JP4067633B2

JP4067633B2 - 処理装置

Info

Publication number: JP4067633B2
Application number: JP7343098A
Authority: JP
Inventors: 俊明遠藤; 力友吉
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1998-03-06
Filing date: 1998-03-06
Publication date: 2008-03-26
Anticipated expiration: 2018-03-06
Also published as: JPH11260881A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近，半導体装置の製造工程においては，スループットの向上や半導体装置の汚染防止などの観点から，ロードロック室などのトランスファチャンバ（以下，「ＴＣ」と称する。）を中心として，その周囲にエッチング装置やＣＶＤ装置や冷却装置などの各種プロセスチャンバ（以下，「ＰＣ」と称する。）や，カセットチャンバを接続した，いわゆるクラスタ装置化されたマルチチャンバ方式の処理装置が使用されている。
【０００３】
この処理装置は，ＴＣ内に配置された搬送装置，例えば搬送アームの作動により，まずカセットチャンバ内のカセットに収容された被処理体，例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」と称する。）をＴＣ内に搬送した後，そのウェハの位置決めを行う。次いで，ＴＣ内のウェハを，例えばエッチング装置のＰＣ内に搬送し，そのウェハにエッチング処理を施した後，再びウェハをＴＣ内に搬送する。さらに，ＴＣ内に搬送されたウェハを各ＰＣ内に順次搬送して，そのウェハに所定の処理を施した後，カセットチャンバ内のカセットに再びウェハを回収するように構成されている。
【０００４】
また，ＴＣを囲う真空容器（以下，「ＴＣ容器」という。）と，ＰＣを囲う真空容器，すなわち処理容器は，接続用のアダプタを介して接続されている。このアダプタは，例えばアルミニウムから成り，ＴＣ容器の内壁面と外壁面を連通するウェハの搬入出用の開口部であるゲートと，ＰＣの内壁面と外壁面を連通するウェハの搬入出用の開口部であるゲートとの間に配置されている。さらに，接続時の強度を保つため，アダプタのＴＣ容器側面と処理容器側面とが，それぞれに対応して，ＴＣ容器の外壁面と処理容器の外壁面に密着するように取り付けられている。
【０００５】
また，アダプタには，ＴＣ内とＰＣ内との間でウェハを搬入出するための搬送路（貫通口）が形成されており，この搬送路を介してＴＣ容器のゲートと処理容器のゲートが連通している。さらに，アダプタには，アダプタの挿着時に，ＴＣ内とＰＣ内を気密に接続するためのＯリングが，上記搬送路の開口部を囲うようにして設けられている。このように構成されたアダプタを用いてＴＣ容器と処理容器を接続することにより，それらＴＣ容器と処理容器の厳密な位置決めが必要なくなり，組み立て時の作業が容易になる。さらに，ＴＣ容器と処理容器に何らかの原因で荷重が負荷された場合でも，アダプタのみが破損し，それらＴＣ容器と処理容器が損傷することがない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで，ＴＣ容器と処理容器の温度が異なる場合，例えばその処理容器がエッチング装置の処理容器で，ＴＣ容器の温度よりも処理容器の温度の方が相対的に高い場合には，次のような問題が生じる。
エッチング装置では，処理容器（ＰＣ）の内壁面の温度が低いと，プラズマエッチング処理時に生じた種々の反応生成物などの付着物がＰＣの内壁面に付着・堆積し，その付着物がウェハに付着すると歩留りが低下する原因となる。さらに，その付着物をＰＣの内壁面から除去するためには，頻繁にＰＣ内のメンテナンス作業を行わなければならず，スループットが低下する。そこで，通常，ＰＣを囲う処理容器の壁部内にヒータを内装し，このヒータによってその壁部を介してＰＣの内壁面を加熱することにより，付着物の付着を抑制している。
【０００７】
しかしながら，上述の如く加熱された処理容器とアダプタ，およびそのアダプタとＴＣ容器が各々密着していると，処理容器の熱がアダプタを介してＴＣ容器に逃げてしまう。その結果，ＰＣの内壁面が所定の温度に加熱されるまでに時間がかかるため，迅速に処理を開始することができず，スループットが低下する。さらに，ＰＣの内壁面の全面を所定温度に均一に加熱するためには，大きなエネルギ（電力）が必要となり，いわゆる省エネルギ化を図ることができない。
【０００８】
また，ＴＣ内には，上述の如く搬送アームなどの搬送装置が配置されているため，ＴＣ容器に伝熱された熱でＴＣ内の温度が上昇すると，搬送機構の駆動部の摩耗量が増加する。その結果，該駆動部の摩耗により生じたパーティクルがウェハに付着すると，歩留りが低下する。さらに，該駆動部の摩耗の増加に伴って，その駆動部を構成する各種部材のメンテナンスも頻繁に行わなければならない。
【０００９】
本発明は，従来の技術が有する上記のような問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の第１の目的は，アダプタを用いて少なくとも２つの真空容器を相互に接続した場合に，そのアダプタを介して各真空容器間で熱が移動することを抑制することが可能な，新規かつ改良された処理装置を提供することである。
【００１０】
また，従来，上述したＴＣ容器と処理容器との間での熱の移動を抑制するため，アダプタの挿着時に，処理容器とアダプタとの間に隙間が形成されるように，アダプタの処理容器側面に断熱部材を点在させる技術が提案されている。しかしながら，該アダプタは，上記熱の移動を抑制することができる反面，アダプタの処理容器側面と処理容器の外壁面との接触面積が減少するため，アダプタの強度が低下する。さらに，ボルトなどの締結部材を貫装する位置も制限される。その結果，上記断熱部材や締結部材に負荷される処理容器やＴＣ容器の荷重が増加し，アダプタが破損し易くなる。
【００１１】
本発明は，従来の技術が有する上記のような問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の第２の目的は，処理容器とＴＣ容器との間での熱の移動を抑制しながら，ＴＣ容器と処理容器を確実に接続することが可能な，新規かつ改良された処理装置を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため，本発明によれば，請求項１に記載の発明のように，少なくとも２つの真空容器を相互に接続するアダプタを備えた処理装置であって，アダプタは，被処理体を各真空容器間で搬送する搬送路と，一の真空容器から他の真空容器への伝熱経路中に設けられたバッファ空間を有することを特徴とする処理装置が提供される。
