JPH07288238A - マルチチャンバプロセス装置 - Google Patents
マルチチャンバプロセス装置Info
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- JPH07288238A JPH07288238A JP10342894A JP10342894A JPH07288238A JP H07288238 A JPH07288238 A JP H07288238A JP 10342894 A JP10342894 A JP 10342894A JP 10342894 A JP10342894 A JP 10342894A JP H07288238 A JPH07288238 A JP H07288238A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 クロスコンタミネーションの問題を引き起こ
すことがなく、プロセス間で相互に影響を受けないよう
に改良されたマルチチャンバプロセス装置を提供する。 【構成】 本マルチチャンバプロセス装置１０は、第１
搬送モジュール１２、第２搬送モジュール１４及び受渡
しモジュール１６を備えている。第１搬送モジュールに
は、ロードモジュール１７とＲＴＰモジュール２０とが
それぞれ独立に連結され、第２搬送モジュールには、ド
ープド・ポリシリコン膜形成用のＣＶＤ成膜チャンバ２
４、WSi X 膜形成用のＣＶＤ成膜チャンバ２６及びアン
ロードモジュール２７がそれぞれ独立に連結されてい
る。各ウェーハは、ロードモジュールから第１搬送モジ
ュール、第２最終搬送モジュールに順次移動しつつプロ
セス処理の順序に従って各プロセスチャンバにて処理さ
れて、アンロードモジュールに到達する。
すことがなく、プロセス間で相互に影響を受けないよう
に改良されたマルチチャンバプロセス装置を提供する。 【構成】 本マルチチャンバプロセス装置１０は、第１
搬送モジュール１２、第２搬送モジュール１４及び受渡
しモジュール１６を備えている。第１搬送モジュールに
は、ロードモジュール１７とＲＴＰモジュール２０とが
それぞれ独立に連結され、第２搬送モジュールには、ド
ープド・ポリシリコン膜形成用のＣＶＤ成膜チャンバ２
４、WSi X 膜形成用のＣＶＤ成膜チャンバ２６及びアン
ロードモジュール２７がそれぞれ独立に連結されてい
る。各ウェーハは、ロードモジュールから第１搬送モジ
ュール、第２最終搬送モジュールに順次移動しつつプロ
セス処理の順序に従って各プロセスチャンバにて処理さ
れて、アンロードモジュールに到達する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
の一部を構成する一連のプロセス処理の各々を各プロセ
スチャンバにてそれぞれ順次ウェーハに施すマルチチャ
ンバプロセス装置に関し、特に、配線形成工程で使用す
るマルチチャンバプロセス装置に好適であって、プロセ
スのクロスコンタミネーションを抑制するようにしたマ
ルチチャンバプロセス装置に関するものである。
の一部を構成する一連のプロセス処理の各々を各プロセ
スチャンバにてそれぞれ順次ウェーハに施すマルチチャ
ンバプロセス装置に関し、特に、配線形成工程で使用す
るマルチチャンバプロセス装置に好適であって、プロセ
スのクロスコンタミネーションを抑制するようにしたマ
ルチチャンバプロセス装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の微細化にともない、製
造プロセスにおいても、高精度化、複合化、大口径化等
の多様化が求めれている。かかる要望に応えるものとし
て、近年、マルチチャンバプロセス装置が開発され、半
導体装置の製造工程で使用されている。マルチチャンバ
プロセス装置とは、ウェ−ハを枚葉処理する複数個のプ
ロセスチャンバをウェ−ハ搬送用チャンバの回りにゲー
トバルブを介して並列に独立して連結したプロセス装置
であって、複合プロセス処理数の増大に応えると共に枚
葉式処理化によるスループットの向上を図っている。
造プロセスにおいても、高精度化、複合化、大口径化等
の多様化が求めれている。かかる要望に応えるものとし
て、近年、マルチチャンバプロセス装置が開発され、半
導体装置の製造工程で使用されている。マルチチャンバ
プロセス装置とは、ウェ−ハを枚葉処理する複数個のプ
ロセスチャンバをウェ−ハ搬送用チャンバの回りにゲー
トバルブを介して並列に独立して連結したプロセス装置
であって、複合プロセス処理数の増大に応えると共に枚
葉式処理化によるスループットの向上を図っている。
【０００３】図４は、配線形成工程で従来使用している
マルチチャンバプロセス装置の一例の模式的構成図であ
る。従来のマルチチャンバプロセス装置は、図４に示す
ように、第１搬送モジュール１２と、第２搬送モジュー
ル１４と、その間でウェ−ハの受渡しを行う受渡しモジ
ュール１６とを備えた、いわゆるクラスターツールであ
る。モジュールとは、一つの独立機能を果たすことので
きる装置をユニットとしてブロック化したものであっ
て、例えば図４に示すマルチチャンバプロセス装置で
は、ロード・アンロード・モジュール、各種プロセスモ
ジュール、搬送モジュール等がある。
マルチチャンバプロセス装置の一例の模式的構成図であ
る。従来のマルチチャンバプロセス装置は、図４に示す
ように、第１搬送モジュール１２と、第２搬送モジュー
ル１４と、その間でウェ−ハの受渡しを行う受渡しモジ
ュール１６とを備えた、いわゆるクラスターツールであ
る。モジュールとは、一つの独立機能を果たすことので
きる装置をユニットとしてブロック化したものであっ
て、例えば図４に示すマルチチャンバプロセス装置で
は、ロード・アンロード・モジュール、各種プロセスモ
ジュール、搬送モジュール等がある。
【０００４】第１搬送モジュール１２は搬送アーム２２
を備え、第１搬送モジュール１２のハウジングの回りに
は、２個のロード・アンロード・モジュール１８Ａ、Ｂ
と、ＲＴＰモジュール２０とがそれぞれゲートバルブ
（図示せず）を介して並列に独立して連結されている。
搬送アーム２２は、真空吸引式等のウェ−ハ把持機構を
備え、かつ伸縮自在で回転自在なアームからなるウェ−
ハの移送手段である。
を備え、第１搬送モジュール１２のハウジングの回りに
は、２個のロード・アンロード・モジュール１８Ａ、Ｂ
と、ＲＴＰモジュール２０とがそれぞれゲートバルブ
（図示せず）を介して並列に独立して連結されている。
搬送アーム２２は、真空吸引式等のウェ−ハ把持機構を
備え、かつ伸縮自在で回転自在なアームからなるウェ−
ハの移送手段である。
【０００５】第２搬送モジュール１４も搬送アーム２２
と同じような構成の搬送アーム２８を備え、第２搬送モ
ジュール１４のハウジングの回りには、ポリシリコン膜
形成用の成膜モジュール２４と、WSi X 膜形成用の成膜
モジュール２６とがそれぞれゲートバルブ（図示せず）
を介して並列に独立して連結されている。受渡しモジュ
ール１６は、ウェ−ハ載置台を備えていて、第１搬送モ
ジュール１２と第２搬送モジュールとの間で移送される
ウェ−ハは、一時的にウェ−ハ載置台上に仮置きされ
る。
と同じような構成の搬送アーム２８を備え、第２搬送モ
ジュール１４のハウジングの回りには、ポリシリコン膜
形成用の成膜モジュール２４と、WSi X 膜形成用の成膜
モジュール２６とがそれぞれゲートバルブ（図示せず）
を介して並列に独立して連結されている。受渡しモジュ
ール１６は、ウェ−ハ載置台を備えていて、第１搬送モ
ジュール１２と第２搬送モジュールとの間で移送される
ウェ−ハは、一時的にウェ−ハ載置台上に仮置きされ
る。
【０００６】次に、上述のマルチチャンバプロセス装置
を使用して、ゲート酸化膜とドープドポリシリコン膜と
WSi X 膜とを連続成膜するプロセスを以下に説明する。
先ず、ウェ−ハを収容したカセットをロード・アンロー
ド・モジュール１８Ａに設置し、第１搬送モジュール１
２の搬送アーム２２によりウェ−ハをカセットから１枚
づつ取り出してＲＴＰモジュール２０に搬入する。ＲＴ
Ｐモジュール２０は、基板上に酸化膜を熱酸化により形
成する装置であって、そこでゲート酸化膜がウェ−ハ上
に形成される。
を使用して、ゲート酸化膜とドープドポリシリコン膜と
WSi X 膜とを連続成膜するプロセスを以下に説明する。
先ず、ウェ−ハを収容したカセットをロード・アンロー
ド・モジュール１８Ａに設置し、第１搬送モジュール１
２の搬送アーム２２によりウェ−ハをカセットから１枚
づつ取り出してＲＴＰモジュール２０に搬入する。ＲＴ
Ｐモジュール２０は、基板上に酸化膜を熱酸化により形
成する装置であって、そこでゲート酸化膜がウェ−ハ上
に形成される。
【０００７】次に、搬送アーム２２によりウェ−ハをＲ
ＴＰモジュール２０から受渡しモジュール１６に移送
し、更に第２搬送モジュール１４の搬送アーム２８によ
り受渡しモジュール１６からウェ−ハを受け取り、ポリ
シリコン膜形成用の成膜モジュール２４に搬入する。成
膜モジュール２４は、ＣＶＤ法によりポリシリコン膜を
形成し、更にイオン注入法によりドーピングしてドープ
ド・ポリシリコン膜を形成する装置である。
ＴＰモジュール２０から受渡しモジュール１６に移送
し、更に第２搬送モジュール１４の搬送アーム２８によ
り受渡しモジュール１６からウェ−ハを受け取り、ポリ
シリコン膜形成用の成膜モジュール２４に搬入する。成
膜モジュール２４は、ＣＶＤ法によりポリシリコン膜を
形成し、更にイオン注入法によりドーピングしてドープ
ド・ポリシリコン膜を形成する装置である。
【０００８】次いで、搬送アーム２８により成膜モジュ
ール２４からウェ−ハを取り出し、WSi X 膜形成用の成
膜モジュール２６に移送する。成膜モジュール２６は、
ＣＶＤ法によりWSi X 膜を形成する装置である。
ール２４からウェ−ハを取り出し、WSi X 膜形成用の成
膜モジュール２６に移送する。成膜モジュール２６は、
ＣＶＤ法によりWSi X 膜を形成する装置である。
【０００９】以上のプロセスで成膜工程を終了したウェ
−ハを搬送アーム２８により成膜チャンバ２６から取り
出し、再び受渡しモジュール１６上に置き、次いで搬送
アーム２２により受渡しモジュール１６上からウェ−ハ
を受け取り、ロード・アンロード・モジュール１８に移
送する。以上の操作をウェ−ハ毎に繰り返し、プロセス
チャンバに空きがないようにウェ−ハを順次移送して連
続的に成膜を施す。
−ハを搬送アーム２８により成膜チャンバ２６から取り
出し、再び受渡しモジュール１６上に置き、次いで搬送
アーム２２により受渡しモジュール１６上からウェ−ハ
を受け取り、ロード・アンロード・モジュール１８に移
送する。以上の操作をウェ−ハ毎に繰り返し、プロセス
チャンバに空きがないようにウェ−ハを順次移送して連
続的に成膜を施す。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、配線形成工程
で上述のようなマルチチャンバプロセス装置を使用して
WSi X 膜を成膜する場合に問題になるのは、WSi X 膜の
成膜に伴うタングステン金属のクロスコンタミネーショ
ンである。それは、WSi X 膜成膜後、搬送アーム２２が
受渡しモジュール１６からロード・アンロード・モジュ
ール１８Ｂにウェ−ハを移送している間に、成膜モジュ
ール２６内でWSi X 膜形成中にウェ−ハ裏面に付着した
WSi X 金属パーティクルが、搬送アーム２２に付着す
る。次いで、搬送アーム２２に付着したWSi X 金属パー
ティクルが、搬送アーム２２によりロード・アンロード
・モジュール１８Ａから取り出されたゲート酸化膜形成
前のウェ−ハに付着するからである。ウェ−ハに付着し
たWSi X 金属パーティクルは、ＲＴＰモジュール２０内
に侵入し、酸化中にＳｉ基板内に拡散して深い準位を作
り、クロスコンタミネーションとなる。しかしながら、
WSi X 膜形成用の成膜モジュール２６内でWSi X 金属パ
ーティクルがウェ−ハ裏面に付着しないようにすること
は、技術的に極めて難しい。
で上述のようなマルチチャンバプロセス装置を使用して
