JPH04372120A - Ｉｉｉ −ｖ族化合物半導体気相成長法 - Google Patents
Ｉｉｉ −ｖ族化合物半導体気相成長法Info
- Publication number
- JPH04372120A JPH04372120A JP17468591A JP17468591A JPH04372120A JP H04372120 A JPH04372120 A JP H04372120A JP 17468591 A JP17468591 A JP 17468591A JP 17468591 A JP17468591 A JP 17468591A JP H04372120 A JPH04372120 A JP H04372120A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- iii
- growth
- crystal
- group
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 23
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 11
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 33
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 25
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 229910000070 arsenic hydride Inorganic materials 0.000 description 7
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 4
- ZGNPLWZYVAFUNZ-UHFFFAOYSA-N tert-butylphosphane Chemical compound CC(C)(C)P ZGNPLWZYVAFUNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体結晶薄膜の気相成長方法に関するものである。
導体結晶薄膜の気相成長方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板上にＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ
系やＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系等のＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体薄膜の気相成長を行う際、従来、Ｖ族元素の供給
源として原料に用いられてきたＡｓＨ３ （アルシン）
やＰＨ３ （フォスフィン）等の水素化物は毒性が極め
て強く、安全上の問題を有するため、近年これらに代わ
るＶ族元素の供給源としてＡｓやＰ等の有機化合物を原
料に用いる方法が研究されている。以下、これを図面を
参照して説明する。
系やＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系等のＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体薄膜の気相成長を行う際、従来、Ｖ族元素の供給
源として原料に用いられてきたＡｓＨ３ （アルシン）
やＰＨ３ （フォスフィン）等の水素化物は毒性が極め
て強く、安全上の問題を有するため、近年これらに代わ
るＶ族元素の供給源としてＡｓやＰ等の有機化合物を原
料に用いる方法が研究されている。以下、これを図面を
参照して説明する。
【０００３】図３は、Ｖ族の有機化合物であるＴＢＡ（
ターシャリーブチルアルシン）とＩＩＩの有機化合物で
あるＴＭＩｎ（トリメチルインジウム）及びＴＭＧａ（
トリメチルガリウム）を用いて、ＩｎＧａＡｓ結晶の成
長を行う結晶成長装置の一例を示すものである。図にお
いて、１は反応炉内に原料ガスを供給するガス導入口、
２は反応容器、３はガス排出口、４は高周波誘導加熱コ
イル、５はカーボン等で作られたサセプタ、６はサセプ
タ支持棒、７は被成長基板である。また、８は原料ガス
の流量を調整する流量調整器、９は原料容器、１０は原
料容器を一定温度に保持する恒温槽、１１はガス導入口
１に接続されるガス導入管である。
ターシャリーブチルアルシン）とＩＩＩの有機化合物で
あるＴＭＩｎ（トリメチルインジウム）及びＴＭＧａ（
トリメチルガリウム）を用いて、ＩｎＧａＡｓ結晶の成
長を行う結晶成長装置の一例を示すものである。図にお
いて、１は反応炉内に原料ガスを供給するガス導入口、
２は反応容器、３はガス排出口、４は高周波誘導加熱コ
イル、５はカーボン等で作られたサセプタ、６はサセプ
タ支持棒、７は被成長基板である。また、８は原料ガス
の流量を調整する流量調整器、９は原料容器、１０は原
料容器を一定温度に保持する恒温槽、１１はガス導入口
１に接続されるガス導入管である。
【０００４】結晶成長を行う際には、ＴＢＡ、ＴＭＧａ
、ＴＭＩｎの各原料容器９にそれぞれＦ２、Ｆ３、Ｆ４
の流量調整器８で所望の流量に調整された水素ガスを通
し、各原料容器の保持温度に対応した各原料の蒸気圧に
応じてこの水素ガス中に各原料ガスを含ませた上で、流
量調整器Ｆ１により調整された水素ガスとともに、ガス
導入管１１を通して反応容器内に原料ガスを供給する。 被成長基板７は高周波誘導加熱コイル４によりサセプタ
５を加熱することにより５５０〜８００℃程度に保持さ
れ、この被成長基板の表面付近における原料ガスの熱分
解により結晶成長が行われる。従来Ｖ族元素の供給源と
して用いられてきたＡｓＨ３ に代えＴＢＡを用いるこ
とにより原料ガスの毒性の問題が大幅に軽減されるとと
もに、図３に示すように、ＴＢＡは液体の形で低圧のシ
リンダー中に保存されるため、従来のＡｓＨ３ ガスの
ように、高圧ボンベを用いる必要もなくなり、安全上の
効果は極めて高い。
、ＴＭＩｎの各原料容器９にそれぞれＦ２、Ｆ３、Ｆ４
の流量調整器８で所望の流量に調整された水素ガスを通
し、各原料容器の保持温度に対応した各原料の蒸気圧に
応じてこの水素ガス中に各原料ガスを含ませた上で、流
量調整器Ｆ１により調整された水素ガスとともに、ガス
導入管１１を通して反応容器内に原料ガスを供給する。 被成長基板７は高周波誘導加熱コイル４によりサセプタ
５を加熱することにより５５０〜８００℃程度に保持さ
れ、この被成長基板の表面付近における原料ガスの熱分
解により結晶成長が行われる。従来Ｖ族元素の供給源と
して用いられてきたＡｓＨ３ に代えＴＢＡを用いるこ
とにより原料ガスの毒性の問題が大幅に軽減されるとと
もに、図３に示すように、ＴＢＡは液体の形で低圧のシ
リンダー中に保存されるため、従来のＡｓＨ３ ガスの
ように、高圧ボンベを用いる必要もなくなり、安全上の
効果は極めて高い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＴＢＡ
を用いてＩｎＧａＡｓの結晶成長を行う場合、図２に示
すような組成制御上の問題が生じることが明らかにされ
た。すなわち、 ＩＩＩ族原料の供給量に対するＶ族原
料の比率を増加させるに従い、結晶中のＩｎ組成比（Ｉ
ｎｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ中のＩｎの比ｘ）が減少する。 Ｉｎ組成比は、結晶の光学的特性や結晶の格子定数を決
定し、結晶を用いて作製される半導体素子の特性を左右
するため、従来から［ＴＭＩｎ］と［ＴＭＧａ］の供給
比を調整し一定値に保持されていたが、ＡｓＨ３ を用
いた場合には、結晶中のＩｎの比率は、この［ＴＭＩｎ
］と［ＴＭＧａ］の比率により主に決定され、Ｖ族のＡ
ｓＨ３ 流量にはほとんど左右されなかった。ＴＢＡを
用いることにより図２に示すような問題が生じる原因は
詳細な調査により主にＴＭＩｎとＴＢＡの気相中での付
加反応であることが明らかになった。Ｖ族原料の比率は
結晶純度や結晶欠陥にかかわり、比較的大きな値とする
必要があり、このような付加反応は結晶品質の制御性や
再現性を阻害するため好ましくない。
を用いてＩｎＧａＡｓの結晶成長を行う場合、図２に示
すような組成制御上の問題が生じることが明らかにされ
た。すなわち、 ＩＩＩ族原料の供給量に対するＶ族原
料の比率を増加させるに従い、結晶中のＩｎ組成比（Ｉ
ｎｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ中のＩｎの比ｘ）が減少する。 Ｉｎ組成比は、結晶の光学的特性や結晶の格子定数を決
定し、結晶を用いて作製される半導体素子の特性を左右
するため、従来から［ＴＭＩｎ］と［ＴＭＧａ］の供給
比を調整し一定値に保持されていたが、ＡｓＨ３ を用
いた場合には、結晶中のＩｎの比率は、この［ＴＭＩｎ
］と［ＴＭＧａ］の比率により主に決定され、Ｖ族のＡ
ｓＨ３ 流量にはほとんど左右されなかった。ＴＢＡを
用いることにより図２に示すような問題が生じる原因は
詳細な調査により主にＴＭＩｎとＴＢＡの気相中での付
加反応であることが明らかになった。Ｖ族原料の比率は
結晶純度や結晶欠陥にかかわり、比較的大きな値とする
必要があり、このような付加反応は結晶品質の制御性や
再現性を阻害するため好ましくない。
【０００６】本発明の目的は、上記例に見るようなＶ族
元素の有機化合物と他の原料との付加反応を抑制するこ
とにより、安全性の高いＶ族元素の有機化合物の特徴を
生かしながら、制御性良く、かつ、再現性良く結晶成長
が行える ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長法を提
供することにある。
元素の有機化合物と他の原料との付加反応を抑制するこ
とにより、安全性の高いＶ族元素の有機化合物の特徴を
生かしながら、制御性良く、かつ、再現性良く結晶成長
が行える ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長法を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的に鑑み
てなされたものであり、少なくとも原料の一部にＶ族元
素の有機化合物を用いて ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の
気相成長を行う際に、被成長基板を３００ｒｐｍ以上の
高速で回転することを特徴とする ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体気相成長法を提供するものである。
てなされたものであり、少なくとも原料の一部にＶ族元
素の有機化合物を用いて ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の
気相成長を行う際に、被成長基板を３００ｒｐｍ以上の
高速で回転することを特徴とする ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体気相成長法を提供するものである。
【０００８】本発明において、基板の回転速度が３００
ｒｐｍ未満の低速では上記上限温度の高温化はほとんど
生じず、また、ガス中の高温領域もほとんど狭められな
い。また、回転速度が大きい程、本発明の効果は大とな
るが、回転速度があまり大きすぎると機械的な問題が生
じることがあり、これによりガス漏れ、サセプタ支持棒
の振動等の問題も生じる。従って、回転速度は３００ｒ
ｐｍ以上１００００ｒｐｍ以下とするのが好ましく、よ
り好ましくは６００〜２５００ｒｐｍである。回転速度
は用いる原料の特性と、付加反応の度合により適切に選
択すべきものであることは言うまでもない。
ｒｐｍ未満の低速では上記上限温度の高温化はほとんど
生じず、また、ガス中の高温領域もほとんど狭められな
い。また、回転速度が大きい程、本発明の効果は大とな
るが、回転速度があまり大きすぎると機械的な問題が生
じることがあり、これによりガス漏れ、サセプタ支持棒
の振動等の問題も生じる。従って、回転速度は３００ｒ
ｐｍ以上１００００ｒｐｍ以下とするのが好ましく、よ
り好ましくは６００〜２５００ｒｐｍである。回転速度
は用いる原料の特性と、付加反応の度合により適切に選
択すべきものであることは言うまでもない。
【０００９】本発明方法は ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
薄膜の気相成長法を行う場合に上記の点以外は特に制限
なく用いることができる。例えばＴＢＡとＴＭＩｎとＴ
ＭＧａを用いてＩｎＧａＡｓ結晶の成長を行う場合のほ
か様々な応用が可能であり、ＴＭＩｎ、ＴＭＧａとＴＢ
Ｐの組み合わせでＩｎＧａＰの成長を行う場合、ＴＭＩ
ｎ、ＴＭＧａとＴＢＰ及びＡｓＨ３ の組み合わせでＩ
ｎＧａＡｓＰの成長を行う場合等、少なくとも１種類以
上のＶ族元素の有機化合物を用いて気相成長を行う場合
において本発明は有効に適用される。反応炉構造は本発
明に何ら制限を加えるものではなく、例えば高周波誘導
加熱方式は、抵抗加熱方式や赤外線加熱方式に置き換え
ても全く支障は生じない。また、反応炉の運転圧力やサ
セプタの加熱温度等も原料の種類や結晶材料に応じて適
切に選択されるべきものであり、本発明はこれらの結晶
成長条件を規定するものではない。
薄膜の気相成長法を行う場合に上記の点以外は特に制限
なく用いることができる。例えばＴＢＡとＴＭＩｎとＴ
ＭＧａを用いてＩｎＧａＡｓ結晶の成長を行う場合のほ
か様々な応用が可能であり、ＴＭＩｎ、ＴＭＧａとＴＢ
Ｐの組み合わせでＩｎＧａＰの成長を行う場合、ＴＭＩ
ｎ、ＴＭＧａとＴＢＰ及びＡｓＨ３ の組み合わせでＩ
ｎＧａＡｓＰの成長を行う場合等、少なくとも１種類以
上のＶ族元素の有機化合物を用いて気相成長を行う場合
において本発明は有効に適用される。反応炉構造は本発
明に何ら制限を加えるものではなく、例えば高周波誘導
加熱方式は、抵抗加熱方式や赤外線加熱方式に置き換え
ても全く支障は生じない。また、反応炉の運転圧力やサ
セプタの加熱温度等も原料の種類や結晶材料に応じて適
切に選択されるべきものであり、本発明はこれらの結晶
成長条件を規定するものではない。
【００１０】
【作用】被成長基板の高速回転によるこのような改善の
メカニズムは、図４により説明できる。すなわち、回転
速度が比較的遅い場合には、ガス中の高温領域が図中の
１２のように広がり、原料ガス中のＴＢＡとＴＭＩｎが
この領域で付加反応を生じ、被成長基板表面に十分なＴ
ＭＩｎが供給されなくなるためＴＢＡ流量比増加に伴い
、Ｉｎ組成の減少を生じるにのに比べ、回転速度を増加
した場合には、回転により生じるポンプ効果に起因して
ガス中の高温領域が図中の１３のように狭められ、ＴＢ
ＡとＴＭＩｎの付加反応の度合が減少し、上記のような
問題が大幅に低減されるものである。
メカニズムは、図４により説明できる。すなわち、回転
速度が比較的遅い場合には、ガス中の高温領域が図中の
１２のように広がり、原料ガス中のＴＢＡとＴＭＩｎが
この領域で付加反応を生じ、被成長基板表面に十分なＴ
ＭＩｎが供給されなくなるためＴＢＡ流量比増加に伴い
、Ｉｎ組成の減少を生じるにのに比べ、回転速度を増加
した場合には、回転により生じるポンプ効果に起因して
ガス中の高温領域が図中の１３のように狭められ、ＴＢ
ＡとＴＭＩｎの付加反応の度合が減少し、上記のような
問題が大幅に低減されるものである。
【００１１】
【実施例】次に本発明を実施例に基づきさらに詳細に説
明する。
明する。
【００１２】実施例１
図３に示す気相成長装置の反応炉を用いＩｎＧａＡｓの
結晶成長を行った。成長条件は次の通りである。
結晶成長を行った。成長条件は次の通りである。
【００１３】成長温度 ６２０℃水素ガス流
量 １０リットル／ｍｉｎＶ／ＩＩＩ 比 ５
〜２０ 成長速度 ３μｍ／ｈｒ
量 １０リットル／ｍｉｎＶ／ＩＩＩ 比 ５
〜２０ 成長速度 ３μｍ／ｈｒ
【００１４】図１はこの結果を示す。図２と比較しても
明らかなように、ＴＢＡの流量比を増加させても結晶中
のＩｎの組成比は一定に保たれ制御性の大幅な改善が見
られた。
明らかなように、ＴＢＡの流量比を増加させても結晶中
のＩｎの組成比は一定に保たれ制御性の大幅な改善が見
られた。
【００１５】実施例２
原料にＴＭＩｎとＴＢＰ（ターシャリーブチルフォスフ
ィン）及びドーピング材としてＳｉＨ４ （モノシラン
）を用いてＳｉドープのＩｎＰ結晶の成長を行った。こ
の時に用いた反応装置を図５に示した。また反応条件は
次の通りである。
ィン）及びドーピング材としてＳｉＨ４ （モノシラン
）を用いてＳｉドープのＩｎＰ結晶の成長を行った。こ
の時に用いた反応装置を図５に示した。また反応条件は
次の通りである。
【００１６】成長温度 ６５０℃水素ガス流
量 １０リットル／ｍｉｎＶ／ＩＩＩ 比 ６
０ 成長速度 ３μｍ／ｈｒ
量 １０リットル／ｍｉｎＶ／ＩＩＩ 比 ６
０ 成長速度 ３μｍ／ｈｒ
【００１７】その結果を図６に示した。図６は結果を基
板の回転が低速の場合と高速の場合で比較したもので、
いずれもＳｉＨ４ 供給量増加に伴い結晶中のキャリヤ
濃度（不純物濃度）が増大するが、低速の場合には図６
（Ａ）に示すように、キャリヤ濃度が１０１７ｃｍ−３
を越える付近から結晶の表面荒れが始まりＳｉＨ４ 供
給量増加に伴い表面荒れの程度は大きくなる。これは、
ＴＢＰとＳｉＨ４ の付加反応によって生じた不揮発性
の中間生成物が基板表面で結晶成長を阻害するために生
じる現象である。結晶の表面荒れの問題は被成長基板を
１０００ｒｐｍの高速で回転させながら結晶成長を行う
ことにより解決され、図６（Ｂ）に示すように広い範囲
でのドーピングが可能となることが判明した。
板の回転が低速の場合と高速の場合で比較したもので、
いずれもＳｉＨ４ 供給量増加に伴い結晶中のキャリヤ
濃度（不純物濃度）が増大するが、低速の場合には図６
（Ａ）に示すように、キャリヤ濃度が１０１７ｃｍ−３
を越える付近から結晶の表面荒れが始まりＳｉＨ４ 供
給量増加に伴い表面荒れの程度は大きくなる。これは、
ＴＢＰとＳｉＨ４ の付加反応によって生じた不揮発性
の中間生成物が基板表面で結晶成長を阻害するために生
じる現象である。結晶の表面荒れの問題は被成長基板を
１０００ｒｐｍの高速で回転させながら結晶成長を行う
ことにより解決され、図６（Ｂ）に示すように広い範囲
でのドーピングが可能となることが判明した。
【００１８】
【発明の効果】以上、本発明によれば、Ｖ族の有機化合
物を原料として用いた場合に問題となる原料間の付加反
応を、基板の高速回転を行うことにより気相中の高温領
域を狭めることで大幅に低減することが可能であり、Ｖ
族の有機化合物を使用することによる安全性向上の利点
を生かしながら、良質な結晶を制御性良く、かつ、再現
性良く作製することができ、産業上の有用性は絶大であ
る。
物を原料として用いた場合に問題となる原料間の付加反
応を、基板の高速回転を行うことにより気相中の高温領
域を狭めることで大幅に低減することが可能であり、Ｖ
族の有機化合物を使用することによる安全性向上の利点
を生かしながら、良質な結晶を制御性良く、かつ、再現
性良く作製することができ、産業上の有用性は絶大であ
る。
【図１】本発明により得られるＩｎＧＡｓ半導体結晶の
組成制御性を示すグラフである。
組成制御性を示すグラフである。
【図２】Ｖ族元素の有機化合物を用いた従来の結晶成長
結果の一例である。
結果の一例である。
【図３】従来の気相成長法に用いられてきた結晶成長装
置の一例を示す概略図である。
置の一例を示す概略図である。
【図４】本発明の基本原理を示す図である。
【図５】本発明の他の実施例を示す装置図である。
【図６】その結晶成長の結果を従来方法を用いた場合と
比較する図である。（Ａ）は基板回転０〜２００ｒｐｍ
の場合、（Ｂ）は基板回転１０００ｒｐｍの場合である
。
比較する図である。（Ａ）は基板回転０〜２００ｒｐｍ
の場合、（Ｂ）は基板回転１０００ｒｐｍの場合である
。
１ ガス導入口
２ 反応容器
３ ガス排出口
４ 高周波誘導加熱コイル
５ サセプタ
６ サセプタ支持棒
７ 被成長基板
８ 流量調整器
９ 原料容器
１０ 恒温槽
１１ ガス導入管
１２ 低速回転時の高温ガス領域
１３ 高速回転時の高温ガス領域
１４ 回転導入機
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも原料の一部にＶ族元素の有
機化合物を用いて ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成
長を行う際に、被成長基板を３００ｒｐｍ以上の高速で
回転することを特徴とする ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
気相成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17468591A JPH04372120A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | Ｉｉｉ −ｖ族化合物半導体気相成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17468591A JPH04372120A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | Ｉｉｉ −ｖ族化合物半導体気相成長法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04372120A true JPH04372120A (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=15982904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17468591A Pending JPH04372120A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | Ｉｉｉ −ｖ族化合物半導体気相成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04372120A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7575946B2 (en) | 2004-03-19 | 2009-08-18 | Sony Corporation | Method for making compound semiconductor and method for making semiconductor device |
-
1991
- 1991-06-20 JP JP17468591A patent/JPH04372120A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7575946B2 (en) | 2004-03-19 | 2009-08-18 | Sony Corporation | Method for making compound semiconductor and method for making semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Fujiwara et al. | Drastic effects of hydrogen flow rate on growth characteristics and electrical/optical properties of InP grown by organometallic vapour phase epitaxy with TMIn and TBP | |
| JPH07321041A (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体結晶成長方法 | |
| JPH04372120A (ja) | Ｉｉｉ −ｖ族化合物半導体気相成長法 | |
| JPH0754802B2 (ja) | ＧａＡｓ薄膜の気相成長法 | |
| JPH04132214A (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| JP2847198B2 (ja) | 化合物半導体の気相成長方法 | |
| JPH03232221A (ja) | 化合物半導体の気相成長方法 | |
| JPH0547668A (ja) | 化合物半導体結晶成長方法 | |
| JPH02122521A (ja) | 化合物半導体結晶層の製造方法 | |
| JPH02126632A (ja) | 化合物半導体結晶層の気相成長方法及びそれに用いる反応管 | |
| JP2753832B2 (ja) | 第▲ｉｉｉ▼・ｖ族化合物半導体の気相成長法 | |
| JPH0897149A (ja) | 有機金属気相成長方法及び有機金属気相成長装置 | |
| JPS5984417A (ja) | ３−５族混晶半導体装置 | |
| JPS61229321A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPS5895696A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPH11126754A (ja) | 有機金属気相成長方法 | |
| JPH03171634A (ja) | Ｆｅｔ用電極形成層付エピタキシャルウェーハ | |
| JPH0594949A (ja) | 半導体気相成長装置 | |
| JPS60145999A (ja) | 化合物半導体気相成長方法 | |
| JPS62202894A (ja) | 第３・ｖ族化合物半導体の気相成長法 | |
| JPH04261016A (ja) | 気相成長装置およびその成長方法 | |
| JPH035398A (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| JPH02262332A (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| JPH11312648A (ja) | 化合物半導体のエピタキシャル成長方法 | |
| JPH04372119A (ja) | 化合物半導体気相成長法 |