KR19990006332A - 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 제조장치 - Google Patents

반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 제조장치 Download PDF

Info

Publication number
KR19990006332A
KR19990006332A KR1019980002763A KR19980002763A KR19990006332A KR 19990006332 A KR19990006332 A KR 19990006332A KR 1019980002763 A KR1019980002763 A KR 1019980002763A KR 19980002763 A KR19980002763 A KR 19980002763A KR 19990006332 A KR19990006332 A KR 19990006332A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
film forming
semiconductor wafer
chamber
semiconductor
Prior art date
Application number
KR1019980002763A
Other languages
English (en)
Inventor
세이지 무라나까
고지 반
아끼히꼬 오사끼
Original Assignee
기따오까 다까시
미쯔비시 덴기 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 기따오까 다까시, 미쯔비시 덴기 가부시끼가이샤 filed Critical 기따오까 다까시
Publication of KR19990006332A publication Critical patent/KR19990006332A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046—Dry cleaning only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
    • C23C16/0236—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching by etching with a reactive gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

반도체 웨이퍼의 처리 프로세스에 있어서, 성막 공정 전 세정으로서 웨트(wet) 세정을 행한 후, 성막 장치로 반송하여 성막하는 플로우에 있어서, 세정 후로부터 성막 공정을 행하는 동안에 여러가지 오염이 생길 위험성이 있다.
반도체 웨이퍼의 처리 프로세스에 있어서, 각종 성막 단계 직전에 그 성막을 행하는 것과 동일한 챔버 내에 수소 가스를 도입하고 가열하여 수소기(hydrogen radicals)를 발생시키거나 또는 플라즈마에 의해 수소기를 발생시키며, 혹은 반도체 웨이퍼를 베이킹하여 반도체 웨이퍼 표면의 오염 물질을 제거한다. 그 후에 그 챔버 내에서 계속해서 도전막 혹은 절연막을 형성하는 성막 공정을 행한다.

