JPH05259259A - 真空処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 検査の頻度向上と検査結果のフィードバック
のスピ−ドアップ、また、それに伴う不良作り込みを防
止する。 【構成】 減圧ＣＶＤ装置において、気密室に形成され
て被処理物が搬入搬出され、真空排気されるロードロッ
ク室２と、気密室に形成され、ロードロック室２に隣接
されてゲートバルブ６によって連通を開閉される搬送室
３Ａと、気密室に形成され搬送室３Ａに隣接されてゲー
トバルブ７によって連通を開閉される処理室４Ａと、気
密室に形成され搬送室３Ａに処理室４Ａと別の位置で隣
合わせに配されてゲートバルブ８によって連通を開閉さ
れる検査室５４と、搬送室３Ａに設備され、ロードロッ
ク室１２、処理室４Ａおよび検査室５Ａとの間でウエハ
１を受け渡すロボット２１Ａとを備えている。 【効果】 処理装置４Ａと検査装置５Ａとは同一の装置
内に設備されているため、処理後のウエハ１について直
ちに検査を実施でき、検査時間を短縮化でき、検査デー
タをその処理装置４Ａにおける以後の処理に直ちに利用
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、真空処理技術、特に、
真空室において被処理物に所望の処理を施す処理技術に
関し、例えば、半導体装置の製造工程において、真空室
にて半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に所望の薄
膜を形成するのに利用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程において、ＣＶＤ
法やスパッタリング法等によってウエハ上に酸化膜や窒
化膜、または、アルミニウムやアルミニウム合金等のメ
タル膜等が生成される場合、真空処理室を備えているＣ
ＶＤ装置やスパッタリング装置にて成膜処理が実施され
ている。そして、このＣＶＤ装置やスパッタリング装置
等の成膜装置は膜形成機能のみ有しており、生成された
膜についての検査機能は備えていない。

【０００３】他方、このような成膜工程においては、生
成した膜の均一性や反射率、異物、不純物濃度等につい
ての測定に基づく検査作業が必要である。半導体製造工
程において、この成膜についての測定および検査作業
は、先行作業、ロット間のチェック作業として定期的に
行なわれている。

【０００４】そして、この測定および検査作業には多く
の検査装置が用いられているが、従来、これらの検査装
置は成膜装置とは別置きになっている。すなわち、測定
および検査作業は、所謂オフライン作業として実施され
ている。

【０００５】なお、真空室を備えている減圧ＣＶＤ装置
を述べてある例としては、株式会社工業調査会発行「電
子材料１９９０年１０月号別冊」１９９０年１０月２０
日発行 Ｐ２８〜Ｐ３２、がある。

【０００６】また、ウエハの膜厚測定技術を述べてある
例としては、株式会社工業調査会発行「１００例にみる
半導体評価技術」１９８８年５月１日発行 Ｐ５９〜Ｐ
６０、がある。

【０００７】さらに、ウエハダスト検出技術を述べてあ
る例としては、株式会社工業調査会発行「１００例にみ
る半導体評価技術」１９８８年５月１日発行 Ｐ６０〜
Ｐ６２、がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
成膜装置と検査装置とは別置きに構成されているため、
次のような問題点がある。この問題点は半導体製造工程
における全自動化の障害になっている。

【０００９】 成膜装置と検査装置との間におけるウ
エハの移動には人手あるいはロボット等による移送が介
在することになっているため、異物付着等の弊害発生の
機会が増加する。

【００１０】 成膜装置と検査装置とが別置きで離れ
ているために、測定並びに検査に時間がかかってしま
い、段取時間が長くなる。

【００１１】 測定並びに検査頻度が少ないことによ
って、異常発生時の対応が遅くなるため、その間に不良
を作り込んでしまう可能性が多くなる。

【００１２】本発明の目的は、各検査の頻度向上と検査
結果のフィードバックのスピ−ドアップ、また、それに
伴う不良作り込みを防止することができる真空処理技術
を提供することにある。

