JPH10182282A - 気相成長装置及び結晶成長方法 - Google Patents
気相成長装置及び結晶成長方法Info
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- JPH10182282A JPH10182282A JP34720296A JP34720296A JPH10182282A JP H10182282 A JPH10182282 A JP H10182282A JP 34720296 A JP34720296 A JP 34720296A JP 34720296 A JP34720296 A JP 34720296A JP H10182282 A JPH10182282 A JP H10182282A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高温成長材料を高品質で再現性よく、大面積
で成長できる気相成長装置及びその結晶成長方法を課題
とする。 【解決手段】 原料ガス１４を基板１３に吹き付ける気
相成長装置において、原料ガス１４の吹き出し口１２ａ
の周囲に原料ガス以外のガス１５の吹き出し口を有し、
上記原料ガスを基板周囲或いは周囲を通過してガス排気
１６する。
で成長できる気相成長装置及びその結晶成長方法を課題
とする。 【解決手段】 原料ガス１４を基板１３に吹き付ける気
相成長装置において、原料ガス１４の吹き出し口１２ａ
の周囲に原料ガス以外のガス１５の吹き出し口を有し、
上記原料ガスを基板周囲或いは周囲を通過してガス排気
１６する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、気相成長装置及び
結晶成長方法に関するものである。
結晶成長方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、気相成長には、図４に示すよう
な、基板０１の上部から垂直に原料ガス０２を該基板０
１に吹き付ける構造の成長炉０３が用いられている。
尚、符号０４はガス排気を図示する。この成長炉は、い
わゆる縦型気相成長装置と称されており、該成長炉で用
いて成長する材料としては、ＩｎＰやＧａＡｓ等が主で
あった。これらの材料の成長において成長炉内の圧力
を、0.１気圧程度の減圧としている。このような減圧と
する理由は、用いられる原料同士が基板０１に到達する
前に気相中で反応（中間反応）し易いためである。この
ため、ガスの流速を速めて中間反応を防止している。ま
た、成長温度を、６００〜７００℃としている。
な、基板０１の上部から垂直に原料ガス０２を該基板０
１に吹き付ける構造の成長炉０３が用いられている。
尚、符号０４はガス排気を図示する。この成長炉は、い
わゆる縦型気相成長装置と称されており、該成長炉で用
いて成長する材料としては、ＩｎＰやＧａＡｓ等が主で
あった。これらの材料の成長において成長炉内の圧力
を、0.１気圧程度の減圧としている。このような減圧と
する理由は、用いられる原料同士が基板０１に到達する
前に気相中で反応（中間反応）し易いためである。この
ため、ガスの流速を速めて中間反応を防止している。ま
た、成長温度を、６００〜７００℃としている。
【０００３】また、固相からＶ族原子の脱離を防止する
ために、結晶成長時には、Ｖ族原料と III族原料との供
給比、すなわち、Ｖ／III 比として、２００〜３００が
用いられている。以上の方法で、高品質で、膜厚均一性
の良い結晶を成長していた。
ために、結晶成長時には、Ｖ族原料と III族原料との供
給比、すなわち、Ｖ／III 比として、２００〜３００が
用いられている。以上の方法で、高品質で、膜厚均一性
の良い結晶を成長していた。
【０００４】一方、青色発光素子原料であるＩｎ1-X-Y
ＧａX ＡｌY Ｎ（０≦X,Y 、X+Y ≦１）の成長において
は、固相上の窒素の平衡蒸気圧が高いため、減圧成長で
は結晶表面からの窒素の脱離を生じる、という問題があ
る。この脱離を防止するために、成長炉内の圧力を高く
する必要がある。さらに、Ｖ／III 比を数千以上に大き
くする必要もある。また、窒素原料として用いるアンモ
ニアガスは、窒素原子やＮＨやＮＨ2 の形で結晶表面で
反応して、結晶成長が行われる。このような形へのアン
モニアの分解は、１０００℃でさえ１％以下といわれて
いる。そこで、分解の高効率化のためにも、高温状態と
することが必要である。
ＧａX ＡｌY Ｎ（０≦X,Y 、X+Y ≦１）の成長において
は、固相上の窒素の平衡蒸気圧が高いため、減圧成長で
は結晶表面からの窒素の脱離を生じる、という問題があ
る。この脱離を防止するために、成長炉内の圧力を高く
する必要がある。さらに、Ｖ／III 比を数千以上に大き
くする必要もある。また、窒素原料として用いるアンモ
ニアガスは、窒素原子やＮＨやＮＨ2 の形で結晶表面で
反応して、結晶成長が行われる。このような形へのアン
モニアの分解は、１０００℃でさえ１％以下といわれて
いる。そこで、分解の高効率化のためにも、高温状態と
することが必要である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のことから、Ｉｎ
1-X-Y ＧａX ＡｌY Ｎの成長においては、成長圧力を高
く、成長温度も高いことが必要である。この常圧・高温
の成長条件は、従来の気相成長装置や成長方法を用いる
と、該成長中に、反応炉内でガスの対流を引き起こし、
原料ガスの中間反応を起こし易くする。その結果、膜厚
の不均一性や、制御性の良い結晶成長の基本となる成長
速度の原料供給律則がくずれる、という問題がある。
1-X-Y ＧａX ＡｌY Ｎの成長においては、成長圧力を高
く、成長温度も高いことが必要である。この常圧・高温
の成長条件は、従来の気相成長装置や成長方法を用いる
と、該成長中に、反応炉内でガスの対流を引き起こし、
原料ガスの中間反応を起こし易くする。その結果、膜厚
の不均一性や、制御性の良い結晶成長の基本となる成長
速度の原料供給律則がくずれる、という問題がある。
【０００６】さらに、原料ガスの対流のために、成長炉
壁にフレーク状の物質が付着し、基板上にフレークが落
下するという、不具合が生じ、頻繁に成長炉をクリーニ
ングする必要があり、装置の可動効率が低下するとい
う、問題がある。
壁にフレーク状の物質が付着し、基板上にフレークが落
下するという、不具合が生じ、頻繁に成長炉をクリーニ
ングする必要があり、装置の可動効率が低下するとい
う、問題がある。
【０００７】これらの問題は、Ｉｎ1-X-Y ＧａX ＡｌY
Ｎの成長に関するばかりでなく、高温環境下用、且つ大
電流動作用トランジスタ材料として期待されているＳｉ
Ｃの成長においても同様に問題である。実際のＳｉＣの
成長では、高品質結晶を得るためには、成長温度として
１５００〜１６００℃が必要である。
Ｎの成長に関するばかりでなく、高温環境下用、且つ大
電流動作用トランジスタ材料として期待されているＳｉ
Ｃの成長においても同様に問題である。実際のＳｉＣの
成長では、高品質結晶を得るためには、成長温度として
１５００〜１６００℃が必要である。
【０００８】本発明は、上記問題に鑑み、高温成長材料
を高品質で再現性よく、大面積で成長できる気相成長装
置及びその結晶成長方法を提供することを課題とする。
を高品質で再現性よく、大面積で成長できる気相成長装
置及びその結晶成長方法を提供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明にかかる第１の気相成長装置は、原料ガスを基板に吹
き付ける気相成長装置において、原料ガスの吹き出し口
の周囲に原料ガス以外のガスの吹き出し口を有し、上記
原料ガスを基板周囲或いは周囲を通過して排気する手段
を有することを特徴とする。
明にかかる第１の気相成長装置は、原料ガスを基板に吹
き付ける気相成長装置において、原料ガスの吹き出し口
の周囲に原料ガス以外のガスの吹き出し口を有し、上記
原料ガスを基板周囲或いは周囲を通過して排気する手段
を有することを特徴とする。
【００１０】第２の気相成長装置は、上記第１の気相成
長装置において、上記原料ガスを基板近傍まで吹き出す
ラッパ状の吹き出し口と、該ラッパ状の吹き出し口の外
