NL8900544A - Behandelingsstelsel, behandelingsvat en werkwijze voor het behandelen van een substraat. - Google Patents

Behandelingsstelsel, behandelingsvat en werkwijze voor het behandelen van een substraat. Download PDF

Info

Publication number
NL8900544A
NL8900544A NL8900544A NL8900544A NL8900544A NL 8900544 A NL8900544 A NL 8900544A NL 8900544 A NL8900544 A NL 8900544A NL 8900544 A NL8900544 A NL 8900544A NL 8900544 A NL8900544 A NL 8900544A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
treatment
vessel
substrates
treatment system
space
Prior art date
Application number
NL8900544A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Asm Europ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asm Europ filed Critical Asm Europ
Priority to NL8900544A priority Critical patent/NL8900544A/nl
Priority to DE69013149T priority patent/DE69013149T2/de
Priority to US07/752,487 priority patent/US5294572A/en
Priority to AT90904449T priority patent/ATE112651T1/de
Priority to JP2504584A priority patent/JPH04504929A/ja
Priority to KR1019900702390A priority patent/KR0149442B1/ko
Priority to EP90904449A priority patent/EP0473594B1/en
Priority to PCT/NL1990/000027 priority patent/WO1990010949A1/en
Publication of NL8900544A publication Critical patent/NL8900544A/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/017—Clean surfaces
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/907—Continuous processing
    • Y10S438/908—Utilizing cluster apparatus

