JPH06172084A - 化合物半導体のエピタキシャル成長方法及び装置 - Google Patents
化合物半導体のエピタキシャル成長方法及び装置Info
- Publication number
- JPH06172084A JPH06172084A JP32708992A JP32708992A JPH06172084A JP H06172084 A JPH06172084 A JP H06172084A JP 32708992 A JP32708992 A JP 32708992A JP 32708992 A JP32708992 A JP 32708992A JP H06172084 A JPH06172084 A JP H06172084A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 塩化物法による気相エピタキシャル成長にお
いて、２Ｂ族元素を用いたｐ型のドーピングを再現性良
く行う。 【構成】 常温でガス状の２Ｂ族元素の有機化合物をド
ーパントとして用い、所定の温度に保たれた領域でハロ
ゲン化合物と十分に混合させた後、この混合気を３Ｂ族
元素原料と接触させることなく基板結晶上に供給する。 【効果】 ｐ型ドーピングの制御性が飛躍的に向上し、
またｐｎ接合を連続的に形成することができるため、複
雑な構造のデバイスの作製が可能となる。
いて、２Ｂ族元素を用いたｐ型のドーピングを再現性良
く行う。 【構成】 常温でガス状の２Ｂ族元素の有機化合物をド
ーパントとして用い、所定の温度に保たれた領域でハロ
ゲン化合物と十分に混合させた後、この混合気を３Ｂ族
元素原料と接触させることなく基板結晶上に供給する。 【効果】 ｐ型ドーピングの制御性が飛躍的に向上し、
またｐｎ接合を連続的に形成することができるため、複
雑な構造のデバイスの作製が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は化合物半導体の塩化物法
による気相エピタキシャル（ＶＰＥ）成長において、２
Ｂ族元素を用いたｐ型のドーピングに関するものであ
る。
による気相エピタキシャル（ＶＰＥ）成長において、２
Ｂ族元素を用いたｐ型のドーピングに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、３Ｂ族及び５Ｂ族からなる化合物
半導体へ２Ｂ族元素をドーピングする場合、それがＶＰ
Ｅ法の場合、蒸気圧の高い２Ｂ族元素の性質を生かし
て、エピタキシャル成長用基板結晶よりガス流の上流側
に２Ｂ族元素をセットし、そこを流れるガス流量と温度
を制御することによりドーピング量を制御していた。
（G.H.Olsen et al.,IEEE J. Quantum Electron, Vol.Q
E-17, No.2, 128, (1981)）また、あらかじめ３Ｂ族元
素原料に２Ｂ族元素を溶かして合金としておき、成長に
用いることによってｐ型ドーピングを行っていた。（D.
J.Ashen et al.,J. Phys. Chem. Solids, Vol.36, 104
1, (1975)）
半導体へ２Ｂ族元素をドーピングする場合、それがＶＰ
Ｅ法の場合、蒸気圧の高い２Ｂ族元素の性質を生かし
て、エピタキシャル成長用基板結晶よりガス流の上流側
に２Ｂ族元素をセットし、そこを流れるガス流量と温度
を制御することによりドーピング量を制御していた。
（G.H.Olsen et al.,IEEE J. Quantum Electron, Vol.Q
E-17, No.2, 128, (1981)）また、あらかじめ３Ｂ族元
素原料に２Ｂ族元素を溶かして合金としておき、成長に
用いることによってｐ型ドーピングを行っていた。（D.
