JPH0382125A

JPH0382125A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH0382125A
Application number: JP21889589A
Authority: JP
Inventors: Makoto Nakamura; 誠中村
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1989-08-25
Filing date: 1989-08-25
Publication date: 1991-04-08
Anticipated expiration: 2013-09-10
Also published as: JP2795691B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
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Description

【発明の詳細な説明】〔目　次〕概要産業上の利用分野従来の技術（第５図、第６図）発明が解決しようとする課題課題を解決するための手段作用実施例 ■第１の発明の実施例（第１図。

■第２の発明の実施例（第３図） ■第３の発明の実施例（第４図）発明の効果第２図）〔概　要〕半導体製造装置に関し、更に詳しく言えば加熱処理によ
り半導体基板上に薄膜を形成する加熱装置に関し、含有不純物や欠陥の少ない、膜質の良い薄膜を形成する
ことができる加熱装置を提供することを目的とし、第１の減圧室と、前記第１の減圧室内に設けられ、前記
第１の減圧室とは圧力が独立に制御される第２の減圧室
と、前記第２の減圧室を加熱する手段と、前記第１およ
び第２の減圧室内にそれぞれ別々にガスを導入する第１
及び第２のガス導入口と、前記第１および第２の減圧室
内をそれぞれ別々に排気する第１及び第２の排気口とを
含み構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、半導体製造装置に関し、更に詳しく言えば加
熱処理により半導体基板上にｆＨ！５１を形成する加熱
装置に関する。

近年、半導体装置の高密度化にともなう比例縮小則に従
い、ゲート酸化膜の膜厚も非常に薄くなってきている。

このため、膜厚を精度良く制御してゲート酸化膜を形成
できる加熱装置が要望されている。

〔従来の技術〕

従来、加熱炉の炉心管にＳｉ基板を入れて酸素ガスを流
し、Ｓｉ基板を加熱してＳｉ基板表面にＳｉＯ□膜を形
成しているが、酸素ガスの量を微量に制御出来ないため
ゲート酸化膜など薄い膜厚の酸化膜の形成には不適当で
ある。このため、減圧雰囲気中で酸素の量を微量に制御
して酸化膜厚を調整することが行われている。この場合
、精度向上のためには炉心管内部を高真空雰囲気に減圧
して加熱するため、炉心管に石英を用いると石英が熱の
ため変形してしまうという不都合がある。

このため、内部を減圧しても変形しにくいステンレス製
の減圧処理室を用いている。

第５図は、従来例のＳｉ基板に薄い膜厚の酸化膜を形成
するための加熱装置の構成国である。

同図において、１はステンレスからなる減圧処理室、２
は減圧処理室ｌ内へのガス導入口、３は減圧処理室１内
の排気口、４はウェハ７の加熱用のヒータ、５は石英か
らなる載置台である。

次に、この装置を用いてＳｔ基ｖｉ、（ウェハ）上に薄
いゲート酸化膜を形成する場合について第６図（ａ）〜
（ｅ）及び第５図を参照しながら説明する。

第６図（ａ）は、酸化前のウェハの断面図で、図中符号
８はＳｉ基板（ウェハ）、９は素子分離のためのフィー
ルド酸化膜、１０は自然酸化膜である。

まず、第５図に示すように、このウェハ７を石英からな
るウェハ保持具６に積載してｓｉＷ台５の上に載置する
。続いて、排気口３より減圧処理室１内を超高真空まで
排気して室内が所定の圧力に達した後、ヒータによりウ
ェハ７を加熱する。そして、温度が約１０００℃になっ
たらそのまま保持する。

次に、ガス導入口２から水素ガスを導入する。

その結果、水素ガスは自然酸化１１１１０と反応して自
然酸化膜１０は除去される。

続いて、水素ガスを止め、微量の酸素ガス、または不活
性ガスで希釈した酸素ガスをガス導入口２から減圧処理
室１内に導入する。所定時間の加熱の後、Ｓｔ基板８上
には約１００人のゲート酸化膜１１が形成される（同図
（ｂ））。

