JP2567309B2 - 有機金属気相成長装置 - Google Patents
有機金属気相成長装置Info
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- JP2567309B2 JP2567309B2 JP3184017A JP18401791A JP2567309B2 JP 2567309 B2 JP2567309 B2 JP 2567309B2 JP 3184017 A JP3184017 A JP 3184017A JP 18401791 A JP18401791 A JP 18401791A JP 2567309 B2 JP2567309 B2 JP 2567309B2
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- mass flow
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J7/00—Apparatus for generating gases
- B01J7/02—Apparatus for generating gases by wet methods
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、 III−Ｖ族化合物半導
体の有機金属気相成長装置に関する。特にＩｎＧａＡｓ
Ｐ四元混晶やＩｎＧａＡｓ三元混晶のように複数の III
族元素やＶ族元素からなる半導体結晶を大面積基板上に
組成及び層厚を均一に成長するための成長装置に関す
る。
体の有機金属気相成長装置に関する。特にＩｎＧａＡｓ
Ｐ四元混晶やＩｎＧａＡｓ三元混晶のように複数の III
族元素やＶ族元素からなる半導体結晶を大面積基板上に
組成及び層厚を均一に成長するための成長装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】有機金属気相成長法は、ＩｎＧａＡｓＰ
四元混晶やＩｎＧａＡｓ三元混晶のように複数の III族
元素やＶ族元素からなる半導体結晶の成長において組成
制御性がよいこと、ガスの切替えだけで組成の異なる半
導体の多層成長ができること、量子井戸構造のような極
薄膜成長も容易にできるなどの特徴があり III−Ｖ族化
合物半導体の結晶成長に広く用いられている。
四元混晶やＩｎＧａＡｓ三元混晶のように複数の III族
元素やＶ族元素からなる半導体結晶の成長において組成
制御性がよいこと、ガスの切替えだけで組成の異なる半
導体の多層成長ができること、量子井戸構造のような極
薄膜成長も容易にできるなどの特徴があり III−Ｖ族化
合物半導体の結晶成長に広く用いられている。
【０００３】縦型反応管を有する有機金属気相成長装置
を例にとり従来の技術を詳細に説明する。図３は、Ｉｎ
Ｐ基板４上に三元混晶ＩｎＧａＡｓを成長するときの装
置構成を示したものである。なお、図３において、符号
１は反応管、２は高周波誘導コイル、３はカーボン製サ
セプター、４は半導体基板、５はサセプター回転機構、
６は排気用ロータリーポンプ、７は圧力計、８は圧力調
整弁、９はノズル、１０、１１、１２、及び１３はマス
フローコントローラ、１４は原料ガスを反応管へ輸送す
る配管、１５、１６、及び１７は圧力調整弁、１８、１
９、及び２０は圧力計、２１、２２、及び２３は有機金
属の入ったバブラー、２４、２５、及び２６はマスフロ
ーコントローラを意味する。バブラー２１、２２、２３
にはそれぞれ原料となる有機金属ＴＭＩ（トリメチルイ
ンジウム）、ＴＥＧ（トリエチルガリウム）、ＴＢＡ
（モノｔ−ブチルアルシン）が入っている。マスフロー
コントローラ２４、２５、２６により流量制御されたキ
ャリアガスが前記のバブラー内でバブリングすることに
より有機金属ガスが供給される。圧力計１８、１９、２
０によりバブラー内の圧力を検知し、フィードバック信
号を圧力調整弁１５、１６、１７に伝達してバブラー内
の圧力を一定値：ＰB に保つ。通常バブラー内の圧力は
大気圧に保たれている。それぞれのバブラーから供給さ
れた有機金属ガスは配管１４により反応管１に輸送され
る。反応管１は石英ガラスで造られている。その中にＩ
ｎＰ基板４を乗せたカーボン製のサセプター３があり、
サセプター回転機構５の回転軸を中心に回転している。
高周波誘導コイル２により基板加熱を行う。反応管内は
排気用ロータリーポンプ６により排気され、減圧状態で
成長を行う。反応管内の圧力は圧力計７により検知さ
れ、圧力調整弁８により一定値：ＰR に保たれる。通常
ＰR は１００トール前後の値に設定される。基板全面に
わたり均一な組成と層厚の分布を得るためには反応管内
のガスの流速分布を制御する必要がある。そのため、特
開平３−６０１１５号公報に示されているように、基板
に対向して開口する複数のノズル９を反応管に設け、各
ノズルから流れる原料ガス流量をノズルの上流に設けら
れたマスフローコントローラ１０、１１、１２、１３に
より適当に割り振ることにより反応管内の流速分布を制
御している。その結果、組成と層厚の均一なＩｎＧａＡ
ｓ層が成長できる。
を例にとり従来の技術を詳細に説明する。図３は、Ｉｎ
Ｐ基板４上に三元混晶ＩｎＧａＡｓを成長するときの装
置構成を示したものである。なお、図３において、符号
１は反応管、２は高周波誘導コイル、３はカーボン製サ
セプター、４は半導体基板、５はサセプター回転機構、
６は排気用ロータリーポンプ、７は圧力計、８は圧力調
整弁、９はノズル、１０、１１、１２、及び１３はマス
フローコントローラ、１４は原料ガスを反応管へ輸送す
る配管、１５、１６、及び１７は圧力調整弁、１８、１
９、及び２０は圧力計、２１、２２、及び２３は有機金
属の入ったバブラー、２４、２５、及び２６はマスフロ
ーコントローラを意味する。バブラー２１、２２、２３
にはそれぞれ原料となる有機金属ＴＭＩ（トリメチルイ
ンジウム）、ＴＥＧ（トリエチルガリウム）、ＴＢＡ
（モノｔ−ブチルアルシン）が入っている。マスフロー
コントローラ２４、２５、２６により流量制御されたキ
ャリアガスが前記のバブラー内でバブリングすることに
より有機金属ガスが供給される。圧力計１８、１９、２
０によりバブラー内の圧力を検知し、フィードバック信
号を圧力調整弁１５、１６、１７に伝達してバブラー内
の圧力を一定値：ＰB に保つ。通常バブラー内の圧力は
大気圧に保たれている。それぞれのバブラーから供給さ
れた有機金属ガスは配管１４により反応管１に輸送され
る。反応管１は石英ガラスで造られている。その中にＩ
ｎＰ基板４を乗せたカーボン製のサセプター３があり、
サセプター回転機構５の回転軸を中心に回転している。
高周波誘導コイル２により基板加熱を行う。反応管内は
排気用ロータリーポンプ６により排気され、減圧状態で
成長を行う。反応管内の圧力は圧力計７により検知さ
れ、圧力調整弁８により一定値：ＰR に保たれる。通常
ＰR は１００トール前後の値に設定される。基板全面に
わたり均一な組成と層厚の分布を得るためには反応管内
のガスの流速分布を制御する必要がある。そのため、特
開平３−６０１１５号公報に示されているように、基板
に対向して開口する複数のノズル９を反応管に設け、各
ノズルから流れる原料ガス流量をノズルの上流に設けら
れたマスフローコントローラ１０、１１、１２、１３に
より適当に割り振ることにより反応管内の流速分布を制
御している。その結果、組成と層厚の均一なＩｎＧａＡ
ｓ層が成長できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術においては配管１４内の圧力をコントロールする機
構を設けていないため、原料ガスの流れに沿った圧力分
布は図２に示すようになる。図２は、上記従来の技術に
おける、原料ガスの流れに沿った圧力分布を、ガス流に
沿って計った距離（横軸）と、圧力（縦軸）との関係で
示した図である。すなわち、マスフローコントローラ１
０、１１、１２、１３の入口側と出口側の圧力差がな
い。そのため、マスフローコントローラは正規の動作が
できず、成長回ごとにばらつきが起こる。その様子を図
６に示す。すなわち図６は、従来の技術における効果
を、成長回数（横軸）と、マスフローコントローラ指示
値（sccm、縦軸）との関係で示した図である。図６に示
すように、流量の大きい１０００sccmのマスフローコン
トローラの指示値は常に設定値よりも小さい。これは大
流量を流すためには大きな差圧が必要なためである。流
量の小さい３００sccmのマスフローコントローラの指示
値はほぼ設定値に等しい。中間の流量７００sccmと５０
０sccmのマスフローコントローラの指示値は設定値の周
りにばらついている。本発明の目的は、マスフローコン
トローラ１０、１１、１２、１３の流量を安定させ、所
望の流量比に原料ガスを正確に分岐する方法を提供する
ことにある。
技術においては配管１４内の圧力をコントロールする機
構を設けていないため、原料ガスの流れに沿った圧力分
布は図２に示すようになる。図２は、上記従来の技術に
おける、原料ガスの流れに沿った圧力分布を、ガス流に
沿って計った距離（横軸）と、圧力（縦軸）との関係で
示した図である。すなわち、マスフローコントローラ１
０、１１、１２、１３の入口側と出口側の圧力差がな
い。そのため、マスフローコントローラは正規の動作が
できず、成長回ごとにばらつきが起こる。その様子を図
６に示す。すなわち図６は、従来の技術における効果
を、成長回数（横軸）と、マスフローコントローラ指示
値（sccm、縦軸）との関係で示した図である。図６に示
すように、流量の大きい１０００sccmのマスフローコン
トローラの指示値は常に設定値よりも小さい。これは大
流量を流すためには大きな差圧が必要なためである。流
量の小さい３００sccmのマスフローコントローラの指示
値はほぼ設定値に等しい。中間の流量７００sccmと５０
０sccmのマスフローコントローラの指示値は設定値の周
りにばらついている。本発明の目的は、マスフローコン
トローラ１０、１１、１２、１３の流量を安定させ、所
望の流量比に原料ガスを正確に分岐する方法を提供する
ことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明を概説すれば、本
発明は有機金属気相成長装置に関する発明であって、有
機金属の入ったバブラー内の圧力を一定値：ＰB に保ち
つつ、該バブラー内においてキャリアガスをバブリング
させることにより該有機金属ガスを供給する機構、複数
の該バブラーから供給された有機金属ガスを反応管まで
輸送する配管、一定の流量比に該有機金属ガスを分岐
し、複数のノズルから反応管に供給する機構、及び反応
管内の圧力を大気圧よりも低い圧力：ＰR に保ちつつ基
板上に薄膜を成長させる機構を有する有機金属気相成長
装置において、該有機金属ガスを反応管まで輸送する配
管に、該配管内の圧力を一定値：ＰC に保つ機構を設け
たことを特徴とする。
発明は有機金属気相成長装置に関する発明であって、有
機金属の入ったバブラー内の圧力を一定値：ＰB に保ち
つつ、該バブラー内においてキャリアガスをバブリング
させることにより該有機金属ガスを供給する機構、複数
の該バブラーから供給された有機金属ガスを反応管まで
輸送する配管、一定の流量比に該有機金属ガスを分岐
し、複数のノズルから反応管に供給する機構、及び反応
管内の圧力を大気圧よりも低い圧力：ＰR に保ちつつ基
板上に薄膜を成長させる機構を有する有機金属気相成長
装置において、該有機金属ガスを反応管まで輸送する配
管に、該配管内の圧力を一定値：ＰC に保つ機構を設け
たことを特徴とする。
【０００６】本発明は、配管１４内の圧力を調整する機
構を設けることを最も主要な特徴とする。その結果、図
１に示すようにマスフローコントローラ１０、１１、１
２、１３の入口側と出口側との間に圧力差ＰC −ＰR が
生じ、流量が安定し原料ガスを正確に分岐できる。すな
わち図１は本発明における、原料ガスの流れに沿った圧
力分布を、ガス流に沿って計った距離（横軸）と、圧力
（縦軸）との関係で示した図である。
構を設けることを最も主要な特徴とする。その結果、図
１に示すようにマスフローコントローラ１０、１１、１
２、１３の入口側と出口側との間に圧力差ＰC −ＰR が
生じ、流量が安定し原料ガスを正確に分岐できる。すな
わち図１は本発明における、原料ガスの流れに沿った圧
力分布を、ガス流に沿って計った距離（横軸）と、圧力
（縦軸）との関係で示した図である。
【０００７】本発明の実施態様を例示すれば、下記のよ
うなものが挙げられる。 該ＰC の調整を、複数のバブラーから供給される有
機金属ガスを反応管まで輸送する配管に合流する補償ラ
インに設けられたマスフローコントローラにより行う。 該ＰC の調整を、一定の流量比に有機金属ガスを分
岐し複数のノズルから反応管に供給するための分岐回路
に並列に設けられた排気部へ通ずるラインに取付けられ
たマスフローコントローラ、又は流量可変バルブで行
う。 前記各場合に、一定の流量比に有機金属ガスを分岐
し複数のノズルにより反応管に供給する機構を、複数の
マスフローコントローラを用いることにより達成する。
うなものが挙げられる。 該ＰC の調整を、複数のバブラーから供給される有
機金属ガスを反応管まで輸送する配管に合流する補償ラ
インに設けられたマスフローコントローラにより行う。 該ＰC の調整を、一定の流量比に有機金属ガスを分
岐し複数のノズルから反応管に供給するための分岐回路
に並列に設けられた排気部へ通ずるラインに取付けられ
たマスフローコントローラ、又は流量可変バルブで行
う。 前記各場合に、一定の流量比に有機金属ガスを分岐
し複数のノズルにより反応管に供給する機構を、複数の
マスフローコントローラを用いることにより達成する。
【０００８】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に具体的に説
明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
【０００９】実施例１ 図４は、本発明の第１の実施例を示す図である。図４に
おいて、符号１〜２６は図３と同義であり、２７は圧力
計、２８は補償ライン、２９はマスフローコントローラ
を意味する。配管１４内の圧力を調節するため補償ライ
ン２８を新たに設け、圧力計２７からのフィードバック
信号によりマスフローコントローラ２９により圧力を調
整する。このときマスフローコントローラ１０、１１、
１２、１３の設定値の総和は、マスフローコントローラ
２４、２５、２６の設定値の総和よりも大きくする必要
がある（例えば１．２倍）。また配管１４内の圧力：Ｐ
C と反応管内の圧力：ＰR との差は、流量を安定させる
ためマスフローコントローラの最小動作差圧よりも高く
する必要がある。図５には、本発明を用いて行った三元
混晶ＩｎＧａＡｓの成長におけるマスフローコントロー
ラ１０、１１、１２、１３の指示値を成長回ごとにプロ
ットしたものを示す。すなわち、図５は、本発明の効果
を、成長回数（横軸）と、マスフローコントローラ指示
値（sccm、縦軸）との関係で示した図である。マスフロ
ーコントローラ２４、２５、２６の設定値はそれぞれ７
００、７００、５００sccmであり、マスフローコントロ
ーラ１０、１１、１２、１３の設定値はそれぞれ１００
０、７００、５００、３００sccmである。配管１４内の
圧力ＰC は３００トール、反応管内の圧力ＰR は１００
トールに設定している。ＰC とＰR の差２００トールは
本実施例で用いたマスフローコントローラの最小動作差
圧よりも大きい。マスフローコントローラ１０、１１、
１２、１３の指示値はいつもそれぞれの設定値を示し、
成長回ごとに変動しない。一方Ｐc を１５０トールに設
定すると、マスフローコントローラ１０、１１、１２、
１３の指示値は成長回ごとに変動し、既述の図６のよう
になった。ＰC とＰR の差５０トールは本実施例で用い
たマスフローコントローラの最小動作差圧よりも小さい
からである。
おいて、符号１〜２６は図３と同義であり、２７は圧力
計、２８は補償ライン、２９はマスフローコントローラ
を意味する。配管１４内の圧力を調節するため補償ライ
ン２８を新たに設け、圧力計２７からのフィードバック
信号によりマスフローコントローラ２９により圧力を調
整する。このときマスフローコントローラ１０、１１、
１２、１３の設定値の総和は、マスフローコントローラ
２４、２５、２６の設定値の総和よりも大きくする必要
がある（例えば１．２倍）。また配管１４内の圧力：Ｐ
C と反応管内の圧力：ＰR との差は、流量を安定させる
ためマスフローコントローラの最小動作差圧よりも高く
する必要がある。図５には、本発明を用いて行った三元
混晶ＩｎＧａＡｓの成長におけるマスフローコントロー
ラ１０、１１、１２、１３の指示値を成長回ごとにプロ
ットしたものを示す。すなわち、図５は、本発明の効果
を、成長回数（横軸）と、マスフローコントローラ指示
値（sccm、縦軸）との関係で示した図である。マスフロ
ーコントローラ２４、２５、２６の設定値はそれぞれ７
００、７００、５００sccmであり、マスフローコントロ
ーラ１０、１１、１２、１３の設定値はそれぞれ１００
０、７００、５００、３００sccmである。配管１４内の
圧力ＰC は３００トール、反応管内の圧力ＰR は１００
トールに設定している。ＰC とＰR の差２００トールは
本実施例で用いたマスフローコントローラの最小動作差
圧よりも大きい。マスフローコントローラ１０、１１、
１２、１３の指示値はいつもそれぞれの設定値を示し、
成長回ごとに変動しない。一方Ｐc を１５０トールに設
定すると、マスフローコントローラ１０、１１、１２、
１３の指示値は成長回ごとに変動し、既述の図６のよう
になった。ＰC とＰR の差５０トールは本実施例で用い
たマスフローコントローラの最小動作差圧よりも小さい
からである。
【００１０】実施例２ 図７は本発明の第２の実施例を示す図である。図７にお
いて、符号１〜２７は図４と同義であり、３０は圧力調
整弁、３１は排気用ラインを意味する。マスフローコン
トローラ１０、１１、１２、１３と並列に、排気部に通
ずるライン３１を設け、圧力調整弁３０により配管１４
内の圧力を調整する。このときマスフローコントローラ
１０、１１、１２、１３の設定値の総和は、マスフロー
コントローラ２４、２５、２６の設定値の総和よりも小
さくする必要がある。
いて、符号１〜２７は図４と同義であり、３０は圧力調
整弁、３１は排気用ラインを意味する。マスフローコン
トローラ１０、１１、１２、１３と並列に、排気部に通
ずるライン３１を設け、圧力調整弁３０により配管１４
内の圧力を調整する。このときマスフローコントローラ
１０、１１、１２、１３の設定値の総和は、マスフロー
コントローラ２４、２５、２６の設定値の総和よりも小
さくする必要がある。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明を用いれば、
反応管内の原料ガスの流速分布を制御するために設けた
複数のノズルに原料ガスを割り振る際、マスフローコン
トローラの入口側と出口側とに十分な圧力差を付けるこ
とができる。そのためマスフローコントローラの流量が
安定した成長回ごとに変動することがない。これにより
正確な流量制御が可能となり基板全面にわたり組成と層
厚が均一な三元及び四元混晶層を成長することができ
る。
反応管内の原料ガスの流速分布を制御するために設けた
複数のノズルに原料ガスを割り振る際、マスフローコン
トローラの入口側と出口側とに十分な圧力差を付けるこ
とができる。そのためマスフローコントローラの流量が
安定した成長回ごとに変動することがない。これにより
正確な流量制御が可能となり基板全面にわたり組成と層
厚が均一な三元及び四元混晶層を成長することができ
る。
【図１】本発明における原料ガスの流れに沿った圧力分
布を示す図である。
布を示す図である。
【図２】従来の技術における原料ガスの流れに沿った圧
力分布を示す図である。
力分布を示す図である。
【図３】従来技術の装置構成を説明する図である。
【図４】本発明の第１の実施例を説明する図である。
【図５】本発明の効果を示す図である。
【図６】従来技術の効果を示す図である。
【図７】本発明の第２の実施例を説明する図である。
１：反応管、２：高周波誘導コイル、３：カーボン製サ
セプター、４：半導体基板、５：サセプター回転機構、
６：排気用ロータリーポンプ、７：圧力計、８：圧力調
整弁、９：ノズル、１０、１１、１２、１３：マスフロ
ーコントローラ、１４：原料ガスを反応管へ輸送する配
管、１５、１６、１７：圧力調整弁、１８、１９、２
０：圧力計、２１、２２、２３：有機金属の入ったバブ
ラー、２４、２５、２６：マスフローコントローラ、２
７：圧力計、２８：補償ライン、２９：マスフローコン
トローラ、３０：圧力調整弁、３１：排気用ライン
セプター、４：半導体基板、５：サセプター回転機構、
６：排気用ロータリーポンプ、７：圧力計、８：圧力調
整弁、９：ノズル、１０、１１、１２、１３：マスフロ
ーコントローラ、１４：原料ガスを反応管へ輸送する配
管、１５、１６、１７：圧力調整弁、１８、１９、２
０：圧力計、２１、２２、２３：有機金属の入ったバブ
ラー、２４、２５、２６：マスフローコントローラ、２
７：圧力計、２８：補償ライン、２９：マスフローコン
トローラ、３０：圧力調整弁、３１：排気用ライン
Claims (4)
- 【請求項１】 有機金属の入ったバブラー内の圧力を一
定値：ＰB に保ちつつ、該バブラー内においてキャリア
ガスをバブリングさせることにより該有機金属ガスを供
給する機構、複数の該バブラーから供給された有機金属
ガスを反応管まで輸送する配管、一定の流量比に該有機
金属ガスを分岐し、複数のノズルから反応管に供給する
機構、及び反応管内の圧力を大気圧よりも低い圧力：Ｐ
R に保ちつつ基板上に薄膜を成長させる機構を有する有
機金属気相成長装置において、該有機金属ガスを反応管
まで輸送する配管に、該配管内の圧力を一定値：ＰC に
保つ機構を設けたことを特徴とする有機金属気相成長装
置。 - 【請求項２】 該ＰC の調整を、複数のバブラーから供
給される有機金属ガスを反応管まで輸送する配管に合流
する補償ラインに設けられたマスフローコントローラに
より行うことを特徴とする請求項１に記載の有機金属気
相成長装置。 - 【請求項３】 該ＰC の調整を、一定の流量比に有機金
属ガスを分岐し複数のノズルから反応管に供給するため
の分岐回路に並列に設けられた排気部へ通ずるラインに
取付けられたマスフローコントローラ、又は流量可変バ
ルブで行うことを特徴とする請求項１に記載の有機金属
気相成長装置。 - 【請求項４】 一定の流量比に有機金属ガスを分岐し複
数のノズルにより反応管に供給する機構を、複数のマス
フローコントローラを用いることにより達成することを
特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機金
属気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3184017A JP2567309B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 有機金属気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3184017A JP2567309B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 有機金属気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121336A JPH05121336A (ja) | 1993-05-18 |
| JP2567309B2 true JP2567309B2 (ja) | 1996-12-25 |
Family
ID=16145885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3184017A Expired - Fee Related JP2567309B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 有機金属気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2567309B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3415862B2 (ja) * | 1992-07-06 | 2003-06-09 | 株式会社フジクラ | Ｃｖｄ原料気化装置 |
| JP4232279B2 (ja) * | 1999-07-06 | 2009-03-04 | ソニー株式会社 | 気相成長装置 |
| CN108351240B (zh) * | 2015-08-31 | 2020-10-20 | Mks 仪器公司 | 在非临界流量条件下基于压力的流量控制的方法和装置 |
| JP7302447B2 (ja) * | 2019-11-20 | 2023-07-04 | 信越半導体株式会社 | 気相成膜装置 |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP3184017A patent/JP2567309B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05121336A (ja) | 1993-05-18 |
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