Description

반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 제조 장치
본 발명은 반도체 제조 방법 및 제조 장치에 관한 것이다. 더 자세하게는 반도체 제조 프로세스에서 반도체 디바이스의 성막 직전에 동일한 챔버 내에서 반도체 웨이퍼 표면의 오염 물질을 제거하는 제조 방법 및 제조 장치에 관한 것이다.
최근, 반도체 디바이스의 미세화가 진행됨에 따라 지금까지 문제가 되지 않았던 반도체 웨이퍼 세정 후의 자연 산화막의 재성장이나 유기 오염 물질의 재부착이 디바이스 특성을 열화시키는 것을 알 수 있다.
종래의 세정 장치와 성막 장치의 시스템 모식도를 도 7에 도시한다. 종래의 반도체 제조 공정에서는 게이트 산화막, 전극 재료, 캐패시터 유전체막 등 디바이스 특성을 좌우하는 막의 성막 직전의 표면 세정으로서 확산 전 처리나 라이트(light) 에치 등의 웨트 세정 장치를 이용해 왔다.
또한, 종래의 세정 장치와 성막 장치에 대해서는 각종 기술이 개시되어 있다. 예를 들면, 일본 특허 공개 공보 평4-279022호, 일본 특허 공개 공보 평3-224222호, 일본 특허 공개 공보 소61-32429호, 일본 특허 공개 공보 평3-87373호, 일본 특허 공개 공보 평7-507844호, 일본 특허 공개 공보 평8-53767호, 일본 특허 공개 공보 소61-280623호 등에 개시된 것이 있다.
그러나, 성막 공정 전 세정으로서 웨트 세정을 행한 후, 성막 장치로 반송하여 성막한다는 종래의 플로우를 이용한 경우, 세정 후 성막 공정을 행하는 동안에 여러가지 오염이 생길 위험성이 있다. 세정 후, 웨이퍼를 일시적으로 케이스에 보관할 때까지의 크린룸 분위기로부터의 오염, 보관하고 있는 동안의 케이스나 카세트로부터의 오염, 웨이퍼를 성막 장치에 반송하는 작업자나 로보트로부터의 오염, 세정 장치와 성막 장치에서의 웨이퍼를 성막 위치로 반송할 때의 오염, 성막 장치 내에서 감압이나 가스 공급 등 압력 변화에 의해 발생하는 오염 등 각종 오염이 발생할 수 있는 상황은 많다.
본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위해서 이루어질 수 있는 것으로 성막 장치 내에서 표면 오염 물질의 제거를 성막 직전에 행하고, 상기한 오염 요인을 억제하여, 특성이 우수한 계면이나 막을 형성하는 것을 목적으로 한 것이다.
본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은 반도체 웨이퍼의 처리 프로세스에서 성막 장치의 성막 챔버 내에서 반도체 웨이퍼에 도전막 혹은 절연막을 형성하는 성막 단계 및 상기 성막 단계 직전에 상기 성막 챔버 내에서 상기 반도체 웨이퍼 표면의 오염 물질을 제거하는 오염 물질 제거 단계를 포함하도록 한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은 상기 오염 물질 제거 단계로서 상기 성막 챔버에 유량 조정 수단을 통해 수소 가스 또는 할로겐화 수소 가스를 도입함과 동시에 상기 도입한 수소 가스 또는 할로겐화 수소 가스를 상기 성막 챔버 내에서 가열하여 수소기를 생성함으로써 상기 반도체 웨이퍼 표면의 오염 물질을 제거하도록 한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은 상기 도입한 수소 가스 또는 할로겐화 수소 가스를 상기 성막 챔버 내에서 열 필라멘트에 의해 가열하는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은 상기 오염 물질 제거 단계로서 상기 성막 챔버에 유량 조정 수단을 통해 수소 가스 또는 할로겐화 수소 가스를 도입함과 동시에 상기 성막 챔버 내에서 상기 반도체 웨이퍼를 덮도록 플라즈마를 발생시켜 수소기를 생성함으로써 상기 반도체 웨이퍼 표면의 오염 물질을 제거하도록 한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은 상기 성막 챔버 내에서 상기 반도체 웨이퍼를 덮도록 상이한 2주파의 플라즈마를 발생시키는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은 상기 오염 물질 제거 단계로서 상기 성막 챔버에 유량 조정 수단을 통해 수소 가스 또는 할로겐화 수소 가스를 도입함과 동시에 상기 반도체 웨이퍼를 상기 성막 챔버 외부로부터 가열함으로써 상기 반도체 웨이퍼 표면의 오염 물질을 제거하도록 한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은 상기 반도체 웨이퍼를 상기 성막 챔버 외부로부터 500 내지 1200℃의 범위로 가열하는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은 상기 오염 물질 제거 단계로서 상기 성막 챔버에 유량 조정 수단을 통해 수소 가스 또는 할로겐화 수소 가스를 도입함과 동시에 상기 반도체 웨이퍼를 상기 성막 챔버 외부로부터 가열하고 동시에 상기 성막 챔버 내에서 상기 반도체 웨이퍼를 덮도록 플라즈마를 발생시킴으로써 상기 반도체 웨이퍼 표면의 오염 물질을 제거하도록 한 것을 특징으로 하는 것이다.
다음에, 본 발명의 반도체 장치 제조 장치는 반도체 웨이퍼의 성막 처리를 하는 성막 장치의 성막 챔버와 상기 성막 챔버에 유량 조정 수단을 통해 수소 가스 또는 할로겐화 수소 가스를 도입하는 가스 도입 수단과 상기 성막 챔버 내에서 상기 도입된 수소 가스 또는 할로겐화 수소 가스를 가열하여 수소기를 생성시켜 상기 반도체 웨이퍼 표면의 오염 물질을 제거하는 가스 가열 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 반도체 장치 제조 장치는 상기 가스 가열 수단으로서 열 필라멘트를 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 반도체 장치 제조 장치는 상기 열 필라멘트로서 수소기 생성 반응의 촉매가 되는 금속 재료를 이용한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 반도체 장치 제조 장치는 상기 열 필라멘트의 근방에 수소기 생성 반응의 촉매가 되는 금속 재료를 배치한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 반도체 장치 제조 장치는 반도체 웨이퍼의 성막 처리를 하는 성막 장치의 성막 챔버와 상기 성막 챔버 내에 상기 반도체 웨이퍼의 재치(載置) 위치를 사이에 두고 대향하여 배치된 한쌍의 플라즈마 발생용 전극과 이 한쌍의 플라즈마 발생용 전극에 고주파 전압을 인가하는 전압 인가 수단에 의해 플라즈마를 발생하여 수소기를 생성시켜 상기 반도체 웨이퍼 표면의 오염 물질을 제거하는 플라즈마 발생 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 반도체 장치 제조 장치는 상기 전압 인가 수단으로서 상이한 2주파의 고주파 전압을 인가할 수 있는 전원을 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 반도체 장치 제조 장치는 반도체 웨이퍼의 성막 처리를 하는 성막 장치의 성막 챔버와 상기 성막 챔버에 유량 조정 수단을 통해 수소 가스 또는 할로겐화 수소 가스를 도입하는 가스 도입 수단과 상기 성막 챔버 내에 설치된 상기 반도체 웨이퍼를 상기 성막 챔버 외부로부터 가열함으로써 상기 반도체 웨이퍼 표면의 오염 물질을 제거하는 웨이퍼 가열 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 반도체 장치 제조 장치는 상기 성막 챔버 내에 상기 반도체 웨이퍼의 재치 위치를 사이에 두고 대향하여 배치된 한쌍의 플라즈마 발생용 전극과 이 한쌍의 플라즈마 발생용 전극에 고주파 전압을 인가하는 전압 인가 수단에 의해 플라즈마를 발생하여 수소기를 생성시켜 상기 반도체 웨이퍼 표면의 오염 물질을 제거하는 플라즈마 발생 수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 반도체 장치 제조 장치는 상기 성막 장치에 상기 성막 챔버와 접속되어 연속 진공 상태로 상기 반도체 웨이퍼를 이동시킬 수 있는 반도체 웨이퍼 도입용 로드 록실을 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 반도체 장치 제조 장치는 상기한 어느 하나에 기재된 복수의 반도체 제조 장치와 상기 복수의 반도체 제조 장치의 각 성막 챔버와 접속되어 연속 진공 상태로 할 수 있는 반송실을 구비하고 상기 반도체 웨이퍼를 연속 진공 상태로 반송하여 상기 각 성막 챔버로 성막 처리를 행할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 제조 방법 및 제조 장치를 설명하기 위한 전체 구성도.