【００１３】
かかる構成によれば，アダプタには，熱の移動を阻害するバッファ空間が形成されるため，アダプタの伝熱経路中で熱が伝わり難くなり，一の真空容器からアダプタへの熱の移動や，アダプタ内での熱の移動や，アダプタから他の真空用への熱の移動を抑制することができる。また，バッファ空間は，アダプタの形状や，アダプタの材質や，真空容器の外壁面の形状や，本発明を適用する処理装置の装置設計や，アダプタ挿着時に要求される強度などの各種条件に応じて適宜形成できるため，様々な処理装置に適用することができると共に，既存の処理装置にも適用することができる。さらに，バッファ空間は，上述の如く要求される強度に応じて形成されるため，バッファ空間を形成してもアダプタが損傷し難い。
【００１４】
また，バッファ空間を，例えば請求項２に記載の発明のように，少なくとも一方の真空容器との接続面に形成されたリセス内に形成し，リセスの開口部を，アダプタの挿着時に真空容器の外壁面に開口するものとすれば，真空容器の外壁面とアダプタの接続面が接触する面積を減少させることができる。その結果，真空容器の熱がアダプタに伝わり難くなり，あるいはアダプタに伝達された熱が真空容器に伝わり難くなるため，各真空容器及びそれら真空容器内の温度を所定温度に容易に維持することができる。
【００１５】
さらに，バッファ空間を，例えば請求項３に記載の発明のように，アダプタ内に設けられた中空部内に形成すれば，アダプタ内での熱の移動を抑制することができるため，アダプタから真空容器への伝熱を抑制することができる。なお，中空部は，アダプタを２以上の部材から構成し，そのアダプタ挿着時に各部材間に形成されるように，それら一の部材の他の部材との接続面に上述したリセスを形成するように構成しても良い。また，中空部は，上記請求項１に記載の発明と同様に，本発明を適用する処理装置に応じて，適宜形成することができる。
【００１６】
さらにまた，バッファ空間を，例えば請求項４に記載の発明のように，搬送路と別構成の貫通口内に形成し，その貫通口の両開口部を，アダプタの挿着時に真空容器の外壁面に開口するものとすれば，請求項２に記載の発明と同様に，真空容器の外壁面とアダプタの接続面が接触する面積を減少させることができる。その結果，真空容器からアダプタへの熱の移動や，アダプタから真空容器への熱の移動を抑制することができるため，各真空容器やそれら真空容器内の温度を容易に制御することができる。また，貫通口は，比較的容易に形成することができるため，アダプタの生産コストを低下させることができる。さらに，中空部は，上記請求項２や請求項３に記載の発明と同様に，本発明を適用する処理装置に応じて，適宜形成することができる。
【００１７】
また，バッファ空間内に，例えば請求項５に記載の発明のように，断熱材を装填すれば，それらバッファ空間内で熱がさらに伝わり難くなり，真空容器からアダプタへの熱の移動や，アダプタ内での熱の移動や，アダプタから真空容器への熱の移動をさらに抑制することができる。
【００１８】
さらに，バッファ空間内を，例えば請求項６に記載の発明のように，搬送路内と連通させれば，その搬送路内が真空容器内と連通しているため，バッファ空間に真空引き手段を接続しなくても，バッファ空間内の圧力雰囲気を真空容器内と同一の減圧雰囲気に維持することができる。その結果，真空容器の熱がバッファ空間を介してアダプタに伝達し難くなり，さらにバッファ空間によりアダプタの熱が真空容器に伝達し難くなるため，真空容器やその真空容器内の温度を容易に調整し，維持することができる。さらに，バッファ空間を有するアダプタに真空引き手段を接続する必要がないため，装置構成を簡素化にすることができる。
【００１９】
さらにまた，バッファ空間内の圧力雰囲気を，例えば請求項７に記載の発明のように，大気圧以下に設定すれば，上記請求項６に記載の発明と同様に，アダプタを介して熱の移動が生じ難くなり，真空容器やその真空容器内の温度を所定の温度に維持することができる。また，バッファ空間内の圧力雰囲気を大気圧以下に設定する場合には，例えばバッファ空間内に真空引き手段を接続して，そのバッファ空間内を適宜真空引きするように構成しても良く，また大気圧雰囲気下でアダプタを挿着して，そのバッファ空間内を大気圧以下の圧力雰囲気に維持する構成としても良い。
【００２０】
また，アダプタを，例えば請求項８に記載の発明のように，セラミックスとアルミニウムのいずれか一方又は双方の材料から形成することができる。従って，アダプタを，アルミニウムよりも相対的に熱伝導率が低い（熱抵抗が高い）セラミックスから形成すれば，バッファ空間の形成部分以外で，アダプタの接続面と真空容器の外壁面が密着していても，アダプタでの熱の移動を減少させることができる。また，アダプタは，従来の処理装置と同様に，アルミニウムから形成することができるため，処理装置にセラミックス製のアダプタを採用できない場合でも，アルミニウム製のアダプタにバッファ空間を形成することができる。さらに，アダプタを少なくとも２以上の部材から形成する場合には，各部材を適宜セラミックスやアルミニウムから構成しても，本発明を実施することができる。
【００２１】
さらに，例えば請求項９に記載の発明のように，アダプタによってＰＣとＴＣとを相互に接続すれば，それらＴＣ内とＰＣ内の温度が異なり，ＴＣとＰＣを有する各真空容器の温度が異なっても，各真空容器間で熱の移動が生じ難くなる。その結果，ＴＣ内やＰＣ内の温度を所定温度に維持することができると共に，該温度に達するまでの時間を短縮できる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下に，添付図面を参照しながら，本発明にかかる処理装置をクラスタ装置化されたマルチチャンバ方式の処理装置に適用した実施の形態について詳細に説明する。
【００２３】
（第１の実施の形態）
（Ａ）処理装置１００の全体構成
まず，図１を参照しながら，本実施の形態を適用可能な処理装置１００の全体構成について説明する。処理装置１００は，ウェハＷに対して所定の処理を連続的に施すための装置の集合体で，ＴＣ容器（真空容器）１０２内に形成されたロードロックチャンバなどのＴＣ１０２ａを中心として，そのＴＣ１０２ａの周囲に，ＰＣを有する例えばエッチング装置１０４と，ＣＶＤ（成膜）装置１０６，１０８と，冷却装置１１０が配置されている。さらに，ＴＣ１０２ａの周囲には，カセットチャンバ１１２，１１４が配置されている。
【００２４】
また，ＴＣ１０２ａ内とエッチング装置１０４のＰＣ１０４ａは，ゲートバルブＧ１と，第１アダプタ１１６と，本実施の形態にかかる第２アダプタ１１８を介して連通している。さらに，ＴＣ１０２ａ内とＣＶＤ装置１０６のＰＣ１０６ａは，ゲートバルブＧ２と，第１アダプタ１２０と，本実施の形態にかかる第２アダプタ１２２を介して連通し，またＴＣ１０２ａ内とＣＶＤ装置１０８のＰＣ１０８ａは，ゲートバルブＧ３と，第１アダプタ１２４と，本実施の形態にかかる第２アダプタ１２６を介して連通している。さらにまた，ＴＣ１０２ａ内と冷却装置１１０のＰＣ（冷却室）１１０ａは，ゲートバルブＧ４と，第１アダプタ１２８と，本実施の形態にかかる第２アダプタ１３０を介して連通している。