J.Ashen et al.,J. Phys. Chem. Solids, Vol.36, 104
1, (1975)）
【０００３】このような従来の技術では、あらかじめ蒸
気圧の高い２Ｂ族元素を反応管内の温度の高い部分にセ
ットしておいたり、３Ｂ族元素原料に２Ｂ族元素を溶か
して合金としておく必要があったため、ｐ型層とｎ型層
を連続でエピタキシャル成長させｐｎ接合を形成した
り、高純度層とドーピング層を連続してエピタキシャル
成長させることができなかった。
気圧の高い２Ｂ族元素を反応管内の温度の高い部分にセ
ットしておいたり、３Ｂ族元素原料に２Ｂ族元素を溶か
して合金としておく必要があったため、ｐ型層とｎ型層
を連続でエピタキシャル成長させｐｎ接合を形成した
り、高純度層とドーピング層を連続してエピタキシャル
成長させることができなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、塩化物法Ｖ
ＰＥにおいて、ｐ型ドーピング層が制御性、再現性良く
得られ、ｐｎ接合などｐ型ドーピング層、ｎ型ドーピン
グ層を連続的にエピタキシャル成長させることを可能と
する方法を提供することを目的としている。
ＰＥにおいて、ｐ型ドーピング層が制御性、再現性良く
得られ、ｐｎ接合などｐ型ドーピング層、ｎ型ドーピン
グ層を連続的にエピタキシャル成長させることを可能と
する方法を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の方法は、塩化物
法ＶＰＥ成長において、ドーパントに常温でガス状態で
供給可能な２Ｂ族元素の有機化合物を用いることを特徴
とする。この２Ｂ族元素の有機化合物を導入する際、−
３０℃以上４００℃以下の範囲の一定温度に保たれた領
域でハロゲン化合物と十分に混合させておき、この混合
気を３Ｂ族元素原料と接触させることなく４００℃以上
の領域を通過させて基板結晶上に供給する。
法ＶＰＥ成長において、ドーパントに常温でガス状態で
供給可能な２Ｂ族元素の有機化合物を用いることを特徴
とする。この２Ｂ族元素の有機化合物を導入する際、−
３０℃以上４００℃以下の範囲の一定温度に保たれた領
域でハロゲン化合物と十分に混合させておき、この混合
気を３Ｂ族元素原料と接触させることなく４００℃以上
の領域を通過させて基板結晶上に供給する。
【０００６】常温でガス状態で供給可能な２Ｂ族元素の
有機化合物として、ジエチル亜鉛、またはジメチル亜鉛
を用いる。また、ビスシクロペンタジエニルマグネシウ
ム、またはビスメチルシクロペンタジエニルマグネシウ
ムであっても同様の結果が得られる。ハロゲン化合物と
しては５Ｂ族元素の塩化物または塩化水素を用いる。ま
た、３Ｂ族元素原料への５Ｂ族塩化物原料の供給量に対
する、ドーパントと混合させるハロゲン化合物の供給量
の割合は０．０１以上、１．５以下とする。３Ｂ族元素
原料に供給する５Ｂ族塩化物原料の分圧は１０.１Ｐａ
〜５.１×１０3Ｐａ（１×１０-4〜５×１０-2atm）と
する。
有機化合物として、ジエチル亜鉛、またはジメチル亜鉛
を用いる。また、ビスシクロペンタジエニルマグネシウ
ム、またはビスメチルシクロペンタジエニルマグネシウ
ムであっても同様の結果が得られる。ハロゲン化合物と
しては５Ｂ族元素の塩化物または塩化水素を用いる。ま
た、３Ｂ族元素原料への５Ｂ族塩化物原料の供給量に対
する、ドーパントと混合させるハロゲン化合物の供給量
の割合は０．０１以上、１．５以下とする。３Ｂ族元素
原料に供給する５Ｂ族塩化物原料の分圧は１０.１Ｐａ
〜５.１×１０3Ｐａ（１×１０-4〜５×１０-2atm）と
する。
【０００７】本発明の化合物半導体のエピタキシャル成
長装置は、ドーパント供給管８とハロゲン化合物供給管
９とが接続された混合部１１、混合部温度制御装置６、
混合部１１と反応管１２との間に接続された混合気供給
管１０、および混合部温度制御装置６とは独立に温度制
御される混合気供給管温度制御装置７を備えたことを特
徴とする
長装置は、ドーパント供給管８とハロゲン化合物供給管
