JPS62190832A - 減圧気相成長装置 - Google Patents
減圧気相成長装置Info
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- JPS62190832A JPS62190832A JP3453086A JP3453086A JPS62190832A JP S62190832 A JPS62190832 A JP S62190832A JP 3453086 A JP3453086 A JP 3453086A JP 3453086 A JP3453086 A JP 3453086A JP S62190832 A JPS62190832 A JP S62190832A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、安全に高品質で均一な半導体結晶成長層を得
ることができる減圧気相成長装置に関°するものである
。
ることができる減圧気相成長装置に関°するものである
。
従来の技術
半導体装置を製作する上で必要な半導体結晶のエピタキ
シャル成長法として、原料ガスの熱分解を利用した気相
成長法がある。例えばモノシラン（Ｓｉｎ４）を用いた
シリコン（Ｓｉ）の気相成長や、有機金属（アルキル化
物）を用いて化合物半導体結晶を成長する有機金属気相
成長法（ＭＯＣＶＤ法）などである。これらの気相成長
装置においては一般に基板を成長温度に加熱し、原料ガ
スを基板表面上で熱分解させて結晶を成長させる。たと
えばｍ−ｖ族化合物半導体であるＧａＡｇやＩｎＰ等を
ＭＯＣＶＤ法でエピタキシャル成長する場合、第６図に
示すような横型の円筒形の反応管１を有するＭＯＣＶＤ
装置が用いられた。すなわち、■族元素（ＧａやＩｎ）
の原料ガスである■族元素の有機金属（アルキル化物；
例ニトリエチルガリウム（Ｃ２Ｈ６）３Ｇａ やトリエ
チルガリウム等）の蒸気ガスは流量制御され導入管１３
から供給される。一方、■族元素の水素化物ガス（例：
ＰＨ３やＡｓＨ３）は、流量制御されて導入管１６から
供給される。基板５は高周波コイル３により誘導加熱さ
れたサセプター４上に設置され、成長温度にまで加熱さ
れている。供給された原料ガスは、加熱された基板Ｓ上
で熱分解反応し、結晶がエピタキシャル成長する。排気
ガスは排気管１８から排気される。更に結晶性の向上、
オートドーピングの軽減、薄膜制御の向上の点から反応
管１内を大気圧以下（通常０．１ 気圧付近もしくは
それ以下）に減圧して成長を行なう方法が用いられてい
る。またＩｎＰ系化合物半導体を結晶成長する際、原料
ガスであるトリエチルインジウムとＰＨ３とが混合時に
低温で反応して不揮発性物質を形成し結晶成長を阻害す
るという問題を防止するためにも、減圧成長法が用いら
れている。
シャル成長法として、原料ガスの熱分解を利用した気相
成長法がある。例えばモノシラン（Ｓｉｎ４）を用いた
シリコン（Ｓｉ）の気相成長や、有機金属（アルキル化
物）を用いて化合物半導体結晶を成長する有機金属気相
成長法（ＭＯＣＶＤ法）などである。これらの気相成長
装置においては一般に基板を成長温度に加熱し、原料ガ
スを基板表面上で熱分解させて結晶を成長させる。たと
えばｍ−ｖ族化合物半導体であるＧａＡｇやＩｎＰ等を
ＭＯＣＶＤ法でエピタキシャル成長する場合、第６図に
示すような横型の円筒形の反応管１を有するＭＯＣＶＤ
装置が用いられた。すなわち、■族元素（ＧａやＩｎ）
の原料ガスである■族元素の有機金属（アルキル化物；
例ニトリエチルガリウム（Ｃ２Ｈ６）３Ｇａ やトリエ
チルガリウム等）の蒸気ガスは流量制御され導入管１３
から供給される。一方、■族元素の水素化物ガス（例：
ＰＨ３やＡｓＨ３）は、流量制御されて導入管１６から
供給される。基板５は高周波コイル３により誘導加熱さ
れたサセプター４上に設置され、成長温度にまで加熱さ
れている。供給された原料ガスは、加熱された基板Ｓ上
で熱分解反応し、結晶がエピタキシャル成長する。排気
ガスは排気管１８から排気される。更に結晶性の向上、
オートドーピングの軽減、薄膜制御の向上の点から反応
管１内を大気圧以下（通常０．１ 気圧付近もしくは
それ以下）に減圧して成長を行なう方法が用いられてい
る。またＩｎＰ系化合物半導体を結晶成長する際、原料
ガスであるトリエチルインジウムとＰＨ３とが混合時に
低温で反応して不揮発性物質を形成し結晶成長を阻害す
るという問題を防止するためにも、減圧成長法が用いら
れている。
一方、広範囲に均一エピタキシャル成長を行うためには
原料ガスが基板上を均一に流れることが必要である。し
たがって高温に加熱されている基板による原料ガスの対
流の発生を抑制するため、更に基板表面と基板上の反応
管の内壁との空間の間隔を一定にすることで、基板表面
上を原料ガスが均一に流れるようにするため、第６図に
示すような四角柱の形状をした反応管６ｏが用いられる
。
原料ガスが基板上を均一に流れることが必要である。し
たがって高温に加熱されている基板による原料ガスの対
流の発生を抑制するため、更に基板表面と基板上の反応
管の内壁との空間の間隔を一定にすることで、基板表面
上を原料ガスが均一に流れるようにするため、第６図に
示すような四角柱の形状をした反応管６ｏが用いられる
。
′すなわち、基板表面とその上部の反応管内壁との間隔
が一定で狭くなった四角柱の形状をした反応管である。
が一定で狭くなった四角柱の形状をした反応管である。
反応管をこのような四角柱の形状にし、基板表面上の空
間を狭くすることで、原料ガスの対流を抑制することが
でき、また基板表面上の空間が一定であるため、原料ガ
スの流速も一定であり均一なガス流が得られる。なお第
６図の各名称は、反応管６ｏの形状が円筒形でないだけ
で、他の部分は第Ｓ図と同一名称であるので、同一名称
には同一番号を添付した。
間を狭くすることで、原料ガスの対流を抑制することが
でき、また基板表面上の空間が一定であるため、原料ガ
スの流速も一定であり均一なガス流が得られる。なお第
６図の各名称は、反応管６ｏの形状が円筒形でないだけ
で、他の部分は第Ｓ図と同一名称であるので、同一名称
には同一番号を添付した。
発明が解決しようとする問題点
ところが反応管内を大気圧以下に減圧して結晶成長する
場合、反応管内の圧力は通常０．１ 気圧程度、もしく
はそれ以下に減圧するため、第６図に示されるような四
角柱の反応管６ｏでは、大気圧が反応管全体に均一に加
わらず、一部分に集中し、壊れる危険性が大きい。結晶
成長時に用いるキャリアガスは一般にＨ２である。また
、原料ガスも、シリコン（ＳＬ） の気相成長の場合の
モノシラン（ＳｉＨ４）や、化合物半導体のＭＯＣＶＤ
成長の場合の有機金属（例えばトリエチルガリウム、ト
リエチルリン等）は、空気に触れると自然発火する。更
にＭＯＣＶＤ成長では■族元素の原料ガスは主としてＶ
族元素の水素化物（例、ホスフィン（ＰＨ３）、アルシ
ン（ＡｓＨｓ ）等）であり、これらの大部分は毒性ガ
スとして知られている。したがって反応管が壊れ、ガス
が反応管外部に流出することは、たいへん危険である。
場合、反応管内の圧力は通常０．１ 気圧程度、もしく
はそれ以下に減圧するため、第６図に示されるような四
角柱の反応管６ｏでは、大気圧が反応管全体に均一に加
わらず、一部分に集中し、壊れる危険性が大きい。結晶
成長時に用いるキャリアガスは一般にＨ２である。また
、原料ガスも、シリコン（ＳＬ） の気相成長の場合の
モノシラン（ＳｉＨ４）や、化合物半導体のＭＯＣＶＤ
成長の場合の有機金属（例えばトリエチルガリウム、ト
リエチルリン等）は、空気に触れると自然発火する。更
にＭＯＣＶＤ成長では■族元素の原料ガスは主としてＶ
族元素の水素化物（例、ホスフィン（ＰＨ３）、アルシ
ン（ＡｓＨｓ ）等）であり、これらの大部分は毒性ガ
スとして知られている。したがって反応管が壊れ、ガス
が反応管外部に流出することは、たいへん危険である。
一方、第５図に示すような円筒形の反応管１では、気圧
は反応管全体に均一に加わるため、減圧成長に適した反
応管の形状である。しかしながら円筒形の反応管では、
基板の幅以上を直径とする円筒形となり、基板表面と反
応管内壁との間隔が拡がって、基板表面上の空間が大き