【００２５】
また，ＴＣ１０２ａ内とカセットチャンバ１１２のカセット室１１２ａは，ゲートバルブＧ５を介して連通し，またＴＣ１０２ａ内とカセットチャンバ１１４のカセット室１１４ａは，ゲートバルブＧ６を介して連通している。また，図示の例では，上記第１アダプタ１１６，１２０，１２４，１２８は，各々同一に構成されていると共に，本実施の形態にかかる第２アダプタ１１８，１２２，１２６，１３０も，各々同一に構成されている。なお，それら第１アダプタ１１６，１２０，１２４，１２８と，第２アダプタ１１８，１２２，１２６，１３０の詳細な構成については，後述する。
【００２６】
また，ＴＣ１０２ａ内には，ウェハＷを搬送する搬送手段である搬送アーム１３２と，ウェハＷの位置決めを行う位置決め装置１３４が設けられている。また，カセット室１１２ａ内には，例えば未処理のウェハＷを収容するカセット１３６が配置され，カセット室１１４ａ内には，例えば処理済みのウェハＷを回収するカセット１３８が配置されている。さらに，それらカセット１３６，１３８は，それぞれに対応するカセット室１１２ａのドアバルブＤ１とカセット室１１４ａのドアバルブＤ２を介して搬入出される。
【００２７】
次に，処理装置１００によりウェハＷに対して所定の処理を行う場合の処理工程について説明する。まず，搬送アーム１３２の作動により，カセット１３６に収容されている未処理のウェハＷをＴＣ１０２ａ内に搬送し，さらにそのウェハＷを位置決め装置１３４上に載置してウェハＷの位置決めを行う。次いで，そのウェハＷを搬送アーム１３２によってＰＣ１０４ａ内に搬送した後，ウェハＷにエッチング処理を施す。次いで，そのウェハＷを搬送アーム１３２により，順次ＴＣ１０２ａを介してＰＣ１０６ａ内とＰＣ１０８ａ内に搬送し，ウェハＷに成膜処理を施す。そして，そのウェハＷを搬送アーム１３２によりＰＣ１１０ａ内に搬送して冷却した後，カセット１３８に回収する。
【００２８】
（Ｂ）ＴＣ容器１０２と各処理装置の処理容器の接続構成
次に，ＴＣ容器１０２と，エッチング装置１０４やＣＶＤ装置１０６，１０８や冷却装置１１０の処理容器の接続構成について説明する。ただし，上述の如く，第１アダプタ１１６，１２０，１２４，１２８は，略同一に構成され，さらに第２アダプタ１１８，１２２，１２６，１３０も略同一に構成されているため，ＴＣ容器１０２とエッチング装置１０４の処理容器１４０の接続構成のみを例に挙げて説明する。
【００２９】
（１）エッチング装置１０４の全体構成
まず，図２を参照しながら，エッチング装置１０４の全体構成について説明する。エッチング装置１０４のＰＣ（処理室）１０４ａは，アルミニウムなどの導電性材料から成る気密な処理容器（真空容器）１４０内に形成されており，そのＰＣ１０４ａ内には，ウェハＷの載置台を兼ねた導電性の下部電極１４２が配置されている。また，下部電極１４２は，昇降軸１４４の作動により上下動自在に構成されており，昇降軸１４４の周囲には，ベローズ１４６が配置されている。また，下部電極１４２の載置面には，高圧直流電源１５０に接続された静電チャック１４８が設けられている。さらに，下部電極１４２には，整合器１５２を介して，所定の高周波電力を出力する高周波電源１５４が接続されている。
【００３０】
また，下部電極１４２の載置面と対向するＰＣ１０４ａの天井部には，上部電極１５６が形成されている，さらに，この上部電極１５６には，ＰＣ１０４ａ内に処理ガスを噴出するための多数のガス噴出孔１５６ａが設けられており，それらガス噴出孔１５６ａには，ガス供給管１５８を介して不図示のガス供給源が接続されている。また，ＰＣ１０４ａの下方には，ＰＣ１０４ａ内を真空引きし，所定の減圧雰囲気に維持する真空ポンプなどの真空引き手段に接続された排気管１６０が接続されている。また，該エッチング装置１０４には，上部電極１５６と下部電極１４２との間に形成されるプラズマ領域に回転磁界を形成するための磁石１６２がＰＣ１０４ａの周囲を囲うように配置されている。
【００３１】
また，処理容器１４０を構成する壁部内，例えばＰＣ１０４ａの側壁部１４０ａ内には，電源１６６に接続されたヒータ１６４が内装されている。従って，その電源１６６からヒータ１６４に所定の電力を印加すると，処理容器１４０を介してＰＣ１０４ａの内壁面が所定温度，例えば４０℃〜６０℃に加熱されるため，エッチング処理時に生じる反応生成物などの付着物がＰＣ１０４ａの内壁面に付着することを抑制できる。
【００３２】
（２）第１アダプタ１１６と第２アダプタ１１８の構成
次に，図２〜図４を参照しながら，ＴＣ容器１０２と処理容器１４０を接続する第１アダプタ１１６と，本実施の形態にかかる第２アダプタ１１８の構成について詳細に説明する。ＴＣ容器１０２と処理容器１４０は，図２及び図３に示すように，ＴＣ容器１０２側に配置され，例えばＴＣ容器１０２や処理容器１４０と同一のアルミニウムから成る第１アダプタ１１６と，処理容器１４０側に配置され，例えばセラミックスから成る本実施の形態にかかる第２アダプタ１１８によって接続されている。
【００３３】
また，第１アダプタ１１６は，従来のアダプタと略同一に構成されており，第２アダプタ１１８の厚みよりも相対的に厚い略板状部材から形成されている。さらに，第１アダプタ１１６には，処理容器１４０からＴＣ容器１０２方向に向かって，順次第１の段部１１６ａと第２の段部１１６ｂが形成されている。また，第２の段部１１６ｂは，ＴＣ容器１０２の側壁部に形成されたＴＣ１０２ａの内壁面と外壁面を連通する第１ゲート１０２ｂと気密に嵌合可能な形状に形成されている。さらに，第１アダプタ１１６には，ＴＣ１０２ａ内と連通し，搬送アーム１３２上に保持されたウェハＷが通過可能な第１搬送路１１６ｃが形成されている。
【００３４】
また，アダプタの挿着時には，第１アダプタ１１６とＴＣ容器１０２との間に，第１搬送路１１６ｃの開口部を囲うようにＯリング１６８が介装され，さらに第１アダプタ１１６と第２アダプタ１１８との間にも，第１搬送路１１６ｃの開口部を囲うようにＯリング１７０が介装されるため，第１搬送路１１６ｃ内の気密性を保つことができる。また，ＴＣ１０２ａ内のゲートバルブＧ１は，第１アダプタ１１６の挿着時に，第１搬送路１１６ｃのＴＣ１０２側開口部を覆うことが可能なように配置されている。従って，ゲートバルブＧ１の開閉動作によって，ＴＣ１０２ａ内とＰＣ１０４ａ内を適宜気密に遮断することができる。
【００３５】
次に，図３及び図４を参照しながら，本実施の形態にかかる第２アダプタ１１８の構成について説明する。第２アダプタ１１８は，上述の如く従来のアダプタとは異なり，熱伝導率が低く，すなわち熱抵抗が高く，ＴＣ容器１０２と処理容器１４０の機械的な接続に耐え得る強度を備えた材料，例えばセラミックスから形成されている。従って，ヒータ１６４によって加熱された処理容器１４０の熱が，第２アダプタ１１８を介して第１アダプタ１１６に伝達され難くなり，処理容器１４０の放熱とＴＣ容器１０２の加熱を抑制することができる。