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Description

Behandelingsstelselj behandelingsvat en werkwijze voor het behandelen van een substraat.
De uitvinding heeft betrekking op een behandelingsstelsel, omvattende een behandelingsvat voor het gelijktijdig behandelen van verscheidene substraten alsmede aan- en afvoermiddelen. Een dergelijk behandelingsstelsel is in de stand der techniek algemeen bekend en omvat een behandelingsvat waarin substraten verticaal aangebracht en behandeld worden. Dergelijke substraten, zoals wafers, ondergaan een behandeling bij de productie van halfgeleiders. Daartoe worden de zich onder omgevingsomstandigheden bevindende substraten in het geopende vat geplaatst. Daarna wordt het vat gesloten en onder optimale omstandigheden voor de behandeling gebracht. Het is bekend om bij langdurige processen meer dan één substraat tegelijk te behandelen. Voor het in- en uitbrengen uit het behandelingsvat worden manipulatoren gebruikt. Een dergelijk stelsel heeft als nadeel, dat het te behandelen substraat, dat bijvoorbeeld afkomstig is van een vorige bewerkingsstap, bijvoorbeeld een reinings-station, aan de omgevingsomstandigheden blootgesteld wordt alvorens in het behandelingsvat ingebracht te worden. Dit betekent, dat een deel van de reinigingshandeling teniet kan gaan doordat bijvoorbeeld oxydevorming aan het substraat optreedt.
Doel van de uitvinding is dit nadeel te vermijden.
Dit doel wordt bij een hierboven beschreven behandelingsstelsel verwezenlijkt doordat de aan- en afvoermiddelen in een met het behandelingsvat verbonden verdeelvat aangebracht zijn en dat met het verdeelvat verdere behandelingsinrichtingen verbonden zijn. Zo is het thans mogelijk een substraat na het inbrengen in het behandelingsstelsel volgens de uitvinding eerst te reinigen en daarna aan een behandeling te onderwerpen in het behandelingsvat zonder dat het substraat na het reinigen nog met de omgeving in aanraking komt. Om de hoogte van de aansluiting van het behandelingsvat met de aan- en afvoermiddelen zo klein mogelijk te houden en om de aan- en afvoermiddelen slechts in een vlak naar het verdeelvat te hoeven te bewegen, omvat het behandelingsvat bij een van voordeel zijnde uitvoering een behandelingsruimte, een laad- en ontlaad-ruimte en een opslagruimte en daarbij is in het behandelingsvat een inrichting voor het verplaatsen van de substraten aangebracht. Zo kunnen de substraten stuk voor stuk voor de opening naar het verdeelvat gebracht worden en zo afgevoerd worden. De opslagruimte is aanwezig om de inrichting voor het verplaatsen van de substraten op te nemen naar een uiterste positie daarvan. Volgens een van voordeel zijnde uitvoering is de behandelingsruimte ten opzichte van het overige van het behandelings-vat afdichtbaar. Indien voor de behanding bijvoorbeeld reactieve gassen toegepast worden of op andere wijze een neerslag ontstaat, kan een dergelijke neerslag beperkt worden tot die behandelingsruimte waardoor verontreiniging van het overige van de inrichting tegengegaan wordt. Omdat de substraten vaak liggend op een draagoppervlak in het behandelingsvlak gepositioneerd zijn, is het niet mogelijk met de gebruikelijke hanteerinrichtingen van het verdeelvat deze aan te grijpen. Daarom zijn volgens een voorkeursuitvoering in het behandelingsvat middelen aanwezig om de substraten van de inrichting voor het verplaatsen te nemen en zo in voldoende aangrijpoppervlak voor de hierboven beschreven hanteerinrichting te voorzien.
Volgens een verdere van voordeel zijnde uitvoering is het behandelingsvat ingericht voor het in verticale zin op elkaar volgend behandelen van de substraten en zijn de aan- en afvoermiddelen voor de substraten in hoofdzaak in horizontale zin beweegbaar. Daarbij wordt het transport van en naar de verschillende behandelingsinrichtingen door het verdeelvat van de substraten in horizontale zin uitgevoerd terwijl in het daarop aansluitende behandelingsvat de substraten in verticale zin bewogen worden. Op deze wijze kan een bijzonder compacte en toch overzichtelijke en bereikbare wijze van construeren van het behandelings-stelsel verkregen worden.