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 제조 방법 및 제조 장치를 설명하기 위한 가열 수단을 도시하는 도면.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 제조 방법 및 제조 장치를 설명하기 위한 전체 구성도.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 제조 방법 및 제조 장치를 설명하기 위한 전체 구성도.
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 제조 방법 및 제조 장치를 설명하기 위한 전체 구성도.
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 제조 방법 및 제조 장치의 다른 예를 설명하기 위한 전체 구성도.
도 7은 종래의 반도체 제조 방법 및 제조 장치를 설명하기 위한 도면.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 성막 챔버
2 : 반도체 웨이퍼
3 : 원료 가스 공급 라인
4 : 수소 가스 공급 라인
5 : 유량 조정 수단
6 : 밸브
7 : 열 필라멘트
9 : 촉매 금속 재료
10 : 플라즈마 발생용 전극
11 : 전압 인가 수단(고주파 전원)
12 : 플라즈마 가스 공급 라인
13 : 가열기(적외선 히터)
14 : 로드 록(Load Lock)실
15 : 반송실
16 : 반송 아암
A : 성막 장치
＜제1 실시예＞
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법 및 제조 장치를 설명하기 위한 도면이고 더 자세하게는 반도체 웨이퍼의 표면 세정을 성막 직전에 행하는 방법 및 그 장치를 도시하는 전체 구성도이다.
도 1에서 도면 부호 1은 성막 챔버, 2는 이 성막 챔버(1) 중에 배치된 반도체 웨이퍼, 3은 반도체 웨이퍼(2)에 성막 처리를 실시하기 위해 성막 챔버(1)에 프로세스 원료 가스를 공급하는 원료 가스 공급 라인, 4는 반도체 웨이퍼(2)를 세정 처리하기 위해 수소 가스를 공급하는 수소 가스 공급 라인이다.
수소 가스 공급 라인(4)에서 5는 가스 유량의 제어를 행하는 유량 조정 수단이고 예를 들면 매스 플로우 콘트롤러(mass flow controller)이다(이하, 적당히 MFC라고 약칭한다). 6은 가스 공급을 제어하는 밸브이다. 또한, 7은 성막 챔버(1) 내에 설치되며 도입된 수소 가스를 가열하기 위한 열 필라멘트, 8은 성막 챔버(1) 내를 진공 배기하기 위한 진공 펌프이다.
다음에, 세정 방법에 대해 설명한다.
반도체 웨이퍼(2)의 성막 처리에 앞서서 그 직전에 반도체 웨이퍼(2)의 세정처리를 행한다. 그 때문에, 우선 성막 챔버(1)를 진공 펌프(8)에 의해 진공 배기한 후, 수소 가스 공급 라인(4)에서 MFC(5) 및 밸브(6)로 수소 가스의 유량을 10sccm으로 제어하여 성막 챔버(1) 내에 주입한다. 성막 챔버(1) 내 압력이 13.3 내지 1330Pa(0.1 내지 10Torr)로 안정된 후 수소기를 생성하기 위해 수소를 열 필라멘트(7)로 가열한다.
열 필라멘트(7)는 수소기 생성 반응을 촉진시키므로, 바람직하게는 수소기 생성 반응의 촉매가 되는 금속 재료로 제작한다.
또한, 다른 수단으로서 도 2에 도시한 바와 같이 열 필라멘트(7)의 근방에 수소기 생성 반응의 촉매가 되는 금속 재료(9)를 배치한다. 혹은 열 필라멘트(7)의 주변을 수소기 생성 반응의 촉매가 되는 금속 재료(9)로 덮는다. 이에 따라, 촉매 반응을 촉진하고 수소를 분해하고 수소기를 활발히 생성한다. 촉매가 되는 금속 재료에는 바람직하게는 Ti, Pt, Ni, V, Mg, Mn, Ta 또는 이들 합금을 이용하며 이들을 단체 혹은 복수의 재료를 조합하여 사용한다.
이 방법으로 생성한 수소기를 웨이퍼(2)의 표면에 접촉시킴으로써 프로세스 직전에 웨이퍼 표면의 오염 물질의 제거를 행한다.
그 후, 성막 챔버(1)에 대기 혹은 실내 공기를 도입하는 일 없이 계속해서 프로세스 원료 가스 공급 라인(3)으로부터 프로세스 원료 가스를 성막 챔버(1) 내에 도입하고 반도체 웨이퍼(2)에 대한 성막 처리 프로세스로 들어간다.
또, 이상은 반도체 웨이퍼(2)의 세정용 가스로서 수소 가스를 이용하는 예를 도시했지만 할로겐화 수소 가스(HCl, HBr, HI 등)를 도입해도 좋다.
또, 수소기에 의한 오염 물질의 제거는 다음과 같은 프로세스를 포함하는 것으로 생각된다. C, H, O 등의 원소를 포함하는 유기물은 수소기에 의해, C가 저분자 탄화 수소(알칸, 알킨 외)로 O는 H2O로, N은 NH3로 분해된다. 자연 산화막(SiO2)은 Si가 SiH4, SiO, Si(OH)4등의 휘발성 기체로 O는 H2O로 분해된다. 그 외 금속 원소 등의 무기 물질은 자연 산화막내 혹은 자연 산화막 위에 존재하기 때문에 자연 산화막과 함께 제거된다.
이상 설명한 바와 같이, 이 실시예는 수소 가스 혹은 할로겐화 수소 가스를 열 필라멘트에 의해 가열하고 생성한 수소기를 웨이퍼 표면에 접촉시킴으로써 웨이퍼 표면의 오염 물질의 제거를 행하는 것이다.
이 실시예에서는 반도체 웨이퍼 표면을 완전히 세정화한 후에 반도체 웨이퍼에 성막을 행한다.
세정 후의 성막 공정으로서는 폴리 실리콘막의 형성, 산화막의 형성, 금속 전극막의 형성을 포함하여 각종 성막 공정을 행할 수 있다.
또한, 이 실시예는 실리콘 등의 원소 반도체 기판을 세정화하고나서 성막을 행하는 원소 반도체 디바이스의 제조에 이용할 때 특히 적합한 것이다.
또한, 이상 설명한 바와 같이 이 실시예에 따르면 성막 공정 전 세정 후에 반도체 웨이퍼를 성막 장치로 반송할 필요가 없다. 따라서, 세정 공정으로부터 성막 공정에 걸쳐 종래에 있었던 것과 같은 오염 요인을 배제할 수 있으며 결과로서 특성이 우수한 막이나 계면을 형성할 수 있다.
또한, 이와 같이 오염 물질 제거와 성막을 동일 챔버로 행할 수 있으므로 작업 처리량이 향상된다.
또한, 이 실시예에 따르면, 반응성이 높은 활성 래디컬에 의해 유기물을 포함하여 각종 오염 물질의 제거를 행할 수 있다. 이에 따라, 산화막 신뢰성의 향상이나 접촉 저항의 증대 억제를 기대할 수 있다.
또한, 수소나 할로겐화 수소를 오염 물질 제거용 가스로서 사용하고 있기 때문에 성막 전의 반도체 웨이퍼 표면이 에칭에 의한 손상을 받지 않는다고 하는 장점이 있다.
＜제2 실시예＞
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법 및 제조 장치를 설명하기 위한 도면이고 더 자세하게는 반도체 제조 프로세스에서 반도체 웨이퍼의 표면 세정을 성막 직전에 행하는 방법 및 그 장치를 도시하는 도면이다.