【００３６】
また，第２アダプタ１１８は，図示の例では，第１アダプタ１１６の厚みよりも相対的に薄い略板状部材から形成されており，第１アダプタ１１６と処理容器１４０の外壁面と接続可能な形状となっている。さらに，第２アダプタ１１８には，第１搬送路１１６ｃと連通し，第１搬送路１１６ｃと同様に搬送アーム１３２上に保持されたウェハＷが通過可能な第２搬送路１１８ａが形成されている。また，この第２搬送路１１８ａは，処理容器１４０の側壁部１４０ａに形成されたＰＣ１０２ａの内壁面と外壁面を連通する第２ゲート１４０ｂとも連通している。また，第２ゲート１４０ｂも，第１搬送路１１６ｃと第２搬送路１１８ａと同様に，搬送アーム１３２上に保持されたウェハＷが通過可能な形状となっている。
【００３７】
また，アダプタの挿着時には，第２アダプタ１１８と処理容器１４０との間にも，第２搬送路１１８ａの開口部を囲うようにＯリング１７２が介装されるため，ＰＣ１０４ａ内やＴＣ１０２ａ内を気密に維持することができる。さらに，第２アダプタ１１８には，図４に示すように，不図示のボルトを挿入可能な例えば６個のボルト挿入用貫通口１７４が形成されている。また，第１アダプタ１１６には，それらボルト挿入用貫通口１７４に対応して，不図示のボルト挿入用貫通口が形成されている。
【００３８】
次に，図４を参照しながら，第２アダプタ１１８に形成される本実施の形態にかかるリセス（凹部），例えば座ぐり穴１１８ｂ，１１８ｃ，１１８ｄ，１１８ｅについて説明する。第２アダプタ１１８の処理容器１４０側面には，図４に示すように，略溝状の本実施の形態にかかる例えば４個の座ぐり穴１１８ｂ，１１８ｃ，１１８ｄ，１１８ｅが設けられている。図示の例では，座ぐり穴１１８ｂと座ぐり穴１１８ｃが同形に形成されていると共に，座ぐり穴１１８ｄと座ぐり穴１１８ｅが同形に形成されている。
【００３９】
さらに，図示の例では，座ぐり穴１１８ｂと座ぐり穴１１８ｃは，第２搬送路１１８ａの開口部の下方に配置されていると共に，座ぐり穴１１８ｄと座ぐり穴１１８ｅは，第２搬送路１１８ａを挟んで，その第２搬送路１１８ａの長手方向に対称に配置されている。従って，第２アダプタ１１８の第２搬送路１１８ａの開口方向の厚みは，座ぐり穴１１８ｂ，１１８ｃ，１１８ｄ，１１８ｅの形成部分で相対的に薄くなっている。
【００４０】
かかる構成により，第２アダプタ１１８の挿着時には，座ぐり穴１１８ｂ，１１８ｃ，１１８ｄ，１１８ｅの底面と側壁部１４０ａの外壁面との間に所定のバッファ空間が形成されため，それら第２アダプタ１１８と側壁部１４０ａの接触面積を減少させることができる。その結果，処理容器１４０の熱が第２アダプタ１１８に伝わり難くなるため，処理容器１４０の熱が第２アダプタ１１８を介して第１アダプタ１１６に伝達され，さらに第１アダプタ１１６とＴＣ容器１０２を介してＴＣ１０２ａ内に伝達されることを抑制することができる。
【００４１】
（３）ＴＣ１０２ａ内とＰＣ１０４ａ内との間でのウェハＷの搬入出工程と，そのウェハＷに対するエッチング処理工程
次に，再び図２を参照しながら，ＴＣ１０２ａ内とＰＣ１０４ａ内との間でのウェハＷの搬入出工程と，ＰＣ１０４ａ内に搬入されたウェハＷに対するエッチング工程について説明する。
【００４２】
まず，搬送アーム１３２の作動により，ＴＣ１０２ａ内の搬送アーム１３２上に保持されているウェハＷを，開放されたゲートバルブＧ１と第１搬送路１１６ｃと第２搬送路１１８ａと第２ゲート１４０ｂを介して，ＰＣ１０４ａの相対的に下方に配された下部電極１４２上に載置する。この際，ヒータ１６４により処理容器１４０が加熱され，ＰＣ１０４ａの内壁面が所定の温度，例えば４０℃〜６０℃に維持されている。本実施の形態では，上述した第２アダプタ１１８を採用しているため，短時間かつ少ないエネルギでＰＣ１０４ａの内壁面を加熱することができる。また，ＴＣ１０２ａ内とＰＣ１０４ａ内は，同一の減圧雰囲気，例えば１０^-5Ｔｏｒｒ〜１０^-4Ｔｏｒｒに維持されている。
【００４３】
次いで，ＰＣ１０４ａ内の搬送アーム１３２を共通移載室１０２に退避させて，ゲートバルブＧ１を閉鎖した後，ガス噴出孔１５６ａからＣＦ₄やＣ₄Ｆ₈などの処理ガスをＰＣ１０４ａ内に導入する。同時に，排気管１６０を介してＰＣ１０４ａ内を真空引きし，ＰＣ１０４ａの圧力雰囲気を例えば１０ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒに維持する。また，下部電極１４２上に載置されたウェハＷを静電チャック１４８によって吸着保持した後，下部電極１４２をＰＣ１０４ａの相対的に上方に移動させる。
【００４４】
次いで，下部電極１４２に対して，例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加すると，磁石１６２によって回転磁界が形成された上部電極１５６と下部電極１４２との間のプラズマ領域に高密度プラズマが励起し，このプラズマによってウェハＷに所定のエッチング処理が施される。この際，処理に伴って反応生成物等の付着物が発生するが，上述の如くＰＣ１０４ａの内壁面が所定の温度に維持されているため，その付着物が上記内壁面に付着することを抑制できる。
【００４５】
次いで，ウェハＷに対して所定の処理を施した後，下部電極１４２をＰＣ１０４ａの相対的に下方に移動させると共に，ＰＣ１０４ａ内の圧力雰囲気をＴＣ１０２ａ内の圧力雰囲気に近づける。その後，ゲートバルブＧ１を開放し，再び搬送アームをＰＣ１０４ａ内に進入させて，下部電極１４２上のウェハＷをＴＣ１０２ａ内に搬出する。以上のような工程により，上記ウェハＷに対するエッチング処理を終了する。なお，本実施の形態では，エッチング処理が施されたウェハＷに対して，さらに成膜処理や冷却処理を施した後，そのウェハＷをカセット室１１４ａ内のカセット１３８に回収するが，その詳細な説明については，省略する。
【００４６】
本実施の形態にかかる第２アダプタ１１８は，以上のように構成されており，第２アダプタ１１８の処理容器１４０側面に形成された座ぐり穴１１８ｂ，１１８ｃ，１１８ｄ，１１８ｅによって，処理容器１４０と第２アダプタ１１８との間にバッファ空間を形成できるため，処理容器１４０の熱がＴＣ容器１０２に伝わり難くなり，第２アダプタ１１８の断熱効果を高めることができる。その結果，ＰＣ１０４ａの内壁面を所定の温度に加熱するまでの時間を大幅に短縮することができるため，相対的に短時間でエッチング処理を開始することができ，スループットを向上させることができる。また，ＰＣ１０４ａの内壁面を効率的に加熱することができるため，加熱及び一定の温度に維持するために必要なエネルギを相対的に少なくすることができ，いわゆる省エネルギ化を図ることができる。
