (en) 2013-12-02 2014-12-02 Methods and apparatus for in-situ cleaning of a process chamber
PCT/US2014/068124 WO2015084825A1 (en) 2013-12-02 2014-12-02 Methods and apparatus for in-situ cleaning of a process chamber
US14/557,671 2014-12-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160094424A true KR20160094424A (ko) 2016-08-09
KR102357845B1 KR102357845B1 (ko) 2022-01-28

Family

ID=53274025

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167017761A KR102357845B1 (ko) 2013-12-02 2014-12-02 프로세스 챔버의 인-시츄 세정을 위한 방법들 및 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9627185B2 (ko)
EP (1) EP3077568B1 (ko)
JP (1) JP6506757B2 (ko)
KR (1) KR102357845B1 (ko)
CN (2) CN105765103B (ko)
WO (1) WO2015084825A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11075059B2 (en) 2018-01-04 2021-07-27 Samsung Display Co., Ltd. Deposition apparatus including cleaning gas valve unit and deposition method including the same

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107452591A (zh) * 2017-05-25 2017-12-08 鲁汶仪器有限公司（比利时） 一种减少工艺腔体颗粒的系统和方法
CN107393801A (zh) * 2017-05-25 2017-11-24 鲁汶仪器有限公司（比利时） 一种减少下电极损伤的腔体清洗方法
CN107785222A (zh) * 2017-10-20 2018-03-09 上海华力微电子有限公司 一种避免腔体内部生成物堆积的装置
JP7225599B2 (ja) * 2018-08-10 2023-02-21 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
CN110899271B (zh) * 2018-09-17 2021-10-15 北京北方华创微电子装备有限公司 远程等离子源的调整装置及远程等离子源清洗系统
KR102636428B1 (ko) * 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
CN115318761B (zh) * 2022-08-16 2023-10-13 长鑫存储技术有限公司 腔室清洗方法
WO2024076479A1 (en) * 2022-10-06 2024-04-11 Lam Research Corporation Adjustable pedestal

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08115886A (ja) * 1994-08-25 1996-05-07 Tokyo Electron Ltd 処理装置及びドライクリーニング方法
JP2003197615A (ja) * 2001-12-26 2003-07-11 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法
KR20040058242A (ko) * 2001-10-26 2004-07-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 원자층 증착용 가스 전달 장치
KR20080015779A (ko) * 2006-05-03 2008-02-20 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고 종횡비 피쳐를 식각하기에 적당한 진공 처리 챔버 및 그구성 부품