Omdat het bij bepaalde processen de substraten extra verwarmd moeten worden bij de behandeling, zijn in het behandelingsvat en in het bijzonder de behandelingsruimte bijzondere middelen aanwezig voor het verwarmen van substraten. Met name bij behandelingsprocessen waarbij uit het omgevende gas materiaal neergeslagen wordt, zal vaak een concentra-tiegradiënt ontstaan over de verschillende substraten. Daarbij is het van voordeel om een compenserende temperatuurgradiënt aan te brengen. Bij het gebruik van behandelingsgassen is het vaak eveneens van voordeel deze voor te verwarmen. Het hierboven beschreven behandelingsvat kan in een hierboven beschreven behandelingsstelsel verscheidene malen voorkomen.
De uitvinding heeft bovendien betrekking op een werkwijze voor het behandelen van een substraat in het behandelingsstelsel, dat hierboven beschreven is, omvattende het onder gestuurde omgevingsomstandigheden transporteren van het substraat uit een verdeelruimte naar een behande-lingsruimte, waarin verscheidene substraten gelijktijdig behandeld worden, mogelijk gevolgd en/of voorafgegaan door tenminste een verdere behandeling, waarbij het transport tussen de verschillende behandelings-stations steeds onder gestuurde omgevingsomstandigheden plaatsvindt.
De uitvinding zal hieronder nader aan de hand van enkele in de tekening weergegeven uitvoeringsvoorbeelden weergegeven worden.
Daarbij tonen: fig. 1 schematisch in bovenaanzicht een behandelingsstelsel volgens de uitvinding, fig. 2a, 2b schematisch in zijaanzicht een verdere uitvoering van het behandelingsstelsel volgens de uitvinding, fig. 3a en 3b meer gedetailleerd in doorsnede delen van het behan-delingsvat afgebeeld in fig. 2a en 2b op verschillende schaal en fig. 4 een dwarsdoorsnede volgens de lijn IV-IV in fig. 3b.
In fig. 1 is een behandelingsstelsel volgens de uitvinding afgebeeld in het geheel aangegeven met 1. Dit omvat een inlaatpoort 2 voor het inbrengen van te behandelen substraten, zoals wafers. Deze kunnen afzonderlijk of in cassettes ingebracht worden. Het behandelingsstelsel 1 omvat bovendien een uitlaatpoort 3 voor de afvoer daarvan. Na de inlaatpoort 2 is een reinigingsinrichting 4 aangebracht, gevolgd door reactiekamers 5,6,7,8,9. Het verwijzingscijfer 10 geeft een aanpassta-tion aan. Voor het transport van de substraten uit de inlaatpoort naar de verschillende behandelingskamers zijn hanteerinrichtingen 11 aanwezig, die de (niet-afgebeelde) wafers vanuit de inlaatpoort 2 stuk voor stuk naar de verschillende kamers kan transporteren. Tussen de twee hanteerinrichtingen 11 is een schematisch met 13 aangegeven overbrengin-richting aanwezig. Een dergelijk behandelingsstelsel kan bijvoorbeeld gebruik worden voor het op een wafer aanbrengen van een zgn. ONO-confi-guratie. Voor bepaalde geïntegreerde schakelingen is een dergelijke opeenvolging van oxyde-, nitride-, oxydelaag van belang. In de stand der techniek was het echter moeilijk dergelijke lagen te verwezenlijken, omdat bij het uit het behandelingsvat nemen van het substraat ongecontroleerde oxydatie op kon treden met alle nadelige gevolgen van dien. Met de onderhavige uitvinding is het thans mogelijk deze nadelen te vermijden. Daarbij worden de te behandelen wafers in de inlaatpoort 2 in cassettes ingébracht. Vervolgens worden deze één voor één door de han-teerinrichting 11 uitgenomen en naar de reinigingsinrichting 4 gebracht. Daarbij wordt bijvoorbeeld met waterstoffluoride gestuurd reinigen en in het bijzonder afnemen van oxydes verwezenlijkt. Vervolgens worden de wafers in de verschillende kamers behandeld. In kamer 5 kan bijvoorbeeld droge oxydatie plaatsvinden. Daarop aansluitend kan in kamer 7 de nitri-delaag opgebracht worden terwijl in kamer 8 of 6 vervolgens natte oxydatie toegepast wordt. Bij het transport tussen de verschillende kamers blijft het te behandelen substraat steeds onder geconditioneerde omstandigheden verkeren, d.w.z. geen omgevingszuurstof kan het substraat beïnvloeden. Daardoor is het niet noodzakelijk het substraat steeds te reinigen. Omdat de hierboven beschreven natte oxydatie en nitridatiepro-cessen verhoudingsgewijs langdurig zijn, is het van voordeel verscheidene substraten in een van de kamers te laden, deze af te sluiten en deze gelijktijdig te behandelen, zodat de gemiddelde behandelingsduur per wefer verkort wordt. Kamer 9 dient vervolgens voor het opbrengen van een ongedoteerde polysiliciumlaag terwijl kamer 10 dient voor het doen afkoelen van het substraat van de hoge temperatuur, waarbij dit behandeld wordt. Vervolgens wordt het substraat via de uitlaatpoort 3 afgevoerd.