【００４７】
さらに，処理容器１４０の熱によってＴＣ１０２ａ内が加熱されることを抑制できるため，搬送アーム１３２や，位置決め装置１３４や，ゲートバルブＧ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５，Ｇ６などの駆動部の摩耗量を相対的に減少させることができる。その結果，それら駆動部の摩耗により生じるパーティクルがウェハＷに付着することを軽減できるため，歩留りを向上させることができる。さらに，それら駆動部の摩耗の減少により，駆動部を構成する各種部材のメンテナンスの間隔を長くすることができる。
【００４８】
また，上述した座ぐり穴１１８ｂ，１１８ｃ，１１８ｄ，１１８ｅの形状や内径や深さは，第２アダプタ１１８を適用する処理装置１００で要求される接続時の強度に応じて適宜設定することができるため，その要求される強度を損なうことなく，座ぐり穴１１８ｂ，１１８ｃ，１１８ｄ，１１８ｅを第２アダプタ１１８に形成することができる。
【００４９】
また，処理装置１００には，第２アダプタ１１８と同一に構成された第２アダプタ１２２，１２６，１３０が採用されているため，ＴＣ容器１０２よりも相対的に温度が高いＣＶＤ装置１０６，１０８の処理容器や，ＴＣ容器１０２よりも相対的に温度が低い冷却装置１１０の処理容器と，ＴＣ容器１０２との間での熱の移動も抑制することができる。その結果，ＣＶＤ装置１０６，１０８や冷却装置１１０の処理容器内の温度を，迅速に所定温度にすることができると共に，ＴＣ容器１０２内の温度変化を最小限に止めることができる。
【００５０】
（第２の実施の形態）
次に，図５を参照しながら，本発明にかかる処理装置の第２の実施の形態について説明する。なお，本実施の形態は，後述する第２アダプタ２００を除いて，上述した第１の実施の形態と略同一に構成されているため，以下の説明において，第１の実施の形態と略同一の機能及び構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより，重複説明を省略する。ただし，上述した第２アダプタ１１８には，第２アダプタ１１８の処理容器１４０側面のみに座ぐり穴１１８ｂ，１１８ｃ，１１８ｄ，１１８ｅを形成したが，これに対して本実施の形態にかかる第２アダプタ２００は，さらに第２アダプタ２００の第１アダプタ１１６側面にも座ぐり穴２００ａ，２００ｂ，２００ｃ，２００ｄを形成したことを特徴としている。
【００５１】
すなわち，本実施の形態にかかる第２アダプタ２００は，上記第２アダプタ１１８と同様に，セラミックスから形成されており，同図に示すように，第２アダプタ２００の第１アダプタ１１６側面にリセス，例えば座ぐり穴２００ａ，２００ｂ，２００ｃ，２００ｄが形成されている。また，図示の例では，座ぐり穴２００ａと上記座ぐり穴１１８ｂと，座ぐり穴２００ｂと上記座ぐり穴１１８ｃと，座ぐり穴２００ｃと上記座ぐり穴１１８ｄと，座ぐり穴２００ｄと上記座ぐり穴１１８ｅは，それぞれ同一の形状に形成されている。
【００５２】
さらに，それら座ぐり穴２００ａ，２００ｂ，２００ｃ，２００ｄは，それぞれに対応して座ぐり穴１１８ｂ，１１８ｃ，１１８ｄ，１１８ｅの外形を，第２アダプタ２００の第１アダプタ１１６側面に正射影した際に形成される輪郭領域に形成されている。従って，アダプタの挿着時には，座ぐり穴２００ａ，２００ｂ，２００ｃ，２００ｄによって，第２アダプタ２００と第１アダプタ１１６との間に所定の中空部が形成される。なお，第２アダプタ２００は，それら座ぐり穴２００ａ，２００ｂ，２００ｃ，２００ｄが形成されている以外は，上述した第２アダプタ１１８と略同一に構成されている。
【００５３】
本実施の形態にかかる第２アダプタ２００は，以上のように構成されており，アダプタの挿着時には，上述した座ぐり穴１１８ｂ，１１８ｃ，１１８ｄ，１１８ｅと同様に，座ぐり穴２００ａ，２００ｂ，２００ｃ，２００ｄによってバッファ空間を有する中空部が形成されるため，第２アダプタ１１８と第１アダプタ１１６の接触面積が減少し，第２アダプタ１１８に伝達された処理容器１４０の熱が第１アダプタ１１６に伝わり難くなる。その結果，処理容器１４０の温度の低下と，ＴＣ容器１０２の温度上昇をさらに抑制することができる。
【００５４】
（第３の実施の形態）
次に，図６を参照しながら，本発明にかかる処理装置の第３の実施の形態について説明する。なお，本実施の形態も，後述する第２アダプタ３００を除いて，上述した第１の実施の形態と略同一に構成されているため，以下の説明において，第１の実施の形態と略同一の機能及び構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより，重複説明を省略する。ただし，上記第２アダプタ１１８や第２アダプタ２００には，それぞれに対応して座ぐり穴１１８ｂ，１１８ｃ，１１８ｄ，１１８ｅや座ぐり穴２００ａ，２００ｂ，２００ｃ，２００ｄを形成したが，これに対して，本実施の形態にかかる第２アダプタ３００は，貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄを有することを特徴としている。
【００５５】
すなわち，本実施の形態にかかる第２アダプタ３００には，上述した第２アダプタ２００の座ぐり穴１１８ｂと座ぐり穴２００ａを貫通する如く構成された貫通口３００ａと，第２アダプタ２００の座ぐり穴１１８ｃと座ぐり穴２００ｂを貫通する如く構成された貫通口３００ｂが形成されている。さらに，同様にして，第２アダプタ３００には，第２アダプタ２００の座ぐり穴１１８ｄと座ぐり穴２００ｃを貫通する如く構成された貫通口３００ｃと，第２アダプタ２００の座ぐり穴１１８ｅと座ぐり穴２００ｄを貫通する如く構成された貫通口３００ｄが形成されている。また，第２アダプタ３００は，貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄを設けたこと以外は，上記第２アダプタ１１８や第２アダプタ２００と略同一に構成されており，また同様にセラミックスから形成されている。
【００５６】
本実施の形態にかかる第２アダプタ３００は，以上のように構成されており，第２アダプタ３００に形成された貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄによって，処理容器１４０と第１アダプタ１１６との間に相対的に大きなバッファ空間を形成することができる。その結果，処理容器１４０の熱が第２アダプタ３００に伝達し難くなると共に，処理容器１４０の熱が第２アダプタ３００に伝達されても，その熱が第１アダプタ１１６に伝わり難くなるため，処理容器１４０の放熱と，ＴＣ容器１０２の加熱をさらに抑制することができる。また，貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄは，比較的容易に形成することができるため，第２アダプタ３００の加工性が向上し，かつ生産コストを低下させることができる。