側と成長炉壁間に原料ガス以外のガスを吹き出す手段と
を有することを特徴とする。
長装置において、上記原料ガスを基板近傍まで吹き出す
ラッパ状の吹き出し口と、該ラッパ状の吹き出し口の外
側と成長炉壁間に原料ガス以外のガスを吹き出す手段と
を有することを特徴とする。
【００１１】一方、本発明の第１の結晶成長方法は、第
１又は第２の気相成長装置を用い、上記原料ガス吹き出
し口からは原料ガスを、上記原料ガス吹き出し口以外か
らは原料ガス以外のガスを供給し、上記排気する手段に
よって上記原料ガス及び原料ガス以外のガスを排気し、
成長基板の周囲の気圧が６００Ｔｏｒｒ以上、成長基板
の温度が５００℃以上の状態で原料ガスの吹き出し口か
らのガス流量より原料ガス以外の吹き出し口からのガス
流量が多いことを特徴とする。
１又は第２の気相成長装置を用い、上記原料ガス吹き出
し口からは原料ガスを、上記原料ガス吹き出し口以外か
らは原料ガス以外のガスを供給し、上記排気する手段に
よって上記原料ガス及び原料ガス以外のガスを排気し、
成長基板の周囲の気圧が６００Ｔｏｒｒ以上、成長基板
の温度が５００℃以上の状態で原料ガスの吹き出し口か
らのガス流量より原料ガス以外の吹き出し口からのガス
流量が多いことを特徴とする。
【００１２】一方、本発明の第２の結晶成長方法は、第
１記載の結晶成長方法において、上記成長基板がサファ
イア等の酸化物やＳｉＣ等の炭化物からなり、Ｉｎ
1-X-Y ＧａX ＡｌY Ｎ（０≦X,Y 、X+Y ≦１）と組成が
同一又は略同一である層を複数積層することを特徴とす
る。
１記載の結晶成長方法において、上記成長基板がサファ
イア等の酸化物やＳｉＣ等の炭化物からなり、Ｉｎ
1-X-Y ＧａX ＡｌY Ｎ（０≦X,Y 、X+Y ≦１）と組成が
同一又は略同一である層を複数積層することを特徴とす
る。
【００１３】すなわち、原料ガス吹き出し口の外周に沿
って導入する層流ガスが基板周辺からガス排気口までの
流れを形成するため、成長炉内でのガス対流が発生しな
い。この結果、高温且つ常圧を条件とする気相成長にお
いて、原料ガス間での中間反応を防止し、膜厚の不均一
性を生じることなく、結晶成長できる。また、壁に原料
ガスが接せず、且つ反応炉内の対流が発生しないので、
反応管壁への膜の付着を防止でき、成長炉壁を清浄に保
つことができる。この結果、成長炉の洗浄を行う必要が
なく、装置の稼働効率も向上する。よって、高温・常圧
の条件下でも従来の減圧成長におけるＧａＡｓやＩｎＰ
の成長の場合と同様に、高品質・高膜厚均一の設計通り
の層構造を成長することができる。
って導入する層流ガスが基板周辺からガス排気口までの
流れを形成するため、成長炉内でのガス対流が発生しな
い。この結果、高温且つ常圧を条件とする気相成長にお
いて、原料ガス間での中間反応を防止し、膜厚の不均一
性を生じることなく、結晶成長できる。また、壁に原料
ガスが接せず、且つ反応炉内の対流が発生しないので、
反応管壁への膜の付着を防止でき、成長炉壁を清浄に保
つことができる。この結果、成長炉の洗浄を行う必要が
なく、装置の稼働効率も向上する。よって、高温・常圧
の条件下でも従来の減圧成長におけるＧａＡｓやＩｎＰ
の成長の場合と同様に、高品質・高膜厚均一の設計通り
の層構造を成長することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態の原理・効果を詳細に説明する。
施の形態の原理・効果を詳細に説明する。
【００１５】本発明にかかる第１の実施の形態を図１を
参照して説明する。図１は、気相成長装置の成長炉を示
す。図１に示すように、炉本体１１内には、ガス吹き出
しノズル１２が設けられており、該吹き出しノズル１２
の入口部１２ａからは、基板１３の上部から吹き付ける
原料ガス１４を導入すると共に、上記入口部１２ａ及び
炉本体１１の入口部１１ａとの間より該吹き出しノズル
１２の外周に沿って層流用ガス１５が別途導入されてい
る。上記層流用ガス１５の導入により、原料ガス１４の
上昇を抑えることとなり、上記炉本体１１の対流が防止
される。本実施の形態においては、上記吹き出しノズル
１２は、テーパ部１２ｂと筒部１２ｃとから構成された