In fig. 2a, 2b is schematisch in doorsnede een deel van een soortgelijk behandelingsstelsel volgens de uitvinding getoond. Dit omvat een inlaatpoort 2, een verdeelvat 16 en een in het geheel met 15 aangegeven behandelingsvat. Het is duidelijk, dat dit een onvolledige weergave is omdat in praktijk verdere behandelingsinrichtingen op het verdeelvat 16 aangesloten zijn. Bij de hier getoonde uitvoering worden de met 17 aangegeven substraten in cassettes 18 in de inlaatpoort 2 ingébracht. De hanteerinrichting 11 voor de substraten behandelt slechts een substraat gelijktijdig, zodat door middel van het verstelmechanisme 19 steeds een van de substraten 17 uit de cassette 18 voor de opening met het verdeelvat gebracht wordt. Het behandelingsvat 15 bestaat uit een behandelings-ruimte 20 met daarin aangebracht een magazijn 23, een laad- en ontlaad-ruimte 21, en een opslagruimte 22. Daarbij is de opslagruimte 22 voorzien van niet afgebeelde middelen voor het omhoog en omlaag brengen het magazijn 23. Tevens kan deze ruimte van het overige van de inrichting losgekoppeld worden. De behandelingsruimte 20 is door een schematisch weergegeven verwarmingsorgaan 29 omgeven. Inlaatpoort 2 is voorzien van een mechanisme 19 voor het in de juiste positie brengen van de substraten in de cassette 18 voor het kunnen aangrijpen door de hanteerinrichting 11. Uit fig. 2b blijkt, dat wanneer de wafers 17 op de in fig. 2a aangegeven wijze ingebracht worden, magazijn 23 omhoog bewogen wordt. Door de schematisch aangegeven afdichtmiddelen 25 wordt behandelings-ruimte 20 afgezonderd van het overige van het behandelingsstelsel, zodat tijdens de behandeling gebruikte en/of ontstane produkten niet het verdere behandelingsstelsel, binnen kunnen dringen. Bij toepassing van verwarming tijdens de behandeling is het wenselijk in thermische isolatie 24 te voorzien.
Voor het reinigen van het magazijn 23 brengt men dit in de opslagruimte 22 waarna men de opslag 22 van het overige van het behandelingsstelsel losmaakt. Daarna brengt men het magazijn 23 naar boven uit de opslagruimte 22 voor het verder reinigen.
In fig. 3a en b is een behandelingsvat afgebeeld in het bijzonder geschikt voor het uit een reactieve damp neerslaan van materiaal op een substraat. Omdat dit vaak een verhoudingsgewijs langdurig proces is (minimaal enkele uren) is het voor een voldoende produktierendement noodzakelijk dit ladingsgewijs uit te voeren. Daartoe omvat het in het geheel aangegeven magazijn 23 draagplaten 30 (fig. 3a). Deze kunnen vervaardigd zijn van verschillend materiaal. Bij de hier beschreven uitvoering is het noodzakelijk de later op de draagplaten aangebrachte substraten (niet-afgebeeld) te verwarmen, zodat de draagplaten 30 uit een warmtegeleidend materiaal bestaan. Een dergelijke verwarming is doorgaans een hulpverwarming terwijl de hier niet afgebeelde (zie fig.2) verwarming aan de buitenzijde van het vat de hoofdverwarming is. Bij voorkeur wordt grafiet voor de platen te gebruikt. Deze platen zijn bij de einden in buizen 31 aangebracht waarvan in fig. 3 twee van de vier zichtbaar zijn. In deze buizen 31 zijn schematisch afgebeelde verwarmingselementen 32 alsmede temperatuurvoelers 33 aangebracht. Omdat verschillende temperatuurvoelers en verwarmingselementen aanwezig zijn, is het mogelijk een temperatuurgradiënt over de verschillende draagplaten 30 te verwezenlijken. Het behandelingsvat 20 is van een gasinlaat 34 alsmede een uitlaat 35 voorzien. Omdat het voor de hierboven beschreven werkwijze