도 3에서 도면 부호 10은 성막 챔버(1) 내에서 반도체 웨이퍼(2)를 사이에 두도록 배치된 1쌍의 플라즈마 발생용 전극, 11은 이 플라즈마 발생용 전극(10)에 고주파 전압을 인가하는 전압 인가 수단(고주파 전원), 12는 플라즈마 가스를 공급하는 가스 공급 라인이다. 이들로 플라즈마 발생 수단을 구성하고 있다. 그 외의 구성은 도 1과 동일하기 때문에 설명을 생략한다.
다음에, 세정 방법에 대해 설명한다.
반도체 웨이퍼(2)의 성막 처리에 앞서서 성막 챔버(1)를 진공 펌프(8)에 의해 진공 배기한 후 수소 가스 공급 라인(4)에서 MFC(5) 및 밸브(6)로 수소 가스의 유량을 10sccm으로 제어하여 성막 챔버(1) 내에 주입한다.
다음에, 한쌍의 플라즈마 발생용 전극(10)에 고주파 전압(예를 들면, 13.56㎒)을 인가함으로써 수소 가스 중에서 플라즈마를 발생시키며 이에 따라 수소기를 생성한다. 이 수소기를 반도체 웨이퍼(2)에 접촉시켜서 반도체 웨이퍼(2)의 표면의 오염 물질을 제거한다.
또한, 이 플라즈마의 발생에 ECR(Electron Cyclotron Resonance) 플라즈마를 사용하는 것도 유용하다. 이것은 자계를 인가함으로써 오염원이 되는 전극을 필요로 하지 않고 방전을 유지하고 저압으로 고밀도의 플라즈마를 생성할 수 있는 방법이다. ECR 플라즈마 생성 조건은 예를 들면, 마이크로파 주파수 2.45㎓, 인가 자계 875Gauss, 성막 장치(1)내 압력 1.33×10-2Pa(1×10-4Torr)이다.
또한, 이 실시예에서 오염 물질을 제거하기 위한 래디컬의 원료가 되는 가스에 할로겐화 수소 가스(HCl, HBr, HI 등)를 사용하여 청정력(淸淨力)의 향상을 도모하는 것도 가능하다.
또한, 플라즈마 발생을 위한 다른 방법으로서 성막 챔버(1)로의 수소 가스의 도입에 앞서서 도 3의 플라즈마 가스 공급 라인(12)으로부터 미리 플라즈마 생성용 가스로서 불활성 가스(Ar, He 등)를 도입하는 것도 효과적이다. 이 플라즈마 생성용 가스에 의해서 안정된 상태의 플라즈마를 발생시켜 놓고나서 수소 가스를 도입하면, 안정된 수소기의 공급이 가능해진다. 또한, 이에 따라, 플라즈마의 안정화, 웨이퍼 표면의 플라즈마에 의한 손상의 저감을 꾀할 수 있다.
또한, 플라즈마 생성 시에 고주파 전원(11)으로서 2주파 플라즈마 전원(예를 들면, 13.56㎒와 27.12㎒)을 사용하여 2주파 플라즈마를 이용하면 여기 효율이 높아서 래디컬을 효율적으로 생성할 수 있어 매우 유효하다.
이와 같이 해서 웨이퍼 표면의 오염 물질을 제거한 후, 성막 챔버(1)에 대기 혹은 실내 공기를 도입하는 일 없이 프로세스 원료 가스 공급 라인(3)으로부터, 프로세스 원료 가스를 성막 챔버(1) 내에 도입하고 반도체 웨이퍼(2)에 대한 성막 처리 프로세스로 들어 간다.
이상 설명하였듯이 이 실시예는 수소 가스나 할로겐화 수소 가스를 플라즈마에 의해 여기하여 수소기를 생성하고 생성한 수소기를 웨이퍼 표면에 접촉시킴으로써 웨이퍼 표면의 오염 물질을 제거하는 것이다.
이 실시예에서는 플라즈마에 의한 표면의 청정화 후에 CVD 공정, 열산화 공정, 어닐링 공정, 스퍼터 공정을 포함하는 각종 공정을 행할 수 있으며 대기에 노출되지 않고 청정화된 채로 다음 성막 공정을 행한다.
또한, 이 실시예에서는 이와 같이 고주파를 인가하여 플라즈마를 생성하므로, 반도체 웨이퍼가 대전되는 일이 없어 반도체 웨이퍼를 손상시키지 않는다.
또한, 이 실시예는 실리콘 등의 원소 반도체 기판을 세정화하고 성막을 행하는 원소 반도체 디바이스의 제조에 이용할 때 특히 적합한 것이다.
또한, 이 실시예에 따르면 성막 공정 전 세정 후에 반도체 웨이퍼를 성막 장치로 반송할 필요가 없다. 따라서, 세정 공정으로부터 성막 공정에 걸쳐 종래에 있었던 것과 같은 오염 요인을 배제할 수 있으며, 결과로서 특성이 우수한 막이나 계면을 형성할 수 있다.
또한, 이와 같이 오염 물질 제거와 성막을 동일 챔버로 행할 수 있으므로 작업 처리량이 향상된다.
또한, 이 실시예에 따르면 반응성이 높은 활성 래디컬에 의해, 유기물을 포함하여 각종 오염 물질을 제거할 수 있다. 이에 따라, 산화막 신뢰성의 향상이나 접촉 저항의 증대 억제를 기대할 수 있다.
또한, 수소나 할로겐화 수소를 오염 물질의 제거용 가스로서 사용하고 있기 때문에 성막 전의 반도체 웨이퍼 표면이 에칭에 의한 손상을 받지 않는다고 하는 장점이 있다.
＜제3 실시예＞
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법 및 제조 장치를 설명하기 위한 도면이고 더 자세하게는 반도체 제조 프로세스에서 반도체 웨이퍼의 표면 세정을 성막 직전에 행하는 방법 및 그 장치를 도시하는 도면이다.
도 4에서 도면 부호 13은 성막 챔버(1)의 외부에 배치된 가열 수단(가열기 또는 적외선 히터)이며, 성막 챔버(1)의 외부로부터 반도체 웨이퍼(2)를 가열 승온한다. 그 외의 구성은 도 2와 동일하기 때문에 설명을 생략한다.
다음에, 세정 방법에 대해 설명한다.
반도체 웨이퍼(2)의 성막 처리에 앞서서 우선 성막 챔버(1)를 진공 펌프(8)에 의해 진공 배기한 후, 수소 가스 공급 라인(4)에서 MFC(5) 및 밸브(6)로 수소 가스의 유량을 10sccm으로 제어하여 성막 챔버(1) 내에 주입한다.
다음에, 성막 챔버(1)의 외부로부터 적외선 히터(13)에 의해서 수소 가스 분위기 중의 반도체 웨이퍼(2)를 가열 승온한다. 이에 따라, 웨이퍼(2) 표면의 오염 물질을 제거한다.
분위기 가스는 수소 이외에 할로겐화 수소 가스(HCl, HBr, HI 등)를 이용하는 것도 유효하다.
고진공 중에서 800 내지 850℃로 Si 웨이퍼를 가열하면 웨이퍼 상에 형성된 자연 산화막이 소실되고 Si 표면에 표면 초구조(super structure)가 형성됨으로써 표면에 흡착하고 있던 오염 물질을 제거할 수 있다.
본 실시예에서는 수소 가스 분위기 속에서 가열(베이킹)을 행하므로, 수소 가스에 의한 웨이퍼 표면의 오염 물질 제거의 효과에 승온에 의한 표면 세정의 효과가 가해짐으로써 청정력이 강화된다.
본 실시예와 같은 수소 분위기 중에서의 가열(베이킹)에 의한 웨이퍼 표면의 오염 물질의 제거에서는 웨이퍼 표면의 온도를 500 내지 1200℃의 범위에서 승온하는 것이 바람직하며, 800 내지 850℃ 이상으로 승온하는 것이 더욱 바람직하다. 이에 따라, 청정력을 높일 수 있다.
이 실시예에 따르면, 제1 실시예 혹은 제2 실시예에서 설명한 것과 마찬가지의 효과가 있다. 중복을 피하기 위해 그 설명은 생략한다.
또한, 제1 실시예 혹은 제2 실시예와 이 제3 실시예를 조합하여, 수소 가스를 열 필라멘트로 가열하고, 혹은 수소 가스 속에서 플라즈마를 이용하여 생성한 수소기를 웨이퍼 표면에 접촉시키는 동시에, 웨이퍼를 가열 승온하면, 오염 물질의 이탈 반응이 활발해지고 웨이퍼 표면의 청정력이 보다 향상된다.
다음에, 이상의 제1 실시예 이후에 설명한 반도체 웨이퍼의 표면 세정 방법을 포함하는 반도체 장치의 제조 프로세스에 대해 설명한다.
일반적으로 트랜지스터를 제조하기 위한 기본적인 프로세스는 다음과 같다.
(1) 반도체 웨이퍼의 활성 영역의 형성
* 세정 → #산화 → #질화 → 포토 리소그래피 → 에칭 → 레지스트 제거 → *세정→ #이온 주입→ #산화 → 에칭 → 레지스트 제거
(2) 게이트 구조 형성
* 세정 → #산화→ #전극 재료 퇴적 → 포토 리소그래피 → 에칭 → 레지스트 제거
(3) 소스·드레인 구조 형성
* 세정 → #이온 주입
(4) 층간 절연막 형성
* 세정 → #산화막 퇴적 → 에칭 → 레지스트 제거
(5) 배선부 형성
* 세정 → #배선 재료 퇴적 → 포토 리소그래피 → 에칭 → 레지스트 제거
이상과 같은 프로세스에 있어서, 종래에는 * 표시를 붙인 세정 공정과 그 후에 계속하여 # 표시를 붙인 여러가지 막의 성막 공정은 각각 별도의 세정 장치와 성막 장치로 처리되고 있었다.