次に、ゲート酸化膜１１の上にポリシリコン膜１２を形
成した（同図（Ｃ））後、これをバターニングしてゲー
ト電極１２ａを形成する（同図（ｄ））。

その後、同図（ｅ）に示すように、通常の工程を経て半
導体装置が完成する。なお、同図（ｅ）において、１３
ａ＆び１３ｂはｎ−型のＳ　／　Ｄ　１Ｍ域、１４ａ及
び１４ｂはｎＩ型のＳ　／　Ｄ　ｆｉＪＩ域、１５はＳ
ｉ０ｇ膜、１６ａ及び１６ｂはポリシリコンからなるＳ
／Ｄ引出し電極、１７ａ及び１７ｂはＳ／Ｄ配線電極で
ある。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、減圧処理室１のステンレスが加熱されると、
ステンレスの表面に付着している水分その他のガスやス
テンレス内部に含まれる金属粒子などのガスが発生する
。そして、これら不純物のガス粒子はＳｉ基板８の表面
に付着し、形成されるゲート酸化膜１１には、これらの
ガス粒子が含有されたり、これらのガス粒子に起因する
欠陥などが生じたりする。このため、特性が変動したり
、ゲート酸化膜１１の絶縁破壊電圧が低下したりすると
いう問題がある。

本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので
、含有不純物や欠陥の少ない、膜質の良い薄膜を形成す
ることができる加熱装置を提供することを目的とするも
のである。

〔課題を解決するための手段〕

上記課題は、第１に、第１の減圧室と、前記第１の減圧
室内に設けられ、前記第１の減圧室とは圧力が独立に制
御される第２の減圧室と、前記第２の減圧室を加熱する
手段と、前記第１および第２の減圧室内にそれぞれ別々
にガスを導入する第１及び第２のガス導入口と、前記第
１および第２の減圧室内をそれぞれ別々に排気する第１
及び第２の排気口とを有することを特徴とする半導体製
造装置によって解決され、第２に、第１の減圧室と、前記第１の減圧室内の第２の
減圧室と、前記第２の減圧室を加熱する手段と、前記第
１および第２の減圧室内にそれぞれ別々にガスを導入す
る第１及び第２のガス導入口と、前記第１および第２の
減圧室内をそれぞれ別々に排気する第１及び第２の排気
口と、前記第２の減圧室にバルブを介して接続され、独
立に減圧可能なロードロック室とを有することを特徴と
する半導体製造装置によって解決され、第３に、第１又
は第２の発明の半導体製造装置の第１の減圧室の第１の
ガス導入口及び第１の排気口をそれぞれ開閉する第１及
び第２のバルブと、第１又は第２の発明の半導体製造装
置の第２の減圧室の第２のガス導入口及び第２の排気口
をそれぞれ開閉する第３及び第４のバルブと、前記第１
の減圧室内の圧力を測定する第１の測定手段と、前記第
２の減圧室内の圧力を測定する第２の測定手段と、前記
第１及び第２の測定手段により測定される圧力を監視し
て第１．第２．第３及び第４のバルブを調整し、前記第
１および第２の減圧室内の圧力をそれぞれ所定の圧力に
保持する手段とを有することを特徴とする半導体製造装
置によって解決される。

〔作　用〕

第１の発明の半導体製造装置においては、第１の減圧室
とその内部に第２の減圧室とを有し、それぞれ独立に減
圧可能になっている。

このため、第２の減圧室内外の圧力差を必要最小限に小
さく出来る。これにより、第２の減圧室として金属粒子
などの不純物粒子の発生の少ない石英管を用いて加熱処
理を行う場合でも、圧力差による石英管の変形を防止す
ることが出来る。

また、第１および第２の減圧室には別々に第１及び第２
の排気口と第１及び第２のガス導入口とを備えているの
で、個々独立に第１および第２の減圧室内の圧力を調整
できる。このため、第２の減圧室内の圧力を常に第１の
減圧室内の圧力よりも大きくすることが出来る。従って
、第２の減圧室の外部の第１の減圧室の壁やヒータから
発生する金属などの不純物粒子が圧力差により第２の減
圧室の壁を通過して第２の減圧室内にしみ出すのを防止
することが出来る。

また、第２の発明の半導体製造装置においては、第２の
減圧室にバルブを介して接続され、独立に減圧可能なロ
ードロック室を有している。

従って、ロードロツタ室を減圧することにより、第２の
減圧室を減圧したままの状態でロードロック室と第２の
減圧室との間の室内圧力の釣合いをとることができるの
で、第２の減圧室内を減圧状態に保持したままウェハの
出し入れを行うことができる。このため、従来、第２の
減圧室内を大気圧にするため導入しているガスに含まれ
る金属や水分などの不純物粒子により第２の減圧室内が
汚染されるのを防止することができる。

更に、第３の発明の半導体製造装置によれば、第２の減
圧室内で被処理物を加熱処理中、反応ガスを導入したり
止めたりする際変化する室内圧力を監視し、この圧力の
変化に追随してガス導入口や排気口に備えられた各バル
ブの開閉度を制御手段により調整することにより、自動
的に第２の減圧室内の圧力を第１の減圧室内の圧力より
も必要な圧力だけ常に大きくなるようにすることができ
る。

これにより、更に確実に第１の減圧室やヒータから発生
する不純物粒子が第２の減圧室の壁を通過して第２の減
圧室内にしみ出すのを防止することができ、かつ第２の
減圧室として石英管を用いて加熱処理を行う場合、石英
管内外の圧力差による石英管の変形を更に確実に防止す
ることが出来る。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例について図を参照しながら具体的
に説明する。

■第１の発明の実施例第１図は、第１の発明の実施例の半導体基板に薄い酸化
膜を形成するための加熱装置の構成国である。

同図において、１８はステンレスからなる減圧室（第１
の減圧室）、１９は減圧室１８内への第１のガス導入口
、２０は減圧室１８内の第１の排気口、２１は減圧室１
８内の石英からなる減圧処理室（第２の減圧室）、２２
は減圧処理室２１内への第２のガス導入口、２３は減圧
処理室２１内の第２の排気口、２４は減圧処理室２１内
を減圧状態に保つためのバルブ、２５はウェハ出入口、
２６はウェハ２８の加熱用のヒータである。

次に、この装置を用いてＳｔ基板上に薄いゲート酸化膜
を形成する場合について第１図及び第２図（ａ）〜（ｅ
）を参照しながら説明する。

第２図（ａ）は、ゲート酸化膜形成前のウェハの断面図
で、図中符号４７はＳｔ基板、４８は素子分離のための
フィールド酸化膜、４９は自然酸化膜である。

まず、第１図に示すように、このウェハ２８をウェハ保
持具２７に載置し、バルブ２４を開けて予め大気圧にさ
れている減圧処理室２１内に導入する。その後、バルブ
２４を閉める。

続いて、第１及び第２の排気口２０及び２３より別々に
減圧室１８内及び減圧処理室２１内を排気する。そして
、減圧室１８内及び減圧処理室２１内の圧力がそれぞれ
Ｉ　Ｘ１ｌｌ’〜Ｉ　Ｘｌ０−”Ｔｏｒｒ／ｌＸｌ０−
”〜Ｉ　Ｘ　１０−”Ｔｏｒｒになるように排気量を８
Ｐ１節する。目標の圧力に達した後、ヒータ２６により
ウェハ２８を加熱する。そして、温度が約１０００°Ｃ
になったらそのまま保持する。

次に、第２のガス導入口２２から水素ガスを導入する。

その結果、水素ガスは自然酸化膜４９と反応して自然酸
化膜４９は除去される。このとき、同時に第１のガス導
入口１９からも窒素ガスを導入して圧力差がほぼｌＸｌ
０−”〜Ｉ　Ｘｌ０−’Ｔｏｒｒになるように一定に保
つ。

続いて、水素ガスを止め、微量の酸素ガス、または不活
性ガスを希釈した酸素ガスを第２のガス導入口２２から
減圧処理室２１内に導入する。このとき、同時に第１の
ガス導入口１９から窒素ガスを導入して圧力差がほぼＩ
　Ｘｌ０−”〜ｌＸｌ０−’Ｔｏｒｒになるように一定
に保つ、そして、所定時間の加熱の後Ｓｉ基板４７上に
は約１００人のゲート酸化膜５０が形成される（第２図
（ｂ））。

この場合、酸素の量を微量に調整することができ、自然
酸化膜を無くすことができるので、薄い膜厚のゲート酸
化膜の形成制御を容易に行える。

また、減圧処理室２１内の圧力を減圧室１８内の圧力よ
りも常に大きくしているので、ステンレスからなる減圧
室１８の壁やヒータから発生する金属などの不純物粒子
が圧力差によって減圧処理室・２１の壁を通過してしみ
出すのを防止することができる。従って、このようにし
て作成されたゲート酸化膜５０は不純物粒子の含有量が
少なく、かつ欠陥の少ない良質な膜となる。

次に、ゲート酸化膜５０の上にポリシリコン膜５１を形
成した（第２図（Ｃ））後、これをバターニングしてゲ
ート電極５１ａを形成する（第２図（ｄ））。

その後、第２図（ｅ）に示すように、通常の工程を経て
半導体装置が完成する。なお、同図（ｅ）において、５
２ａ及び５２ｂはｎ−型のＳ　／　Ｄ　ｆｌＪＩ域、５
３ａ及び５３ｂはｎ９型のＳ　／　Ｄ　９Ｍ域、５４は
５ｉＯ１膜、５５ａ及び５５ｂはポリシリコンからなる
Ｓ／Ｄ引出し電極、５６ａ及び５６ｂはＳ／Ｄ配線電極
である。

以上のように、第１の発明の実施例の加熱装置によれば
、減圧処理室２１内の圧力を減圧室１８内の圧力よりも
大きく、かつその圧力差を必要最小限に小さく保つこと
が出来るので、圧力差と熱による減圧処理室２１として
の石英管の変形を防止でき、かつ第２図（ｂ）に示すよ
うに、良質な薄い膜厚のゲート酸化膜５０を形成できる
。これにより、高いゲート絶縁耐圧を有するトランジス
タを得ることができ、トランジスタの歩留りの向上に寄
与する。

■第２の発明の実施例第３図は、第２の発明の実施例で、減圧処理室の入口及
び出口にバルブを介してロードロック室を設けることに
より、ウェハの出し入れの際、減圧処理室を減圧状態に
保持したままでもロードロック室を減圧して減圧処理室
内の圧力と釣合いをとることで、減圧処理室内を常に減
圧状態に保持しておくことが出来るようにしたものであ
る。

同図において、５７はステンレスからなる減圧室（第１
の減圧室）、５８は減圧室５７内への第１のガス導入口
、５９は減圧室５７内の第１の排気口、６０は石英から
なる減圧処理室（第２の減圧室）、６１は減圧処理室６
０内への第２のガス導入口、６２は減圧処理室６０内の
第２の排気口、６３は減圧処理室６０内を減圧状態に保
持しておくための人口側ロードロック室６６との間を仕
切るバルブ、６４は入口側ロードロック室６６へのガス
導入口、６５は人口側ロードロック室６６の排気口、６
７は入口側ロードロック室６６を密閉するためのバルブ
である。

また、６８は減圧処理室６０内を減圧状態に保持してお
くための出口側ロードロック室７１との間を仕切るバル
ブ、６９は出口側ロードロツタ室７１へのガス導入口、
７０は出口側ロードロック室７１の排気口、７２は出口
側ロードロック室７１を密閉するためのバルブ、７３は
加熱用のヒータである。

次に、この加熱装置を用いて、例えばＳｉ基板上にゲー
ト酸化膜を形成する場合について第３図を参照しながら
説明する。

まず、予め大気圧にされている入口側ロードロック室６
６のバルブ６７を開けた後、ウェハを人口側ロードロッ
ク室６６に入れる。

次に、排気口６５により人口側ロードロック室６６内を
排気する。そして、入口側ロードロック室６６内の圧力
が予め減圧されている減圧処理室６０内の圧力にほぼ等
しくなってから、バルブ６３を開けてウェハを減圧処理
室６０内に搬入する。

続いて、バルブ６３を閉めた後、第２のガス導入口６１
からまず水素ガスを導入し、Ｓｉ基板上の自然酸化膜と
反応させて自然酸化膜を除去する。

次いで、水素ガスを止めた後、微量の酸素を導入して加
熱処理をし、Ｓｉ基板上に薄い膜厚のゲート酸化膜を形
成する。このとき、窒素ガスを第１のガス導入口５日か
ら減圧室５７内に導入し、減圧処理室６０の圧力が減圧
室５７の圧力よりも約１×１０４〜Ｉ　Ｘ　１０−’Ｔ
ｏｒｒだけ大きくなるように澗整する。これにより、減
圧処理・室６０としての石英管内外の圧力差と熱とによ
る石英管の変形を防止するとともにステンレスからなる
減圧室５７の壁やヒータ７３から発生する不純物粒子が
圧力差により石英管の壁を通過して石英管内にしみだす
のを防止することができる。

次に、所定時間加熱処理をおこなった後、酸素ガスの導
入を停止する。その後、バルブ６８を開けて、ウェハを
減圧処理室６０から予め減圧されている出口側ロードロ
ック室７１に搬出する。

次に、バルブ６８を閉めた後、ガス導入口６９から窒素
ガスを出口側ロードロック室７１に導入して室内を大気
圧にする。このとき、減圧処理室６０内は減圧状態に保
たれたままとなっており、従来ウェハの出し入れの際大
気圧にするため導入しているガスを減圧処理室６０内に
導入する必要がない、このため、このガス中に含まれる
金属や水分などの不純物粒子による減圧処理室６′ｏ内
の汚染を防止でき、減圧処理室６０内を常に清浄に保つ
ことが出来る。これにより、減圧処理室６０内でＳｉ基
板上にゲート酸化膜を形成する場合、更に膜質のよいゲ
ート酸化膜を形成することが出来る。

その後、バルブ７２を開けてウェハを取り出す。

なお、上記の実施例ではロードロック室６６゜７１を入
口側及び出口側に２つ設けてウェハの入口と出口とを別
々にした場合について第２の発明の半導体製造装置を適
用したが、ロードロック室を１つだけ設けてウェハの出
し入れを−か所で行うようにする場合にも適用できる。

■第３の発明の実施例第４図は第３の発明の実施例の加熱装置の構成国である
。

第３の発明の加熱装置の特徴は、第１又は第２の発明の
加熱装置の減圧室内及び減圧処理室内の圧力を監視し、
自動的に圧力を調整するための制御手段としての制御装
置を設けて、減圧室内及び減圧処理室内の圧力差を必要
最小限に小さく、かつ常に一定に保つことができるよう
にしたことである。

同図において、２９はステンレスからなる減圧室（第１
の減圧室）、３０は減圧室２９内への第１のガス導入口
、３１は第１のガス導入口３０を開閉するための第１の
バルブ、３２は減圧室２９内の第１の排気口、３３は第
１の排気口３２を開閉するための第２のバルブ、３４は
減圧室２９内の圧力計である。

また、３５は石英からなる減圧処理室（第２の減圧室）
、３６は減圧処理室３５内への第２のガス導入口、３７
は第２のガス導入口３６を開閉するための第３のバルブ
、３８は減圧処理室３５内の第２の排気口、３９は第２
の排気口３８を開閉するための第４のバルブ、４０は減
圧処理室３５の減圧状態を保持するためのバルブ、４１
はウェハ出入口、４２は減圧処理室３５内の圧力計、４
３は減圧処理室３５内のウェハを加熱するためのヒータ
である。

更に、４４は減圧室２９内及び減圧処理室３５内の圧力
の制御手段としての制御装置で、圧力計３４．４２によ
りそれぞれ減圧室２９内、減圧処理室３５内の圧力を監
視し、減圧処理室３５内の圧力が減圧室２９内の圧力よ
りも常にほぼ１×１０−２〜１×１０引Ｔｏｒｒだけ大
きくなるように第１゜第２．第３及び第４のバルブの開
閉度を調整する。

このような加熱装置によれば、第１又は第２の発明の詳
細な説明した減圧室２９内及び減圧処理室３５内の圧力
調整を自動的に行うことができるので、第１又は第２の
発明の作用効果を更に確実に達成できる。

〔発明の効果〕

以上のように、第１の発明の半導体製造装置によれば、
第２の減圧室内外の圧力差を必要最小限に小さく出来る
ので、第２の減圧室として石英管を用いて加熱処理を行
う場合でも、圧力差による石英管の変形を防止すること
が出来る。

しかも、第２の減圧室内の圧力を常に第１の減圧室内の
圧力よりも大きくすることが出来るので、ステンレスか
らなる第１の減圧室やヒータから発生する金属などの不
純物粒子が圧力差により第２の減圧室の壁を通過して第
２の減圧室内に混入するのを防止することができる。

このため、加熱処理により第２の減圧室内の半導体基板
上に薄膜を形成する場合、形成される薄膜中の含有不純
物や欠陥の少ない薄膜を形成することができる。

これにより、この装置を用いてトランジスタのゲート酸
化膜を形成した場合、ｍｉのよいゲート酸化膜を形成で
きるので、高いゲート絶縁耐圧を得ることができ、歩留
りの向上を図ることが出来る。

また、第２の発明の半導体製造装置によれば、ウェハの
出し入れの際、第２の減圧室を常に減圧状態に保持でき
るので、従来ウェハの出し入れの際大気圧にするため導
入しているガスを第２の減圧室内に導入する必要がない
。

このため、このガス中に含まれる金属や水分などの不純
物粒子による汚染を防止でき、第２の減圧室内を常に清
浄に保つことが出来る。

従って、この装置を用いてトランジスタのゲート酸化膜
を形成した場合、上に述べた第１の発明の半導体製造装
置の効果も加わり、更に膜質のよいゲート酸化膜を形成
できるので、半導体装置の歩留りを更に向上させること
が出来る。

また、第３の発明の半導体製造装置によれば、第１又は
第２の発明の半導体製造装置の第１の減圧室内及び第２
の減圧室内の圧力調整を自動的に行えるので、石英管か
らなる第２の減圧室の変形も更に確実に防止することが
出来、また、更に確実に第１の減圧室やヒータから発生
する不純物粒子が第２の減圧室の壁を通過して第２の減
圧室内にしみださないようにすることができる。これに
より、更に膜質のよい薄膜を形成でき、従って半導体装
置の歩留りを更に向上させることが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、第１の発明の実施例の加熱装置の構成図、第２図は、第１の発明の実施例の加熱装置を用いた絶縁
ゲート型電界効果トランジスタの作成方法を説明する断
面図、第３図は、第２の発明の実施例の加熱装置の構成図、第４図は、第３の発明の実施例の加熱装置の構成図、第５図は、従来例の加熱装置の構成図、第６図は、従来
例の加熱装置を用いた絶縁ゲート型電界効果トランジス
タの作成方法を説明する断面図である。〔符号の説明〕ｌ・・・減圧処理室、２．６４．６９・・・ガス導入口、３．６５．７０・・・排気口、４．２６．４３．７３・・・ヒータ、５・・・載置台、６．２７・・・ウェハ保持具、７２８・・・ウェハ、８．４７・・・Ｓｉ基板、９．４８・・・フィールド酸化膜、１０．４９・・・自然酸化膜、１１．５０・・・ゲート酸化膜、１２．５１・・・ポリシリコン膜、１２ａ、５１ａ・・・ゲート電極、１３ａ、１３ｂ、１４ａ、１４ｂ、５２ａ、５２ｂ　　
５３ａ、５３ｂ・・・Ｓ／Ｄ領域、１５．５４・・・５ｉＯＪ！、１６ａ、１６ｂ、５５ａ、５５ｂ・Ｓ／Ｄ引出し電極、
１７ａ、１７ｂ、５６ａ、５６ｂ・Ｓ／Ｄ配線電極、１
８．２９．５７・・・減圧室（第１の減圧室）、１９．
３０．５８・・・第１のガス導入口、２０．３２．５９
・・・第１の排気口、２１．３５．６０・・・減圧処理
室（第２の減圧室）、２２．３６．６１・・・第２のガ
ス導入口、２３．３８．６２・・・第２の排気口、２４
．４０，６３，６７．６８．７２・・・バルブ、２５．
４１・・・ウェハ出入口、３１・・・第１のバルブ、３３・・・第２のバルブ、３４．４２・・・圧力計、３７・・・第３のバルブ、３９・・・第４のバルブ、４４・・・制御装置、６６・・・人口側ロードロツタ室、７１・・・出口側ロードロツタ室。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）第１の減圧室と、前記第１の減圧室内に設けられ、前記第１の減圧室とは
圧力が独立に制御される第２の減圧室と、前記第２の減
圧室を加熱する手段と、前記第１および第２の減圧室内にそれぞれ別々にガスを
導入する第１及び第２のガス導入口と、前記第１および
第２の減圧室内をそれぞれ別々に排気する第１及び第２
の排気口とを有することを特徴とする半導体製造装置。
（２）第１の減圧室と、前記第１の減圧室内の第２の減圧室と、前記第２の減圧室を加熱する手段と、前記第１および第２の減圧室内にそれぞれ別々にガスを
導入する第１及び第２のガス導入口と、前記第１および
第２の減圧室内をそれぞれ別々に排気する第１及び第２
の排気口と、前記第２の減圧室にバルブを介して接続され、独立に減
圧可能なロードロック室とを有することを特徴とする半
導体製造装置。
（３）請求項１又は請求項２記載の第１の減圧室の第１
のガス導入口及び第１の排気口をそれぞれ開閉する第１
及び第２のバルブと、請求項１又は請求項２記載の第２の減圧室の第２のガス
導入口及び第２の排気口をそれぞれ開閉する第３及び第
４のバルブと、前記第１の減圧室内の圧力を測定する第１の測定手段と
、前記第２の減圧室内の圧力を測定する第２の測定手段と
、前記第１及び第２の測定手段により測定される圧力を監
視して第１、第２、第３及び第４のバルブを調整し、前
記第１および第２の減圧室内の圧力をそれぞれ所定の圧
力に保持する手段とを有することを特徴とする半導体製
造装置。