９とが接続された混合部１１、混合部温度制御装置６、
混合部１１と反応管１２との間に接続された混合気供給
管１０、および混合部温度制御装置６とは独立に温度制
御される混合気供給管温度制御装置７を備えたことを特
徴とする
【０００８】
【作用】塩化物法ＶＰＥにおいて、ドーパントである２
Ｂ族元素の有機化合物をあらかじめ−３０℃以上４００
℃以下の範囲の一定温度に保たれた領域でハロゲン化合
物と十分に混合させた後、３Ｂ族元素原料に接触させる
ことなく基板上に導入する。２Ｂ族元素の有機化合物を
あらかじめハロゲン化合物と混合してから熱を加えるこ
とによって、２Ｂ族元素が化合物半導体の成長層中へ混
入する機構に変化が生じ、容易にｐ型キャリア濃度が制
御できるようになる
Ｂ族元素の有機化合物をあらかじめ−３０℃以上４００
℃以下の範囲の一定温度に保たれた領域でハロゲン化合
物と十分に混合させた後、３Ｂ族元素原料に接触させる
ことなく基板上に導入する。２Ｂ族元素の有機化合物を
あらかじめハロゲン化合物と混合してから熱を加えるこ
とによって、２Ｂ族元素が化合物半導体の成長層中へ混
入する機構に変化が生じ、容易にｐ型キャリア濃度が制
御できるようになる
【０００９】また混合気を３Ｂ族元素原料に接触させる
ことなく基板上に導入するので、３Ｂ族元素原料がｐ型
ドーパントによって汚染されることがない。そのため、
成長中にｐ型からｎ型に切り替える場合ｐ型ドーパント
の供給を止めるだけで直ちにドーピングの切り替えがで
き、ｐ層とｎ層を連続して成長することが可能になる。
ことなく基板上に導入するので、３Ｂ族元素原料がｐ型
ドーパントによって汚染されることがない。そのため、
成長中にｐ型からｎ型に切り替える場合ｐ型ドーパント
の供給を止めるだけで直ちにドーピングの切り替えがで
き、ｐ層とｎ層を連続して成長することが可能になる。
【００１０】混合部の温度が−３０℃未満では供給する
２Ｂ族元素の有機化合物の凝固点以下であるために、こ
れが供給管内で凝結してしまい輸送できないという問題
が生じる。また４００℃を超えると分解し易い２Ｂ族元
素の有機化合物はハロゲン化合物と充分に混合しあう前
に分解してしまうためにｐ型キャリア濃度の制御ができ
なくなるという問題が生じる。
２Ｂ族元素の有機化合物の凝固点以下であるために、こ
れが供給管内で凝結してしまい輸送できないという問題
が生じる。また４００℃を超えると分解し易い２Ｂ族元
素の有機化合物はハロゲン化合物と充分に混合しあう前
に分解してしまうためにｐ型キャリア濃度の制御ができ
なくなるという問題が生じる。
【００１１】２Ｂ族元素の有機化合物は、熱が加わるこ
とによって容易に分解し、２Ｂ族元素金属と炭化水素と
に分解する。このガスを塩化物法ＶＰＥによってエピタ
キシャル成長反応が生じている領域に供給することによ
ってIII-V族化合物半導体中にこの２Ｂ族元素が混入
し、ｐ型不純物となるため、ｐ型のIII-V族化合物半導
体を得る。
とによって容易に分解し、２Ｂ族元素金属と炭化水素と
に分解する。このガスを塩化物法ＶＰＥによってエピタ
キシャル成長反応が生じている領域に供給することによ
ってIII-V族化合物半導体中にこの２Ｂ族元素が混入
し、ｐ型不純物となるため、ｐ型のIII-V族化合物半導
体を得る。
【００１２】ドーパントと混合するハロゲン化合物は５
Ｂ族塩化物原料を用いると良い。また、ハロゲン化合物
としてはＨＣｌを用いることもできる。一方、３Ｂ族元
素原料に供給する５Ｂ族塩化物原料に対し、ドーパント
の２Ｂ族元素の有機化合物と混合させるハロゲン化合物
を０．０１以上、１．５以下添加したとき、制御できる
キャリヤ濃度の範囲が拡大する。
Ｂ族塩化物原料を用いると良い。また、ハロゲン化合物
としてはＨＣｌを用いることもできる。一方、３Ｂ族元
素原料に供給する５Ｂ族塩化物原料に対し、ドーパント
の２Ｂ族元素の有機化合物と混合させるハロゲン化合物
を０．０１以上、１．５以下添加したとき、制御できる
キャリヤ濃度の範囲が拡大する。
【００１３】さらに、２Ｂ族元素の有機化合物を用い
て、３Ｂ族及び５Ｂ族からなる化合物半導体エピタキシ
ャル層へ２Ｂ族元素のドーピングをする際、３Ｂ族元素
原料に供給する５Ｂ族塩化物原料分圧が１０.１Ｐａ〜
５.１×１０3Ｐａ（１×１０-4〜５×１０-2atm）であ
ると、さらに制御できるキャリヤ濃度の範囲が拡大す
る。２Ｂ族元素の有機化合物とハロゲン化合物とを混合
させる部分における温度を一定に保つことによって、制
御性、再現性が向上する。
て、３Ｂ族及び５Ｂ族からなる化合物半導体エピタキシ
ャル層へ２Ｂ族元素のドーピングをする際、３Ｂ族元素
原料に供給する５Ｂ族塩化物原料分圧が１０.１Ｐａ〜
５.１×１０3Ｐａ（１×１０-4〜５×１０-2atm）であ
ると、さらに制御できるキャリヤ濃度の範囲が拡大す
る。２Ｂ族元素の有機化合物とハロゲン化合物とを混合
させる部分における温度を一定に保つことによって、制
御性、再現性が向上する。
【００１４】さらに、２Ｂ族元素の有機化合物とハロゲ
ン化合物とを混合させる部分から、３Ｂ族元素原料の部
分の温度と等しい部分までの間の温度を一定に保ち、か
つ混合部及び３Ｂ族元素原料部とは独立で温度を設定す
ることによって、制御性、再現性が更に向上すると共
に、制御できるキャリヤ濃度の範囲が拡大する。
ン化合物とを混合させる部分から、３Ｂ族元素原料の部
分の温度と等しい部分までの間の温度を一定に保ち、か
つ混合部及び３Ｂ族元素原料部とは独立で温度を設定す
ることによって、制御性、再現性が更に向上すると共
に、制御できるキャリヤ濃度の範囲が拡大する。
【００１５】
【実施例】次に示す方法は本発明の一具体例であって、
図１は塩化物法ＶＰＥによってＧａＡｓエピタキシャル
層をＧａＡｓ単結晶基板上に成長する設備の模式図であ
る。３Ｂ族元素原料にはＧａメタルを、５Ｂ族塩化物原
料にＡｓＣｌ3を、２Ｂ族元素の有機金属化合物にはジ
エチル亜鉛を用いた。キャリヤガスには水素を用い、Ｇ
ａメタルに接するルートからＡｓＣｌ3を１×１０2Ｐａ
（１×１０-3atm）の分圧で供給し、一方でＧａメタル
には接触しないルートからＡｓＣｌ3とジエチル亜鉛の
混合気を供給した。
図１は塩化物法ＶＰＥによってＧａＡｓエピタキシャル
層をＧａＡｓ単結晶基板上に成長する設備の模式図であ
る。３Ｂ族元素原料にはＧａメタルを、５Ｂ族塩化物原
料にＡｓＣｌ3を、２Ｂ族元素の有機金属化合物にはジ
エチル亜鉛を用いた。キャリヤガスには水素を用い、Ｇ
ａメタルに接するルートからＡｓＣｌ3を１×１０2Ｐａ
（１×１０-3atm）の分圧で供給し、一方でＧａメタル
には接触しないルートからＡｓＣｌ3とジエチル亜鉛の
混合気を供給した。
【００１６】図１において５Ｂ族塩化物原料であるＡｓ
Ｃｌ3はバブラ２に収容されており、ドーパントのジエ
チル亜鉛はバブラ５に収容されている。ジエチル亜鉛と
混合するＡｓＣｌ3はバブラ１に収容されていて、それ
ぞれドーパント供給管８およびハロゲン化合物供給管９
を通って混合部１１で混合される。混合気は混合気供給
管１０を通って反応管１２に供給される。混合部１１と
混合気供給管１０とはそれぞれ混合部温度制御装置６お
よび混合気供給管温度制御装置７によって、所定の温度
に保たれる。混合気は３Ｂ族元素原料であるＧａメタル
３に接触することなくＧａＡｓ単結晶基板４の上に導入
される。
Ｃｌ3はバブラ２に収容されており、ドーパントのジエ
チル亜鉛はバブラ５に収容されている。ジエチル亜鉛と
混合するＡｓＣｌ3はバブラ１に収容されていて、それ
ぞれドーパント供給管８およびハロゲン化合物供給管９
を通って混合部１１で混合される。混合気は混合気供給
管１０を通って反応管１２に供給される。混合部１１と
混合気供給管１０とはそれぞれ混合部温度制御装置６お
よび混合気供給管温度制御装置７によって、所定の温度
に保たれる。混合気は３Ｂ族元素原料であるＧａメタル
３に接触することなくＧａＡｓ単結晶基板４の上に導入
される。
【００１７】ジエチル亜鉛と混合するＡｓＣｌ3の分圧
は、Ｇａメタルへ供給したＡｓＣｌ３の１０％とした。
また、Ｇａメタル３を設置した部分の温度を９００℃
に、エピタキシャル成長用ＧａＡｓ単結晶基板４の部分
を７５０℃とした。その結果、成長したＧａＡｓ結晶の
キャリア濃度を調べると、ジエチル亜鉛の濃度を変化さ
せることにより、ｐ型キャリア濃度が１０１６ｃｍ-3〜
１０19ｃｍ-3の範囲で変化し、その再現性は±５％であ
った。
は、Ｇａメタルへ供給したＡｓＣｌ３の１０％とした。
また、Ｇａメタル３を設置した部分の温度を９００℃
に、エピタキシャル成長用ＧａＡｓ単結晶基板４の部分
を７５０℃とした。その結果、成長したＧａＡｓ結晶の
キャリア濃度を調べると、ジエチル亜鉛の濃度を変化さ
せることにより、ｐ型キャリア濃度が１０１６ｃｍ-3〜
１０19ｃｍ-3の範囲で変化し、その再現性は±５％であ
った。
【００１８】ジエチル亜鉛の代わりにジメチル亜鉛、ビ
スシクロペンタジエニルマグネシウム、またはビスメチ
ルシクロペンタジエニルマグネシウムを用いても同様の
結果が得られる。 また、ジエチル亜鉛と混合させるガ
スに、ＡｓＣｌ3の代わりにＨＣｌを用いても同様の結
果が得られる。Ｇａメタルとは接しないルートから加え
たＡｓＣｌ3を変化させた場合、さらにＧａに供給した
ＡｓＣｌ3を変化させた場合もそれぞれキャリヤ濃度が
変化し、更に広い範囲で安定したキャリヤ濃度の制御が
可能となる。
スシクロペンタジエニルマグネシウム、またはビスメチ
ルシクロペンタジエニルマグネシウムを用いても同様の
結果が得られる。 また、ジエチル亜鉛と混合させるガ
スに、ＡｓＣｌ3の代わりにＨＣｌを用いても同様の結
果が得られる。Ｇａメタルとは接しないルートから加え
たＡｓＣｌ3を変化させた場合、さらにＧａに供給した
ＡｓＣｌ3を変化させた場合もそれぞれキャリヤ濃度が
変化し、更に広い範囲で安定したキャリヤ濃度の制御が
可能となる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、塩化物法ＶＰＥで
III−V族化合物半導体へ２Ｂ族元素をドーピングする場
合、２Ｂ族有機金属化合物を用いることでｐ型のIII−V
族化合物半導体を得ることが可能となる。その際、２Ｂ
族有機金属化合物に少量のハロゲン化合物を加えてから
加熱、供給することにより、ｐ型キャリア濃度の制御
性、再現性を飛躍的に向上させることが可能となる。そ
のため、従来形成することができなかった半導体デバイ
スに不可欠なｐｎ接合を連続形成することが可能とな
り、塩化物法ＶＰＥでも複雑な構造のデバイスの作製が
可能となる。
III−V族化合物半導体へ２Ｂ族元素をドーピングする場
合、２Ｂ族有機金属化合物を用いることでｐ型のIII−V
族化合物半導体を得ることが可能となる。その際、２Ｂ
族有機金属化合物に少量のハロゲン化合物を加えてから
加熱、供給することにより、ｐ型キャリア濃度の制御
性、再現性を飛躍的に向上させることが可能となる。そ
のため、従来形成することができなかった半導体デバイ
スに不可欠なｐｎ接合を連続形成することが可能とな
り、塩化物法ＶＰＥでも複雑な構造のデバイスの作製が
可能となる。
【図１】本発明を実施する装置の一例を示す模式図であ
る。
る。
１、２：ＡｓＣｌ3を入れた気化器（バブラ） ３：Ｇａメタル ４：ＧａＡｓ単結晶基板 ５：ジエチル亜鉛を入れた気化器（バブラ） ６：混合部温度制御装置 ７：混合気供給管温度制御装置 ８：ドーパント供給管 ９：ハロゲン化合物供給管 １０：混合気供給管 １１：混合部 １２：反応管
Claims (7)
- 【請求項１】 加熱された反応管内に３Ｂ族元素原料お
よびエピタキシャル成長用基板結晶を配し、３Ｂ族元素
原料に対して水素ガスをキャリヤガスとして５Ｂ族塩化
物原料を供給し、基板結晶上に化合物半導体結晶薄膜の
成長を行う塩化物法気相エピタキシャル成長において、
ドーパントに２Ｂ族元素の有機化合物を用いることを特
徴とする化合物半導体のエピタキシャル成長方法。 - 【請求項２】 ２Ｂ族元素の有機化合物を、−３０℃以
上４００℃以下の範囲の一定温度に保たれた領域でハロ
ゲン化合物と混合させた後、この混合気を３Ｂ族元素原
料と接触させることなく４００℃以上の領域を通過させ
