JP3707079B2 - 化合物半導体薄膜成長方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、有機金属気相成長法で化合物半導体薄膜を成長する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、有機金属気相成長法で化合物半導体薄膜を成長するときに、成長室に接続するランラインと系外に放出するベントラインを設け、V族原料ガスの切り換え時に水素ガスをランラインに供給して、成長室へのガス流速並びに成長室内の圧力を一定にして成長条件の変動を防止することが行われていた。
【0003】
図2は、従来の有機金属気相成長法を実施するときのV族原料ガスの供給ラインを示した説明図である。成長室6に接続するランライン1と系外に放出するためのベントライン2を備え、両ラインにはマスフローコントローラー3で流量を制御された水素ガスを常時流し、また、マスフローコントローラー3で流量制御されたアルシン又はホスフィンをV族原料供給ライン4からランライン1の水素ガスに添加して成長室6に供給して気相成長を行う。V族原料ガスを切り換えてベントライン2に流すときには、ダミーライン5からの水素ガスをランライン1の水素ガスに添加して成長室6に供給することにより、成長室6に流れるガスの流速を一定にし、かつ、成長室6内の成長圧力も一定にして、安定した成長条件の下での気相成長を行うものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記の方法では、V族原料ガスと水素ガスの比熱が異なるため、前記ガスの切り換え時に、ガスの接触する基板表面温度が変化し、一定の成長条件の下での気相成長を妨げる原因となっていた。
そこで、本発明では、上記の問題を解消し、有機金属気相成長法で化合物半導体薄膜を気相成長する際に、基板表面に供給するガスの切り換えによる基板表面温度の変化を防止し、一定の成長条件の下における化合物半導体薄膜の気相成長を可能にする方法を提供しようとするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は、成長室に接続するランラインと系外に放出するベントラインを備え、V族原料供給ラインとダミーラインを上記のランラインとベントラインに交互に接続して有機金属気相成長法で化合物半導体薄膜を成長する方法において、V族原料にアルシン及び/又はホスフィンを用い、V族原料供給ラインのガスの比熱とほぼ同じ比熱を有し、該V族原料供給ラインのガスとは平均分子量の異なるガスをダミーライン用ガスとして用いることを特徴とする化合物半導体薄膜の成長方法である。なお、ダミーライン用ガスとしては、窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスと水素の混合比率を調整することにより、V族原料ガスとほぼ同じ比熱のガスを供給することができる。
【0006】
【作用】
図1は、本発明の方法を実施するときのV族原料ガスの供給ラインを示した説明図であり、図2との相違はダミーライン5の水素ガスに窒素ガス等の不活性ガスを添加するライン7を付設し、マスフローコントローラー3により混合比率を調節可能にしたものであるが、その他の構成については違いがないので説明を省略する。
【0007】
仮に、V族原料ガスに5%に希釈した水素ベースのアルシンを用い、ダミーラインに水素を用いる場合を想定すると、以下のとおりになる。
定圧比熱:Cp(AsH3 5%)=1.188(cal/g・K)
定圧比熱:Cp(H2 ) =3.445(cal/g・K)
混合ガスの比熱は次のように求められる。
CpAB=KA ( ρA /ρAB)CpA +KB ( ρB /ρAB)CpB
ρAB=KA ρA +KB ρB
式中、CpAB:混合ガスの定積比熱
CpA :ガスAの定積比熱
CpB :ガスBの定積比熱
ρAB :混合ガスの比重
ρA :ガスAの比重
ρB :ガスBの比重
KA :ガスAの濃度比
KB :ガスBの濃度比
【0008】
5%アルシンの比熱と水素の比熱は上記のように大きく異なる。そこで、水素に約17.4%の窒素を加えると、その比熱はCpH2N2≒1.189となり、5%のアルシンガスの比熱と一致させることができる。
したがって、図1のダミーラインには、窒素が17.4%含まれる水素を流すことにより、流量、比熱ともにV族原料ガスと同等に扱うことができ、基板の成長温度を一定にして成長させることができるようになった。
【0009】
同様に、V族原料ガスに20%に希釈した水素ベースのホスフィン〔定圧比熱:Cp(PH3 20%)=0.866(cal/g・K)〕を用いる場合は、水素に約23.0%の窒素を加えると、その比熱はCpH2N2≒0.866となり、20%のホスフィンガスの比熱と一致させることができる。
【0010】
【実施例】
(実施例1)
図1の装置を用い、InP基板上にInP/InGaAsP/InP薄膜を成長させた。
基板温度を室温から成長温度である650℃に昇温させた。このとき、基板の表面状態を維持するために、20%ホスフィンを200sccmで基板上に供給し、ホスフィンに対応するダミーラインには23.0%の窒素を含む水素ガスをホスフィンと同流量ベント側に流しておいた。
【0011】
さらに、InGaAsPを成長させるのに必要な5%アルシン100sccmをベント側に流しておき、対応するダミーラインには17.4%の窒素を含む水素ガスをアルシンと同流量流し、反応管へ流しておいた。
そして、基板温度が安定した後、In原料を加え、厚さ1μmのInP層を成長させた。
【0012】
上記InPのエピタキシャル成長は、In原料を反応管側からベント側に切り換えることにより成長を終了させ、ベント側に流していた5%アルシン100sccmを反応管側に加え、同時に対応するダミーラインである17.4%の窒素を含む水素ガス100sccmを反応管側からベント側へ切り換えた。さらに、In、Ga原料を加えて厚さ0.1μmのInGaAsP層を成長させた。
【0013】
上記のInGaAsP層は、In、Ga原料を反応管側からベント側に切り換えることにより成長を終了させ、続いて、5%アルシン100sccmを反応管側からベント側に切り換え、同時に対応している17.4%の窒素を含む水素100sccmのダミーラインを反応管側に切り換え、In原料を加えて厚さ1μmのInP層を成長させた。その後、In原料をベント側に切り換えて成長を終了した。
この間の基板温度の変動は0.1℃以下であり、InGaAsPエピタキシャル層の組成は設計通りのものが得られた。
【0014】
【発明の効果】
本発明は、上記の構成を採用することにより、V族原料ガスの切り換えにともなう成長温度の変動を抑制することができ、安定した成長条件の下で薄膜を成長させることが可能になった。例えば、成長温度に敏感なInGaAsPのエピタキシャル成長などにおいては有効である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の方法を実施する装置の説明図である。
【図2】従来の有機金属気相成長方法を実施する装置の説明図である。
Claims (2)
- 成長室に接続するランラインと系外に放出するベントラインを備え、V族原料供給ラインとダミーラインを上記のランラインとベントラインに交互に接続して有機金属気相成長法で化合物半導体薄膜を成長する方法において、V族原料にアルシン及び/又はホスフィンを用い、V族原料供給ラインのガスの比熱とほぼ同じ比熱を有し、該V族原料供給ラインのガスとは平均分子量の異なるガスをダミーライン用ガスとして用いることを特徴とする化合物半導体薄膜の成長方法。
- ダミーライン用ガスとして、窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスと水素との混合ガスを用いることを特徴とする請求項1記載の化合物半導体薄膜の成長方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10695094A JP3707079B2 (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 化合物半導体薄膜成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP10695094A JP3707079B2 (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 化合物半導体薄膜成長方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH07315986A JPH07315986A (ja) | 1995-12-05 |
JP3707079B2 true JP3707079B2 (ja) | 2005-10-19 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP10695094A Expired - Fee Related JP3707079B2 (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 化合物半導体薄膜成長方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3707079B2 (ja) |
-
1994
- 1994-05-20 JP JP10695094A patent/JP3707079B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JPH07315986A (ja) | 1995-12-05 |
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