ラッパ状としており、該筒部１２ｃは基板１３の近傍ま
で、原料ガス１４を供給するようにしている。上記別途
導入される層流用ガス１６は、上記原料ガス吹き出しノ
ズル１２の外周（テーパ部１２ｂと筒部１２ｃの外壁）
に沿って基板１３周辺からガス排気１６までの流れを形
成するため、原料ガス１４の上昇を抑えることとなり、
上記炉本体１１の対流が防止される。また、上記導入さ
れる層流用ガス１５は、原料ガス１４の流量より速度を
速くすることが望ましく、原料ガスの流量に依存するが
例えば原料ガス１４の流量の1.５〜６倍程度とするのが
好ましい。この結果、高温且つ常圧を条件とする気相成
長において、原料ガス間での中間反応を防止し、膜厚の
不均一性を生じることなく、結晶成長できる。また、反
応炉内の対流が発生しないので、従来のように反応管壁
へのフレーク付着が防止され、成長炉壁を清浄に保つこ
とができる。
参照して説明する。図１は、気相成長装置の成長炉を示
す。図１に示すように、炉本体１１内には、ガス吹き出
しノズル１２が設けられており、該吹き出しノズル１２
の入口部１２ａからは、基板１３の上部から吹き付ける
原料ガス１４を導入すると共に、上記入口部１２ａ及び
炉本体１１の入口部１１ａとの間より該吹き出しノズル
１２の外周に沿って層流用ガス１５が別途導入されてい
る。上記層流用ガス１５の導入により、原料ガス１４の
上昇を抑えることとなり、上記炉本体１１の対流が防止
される。本実施の形態においては、上記吹き出しノズル
１２は、テーパ部１２ｂと筒部１２ｃとから構成された
ラッパ状としており、該筒部１２ｃは基板１３の近傍ま
で、原料ガス１４を供給するようにしている。上記別途
導入される層流用ガス１６は、上記原料ガス吹き出しノ
ズル１２の外周（テーパ部１２ｂと筒部１２ｃの外壁）
に沿って基板１３周辺からガス排気１６までの流れを形
成するため、原料ガス１４の上昇を抑えることとなり、
上記炉本体１１の対流が防止される。また、上記導入さ
れる層流用ガス１５は、原料ガス１４の流量より速度を
速くすることが望ましく、原料ガスの流量に依存するが
例えば原料ガス１４の流量の1.５〜６倍程度とするのが
好ましい。この結果、高温且つ常圧を条件とする気相成
長において、原料ガス間での中間反応を防止し、膜厚の
不均一性を生じることなく、結晶成長できる。また、反
応炉内の対流が発生しないので、従来のように反応管壁
へのフレーク付着が防止され、成長炉壁を清浄に保つこ
とができる。
【００１６】［試験例］上記構造の成長装置を用い、層
流用ガスの流量の相違における整流効果を確認した。基
板１３として、サファイアＣ面基板を用い、該基板にＧ
ａＮを１０００℃で成長したときの基板面内の膜厚分布
を示す。原料ガス１４として、アンモニア3.5 slm(stan
dard litter per minute) ，トリメチルガリウム 52 μ
mol/min 及び水素キャリアガス 0.5 slm である。成長
圧力は、大気圧に近い650Torr である。また、層流用ガ
ス１５として、窒素ガスを用いた。
流用ガスの流量の相違における整流効果を確認した。基
板１３として、サファイアＣ面基板を用い、該基板にＧ
ａＮを１０００℃で成長したときの基板面内の膜厚分布
を示す。原料ガス１４として、アンモニア3.5 slm(stan
dard litter per minute) ，トリメチルガリウム 52 μ
mol/min 及び水素キャリアガス 0.5 slm である。成長
圧力は、大気圧に近い650Torr である。また、層流用ガ
ス１５として、窒素ガスを用いた。
【００１７】＜層流用ガスを用いない従来例の場合＞ 層流ガス１５を用いない従来技術の場合には、成長
した膜の表面は荒れており、且つガス吹き出しノズルに
フレーク状の物質が付着した。 また、水冷されている成長炉壁においても、同様の
フレーク状の物質が付着した。 さらに、層流用ガスを流さない場合には、成長速度
は III族原料ガスの供給規律とならかった。 ＜層流用ガスを用いた本発明の場合＞ 層流ガス１５を用いた場合には、成長炉壁には、フ