て基板結晶上に供給することを特徴とする、請求項１記
載の化合物半導体のエピタキシャル成長方法。 - 【請求項３】 ２Ｂ族元素の有機化合物がジエチル亜
鉛、ジメチル亜鉛、ビスシクロペンタジエニルマグネシ
ウム、およびビスメチルシクロペンタジエニルマグネシ
ウムからなる群から選ばれた化合物である請求項２に記
載の化合物半導体のエピタキシャル成長方法。 - 【請求項４】 ハロゲン化合物が５Ｂ族元素の塩化物ま
たは塩化水素であることを特徴とする請求項２または３
に記載の化合物半導体のエピタキシャル成長方法。 - 【請求項５】 ３Ｂ族元素原料への５Ｂ族塩化物原料の
供給量に対する、ドーパントと混合させるハロゲン化合
物の供給量の割合を０．０１以上、１．５以下とするこ
とを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の化合物
半導体のエピタキシャル成長方法。 - 【請求項６】 ３Ｂ族元素原料に供給する５Ｂ族塩化物
原料の分圧が１０.１Ｐａ〜５.１×１０3Ｐａ（１×１
０-4〜５×１０-2atm）であることを特徴とする請求項
１〜５のいずれかに記載の化合物半導体のエピタキシャ
ル成長方法。 - 【請求項７】 ドーパント供給管８とハロゲン化合物供
給管９とが接続された混合部１１、混合部温度制御装置
６、混合部１１と反応管１２との間に接続された混合気
供給管１０、および混合部温度制御装置６とは独立に温
度制御される混合気供給管温度制御装置７を備えたこと
を特徴とする化合物半導体のエピタキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32708992A JPH06172084A (ja) | 1992-12-08 | 1992-12-08 | 化合物半導体のエピタキシャル成長方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32708992A JPH06172084A (ja) | 1992-12-08 | 1992-12-08 | 化合物半導体のエピタキシャル成長方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06172084A true JPH06172084A (ja) | 1994-06-21 |
Family
ID=18195176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32708992A Pending JPH06172084A (ja) | 1992-12-08 | 1992-12-08 | 化合物半導体のエピタキシャル成長方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06172084A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD151Z (ro) * | 2008-12-30 | 2010-09-30 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de creştere a straturilor epitaxiale GaAs într-un reactor orizontal |
-
1992
- 1992-12-08 JP JP32708992A patent/JPH06172084A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD151Z (ro) * | 2008-12-30 | 2010-09-30 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de creştere a straturilor epitaxiale GaAs într-un reactor orizontal |
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