【００１３】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。すなわち、真空室で被処理物について所定の処
理が施される真空処理装置において、被処理物が搬入搬
出され、気密室に形成されているとともに、真空排気さ
れるロードロック室と、気密室に形成され、前記ロード
ロック室に隣合わせに配されて連通されているととも
に、ゲートバルブによってロードロック室への連通を開
閉されるように構成されている搬送室と、気密室に形成
されているとともに、真空排気され、前記搬送室に隣合
わせに配されて連通され、かつ、ゲートバルブによって
その搬送室への連通を開閉されるようにされている処理
室と、気密室に形成されているとともに、真空排気さ
れ、前記搬送室に前記処理室と別の位置で隣合わせに配
されて連通され、かつ、ゲートバルブによってその搬送
室への連通を開閉されるようにされている検査室と、前
記搬送室に設備されており、前記ロードロック室、処理
室および検査室との間で前記被処理物を受け渡す受け渡
し手段とを備えていることを特徴とする。

【００１５】

【作用】前記した手段においては、被処理物はロードロ
ック室から搬送室を通じて処理室に搬送される。処理室
で所定の処理が施された後、被処理物は搬送室を通じて
検査室に搬送され、所定の検査を直ちに受ける。したが
って、段取り時間が短縮化されるとともに、検査頻度が
飛躍的に増加し、検査結果に基づく異常発生時の対策を
いち早く講ずることができる。

【００１６】この間、被処理物は気密室であるロードロ
ック室、搬送室、処理室および検査室において搬送され
るため、被処理物に異物付着する等の障害発生の機会が
減少する。その結果、前記した早期異常対策とあいまっ
て、不良作り込みを防止することができ、製造歩留りを
向上させることができる。

【実施例】図１は本発明の一実施例である真空処理装置
を示す概略平面図、図２はその拡大部分正面断面図であ
る。

【００１７】本実施例において、本発明に係る真空処理
装置は、アルミニウム配線間の層間絶縁膜を形成するた
めの減圧ＣＶＤ装置として構成されている。この減圧Ｃ
ＶＤ装置には、被処理物としてのウエハ１の出し入れを
行なうためのロードロック室２が設備されている。

【００１８】このロードロック室２は略立方体の気密室
に形成されている。ロードロック室２の一側壁には出入
り口１３が開設されており、この出入り口１３はシャッ
ターによって開閉されるように構成され、シャッターに
よって気密室の内外が仕切られるようになっている。

【００１９】ロードロック室２の他の側壁にはロードロ
ック室専用の真空排気路１８が、ロードロック室２に専
用的に流体連結されている。この真空排気路１８は後記
する各真空排気路と同様、真空ポンプ１５と、真空ポン
プ１５とロードロック室１３との流通を制御する制御弁
１４と、制御弁１４を迂回するように接続されているス
ロー排気路１７と、スロー排気路１７の流通を制御する
制御弁１６とを備えている。そして、スロー排気路１７
は真空排気時における異物の巻き上げを防止するように
制御弁１６によって制御されるようになっている。

【００２０】また、ロードロック室２にはガス導入路１
９が接続されており、ロードロック室２が大気にリーク
されるに際して、このガス導入路１９によって窒素ガス
やアルゴンガス等の不活性ガスが導入されるようになっ
ている。そして、リ−ク時の異物巻き上げ防止のため
に、ある設定圧力までは微小流量が流量制御弁を通して
流され、その後、流量が増加されて大気に開放されるよ
うになっている。

【００２１】ロードロック室２の出入り口１３と反対側
には第１搬送室３Ａが隣接して設置されており、この第
１搬送室３Ａとロードロック室２との境にはゲートバル
ブ６が介設されている。ゲートバルブ６は開閉制御され
るように構成されており、このゲートバルブ６の開閉作
動によって第１搬送室３Ａとロードロック室２との連通
および遮断が制御されるようになっている。

【００２２】第１搬送室３Ａも略立方体の気密室に形成
されており、ゲートバルブ６に対して直角に位置する一
側壁には、処理室の一例である前処理室４Ａが隣接して
設置されており、この前処理室４Ａと第１搬送室３Ａと
の境には第２ゲートバルブ７が介設されている。第２ゲ
ートバルブ７は開閉制御されるように構成されており、
この第２ゲートバルブ７の開閉作動によって第１搬送室
３Ａと前処理室４Ａとの連通および遮断が制御されるよ
うになっている。

【００２３】前処理室４Ａ内の床面上には加熱装置２０
が設備されており、この加熱装置２０は被処理物である
ウエハ１に対して前処理としての予熱処理を実施するよ
うに構成されている。

【００２４】また、前処理室４Ａには前処理室専用の真
空排気路１８Ａ、および、ガス導入路１９Ａがそれぞれ
接続されている。この前処理室専用の真空排気路１８Ａ
およびガス導入路１９Ａは、前記ロードロック室２にそ
れぞれ接続されている真空排気路１８およびガス導入路
１９と同様に構成されている。

【００２５】第１搬送室３Ａにおける前処理室４Ａと反
対側に位置する側壁には、第１検査室５Ａが隣接して設
置されており、この第１検査室５Ａと第１搬送室３Ａと
の境には第３ゲートバルブ８が介設されている。第３ゲ
ートバルブ８は開閉制御されるように構成されており、
この第３ゲートバルブ８の開閉作動によって第１搬送室
３Ａと第１検査室５Ａとの連通および遮断が制御される
ようになっている。

【００２６】第１検査室５Ａ内の床面上には第１検査装
置として異物検査装置２４Ａが設備されており、この異
物検査装置２４Ａは被処理物であるウエハ１に対して後
述する異物検査を実施するように構成されている。

【００２７】また、第１検査室５Ａには第１検査室５Ａ
専用の真空排気路１８Ｂ、および、ガス導入路１９Ｂが
それぞれ接続されている。この第１検査室専用の真空排
気路１８Ｂおよびガス導入路１９Ｂは、前記ロードロッ
ク室２にそれぞれ接続されている真空排気路１８および
ガス導入路１９と同様に構成されている。

【００２８】第１搬送室３Ａ内には第１搬送装置として
の多関節ロボット２１Ａが設備されており、このロボッ
ト２１Ａのアームの先端部には被搬送物としてのウエハ
１を保持するためのヘッド２２Ａが装着されている。ヘ
ッド２２Ａは静電容量型のウエハ吸着ヘッドから構成さ
れている。

【００２９】そして、第１ロボット２１Ａは隣接するロ
ードロック室２に搬入されたカセット部からウエハ１を
ヘッド２２Ａで保持して、第１搬送室３Ａへ搬出するに
ように構成されている。また、第１ロボット２１Ａは前
処理室４Ａ、第１検査室５Ａおよび後記する第２搬送室
との間でウエハ１を受け渡すように構成されている。

【００３０】ちなみに、第１搬送室３Ａには比較的圧力
が高くても特に問題の無い前処理室２および異物検査室
５Ａが流体連結されていることになる。

【００３１】第１搬送室３Ａのロードロック室２と反対
側に位置する側壁には、第２搬送室３Ｂが隣接して設置
されており、この第２搬送室３Ｂと第１搬送室３Ａとの
境には第４ゲートバルブ９が介設されている。第４ゲー
トバルブ９は開閉制御されるように構成されており、こ
の第４ゲートバルブ９の開閉作動によって第１搬送室３
Ａと第２搬送室５Ｂとの連通および遮断が制御されるよ
うになっている。

【００３２】第２搬送室３Ｂも略立方体の気密室に形成
されており、第４ゲートバルブ９に対して直角に位置す
る一側壁には第１成膜処理室４Ｂが隣接して設置されて
おり、この成膜処理室４Ｂと第２搬送室３Ｂとの境には
第５ゲートバルブ１０が介設されている。第５ゲートバ
ルブ１０は開閉制御されるように構成されており、この
第５ゲートバルブ１０の開閉作動によって第２搬送室３
Ａと第１成膜処理室４Ｂとの連通および遮断が制御され
るようになっている。

【００３３】第１成膜処理室４Ｂ内の床面上には、第１
成膜処理装置としての第１減圧ＣＶＤ装置２３Ａが設備
されており、この減圧ＣＶＤ装置２３Ａは被処理物であ
るウエハ１に対して減圧ＣＶＤ処理を実施するように構
成されている。この減圧ＣＶＤ処理によって、ウエハ１
上にはアルミニウム配線間の層間絶縁膜が形成されるよ
うになっている。

【００３４】また、第１成膜処理室４Ｂには第１成膜処
理室専用の真空排気路１８Ｃおよびガス導入路１９Ｃが
それぞれ接続されている。この第１成膜処理室専用の真
空排気路１８Ｃおよびガス導入路１９Ｃは前記ロードロ
ック室２にそれぞれ接続されている真空排気路１８およ
びガス導入路１９と同様に構成されている。

【００３５】第２搬送室３Ｂにおける第１成膜処理室４
Ｂと反対側に位置する側壁には、第２検査室５Ｂが隣接
して設置されており、この第２検査室５Ｂと第２搬送室
３Ｂとの境には第６ゲートバルブ１１が介設されてい
る。第６ゲートバルブ１１は開閉制御されるように構成
されており、この第６ゲートバルブ１１の開閉作動によ
って第２搬送室３Ｂと第２検査室５Ｂとの連通および遮
断が制御されるようになっている。

【００３６】第２検査室５Ｂ内の床面上には、第２検査
装置として膜厚検査装置２４Ｂが設備されており、この
膜厚検査装置２４Ｂは被処理物であるウエハ１に対して
後述する膜厚検査を実施するように構成されている。

【００３７】また、第２検査室５Ｂには第２検査室５Ｂ
専用の真空排気路１８Ｄおよびガス導入路１９Ｄがそれ
ぞれ接続されている。この第２検査室５Ｂ専用の真空排
気路１８Ｄおよびガス導入路１９Ｄは前記ロードロック
室２にそれぞれ接続されている真空排気路１８およびガ
ス導入路１９と同様に構成されている。

【００３８】第２搬送室３Ｂの第１搬送室３Ａと反対側
に位置する一側壁には第２成膜処理室４Ｃが隣接して設
置されており、この第２成膜処理室４Ｃと第２搬送室３
Ｂとの境には第７ゲートバルブ１２が介設されている。
第７ゲートバルブ１２は開閉制御されるように構成され
ており、この第７ゲートバルブ１２の開閉作動によって
第２搬送室３Ｂと第２成膜処理室４Ｃとの連通および遮
断が制御されるようになっている。

【００３９】第２成膜処理室４Ｃ内の床面上には、第２
成膜処理装置としての第２減圧ＣＶＤ装置２３Ｂが設備
されており、この第２減圧ＣＶＤ装置２３Ｂは被処理物
であるウエハ１に対して減圧ＣＶＤ処理を実施するよう
に構成されている。この減圧ＣＶＤ処理によって、ウエ
ハ１上にはアルミニウム配線間の層間絶縁膜が形成され
るようになっている。そして、本実施例においては、第
１減圧ＣＶＤ装置２３Ａと第２減圧ＣＶＤ装置２３Ｂと
は同一のＣＶＤ処理を実施するように構成されている。

【００４０】また、第２成膜処理室４Ｃには第２成膜処
理室専用の真空排気路１８Ｅおよびガス導入路１９Ｅが
それぞれ接続されている。この第２成膜処理室専用の真
空排気路１８Ｅおよびガス導入路１９Ｅは前記ロードロ
ック室２にそれぞれ接続されている真空排気路１８およ
びガス導入路１９と同様に構成されている。

【００４１】第２搬送室３Ｂ内には、第２搬送装置とし
ての第２多関節ロボット２１Ｂが設備されており、この
ロボット２１Ｂのアームの先端部には被搬送物としての
ウエハ１を保持するための第２ヘッド２２Ｂが装着され
ている。

【００４２】そして、第２ロボット２１Ｂは被搬送物と
してのウエハ１を、隣接する第１搬送室３Ａの前記した
第１ロボット２１、第１成膜処理室４Ｂ、第２検査室５
Ｂ、第２成膜処理室４Ｃとの間で受け渡すように構成さ
れている。

【００４３】ちなみに、第２搬送室３Ｂには比較的高い
真空度が要求される減圧ＣＶＤ装置がそれぞれ設備され
る成膜処理室４Ｂ、４Ｃおよび膜厚検査装置２４Ｂが設
備される第２検査室５Ｂが流体連結されていることにな
る。

【００４４】次に作用を説明する。処理されるべきウエ
ハ１群はキャリア治具（図示せず）に収納された状態
で、ロードロック室２に出入り口１３から搬入される。
出入り口１３が閉じられた後、ロードロック室２は専用
の真空排気路１８によって真空排気される。

【００４５】このとき、他の気密室群、すなわち、搬送
室３Ａ、３Ｂ、処理室４Ａ、４Ｂ、４Ｃおよび検査室５
Ａ、５Ｂにおいては、真空状態が維持されている。した
がって、真空状態の利用効率はきわめて良好になる。

【００４６】ロードロック室２の圧力が所定の圧力まで
降下した後、処理されるべきウエハ１はロードロック室
２から第１搬送室３Ａへ第１ロボット２１Ａにより１枚
宛払い出される。

【００４７】払い出されたウエハ１は第１ロボット２１
Ａによって前処理室４Ａに搬入されて、加熱装置２０に
セットされる。そして、ウエハ１には加熱装置２０によ
り前処理として所定の加熱処理が施される。

【００４８】前処理が施されたウエハ１は第１ロボット
２１Ａによって前処理室４Ａから搬出されるとともに、
第１検査室５Ａに搬入され、第１検査室５Ａに設備され
た異物検査装置２４Ａにセットされる。

【００４９】異物検査装置２４Ａによって、ウエハ１は
従来知られている光学的手段により異物検査を実施され
る。この前処理後の異物検査によって、ウエハ１の成膜
処理以前の異物の状況、所謂異物の初期値が検査され
る。この異物の初期値データは異物検査装置２４Ａが接
続されたホストコンピュータ（図示せず）にインプット
される。

【００５０】なお、この異物初期値の検査は、ロット内
では殆ど変動しないため、必要に応じて抜き取り検査と
してもよい。

【００５１】第１検査室５Ａ内のウエハは第１ロボット
２１Ａにより搬出されて、第２ロボット２１Ｂに受け渡
され、第２搬送室３Ｂに搬入される。第２搬送室３Ｂに
搬入されたウエハ１は第２ロボット２１Ｂによって、第
１処理室４Ｂに搬入されるとともに、第１減圧ＣＶＤ装
置２３Ａにセットされる。

【００５２】本実施例においては、第２処理室４Ｃにも
均等の第２減圧ＣＶＤ装置２３Ｂが設備されているた
め、第１減圧ＣＶＤ装置２３Ａと第２減圧ＣＶＤ装置２
３Ｂとの稼働の状況に応じて、第２ロボット２１Ｂは第
１減圧ＣＶＤ装置２３Ａを使用するか、第２減圧ＣＶＤ
装置２３Ｂを使用するかについて、ホストコンピュータ
によって選定される。

【００５３】例えば、第１減圧ＣＶＤ装置２３Ａにおい
ては、プラズマ中で、処理ガスとしてＴＥＯＳ（Ｔｅｔ
ｒａ Ｅｔｈｙｌ Ｏｒｔｈｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ）が
使用されることにより、アルミニウム配線間の層間絶縁
膜が形成される。

【００５４】所定の成膜処理が施されたウエハ１は第２
ロボット２１Ｂによって搬出されて、第１ロボット２１
Ｂに受け渡され、第１搬送室３Ａに搬入される。第１搬
送室３Ａに搬入されたウエハ１は第１ロボット２１Ａに
よって、第１検査室５Ａに搬入されるとともに、異物検
査装置２４Ａにセットされる。

【００５５】異物検査装置２４Ａにおいて、ウエハ１は
異物の測定を実施される。この異物の測定のデータと初
期値データとが比較されることにより、成膜処理後のウ
エハ１についての異物検査が実施されることになる。

【００５６】そして、この異物検査結果は、第１処理室
４Ａおよび第２処理室４Ｂにおける以後の成膜処理につ
いて利用される。したがって、本実施例によれば、処理
後、直ちに異物検査が実施されるとともに、その検査結
果が以後の処理に直ちに利用されることになる。

【００５７】そして、この検査結果によって、例えば、
最悪の場合には、第１処理室４Ａまたは第２処理室４Ｂ
における処理を中止することができるため、それ以後の
不良作り込みを防止することができる。その結果、製造
歩留りを高めることにつながる。

【００５８】異物検査が終了した良品ウエハ１は第１ロ
ボット２１Ａによって第１検査室５Ａから搬出されて、
第２ロボット２１Ｂに受け渡され、第２搬送室３Ａに搬
入される。第２搬送室３Ｂに搬入されたウエハ１は第２
ロボット２１Ｂによって第２検査室５Ｂに搬入されると
ともに、膜厚検査装置２４Ｂにセットされる。

【００５９】膜厚検査装置２４Ｂにおいて、例えば、エ
リプリメトリ法（偏光解析）による膜厚測定に基づい
て、ウエハ１はＣＶＤ成膜処理により形成された層間絶
縁膜の厚さを検査される。この膜厚検査のデータはホス
トコンピュータにインプットされる。

【００６０】この膜厚検査のデータは、第１処理室４Ａ
および第２処理室４Ｂにおける以後の処理についての条
件の修正等に利用される。したがって、本実施例によれ
ば、処理後直ちに膜厚検査が実施されるとともに、この
検査データにより処理条件が直ちに修正されるため、そ
れ以後の処理精度がより一層高められることになる。

【００６１】膜厚検査が終了した良品のウエハ１は、第
２ロボット２１Ｂにより第２検査室４Ｂから搬出され
て、第２搬送室３Ｂを経て第１ロボット２１Ａに受け渡
される。第１ロボット２１Ａに受け渡されたウエハ１は
第１搬送室３Ａを経てロードロック室２へ戻される。

【００６２】以上の作動が繰り返されることにより、ロ
ードロック室２に搬入された所定のウエハ１群について
の処理が終了すると、ウエハ１群はキャリア治具に収納
された状態で、ロードロック室２から搬出される。次い
で、新規のウエハ１群が補給される。以後、前記処理が
繰り返されて行く。

【００６３】前記実施例によれば次の効果が得られる。 処理装置と検査装置とは同一の装置内に設備されて
いるため、処理後のウエハについて直ちに検査を実施す
ることができ、その結果、検査時間を短縮化することが
できるとともに、検査データをその処理装置における以
後の処理について直ちに利用することができる。

【００６４】 同一装置内で処理および検査を実施す
ることができるため、検査の頻度を増加することができ
る。

【００６５】 前記およびにより、ウエハ群間の
処理状態のばらつきを低減することができ、また、処理
状態の精度を向上させることができるとともに、製造歩
留りを高めることができる。

【００６６】 被処理物であるウエハについての処理
および検査が全て、同一の真空空間において実施される
ため、ウエハのハンドリングによる異物付着等の障害を
低減することができる。

【００６７】図３は本発明の実施例２である真空処理装
置を示す概略平面図である。

【００６８】本実施例２が前記実施例１と異なる点は、
第２搬送室３Ｂ’が五角形の筒形状に形成されており、
その一側壁の隣接空間に処理室または検査室のための予
備空間が用意されている点にある。

【００６９】図４は本発明の実施例３である真空処理装
置を示す概略平面図である。

【００７０】本実施例３が前記実施例１と異なる点は、
第１搬送室３Ａ’が六角形の筒形状に形成されており、
この搬送室３Ａ’の各側壁に隣接してロードロック室
２、前処理室４Ａ、第１成膜処理室４Ｂ、第２成膜処理
室４Ｃ、第１検査室５Ａおよび第２検査室５Ｂがそれぞ
れ設備されている点にある。

【００７１】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。

【００７２】例えば、ロードロック室、搬送室、処理室
および検査室の配置は、前記実施例１、２および３に示
されている構成に限らず、必要に応じて適宜選定するこ
とができる。

【００７３】処理室には減圧ＣＶＤ装置を設備するに限
らず、他のＣＶＤ装置、スパッタリング装置、ドライエ
ッチング装置等の真空雰囲気下で処理が実施される真空
処理装置を設備することができる。

【００７４】また、各検査室には異物検査装置および膜
厚検査装置をそれぞれ設備するに限らず、反射率検査装
置、屈折率検査装置や組成比検査装置等のを各種検査装
置をそれぞれ設備してもよい。

【００７５】さらに、搬送室に設備される搬送装置とし
ては多関節ロボットや静電容量型の吸着ヘッドを使用す
るに限らず、直交軸ロボットや機械式のハンドリング装
置等を使用してもよい。