WSi X 膜を成膜する場合に問題になるのは、WSi X 膜の
成膜に伴うタングステン金属のクロスコンタミネーショ
ンである。それは、WSi X 膜成膜後、搬送アーム２２が
受渡しモジュール１６からロード・アンロード・モジュ
ール１８Ｂにウェ−ハを移送している間に、成膜モジュ
ール２６内でWSi X 膜形成中にウェ−ハ裏面に付着した
WSi X 金属パーティクルが、搬送アーム２２に付着す
る。次いで、搬送アーム２２に付着したWSi X 金属パー
ティクルが、搬送アーム２２によりロード・アンロード
・モジュール１８Ａから取り出されたゲート酸化膜形成
前のウェ−ハに付着するからである。ウェ−ハに付着し
たWSi X 金属パーティクルは、ＲＴＰモジュール２０内
に侵入し、酸化中にＳｉ基板内に拡散して深い準位を作
り、クロスコンタミネーションとなる。しかしながら、
WSi X 膜形成用の成膜モジュール２６内でWSi X 金属パ
ーティクルがウェ−ハ裏面に付着しないようにすること
は、技術的に極めて難しい。
【００１１】また、上述のマルチチャンバプロセス装置
を使用して、第１搬送モジュール１２に連結されたプロ
セスモジュールにてエッチングを施し、次いで第２搬送
モジュール１４に連結されたプロセスモジュールにて配
線用金属膜を成膜する場合、エッチングに使用した腐食
性雰囲気が搬送アーム２２に付着し、搬送アーム２２に
付着した腐食性雰囲気が、搬送アーム２２によりロード
・アンロード・モジュール１８Ｂに移送されるウェ−ハ
の金属膜に伝染し、その金属膜を腐食すると言う問題も
起こり得る。
を使用して、第１搬送モジュール１２に連結されたプロ
セスモジュールにてエッチングを施し、次いで第２搬送
モジュール１４に連結されたプロセスモジュールにて配
線用金属膜を成膜する場合、エッチングに使用した腐食
性雰囲気が搬送アーム２２に付着し、搬送アーム２２に
付着した腐食性雰囲気が、搬送アーム２２によりロード
・アンロード・モジュール１８Ｂに移送されるウェ−ハ
の金属膜に伝染し、その金属膜を腐食すると言う問題も
起こり得る。
【００１２】クロスコンタミネーションは、従来のマル
チチャンバプロセス装置においては避け得ない問題であ
って、半導体装置の特性を劣化させると共に半導体装置
の製造歩留りを低下させ、半導体装置の製造現場に大き
な影響を与えていた。そこで、本発明は、クロスコンタ
ミネーションの問題を引き起こすことがなく、プロセス
間で悪い影響を相互に与えないように改良されたマルチ
チャンバプロセス装置を提供することである。
チチャンバプロセス装置においては避け得ない問題であ
って、半導体装置の特性を劣化させると共に半導体装置
の製造歩留りを低下させ、半導体装置の製造現場に大き
な影響を与えていた。そこで、本発明は、クロスコンタ
ミネーションの問題を引き起こすことがなく、プロセス
間で悪い影響を相互に与えないように改良されたマルチ
チャンバプロセス装置を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者は、クロスコン
タミネーションの原因を研究した過程で、搬送アームが
クロスコンタミネーションを引き起こす汚染源を媒介し
ていることを見出し、本発明を完成するに到った。
タミネーションの原因を研究した過程で、搬送アームが
クロスコンタミネーションを引き起こす汚染源を媒介し
ていることを見出し、本発明を完成するに到った。
【００１４】上記目的を達成するために、本発明に係る
マルチチャンバプロセス装置は、複数のプロセスチャン
バを備えて、半導体装置の製造工程の一部を構成する一
連のプロセス処理の各々を各プロセスチャンバにてそれ
ぞれ順次ウェーハに施すマルチチャンバプロセス装置に
おいて、第１搬送モジュールと、最終搬送モジュール
と、第１搬送モジュールと最終搬送モジュールとの間に
設置されている中間搬送モジュールと、第１搬送モジュ
ールにそれぞれ独立に連結されているロードモジュール
と少なくとも１個のプロセスチャンバと、最終搬送モジ
ュールにそれぞれ独立に連結されているアンロードモジ
ュールと少なくとも１個のプロセスチャンバと、中間搬
送モジュールにそれぞれ独立に連結されている少なくと
も１個のプロセスチャンバと、各ウェーハは、ロードモ
ジュールから第１搬送モジュール、中間搬送モジュール
及び最終搬送モジュールに順次移動しつつプロセス処理
の順序に従って各プロセスチャンバにて処理されて、ア
ンロードモジュールに到達するようにしたことを特徴と
している。
マルチチャンバプロセス装置は、複数のプロセスチャン
バを備えて、半導体装置の製造工程の一部を構成する一
連のプロセス処理の各々を各プロセスチャンバにてそれ
ぞれ順次ウェーハに施すマルチチャンバプロセス装置に
おいて、第１搬送モジュールと、最終搬送モジュール
と、第１搬送モジュールと最終搬送モジュールとの間に
設置されている中間搬送モジュールと、第１搬送モジュ
ールにそれぞれ独立に連結されているロードモジュール
と少なくとも１個のプロセスチャンバと、最終搬送モジ
ュールにそれぞれ独立に連結されているアンロードモジ
ュールと少なくとも１個のプロセスチャンバと、中間搬
送モジュールにそれぞれ独立に連結されている少なくと
も１個のプロセスチャンバと、各ウェーハは、ロードモ
ジュールから第１搬送モジュール、中間搬送モジュール
及び最終搬送モジュールに順次移動しつつプロセス処理
の順序に従って各プロセスチャンバにて処理されて、ア
ンロードモジュールに到達するようにしたことを特徴と
している。
【００１５】本発明に係るマルチチャンバプロセス装置
は、複数の搬送モジュールの各々に少なくとも一つのプ
ロセスチャンバを連結させた、いわゆるクラスターツー
ルであって、処理プロセスのいかんを問わず、半導体装
置の製造工程の一部を構成する一連の処理工程をウェー
ハに枚葉式で連続的に施す場合に適用する。本発明で言
うモジュールとは、一つの機能を独立して果たすことの
できる装置を一つのユニットとしてモジュール化したも
のであって、例えば、ロードモジュール、アンロードモ
ジュール、搬送モジュール、プロセスモジュール等があ
る。本発明で使用する搬送モジュールは、搬送アームを
備えて、各プロセスチャンバ間、プロセスチャンバと受
渡しモジュールとの間等でウェーハを移送する既知のモ
ジュールであり、受渡しモジュールは搬送モジュール間
でウェーハを受渡しするための既知のウェーハ載置台で
ある。本発明で使用するプロセスチャンバは、半導体装
置の製造工程の一部を構成する一連のプロセス処理のう
ちの一つをウェーハに施す装置であって、マルチチャン
バプロセス装置全体の構成を自由に変えるためには、プ
ロセスチャンバをモジュール化し、ゲートバルブ等の遮
断手段を介して搬送モジュールに着脱自在に連結するの
が望ましい。
は、複数の搬送モジュールの各々に少なくとも一つのプ
ロセスチャンバを連結させた、いわゆるクラスターツー
ルであって、処理プロセスのいかんを問わず、半導体装
置の製造工程の一部を構成する一連の処理工程をウェー
ハに枚葉式で連続的に施す場合に適用する。本発明で言
うモジュールとは、一つの機能を独立して果たすことの
できる装置を一つのユニットとしてモジュール化したも
のであって、例えば、ロードモジュール、アンロードモ
ジュール、搬送モジュール、プロセスモジュール等があ
る。本発明で使用する搬送モジュールは、搬送アームを
備えて、各プロセスチャンバ間、プロセスチャンバと受
渡しモジュールとの間等でウェーハを移送する既知のモ
ジュールであり、受渡しモジュールは搬送モジュール間
でウェーハを受渡しするための既知のウェーハ載置台で
ある。本発明で使用するプロセスチャンバは、半導体装
置の製造工程の一部を構成する一連のプロセス処理のう
ちの一つをウェーハに施す装置であって、マルチチャン
バプロセス装置全体の構成を自由に変えるためには、プ
ロセスチャンバをモジュール化し、ゲートバルブ等の遮
断手段を介して搬送モジュールに着脱自在に連結するの
が望ましい。
【００１６】本発明の好適な実施態様は、第２段目の第
２搬送モジュールが最終搬送モジュールであって、汚染
発生源となるプロセスが第１搬送モジュールに連結され
たプロセスチャンバにて、かつ被汚染側のプロセスが第
２搬送モジュールに連結されたプロセスチャンバにてそ
れぞれ実施されるようにしたことを特徴としている。
２搬送モジュールが最終搬送モジュールであって、汚染
発生源となるプロセスが第１搬送モジュールに連結され
たプロセスチャンバにて、かつ被汚染側のプロセスが第
２搬送モジュールに連結されたプロセスチャンバにてそ
れぞれ実施されるようにしたことを特徴としている。
【００１７】本発明の更に好適な実施態様は、配線形成
工程で使用されるマルチチャンバプロセス装置であっ
て、前記第１搬送モジュールに連結されたプロセスチャ
ンバの一つがＲＴＰチャンバであり、前記第２搬送モジ
ュールに連結されたプロセスチャンバの一つがドープド
・Ｓi 膜の成膜チャンバであり、他の一つがWSi X 膜の
成膜チャンバであることを特徴としている。
工程で使用されるマルチチャンバプロセス装置であっ
て、前記第１搬送モジュールに連結されたプロセスチャ
ンバの一つがＲＴＰチャンバであり、前記第２搬送モジ
ュールに連結されたプロセスチャンバの一つがドープド
・Ｓi 膜の成膜チャンバであり、他の一つがWSi X 膜の
成膜チャンバであることを特徴としている。
【００１８】本発明の更に好適な別の実施態様は、配線
形成工程で使用されるマルチチャンバプロセス装置であ
って、前記第１搬送モジュールに連結されたプロセスチ
ャンバの一つがＨＦガスにより自然酸化膜をエッチング
するためのチャンバであり、前記第２搬送モジュールに
連結されたプロセスチャンバの一つが配線用金属膜の成
膜チャンバであることを特徴としている。
形成工程で使用されるマルチチャンバプロセス装置であ
って、前記第１搬送モジュールに連結されたプロセスチ
ャンバの一つがＨＦガスにより自然酸化膜をエッチング
するためのチャンバであり、前記第２搬送モジュールに
連結されたプロセスチャンバの一つが配線用金属膜の成
膜チャンバであることを特徴としている。
【００１９】
【作用】本発明では、以上の構成により、ウェ−ハは処
理プロセスの順序に従って移動するので、後段の搬送モ
ジュールに移送されたウェ−ハが、それより前段の搬送
モジュールに戻ることはない。よって、汚染発生原因を
有するウェ−ハを移送した搬送アームが被汚染側のウェ
−ハを移送することもなくなる。よって、クリーン度の
異なるプロセスが相互に完全に隔離されるので、従来の
マルチチャンバプロセス装置で生じていたようなクロス
コンタミネーションの問題が発生しない。
理プロセスの順序に従って移動するので、後段の搬送モ
ジュールに移送されたウェ−ハが、それより前段の搬送
モジュールに戻ることはない。よって、汚染発生原因を
有するウェ−ハを移送した搬送アームが被汚染側のウェ
−ハを移送することもなくなる。よって、クリーン度の
異なるプロセスが相互に完全に隔離されるので、従来の
マルチチャンバプロセス装置で生じていたようなクロス
コンタミネーションの問題が発生しない。
【００２０】
【実施例】以下に、添付図面を参照して実施例に基づき
本発明をより詳細に説明する。尚、以下の図１及び図２
に示す部品、装置で図４と同じ機能を果たす部品、装置
には同じ符号を付し、その説明を省略する。実施例１ 図１は本発明に係るマルチチャンバプロセス装置の実施
例１の構成を示す模式的構成図である。本実施例のマル
チチャンバプロセス装置１０は、ウェーハの酸化膜上に
WSi X層の配線形成を行う装置であって、図１に示すよ
うに、第１搬送モジュール１２と、第２搬送モジュール
１４と、受渡しモジュール１６とを備えている。受渡し
モジュール１６は、第１搬送モジュール１２と第２搬送
モジュール１４との間に設けられたウェーハ受渡し用の
ウェーハ載置台を備えている。
本発明をより詳細に説明する。尚、以下の図１及び図２
に示す部品、装置で図４と同じ機能を果たす部品、装置
には同じ符号を付し、その説明を省略する。実施例１ 図１は本発明に係るマルチチャンバプロセス装置の実施
例１の構成を示す模式的構成図である。本実施例のマル
チチャンバプロセス装置１０は、ウェーハの酸化膜上に
WSi X層の配線形成を行う装置であって、図１に示すよ
うに、第１搬送モジュール１２と、第２搬送モジュール
１４と、受渡しモジュール１６とを備えている。受渡し
モジュール１６は、第１搬送モジュール１２と第２搬送
モジュール１４との間に設けられたウェーハ受渡し用の
ウェーハ載置台を備えている。
【００２１】第１搬送モジュール１２のハウジングの周
りにはロードモジュール１７とＲＴＰモジュール２０と
がゲートバルブ（図示せず）を介して独立かつ並列に連
結されている。本実施例で、ＲＴＰモジュールとは、Ｒ
ＴＰチャンバをモジュール化したもので、成膜モジュー
ル等の他のプロセスモジュールについても同様である。
一方、第２搬送モジュール１４のハウジングの周りには
ポリシリコン膜形成用の成膜モジュール２４とWSi X 膜
形成用の成膜モジュール２６とアンロードモジュール２
７とがゲートバルブ（図示せず）を介して独立かつ並列
に連結されている。また、各モジュール間でウェーハの
移送、またはウェーハの受渡しを行うために、第１搬送
モジュール１２及び第２搬送モジュール１４は、そのハ
ウジング内部にそれぞれ搬送アーム２２及び２８を備え
ている。
りにはロードモジュール１７とＲＴＰモジュール２０と
がゲートバルブ（図示せず）を介して独立かつ並列に連
結されている。本実施例で、ＲＴＰモジュールとは、Ｒ
ＴＰチャンバをモジュール化したもので、成膜モジュー
ル等の他のプロセスモジュールについても同様である。
一方、第２搬送モジュール１４のハウジングの周りには
ポリシリコン膜形成用の成膜モジュール２４とWSi X 膜
形成用の成膜モジュール２６とアンロードモジュール２
７とがゲートバルブ（図示せず）を介して独立かつ並列
に連結されている。また、各モジュール間でウェーハの
移送、またはウェーハの受渡しを行うために、第１搬送
モジュール１２及び第２搬送モジュール１４は、そのハ
ウジング内部にそれぞれ搬送アーム２２及び２８を備え
ている。
【００２２】ロードモジュール１７は、ウェーハが収容
されているカセットを内部に収容しており、搬送アーム
２２がカセットからウェーハを一枚づつＲＴＰモジュー
ル２０に搬入する。アンロードモジュール２７は、ウェ
ーハを収容する空カセットを内部に収容しており、搬送
アーム２８がWSi X 膜が形成されたウェーハを成膜モジ
ュール２６から受け取り、アンロードモジュール２７の
空カセットに格納する。
されているカセットを内部に収容しており、搬送アーム
２２がカセットからウェーハを一枚づつＲＴＰモジュー
ル２０に搬入する。アンロードモジュール２７は、ウェ
ーハを収容する空カセットを内部に収容しており、搬送
アーム２８がWSi X 膜が形成されたウェーハを成膜モジ
ュール２６から受け取り、アンロードモジュール２７の
空カセットに格納する。
【００２３】実験例１ 次に、本マルチチャンバプロセス装置１０を使用して、
ゲート酸化膜とドープド・ポリシリコン膜とWSi X 膜と
を連続成膜するプロセスを実施した。先ず、ウェ−ハを
収容したカセットをロードモジュール１７に置き、搬送
アーム２２によりウェ−ハをカセットから１枚づつ取り
出してＲＴＰモジュール２０に搬入し、膜厚１０nmのゲ
ート酸化膜を形成した。酸化条件は、圧力１０．６kPa
、基板温度１，１００°C 、Ｏ2 ガス流量１０slm （s
tandard liter per minute)であった。
ゲート酸化膜とドープド・ポリシリコン膜とWSi X 膜と
を連続成膜するプロセスを実施した。先ず、ウェ−ハを
収容したカセットをロードモジュール１７に置き、搬送
アーム２２によりウェ−ハをカセットから１枚づつ取り
出してＲＴＰモジュール２０に搬入し、膜厚１０nmのゲ
ート酸化膜を形成した。酸化条件は、圧力１０．６kPa
、基板温度１，１００°C 、Ｏ2 ガス流量１０slm （s
tandard liter per minute)であった。
【００２４】次に、搬送アーム２２によりウェ−ハをＲ
ＴＰモジュール２０から受渡しモジュール１６のウェー
ハ載置台（図示せず）上に移送した。第２搬送モジュー
ル１４の搬送アーム２８により受渡しモジュール１６か
らウェ−ハを受け取り、成膜モジュール２４に搬入し、
膜厚１００nmのドープド・ポリシリコン膜を形成した。
その成膜条件は、圧力１０．６kPa 、基板温度６２０°
C 、ガス流量はＳiH4が０．４５slm 、H2が１０slm 、P
H3 が２０sccmであった。
ＴＰモジュール２０から受渡しモジュール１６のウェー
ハ載置台（図示せず）上に移送した。第２搬送モジュー
ル１４の搬送アーム２８により受渡しモジュール１６か
らウェ−ハを受け取り、成膜モジュール２４に搬入し、
膜厚１００nmのドープド・ポリシリコン膜を形成した。
その成膜条件は、圧力１０．６kPa 、基板温度６２０°
C 、ガス流量はＳiH4が０．４５slm 、H2が１０slm 、P
H3 が２０sccmであった。
【００２５】次いで、搬送アーム２２により成膜モジュ
ール２４からウェ−ハを取り出し、成膜モジュール２６
に搬入し、膜厚１００nmのWSi2.6膜を成膜した。その成
膜条件は、圧力２０Pa、基板温度５２０°C 、ガス流量
はSiH2Cl2 が３００sccm、WF6 が２．８sccm、Arが５０
sccmであった。
ール２４からウェ−ハを取り出し、成膜モジュール２６
に搬入し、膜厚１００nmのWSi2.6膜を成膜した。その成
膜条件は、圧力２０Pa、基板温度５２０°C 、ガス流量
はSiH2Cl2 が３００sccm、WF6 が２．８sccm、Arが５０
sccmであった。
【００２６】以上のプロセスにより成膜工程を終了した
ウェ−ハを搬送アーム２８によりアンロードモジュール
２７に移送し、カセットに格納した。以上の操作をウェ
−ハ毎に繰り返し、各プロセスモジュールに空きがない
ようにウェ−ハを順次移送して連続的に成膜を行った。
ウェ−ハを搬送アーム２８によりアンロードモジュール
２７に移送し、カセットに格納した。以上の操作をウェ
−ハ毎に繰り返し、各プロセスモジュールに空きがない
ようにウェ−ハを順次移送して連続的に成膜を行った。
【００２７】実験例１では、タングステン金属のパーテ
ィクルが裏面に付着したウェ−ハは、第２搬送アームに
よってのみ移送され、熱酸化する前のウェ−ハをハンド
リングする第１搬送アーム２２には接触しないので、従
来のマルチチャンバプロセス装置において生じていたよ
うなタングステン金属の汚染は生じなかった。
ィクルが裏面に付着したウェ−ハは、第２搬送アームに
よってのみ移送され、熱酸化する前のウェ−ハをハンド
リングする第１搬送アーム２２には接触しないので、従
来のマルチチャンバプロセス装置において生じていたよ
うなタングステン金属の汚染は生じなかった。
【００２８】実施例２ 図２は本発明に係るマルチチャンバプロセス装置の実施
例２の構成を示す模式的構成図である。本実施例のマル
チチャンバプロセス装置４０は、ウェーハ上にＡl Ｓi
層の配線形成を行う装置であって、図２に示すように、
実施例１の装置１０同様に、第１搬送モジュール１２
と、第２搬送モジュール１４と、受渡しモジュール１６
とを備えている。
例２の構成を示す模式的構成図である。本実施例のマル
チチャンバプロセス装置４０は、ウェーハ上にＡl Ｓi
層の配線形成を行う装置であって、図２に示すように、
実施例１の装置１０同様に、第１搬送モジュール１２
と、第２搬送モジュール１４と、受渡しモジュール１６
とを備えている。
【００２９】第１搬送モジュール１２のハウジングの周
りにはロードモジュール１７とエッチングモジュール４
２とがゲートバルブ（図示せず）を介して独立かつ並列
に連結されている。エッチングモジュール４２は、ＨＦ
蒸気によりライトエッチング処理をウェ−ハに施すプロ
セスモジュールである。一方、第２搬送モジュール１４
のハウジングの周りにはＴi スパッタリングモジュール
４４と、Ａl スパッタリングモジュール４６と、アンロ
ードモジュール２７とが、ゲートバルブ（図示せず）を
介して独立かつ並列に連結されている。Ｔi スパッタリ
ングモジュール４４は、酸化膜層上に順次Ｔi 膜、Ｔi
ＯＮ膜、更にＴi 膜をスパッタリングにより成膜するプ
ロセスモジュールであり、Ａl スパッタリングモジュー
ル４６はＴi 膜上にＡl −１％Ｓi 膜をスパッタリング
により成膜するプロセスモジュールである。
りにはロードモジュール１７とエッチングモジュール４
２とがゲートバルブ（図示せず）を介して独立かつ並列
に連結されている。エッチングモジュール４２は、ＨＦ
蒸気によりライトエッチング処理をウェ−ハに施すプロ
セスモジュールである。一方、第２搬送モジュール１４
のハウジングの周りにはＴi スパッタリングモジュール
４４と、Ａl スパッタリングモジュール４６と、アンロ
ードモジュール２７とが、ゲートバルブ（図示せず）を
介して独立かつ並列に連結されている。Ｔi スパッタリ
ングモジュール４４は、酸化膜層上に順次Ｔi 膜、Ｔi
ＯＮ膜、更にＴi 膜をスパッタリングにより成膜するプ
ロセスモジュールであり、Ａl スパッタリングモジュー
ル４６はＴi 膜上にＡl −１％Ｓi 膜をスパッタリング
により成膜するプロセスモジュールである。
【００３０】実験例２ 次に、本マルチチャンバプロセス装置４０を使用して、
Ｓi Ｏ2 膜上にＡｌＳｉ膜を形成するプロセスを実施し
た。先ず、ウェ−ハを収容したカセットをロードモジュ
ール１７に設置し、第１搬送モジュール１２の搬送アー
ム２２によりウェ−ハをカセットから１枚づつ取り出し
てエッチングモジュール４２に搬送した。カセットに収
容されているウェーハは、図３（ａ）に示すように、Ｓ
i 基板Ａ上にＳi Ｏ2 層間絶縁膜Ｂが成膜されており、
更にＳi Ｏ2 層間絶縁膜Ｂを貫通してコンタンクトホー
ルＣが形成されている。
Ｓi Ｏ2 膜上にＡｌＳｉ膜を形成するプロセスを実施し
た。先ず、ウェ−ハを収容したカセットをロードモジュ
ール１７に設置し、第１搬送モジュール１２の搬送アー
ム２２によりウェ−ハをカセットから１枚づつ取り出し
てエッチングモジュール４２に搬送した。カセットに収
容されているウェーハは、図３（ａ）に示すように、Ｓ
i 基板Ａ上にＳi Ｏ2 層間絶縁膜Ｂが成膜されており、
更にＳi Ｏ2 層間絶縁膜Ｂを貫通してコンタンクトホー
ルＣが形成されている。
【００３１】エッチングモジュール４２にて、圧力が大
気圧、基板温度が室温、ガス流量がＮ2 １３．５slm 、
Ｈ2 Ｏ１．８slm 、ＨＦ２５０sccmの条件でウェーハに
処理時間約１０秒のライトエッチング処理を施した。Ｈ
Ｆ蒸気処理する理由は、ウェーハのコンタンクトホール
を開口した時にその底部に自然酸化膜Ｄが図３（ａ）に
示すように生じ、そのままではオーミックコンタンクト
を形成することができないからであって、自然酸化膜の
みを除去するためにＨＦ蒸気によるライトエッチング処
理をウェーハに施すのである（図３（ｂ）参照）。尚、
Ｎ2 、Ｈ2 Ｏ、ＨＦガスは、モジュールを真空排気した
後、いずれも気相で導入した。
気圧、基板温度が室温、ガス流量がＮ2 １３．５slm 、
Ｈ2 Ｏ１．８slm 、ＨＦ２５０sccmの条件でウェーハに
処理時間約１０秒のライトエッチング処理を施した。Ｈ
Ｆ蒸気処理する理由は、ウェーハのコンタンクトホール
を開口した時にその底部に自然酸化膜Ｄが図３（ａ）に
示すように生じ、そのままではオーミックコンタンクト
を形成することができないからであって、自然酸化膜の
みを除去するためにＨＦ蒸気によるライトエッチング処
理をウェーハに施すのである（図３（ｂ）参照）。尚、
Ｎ2 、Ｈ2 Ｏ、ＨＦガスは、モジュールを真空排気した
後、いずれも気相で導入した。
【００３２】次に、搬送アーム２２によりウェ−ハをエ
ッチングモジュール４２から取り出し、受渡しモジュー
ル１６のウェーハ載置台（図示せず）上に移送した。搬
送アーム２８により受渡しモジュール１６からウェ−ハ
を受け取り、Ｔi スパッタリングモジュール４４に搬入
し、ウェーハ上に順次膜厚３０nmのＴi 膜Ｅ、膜厚１２
０nmのＴi ＯＮ膜Ｆ、膜厚３０nmのＴi 膜Ｇをスパッタ
リングにて連続成膜した（図３（ｃ）参照）。スパッタ
リング条件は、Ａｒガス流量１００sccm、圧力０．４P
a、基板加熱温度１５０°Ｃ、ＤＣ電力５Ｋw であり、
Ｔi ＯＮスパッタリングの条件は、Ａｒガス流量４０sc
cm、Ｎ2 −６％Ｏ2 流量７０sccm、圧力０．４Pa、基板
加熱温度１５０°Ｃ、ＤＣ電力５Ｋw であった。
ッチングモジュール４２から取り出し、受渡しモジュー
ル１６のウェーハ載置台（図示せず）上に移送した。搬
送アーム２８により受渡しモジュール１６からウェ−ハ
を受け取り、Ｔi スパッタリングモジュール４４に搬入
し、ウェーハ上に順次膜厚３０nmのＴi 膜Ｅ、膜厚１２
０nmのＴi ＯＮ膜Ｆ、膜厚３０nmのＴi 膜Ｇをスパッタ
リングにて連続成膜した（図３（ｃ）参照）。スパッタ
リング条件は、Ａｒガス流量１００sccm、圧力０．４P
a、基板加熱温度１５０°Ｃ、ＤＣ電力５Ｋw であり、
Ｔi ＯＮスパッタリングの条件は、Ａｒガス流量４０sc
cm、Ｎ2 −６％Ｏ2 流量７０sccm、圧力０．４Pa、基板
加熱温度１５０°Ｃ、ＤＣ電力５Ｋw であった。
【００３３】次に、搬送アーム２２によりＴi スパッタ
リングモジュール４４から取り出し、Ａl スパッタリン
グモジュール４６に搬入し、膜厚４００nmのＡl −１％
Ｓi膜Ｈを高温スパッタリングにより成膜した（図３
（ｃ）参照）。Ａl −１％Ｓi のスパッタリングの条件
は、Ａｒガス流量１００sccm、圧力０．５Pa、基板加熱
温度５００°Ｃ、ターゲット電力２２．５Ｋw であっ
た。
リングモジュール４４から取り出し、Ａl スパッタリン
グモジュール４６に搬入し、膜厚４００nmのＡl −１％
Ｓi膜Ｈを高温スパッタリングにより成膜した（図３
（ｃ）参照）。Ａl −１％Ｓi のスパッタリングの条件
は、Ａｒガス流量１００sccm、圧力０．５Pa、基板加熱
温度５００°Ｃ、ターゲット電力２２．５Ｋw であっ
た。
【００３４】次いで、以上のプロセスで成膜工程を終了
したウェ−ハを搬送アーム２８によりアンロードモジュ
ール２７に移送し、空カセットに格納した。以上の操作
をウェ−ハ毎に繰り返し、プロセスモジュールに空きが
ないようにウェ−ハを順次移送して連続的に成膜した。
したウェ−ハを搬送アーム２８によりアンロードモジュ
ール２７に移送し、空カセットに格納した。以上の操作
をウェ−ハ毎に繰り返し、プロセスモジュールに空きが
ないようにウェ−ハを順次移送して連続的に成膜した。
【００３５】上述の実験例２では、成膜されたＡl −１
％Ｓi 膜がＨＦ蒸気により腐食されていないことが確認
された。それは、Ａl −１％Ｓi 膜が成膜されたウェー
ハは、ＨＦ蒸気によって汚染されている搬送モジュール
１２に戻ることはないので、ＨＦ蒸気により腐食される
ことがないからである。
％Ｓi 膜がＨＦ蒸気により腐食されていないことが確認
された。それは、Ａl −１％Ｓi 膜が成膜されたウェー
ハは、ＨＦ蒸気によって汚染されている搬送モジュール
１２に戻ることはないので、ＨＦ蒸気により腐食される
ことがないからである。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、以上の構成により、各
ウェーハは、各搬送モジュールを順次移動しつつプロセ
ス処理の順序に従って各プロセスチャンバにて処理され
るので、クリーン度の異なるプロセスが相互に完全に隔
離される。よって、従来のマルチチャンバプロセス装置
で生じていたようなクロスコンタミネーションの問題が
発生することもなく、また、クリーン度の異なるプロセ
スを１台の真空プロセス装置で連続処理することが可能
となる。換言すれば、クリーンプロセスチャンバ内に金
属等の汚染物が持ち込まれることがなく、例えば高いク
リーン度を維持しつつメタル配線プロセスの連続処理が
可能となる。また、反応ガスプロセスとメタル配線プロ
セスとを連続して実施しても、反応ガスによってメタル
が腐食されることなく、信頼性の高い連続プロセスが可
能となる。特に、本発明は、金属配線形成工程を実施す
るマルチチャンバプロセス装置に好適に適用できる。
ウェーハは、各搬送モジュールを順次移動しつつプロセ
ス処理の順序に従って各プロセスチャンバにて処理され
るので、クリーン度の異なるプロセスが相互に完全に隔
離される。よって、従来のマルチチャンバプロセス装置
で生じていたようなクロスコンタミネーションの問題が
発生することもなく、また、クリーン度の異なるプロセ
スを１台の真空プロセス装置で連続処理することが可能
となる。換言すれば、クリーンプロセスチャンバ内に金
属等の汚染物が持ち込まれることがなく、例えば高いク
リーン度を維持しつつメタル配線プロセスの連続処理が
可能となる。また、反応ガスプロセスとメタル配線プロ
セスとを連続して実施しても、反応ガスによってメタル
が腐食されることなく、信頼性の高い連続プロセスが可
能となる。特に、本発明は、金属配線形成工程を実施す
るマルチチャンバプロセス装置に好適に適用できる。
【図１】実施例１のマルチチャンバプロセス装置の構成
を示す模式的構成図である。
を示す模式的構成図である。
【図２】実施例２のマルチチャンバプロセス装置の構成
を示す模式的構成図である。
を示す模式的構成図である。
【図３】実施例２のマルチチャンバプロセス装置で実施
したプロセスを説明するためのウェ−ハの断面図であ
る。
したプロセスを説明するためのウェ−ハの断面図であ
る。
【図４】従来のマルチチャンバプロセス装置の構成を示
す模式的構成図である。
す模式的構成図である。
【符号の説明】 １０ 実施例１のマルチチャンバプロセス装置 １２ 第１搬送モジュール １４ 第２搬送モジュール １６ 受渡しモジュール １７ ロードモジュール ２０ ＲＴＰモジュール ２２、２８ 搬送アーム ２４ ポリシリコン膜形成用の成膜モジュール ２６ WSi X 膜形成用の成膜モジュール ２７ アンロードモジュール ４０ 実施例２のマルチチャンバプロセス装置 ４２ エッチングチャンバ ４４ Ｔi スパッタリングチャンバ ４６ Ａl スパッタリングチャンバ