noodzakelijk is het gas voor te verwarmen, zijn daarvoor verwarmingsmiddelen 36 aangebracht. Omdat het gas bij doorgang door het vat 20 naar de uitlaat toe steeds armer wordt, is het om op de verschillende substraten een gelijkmatige neerslag te verkrijgen noodzakelijk, dat reactiviteit van het gas nabij de uitlaat 35 groter is dan aan de onderzijde van het vat. Dit wordt verkregen door de temperatuur van de draagplaten 30 aan de bovenzijde van het vat hoger te kiezen dan de temperatuur aan de onderzijde van het vat. Om het vat te kunnen reinigen zijn elektroden 37 aanwezig met behulp waarvan op hoog frequente wijze in reiniging voorzien kan worden. Op het behandelingsvat 20 sluit de laad- en ontlaadruimte 21 (fig.3b) aan.
Het in fig. 4 gegeven dwarsdoorsnedeaanzicht verduidelijkt de werking daarvan. Daaruit blijkt, dat daarin vier vingers 40 aanwezig zijn, die via een stangenstelsel 41 naar binnen kunnen draaien in de gestippelde stand. Normaliter zullen de vingers 40 zich in de doorgetrokken stand bevinden. De draagplaten 30 zijn op niet-afgebeelde wijze van sleuven voorzien, op zodanige wijze aangebracht, dat bij het zich in gestippelde toestand bevinden van de vingers 40 deze door de sleuven in de draagplaten 30 kunnen bewegen. Voor het verwijderen van een zich op de draagplaten bevindend substraat 30 is het noodzakelijk de betreffende draagplaat 30 op passende wijze in de laad- en losruimte 21 te bewegen. Daarbij worden de betreffende draagplaten zo ver naar beneden of naar boven bewogen, dat de vingers 40 daar juist tussen kunnen bewegen. Vervolgens worden de vingers 40 uit de doorgetrokken stand naar de gestippelde positie bewogen. Wanneer men de draagplaten vervolgens laat zakken, komt het substraat vrij van de draagplaat waardoor het door hanteerinrichtiing 11 uit de laad- en losruimte 21 genomen kan worden. Bij het laden kan in deze positie het substraat op de vingers gelegd worden waarna de draagplaat verder naar boven gebracht wordt.
In fig. 3a is aangegeven dat het behandelingsvat aan de onderzijde van een afdichtrand 38 voorzien is. Daarop kan afdichtend een O-afdichting 39 aangrijpen. Op deze wijze kan de behandelingsruimte volledig van het overige van het behandelingsstelsel afgezonderd worden. Plaat 42 kan met de gehele daarop aangebrachte inrichting, in het bijzonder omvattende de draagplaten 30, op en neer bewogen worden door middel van koppeling 43, die verbonden is met een vijzelinrichting aangebracht in opslagruimte 22. De diameter van deze opslagruimte 22 is, zoals uit fig. 3b blijkt, wezenlijk groter dan die van het in behandelingsvat 20 aanwezige magazijn 23. Daardoor is het mogelijk het magazijn 23 naar beneden te laten bewegen tussen in de opslagruimte 22 aangebrachte hitteschilden 44. Koppeldeel 43 is verbonden met flens 45, die vervolgens aangrijpt op tafel 46, waarin drie schroefspillen 47 aangebracht zijn voor het op en neer bewegen. In gestippelde positie is de laagste stand aangegeven. Aandrijving van de schroefspiller 47 vindt plaats door middel van motor 48 en overbrenging 49, waarbij afdichtmiddelen 50 aanwezig zijn om vacuumdichte doorvoer van de aandijving te voorzien.
Hoewel de uitvinding hierboven in het bijzonder aan de hand van het neerslaan uit gassen op substraten beschreven is, moet begrepen worden, dat de uitvinding niet hiertoe beperkt is en dat deze zich eveneens zich uitstrekt tot processen waarbij andere of geen reactieve gassen bij al of niet verhoogde/verlaagde temperatuur toegepast worden.
Een voorbeeld daarvan is een uitvoering waarbij de opeenvolgende draagplaten ten opzichte van elkaar geïsoleerd zijn en tussen de platen een RF-veld aangelegd wordt. Een dergelijke werkwijze wordt toegepast bij een afwijkende inrichting beschreven in US-A-4.610.748.
Het is bovendien mogelijk het magazijn uit te voeren als zgn. kwartsboot met sleuven waardoor de hierboven beschreven constructies met vingers overbodig wordt, omdat de wafers aan de randen aan te grijpen zijn.
Wezenlijk zijn slechts de kenmerken zoals waarvoor in de volgende conclusies rechten gevraagd worden.

Claims (11)

1. Behandelingsstelsel, omvattende een behandelingsvat voor het gelijktijdig behandelen van verscheidene substraten alsmede aan- en afvoermiddelen, met het kenmerk, dat de aan- en afvoermiddelen in een met het behandelingsvat verbonden verdeelvat aangebracht zijn en dat met het verdeelvat verdere behandelingsinrichtingen verbonden zijn.
2. Behandelingsstelsel volgens conclusie 1, waarbij het behandelingsvat omvat een behandelingsruimte, een laad- en ontlaadruimte en een opslagruimte en waarbij in het behandelingsvat een inrichting voor het verplaatsen van de substraten aangebracht is.
3. Behandelingsstelsel volgens conclusie 2, waarbij de behande-lingsruimte ten opzichte van het overige van het behandelingsvat af-dichtbaar is.
4. Behandelingsstelsel volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij in het behandelingsvat middelen aanwezig zijn om de substraten van de inrichting voor het verplaatsen te nemen.
5. Behandelingsstelsel volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij het behandelingsvat ingericht is voor het in verticale zin op elkaar volgend behandelen van de substraten en waarbij de aan- en afvoermiddelen voor de substraten in hoofdzaak in horizontale zin beweegbaar zijn.
6. Behandelingsstelsel volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij het behandelingsvat, in het bijzonder de behandelingsruimte, van middelen voorzien is voor het verwarmen van de substraten.
7. Behandelingsstelsel volgens conclusie 6, waarbij de verwarmingsmiddelen zodanig ingericht zijn, dat verscheidene substraten een verschillende temperatuur omvatten.
8. Behandelingsstelsel volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij het behandelingsvat ingericht is voor een behandeling met reactieve gassen en/of dampen.
9. Behandelingsstelsel volgens conclusie 8, waarbij verwarmingsmid delen voor het behandelingsgas aanwezig zijn.
10. Behandelingsstelsel volgens conclusie 1, waarbij de verdere behandelingsinrichtingen een behandelingsvat volgens een van de conclusies 2-9 omvatten.
11. Werkwijze voor het behandelen van een substraat in het behandelingsstelsel volgens een van de voorgaande conclusies, omvattende het onder gestuurde omgevingsomstandigheden transporteren van het substraat uit een verdeelruimte naar een behandelingsruimte, waarin verscheidene substraten gelijktijdig behandeld worden, mogelijk gevolgd en/of voorafgegaan door tenminste een verdere behandeling, waarbij het transport tussen de verschillende behandelingsstations steeds onder gestuurde omgevingsomstandigheden plaatsvindt.
NL8900544A 1989-03-06 1989-03-06 Behandelingsstelsel, behandelingsvat en werkwijze voor het behandelen van een substraat. NL8900544A (nl)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8900544A NL8900544A (nl) 1989-03-06 1989-03-06 Behandelingsstelsel, behandelingsvat en werkwijze voor het behandelen van een substraat.
DE69013149T DE69013149T2 (de) 1989-03-06 1990-03-06 Verfahren zum auftragen einer schicht auf ein substrat sowie verfahrenssystem zu diesem zweck.
US07/752,487 US5294572A (en) 1989-03-06 1990-03-06 Method and apparatus for depositing a layer on a substrate
AT90904449T ATE112651T1 (de) 1989-03-06 1990-03-06 Verfahren zum auftragen einer schicht auf ein substrat sowie verfahrenssystem zu diesem zweck.
JP2504584A JPH04504929A (ja) 1989-03-06 1990-03-06 基板上の層の蒸着方法及びこのための処理用システム
KR1019900702390A KR0149442B1 (ko) 1989-03-06 1990-03-06 기판상의 층용착 방법 및 그 처리 시스템
EP90904449A EP0473594B1 (en) 1989-03-06 1990-03-06 Method for depositing a layer on a substrate and also a processing system for that purpose
PCT/NL1990/000027 WO1990010949A1 (en) 1989-03-06 1990-03-06 Method for depositing a layer on a substrate and also a processing system for that purpose

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8900544A NL8900544A (nl) 1989-03-06 1989-03-06 Behandelingsstelsel, behandelingsvat en werkwijze voor het behandelen van een substraat.
NL8900544 1989-03-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8900544A true NL8900544A (nl) 1990-10-01

Family

ID=19854250

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8900544A NL8900544A (nl) 1989-03-06 1989-03-06 Behandelingsstelsel, behandelingsvat en werkwijze voor het behandelen van een substraat.

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5294572A (nl)
EP (1) EP0473594B1 (nl)
JP (1) JPH04504929A (nl)
KR (1) KR0149442B1 (nl)
AT (1) ATE112651T1 (nl)
DE (1) DE69013149T2 (nl)
NL (1) NL8900544A (nl)
WO (1) WO1990010949A1 (nl)

Families Citing this family (268)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5259881A (en) * 1991-05-17 1993-11-09 Materials Research Corporation Wafer processing cluster tool batch preheating and degassing apparatus
US5254170A (en) * 1989-08-07 1993-10-19 Asm Vt, Inc. Enhanced vertical thermal reactor system
KR0147387B1 (ko) * 1990-09-25 1998-11-02 이노우에 다케시 종형 열처리 장치
JPH05218176A (ja) * 1992-02-07 1993-08-27 Tokyo Electron Tohoku Kk 熱処理方法及び被処理体の移載方法
US5376212A (en) * 1992-02-18 1994-12-27 Tokyo Electron Yamanashi Limited Reduced-pressure processing apparatus
JP2688555B2 (ja) * 1992-04-27 1997-12-10 株式会社日立製作所 マルチチャンバシステム
US5404894A (en) * 1992-05-20 1995-04-11 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Conveyor apparatus
DE4220827A1 (de) * 1992-06-25 1994-01-13 Pokorny Gmbh Anlage zur Behandlung von Objekten unter Reinluftraum-Bedingungen
US5697749A (en) * 1992-07-17 1997-12-16 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Wafer processing apparatus
JP3183575B2 (ja) * 1992-09-03 2001-07-09 東京エレクトロン株式会社 処理装置および処理方法
JP3186262B2 (ja) * 1992-10-14 2001-07-11 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
JP2833946B2 (ja) * 1992-12-08 1998-12-09 日本電気株式会社 エッチング方法および装置
US6897100B2 (en) * 1993-11-05 2005-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing semiconductor device apparatus for processing a semiconductor and apparatus for processing semiconductor device
CN100367461C (zh) 1993-11-05 2008-02-06 株式会社半导体能源研究所 一种制造薄膜晶体管和电子器件的方法
JP3105770B2 (ja) * 1995-09-29 2000-11-06 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JPH09320961A (ja) * 1996-05-31 1997-12-12 Nec Corp 半導体製造装置及び薄膜トランジスタの製造方法
JPH10340857A (ja) 1997-06-10 1998-12-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
US6165912A (en) * 1998-09-17 2000-12-26 Cfmt, Inc. Electroless metal deposition of electronic components in an enclosable vessel
FI118342B (fi) 1999-05-10 2007-10-15 Asm Int Laite ohutkalvojen valmistamiseksi
TWI228548B (en) * 2000-05-26 2005-03-01 Ebara Corp Apparatus for processing substrate and apparatus for processing treatment surface of substrate
DE10033940A1 (de) * 2000-07-05 2002-01-24 Ihp Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung diffusionshemmender epitaktischer Halbleiterschichten
JP2002170823A (ja) * 2000-09-19 2002-06-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置および半導体装置の製造方法並びにそれに使用されるカバー部材
US6951804B2 (en) * 2001-02-02 2005-10-04 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US6939579B2 (en) * 2001-03-07 2005-09-06 Asm International N.V. ALD reactor and method with controlled wall temperature
US20020195201A1 (en) * 2001-06-25 2002-12-26 Emanuel Beer Apparatus and method for thermally isolating a heat chamber
WO2003012840A2 (de) * 2001-07-27 2003-02-13 Ihp Gmbh-Innovations For High Performance Microelectronics/Institut Für Innovative Mikroelektronik Verfahren und vorrichtung zum herstellen dünner epitaktischer halbleiterschichten
CN100428400C (zh) * 2002-07-24 2008-10-22 应用材料股份有限公司 热隔离加热处理室的设备及方法
JP3916549B2 (ja) * 2002-10-31 2007-05-16 東京エレクトロン株式会社 プロセスモニタ及び半導体製造装置
US7214274B2 (en) * 2003-03-17 2007-05-08 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for thermally insulating adjacent temperature controlled processing chambers
DE10335460B4 (de) * 2003-08-02 2008-02-28 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Betreiben einer CVD-Anlage
WO2006055984A2 (en) * 2004-11-22 2006-05-26 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus using a batch processing chamber
KR100751627B1 (ko) 2005-01-24 2007-08-22 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 가열 챔버의 단열 방법 및 장치
JP4580845B2 (ja) * 2005-08-24 2010-11-17 パナソニック株式会社 タスク実行装置
CN102569011A (zh) * 2010-12-13 2012-07-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 晶片处理系统和晶片处理方法
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102620219B1 (ko) * 2018-11-02 2024-01-02 삼성전자주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4500564A (en) * 1982-02-01 1985-02-19 Agency Of Industrial Science & Technology Method for surface treatment by ion bombardment
US4817557A (en) * 1983-05-23 1989-04-04 Anicon, Inc. Process and apparatus for low pressure chemical vapor deposition of refractory metal
US4576698A (en) * 1983-06-30 1986-03-18 International Business Machines Corporation Plasma etch cleaning in low pressure chemical vapor deposition systems
US4568397A (en) * 1984-09-12 1986-02-04 Raytheon Company Metalorganic vapor phase epitaxial growth of group II-VI semiconductor materials
WO1987002603A1 (en) * 1985-10-29 1987-05-07 Hughes Aircraft Company Method and apparatus for atomic beam irradiation
JPS62132322A (ja) * 1985-12-04 1987-06-15 Tokuda Seisakusho Ltd エッチング装置
US4764076A (en) * 1986-04-17 1988-08-16 Varian Associates, Inc. Valve incorporating wafer handling arm
US4670126A (en) * 1986-04-28 1987-06-02 Varian Associates, Inc. Sputter module for modular wafer processing system
US4770590A (en) * 1986-05-16 1988-09-13 Silicon Valley Group, Inc. Method and apparatus for transferring wafers between cassettes and a boat
US4717461A (en) * 1986-09-15 1988-01-05 Machine Technology, Inc. System and method for processing workpieces
US4960488A (en) * 1986-12-19 1990-10-02 Applied Materials, Inc. Reactor chamber self-cleaning process
US4951601A (en) * 1986-12-19 1990-08-28 Applied Materials, Inc. Multi-chamber integrated process system
US4785962A (en) * 1987-04-20 1988-11-22 Applied Materials, Inc. Vacuum chamber slit valve
US4812217A (en) * 1987-04-27 1989-03-14 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Method and apparatus for feeding and coating articles in a controlled atmosphere
US4797178A (en) * 1987-05-13 1989-01-10 International Business Machines Corporation Plasma etch enhancement with large mass inert gas
US4836905A (en) * 1987-07-16 1989-06-06 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus
JPH01258416A (ja) * 1988-04-08 1989-10-16 Nec Corp 気相成長方法
JP2717185B2 (ja) * 1988-06-13 1998-02-18 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置のクリーニング方法
US5019233A (en) * 1988-10-31 1991-05-28 Eaton Corporation Sputtering system
US5076205A (en) * 1989-01-06 1991-12-31 General Signal Corporation Modular vapor processor system
JP2528962B2 (ja) * 1989-02-27 1996-08-28 株式会社日立製作所 試料処理方法及び装置
US5067218A (en) * 1990-05-21 1991-11-26 Motorola, Inc. Vacuum wafer transport and processing system and method using a plurality of wafer transport arms