【００７６】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である減圧Ｃ
ＶＤ装置に適用した場合について説明したが、それに限
定されるものではなく、他のＣＶＤ装置、スパッタリン
グ装置、ドライエッチング装置等の真空処理室において
所望の処理が実施される真空処理装置全般に幅広く適用
することができる。

【００７７】また、以上の説明では主として本発明者に
よってなされた発明をその背景となった利用分野である
ウエハの処理技術に適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、液晶パネル装置や磁気
デスク、光デスク等の真空処理技術全般に幅広く適用す
ることができる。

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。

【００７８】処理装置と検査装置とは同一の装置内に設
備されているため、処理後の被処理物について直ちに検
査を実施することができ、その結果、検査時間を短縮化
することができるとともに、検査データをその処理装置
における以後の処理について直ちに利用することができ
る。また、同一装置内で処理および検査を実施すること
ができるため、検査の頻度を増加することができる。

【００７９】したがって、例えば異物測定データが異常
値（増加）を示した場合、直ちにチャンバをクリーニン
グサイクルにかけることができ、異物増加による歩留り
低下を防止することが可能になる。

【００８０】さらに、被処理物群間の処理状態のばらつ
きを低減することができ、また、処理状態の精度を向上
させることができるとともに、製造歩留りを高めること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である減圧ＣＶＤ装置を示す
概略平面図である。

【図２】その拡大部分正面断面図である。

【図３】本発明の実施例２である真空処理装置を示す概
略平面図である。

【図４】本発明の実施例３である真空処理装置を示す概
略平面図である。

【符合の説明】

１…ウエハ（被処理物）、２…ロードロック室、３Ａ、
３Ｂ…搬送室、４Ａ…前処理室、４Ｂ…第１成膜処理
室、４Ｃ…第２成膜処理室、５Ａ…第１検査室、５Ｂ…
第２検査室、６、７、８、９、１０、１１、１２…ゲ−
トバルブ、１３…出入り口、１４…制御弁、１５…真空
ポンプ、１６…制御弁、１７…スロー排気路、１８、１
８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ、１８Ｄ、１８Ｅ…真空排気路、
１９、１９Ａ、１９Ｂ、１９Ｃ、１９Ｄ、１９Ｅ…ガス
導入路、２０…加熱装置、２１Ａ、２１Ｂ…ロボット
（搬送装置）、２２Ａ、２２Ｂ…保持ヘッド、２３Ａ、
２３Ｂ…減圧ＣＶＤ装置（処理装置）、２４Ａ…異物検
査装置（第１検査装置）、２４Ｂ…膜厚検査装置（第２
検査装置）。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大川 章 群馬県高崎市西横手町111番地 株式会社 日立製作所高崎工場内 (72)発明者 小林 秀 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 真空室で被処理物について所定の処理が
   施される真空処理装置において、 気密室に形成されているとともに、被処理物が搬入搬出
   され、真空排気されるロードロック室と、 気密室に形成され、前記ロードロック室に隣合わせに配
   されて連通されているとともに、ゲートバルブによって
   ロードロック室への連通を開閉されるように構成されて
   いる搬送室と、 気密室に形成されているとともに、真空排気され、前記
   搬送室に隣合わせに配されて連通され、かつ、ゲートバ
   ルブによってその搬送室への連通を開閉されるようにさ
   れている処理室と、 気密室に形成されているとともに、真空排気され、前記
   搬送室に前記処理室と別の位置で隣合わせに配されて連
   通され、かつ、ゲートバルブによってその搬送室への連
   通を開閉されるようにされている検査室と、 前記搬送室に設備されており、前記ロードロック室、処
   理室および検査室との間で前記被処理物を受け渡す受け
   渡し手段とを備えていることを特徴とする真空処理装
   置。
2. 【請求項２】 前記搬送室が複数連設されており、各搬
   送室相互が連通されているとともに、各搬送室に前記処
   理室および前記検査室がそれぞれ連設されていることを
   特徴とする請求項１に記載の真空処理装置。
3. 【請求項３】 前記搬送室に複数の処理室および複数の
   検査室が連設されていることを特徴とする請求項１に記
   載の真空処理装置。