이에 반해, 본 발명의 실시예에서는 성막 직전에 동일 성막 챔버내에서 세정된 표면을 얻기 위해, * 표시를 붙인 세정 공정 후에, 다시 성막 챔버 내에서 수소 가스 등에 의해서 제1 실시예 이후에 설명한 바와 같은 드라이 세정을 행하는 것이다. 이러한 드라이 세정 후에, 동일 성막 챔버 내에서 성막 공정을 행하므로 반도체 웨이퍼의 반송에 따른 오염 요인을 억제할 수 있어, 특성이 우수한 계면이나 막을 형성할 수 있다.
＜제4 실시예＞
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법 및 제조 장치를 설명하기 위한 도면이고 더욱 자세하게는 반도체 제조 프로세스에서 반도체 웨이퍼의 표면 세정을 성막 직전에 행하는 방법 및 그 장치를 도시하는 도면이다.
도 5에서 도면 부호 A는 제1 실시예 내지 제3 실시예에서 설명한 성막 공정 직전의 표면 세정 기능을 갖는 성막 장치를 도시한다. 또한, 14는 성막 공정 전의 반도체 웨이퍼를 저장하는 로드 록실, 8a는 진공 펌프이다. 이 로드 록실(14)은 성막 장치(A)와 연속 진공 상태로 할 수 있으며, 성막 처리 시에 반도체 웨이퍼를 대기로 되돌리는 일 없이 성막 장치(A)로 이동시킨다. 그 외의 구성은 도 2와 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
이와 같이, 제1 실시예 내지 제3 실시예에서 도시한 바와 같은 성막 공정 직전의 표면 세정 기능이 있는 성막 장치에서 웨이퍼 도입용 로드 록실(14)을 설치함으로써 성막 챔버(1) 내를 진공 배기할 때에 생기는 입자의 증가를 억제하고 프로세스 시간의 단축을 꾀할 수 있다.
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 다른 반도체 장치의 제조 방법 및 제조 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 6에서 도면 부호 15는 반송실, 16은 반송 아암을 도시한다. 이 예에서는 복수의 성막 장치(A)와 1개의 로드 록실(14)이 반송실(15)을 통해 연속 진공 상태로 유지될 수 있도록 접속되어 있다. 반도체 웨이퍼(2)는 반송 아암(16)에 의해 로드 록실(14)로부터 대기로 되돌려지는 일 없이 1개의 성막 장치(A)로 옮겨지고 제1 실시예 내지 제3 실시예에서 설명한 바와 같은 세정 처리 및 성막 처리가 행해진다. 그 후, 또 다른 성막 장치(A)에서 다른 성막 처리를 행하기 위해 반송 아암(16)에 의해 반송된다.
이와 같이, 로드 록실(14) 및 반송실(15)을 통해 제1 실시예 내지 제3 실시예에서 설명한 바와 같은 성막 공정 직전의 표면 세정 기능을 갖는 성막 장치를 복수 접속한 클러스터 시스템(cluster system)을 이용하면 웨이퍼(2)를 반송 아암(16)에 의해 각 성막 장치(A)간을 반송하고 대기에 노출시키는 일 없이 연속 처리를 행할 수 있다.
이 클러스터 시스템을 이용하면 예를 들면 MOS 트랜지스터를 제조하는 경우, 게이트 절연막인 SiO2, 전극 재료인 폴리 실리콘, Ti, TiN, WSi 등의 성막 공정을 오염 물질이 산란되어 있는 대기에 노출하는 일 없이 처리할 수 있다. 이 때문에, 성막 공정 직전의 표면 세정 기능을 가한 것의 효과를 보다 기대할 수 있으며 입자나 유기 오염, 금속 오염에 기인하는 디바이스 특성의 열화를 억제할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 이 실시예에 따르면 웨이퍼 도입용 로드 록실을 설치함으로써, 성막 장치에서 챔버 내에 진공 배기할 때에 생기는 입자의 증가를 억제하고 또한 프로세스 시간을 단축할 수 있다.
또한, 로드 록실 및 반송실을 설치하고 성막 공정 직전의 표면 세정 기능을 갖는 성막 장치를 복수개 접속했으므로, 대기에 노출되는 일 없이 반송실을 통해 반도체 웨이퍼를 반송하고 연속 처리를 행할 수 있다.
또한, 이와 같이 오염 물질 제거와 성막을 동일 챔버로 행하고, 또 다음 공정으로의 반송을 대기에 노출하는 일 없이 행할 수 있으므로, 반송에 따른 먼지나 오염의 영향이 없다. 또한, 이와 같이 오염 물질 제거와 성막을 동일 챔버로 행할 수 있으므로 작업 처리량이 향상된다.
그 외, 제1 실시예 내지 제3 실시예에서 설명한 효과는 이 실시예에서도 얻어질 수 있지만, 중복을 피하기 위해 그 설명은 생략한다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 수소 가스 혹은 할로겐화 수소 가스를 열 필라멘트에 의해 가열하고, 생성된 수소기를 웨이퍼 표면에 접촉시킴으로서 웨이퍼 표면의 오염 물질의 제거를 행하도록 하였기 때문에, 반응성이 높은 활성 래디컬에 의해, 유기물을 포함하여, 각종 오염 물질을 효과적으로 제거할 수 있다. 이에 따라, 산화막 신뢰성의 향상이나 접촉 저항의 증대 억제를 기대할 수 있다. 또한, 수소나 할로겐화 수소를 오염 물질의 제거용 가스로서 사용하고 있기 때문에, 성막 전의 반도체 웨이퍼 표면이 에칭에 의한 손상을 받지 않는다고 하는 장점이 있다. 또한, 실리콘 등의 원소 반도체 기판을 세정화하고 성막을 행하는 원소 반도체 디바이스의 제조에 이용할 때 특히 적합한 세정 방법을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 수소 가스나 할로겐화 수소 가스를 플라즈마에 의해 여기하여 수소기를 생성하고, 생성된 수소기를 웨이퍼 표면에 접촉시킴으로서, 웨이퍼 표면의 오염 물질의 제거를 행하도록 하였기 때문에, 반응성이 높은 활성 래디컬에 의해, 유기물을 포함하여, 각종 오염 물질을 효과적으로 제거할 수 있다. 이에 따라, 성막의 신뢰성의 향상을 꾀할 수 있다. 또한, 수소나 할로겐화 수소를 오염 물질 제거용 가스로서 사용하고 있기 때문에 성막 전의 반도체 웨이퍼 표면이나 에칭에 의한 손상을 받지 않는다고 하는 장점이 있다. 또한, 반도체 웨이퍼가 대전되는 일이 없어 반도체 웨이퍼가 손상되지 않는다고 하는 장점이 있다. 또한, 실리콘 등의 원소 반도체 기판을 세정화하고 성막을 행하는 원소 반도체 디바이스의 제조에 이용할 때 특히 적합한 세정 방법을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면 수소 가스 분위기 속에서 가열(베이킹)을 행하므로 수소 가스에 의한 웨이퍼 표면의 오염 물질 제거의 효과에 승온에 의한 표면 세정의 효과가 더해짐으로써 청정력이 강화된다.
또한, 본 발명에 따르면 오염 물질 제거와 성막을 동일 챔버로 행하도록 하였기 때문에, 성막 공정 전 세정 후에 반도체 웨이퍼를 성막 장치로 반송할 필요가 없다. 따라서, 세정 공정으로부터 성막 공정에 걸쳐서 종래에 있었던 것과 같은 오염 요인을 배제할 수 있으며, 결과로서 특성이 우수한 막이나 계면을 형성할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면 오염 물질 제거와 성막을 동일 챔버로 행할 수 있으므로 작업 처리량이 향상된다.
또한, 본 발명에 따르면, 성막 챔버와 접속되어 연속 진공 상태에서 반도체 웨이퍼를 이동시킬 수 있는 반도체 웨이퍼 도입용 로드 록실을 구비하였기 때문에, 성막 챔버 내를 진공 배기할 때에 생기는 입자의 증가를 억제하며 프로세스 시간의 단축을 꾀할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면 성막 챔버와 접속되어 연속 진공 상태로 할 수 있는 반도체 웨이퍼 도입용 로드 록실과 복수의 성막 챔버와 접속되어 연속 진공 상태로 할 수 있는 반도체 웨이퍼 반송용 반송실을 구비하여, 반도체 웨이퍼를 연속 진공 상태에서 반송하여 각 성막 챔버에서 성막 처리를 행할 수 있도록 하였기 때문에, 웨이퍼를 대기에 노출시키는 일 없이 연속 처리를 행할 수 있다.

Claims (3)

  1. 반도체 장치의 제조 방법에 있어서,
    반도체 웨이퍼의 처리 프로세스에서,
    성막 장치의 성막 챔버 내에서 반도체 웨이퍼에 도전막 혹은 절연막을 형성하는 성막 단계, 및
    상기 성막 단계 직전에 상기 성막 챔버 내에서 상기 반도체 웨이퍼 표면의 오염 물질을 제거하는 오염 물질 제거 단계
    를 포함하도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 반도체 웨이퍼의 성막 처리를 하는 성막 장치의 성막 챔버,
    상기 성막 챔버에 유량 조정 수단을 통해 수소 가스 또는 할로겐화 수소 가스를 도입하는 가스 도입 수단, 및
    상기 성막 챔버 내에서 상기 도입된 수소 가스 또는 할로겐화 수소 가스를 가열하여 수소기(hydrogen radicals)를 생성시켜 상기 반도체 웨이퍼 표면의 오염 물질을 제거하는 가스 가열 수단
    을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  3. 반도체 웨이퍼의 성막 처리를 하는 성막 장치의 성막 챔버, 및
    상기 성막 챔버 내에 상기 반도체 웨이퍼의 재치(載置) 위치를 사이에 두고 대향하여 배치된 한 쌍의 플라즈마 발생용 전극 및 이 한쌍의 플라즈마 발생용 전극에 고주파 전압을 인가하는 전압 인가 수단에 의해 플라즈마를 발생시켜 수소기를 생성시켜서 상기 반도체 웨이퍼 표면의 오염 물질을 제거하는 플라즈마 발생 수단
    을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
KR1019980002763A 1997-06-10 1998-02-02 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 제조장치 KR19990006332A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP97-152184 1997-06-10
JP9152184A JPH10340857A (ja) 1997-06-10 1997-06-10 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR19990006332A true KR19990006332A (ko) 1999-01-25