レーク状の物質の付着が見られなかった。 特に、層流ガス流量を15slm （原料ガスの流量の約
4.3 倍) の場合には、図２に示すように、直径25ｍｍ内
での膜厚分布は数％以内となり、極めて均一性のよい成
長を実現できた。 比較のために、層流用ガス流量を7.5slm（原料ガス
の流量の約2.1 倍) の場合には、図２に示すように、こ
の条件の場合には、まだ膜厚分布が大きく、層流用ガス
の効果が不十分である。
した膜の表面は荒れており、且つガス吹き出しノズルに
フレーク状の物質が付着した。 また、水冷されている成長炉壁においても、同様の
フレーク状の物質が付着した。 さらに、層流用ガスを流さない場合には、成長速度
は III族原料ガスの供給規律とならかった。 ＜層流用ガスを用いた本発明の場合＞ 層流ガス１５を用いた場合には、成長炉壁には、フ
レーク状の物質の付着が見られなかった。 特に、層流ガス流量を15slm （原料ガスの流量の約
4.3 倍) の場合には、図２に示すように、直径25ｍｍ内
での膜厚分布は数％以内となり、極めて均一性のよい成
長を実現できた。 比較のために、層流用ガス流量を7.5slm（原料ガス
の流量の約2.1 倍) の場合には、図２に示すように、こ
の条件の場合には、まだ膜厚分布が大きく、層流用ガス
の効果が不十分である。
【００１８】このように、層流用ガスの流量は、原料ガ
ス用のノズル内に流れるガスとのバランスで決定され
る。層流用ガス流量をある程度以上高くすると、膜厚均
一性を確保することができる。成長速度は、基板表面で
の原料ガスのガス流速に依存するので、層流用ガスが多
すぎると、原料ガスが引き込まれて流速が高くなる。従
って、層流用ガス量をあまり大きくしすぎると成長速度
が遅くなる。以上のことから、層流用ガスの決定におい
ては、原料ガスノズルを流れる量と、層流用ガス量との
バランスを考慮する必要がある。
ス用のノズル内に流れるガスとのバランスで決定され
る。層流用ガス流量をある程度以上高くすると、膜厚均
一性を確保することができる。成長速度は、基板表面で
の原料ガスのガス流速に依存するので、層流用ガスが多
すぎると、原料ガスが引き込まれて流速が高くなる。従
って、層流用ガス量をあまり大きくしすぎると成長速度
が遅くなる。以上のことから、層流用ガスの決定におい
ては、原料ガスノズルを流れる量と、層流用ガス量との
バランスを考慮する必要がある。
【００１９】［素子形成］本発明にかかる装置を用いて
結晶成長して作製した素子の例を以下に述べる。図３
は、作製した素子の断面構造である。図３に示すよう
に、サファイア（０００１）基板２１の表面に形成した
窒化層（窒化深さ５ｎｍ）２２、膜厚５０ｎｍのＡｌＮ
バッファ層２３、膜厚５μｍのＳｉドープｎ型低抵抗Ｇ
ａＮ膜２４、膜厚５０ｎｍのＺｎドーピングにより半絶
縁化したＧａＮ発光層２５、半絶層の電極２６、ｎ型低
抵抗層のオーミック電極２７から形成してなる。上記構
成において、電極２６に正の電圧を電極２７に負の電圧
を加えると、発光層２５は４８０ｎｍの波長で発光し
た。最大出力は0.８mWであり、外部量子効率は、0.22％
であった。
結晶成長して作製した素子の例を以下に述べる。図３
は、作製した素子の断面構造である。図３に示すよう
に、サファイア（０００１）基板２１の表面に形成した
窒化層（窒化深さ５ｎｍ）２２、膜厚５０ｎｍのＡｌＮ
バッファ層２３、膜厚５μｍのＳｉドープｎ型低抵抗Ｇ
ａＮ膜２４、膜厚５０ｎｍのＺｎドーピングにより半絶
縁化したＧａＮ発光層２５、半絶層の電極２６、ｎ型低
抵抗層のオーミック電極２７から形成してなる。上記構
成において、電極２６に正の電圧を電極２７に負の電圧
を加えると、発光層２５は４８０ｎｍの波長で発光し
た。最大出力は0.８mWであり、外部量子効率は、0.22％
であった。
【００２０】尚、本発明では、基板に形成される素子の
組成として、Ｉｎ1-X-Y ＧａX Ａｌ Y Ｎ（０≦X,Y 、X+
Y ≦１）の組成のものに何ら限定されず、これと同一の
組成或いは異なる素子構成のものにも適用することがで
きる。
組成として、Ｉｎ1-X-Y ＧａX Ａｌ Y Ｎ（０≦X,Y 、X+
Y ≦１）の組成のものに何ら限定されず、これと同一の