【００５７】
（第４の実施の形態）
次に，図７を参照しながら，本発明にかかる処理装置の第４の実施の形態について説明する。なお，本実施の形態も，後述する第２アダプタ４００を除いて，上述した第１及び第３の実施の形態と略同一に構成されているため，以下の説明において，第１及び第３の実施の形態と略同一の機能及び構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより，重複説明を省略する。ただし，上記第３の実施の形態にかかる第２アダプタ３００には，貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄを形成したが，これに対して本実施の形態にかかる第２アダプタ４００は，それら貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄ内に断熱材４０２を装填することを特徴としている。
【００５８】
すなわち，本実施の形態にかかる第２アダプタ４００は，貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄ内にグラスウールやポリウレタンなどの断熱材４０２が装填されている。なお，第２アダプタ４００は，貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄ内に断熱材４０２を装填したこと以外は，上述した第２アダプタ３００と略同一に構成されている。
【００５９】
本実施の形態にかかる第２アダプタ４００は，以上のように構成されており，貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄ内のバッファ空間に断熱材４０２が装填されているため，貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄを介して処理容器１４０と第１アダプタ１１６が直接連通している場合よりも，熱の移動を相対的に減少させることができる。その結果，処理容器１４０からの熱の移動をさらに抑制することができる。
【００６０】
（第５の実施の形態）
次に，図８を参照しながら，本発明にかかる処理装置の第５の実施の形態について説明する。なお，本実施の形態も，後述する第２アダプタ５００を除いて，上述した第１及び第３の実施の形態と略同一に構成されているため，以下の説明において，第１及び第３の実施の形態と略同一の機能及び構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより，重複説明を省略する。ただし，上記第３の実施の形態にかかる第２アダプタ３００には，貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄを形成したが，これに対して，本実施の形態にかかる第２アダプタ５００は，それら貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄ内を所定の減圧雰囲気にすることを特徴としている。
【００６１】
すなわち，本実施の形態にかかる第２アダプタ５００の貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄには，それぞれに対応して貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄ内と，不図示の真空ポンプなどの真空引き手段を連通する排気管５００ａ，５００ｂ，５００ｃ，５００ｄが接続されている。
【００６２】
また，第２アダプタ５００には，上述したＯリング１７２と同様に，貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄの処理容器１４０側開口部を囲うようにして，それぞれに対応するＯリング５０２，５０４，５０６，５０８が設けられている。さらに，貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄの第１アダプタ１１６側開口部を囲うようにして，それぞれに対応する不図示のＯリングが設けられている。従って，アダプタの挿着時には，貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄを介して，処理容器１４０と第１アダプタ１１６との間に，気密なバッファ空間を形成することができる。なお，第２アダプタ５００は，上記排気管５００ａ，５００ｂ，５００ｃ，５００ｄと，Ｏリング５０２，５０４，５０６，５０８と上記不図示のＯリングを設けたこと以外は，上述した第３アダプタ３００と略同一に構成されている。
【００６３】
かかる構成により，アダプタの挿着時に，排気管５００ａ，５００ｂ，５００ｃ，５００ｄによってそれぞれに対応する貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄ内を真空引きすると，それら貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄ内を大気圧以下の所定の減圧雰囲気，例えば１ｍＴｏｒｒ〜１０ｍＴｏｒｒに維持することができる。その結果，貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄ内での熱の移動をさらに阻害することができるため，処理容器１４０の放熱と，ＴＣ容器１０２の加熱をさらに抑制することができる。
【００６４】
（第６の実施の形態）
次に，図９を参照しながら，本発明にかかる処理装置の第６の実施の形態について説明する。なお，本実施の形態も，後述する第２アダプタ６００を除いて，上述した第１，第３及び第５の実施の形態と略同一に構成されているため，以下の説明において，第１，第３及び第５の実施の形態と略同一の機能及び構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより，重複説明を省略する。ただし，上記第５の実施の形態にかかる第２アダプタ５００には，貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄに各々に対応する排気管５００ａ，５００ｂ，５００ｃ，５００ｄを接続したが，これに対して，本実施の形態にかかる第２アダプタ６００には，貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄと，第２搬送路１１８ａを連通する排気口６００ａ，６００ｂ，６００ｃ，６００ｄを設けたことを特徴としている。
【００６５】