Claims (4)
- 【請求項１】 複数のプロセスチャンバを備えて、半導
体装置の製造工程の一部を構成する一連のプロセス処理
の各々を各プロセスチャンバにてそれぞれ順次ウェーハ
に施すマルチチャンバプロセス装置において、 第１搬送モジュールと、最終搬送モジュールと、第１搬
送モジュールと最終搬送モジュールとの間に設置されて
いる中間搬送モジュールと、 第１搬送モジュールにそれぞれ独立に連結されているロ
ードモジュールと少なくとも１個のプロセスチャンバ
と、最終搬送モジュールにそれぞれ独立に連結されてい
るアンロードモジュールと少なくとも１個のプロセスチ
ャンバと、中間搬送モジュールにそれぞれ独立に連結さ
れている少なくとも１個のプロセスチャンバと、 各ウェーハは、ロードモジュールから第１搬送モジュー
ル、中間搬送モジュール及び最終搬送モジュールに順次
移動しつつプロセス処理の順序に従って各プロセスチャ
ンバにて処理されて、アンロードモジュールに到達する
ようにしたことを特徴とするマルチチャンバプロセス装
置。 - 【請求項２】 第２段目の第２搬送モジュールが最終搬
送モジュールであって、汚染発生源となるプロセスが第
１搬送モジュールに連結されたプロセスチャンバにて、
かつ被汚染側のプロセスが第２搬送モジュールに連結さ
れたプロセスチャンバにてそれぞれ実施されるようにし
たことを特徴とする請求項１に記載のマルチチャンバプ
ロセス装置。 - 【請求項３】 配線形成工程で使用されるマルチチャン
バプロセス装置であって、前記第１搬送モジュールに連
結されたプロセスチャンバの一つがＲＴＰチャンバであ
り、前記第２搬送モジュールに連結されたプロセスチャ
ンバの一つがドープド・Ｓi 膜の成膜チャンバであり、
他の一つがWSi X 膜の成膜チャンバであることを特徴と
する請求項２に記載のマルチチャンバプロセス装置。 - 【請求項４】 配線形成工程で使用されるマルチチャン
バプロセス装置であって、前記第１搬送モジュールに連
結されたプロセスチャンバの一つがＨＦガスにより自然
酸化膜をエッチングするためのチャンバであり、前記第
２搬送モジュールに連結されたプロセスチャンバの一つ
が配線用金属膜の成膜チャンバであることを特徴とする
請求項２に記載のマルチチャンバプロセス装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10342894A JPH07288238A (ja) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | マルチチャンバプロセス装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10342894A JPH07288238A (ja) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | マルチチャンバプロセス装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07288238A true JPH07288238A (ja) | 1995-10-31 |
Family
ID=14353772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10342894A Pending JPH07288238A (ja) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | マルチチャンバプロセス装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07288238A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000016391A1 (en) * | 1998-09-14 | 2000-03-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device |
| WO2009031232A1 (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-12 | Canon Anelva Corporation | スパッタリング方法および装置 |
-
1994
- 1994-04-18 JP JP10342894A patent/JPH07288238A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000016391A1 (en) * | 1998-09-14 | 2000-03-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device |
| EP1143502A1 (en) * | 1998-09-14 | 2001-10-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device |
| US6620665B1 (en) | 1998-09-14 | 2003-09-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor device |
| EP1143502A4 (en) * | 1998-09-14 | 2005-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE |
| WO2009031232A1 (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-12 | Canon Anelva Corporation | スパッタリング方法および装置 |
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