JPS61229321A - 気相成長方法 - Google Patents
気相成長方法Info
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- JPS61229321A JPS61229321A JP7025485A JP7025485A JPS61229321A JP S61229321 A JPS61229321 A JP S61229321A JP 7025485 A JP7025485 A JP 7025485A JP 7025485 A JP7025485 A JP 7025485A JP S61229321 A JPS61229321 A JP S61229321A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、所望の半導体結晶層を得ることができる気相
成長方法に関するものである。
成長方法に関するものである。
従来の技術
半導体装置を製作する上で必要な半導体結晶の成長技術
として、結晶成長用ガスのある種の反応を利用した気相
成長法がある。たとえばモノシラン（ＳｉＨ４）を用い
たシリコン（ＳＬ）の気相成長法や、金属の塩化物など
を原料に用いるハライド気相成長法、金属の水素化物を
原料に用いるハイドライド気相成長法、および有機金属
（アルキル化物）を用いた有機金属気相成長法（Ｍｅｔ
ａｌ −○ｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、略してＭＯＣＶＤ法）など
がある。これらの気相成長法では、基板を一定の温度に
まで加熱し、基板表面上で結晶成長用ガスを反応させて
、基板表面上に所望の結晶を成長させる。例えばＭＯＣ
ＶＤ法によりＩｎＰ基板上にＩ ｎＧａＡｓ Ｐ を
成長する場合を第４図に示すガス系統概略図で説明する
。反応炉２にＩｎＰ基板１を載置し、マスフロー３で流
量制御された水素ガスをメインガスライン４で供給し、
反応炉２内を水素置換し、かつロータリーポンプ９で減
圧にする。その後基板１の温度を上げ、２ｏＯ°Ｃ以上
になると、ＩｎＰ基板表面のサーマルダメージを防ぐた
め、ホスフィン（Ｐ Ｈｓ ） １３ ヲマス７０−１
１で流量制御しながら反応炉２へ供給する。
として、結晶成長用ガスのある種の反応を利用した気相
成長法がある。たとえばモノシラン（ＳｉＨ４）を用い
たシリコン（ＳＬ）の気相成長法や、金属の塩化物など
を原料に用いるハライド気相成長法、金属の水素化物を
原料に用いるハイドライド気相成長法、および有機金属
（アルキル化物）を用いた有機金属気相成長法（Ｍｅｔ
ａｌ −○ｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、略してＭＯＣＶＤ法）など
がある。これらの気相成長法では、基板を一定の温度に
まで加熱し、基板表面上で結晶成長用ガスを反応させて
、基板表面上に所望の結晶を成長させる。例えばＭＯＣ
ＶＤ法によりＩｎＰ基板上にＩ ｎＧａＡｓ Ｐ を
成長する場合を第４図に示すガス系統概略図で説明する
。反応炉２にＩｎＰ基板１を載置し、マスフロー３で流
量制御された水素ガスをメインガスライン４で供給し、
反応炉２内を水素置換し、かつロータリーポンプ９で減
圧にする。その後基板１の温度を上げ、２ｏＯ°Ｃ以上
になると、ＩｎＰ基板表面のサーマルダメージを防ぐた
め、ホスフィン（Ｐ Ｈｓ ） １３ ヲマス７０−１
１で流量制御しながら反応炉２へ供給する。
基板１が成長温度に達したとき、ホスフィン以外の結晶
成長用ガスであるアルシン（ＡｓＨｓ） １７ ＊トリ
エチルインジウム（ＴＥＩ）２２．トリエチルガリウム
（ＴＥＧ）２３をそれぞれマスフロー１６゜２０．２１
．で流量制御しながら供給する。
成長用ガスであるアルシン（ＡｓＨｓ） １７ ＊トリ
エチルインジウム（ＴＥＩ）２２．トリエチルガリウム
（ＴＥＧ）２３をそれぞれマスフロー１６゜２０．２１
．で流量制御しながら供給する。
ＴＥＩ２２．ＴＥＧ２３は、揮発性の液体であるためキ
ャリアガスである水素をそれぞれの容器に流し、蒸気の
形で供給する。それぞれの結晶成長用ガスは基板表面上
で熱分解反応をおこし、ＩｎＧａＡｓｐが成長する。
ャリアガスである水素をそれぞれの容器に流し、蒸気の
形で供給する。それぞれの結晶成長用ガスは基板表面上
で熱分解反応をおこし、ＩｎＧａＡｓｐが成長する。
このような気相成長法では、それぞれの結晶成長用ガス
の流量により、成長した結晶の組成、成長速度が変わる
ので、精密に制御しなくてはならない。また、反応炉内
の圧力も結晶性、成長速度に大きく影響するため、正確
に制御する必要がある。
の流量により、成長した結晶の組成、成長速度が変わる
ので、精密に制御しなくてはならない。また、反応炉内
の圧力も結晶性、成長速度に大きく影響するため、正確
に制御する必要がある。
発明が解決しようとする問題点
ところが、従来の気相成長方法では、結晶成長用ガスを
供給し、結晶成長を始める以前に、反応炉内の圧力やガ
スの流量、流れ方、基板温度等を結晶成長に対し最適の
条件に設定しておいた。これは、成長開始後では遅すぎ
るためである。このため成長を始めるとき等、結晶成長
用ガスを反応も変化をうけてしまう。更に反応炉のガス
の流れ方も影響を受ける。故に、結晶成長に対し最適に
設定しておいた条件が変わってしまうことになった。そ
こで結晶成長用ガスを供給してから最適になるように条
件を設定しておくことも考えられるが、それを予測する
ことは難かしく、また、結晶成長用ガスを供給し始めて
から、ガスの流れ方や流量、圧力が最適条件になるまで
の過渡期が生じてしまう。更に、組成の異なる結晶を連
続成長する場合、結晶成長用ガスの流量がそれぞれ異な
るため、この方法をとることは困難であった。
供給し、結晶成長を始める以前に、反応炉内の圧力やガ
スの流量、流れ方、基板温度等を結晶成長に対し最適の
条件に設定しておいた。これは、成長開始後では遅すぎ
るためである。このため成長を始めるとき等、結晶成長
用ガスを反応も変化をうけてしまう。更に反応炉のガス
の流れ方も影響を受ける。故に、結晶成長に対し最適に
設定しておいた条件が変わってしまうことになった。そ
こで結晶成長用ガスを供給してから最適になるように条
件を設定しておくことも考えられるが、それを予測する
ことは難かしく、また、結晶成長用ガスを供給し始めて
から、ガスの流れ方や流量、圧力が最適条件になるまで
の過渡期が生じてしまう。更に、組成の異なる結晶を連
続成長する場合、結晶成長用ガスの流量がそれぞれ異な
るため、この方法をとることは困難であった。
本発明はかかる点を鑑みてなされたもので、簡易な方法
で、結晶成長用ガスを供給したり、供給を正めたすして
も、反応炉内のガスの流れ方や流量、圧力に変動を与え
ない気相成長方法を提供することを目的としている。
で、結晶成長用ガスを供給したり、供給を正めたすして
も、反応炉内のガスの流れ方や流量、圧力に変動を与え
ない気相成長方法を提供することを目的としている。
問題点を解決するだめの手段
上記問題点を解決する本発明の技術的手段は、結晶成長
用ガスを反応炉に供給し、反応させ、前記反応炉に載置
された基板上に結晶を成長させる気相成長方法において
、第１のガスの前記反応炉への供給量を変化させる時、
前記反応炉内を流れるガスの全流量が変化しないように
第２のガスの前記反応炉への供給量を変化させることで
ある。
用ガスを反応炉に供給し、反応させ、前記反応炉に載置
された基板上に結晶を成長させる気相成長方法において
、第１のガスの前記反応炉への供給量を変化させる時、
前記反応炉内を流れるガスの全流量が変化しないように
第２のガスの前記反応炉への供給量を変化させることで
ある。
作 用
この技術的手段による作用は次のとおシである。
すなわち、第１のガスの反応炉への供給量を変化させて
も、その変化量の分だけ、第２のガスの反応炉への供給
量を増減することによって、反応炉内を流れるガスの全
流量を変化させないため、反応炉内のガスの流れ方や、
他のガスの反応炉への供給量や、反応炉内の圧力に変動
を与えずに済む。
も、その変化量の分だけ、第２のガスの反応炉への供給
量を増減することによって、反応炉内を流れるガスの全
流量を変化させないため、反応炉内のガスの流れ方や、
他のガスの反応炉への供給量や、反応炉内の圧力に変動
を与えずに済む。
実施例
以下、本発明の一実施例として、ＩｎＰ基板上にＭＯＣ
ＶＤ法でＩｎＧａＡｓＰ を結晶成長する場合につい
て第１図〜第３図とともに説明する。Ｉｎ、Ｇａ。
ＶＤ法でＩｎＧａＡｓＰ を結晶成長する場合につい
て第１図〜第３図とともに説明する。Ｉｎ、Ｇａ。
Ａｓ、Ｐの結晶成長用ガスとしては、それぞれトリエチ
ルインジウム（ＴＥＩ）、 トリエチルガリウム（Ｔ
ＥＧ）、アルシン（ＡｓＨ３） ｔホスフィン（ＰＨ３
）が用いられる。有機金属であるＴＥＩ、ＴＥＧは蒸気
圧の高い液体であるため、キャリアガス（水素ガス）を
通すことによって、蒸気の形で供給することになる。成
長に用いたＭＯＣＶＤ装置のガス系統概略図を第１図に
示す。成長方法は次の通りである。
ルインジウム（ＴＥＩ）、 トリエチルガリウム（Ｔ
ＥＧ）、アルシン（ＡｓＨ３） ｔホスフィン（ＰＨ３
）が用いられる。有機金属であるＴＥＩ、ＴＥＧは蒸気
圧の高い液体であるため、キャリアガス（水素ガス）を
通すことによって、蒸気の形で供給することになる。成
長に用いたＭＯＣＶＤ装置のガス系統概略図を第１図に
示す。成長方法は次の通りである。
まず、ＩｎＰ基板１を反応炉２に載置したあと、マスフ
ロー３で４１／ｍｉｎ に流量制御した水素ガスをメイ
ンガスライン４で供給し、反応炉２内を水素ガス置換す
る。更に、マスフロー６で１１／ｍｉｎに流量制御した
水素ガス１ｏ１を■族元素供給ライン６から反応炉２に
供給、またマス７０−７で１１／ｍｌｎに流量制御した
水素ガス１０２をＶ族元素供給ライン８から反応炉２に
供給する。したがって反応炉２内を流れるガスの全流量
はｅｌ／ｍｉｎである。
ロー３で４１／ｍｉｎ に流量制御した水素ガスをメイ
ンガスライン４で供給し、反応炉２内を水素ガス置換す
る。更に、マスフロー６で１１／ｍｉｎに流量制御した
水素ガス１ｏ１を■族元素供給ライン６から反応炉２に
供給、またマス７０−７で１１／ｍｌｎに流量制御した
水素ガス１０２をＶ族元素供給ライン８から反応炉２に
供給する。したがって反応炉２内を流れるガスの全流量
はｅｌ／ｍｉｎである。
次にロータリーポンプ９で反応炉２内を１５０Ｔｏｒｒ
に減圧にし、高周波加熱方式で基板１を加スで６チに希
釈され、マスフロー１１で２０ｏαし′ｍｉｎに流量制
御して、直接排気系１２へ流していたＰＨ３１３をバル
ブ１４を閉めバルブ１５を開けることにより■族元素供
給ライン８を通して反応炉２へ供給する。この時、同時
に■族元素供給ライン８で供給していた水素ガス１０２
をＰＨ３の供給量２００ ＣＣ／ｍｉｎ分、マスフロー
７を調節して減らし、８００ Ｃ１４／ｍｉｎに変えて
供給する。したがって■族元素供給ライン８から反応炉
２へ供給されるガスは、水素ガス１０２とＰＨ３１３と
であり１８合計流量はＰＨ３を流す前と同じ（ＩＡ？／
ｍｉｎである。ゆえに反応炉２内のガスの流れ方、流量
、圧力に変動を与えない。
に減圧にし、高周波加熱方式で基板１を加スで６チに希
釈され、マスフロー１１で２０ｏαし′ｍｉｎに流量制
御して、直接排気系１２へ流していたＰＨ３１３をバル
ブ１４を閉めバルブ１５を開けることにより■族元素供
給ライン８を通して反応炉２へ供給する。この時、同時
に■族元素供給ライン８で供給していた水素ガス１０２
をＰＨ３の供給量２００ ＣＣ／ｍｉｎ分、マスフロー
７を調節して減らし、８００ Ｃ１４／ｍｉｎに変えて
供給する。したがって■族元素供給ライン８から反応炉
２へ供給されるガスは、水素ガス１０２とＰＨ３１３と
であり１８合計流量はＰＨ３を流す前と同じ（ＩＡ？／
ｍｉｎである。ゆえに反応炉２内のガスの流れ方、流量
、圧力に変動を与えない。
基板温度が成長温度に達すると、あらかじめ水素ガスで
６チに希釈され、マスフロー１６で１００ｃｃ／ｍ ｔ
ｎ に流量制御して直接、排気系１２へ流していたＡ
ｌＨ３１７をバルブ１８を閉め）（ルプ１９を開けるこ
とにより、Ｖ族供給ライン８を通して供ＴＥＧ２３ 、
の中を通してその蒸気を含ませて直接排気系１２へ流し
ていたガスを、バルブ２４を閉め、バルブ２５を開けて
■族元素供給ライン６を通して供給する。それと同時に
マスフロー７を調節してＡＩＩＨ３の供給量１００ＣＣ
／ｍｉｎ分減らし、７００ｃｃ／ｍｉｎ として水素ガ
ス１ｏ２をＶ族元素供給ライン８に流す。一方、同様に
してマスフロー６を調節して、ＴＥＩおよびＴＥＧの供
給量４９０ ＣＣ／ｍｉｎ 分減らし５１０ＣＣ／ｍ
ｉｎ として水素ガス１０１を■族元素供給ライン６
に流す。したがってＶ族元素供給ライン８から反応炉２
に供給されるガスは、水素７００ ＣＣ／ｍｉ ！１１
、 ＡｓＨ３１００ＣＣ／ｍ ｉ ｎ 、 ＰＨ３２
００αし’ｍ Ｌ ｎで合計１７３／ｍ ｉ ｎであり
、変化していない。一方、■族元素供給ライン６から反
応炉２に供給されるガスは、ＴＥＩ、３５０ＣＣ／ｍｉ
ｎ 、 Ｔ Ｅ Ｇ １４０ ＣＣ／ｍｉｎ 、水素５
１０ＣＣ／ｍｉｎであり、合計１７３ ／ｍｉ ｎで変
化していない。したがって反応炉２内を流れるガスの流
れ方、全流量。
６チに希釈され、マスフロー１６で１００ｃｃ／ｍ ｔ
ｎ に流量制御して直接、排気系１２へ流していたＡ
ｌＨ３１７をバルブ１８を閉め）（ルプ１９を開けるこ
とにより、Ｖ族供給ライン８を通して供ＴＥＧ２３ 、
の中を通してその蒸気を含ませて直接排気系１２へ流し
ていたガスを、バルブ２４を閉め、バルブ２５を開けて
■族元素供給ライン６を通して供給する。それと同時に
マスフロー７を調節してＡＩＩＨ３の供給量１００ＣＣ
／ｍｉｎ分減らし、７００ｃｃ／ｍｉｎ として水素ガ
ス１ｏ２をＶ族元素供給ライン８に流す。一方、同様に
してマスフロー６を調節して、ＴＥＩおよびＴＥＧの供
給量４９０ ＣＣ／ｍｉｎ 分減らし５１０ＣＣ／ｍ
ｉｎ として水素ガス１０１を■族元素供給ライン６
に流す。したがってＶ族元素供給ライン８から反応炉２
に供給されるガスは、水素７００ ＣＣ／ｍｉ ！１１
、 ＡｓＨ３１００ＣＣ／ｍ ｉ ｎ 、 ＰＨ３２
００αし’ｍ Ｌ ｎで合計１７３／ｍ ｉ ｎであり
、変化していない。一方、■族元素供給ライン６から反
応炉２に供給されるガスは、ＴＥＩ、３５０ＣＣ／ｍｉ
ｎ 、 Ｔ Ｅ Ｇ １４０ ＣＣ／ｍｉｎ 、水素５
１０ＣＣ／ｍｉｎであり、合計１７３ ／ｍｉ ｎで変
化していない。したがって反応炉２内を流れるガスの流
れ方、全流量。
成長後、Ｔ Ｅ Ｉ ｔ Ｔ Ｅ Ｇ ＊ ＡｓＨｓ
Ｏ供給を止める時、■族元素供給ライン６、■族元素供
給ライン８に流す水素ガス１０１，１０２をそれぞれ４
９０αし’ｍｉｎ 、 １００αし’ｍ ｉ ｎ増や
して反応炉２への全供給量を変えないようにする。その
後、基板を冷却し、２ｏＯ°Ｃ以下でＰＨ３を止める。
Ｏ供給を止める時、■族元素供給ライン６、■族元素供
給ライン８に流す水素ガス１０１，１０２をそれぞれ４
９０αし’ｍｉｎ 、 １００αし’ｍ ｉ ｎ増や
して反応炉２への全供給量を変えないようにする。その
後、基板を冷却し、２ｏＯ°Ｃ以下でＰＨ３を止める。
この時も同時に、Ｖ族元素供給ライン８への水素ガスを
２００ｃｃ／ｍｉｎ増加させて、全供給像を変化させな
いようにする。以上で成長プロセスを終わる。なお、反
応炉２ヘガスを供給するガスライン（メインガスライン
４．［１族元素供給ライン６゜ｖ族元素供給ライン８）
の流れるガスとその流量の変動を次表に示す。
２００ｃｃ／ｍｉｎ増加させて、全供給像を変化させな
いようにする。以上で成長プロセスを終わる。なお、反
応炉２ヘガスを供給するガスライン（メインガスライン
４．［１族元素供給ライン６゜ｖ族元素供給ライン８）
の流れるガスとその流量の変動を次表に示す。
以上の実施例では、ＴＥ Ｉ ２２ 、ＴＥＧ２３ 。
Ｐ Ｈａ １３ ｓ ＡｓＨ３１７が結晶成長用ガスで
あり、第１のガスである。そして水素ガス１０１，１０
２が第２のガスである。
あり、第１のガスである。そして水素ガス１０１，１０
２が第２のガスである。
このように各ガスを操作することによって、反応炉内の
ガスの流れ方、全流量、圧力は最初に成長に対し最適に
設定したまま変動することなく、成長を行なうことがで
きる。
ガスの流れ方、全流量、圧力は最初に成長に対し最適に
設定したまま変動することなく、成長を行なうことがで
きる。
なお、この実施例では結晶成長用ガスの変化に対し、水
素ガスの流量を制御するマスフローを調節することによ
って、反応炉内への供給量が変動しないようにしたが、
他の方法でもかまわない。
素ガスの流量を制御するマスフローを調節することによ
って、反応炉内への供給量が変動しないようにしたが、
他の方法でもかまわない。
例えば、第２図に示すように、マスフロー３０を水素ガ
スを流量制御するマスフロー５と並列に設け、結晶成長
用ガスの供給量と同量に設定して水素ガス２０１を流し
ておく。結晶成長用ガスを反応炉２へ供給する時、マス
７０−３ｏで流してお２へ供給することができる。また
、結晶成長用ガス２０２の供給を止める時には、再びマ
スフロー３ｏを流れる水素ガス２０１を供給すれば良い
。
スを流量制御するマスフロー５と並列に設け、結晶成長
用ガスの供給量と同量に設定して水素ガス２０１を流し
ておく。結晶成長用ガスを反応炉２へ供給する時、マス
７０−３ｏで流してお２へ供給することができる。また
、結晶成長用ガス２０２の供給を止める時には、再びマ
スフロー３ｏを流れる水素ガス２０１を供給すれば良い
。
更に他の方法として、第３図のように、水素ガスを流量
制御するマスフロー６とその水素ガス３０１と結晶成長
用ガス３０２との合流部４ｏとの間に、直接排気系へ流
れるガスライン４１とバルブ４２、マスフロー４３を設
け、結晶成長用ガス３０１を供給する時、結晶成長用ガ
ス３０１の供給量と同量の水素ガス３０３をマスフロー
４３で流量制御しながらガスライン４１を通して排気系
へ直接流すことにより、反応炉２へのガス供給量は変化
しないようにする。
制御するマスフロー６とその水素ガス３０１と結晶成長
用ガス３０２との合流部４ｏとの間に、直接排気系へ流
れるガスライン４１とバルブ４２、マスフロー４３を設
け、結晶成長用ガス３０１を供給する時、結晶成長用ガ
ス３０１の供給量と同量の水素ガス３０３をマスフロー
４３で流量制御しながらガスライン４１を通して排気系
へ直接流すことにより、反応炉２へのガス供給量は変化
しないようにする。
要するに、本発明結晶成長用ガスを反応炉に供給すると
き、反応炉への供給するガスの全流量が変化しないよう
に、水素ガスで補償すればよいわのガスが結晶成長用ガ
スで説明したが、他のガス、例えば、窒素ガス置換工程
を含む場合の窒素ガス。
き、反応炉への供給するガスの全流量が変化しないよう
に、水素ガスで補償すればよいわのガスが結晶成長用ガ
スで説明したが、他のガス、例えば、窒素ガス置換工程
を含む場合の窒素ガス。
気相エツチング工程を含む場合のエツチングガスでも良
い。
い。
また、減圧成長で説明を行ったが、炉内の圧力は減圧、
常圧を問わない。ただ反応炉の圧力が低ければ低いほど
本発明の効果は大きい。
常圧を問わない。ただ反応炉の圧力が低ければ低いほど
本発明の効果は大きい。
更に、結晶組成の異なる結晶を連続成長行うときにも、
各々の結晶成長用ガスについて、前述と同様の操作を行
えば、反応炉内のガスの流れ方、全流量、圧力に変動を
与えないで、連続成長が可能である。
各々の結晶成長用ガスについて、前述と同様の操作を行
えば、反応炉内のガスの流れ方、全流量、圧力に変動を
与えないで、連続成長が可能である。
発明の効果
以上のように本発明によれば、反応炉内のガスの流れ方
、全流量、圧力を最初に結晶成長に最適な条件に設定し
ておけば、その後変動させることなく結晶成長が行える
。したがって、反応炉内のガスの流れ方や全流量、圧力
の変動から生じる成第１図は本発明の一実施例における
気相成長方法を説明するためのＭＯＣＶＤ装置のガス系
統の概略図、第２図は本発明の他の実施例方法を説明す
るためのガス系統の部分的概略図、第３図は本発明のさ
らに他の実施例方法を説明するだめのガス系統の部分的
概略図、第４図は従来の気相成長方法を説明するだめの
ガス系統の概略図である。
、全流量、圧力を最初に結晶成長に最適な条件に設定し
ておけば、その後変動させることなく結晶成長が行える
。したがって、反応炉内のガスの流れ方や全流量、圧力
の変動から生じる成第１図は本発明の一実施例における
気相成長方法を説明するためのＭＯＣＶＤ装置のガス系
統の概略図、第２図は本発明の他の実施例方法を説明す
るためのガス系統の部分的概略図、第３図は本発明のさ
らに他の実施例方法を説明するだめのガス系統の部分的
概略図、第４図は従来の気相成長方法を説明するだめの
ガス系統の概略図である。
１・・・・・・基板、２・・・・・・反応炉、１３，１
７，２２゜２３・・・・・・第１のガス（結晶成長用ガ
ス）、１０１゜１０２・・・・・・第２のガス。
７，２２゜２３・・・・・・第１のガス（結晶成長用ガ
ス）、１０１゜１０２・・・・・・第２のガス。
Claims (5)
- （１）結晶成長用ガスを反応炉に供給し、反応させ、前
記反応炉内に載置された基板上に結晶を成長させる気相
成長方法であつて、第１のガスの前記反応炉への供給量
を変化させる時、それと同時に前記反応炉内を流れるガ
スの全流量が変化しないように第２のガスの前記反応炉
への供給量を変化させることを特徴とする気相成長方法
。 - （２）基板上に結晶を成長させる際、反応炉内が減圧で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の気相
成長方法。 - （３）第１のガスが結晶成長用ガスであり、第２のガス
が前記結晶成長用ガスのキャリアガスであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の気相成長方法。 - （４）第１のガスの反応炉への供給量を変化させる時が
前記第１のガスの前記反応炉へ供給を開始する時である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の気相成長
方法。 - （５）第１のガスの反応炉への供給量を変化させる時が
、前記第１のガスの前記反応炉への供給を終了する時で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の気相
成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60070254A JPH0713945B2 (ja) | 1985-04-03 | 1985-04-03 | 気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60070254A JPH0713945B2 (ja) | 1985-04-03 | 1985-04-03 | 気相成長方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10657594A Division JPH07153705A (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61229321A true JPS61229321A (ja) | 1986-10-13 |
| JPH0713945B2 JPH0713945B2 (ja) | 1995-02-15 |
Family
ID=13426235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60070254A Expired - Lifetime JPH0713945B2 (ja) | 1985-04-03 | 1985-04-03 | 気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0713945B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63297296A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-05 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 気相エピタキシャル成長装置の排気方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5513922A (en) * | 1978-07-14 | 1980-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Vapor phase growthing method and its device |
| JPS5959877A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-05 | Fujitsu Ltd | 化学気相成長方法 |
-
1985
- 1985-04-03 JP JP60070254A patent/JPH0713945B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5513922A (en) * | 1978-07-14 | 1980-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Vapor phase growthing method and its device |
| JPS5959877A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-05 | Fujitsu Ltd | 化学気相成長方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63297296A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-05 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 気相エピタキシャル成長装置の排気方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0713945B2 (ja) | 1995-02-15 |
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