JPH11126754A - 有機金属気相成長方法 - Google Patents
有機金属気相成長方法Info
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- JPH11126754A JPH11126754A JP29256297A JP29256297A JPH11126754A JP H11126754 A JPH11126754 A JP H11126754A JP 29256297 A JP29256297 A JP 29256297A JP 29256297 A JP29256297 A JP 29256297A JP H11126754 A JPH11126754 A JP H11126754A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】有機金属気相成長において、同一成長温度およ
び成長圧力下で、キャリア濃度分布の均一性を向上させ
る方法を提供することにある。 【解決手段】成長速度の制御により、又は、成長速度と
Ｖ／III 比を制御することにより、成長薄膜のキャリア
濃度分布を制御し、これにより各薄膜の結晶成長の際
に、キャリア濃度の面内分布が均一となる最適な成長速
度で成長させる。
び成長圧力下で、キャリア濃度分布の均一性を向上させ
る方法を提供することにある。 【解決手段】成長速度の制御により、又は、成長速度と
Ｖ／III 比を制御することにより、成長薄膜のキャリア
濃度分布を制御し、これにより各薄膜の結晶成長の際
に、キャリア濃度の面内分布が均一となる最適な成長速
度で成長させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＧａＡｓ等III −
Ｖ族化合物半導体の気相成長技術の一つである有機金属
気相成長方法に係り、特に、そのキャリア濃度分布の均
一性を向上させることができる有機金属気相成長方法に
関するものである。
Ｖ族化合物半導体の気相成長技術の一つである有機金属
気相成長方法に係り、特に、そのキャリア濃度分布の均
一性を向上させることができる有機金属気相成長方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は化合物半導体の気相成長装置を示
す概要図である。この図において、１は成長室（リアク
タ）、２はこの成長室１内に置かれたＧａＡｓ基板、３
はＲＦ（高周波加熱）コイル、４はトリメチルガリウム
（ＴＭＧａ：（ＣＨ3 ）3 Ｇａ）、５はトリメチルアル
ミニウム（ＴＭＡｌ：（ＣＨ3 ）3 Ａｌ）、６はアルシ
ン（ＡｓＨ3 ）、７はジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）、８はマ
スフローコントローラ（ＭＦＣ）、９はバルブである。
す概要図である。この図において、１は成長室（リアク
タ）、２はこの成長室１内に置かれたＧａＡｓ基板、３
はＲＦ（高周波加熱）コイル、４はトリメチルガリウム
（ＴＭＧａ：（ＣＨ3 ）3 Ｇａ）、５はトリメチルアル
ミニウム（ＴＭＡｌ：（ＣＨ3 ）3 Ａｌ）、６はアルシ
ン（ＡｓＨ3 ）、７はジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）、８はマ
スフローコントローラ（ＭＦＣ）、９はバルブである。
【０００３】次に、動作について説明する。ＲＦコイル
３からの高周波を受けて成長室１内のカーボンサセプタ
が加熱され、ＧａＡｓ基板２を暖める。ＧａＡｓを成長
する場合、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）４とアルシ
ン（ＡｓＨ3 ）６を成長室１内へ送り込むことによっ
て、ＧａＡｓ基板２上でトリメチルガリウム（ＴＭＧ
ａ）４とアルシン（ＡｓＨ3 ）６の熱分解が生じ、Ｇａ
Ａｓ結晶が成長する。ＡｌＧａＡｓ結晶の場合には、ト
リメチルガリウム（ＴＭＧａ）４，トリメチルアルミニ
ウム（ＴＭＡｌ），アルシン（ＡｓＨ3 ）６を同時に流
せば良い。化合物半導体のｎ型の結晶成長時には、同時
に、Ｓｉの原料となるジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6）をｎ型ド
ーパントとして成長室１へごく微量流す。なお、ｐ型の
結晶を作る時には例えばジエチル亜鉛（ＤＥＺｎ：（ｃ
2 Ｈ5 ）2 Ｚｎ）を反応管１２へごく微量流す。
３からの高周波を受けて成長室１内のカーボンサセプタ
が加熱され、ＧａＡｓ基板２を暖める。ＧａＡｓを成長
する場合、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）４とアルシ
ン（ＡｓＨ3 ）６を成長室１内へ送り込むことによっ
て、ＧａＡｓ基板２上でトリメチルガリウム（ＴＭＧ
ａ）４とアルシン（ＡｓＨ3 ）６の熱分解が生じ、Ｇａ
Ａｓ結晶が成長する。ＡｌＧａＡｓ結晶の場合には、ト
リメチルガリウム（ＴＭＧａ）４，トリメチルアルミニ
ウム（ＴＭＡｌ），アルシン（ＡｓＨ3 ）６を同時に流
せば良い。化合物半導体のｎ型の結晶成長時には、同時
に、Ｓｉの原料となるジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6）をｎ型ド
ーパントとして成長室１へごく微量流す。なお、ｐ型の
結晶を作る時には例えばジエチル亜鉛（ＤＥＺｎ：（ｃ
2 Ｈ5 ）2 Ｚｎ）を反応管１２へごく微量流す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように有機金属
気相成長方法により、多層膜でいろいろな材料を用い
て、半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡ
ｓ、ＩｎＧａＡｓおよびＧａＩｎＰといった一層もしく
は複数の薄膜を成長させる場合、膜厚分布、キャリア濃
度、および混晶系の材料ではその組成分布が、成長の際
の基板の絶対温度やその温度分布により、さらには成長
圧力やＶ／III 比により変化することが分かっていた。
気相成長方法により、多層膜でいろいろな材料を用い
て、半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡ
ｓ、ＩｎＧａＡｓおよびＧａＩｎＰといった一層もしく
は複数の薄膜を成長させる場合、膜厚分布、キャリア濃
度、および混晶系の材料ではその組成分布が、成長の際
の基板の絶対温度やその温度分布により、さらには成長
圧力やＶ／III 比により変化することが分かっていた。
【０００５】しかし、従来、成長速度の変化によって成
長薄膜のキャリア濃度の均一性が変化することは分から
なかった。
長薄膜のキャリア濃度の均一性が変化することは分から
なかった。
【０００６】そのため、組成の異なる複数の薄膜を連続
して成長させる場合、各成長薄膜のキャリア濃度の均一
化を図る手法として、従来は、各薄膜成長の間に成長に
重要な条件である成長温度や成長圧力を切り替えるため
のインターバルを設けている。
して成長させる場合、各成長薄膜のキャリア濃度の均一
化を図る手法として、従来は、各薄膜成長の間に成長に
重要な条件である成長温度や成長圧力を切り替えるため
のインターバルを設けている。
【０００７】しかしながら、インターバル中にそれらの
条件を変化させると、その変化のために不純物等が表面
に付着し、良質な界面が得られず非常にリスクが大き
い。
条件を変化させると、その変化のために不純物等が表面
に付着し、良質な界面が得られず非常にリスクが大き
い。
【０００８】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、ＧａＡｓ等III −Ｖ族化合物半導体の気相成長技術
の一つである有機金属気相成長において、同一成長温度
および成長圧力下で、成長薄膜のキャリア濃度分布の均
一性を向上させる方法を提供することにある。
し、ＧａＡｓ等III −Ｖ族化合物半導体の気相成長技術
の一つである有機金属気相成長において、同一成長温度
および成長圧力下で、成長薄膜のキャリア濃度分布の均
一性を向上させる方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明においては、半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、一
層もしくは複数の薄膜を成長させる有機金属気相成長方
法において、成長速度の制御により、成長薄膜のキャリ
ア濃度分布を制御する（請求項１）。
め、本発明においては、半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、一
層もしくは複数の薄膜を成長させる有機金属気相成長方
法において、成長速度の制御により、成長薄膜のキャリ
ア濃度分布を制御する（請求項１）。
【００１０】また本発明は、上述の有機金属気相成長方
法において、成長速度とＶ／III 比（ガリウム等のIII
族原料と砒素等のＶ族原料との比）を制御することによ
り、成長薄膜のキャリア濃度分布を制御する（請求項
２）。
法において、成長速度とＶ／III 比（ガリウム等のIII
族原料と砒素等のＶ族原料との比）を制御することによ
り、成長薄膜のキャリア濃度分布を制御する（請求項
２）。
【００１１】また本発明は、上述請求項１または２のの
有機金属気相成長方法において、その成長させる薄膜
を、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ又はＧａＩ
ｎＰとする（請求項３）。
有機金属気相成長方法において、その成長させる薄膜
を、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ又はＧａＩ
ｎＰとする（請求項３）。
【００１２】上述したように、従来、成長速度の変化に
よってキャリア濃度の均一性が変化することは分からな
かった。この点につき、本発明者が鋭意考察研究を重ね
た結果、成長速度、つまり基板上にエピタキシャル成長
するＧａＡｓ等の化合物半導体薄膜の単位時間当たりの
成長膜厚により、キャリア濃度の均一性が変化すること
を解明した。
よってキャリア濃度の均一性が変化することは分からな
かった。この点につき、本発明者が鋭意考察研究を重ね
た結果、成長速度、つまり基板上にエピタキシャル成長
するＧａＡｓ等の化合物半導体薄膜の単位時間当たりの
成長膜厚により、キャリア濃度の均一性が変化すること
を解明した。
【００１３】そこで本発明は、半絶縁性ＧａＡｓ基板上
に、一層もしくは複数の薄膜を成長させる有機金属気相
成長方法において、成長速度の制御により、成長薄膜の
キャリア濃度分布を制御するものであり、これにより各
薄膜の結晶成長の際に、キャリア濃度の面内分布が均一
となる最適な成長速度で成長させることが可能となる。
に、一層もしくは複数の薄膜を成長させる有機金属気相
成長方法において、成長速度の制御により、成長薄膜の
キャリア濃度分布を制御するものであり、これにより各
薄膜の結晶成長の際に、キャリア濃度の面内分布が均一
となる最適な成長速度で成長させることが可能となる。
【００１４】既に述べたように、従来、キャリア濃度の
均一化のために、成長に重要な条件である成長温度や成
長圧力を制御してきたが、成長途中でそれらを変化させ
ることは、その変化のためのインターバル中に不純物等
が付着し、良質な界面が得られず非常にリスクが大き
い。その点、本発明により、同一成長温度および成長圧
力下で、成長速度の制御によりキャリア濃度制御が行え
ることは重要なことである。
均一化のために、成長に重要な条件である成長温度や成
長圧力を制御してきたが、成長途中でそれらを変化させ
ることは、その変化のためのインターバル中に不純物等
が付着し、良質な界面が得られず非常にリスクが大き
い。その点、本発明により、同一成長温度および成長圧
力下で、成長速度の制御によりキャリア濃度制御が行え
ることは重要なことである。
【００１５】さらに、同一成長温度および成長圧力下で
成長が行えるため、成長時間の短縮も図られ、歩留まり
の向上も実現できる。
成長が行えるため、成長時間の短縮も図られ、歩留まり
の向上も実現できる。
【００１６】また、成長薄膜のキャリア濃度の面内均一
性に関しては最適な成長速度があり、この最適な成長速
度はＶ／III 比によって変わることが分かった。従っ
て、成長速度の制御による方法によるだけでなく、成長
速度とＶ／III 比を制御することにより、成長薄膜のキ
ャリア濃度分布を制御し、良好なヘテロ界面を有しキャ
リア濃度分布の均一な化合物半導体ウェハを得ることが
できる。
性に関しては最適な成長速度があり、この最適な成長速
度はＶ／III 比によって変わることが分かった。従っ
て、成長速度の制御による方法によるだけでなく、成長
速度とＶ／III 比を制御することにより、成長薄膜のキ
ャリア濃度分布を制御し、良好なヘテロ界面を有しキャ
リア濃度分布の均一な化合物半導体ウェハを得ることが
できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、実
施例を中心に説明する。
施例を中心に説明する。
【００１８】化合物半導体の気相成長装置は、図３のも
のを前提として説明する。
のを前提として説明する。
【００１９】半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、有機金属気相
成長方法により、複数の薄膜を成長させるため、有機金
属化合物であるトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）４やト
リメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）５を用いて、III 族
原料であるガリウムやアルミニウムを成長室（リアク
タ）１に供給する。一方、水素化物であるアルシン（Ａ
ｓＨ3 ）６を用いて、Ｖ族原料である砒素を供給する。
これらの原料は、図３に示すように高純度水素により成
長室（リアクタ）１に導入される。
成長方法により、複数の薄膜を成長させるため、有機金
属化合物であるトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）４やト
リメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）５を用いて、III 族
原料であるガリウムやアルミニウムを成長室（リアク
タ）１に供給する。一方、水素化物であるアルシン（Ａ
ｓＨ3 ）６を用いて、Ｖ族原料である砒素を供給する。
これらの原料は、図３に示すように高純度水素により成
長室（リアクタ）１に導入される。
【００２０】成長室１に導入された原料は、ＲＦコイル
３で高周波加熱された半絶縁性ＧａＡｓ基板２上で熱分
解や反応が起こり、当該基板２上にエピタキシャル成長
される。この際の半絶縁性ＧａＡｓ基板２の温度を「成
長温度」、反応室の圧力を「成長圧力」と定義してい
る。また「成長速度」とは、基板上にエピタキシャル成
長するＧａＡｓ等の化合物半導体薄膜の単位時間当たり
の成長膜厚により定義している。
３で高周波加熱された半絶縁性ＧａＡｓ基板２上で熱分
解や反応が起こり、当該基板２上にエピタキシャル成長
される。この際の半絶縁性ＧａＡｓ基板２の温度を「成
長温度」、反応室の圧力を「成長圧力」と定義してい
る。また「成長速度」とは、基板上にエピタキシャル成
長するＧａＡｓ等の化合物半導体薄膜の単位時間当たり
の成長膜厚により定義している。
【００２１】この有機金属気相成長方法により、ＴＭＧ
ａ、ＴＭＡｌ、アルシンおよびｎ型ドーパントとしてＳ
ｉの原料であるジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）を原料に用い、
ＳｉドープＧａＡｓおよびＡｌＧａＡｓをそれぞれ幾つ
かのＶ／III 比の条件下で、成長速度を変えて薄膜を成
長させ、そのキャリア濃度の面内均一性を調べた。その
結果を図１及び図２に示す。
ａ、ＴＭＡｌ、アルシンおよびｎ型ドーパントとしてＳ
ｉの原料であるジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）を原料に用い、
ＳｉドープＧａＡｓおよびＡｌＧａＡｓをそれぞれ幾つ
かのＶ／III 比の条件下で、成長速度を変えて薄膜を成
長させ、そのキャリア濃度の面内均一性を調べた。その
結果を図１及び図２に示す。
【００２２】成長条件としてＧａＡｓおよびＡｌＧａＡ
ｓ共に、成長温度は６００℃、成長圧力は０．１atm 、
半絶縁性ＧａＡｓ基板のサイズは直径１００mm、および
各条件のキャリア濃度の絶対値は、基板中心が１×１０
17（cm-3）になるように制御した。
ｓ共に、成長温度は６００℃、成長圧力は０．１atm 、
半絶縁性ＧａＡｓ基板のサイズは直径１００mm、および
各条件のキャリア濃度の絶対値は、基板中心が１×１０
17（cm-3）になるように制御した。
【００２３】成長速度はエピウェハの断面を透過型電子
顕微鏡（ＳＥＭ）観察により、また、キャリア濃度はＣ
−Ｖ測定により求めた。
顕微鏡（ＳＥＭ）観察により、また、キャリア濃度はＣ
−Ｖ測定により求めた。
【００２４】図１はＧａＡｓ（Ｓｉドープ）についての
もの、また図２はＡｌＧａＡｓ（Ｓｉドープ）について
のものであり、それぞれ横軸に成長速度（nm/sec）を、
縦軸にキャリア濃度の平均値に対する面内のバラツキ
（％）をとってある。パラメータとしてのＶ／III 比
は、図１のＧａＡｓ（Ｓｉドープ）についてはＶ／III
比を７、１０、２０に変化させた場合を、、また図２の
ＡｌＧａＡｓ（Ｓｉドープ）についてはＶ／III 比を８
０、１００、１２０に変化させた場合を示してある。
もの、また図２はＡｌＧａＡｓ（Ｓｉドープ）について
のものであり、それぞれ横軸に成長速度（nm/sec）を、
縦軸にキャリア濃度の平均値に対する面内のバラツキ
（％）をとってある。パラメータとしてのＶ／III 比
は、図１のＧａＡｓ（Ｓｉドープ）についてはＶ／III
比を７、１０、２０に変化させた場合を、、また図２の
ＡｌＧａＡｓ（Ｓｉドープ）についてはＶ／III 比を８
０、１００、１２０に変化させた場合を示してある。
【００２５】図１及び図２のいずれの場合も、成長速度
と面内バラツキとの相関特性は下に凸の曲線となる。即
ち、キャリア濃度の平均値に対する面内のバラツキ
（％）が最も小さくなる最適な成長速度がある。また、
この最適な成長速度は、図１のＧａＡｓ（Ｓｉドープ）
については５０〜８０（nm/sec）程度であり、Ｖ／III
比が７、１０、２０と大きくなるにつれ大きくなる。図
２のＡｌＧａＡｓ（Ｓｉドープ）については７０〜１２
０（nm/sec）程度であり、Ｖ／III 比が８０、１００、
１２０と大きくなるにつれ大きくなる。
と面内バラツキとの相関特性は下に凸の曲線となる。即
ち、キャリア濃度の平均値に対する面内のバラツキ
（％）が最も小さくなる最適な成長速度がある。また、
この最適な成長速度は、図１のＧａＡｓ（Ｓｉドープ）
については５０〜８０（nm/sec）程度であり、Ｖ／III
比が７、１０、２０と大きくなるにつれ大きくなる。図
２のＡｌＧａＡｓ（Ｓｉドープ）については７０〜１２
０（nm/sec）程度であり、Ｖ／III 比が８０、１００、
１２０と大きくなるにつれ大きくなる。
【００２６】この図１及び図２の結果より、成長薄膜の
キャリア濃度の面内均一性は、最適な成長速度があり、
かつ、その成長速度はＶ／III 比によって変わることが
分かった。
キャリア濃度の面内均一性は、最適な成長速度があり、
かつ、その成長速度はＶ／III 比によって変わることが
分かった。
【００２７】従って、成長速度の制御により、また成長
速度とＶ／III 比を制御することにより、成長薄膜のキ
ャリア濃度分布を制御し、同一成長温度および成長圧力
下でキャリア濃度分布の均一性を向上させて、良好なヘ
テロ界面を有しキャリア濃度分布の均一な化合物半導体
ウェハを得ることができる。
速度とＶ／III 比を制御することにより、成長薄膜のキ
ャリア濃度分布を制御し、同一成長温度および成長圧力
下でキャリア濃度分布の均一性を向上させて、良好なヘ
テロ界面を有しキャリア濃度分布の均一な化合物半導体
ウェハを得ることができる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、成長速度
の制御により、又は成長速度とＶ／III 比を制御するこ
とにより、成長薄膜のキャリア濃度分布を制御するもの
である。従って、同一成長温度および成長圧力下でキャ
リア濃度分布の均一性を向上させることができ、良好な
ヘテロ界面を有しキャリア濃度分布の均一な化合物半導
体ウェハを得ることができる。また、多数膜を同一成長
温度および成長圧力下で連続成長できるようになるた
め、エピウェハ製造時間を短縮し、歩留まりの向上を図
ることができる。
の制御により、又は成長速度とＶ／III 比を制御するこ
とにより、成長薄膜のキャリア濃度分布を制御するもの
である。従って、同一成長温度および成長圧力下でキャ
リア濃度分布の均一性を向上させることができ、良好な
ヘテロ界面を有しキャリア濃度分布の均一な化合物半導
体ウェハを得ることができる。また、多数膜を同一成長
温度および成長圧力下で連続成長できるようになるた
め、エピウェハ製造時間を短縮し、歩留まりの向上を図
ることができる。
【図１】本発明の有機金属気相成長方法におけるＧａＡ
ｓのキャリア濃度の面内分布の成長速度依存性を示した
図である。
ｓのキャリア濃度の面内分布の成長速度依存性を示した
図である。
【図２】本発明の有機金属気相成長方法におけるＡｌＧ
ａＡｓのキャリア濃度の面内分布の成長速度依存性を示
した図である。
ａＡｓのキャリア濃度の面内分布の成長速度依存性を示
した図である。
【図３】本発明を適用した有機金属気相成長装置の概要
図である。
図である。
１ 成長室（リアクタ） ２ ＧａＡｓ基板 ３ ＲＦ（高周波加熱）コイル ４ トリメチルガリウム（ＴＭＧａ） ５ トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ） ６ アルシン（ＡｓＨ3 ） ７ ジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ） ８ マスフローコントローラ（ＭＦＣ） ９ バルブ
Claims (3)
- 【請求項１】半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、一層もしくは
複数の薄膜を成長させる有機金属気相成長方法におい
て、成長速度の制御により、成長薄膜のキャリア濃度分
布を制御することを特徴とする有機金属気相成長方法。 - 【請求項２】半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、一層もしくは
複数の薄膜を成長させる有機金属気相成長方法におい
て、成長速度とＶ／III 比を制御することにより、成長
薄膜のキャリア濃度分布を制御することを特徴とする有
機金属気相成長方法。 - 【請求項３】請求項１または２に記載の有機金属気相成
長方法において、前記成長薄膜を、ＧａＡｓ、ＡｌＧａ
Ａｓ、ＩｎＧａＡｓ又はＧａＩｎＰとすることを特徴と
する有機金属気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29256297A JPH11126754A (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | 有機金属気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29256297A JPH11126754A (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | 有機金属気相成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11126754A true JPH11126754A (ja) | 1999-05-11 |
Family
ID=17783381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29256297A Pending JPH11126754A (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | 有機金属気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11126754A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003303825A (ja) * | 2002-04-05 | 2003-10-24 | Sumitomo Chem Co Ltd | 化合物半導体ウェーハの製造方法、及び化合物半導体素子 |
| JP2011014922A (ja) * | 2010-09-02 | 2011-01-20 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化合物半導体ウェーハの製造方法及び化合物半導体素子 |
| WO2013133030A1 (ja) | 2012-03-08 | 2013-09-12 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | スクライビングホイール及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-10-24 JP JP29256297A patent/JPH11126754A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003303825A (ja) * | 2002-04-05 | 2003-10-24 | Sumitomo Chem Co Ltd | 化合物半導体ウェーハの製造方法、及び化合物半導体素子 |
| JP2011014922A (ja) * | 2010-09-02 | 2011-01-20 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化合物半導体ウェーハの製造方法及び化合物半導体素子 |
| WO2013133030A1 (ja) | 2012-03-08 | 2013-09-12 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | スクライビングホイール及びその製造方法 |
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