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07111244A (ja) * 1993-10-13 1995-04-25 Mitsubishi Electric Corp 気相結晶成長装置
JP2845163B2 (ja) * 1994-10-27 1999-01-13 日本電気株式会社 プラズマ処理方法及びその装置
US5558717A (en) * 1994-11-30 1996-09-24 Applied Materials CVD Processing chamber
US6060397A (en) * 1995-07-14 2000-05-09 Applied Materials, Inc. Gas chemistry for improved in-situ cleaning of residue for a CVD apparatus
US5756400A (en) * 1995-12-08 1998-05-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning by-products from plasma chamber surfaces
US5988187A (en) 1996-07-09 1999-11-23 Lam Research Corporation Chemical vapor deposition system with a plasma chamber having separate process gas and cleaning gas injection ports
US7515264B2 (en) * 1999-06-15 2009-04-07 Tokyo Electron Limited Particle-measuring system and particle-measuring method
JP4663059B2 (ja) * 2000-03-10 2011-03-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置のクリーニング方法
JP4754080B2 (ja) * 2001-03-14 2011-08-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置のクリーニング方法及び基板処理装置
KR20030012565A (ko) * 2001-08-01 2003-02-12 나기창 플라즈마를 이용한 반도체 웨이퍼 클리닝 장치
JP4355321B2 (ja) * 2005-03-04 2009-10-28 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置
US20070080141A1 (en) * 2005-10-07 2007-04-12 Applied Materials, Inc. Low-voltage inductively coupled source for plasma processing
US7476291B2 (en) * 2006-09-28 2009-01-13 Lam Research Corporation High chamber temperature process and chamber design for photo-resist stripping and post-metal etch passivation
US20080118663A1 (en) * 2006-10-12 2008-05-22 Applied Materials, Inc. Contamination reducing liner for inductively coupled chamber
US20090114245A1 (en) 2007-11-02 2009-05-07 Hidehiro Kojiri In-situ chamber cleaning method
JP5820143B2 (ja) * 2010-06-22 2015-11-24 株式会社ニューフレアテクノロジー 半導体製造装置、半導体製造方法及び半導体製造装置のクリーニング方法
EP2602356A1 (en) * 2010-08-06 2013-06-12 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Vacuum processing apparatus and plasma processing method
WO2012027187A1 (en) * 2010-08-25 2012-03-01 Linde Aktiengesellschaft Deposition chamber cleaning using in situ activation of molecular fluorine
CN102899636B (zh) * 2012-09-26 2015-12-09 中微半导体设备(上海)有限公司 一种原位清洁mocvd反应腔室的方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08115886A (ja) * 1994-08-25 1996-05-07 Tokyo Electron Ltd 処理装置及びドライクリーニング方法
KR20040058242A (ko) * 2001-10-26 2004-07-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 원자층 증착용 가스 전달 장치
JP2003197615A (ja) * 2001-12-26 2003-07-11 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法
KR20080015779A (ko) * 2006-05-03 2008-02-20 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고 종횡비 피쳐를 식각하기에 적당한 진공 처리 챔버 및 그구성 부품

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11075059B2 (en) 2018-01-04 2021-07-27 Samsung Display Co., Ltd. Deposition apparatus including cleaning gas valve unit and deposition method including the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN109585248B (zh) 2021-04-20
EP3077568A1 (en) 2016-10-12
CN105765103A (zh) 2016-07-13
CN109585248A (zh) 2019-04-05
US20150155142A1 (en) 2015-06-04
CN105765103B (zh) 2018-09-25
KR102357845B1 (ko) 2022-01-28
US9627185B2 (en) 2017-04-18
EP3077568B1 (en) 2019-02-20
WO2015084825A1 (en) 2015-06-11
EP3077568A4 (en) 2017-08-30
JP6506757B2 (ja) 2019-04-24
JP2017505377A (ja) 2017-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102357845B1 (ko) 프로세스 챔버의 인-시츄 세정을 위한 방법들 및 장치
JP7235678B2 (ja) 真空分離及び前処理環境を伴う高圧アニールチャンバ
JP6746730B2 (ja) 冷却された真空閉じ込め容器を備えるホットウォールリアクタ
TWI564429B (zh) 真空成膜裝置
KR102662703B1 (ko) 기판 근처의 전기장의 영향을 감소시키기 위한 단일-피스 프로세스 키트 실드
US20070028838A1 (en) Gas manifold valve cluster
KR20170102178A (ko) 일체형 프로세스 키트 쉴드
KR102190954B1 (ko) 서멀 초크 및 냉각을 갖는 고온 페이스플레이트
JP6976043B2 (ja) 原子層堆積中における化学物質の制御された分離および送出により低欠陥処理を可能にするシステムおよび方法
JP7114270B2 (ja) タンデム処理領域を有するプラズマチャンバ
CN110050333B (zh) 时间性原子层沉积处理腔室
KR20160076456A (ko) 높은 처리량의 프로세싱 챔버를 위한 프로세스 키트
CN117295845A (zh) 用于基板处理腔室的清洁组件
KR20230024400A (ko) 고온 화학 기상 증착 덮개
KR101966049B1 (ko) 기판처리장치 및 그 세정방법
CN110120360A (zh) 用于衬底脱气的室
KR20110082304A (ko) 포러스 척 세정 장치
JP7494291B2 (ja) 半導体装置用の収着チャンバ壁

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant