CN102569011A - 晶片处理系统和晶片处理方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种晶片处理系统和晶片处理方法。该系统包括：第一大气传输装置、第二大气传输装置、传输腔室和与所述传输腔室连接的反应腔室，所述第一大气传输装置、所述传输腔室和所述第二大气传输装置依次连接；所述第一大气传输装置，用于将获取的晶片向所述传输腔室传送；所述传输腔室，用于获取所述晶片，将所述晶片送入所述反应腔室以供所述反应腔室对所述晶片进行工艺处理，并将工艺处理后的所述晶片向所述第二大气传输装置传送；所述第二大气传输装置，用于获取工艺处理后的所述晶片。本发明的晶片处理系统无需将晶片再回传至第一大气传输装置，从而减少了晶片在晶片处理系统中的传输时间以及降低了晶片受到污染的可能性。

Description

晶片处理系统和晶片处理方法

技术领域

本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种晶片处理系统和晶片处理方法。

背景技术

随着有源元件，例如：互补金属氧化物半导体(Complementary MetalOxide Semiconductor，以下简称：CMOS)晶体管的尺寸不断缩小到次微米级，正如摩尔定律的预测，在高效率、高密度集成电路中的CMOS晶体管数量上升至几千万个。数量庞大的有源元件的信号集成需要多达十层以上高密度的金属互连线，通常金属互连线采用金属铝互连线，金属互连线层间的绝缘介质采用二氧化硅，然而上述金属互连线会带来电阻和寄生电容，并且上述电阻和寄生电容已经成为限制高效率、高密度集成电路速度的主要因素。为解决上述问题，半导体工业的集成电路制造工艺中采用金属铜互连线代替金属铝互连线作为金属互连线，同时采用低介电常数介质材料代替二氧化硅作为金属互连线层间的绝缘介质。金属铜减少了金属互连线层间的电阻，同时增强了电路稳定性；低介电常数介质材料减少了金属互连线层间的寄生电容。而集成电路中的金属材料通常是通过物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，以下简称：PVD)技术制备的。

物理气相沉积技术是半导体工业中最广为使用的一类薄膜制造技术，泛指采用物理方法制备薄膜的薄膜制备工艺，其中，溅射(Sputtering)沉积技术是一种重要的物理气相沉积技术。而在集成电路制造行业中，该溅射沉积技术指的是磁控溅射(Magnetron Sputtering)技术，该磁控溅射技术主要用于铝、铜等金属薄膜的沉积，以形成金属接触、金属互连线等。

在应用物理气相沉积制程工艺对300mm以上的晶片进行处理时，需要将待处理的晶片从大气环境中逐步传送到反应腔室中进行工艺处理。将晶片从大气环境传送到反应腔室进行工艺处理的过程，需要一个由一系列的设备组成的晶片处理系统来完成。图1为现有技术中晶片处理系统的结构示意图，如图1所示，该晶片处理系统包括依次连接的第一大气传输装置、传输腔室(Transport Chamber)3、传输腔室4、反应腔室(ProcessChamber)5、第一负载锁闭器(Load Lock)6和连接器(Pass Through)7。其中，第一大气传输装置包括：第一前端开启装置(front-openingunified pod，简称：FOUP)11和第一大气传输单元(Equipment Frond-EndModule，以下简称：EFEM)12，第一大气传输单元12中设置有晶片位置校准器(Aligner)和第一大气机械手(Atmospheric Robot)，其中，第一大气机械手在图1中未示出。第一前端开启装置11和传输腔室3之间通过第一负载锁闭器6连接，传输腔室3和传输腔室4之间通过连接器7连接，传输腔室3连接有四个反应腔室5，传输腔室4连接有四个反应腔室5。传输腔室3和传输腔室4中均设置有真空机械手(Vacuum Robot)，图1中未示出。第一负载锁闭器6与第一大气传输单元12通过槽阀(SlotValve)连接，第一负载锁闭器6与传输腔室3通过槽阀连接。在上述晶片处理系统中，传输腔室3、传输腔室4、第一负载锁闭器6、连接器7和真空机械手属于真空设备并构成了真空传输系统。

第一前端开启装置11开启晶片盒，第一大气机械手从晶片盒中取出晶片并将晶片传送至晶片位置校准器上，晶片位置校准器对晶片在第一大气机械手的位置进行校准。第一负载锁闭器6与第一大气传输单元12之间的槽阀打开后，第一大气机械手将晶片放入第一负载锁闭器6中，第一大气机械手缩回后第一负载锁闭器6与第一大气传输单元12之间的槽阀关闭。第一负载锁闭器6与传输腔室3之间的槽阀打开后，传输腔室3中的真空机械手将晶片从第一负载锁闭器6中取出使晶片进入传输腔室3，传输腔室3中的真空机械手缩回后第一负载锁闭器6与传输腔室3之间的槽阀关闭。传输腔室3中的真空机械手根据预先设定的工艺流程将晶片放入指定的反应腔室5中进行工艺处理，并将完成工艺处理的晶片放入连接器7中。传输腔室4中的真空机械手将晶片从连接器7中取出使晶片进入传输腔室4，根据预先设定的工艺流程将晶片放入指定的反应腔室5中进行工艺处理，并将完成工艺处理的晶片重新放入连接器7中。传输腔室3中的真空机械手将晶片从连接器7中取出使晶片进入传输腔室3。第一负载锁闭器6与传输腔室3之间的槽阀打开后，传输腔室3中的真空机械手将晶片放入第一负载锁闭器6中，传输腔室3中的真空机械手缩回后第一负载锁闭器6与传输腔室3之间的槽阀关闭。第一负载锁闭器6与第一大气传输单元12之间的槽阀打开后，第一大气机械手将晶片从第一负载锁闭器6中取出使晶片进入第一大气传输单元12，并将晶片放入第一前端开启装置11。

现有技术中，晶片处理系统对晶片进行处理的过程中，在反应腔室完成对晶片的工艺处理后，会将晶片依次通过连接器7、传输腔室3、第一负载锁闭器6和第一大气传输单元12回传至第一前端开启装置11。也就是说，当晶片处理系统中包括至少二个反应腔室时，将晶片回传至第一前端开启装置的过程，需要以此经过晶片传输系统中的若干个设备，造成晶片在晶片处理系统中的传输路径过长，因此导致了晶片在晶片处理系统中的传输时间过长；在将完成工艺处理的晶片回传至第一前端开启装置的过程中，晶片处理系统的各种机械运动都可能会产生微小颗粒物，这些微小颗粒物会造成晶片的污染，由于晶片在晶片处理系统中的传输路径过长，从而增加了晶片受到污染的可能性。

发明内容

本发明的目的是提供一种晶片处理系统和晶片处理方法，用以解决晶片在晶片系统中传输时间过长以及晶片受到污染的可能性增加的问题。

为实现上述目的，本发明提供了一种晶片处理系统，包括：第一大气传输装置、传输腔室和与所述传输腔室连接的反应腔室，所述晶片处理系统还包括第二大气传输装置，所述第一大气传输装置、所述传输腔室和所述第二大气传输装置依次连接；

所述第一大气传输装置，用于将获取的晶片向所述传输腔室传送；

所述传输腔室，用于获取所述晶片，将所述晶片送入所述反应腔室以供所述反应腔室对所述晶片进行工艺处理，并将工艺处理后的所述晶片向所述第二大气传输装置传送；

所述第二大气传输装置，用于获取工艺处理后的所述晶片。

优选地，所述第二大气传输装置包括：与所述传输腔室连接的第二大气传输单元和与所述第二大气传输单元连接的第二前端开启装置；

所述第二大气传输单元，用于获取工艺处理后的所述晶片，并将工艺处理后的所述晶片传送至所述第二前端开启装置；

所述第二前端开启装置，用于接收工艺处理后的所述晶片。

优选地，所述晶片处理系统还包括：第二负载锁闭器，所述第二大气传输单元和所述传输腔室之间设置有所述第二负载锁闭器；

所述第二负载锁闭器，用于接收所述传输腔室传送的工艺处理后的所述晶片，以供所述第二大气传输单元从所述第二负载锁闭器获取工艺处理后的所述晶片。

优选地，所述第二负载锁闭器和所述第二大气传输单元通过槽阀连接。

优选地，所述第二前端开启装置的数量可以为一个或者多个。

优选地，所述第一大气传输装置包括：与所述传输腔室连接的第一大气传输单元和与所述第一大气传输单元连接的第一前端开启装置；

所述第一前端开启装置，用于开启晶片盒；

所述第一大气传输单元，用于从所述晶片盒中获取晶片并将获取的晶片向所述传输腔室传送。

优选地，所述晶片处理系统还包括：第一负载锁闭器，所述第一大气传输单元和所述传输腔室之间设置有所述第一负载锁闭器；

所述第一负载锁闭器，用于接收所述第一大气传输单元传送的所述晶片，以供所述传输腔室从所述第一负载锁闭器获取所述晶片。

为实现上述目的，本发明还提供了一种晶片处理方法，所述方法基于晶片传输系统，所述晶片传输系统包括：第一大气传输装置、第二大气传输装置、传输腔室和与所述传输腔室连接的反应腔室，所述第一大气传输装置、所述传输腔室和所述第二大气传输装置依次连接；

所述方法包括：

所述第一大气传输装置将获取的晶片向所述传输腔室传送；

所述传输腔室获取所述晶片，将所述晶片送入所述反应腔室以供所述反应腔室对所述晶片进行工艺处理，并将工艺处理后的所述晶片向所述第二大气传输装置传送；

所述第二大气传输装置获取工艺处理后的所述晶片。

优选地，所述第二大气传输装置包括：与所述传输腔室连接的第二大气传输单元和与所述第二大气传输单元连接的第二前端开启装置；

则所述第二大气传输装置获取工艺处理后的所述晶片具体包括：

所述第二大气传输单元获取工艺处理后的所述晶片，并将工艺处理后的所述晶片传送至所述第二前端开启装置；

所述第二前端开启装置接收工艺处理后的所述晶片。

优选地，所述晶片处理系统还包括：第二负载锁闭器，所述第二大气传输单元和所述传输腔室之间设置有所述第二负载锁闭器；

所述第二大气传输单元获取工艺处理后的所述晶片之前包括：所述第二负载锁闭器接收所述传输腔室传送的工艺处理后的所述晶片；

所述第二大气传输单元获取所述晶片具体包括：所述第二大气传送单元从所述第二负载锁闭器获取工艺处理后的所述晶片。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的晶片处理系统和晶片处理方法，晶片处理系统包括第一大气传输装置、第二大气传输装置、传输腔室和反应腔室，第一大气传输装置将获取的晶片向传输腔室传送，传输腔室获取晶片，将晶片送入反应腔室以供反应腔室对晶片进行工艺处理，并将工艺处理后的晶片向第二大气传输装置传送，第二大气传输装置获取工艺处理后的晶片。本发明的晶片处理系统增设了与传输腔室连接的第二大气传输装置，传输腔室可以将工艺处理后的晶片直接传送至第二大气传输装置，无需将晶片再回传至第一大气传输装置，这缩短了晶片在晶片处理系统中的传输路径，从而减少了晶片在晶片处理系统中的传输时间；由于缩短了晶片在晶片处理系统中的传输路径，因此降低了晶片受到污染的可能性。

附图说明

图1为现有技术中晶片处理系统的结构示意图；

图2为本发明实施例一提供的一种晶片处理系统的结构示意图；

图3为本发明实施例二提供的一种晶片处理方法的流程图.

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的晶片处理系统和晶片处理方法进行详细描述。

图2为本发明实施例一提供的一种晶片处理系统的结构示意图，如图2所示，该晶片处理系统包括：第一大气传输装置1、第二大气传输装置2、传输腔室和与传输腔室连接的反应腔室，第一大气传输装置1、传输腔室和第二大气传输装置2依次连接。

本实施例中，该晶片处理系统可以包括至少二个传输腔室，本实施例中的晶片处理系统以二个传输腔室为例进行描述，二个传输腔室分别为传输腔室3和传输腔室4。其中，每个传输腔室中均设置有真空机械手。优选地，传输腔室3和传输腔室4之间可以通过连接器7连接。与每个传输腔室连接的反应腔室可以为一个或者多个，本实施例中，与传输腔室3连接的反应腔室为反应腔室31、反应腔室32、反应腔室33和反应腔室34，与传输腔室4连接的反应腔室为反应腔室41、反应腔室42、反应腔室43和反应腔室44。本实施例中，第一大气传输装置1、传输腔室3、传输腔室4和第二大气传输装置2依次连接。

第一大气传输装置1，用于将获取的晶片向传输腔室传送。本实施例中，第一大气传输装置1可从晶片盒中获取晶片，并将获取的晶片向传输腔室3传送。

传输腔室，用于获取该晶片，将该晶片放入反应腔室以供反应腔室对该晶片进行工艺处理，并将工艺处理后的该晶片向第二大气传输装置2传送。具体地，本实施例中，传输腔室3获取该晶片，将该晶片送入反应腔室31、反应腔室32、反应腔室33和反应腔室34中指定的反应腔室进行工艺处理，并将工艺处理后的晶片向反应腔室4传送，例如：指定的反应腔室可以包括反应腔室31和反应腔室33；传输腔室4获取工艺处理后的晶片，将工艺处理后的晶片放入反应腔室41、反应腔室42、反应腔室43和反应腔室44中指定的反应腔室进行进一步工艺处理，并将工艺处理后的晶片向第二大气传输装置2传送，例如：指定的反应腔室可以包括反应腔室41和反应腔室43。

第二大气传输装置2，用于获取该晶片。本实施例中，第二大气传输装置2可以从反应腔室4获取工艺处理后的晶片。

本实施例中，第一大气传输装置1包括：与传输腔室3连接的第一大气传输单元12和与第一大气传输单元12连接的第一前端开启装置11。第一前端开启装置11的数量可以为一个或者多个，本实施例中以三个第一前端开启装置11为例进行描述。第一大气传输单元12中设置有晶片位置校准器和第一大气机械手，其中第一大气机械手在图2中未具体示出。第一前端开启装置11用于开启晶片盒，第一大气传输单元12用于从晶片盒中获取晶片并将获取的晶片向传输腔室3传送。具体地，第一大气传输单元12中的第一大气机械手从晶片盒中取出晶片，并将该晶片传送至晶片位置校准器上，由晶片位置校准器对晶片在第一大气机械手的位置进行校准，第一大气机械手将晶片向传输腔室3传送。

进一步地，晶片处理系统还包括：第一负载锁闭器6，第一大气传输单元12和传输腔室3之间设置有第一负载锁闭器6。第一负载锁闭器6，用于接收第一大气传输单元12传送的晶片，以供传输腔室3从第一负载锁闭器6获取该晶片。优选地，第一负载锁闭器6和第一大气传输单元12通过槽阀连接。具体地，第一负载锁闭器6和第一大气传输单元12之间的槽阀打开，第一大气机械手将晶片放入第一负载锁闭器6中，第一大气机械手缩回后第一负载锁闭器6和第一大气传输单元12之间的槽阀关闭。优选地，第一负载锁闭器6和传输腔室3通过槽阀连接。具体地，第一负载锁闭器6和传输腔室3之间的槽阀打开，传输腔室3中的真空机械手将晶片从第一负载锁闭器6中取出使晶片进入传输腔室3，传输腔室3中的真空机械手缩回后第一负载锁闭器6和传输腔室3之间的槽阀关闭。

本实施例中，第二大气传输装置2包括：与传输腔室4连接的第二大气传输单元22和与第二大气传输单元22连接的第二前端开启装置21。第二前端开启装置21的数量可以为一个或者多个，本实施例中以三个第二前端开启装置21为例进行描述。第二大气传输单元22中设置有第二大气机械手，其中第二大气机械手在图2中未具体示出。第二大气传输单元22，用于获取工艺处理后的晶片并将工艺处理后的晶片传送至第二前端开启装置21，具体地，第二大气传输单元22中的第二大气机械手从传输腔室4中获取工艺处理后的晶片，并将工艺处理后的晶片放入第二前端开启装置21。第二前端开启装置21，用于接收工艺处理后的晶片。

进一步地，晶片处理系统还包括：第二负载锁闭器8，第二大气传输单元22和传输腔室4之间设置有第二负载锁闭器8。第二负载锁闭器8，用于接收传输腔室4传送的工艺处理后的晶片，以供第二大气传输单元22从第二负载锁闭器8获取工艺处理后的晶片。优选地，第二负载锁闭器8和第二大气传输单元22通过槽阀连接。具体地，传输腔室4中的真空机械手将工艺处理后的晶片放入第二负载锁闭器8，第二负载锁闭器8和第二大气传输单元22之间的槽阀打开，第二大气机械手将工艺处理后的晶片从第二负载锁闭器8中取出并放入第二前端开启装置21，以实现第二前端开启装置21接收工艺处理后的晶片。其中，第二大气机械手缩回后第二负载锁闭器8和第二大气传输单元22之间的槽阀关闭。

下面通过一个实例对晶片处理系统处理晶片的过程进行详细的描述。

如图2所示，第一前端开启装置11开启晶片盒，第一大气传输单元12中的第一大气机械手从晶片盒中取出晶片，并将该晶片传送至晶片位置校准器上，由晶片位置校准器对晶片在第一大气机械手的位置进行校准。而后第一负载锁闭器6和第一大气传输单元12之间的槽阀打开，第一大气机械手将晶片放入第一负载锁闭器6中，第一大气机械手缩回后第一负载锁闭器6和第一大气传输单元12之间的槽阀关闭。传输腔室3中的真空机械手将晶片从第一负载锁闭器6中取出使晶片进入传输腔室3，传输腔室3中的真空机械手缩回后第一负载锁闭器6和传输腔室3之间的槽阀关闭。传输腔室3中的真空机械手将晶片放入反应腔室31中，由反应腔室31对该晶片进行工艺处理；传输腔室3中的真空机械手将工艺处理后的晶片从反应腔室31中取出，并将工艺处理后的晶片放入反应腔室33，由反应腔室33对工艺处理后的晶片进行进一步的工艺处理；传输腔室3中的真空机械手将工艺处理后的晶片从反应腔室33中取出，并将工艺处理后的晶片放入连接器7中；传输腔室4中的真空机械手将工艺处理后的晶片从连接器7中取出使工艺处理后的晶片进入传输腔室4。传输腔室4中的真空机械手将工艺处理后的晶片放入反应腔室41中，由反应腔室41对工艺处理后的晶片进行进一步工艺处理；传输腔室4中的真空机械手将工艺处理后的晶片从反应腔室41中取出，并将工艺处理后的晶片放入反应腔室43，由反应腔室43对工艺处理后的晶片进行进一步工艺处理；传输腔室4中的真空机械手将工艺处理后的晶片从反应腔室43中取出，并将工艺处理后的晶片放入第二负载锁闭器8中，第二负载锁闭器8和第二大气传输单元22之间的槽阀打开，第二大气机械手将工艺处理后的晶片从第二负载锁闭器8中取出，第二大气机械手从第二负载锁闭器8中缩回后第二负载锁闭器8和第二大气传输单元22之间的槽阀关闭，第二大气机械手将工艺处理后的晶片放入第二前端开启装置21。

本实施例提供的晶片处理系统包括第一大气传输装置、第二大气传输装置、传输腔室和反应腔室，第一大气传输装置用于将获取的晶片向传输腔室传送，传输腔室用于获取晶片，将晶片送入反应腔室以供反应腔室对晶片进行工艺处理，并将工艺处理后的晶片向第二大气传输装置传送，第二大气传输装置，用于获取工艺处理后的晶片。本实施例的晶片处理系统增设了与传输腔室连接的第二大气传输装置，传输腔室可以将工艺处理后的晶片直接传送至第二大气传输装置，无需将晶片再回传至第一大气传输装置，这缩短了晶片在晶片处理系统中的传输路径，从而减少了晶片在晶片处理系统中的传输时间，提高了晶片的处理效率；由于缩短了晶片在晶片处理系统中的传输路径，因此降低了晶片受到污染的可能性，减少了晶片上颗粒物的数量。

图3为本发明实施例二提供的一种晶片处理方法的流程图，如图3所示，该方法基于晶片传输系统，该晶片传输系统包括：第一大气传输装置、第二大气传输装置、传输腔室和与该传输腔室连接的反应腔室，该第一大气传输装置、该传输腔室和该第二大气传输装置依次连接；

该晶片处理方法包括：

步骤101、所述第一大气传输装置将获取的晶片向所述传输腔室传送。

步骤102、所述传输腔室获取所述晶片，将所述晶片送入所述反应腔室以供所述反应腔室对所述晶片工艺处理，并将工艺处理后的所述晶片向所述第二大气传输装置传送。

步骤103、所述第二大气传输装置获取工艺处理后的所述晶片。

进一步地，所述第一大气传输装置包括：与所述传输腔室连接的第一大气传输单元和与所述第一大气传输单元连接的第一前端开启装置。则步骤101具体包括：

步骤1011、所述第一前端开启装置开启晶片盒。

步骤1012、所述第一大气传输单元从所述晶片盒中获取晶片并将获取的晶片向所述传输腔室传送。

进一步地，所述晶片处理系统还包括：第一负载锁闭器，所述第一大气传输单元和所述传输腔室之间设置有所述第一负载锁闭器。则步骤1012之前还包括：所述第一负载锁闭器接收所述第一大气传输单元传送的所述晶片；步骤1012具体包括：所述传输腔室从所述第一负载锁闭器获取所述晶片。

进一步地，所述第二大气传输装置包括：与所述传输腔室连接的第二大气传输单元和与所述第二大气传输单元连接的第二前端开启装置。则步骤103具体包括：

步骤1031、所述第二大气传输单元获取工艺处理后的所述晶片，并将工艺处理后的所述晶片传送至所述第二前端开启装置。

步骤1032、所述第二前端开启装置接收工艺处理后的所述晶片。

进一步地，所述晶片处理系统还包括：第二负载锁闭器，所述第二大气传输单元和所述传输腔室之间设置有所述第二负载锁闭器。则步骤1031之前还包括：所述第二负载锁闭器接收所述传输腔室传送的所述晶片；步骤1031具体包括：所述第二大气传送单元从所述第二负载锁闭器获取工艺处理后的所述晶片。

本实施例中提供的晶片处理方法可用采用上述实施例一中的晶片处理系统实现。对晶片处理系统的描述可参见实施例一，此处不再赘述。

本实施例提供的晶片处理方法，该方法基于晶片处理系统，该晶片处理系统包括第一大气传输装置、第二大气传输装置、传输腔室和反应腔室，该方法包括：所述第一大气传输装置将获取的晶片向所述传输腔室传送，所述传输腔室获取所述晶片，将所述晶片送入所述反应腔室以供所述反应腔室对所述晶片进行工艺处理，并将工艺处理后的所述晶片向所述第二大气传输装置传送，所述第二大气传输装置获取工艺处理后的所述晶片。本实施例的晶片处理方法中晶片处理系统增设了与传输腔室连接的第二大气传输装置，传输腔室可以将工艺处理后的晶片直接传送至第二大气传输装置，无需将晶片再回传至第一大气传输装置，这缩短了晶片在晶片处理系统中的传输路径，从而减少了晶片在晶片处理系统中的传输时间，提高了晶片的处理效率；由于缩短了晶片在晶片处理系统中的传输路径，因此降低了晶片受到污染的可能性，减少了晶片上颗粒物的数量。

本发明的技术方案中，晶片处理系统和晶片处理方法可应用于多种不同的物理气相沉积工艺。例如：当应用于标准的铜阻挡层与仔晶层物理气相沉积工艺时，晶片在晶片处理系统中的传输时间可减少10％。本发明的技术方案中，对标准的物理气相沉积工艺流程没有改变，因此不会影响晶片的生产质量，并且也无需针对物理气相沉积的工艺流程进行特别的研发。当晶片处理系统中包括多个传输腔室时，由于无需将完成工艺处理的晶片回传至第一前端开启装置，因此总体上保证了每个传输腔室中真空机械手所承担的工作量的一致性，从而使晶片处理系统中各个传输腔室的产能搭配更加合理。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种晶片处理系统，包括：第一大气传输装置、传输腔室和与所述传输腔室连接的反应腔室，其特征在于，还包括：第二大气传输装置，所述第一大气传输装置、所述传输腔室和所述第二大气传输装置依次连接；

所述第一大气传输装置，用于将获取的晶片向所述传输腔室传送；

所述传输腔室，用于获取所述晶片，将所述晶片送入所述反应腔室以供所述反应腔室对所述晶片进行工艺处理，并将工艺处理后的所述晶片向所述第二大气传输装置传送；

所述第二大气传输装置，用于获取工艺处理后的所述晶片。

2.根据权利要求1所述的晶片处理系统，其特征在于，所述第二大气传输装置包括：与所述传输腔室连接的第二大气传输单元和与所述第二大气传输单元连接的第二前端开启装置；

所述第二大气传输单元，用于获取工艺处理后的所述晶片，并将工艺处理后的所述晶片传送至所述第二前端开启装置；

所述第二前端开启装置，用于接收工艺处理后的所述晶片。

3.根据权利要求2所述的晶片处理系统，其特征在于，还包括：第二负载锁闭器，所述第二大气传输单元和所述传输腔室之间设置有所述第二负载锁闭器；

所述第二负载锁闭器，用于接收所述传输腔室传送的工艺处理后的所述晶片，以供所述第二大气传输单元从所述第二负载锁闭器获取工艺处理后的所述晶片。

4.根据权利要求3所述的晶片处理系统，其特征在于，所述第二负载锁闭器和所述第二大气传输单元通过槽阀连接。

5.根据权利要求2至4任一所述的晶片处理系统，其特征在于，所述第二前端开启装置的数量可以为一个或者多个。

6.根据权利要求1所述的晶片处理系统，其特征在于，所述第一大气传输装置包括：与所述传输腔室连接的第一大气传输单元和与所述第一大气传输单元连接的第一前端开启装置；

所述第一前端开启装置，用于开启晶片盒；

所述第一大气传输单元，用于从所述晶片盒中获取晶片并将获取的晶片向所述传输腔室传送。

7.根据权利要求6所述的晶片处理系统，其特征在于，还包括：第一负载锁闭器，所述第一大气传输单元和所述传输腔室之间设置有所述第一负载锁闭器；

所述第一负载锁闭器，用于接收所述第一大气传输单元传送的所述晶片，以供所述传输腔室从所述第一负载锁闭器获取所述晶片。

8.一种晶片处理方法，其特征在于，所述方法基于晶片传输系统，所述晶片传输系统包括：第一大气传输装置、第二大气传输装置、传输腔室和与所述传输腔室连接的反应腔室，所述第一大气传输装置、所述传输腔室和所述第二大气传输装置依次连接；

所述方法包括：

所述第一大气传输装置将获取的晶片向所述传输腔室传送；

所述传输腔室获取所述晶片，将所述晶片送入所述反应腔室以供所述反应腔室对所述晶片进行工艺处理，并将工艺处理后的所述晶片向所述第二大气传输装置传送；

所述第二大气传输装置获取工艺处理后的所述晶片。

9.根据权利要求8所述的晶片处理方法，其特征在于，所述第二大气传输装置包括：与所述传输腔室连接的第二大气传输单元和与所述第二大气传输单元连接的第二前端开启装置；

则所述第二大气传输装置获取工艺处理后的所述晶片具体包括：

所述第二大气传输单元获取工艺处理后的所述晶片，并将工艺处理后的所述晶片传送至所述第二前端开启装置；

所述第二前端开启装置接收工艺处理后的所述晶片。

10.根据权利要求9所述的晶片处理方法，其特征在于，所述晶片处理系统还包括：第二负载锁闭器，所述第二大气传输单元和所述传输腔室之间设置有所述第二负载锁闭器；

所述第二大气传输单元获取工艺处理后的所述晶片之前包括：所述第二负载锁闭器接收所述传输腔室传送的工艺处理后的所述晶片；

所述第二大气传输单元获取所述晶片具体包括：所述第二大气传送单元从所述第二负载锁闭器获取工艺处理后的所述晶片。

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