JPH0399423A - 気相エピタキシャル成長装置のコンダクタンス調整器 - Google Patents
気相エピタキシャル成長装置のコンダクタンス調整器Info
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- JPH0399423A JPH0399423A JP23557289A JP23557289A JPH0399423A JP H0399423 A JPH0399423 A JP H0399423A JP 23557289 A JP23557289 A JP 23557289A JP 23557289 A JP23557289 A JP 23557289A JP H0399423 A JPH0399423 A JP H0399423A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
有機金属を原料とする気相エピタキシャル成長（Ｍ Ｏ
ＣＶ Ｄ ： ｍｅｔａｌ ｏｒｇａｎｉｃ
ｃｈｅｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
）装置にお１プるコンダクタンス調整器に関し、 ＾温の水銀等の原料ガスにも腐蝕されずにフンダクタン
ス調整を行なうことを目的とし、調整器本体を石英にて
構成し、かつ、調整弁を耐熱合成ゴムにて構成する。
ＣＶ Ｄ ： ｍｅｔａｌ ｏｒｇａｎｉｃ
ｃｈｅｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
）装置にお１プるコンダクタンス調整器に関し、 ＾温の水銀等の原料ガスにも腐蝕されずにフンダクタン
ス調整を行なうことを目的とし、調整器本体を石英にて
構成し、かつ、調整弁を耐熱合成ゴムにて構成する。
本発明は、有機金属を原料とする気相エピタキシャル成
長装置（以下、ＭＯＣＶＤ装置という）におけるコンダ
クタンス調整器に圓゛丈る。
長装置（以下、ＭＯＣＶＤ装置という）におけるコンダ
クタンス調整器に圓゛丈る。
近年の半導体デバイスの＾性能化の要求に伴ない、新材
料に対する適用も考えられるようになってきており、Ｍ
ＯＣＶＤ装置においても−これまで用いられなかった蒸
気圧の低い有機台底原料（例えば水銀）が用いられるよ
うになってきている。
料に対する適用も考えられるようになってきており、Ｍ
ＯＣＶＤ装置においても−これまで用いられなかった蒸
気圧の低い有機台底原料（例えば水銀）が用いられるよ
うになってきている。
ＭＯＣＶＤ装置には、反応容器内を例えば１００ｔｏｒ
ｒ程痕に負空ポンプで減圧してエピタキシャル成長を行
なう方式をとるもの（減圧ＭＯＣＶＤ装置）がある。こ
のような減圧ＭＯＣＶＤ装置においては、常圧のエピタ
キシャル成長用ガスを減圧された反応容器内に導入する
際、原料ガスの流出に対して圧力差を維持するだけのコ
ンダクタンスをもった通路を通さなければならない。原
料ガスの流量を変化させて圧力差を維持するためや、原
料ガスの流量を一定にして圧力差を変化させたりするた
めには、コンダクタンスを可変にする必要がある。この
ような装置においては、水銀のようなエピタキシャル成
長用ガスに腐蝕されずにコンダクタンスの調整できるコ
ンダクタンス調整器が必要である。
ｒ程痕に負空ポンプで減圧してエピタキシャル成長を行
なう方式をとるもの（減圧ＭＯＣＶＤ装置）がある。こ
のような減圧ＭＯＣＶＤ装置においては、常圧のエピタ
キシャル成長用ガスを減圧された反応容器内に導入する
際、原料ガスの流出に対して圧力差を維持するだけのコ
ンダクタンスをもった通路を通さなければならない。原
料ガスの流量を変化させて圧力差を維持するためや、原
料ガスの流量を一定にして圧力差を変化させたりするた
めには、コンダクタンスを可変にする必要がある。この
ような装置においては、水銀のようなエピタキシャル成
長用ガスに腐蝕されずにコンダクタンスの調整できるコ
ンダクタンス調整器が必要である。
一般に、減圧ＭＯＣＶＤ装置は、第２図に示す如く、例
えば水銀（Ｈａ）、ジイソプロピルテルル（ＤＩＰＴｃ
）、ジメヂルカドミウム（ＤＭＣｄ ）の各有機金属原
料を夫々収容した各バブラ１．２．３内にキャリアガス
として水素ガスを導入し、水素ガスに担持された各り機
金属原料のエピタキシャル成長用ガスをエビタヤシャル
成長用基板４が設置された減圧（例えば１００ｔｏｒｒ
）反応容器５内に導入し、反応容器５及び基板４を載
置しているサセプタ６を加熱してエピタキシャル成長用
ガスを分解し、この分解した成分を基板４に被着させる
。この場合、水銀、ジイソプロピルテルル、の各エピタ
キシャル成長用ガスは夫々コンダクタンス調整器７．８
．９で１００ｔＯｒｒに減圧され、減圧反応容器５に供
給される。
えば水銀（Ｈａ）、ジイソプロピルテルル（ＤＩＰＴｃ
）、ジメヂルカドミウム（ＤＭＣｄ ）の各有機金属原
料を夫々収容した各バブラ１．２．３内にキャリアガス
として水素ガスを導入し、水素ガスに担持された各り機
金属原料のエピタキシャル成長用ガスをエビタヤシャル
成長用基板４が設置された減圧（例えば１００ｔｏｒｒ
）反応容器５内に導入し、反応容器５及び基板４を載
置しているサセプタ６を加熱してエピタキシャル成長用