Family

ID=15534901

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980002763A KR19990006332A (ko) 1997-06-10 1998-02-02 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 제조장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6410454B1 (ko)
JP (1) JPH10340857A (ko)
KR (1) KR19990006332A (ko)
DE (1) DE19801558A1 (ko)
TW (1) TW368699B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100441789B1 (ko) * 2000-11-30 2004-07-27 아넬바 가부시기가이샤 자성 다층막 제작 장치

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4515550B2 (ja) * 1999-03-18 2010-08-04 東芝モバイルディスプレイ株式会社 薄膜形成方法
US6653212B1 (en) 1999-04-20 2003-11-25 Sony Corporation Method and apparatus for thin-film deposition, and method of manufacturing thin-film semiconductor device
JP4346741B2 (ja) * 1999-08-05 2009-10-21 キヤノンアネルバ株式会社 発熱体ｃｖｄ装置及び付着膜の除去方法
DE19939600A1 (de) * 1999-08-20 2001-02-22 Aurion Anlagentechnik Gmbh Wafer-Behandlungsanlage
JP4607347B2 (ja) * 2001-02-02 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 被処理体の処理方法及び処理装置
JP4599734B2 (ja) * 2001-03-14 2010-12-15 ソニー株式会社 多結晶性半導体薄膜の形成方法、及び半導体装置の製造方法
JP4599746B2 (ja) * 2001-04-04 2010-12-15 ソニー株式会社 多結晶性半導体薄膜の形成方法及び半導体装置の製造方法
JP4644964B2 (ja) * 2001-04-04 2011-03-09 ソニー株式会社 多結晶性半導体薄膜の形成方法、及び半導体装置の製造方法
JPWO2003005435A1 (ja) * 2001-07-05 2004-10-28 大見　忠弘 基板処理装置および基板処理方法、基板平坦化方法
US7048385B2 (en) 2004-06-16 2006-05-23 Goldeneye, Inc. Projection display systems utilizing color scrolling and light emitting diodes
US20060040499A1 (en) * 2004-08-20 2006-02-23 Steve Walther In situ surface contaminant removal for ion implanting
US20090038636A1 (en) * 2007-08-09 2009-02-12 Asml Netherlands B.V. Cleaning method
JP5693042B2 (ja) * 2010-04-27 2015-04-01 キヤノン株式会社 洗浄装置、および洗浄方法
US20120312326A1 (en) * 2011-06-10 2012-12-13 Applied Materials, Inc. Methods for cleaning a surface of a substrate using a hot wire chemical vapor deposition (hwcvd) chamber
US8962078B2 (en) * 2012-06-22 2015-02-24 Tokyo Electron Limited Method for depositing dielectric films
US20140179110A1 (en) * 2012-12-21 2014-06-26 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing germanium containing material, a iii-v compound containing material, or a ii-vi compound containing material disposed on a substrate using a hot wire source
WO2014100047A1 (en) * 2012-12-21 2014-06-26 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for cleaning substrate structures with atomic hydrogen
CN103606594B (zh) * 2013-11-20 2017-09-12 英利能源（中国）有限公司 硅片的清理方法及减反射膜的制备方法
US9673042B2 (en) 2015-09-01 2017-06-06 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for in-situ cleaning of copper surfaces and deposition and removal of self-assembled monolayers
JP7278123B2 (ja) * 2019-03-22 2023-05-19 東京エレクトロン株式会社 処理方法
US20220298620A1 (en) * 2021-03-22 2022-09-22 Applied Materias, Inc. Enhanced oxidation with hydrogen radical pretreatment

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56149306A (en) 1980-04-21 1981-11-19 Kokusai Electric Co Ltd Formation of silicon nitride film
JPS6132429A (ja) 1984-07-25 1986-02-15 Hitachi Ltd 半導体素子の製造装置
JPS61247020A (ja) 1985-04-24 1986-11-04 Canon Inc 堆積膜形成法
JPH0834182B2 (ja) 1985-04-24 1996-03-29 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
JPH06101454B2 (ja) 1985-06-05 1994-12-12 ソニー株式会社 化合物半導体の気相エツチング方法
JPS6267826A (ja) 1985-09-20 1987-03-27 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPS64731A (en) 1987-03-06 1989-01-05 Canon Inc Forming device for deposited film
US5174881A (en) 1988-05-12 1992-12-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Apparatus for forming a thin film on surface of semiconductor substrate
JP2729310B2 (ja) 1988-05-12 1998-03-18 三菱電機株式会社 半導体基板表面に薄膜を形成する装置
US5407867A (en) 1988-05-12 1995-04-18 Mitsubishki Denki Kabushiki Kaisha Method of forming a thin film on surface of semiconductor substrate
US5015330A (en) 1989-02-28 1991-05-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Film forming method and film forming device
NL8900544A (nl) 1989-03-06 1990-10-01 Asm Europ Behandelingsstelsel, behandelingsvat en werkwijze voor het behandelen van een substraat.
JPH0387373A (ja) 1989-08-30 1991-04-12 Raimuzu:Kk プラズマｃｖｄ薄膜の形成法
US4981811A (en) 1990-04-12 1991-01-01 At&T Bell Laboratories Process for fabricating low defect polysilicon
US5089441A (en) 1990-04-16 1992-02-18 Texas Instruments Incorporated Low-temperature in-situ dry cleaning process for semiconductor wafers
US5225366A (en) * 1990-06-22 1993-07-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Apparatus for and a method of growing thin films of elemental semiconductors
JPH04127529A (ja) 1990-09-19 1992-04-28 Hitachi Ltd 表面清浄化方法
JPH04279022A (ja) 1991-01-08 1992-10-05 Nec Corp 半導体製造装置
US5352636A (en) 1992-01-16 1994-10-04 Applied Materials, Inc. In situ method for cleaning silicon surface and forming layer thereon in same chamber
US5273588A (en) 1992-06-15 1993-12-28 Materials Research Corporation Semiconductor wafer processing CVD reactor apparatus comprising contoured electrode gas directing means
JPH0653137A (ja) 1992-07-31 1994-02-25 Canon Inc 水素化アモルファスシリコン膜の形成方法
JPH0786240A (ja) 1993-09-10 1995-03-31 Hitachi Ltd 表面処理装置
JPH0853767A (ja) 1994-08-10 1996-02-27 Nissin Electric Co Ltd プラズマｃｖｄ法及び装置
DE69408405T2 (de) 1993-11-11 1998-08-20 Nissin Electric Co Ltd Plasma-CVD-Verfahren und Vorrichtung
US5565036A (en) * 1994-01-19 1996-10-15 Tel America, Inc. Apparatus and method for igniting plasma in a process module
JP2595894B2 (ja) * 1994-04-26 1997-04-02 日本電気株式会社 水素ラジカル発生装置
US5976919A (en) * 1994-06-10 1999-11-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus and method of manufacturing semiconductor element
JP2786144B2 (ja) 1996-01-30 1998-08-13 九州日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US6214706B1 (en) * 1998-08-28 2001-04-10 Mv Systems, Inc. Hot wire chemical vapor deposition method and apparatus using graphite hot rods

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100441789B1 (ko) * 2000-11-30 2004-07-27 아넬바 가부시기가이샤 자성 다층막 제작 장치

Also Published As

Publication number Publication date
TW368699B (en) 1999-09-01
DE19801558A1 (de) 1998-12-17
US6410454B1 (en) 2002-06-25
JPH10340857A (ja) 1998-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR19990006332A (ko) 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 제조장치
TWI809154B (zh) 成膜裝置及成膜方法
US10192735B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP3737221B2 (ja) 薄膜作成方法及び薄膜作成装置
JP6637420B2 (ja) エピタキシャル成長に先立って基板表面を予洗浄するための方法及び装置
KR100447284B1 (ko) 화학기상증착 챔버의 세정 방법
US6638855B1 (en) Method of filling contact hole of semiconductor device
US5709757A (en) Film forming and dry cleaning apparatus and method
US6589890B2 (en) Precleaning process for metal plug that minimizes damage to low-κ dielectric
US20020036066A1 (en) Method and apparatus for processing substrates
KR100656214B1 (ko) 플라즈마 처리 방법
US20020197870A1 (en) High speed stripping for damaged photoresist
CN112259457B (zh) 等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和基板载置台
TWI789450B (zh) 電漿處理裝置
KR100743275B1 (ko) 플라즈마 처리 방법 및 후처리방법
JP4059792B2 (ja) 半導体製造方法
JPH05326477A (ja) 半導体基板表面のハロゲン除去方法
WO2001070517A1 (en) High speed stripping for damaged photoresist
JPH0239523A (ja) 半導体基板への成膜方法
US20220251708A1 (en) Apparatus, methods, and systems of using hydrogen radicals for thermal annealing
JPH05259153A (ja) シリコン酸化膜の製造方法と製造装置
KR100291439B1 (ko) 반도체소자의제조방법
JP2983244B2 (ja) 表面処理方法
JPH05139881A (ja) 分子線エピタキシヤル成長法およびその装置
JPH07235530A (ja) 絶縁膜の形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20020112

Effective date: 20030630