すなわち，本実施の形態にかかる第２アダプタ６００には，図示の例では，貫通口３００ａ内と第２搬送路１１８ａ内を連通する排気口６００ａと，貫通口３００ｂ内と第２搬送路１１８ａ内を連通する排気口６００ｂと，貫通口３００ｃ内と第２搬送路１１８ａ内を連通する排気口６００ｃと，貫通口３００ｄ内と第２搬送路１１８ａ内を連通する排気口６００ｄが形成されている。なお，第２アダプタ６００は，それら排気口６００ａ，６００ｂ，６００ｃ，６００ｄを設けたこと以外は，上述した第２アダプタ３００と略同一に構成されている。また，第２アダプタ６００には，上述した第２アダプタ５００と同様に，Ｏリング５０２，５０４，５０６，５０８と，それぞれに対応して貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄの第１アダプタ１１６側開口部を囲う不図示のＯリングが設けられている。
【００６６】
かかる構成により，ＴＣ１０２ａ内やＰＣ１０４ａ内を上述の如く減圧雰囲気に維持すると，第２搬送路１１８ａと排気口６００ａ，６００ｂ，６００ｃ，６００ｄを介して，それぞれに対応する貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄ内を大気圧以下の所定の減圧雰囲気に維持することができる。その結果，貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄに排気管などの排気手段を接続しなくても，それら貫通口３００ａ，３００ｂ，３００ｃ，３００ｄ内のバッファ空間を所定の減圧雰囲気に維持することができ，上述した第２アダプタ５００と同様に，第２アダプタ６００を介して処理容器１４０からＴＣ容器１０２に伝達される熱を抑制することができる。
【００６７】
（第７の実施の形態）
次に，図１０を参照しながら，本発明にかかる処理装置の第７の実施の形態について説明する。なお，本実施の形態も，後述する第１アダプタ８００を除いて，上述した第１の実施の形態と略同一に構成されているため，以下の説明において，第１の実施の形態と略同一の機能及び構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより，重複説明を省略する。ただし，上記第１〜第６の実施の形態では，第２アダプタ１１８ａ，２００，３００，４００，５００，６００に座ぐり穴や貫通口を設けたが，これに対して本実施の形態は，第１アダプタ８００に座ぐり穴８００ａ，８００ｂ，８００ｃ，８００ｄ，８００ｅ，８００ｆを設けたことを特徴としている。
【００６８】
すなわち，本実施の形態にかかる第１アダプタ８００の第２アダプタ１１８側面には，図１０（ａ）に示すように，上述した座ぐり穴１１８ｂ，１１８ｃ，１１８ｄ，１１８ｅと略同一に構成された座ぐり穴８００ａ，８００ｂ，８００ｃ，８００ｄが形成されている。また，第１アダプタ８００のＴＣ容器１０２の外壁面との接続面には，図１０（ｂ）に示すように，第１搬送路１１６ｃの上方に配される座ぐり穴８００ｅと，第１搬送路１１６ｃの下方に配される座ぐり穴８００ｆが形成されている。かかる構成により，アダプタの挿着時には，第１アダプタ８００と第２アダプタ１１８との間と，第１アダプタ８００とＴＣ容器１０２との間にバッファ空間を有する所定の中空部が形成される。
【００６９】
また，第１アダプタ８００には，図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すように，第２アダプタ１１８のボルト挿入用貫通口１７４に対応する位置に，不図示のボルトを挿入可能なボルト挿入用貫通口８００ｇが設けられている。なお，上述した以外の構成は，上記第１アダプタ１１６と略同一に構成されている。ただし，さらに熱の伝達を抑制する場合には，アルミニウムに代えて，第２アダプタ１１８と同様に，第１アダプタ８００をセラミックスから形成することが好ましい。
【００７０】
本実施の形態にかかる第１アダプタ８００は，以上のように構成されており，第１アダプタ８００の第２アダプタ１１８側面に，座ぐり穴８００ａ，８００ｂ，８００ｃ，８００ｄを設けたため，第２アダプタ１１８から第１アダプタ８００に伝達する熱を減少させることができる。さらに，第１アダプタ８００のＴＣ容器１０２側面にも座ぐり穴８００ｅ，８００ｆを設けたため，第１アダプタ８００に伝達された熱がＴＣ容器１０２に伝熱されることを抑制することができる。また，装置構成などにより，第２アダプタ１１８に座ぐり穴１１８ｂ，１１８ｃ，１１８ｄ，１１８ｅなどのリセスを設けることができない場合でも，第１アダプタ８００で熱の移動を軽減することができ，処理容器１４０の放熱とＴＣ容器１０２の加熱を抑制することができる。さらに，第１アダプタ８００をセラミックスから形成すれば，上述した断熱効果をさらに高めることができる。
【００７１】
以上，本発明の好適な実施の一形態について，添付図面を参照しながら説明したが，本発明はかかる構成に限定されるものではない。特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇において，当業者であれば，各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり，それら変更例及び修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００７２】
例えば，上記実施の形態において，アダプタを第１アダプタと第２アダプタから形成した構成を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されるものではなく，アダプタの挿着時に真空容器の外壁面に開口が形成されるように，バッファ空間を有する座ぐり穴などのリセスや貫通口をアダプタに設けた構成であれば，アダプタが１又は３以上の部材から形成されていても，本発明を実施することができる。
【００７３】
また，上記実施の形態において，第１アダプタをアルミニウムから形成し，第２アダプタをセラミックスから形成する構成を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されるものではなく，アダプタをセラミックスとアルミニウムのいずれか一方の材料から形成すれば，本発明を実施することができる。さらに，アダプタを真空容器の接続時に所定の強度維持することができ，かつ熱伝導率が低い材料，例えばポリテトラフルオロエチレンやポリイミドなどの樹脂から形成しても，本発明を適用することができる。
【００７４】
さらに，上記実施の形態において，座ぐり穴や貫通口を搬送路の側方と下方に配置する構成を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されるものではなく，それら座ぐり穴などのリセスや貫通口は，アダプタを挿着する処理装置に応じて適宜配置することができる。すなわち，例えば図１１に示す第２アダプタ７００ように，搬送路１１８ａの下方に座ぐり穴７００ａ，７００ｂを形成し，さらに搬送路１１８ａの上方に座ぐり穴７００ｃ，７００ｄを形成しても良い。同様にして，それら座ぐり穴７００ａ，７００ｂ，７００ｃ，７００ｄと対応する位置に貫通口を形成することもできる。さらに，座ぐり穴などのリセスや貫通口は，上述した個数や形状や大きさなどに限定されるものではなく，アダプタを適用する処理装置に応じて，適宜形成することができる。