ガスを分解し、この分解した成分を基板４に被着させる
。この場合、水銀、ジイソプロピルテルル、の各エピタ
キシャル成長用ガスは夫々コンダクタンス調整器７．８
．９で１００ｔＯｒｒに減圧され、減圧反応容器５に供
給される。
従来装置に用いられるコンダクタンス調整器は、本体及
び弁をステンレス鋼、圧力シールのための０リングを樹
脂で夫々構成されていた。ここで、特に、水銀のエピタ
キシャル成長用ガスは水銀の凝結を防止するために配管
１０を３００℃程度に保温しておく必要がある。
び弁をステンレス鋼、圧力シールのための０リングを樹
脂で夫々構成されていた。ここで、特に、水銀のエピタ
キシャル成長用ガスは水銀の凝結を防止するために配管
１０を３００℃程度に保温しておく必要がある。
ところが、樹脂は８０℃以上の高温では使用できず、又
、ステンレス鋼は水銀によって腐蝕され易い（高温では
更に腐蝕され易い）ため、従来の水銀のエピタキシャル
成長用ガスに対する」ンダクタンス調整器は使用不可能
である問題点があった。
、ステンレス鋼は水銀によって腐蝕され易い（高温では
更に腐蝕され易い）ため、従来の水銀のエピタキシャル
成長用ガスに対する」ンダクタンス調整器は使用不可能
である問題点があった。
本発明は、高温の水銀等の原料ガスにも腐蝕されずにコ
ンダクタンス調整を行なうことができるＭＯＣＶＤ装置
のコンダクタンス調整器を提供することを目的とする。
ンダクタンス調整を行なうことができるＭＯＣＶＤ装置
のコンダクタンス調整器を提供することを目的とする。
本発明は、調整器本体を石英にて構成し、かつ、調整弁
を耐熱合成ゴムにて構成してなる。
を耐熱合成ゴムにて構成してなる。
一般に、石英は水銀に腐蝕されることはなく、本発明で
は調整器本体を石英で構成したので水銀によるＩ％潟で
のエピタキシセル成長用ガスに腐蝕されることはない。
は調整器本体を石英で構成したので水銀によるＩ％潟で
のエピタキシセル成長用ガスに腐蝕されることはない。
又、調整弁を耐熱合成ゴムで形成したために３００℃の
高温に十分に耐え得る。
高温に十分に耐え得る。
従って、本発明は、ステンレス鋼や樹脂で形成した従来
のコンダクタンス調整器に比して３００℃までの高温の
水銀によるエピタキシャル成長用ガスのコンダクタンス
調整器に十分に使用できる。。
のコンダクタンス調整器に比して３００℃までの高温の
水銀によるエピタキシャル成長用ガスのコンダクタンス
調整器に十分に使用できる。。
第１図は本発明の・一実施例の構成図を示す、同図中、
２０はコンダクタンス調整器本体で、上側容器２０ａ及
び下側容器２０ｂにて構成されており、例えばいずれも
高純度石英で形成されている。
２０はコンダクタンス調整器本体で、上側容器２０ａ及
び下側容器２０ｂにて構成されており、例えばいずれも
高純度石英で形成されている。
２１はエピタキシャル成長用ガス導人０．２２はエピタ
キシャル成長用ガス導出口であり、いずれも下側容器２
０ｂに設けられている。２３は耐熱合成ゴム（例えば商
品名力ルレッッＣ−３０１：デュポン社製）で形成され
たフンダクタンス調整弁で、本体２０内において上側容
器２０ａと１・銅容器２０ｂとの間に挟持されており、
下方を下側容器２０ｂのガス導出口２２に当接されてい
る。
キシャル成長用ガス導出口であり、いずれも下側容器２
０ｂに設けられている。２３は耐熱合成ゴム（例えば商
品名力ルレッッＣ−３０１：デュポン社製）で形成され
たフンダクタンス調整弁で、本体２０内において上側容
器２０ａと１・銅容器２０ｂとの間に挟持されており、
下方を下側容器２０ｂのガス導出口２２に当接されてい
る。
２４はピストンで、高純度石英で形成されており、上側
容器２０ａ内に支持されている。２５．２６は配管で、
いずれも高純度石英で形成されており、夫々ガス導入口
２１．ガス導出口２２に接続されている。
容器２０ａ内に支持されている。２５．２６は配管で、
いずれも高純度石英で形成されており、夫々ガス導入口
２１．ガス導出口２２に接続されている。
ここで、コンダクタンス調整に際し、ピストン２４を上
下動することによって調整片２３の腕部２３１が撓み、
これにより、調整弁２３の下部２３２と下側容器２０ｂ
の下部２０ｂ１との間の間隙の大きさが変り、コンダク
タンスが調整される。この場合、７６０ｔＯｒｒの水銀
のエピタキシャル成長用ガスを１００ｔＯｒｒになるよ
うに調整する。
下動することによって調整片２３の腕部２３１が撓み、
これにより、調整弁２３の下部２３２と下側容器２０ｂ
の下部２０ｂ１との間の間隙の大きさが変り、コンダク
タンスが調整される。この場合、７６０ｔＯｒｒの水銀
のエピタキシャル成長用ガスを１００ｔＯｒｒになるよ
うに調整する。
本発明では、本体２０．ピストン２４．配管２５．２６
をいずれも高純度石英で形成したために水銀に腐蝕され
ることはなく、又、調整弁２３を耐熱合成ゴムで形成し
たために高温にも十分に耐え、ステンレス鋼や樹脂で形
成したものに対して３２０℃までの高温の水銀によるエ
ピタキシャル成長用ガスのコンダクタンス調整器として
十分に使用できる。
をいずれも高純度石英で形成したために水銀に腐蝕され
ることはなく、又、調整弁２３を耐熱合成ゴムで形成し
たために高温にも十分に耐え、ステンレス鋼や樹脂で形
成したものに対して３２０℃までの高温の水銀によるエ
ピタキシャル成長用ガスのコンダクタンス調整器として
十分に使用できる。
なお、本実施例は上側容器２０ａ、下側容器２０ｂ、ピ
ストン２４を全て高純度石英にて構成したが、本発明は
これに限定されるものではなく、少なくとも水銀のエピ
タキシャル成長用ガスに接する下側容器２０ｂ、配管２
５．２６が高純度石英で構成されていればよい。
ストン２４を全て高純度石英にて構成したが、本発明は
これに限定されるものではなく、少なくとも水銀のエピ
タキシャル成長用ガスに接する下側容器２０ｂ、配管２
５．２６が高純度石英で構成されていればよい。
〔発明の効果）
以上説明した如く、本発明によれば、本体を石英、弁を
耐熱合成ゴムで夫々構成したため、水銀による高温での
エピラダ１シヤル成長用ガスにも腐蝕されることはなく
、３００℃までの高温で水銀等の原料を用いたＭＯＣＶ
Ｄ￥ｆｆｌ［のコンダクタンス調整器に有効である。
耐熱合成ゴムで夫々構成したため、水銀による高温での
エピラダ１シヤル成長用ガスにも腐蝕されることはなく
、３００℃までの高温で水銀等の原料を用いたＭＯＣＶ
Ｄ￥ｆｆｌ［のコンダクタンス調整器に有効である。
第１図は本発明の一実施例の構成図、
第２図は・一般の減圧ＭＯＣＶＤｉｉｋｆ！の構成図で
ある。 図において、 ２０はコンダクタンス調整器本体、 ２０ａは上側容器、 ２０ｂは下側容器、 ２１はエピタキシャル成長用ガス導入口、２２はエピタ
キシャル成長用ガス導出口、２３はコンダクタンス調整
弁、 ２３＋は腕部、 ２４はピストン、 ２５．２６は配管 を示す。
ある。 図において、 ２０はコンダクタンス調整器本体、 ２０ａは上側容器、 ２０ｂは下側容器、 ２１はエピタキシャル成長用ガス導入口、２２はエピタ
キシャル成長用ガス導出口、２３はコンダクタンス調整
弁、 ２３＋は腕部、 ２４はピストン、 ２５．２６は配管 を示す。
Claims (1)
- 調整器本体（２０）を石英にて構成し、かつ、調整弁（
２３）を耐熱合成ゴムにて構成してなることを特徴とす
る気相エピタキシャル成長装置のコンダクタンス調整器
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23557289A JPH0399423A (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 気相エピタキシャル成長装置のコンダクタンス調整器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23557289A JPH0399423A (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 気相エピタキシャル成長装置のコンダクタンス調整器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0399423A true JPH0399423A (ja) | 1991-04-24 |
Family
ID=16987978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23557289A Pending JPH0399423A (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 気相エピタキシャル成長装置のコンダクタンス調整器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0399423A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10741333B2 (en) | 2016-10-18 | 2020-08-11 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
| US11056286B2 (en) | 2016-09-15 | 2021-07-06 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
-
1989
- 1989-09-13 JP JP23557289A patent/JPH0399423A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11056286B2 (en) | 2016-09-15 | 2021-07-06 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
| US10741333B2 (en) | 2016-10-18 | 2020-08-11 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
| US11170942B2 (en) | 2016-10-18 | 2021-11-09 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
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