くなってしまう。そのため加熱されている基板により、
原料ガスが基板表面上で熱対流を生じ、原料ガスの均一
な流れを乱すこととなる。したがって基板上に均一で高
品質なエピタキシャル成長ができなくなってしまう。
は反応管全体に均一に加わるため、減圧成長に適した反
応管の形状である。しかしながら円筒形の反応管では、
基板の幅以上を直径とする円筒形となり、基板表面と反
応管内壁との間隔が拡がって、基板表面上の空間が大き
くなってしまう。そのため加熱されている基板により、
原料ガスが基板表面上で熱対流を生じ、原料ガスの均一
な流れを乱すこととなる。したがって基板上に均一で高
品質なエピタキシャル成長ができなくなってしまう。
本発明はかかる点を鑑みてなされたもので、安全でかつ
均一で高品質なエピタキシャル成長が可能である減圧気
相成長装置を提供することを目的としている。
均一で高品質なエピタキシャル成長が可能である減圧気
相成長装置を提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段
前述の問題点を解決する本発明の技術的手段は、円筒形
の外側の反応管と、前記外側の反応管内に設置され、内
部に前記基板を載置する円筒形以外の形状でかつ内部の
圧力が前記外側の内部圧力と等しくなるよう少なくとも
前記基板の載置位置よりもガスの下流側で前記外側の反
応管内へ開口している形状を有する内側の反応管とを備
えるもの、もしくは円筒形の外側の反応管と、前記外側
の反応管内に設置され、内部に前記基板を載置する円筒
形以外の形状である内側の反応管と、前記外側の反応管
と前記内側の反応管の減圧排気を同一の減圧システムに
接続して行えるように前記外側の反応管の排気管と前記
内側の反応管の排気管とを途中で接続された配気管とを
備えているもの、もしくは円筒形の外側の反応管と、前
記外側の反応管内に設置され、内部に前記基板を載置す
る円筒・形以外の形状である内側の反応管とを備え、か
つ前記外側の反応管を減圧排気する第１の減圧システム
と前記内側の反応管を減圧排気する第２の減圧システム
と、前記外側の反応管内の圧力と前記内側の反応管内の
圧力を等しく保つ圧力調整システムとを備えているもの
である。
の外側の反応管と、前記外側の反応管内に設置され、内
部に前記基板を載置する円筒形以外の形状でかつ内部の
圧力が前記外側の内部圧力と等しくなるよう少なくとも
前記基板の載置位置よりもガスの下流側で前記外側の反
応管内へ開口している形状を有する内側の反応管とを備
えるもの、もしくは円筒形の外側の反応管と、前記外側
の反応管内に設置され、内部に前記基板を載置する円筒
形以外の形状である内側の反応管と、前記外側の反応管
と前記内側の反応管の減圧排気を同一の減圧システムに
接続して行えるように前記外側の反応管の排気管と前記
内側の反応管の排気管とを途中で接続された配気管とを
備えているもの、もしくは円筒形の外側の反応管と、前
記外側の反応管内に設置され、内部に前記基板を載置す
る円筒・形以外の形状である内側の反応管とを備え、か
つ前記外側の反応管を減圧排気する第１の減圧システム
と前記内側の反応管を減圧排気する第２の減圧システム
と、前記外側の反応管内の圧力と前記内側の反応管内の
圧力を等しく保つ圧力調整システムとを備えているもの
である。
作 用
この技術的手段による作用は次のようになる。
外側の反応管と内側の反応管の内部圧力は等しいため、
減圧気相成長時における大気圧に対しては外側の円筒形
の反応管で耐圧を行ない、内側の円筒形以外の形状例え
ば第６図のような四角柱の反応管で結晶成長を行うこと
によって、減圧気相成長が可能となり、かつ基板表面上
に生じるガスの熱対流の発生を抑え、ガス流が均一にな
るため、均一で高品質な結晶が得られる。
減圧気相成長時における大気圧に対しては外側の円筒形
の反応管で耐圧を行ない、内側の円筒形以外の形状例え
ば第６図のような四角柱の反応管で結晶成長を行うこと
によって、減圧気相成長が可能となり、かつ基板表面上
に生じるガスの熱対流の発生を抑え、ガス流が均一にな
るため、均一で高品質な結晶が得られる。
実施例
以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。
なお本実施例では、リン化インジウム（ＩｎＰ）のＭＯ
ＣＶＤ成長装置について示すが、この装置に限るもので
はなく、前述したように、モノシラン（Ｓ ｉＨ４）を
用いたシリコン（Ｓｉ）の気相成長や、他の化合物半導
体結晶のＭＯＣＶＤ成長等原料ガスの熱分解を利用し、
減圧で気相成長する装置であれば本発明を適用できる。
ＣＶＤ成長装置について示すが、この装置に限るもので
はなく、前述したように、モノシラン（Ｓ ｉＨ４）を
用いたシリコン（Ｓｉ）の気相成長や、他の化合物半導
体結晶のＭＯＣＶＤ成長等原料ガスの熱分解を利用し、
減圧で気相成長する装置であれば本発明を適用できる。
本発明の一実施例の反応管部の概略構造図を第１図に、
一実施例のＭＯＣＶＤ装置のガス系統概略図を第２図に
示す。第１図に示すように外側の反応管１は円筒形であ
り、内側の反応管２は四角柱の形状をしており、その内
部に高周波コイル３に誘導加熱されたカーボン族のサセ
プター４とともに、そのうえに置かれた基板６が載置さ
れている。
一実施例のＭＯＣＶＤ装置のガス系統概略図を第２図に
示す。第１図に示すように外側の反応管１は円筒形であ
り、内側の反応管２は四角柱の形状をしており、その内
部に高周波コイル３に誘導加熱されたカーボン族のサセ
プター４とともに、そのうえに置かれた基板６が載置さ
れている。
基板６の表面と内側の反応管２の内壁との間隔は５Ｎｎ
である。内側の反応管２のガス流の下流端６は外側の反
応管１の内部に開口しておシ、外側の反応管１と内側の
反応管２の内部の圧力が等しくなる。第２図に示すよう
なＭＯＣＶ Ｄ装置でＩｎＰを成長する場合、■族元素
のインジウム（Ｉａ）の原料ガスであるトリエチルイン
ジウム（（Ｃ２Ｈ，）３Ｉｎ ？ ）１０は、マスフロ
ー１１で流量制御されたキャリアガス（主としてＨ２）
１２でバブリングし、蒸気ガスとしてガス導入管１３を
通して内側の反応管２に供給される。一方、Ｖ族元素の
リン（Ｐ）の原料であるホスフィン（ＰＨ３）１４はマ
スフロー１６で流量制御され、ガス導入管１６で内側の
反応管２に供給される。各原料ガスの供給量は、トリエ
チルインジウムへのＨ２のバブリング量が３５０ＣＣ／
ｍｉｎ、ＰＨ３は１０ ＣＣ／ｍｉｎである。成長温度
６５０°Ｃに加熱された基板６の表面上で、供給された
原料ガスは熱分解反応によりＩｎＰエピタキシャル成長
をする。一方、外側の反応管１にもガス導入管１７から
、馬が供給される。これによって内側の反応管２に供給
された原料ガスが逆流して外側の反応管１へ流れること
を抑える。排ガスは、ガス排気管１８から排気される。
である。内側の反応管２のガス流の下流端６は外側の反
応管１の内部に開口しておシ、外側の反応管１と内側の
反応管２の内部の圧力が等しくなる。第２図に示すよう
なＭＯＣＶ Ｄ装置でＩｎＰを成長する場合、■族元素
のインジウム（Ｉａ）の原料ガスであるトリエチルイン
ジウム（（Ｃ２Ｈ，）３Ｉｎ ？ ）１０は、マスフロ
ー１１で流量制御されたキャリアガス（主としてＨ２）
１２でバブリングし、蒸気ガスとしてガス導入管１３を
通して内側の反応管２に供給される。一方、Ｖ族元素の
リン（Ｐ）の原料であるホスフィン（ＰＨ３）１４はマ
スフロー１６で流量制御され、ガス導入管１６で内側の
反応管２に供給される。各原料ガスの供給量は、トリエ
チルインジウムへのＨ２のバブリング量が３５０ＣＣ／
ｍｉｎ、ＰＨ３は１０ ＣＣ／ｍｉｎである。成長温度
６５０°Ｃに加熱された基板６の表面上で、供給された
原料ガスは熱分解反応によりＩｎＰエピタキシャル成長
をする。一方、外側の反応管１にもガス導入管１７から
、馬が供給される。これによって内側の反応管２に供給
された原料ガスが逆流して外側の反応管１へ流れること
を抑える。排ガスは、ガス排気管１８から排気される。
外側および内側の反応管１，２は、減圧システム１９に
よって０．１気圧に減圧されている。２０は高周波発生
電源装置である。
よって０．１気圧に減圧されている。２０は高周波発生
電源装置である。
このような構造の反応管をもつＭＯＣＶＤ装置では、減
圧による大気圧を一部に集中させず、均一に受ける円筒
形の外側の反応管１で受け、内側の四角柱の形状の反応
管２が大気圧で壊れることを防いでいる。一方四角柱の
内側の反応管２は、反応管内外の圧力差が無いため、圧
力で壊れることはなく、安全かつ均一で高品質なエピタ
キシャル成長するため、熱対流を抑え、均一なガス流を
得ることができる。すなわち、外側の反応管１は圧力か
ら成長用の内側の反応管２ｆｔ守るためのものである。
圧による大気圧を一部に集中させず、均一に受ける円筒
形の外側の反応管１で受け、内側の四角柱の形状の反応
管２が大気圧で壊れることを防いでいる。一方四角柱の
内側の反応管２は、反応管内外の圧力差が無いため、圧
力で壊れることはなく、安全かつ均一で高品質なエピタ
キシャル成長するため、熱対流を抑え、均一なガス流を
得ることができる。すなわち、外側の反応管１は圧力か
ら成長用の内側の反応管２ｆｔ守るためのものである。
また内側の反応管２は、基板５０表面と内側の反応管２
の内壁との間隔が狭く、そのためガス流の熱対流などの
発生が抑えられ、ガスは均一に流れ、その結果均一で高
品質な結晶成長を行うためのものである。
の内壁との間隔が狭く、そのためガス流の熱対流などの
発生が抑えられ、ガスは均一に流れ、その結果均一で高
品質な結晶成長を行うためのものである。
第３図に内側の反応管２が、外側の反応管１の内部で開
口していない構造をしている場合の本発明の第２の実施
例を示す。第２図と同じく四角柱の形状をした内側の反
応管２の内部は、円筒形の外側の反応管１の内部とは直
接開口しておらず、独立している０原料ガスは、先程と
同じく、ガス導入管１３および１６からそれぞれ、トリ
エチルインジウムおよびＰＨ３が供給される。外側の反
応管１および内側の反応管２の作用は第１図の実施例と
同じである。ただし反応炉がそれぞれ独立しているので
、ガス流が他の反応管へ流れ込み、基板６上の原料ガス
の流れが乱れることはない。排気ガスは、同一の減圧シ
ステム２０で減圧、排気する。そのため、外側の反応管
１と内側の反応管２に接続され、途中から一本になって
いるガス排気管２１を通して減圧される。なお、内側の
反応管２の内外で圧力差が生じないように、ガス導入管
１７を通して外側の反応管１へ供給するＨ２ガスの流量
を制御する。１ｎＰの成長条件、成長方法は第１図に示
した実施例と同じである。
口していない構造をしている場合の本発明の第２の実施
例を示す。第２図と同じく四角柱の形状をした内側の反
応管２の内部は、円筒形の外側の反応管１の内部とは直
接開口しておらず、独立している０原料ガスは、先程と
同じく、ガス導入管１３および１６からそれぞれ、トリ
エチルインジウムおよびＰＨ３が供給される。外側の反
応管１および内側の反応管２の作用は第１図の実施例と
同じである。ただし反応炉がそれぞれ独立しているので
、ガス流が他の反応管へ流れ込み、基板６上の原料ガス
の流れが乱れることはない。排気ガスは、同一の減圧シ
ステム２０で減圧、排気する。そのため、外側の反応管
１と内側の反応管２に接続され、途中から一本になって
いるガス排気管２１を通して減圧される。なお、内側の
反応管２の内外で圧力差が生じないように、ガス導入管
１７を通して外側の反応管１へ供給するＨ２ガスの流量
を制御する。１ｎＰの成長条件、成長方法は第１図に示
した実施例と同じである。
第４図に更に外側の反応管１と内側の反応管２の減圧シ
ステムを別にした本発明の第３の実施例である。成長方
法、成長条件は第１図と同じである。内側の反応管２の
減圧は、減圧システム３゜で行われ、内側の反応管２の
内部圧力は圧力計３１でモニターされる。外側の反応管
１の減圧は減圧システム３２で行われ、外側の反応管１
の内部圧力は圧力計３３でモニターされる０圧力計３１
および３３でモニターされた圧力は、圧力調整システム
３４で比較されて、両者の圧力が等しくなるように、外
側の反応管１の減圧システム３２０減圧制御を行う。し
たがって内側の反応管２の内外の圧力差は無く、圧力で
壊れることはない。なお外側の反応管１の圧力を制御す
るためには前述の他に導入管１７から供給されるＨ２の
流量を制御する方法でも良い。前述の減圧システム２ｏ
および３ｏは反応管内を所定の圧力に保ちながら排気で
きるシステム系であればどのようなものでもかまわない
。また減圧システム３２は反応管内の圧力を外部信号に
より制御しながら排気システム系であればどのようなも
のでもかまわないｏ″ｌた圧力調整システム３４は、２
つの反応管内の圧力差を検知し、圧力差を零にするよう
に減圧システム３２をもしくはガス導入管１７より供給
されるＨ２の流量を制御する信号を送り出すものであれ
ばどのようなものでもかまわない。
ステムを別にした本発明の第３の実施例である。成長方
法、成長条件は第１図と同じである。内側の反応管２の
減圧は、減圧システム３゜で行われ、内側の反応管２の
内部圧力は圧力計３１でモニターされる。外側の反応管
１の減圧は減圧システム３２で行われ、外側の反応管１
の内部圧力は圧力計３３でモニターされる０圧力計３１
および３３でモニターされた圧力は、圧力調整システム
３４で比較されて、両者の圧力が等しくなるように、外
側の反応管１の減圧システム３２０減圧制御を行う。し
たがって内側の反応管２の内外の圧力差は無く、圧力で
壊れることはない。なお外側の反応管１の圧力を制御す
るためには前述の他に導入管１７から供給されるＨ２の
流量を制御する方法でも良い。前述の減圧システム２ｏ
および３ｏは反応管内を所定の圧力に保ちながら排気で
きるシステム系であればどのようなものでもかまわない
。また減圧システム３２は反応管内の圧力を外部信号に
より制御しながら排気システム系であればどのようなも
のでもかまわないｏ″ｌた圧力調整システム３４は、２
つの反応管内の圧力差を検知し、圧力差を零にするよう
に減圧システム３２をもしくはガス導入管１７より供給
されるＨ２の流量を制御する信号を送り出すものであれ
ばどのようなものでもかまわない。
以上の実施例において内側の反応管２はすべて四角柱の
形状であったが、円筒形以外の形状であれば、ガス流が
均一になる反応管であればどのような形状でも構わない
。また今回の説明はすべて横型の反応管であったが、縦
型の場合でも本発明が適用することは可能である。
形状であったが、円筒形以外の形状であれば、ガス流が
均一になる反応管であればどのような形状でも構わない
。また今回の説明はすべて横型の反応管であったが、縦
型の場合でも本発明が適用することは可能である。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば、減圧による大
気圧の圧力は円筒形の外側の反応管で耐圧し、熱対流等
のガス流の乱れを抑え、均一なガス流が得られる円筒形
以外の形状の内側の反応管で、エピタキシャル成長を行
うため、均一で高品質な結晶を成長するのに適した形状
の反応管を気圧で壊れる危険性もなく減圧成長に用いら
れる。
気圧の圧力は円筒形の外側の反応管で耐圧し、熱対流等
のガス流の乱れを抑え、均一なガス流が得られる円筒形
以外の形状の内側の反応管で、エピタキシャル成長を行
うため、均一で高品質な結晶を成長するのに適した形状
の反応管を気圧で壊れる危険性もなく減圧成長に用いら
れる。
したがって安全かつ均一で高品質な結晶を減圧成長で得
られ、今後きわめて有用なものである。
られ、今後きわめて有用なものである。
第１図は本発明の一実施例の反応管部の概略構造図、第
２図は本発明の一実施例のガス系統概略図、第３図は本
発明の第２の実施例の反応管部の概略構造図、第４図は
本発明の第３の実施例の反芯管部の概略構造図、第６図
は従来の減圧気相成長装置の円筒形の反応管部の概略構
造図、第６図は従来の気相成長装置の四角往の形状の反
応管部の概略構造図である。 １・・・・・・外側の反応管、２・・・・・・内側の反
応管、６・・・・・・基板、２０，３０．３２・・・・
・・減圧システム、２１・・・・・・排気管、３４・・
・・・・圧力調整システム。
２図は本発明の一実施例のガス系統概略図、第３図は本
発明の第２の実施例の反応管部の概略構造図、第４図は
本発明の第３の実施例の反芯管部の概略構造図、第６図
は従来の減圧気相成長装置の円筒形の反応管部の概略構
造図、第６図は従来の気相成長装置の四角往の形状の反
応管部の概略構造図である。 １・・・・・・外側の反応管、２・・・・・・内側の反
応管、６・・・・・・基板、２０，３０．３２・・・・
・・減圧システム、２１・・・・・・排気管、３４・・
・・・・圧力調整システム。
Claims (3)
- （１）反応管内部を大気圧以下に減圧して基板上に結晶
を成長させる気相成長装置において、円筒形の外側の反
応管と、前記外側の反応管内に設置され、内部に前記基
板を載置する円筒形以外の形状でかつ内部の圧力が前記
外側の内部圧力と等しくなるよう少なくとも前記基板の
載置位置よりもガス流の下流側で前記外側の反応管内へ
開口している形状を有する内側の反応管とを備えている
ことを特徴とする減圧気相成長装置。 - （２）反応管内部を大気圧以下に減圧して基板上に結晶
を成長させる気相成長装置において、円筒形の外側の反
応管と、前記外側の反応管内に設置され、内部に前記基
板を載置する円筒形以外の形状である内側の反応管と、
前記外側の反応管と前記内側の反応管の減圧排気を同一
の減圧システムに接続して行えるように前記外側の反応
管の排気管と前記内側の反応管の排気管とが途中で接続
された配気管とを備えていることを特徴とする減圧気相
成長装置。 - （３）反応管内部を大気圧以下に減圧して基板上に結晶
成長を成長させる気相成長装置において、円筒形の外側
の反応管と、前記外側の反応管内に設置され、内部に前
記基板を載置する円筒形以外の形状である内側の反応管
と、前記外側の反応管を減圧排気する第１の減圧システ
ムと前記内側の反応管を減圧排気する第２の減圧システ
ムと、前記外側の反応管内の圧力と前記内側の反応管内
の圧力を等しく保つ圧力調整システムとを備えているこ
とを特徴とする減圧気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3453086A JPS62190832A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 減圧気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3453086A JPS62190832A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 減圧気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62190832A true JPS62190832A (ja) | 1987-08-21 |
Family
ID=12416826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3453086A Pending JPS62190832A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 減圧気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62190832A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0382125A (ja) * | 1989-08-25 | 1991-04-08 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-02-18 JP JP3453086A patent/JPS62190832A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0382125A (ja) * | 1989-08-25 | 1991-04-08 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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