【００７５】
また，上記実施の形態において，Ｏリングを搬送路の開口部や，貫通口の開口部の周囲を囲うように構成した例を挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されるものではなく，搬送路内や貫通口内の気密性を維持することができれば，いかなる気密性部材を採用しても，本発明を実施することができる。また，それら搬送路内や貫通口内の気密性を維持することができれば，Ｏリングなどの気密部材をいかなる場所に配置しても，本発明を実施することができる。
【００７６】
さらに，上記実施の形態において，貫通口内に断熱材を装填する構成を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されるものではなく，リセス内に断熱材を装填しても，本発明を実施することができる。
【００７７】
さらにまた，上記実施の形態において，貫通口内を減圧雰囲気に維持する構成を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されるものではなく，リセス内の圧力雰囲気を減圧雰囲気に維持しても本発明を実施することができる。この場合には，上述したように，リセス内に排気管を接続しても良く，また搬送路と連通する排気口をリセス内に接続しても良い。
【００７８】
また，上記実施の形態において，第１アダプタと第２アダプタの所定の位置にボルト挿入用貫通口を設けた構成を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されるものではなく，ボルト挿入用貫通口は，アダプタを挿着する処理装置に応じて，適宜形成することができる。また，アダプタをボルト以外の固定手段で固定する場合には，上記ボルト挿入用貫通口を形成する必要がない。
【００７９】
また，上記実施の形態において，クラスタ装置化されたマルチチャンバ方式の処理装置を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されるものではなく，少なくとも２つの真空容器を相互に接続する処理装置であれば，いかなる処理装置であっても本発明を適用することができる。
【００８０】
【発明の効果】
本発明によれば，アダプタの一の真空容器から他の真空容器への伝熱経路中に，熱の移動を阻害するバッファ空間を設けたため，このアダプタを用いて各真空容器を相互に接続すれば，各真空容器間の熱の移動を抑制することができる。その結果，真空容器内の温度が各々異なる真空容器を接続しても，各真空容器内の温度を容易にコントロールすることができると共に，一の真空容器の温度によって他の真空容器内の温度が変化することを軽減できる。また，アダプタの挿着時に真空容器の外壁面に開口が形成されるように，アダプタにリセスや貫通口を形成すれば，アダプタと真空容器との間や，アダプタ内に容易にバッファ空間を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用可能な処理装置を示す概略的な説明図である。
【図２】図１に示したＴＣ内とエッチング装置のＰＣ内を表す概略的な断面図である。
【図３】図１及び図２に示した第１アダプタと第２アダプタを表す概略的な拡大断面図である。
【図４】図１〜図３に示した第２アダプタを表す概略的な斜視図である。
【図５】本発明を適用可能な他の第２アダプタを表す概略的な斜視図である。
【図６】本発明を適用可能な他の第２アダプタを表す概略的な斜視図である。
【図７】本発明を適用可能な他の第２アダプタを表す概略的な斜視図である。
【図８】本発明を適用可能な他の第２アダプタを表す概略的な斜視図である。
【図９】本発明を適用可能な他の第２アダプタを表す概略的な斜視図である。
【図１０】本発明を適用可能な他の第１アダプタを表す概略的な斜視図である。
【図１１】本発明を適用可能な他の第２アダプタを示す概略的な斜視図である。
【符号の説明】
１００処理装置
１０２ＴＣ容器（真空容器）
１０２ａＴＣ
１０４エッチング装置
１０４ａＰＣ
１１６第１アダプタ
１１６ｃ第１搬送路
１１８第２アダプタ
１１８ａ第２搬送路
１１８ｂ，１１８ｃ，１１８ｄ，１１８ｅ座ぐり穴
１３２搬送アーム
１４０処理容器（真空容器）
１６４ヒータ
Ｗウェハ

Claims

被処理体を搬送する真空搬送容器と、被処理体を処理する真空処理容器と、前記真空搬送容器と前記真空処理容器との間にて前記真空搬送容器と前記真空処理容器とを気密に接続するアダプタと、を備えた処理装置であって、
前記アダプタは、
前記真空搬送容器に接続され、アルミニウムから形成された板状の第１アダプタと、
一方にて前記真空処理容器に接続されるとともに他方にて前記第１アダプタに接続され、セラミックスまたは樹脂から形成され、厚さが前記第１アダプタより相対的に薄い板状の第２アダプタと、
前記第１及び第２アダプタを貫通することにより形成され、被処理体を前記真空搬送容器および前記真空処理容器間で搬送する搬送路と、
前記真空搬送容器および前記真空処理容器間の前記第１及び第２アダプタの少なくともいずれかに設けられたバッファ空間と、
を有する処理装置。
前記バッファ空間は，前記真空搬送容器と前記第１アダプタとの接続面に形成されたリセス内および前記真空処理容器と前記第２アダプタとの接続面に形成されたリセス内のうち、少なくとも一方の真空容器との接続面に形成されたリセス内に形成され，前記リセスの開口部は，前記アダプタの挿着時に前記真空容器の外壁面に開口するものであることを特徴とする，請求項１に記載の処理装置。
前記バッファ空間は，前記第１及び第２アダプタの少なくとも一方のアダプタ内に設けられた中空部内に形成されることを特徴とする，請求項１に記載の処理装置。
前記バッファ空間は，前記搬送路とは別に前記第１及び第２アダプタの少なくとも一方のアダプタ内に設けられた貫通口内に形成され，前記貫通口の開口部は，前記アダプタの挿着時に前記真空搬送容器および前記真空処理容器の少なくとも一方の真空容器の外壁面に開口するものであることを特徴とする，請求項１に記載の処理装置。
前記搬送路の開口部を囲うようにＯリングが介装されることを特徴とする，請求項１に記載の処理装置。
前記バッファ空間内には，断熱材が装填されることを特徴とする，請求項１，２，３，４又は５のいずれかに記載の処理装置。
前記バッファ空間内は，前記搬送路内と連通することを特徴とする，請求項１，２，３，４又は５のいずれかに記載の処理装置。
前記バッファ空間内の圧力雰囲気は，大気圧以下に設定されることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５又は７のいずれかに記載の処理装置。