組成或いは異なる素子構成のものにも適用することがで
きる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高温・常圧の条件下でも、ガス対流を防止できるから、
これらの条件を必要とする結晶を高品質・大面積で成長
できるという効果を奏する。
高温・常圧の条件下でも、ガス対流を防止できるから、
これらの条件を必要とする結晶を高品質・大面積で成長
できるという効果を奏する。
【図１】本発明の実施の形態にかかる気相成長装置の概
略図である。
略図である。
【図２】本発明の実施の形態にかかる気相成長膜分布図
である。
である。
【図３】本発明によって作製した素子構造の概略図であ
る。
る。
【図４】従来技術の気相成長装置の概略図である。
１１ 炉本体 １２ ガス吹き出しノズル １３ 基板 １４ 原料ガス １５ 層流用ガス １６ 排気ガス ２１ 基板 ２２ 窒化層 ２３ ＡｌＮバッファ層 ２４ Ｓｉドープｎ型低抵抗ＧａＮ膜 ２５ ＧａＮ発光層 ２６ 電極 ２７ オーミック電極
Claims (4)
- 【請求項１】 原料ガスを基板に吹き付ける気相成長装
置において、 原料ガスの吹き出し口の周囲に原料ガス以外のガスの吹
き出し口を有し、上記原料ガスを基板周囲或いは周囲を
通過して排気する手段を有することを特徴とする気相成
長装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の気相成長装置において、 上記原料ガスを基板近傍まで吹き出すラッパ状の吹き出
し口と、該ラッパ状の吹き出し口の外側と成長炉壁間に
原料ガス以外のガスを吹き出す手段とを有することを特
徴とする気相成長装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の気相成長装置を用
い、上記原料ガス吹き出し口からは原料ガスを、上記原
料ガス吹き出し口以外からは原料ガス以外のガスを供給
し、上記排気する手段によって上記原料ガス及び排気ガ
スを排気し、成長基板の周囲の気圧が６００Ｔｏｒｒ以
上、成長基板の温度が５００℃以上の状態で原料ガスの
吹き出し口からのガス流量より原料ガス以外の吹き出し
口からのガス流量が多いことを特徴とする結晶成長方
法。 - 【請求項４】 請求項３記載の結晶成長方法において、 上記成長基板がサファイア等の酸化物やＳｉＣ等の炭化
物からなり、Ｉｎ1-X- Y ＧａX ＡｌY Ｎ（０≦X,Y 、X+
Y ≦１）と組成が同一又は略同一である層を複数積層す
ることを特徴とする結晶成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34720296A JP3489711B2 (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34720296A JP3489711B2 (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10182282A true JPH10182282A (ja) | 1998-07-07 |
| JP3489711B2 JP3489711B2 (ja) | 2004-01-26 |
Family
ID=18388619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34720296A Expired - Fee Related JP3489711B2 (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3489711B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003306398A (ja) * | 2002-04-09 | 2003-10-28 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 |
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