Also Published As

Publication number Publication date
EP0473594A1 (en) 1992-03-11
US5294572A (en) 1994-03-15
DE69013149T2 (de) 1995-04-20
WO1990010949A1 (en) 1990-09-20
ATE112651T1 (de) 1994-10-15
JPH04504929A (ja) 1992-08-27
KR920700468A (ko) 1992-02-19
DE69013149D1 (de) 1994-11-10
EP0473594B1 (en) 1994-10-05
KR0149442B1 (ko) 1998-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8900544A (nl) Behandelingsstelsel, behandelingsvat en werkwijze voor het behandelen van een substraat.
US5607009A (en) Method of heating and cooling large area substrates and apparatus therefor
KR100251824B1 (ko) 웨이퍼 가공 클러스터 툴 배치 예열과 탈가스 방법 및 장치
TW379359B (en) Dual vertical thermal processing furnace
KR100972346B1 (ko) 퍼니스 내에서 웨이퍼의 배치처리를 위한 방법 및 장치
US5217501A (en) Vertical wafer heat treatment apparatus having dual load lock chambers
US6949143B1 (en) Dual substrate loadlock process equipment
US6780251B2 (en) Substrate processing apparatus and method for fabricating semiconductor device
JP3578402B2 (ja) ウェハ処理システム及びウェハ処理方法
KR100811906B1 (ko) 처리 방법 및 처리 장치
JP2002516239A (ja) イン・シトゥ基板搬送シャトル
JP4342745B2 (ja) 基板処理方法および半導体装置の製造方法
JPH03136345A (ja) 半導体ウエーハ処理装置
KR20190100706A (ko) 기판 처리 장치, 및 이를 이용하는 기판 처리 방법
KR0147387B1 (ko) 종형 열처리 장치
KR100985723B1 (ko) 멀티 챔버 방식의 기판 처리 장치 및 방법
JP4709912B2 (ja) 基板処理方法および半導体装置の製造方法
JP2639375B2 (ja) 連続熱処理装置
JP2639424B2 (ja) 搬送方法
JPH0756864B2 (ja) エピタキシヤル気相成長装置
JP2690971B2 (ja) 処理方法
JP2002289666A (ja) 熱処理装置
JPH06318587A (ja) 基板処理装置
JP2002299270A (ja) 熱処理装置および熱処理方法
JPH09148256A (ja) 半導体製造方法および装置

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed