JP5045033B2 - 気相成長装置及び化合物半導体膜の成長方法 - Google Patents
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Description
(1)反応管にキャリアガス(水素ガス、窒素ガス)を導入し、基板支持台が1200℃程度になるまで昇温する。
(2)NH3ガス導入管からNH3を導入し、基板支持台の温度が安定するまで保持する。
(3)AlCl3ガス導入管からAlCl3を導入し、基板上にAlN結晶膜が所定厚さになるまで成長させる。このとき、反応管内の基板上ではNH3とAlCl3が反応しAlN膜が成長する。
(4)AlN膜が所定厚さになったら、AlCl3の導入を停止しキャリアガスを流しながら、ヒーターを停止し、反応管が室温になるまで降温させる。温度が十分に低下したら容器内の表面にAlN膜が成長した基板を取り出す。
T.Goto他、JOURNAL OF MATERIAL SCIENCE 27(1992)p.247
図1は、第1実施形態に係る気相成長装置を模式的に示す図である。図1に示される気相成長装置10は、ハイドライド気相成長装置(HVPE装置)であることが好ましいが、有機金属気相成長装置(MOCVD装置)であってもよい。気相成長装置10がHVPE装置であると、化合物半導体を高速で成長させることができる。成長される化合物半導体としては、III−V族化合物半導体(例えばGaAs、InP、AlN、GaN、InN、AlGaN、InGaN、AlInGaN等)やII−VI族化合物半導体(ZnSe、ZnO等)がある。
(第2実施形態)
図1及び図2に示される気相成長装置10を用いて、SiC基板上にAlN膜を成長させた。気相成長装置10としては、zが1mm、xが10mm、Lが100mm、dが10mm、yが2mm、lが50mm、mが150mmのものを用いた(図2参照)。また、反応管12の管軸方向における供給口28とSiC基板表面の中心点との距離d1を約50mmとした。基板ホルダ14にSiC基板を設置した後、基板ホルダ14の温度を1100℃まで昇温した。Al原料としてはAlペレットを用いた。石英ボートに載せたAlペレットを500℃に加熱した状態でN2ガスで希釈したHClガスを流して、AlCl3ガスを発生させた。一方、窒素原料としてNH3ガスを使用した。反応管12内での平均的なAlCl3分圧が0.01atm、NH3分圧が0.2atmとなるようにガス流量を調整した。HCl分圧は0.03atmであった。
気相成長装置10のlを100mmとしたこと以外は実施例1と同様にしてAlN膜を成長させた。その結果、AlN膜の膜厚は1742μmであったことから、AlN結晶の成長速度は140μm/hrと見積もることができた。
図1及び図2に示される気相成長装置10を用いて、サファイア基板上にGaN膜を成長させた。気相成長装置10としては、zが1mm、xが10mm、Lが100mm、dが10mm、yが2mm、lが150mm、mが150mmのものを用いた(図2参照)。また、反応管12の管軸方向における供給口28と基板表面の中心点との距離d1を約50mmとした。基板ホルダ14にサファイア基板を設置した後、基板ホルダ14の温度を1050℃まで昇温した。Ga原料としてはGa融液を用いた。石英ボートに載せたGa融液を800℃に加熱した状態でH2ガスで希釈したHClガスを流して、GaClガスを発生させた。一方、窒素原料としてNH3ガスを使用した。反応管12内での平均的なGaCl分圧が0.01atm、NH3分圧が0.2atmとなるようにガス流量を調整した。HCl分圧は0.01atmであった。
気相成長装置10のlを150mmとしたこと以外は実施例1と同様にしてAlN膜を成長させた。その結果、AlN膜の膜厚は1200μmであったことから、AlN結晶の成長速度は40μm/hrと見積もることができた。
気相成長装置10のlを20mm、mを0mmとしたこと以外は実施例3と同様にしてGaN膜を成長させた。その結果、GaN膜の膜厚は2730μmであったことから、GaN結晶の成長速度は91μm/hrと見積もることができた。
気相成長装置10のlを20mm、mを50mmとしたこと以外は実施例3と同様にしてGaN膜を成長させた。その結果、GaN膜の膜厚は4560μmであったことから、GaN結晶の成長速度は120μm/hrと見積もることができた。
図4に示される気相成長装置10Bを用いて、SiC基板上にAlN膜を成長させた。気相成長装置10としては、供給口28の断面積が約962mm2、小孔31aの総断面積が約30mm2のものを用いた。また、反応管12の管軸方向における供給口28とSiC基板表面の中心点との距離d1を約100mmとした。基板ホルダ14にSiC基板を設置した後、基板ホルダ14の温度を1100℃まで昇温した。Al原料としてはAlペレットを用いた。石英ボート20に載せたAlペレットを500℃に加熱した状態でN2ガスで希釈したHClガスを流して、AlCl3ガスを発生させた。一方、窒素原料としてNH3ガスを使用した。反応管12内での平均的なAlCl3分圧が0.01atm、NH3分圧が0.2atmとなるようにガス流量を調整した。HCl分圧は0.03atmであった。
図4に示される気相成長装置10Bを用いて、サファイア基板上にGaN膜を成長させた。気相成長装置10Bとしては、供給口28の断面積が約962mm2、小孔31aの総断面積が約30mm2のものを用いた。また、反応管12の管軸方向における供給口28とSiC基板表面の中心点との距離d1を約100mmとした。基板ホルダ14にGaAs基板を設置した後、基板ホルダ14の温度を1050℃まで昇温した。Ga原料としてはGa融液を用いた。石英ボートに載せたGa融液を800℃に加熱した状態でH2ガスで希釈したHClガスを流して、GaClガスを発生させた。一方、窒素原料としてNH3ガスを使用した。反応管12内での平均的なGaCl分圧が0.01atm、NH3分圧が0.2atmとなるようにガス流量を調整した。HCl分圧は0.01atmであった。
図3に示される気相成長装置10Aを用いて、SiC基板上にAlN膜を成長させた。気相成長装置10Aとしてはxが10mm、Lが100mm、dが10mm、yが2mm、lが50mm、mが150mmのものを用いた(図2参照)。気相成長装置10Aでは図2中zに相当する大きさはxと等しく、この比較例の場合は10mmである。また、反応管12の管軸方向における供給口28とSiC基板表面の中心点との距離d1を約50mmとした。基板ホルダ14にSiC基板を設置した後、基板ホルダ14の温度を1100℃まで昇温した。Al原料としてはAlペレットを用いた。石英ボートに載せたAlペレットを500℃に加熱した状態でN2ガスで希釈したHClガスを流して、AlCl3ガスを発生させた。一方、窒素原料としてNH3ガスを使用した。反応管12内での平均的なAlCl3分圧が0.01atm、NH3分圧が0.2atmとなるようにガス流量を調整した。HCl分圧は0.03atmであった。
図3に示される気相成長装置10Aを用いて、サファイア基板上にGaN膜を成長させた。気相成長装置10Aとしてはxが10mm、Lが100mm、dが10mm、yが2mm、lが150mm、mが150mmのものを用いた(図2参照)。気相成長装置10Aでは図2中zに相当する大きさはxと等しく、この比較例の場合は10mmである。また、反応管12の管軸方向における供給口28と基板表面の中心点との距離d1を約50mmとした。基板ホルダ14にサファイア基板を設置した後、基板ホルダ14の温度を1050℃まで昇温した。Ga原料としてはGa融液を用いた。石英ボートに載せたGa融液を800℃に加熱した状態でH2ガスで希釈したHClガスを流して、GaClガスを発生させた。一方、窒素原料としてNH3ガスを使用した。反応管12内での平均的なGaCl分圧が0.01atm、NH3分圧が0.2atmとなるようにガス流量を調整した。HCl分圧は0.01atmであった。
図5に示される気相成長装置10Cを用いて、SiC基板上にAlN膜を成長させた。気相成長装置10Cとしては、供給口28の断面積が約962mm2、供給口30の断面積が約294mm2のものを用いた。また、反応管12の管軸方向における供給口28とSiC基板表面の中心点との距離d1を約100mmとした。基板ホルダ14にSiC基板を設置した後、基板ホルダ14の温度を1100℃まで昇温した。Al原料としてはAlペレットを用いた。石英ボート20に載せたAlペレットを500℃に加熱した状態でN2ガスで希釈したHClガスを流して、AlCl3ガスを発生させた。一方、窒素原料としてNH3ガスを使用した。反応管12内での平均的なAlCl3分圧が0.01atm、NH3分圧が0.2atmとなるようにガス流量を調整した。HCl分圧は0.03atmであった。
図5に示される気相成長装置10Cを用いて、サファイア基板上にGaN膜を成長させた。気相成長装置10Cとしては、供給口28の断面積が約962mm2、供給口30の断面積が約294mm2のものを用いた。また、反応管12の管軸方向における供給口28とSiC基板表面の中心点との距離d1を約100mmとした。基板ホルダ14にGaAs基板を設置した後、基板ホルダ14の温度を1050℃まで昇温した。Ga原料としてはGa融液を用いた。石英ボートに載せたGa融液を800℃に加熱した状態でH2ガスで希釈したHClガスを流して、GaClガスを発生させた。一方、窒素原料としてNH3ガスを使用した。反応管12内での平均的なGaCl分圧が0.01atm、NH3分圧が0.2atmとなるようにガス流量を調整した。HCl分圧は0.01atmであった。
Claims (3)
- 第1の原料ガスと第2の原料ガスとを混合し化合物半導体を成長するための反応管と、
前記反応管内に挿入されており、前記第1の原料ガスを前記反応管内に供給するための第1の供給管と、
前記反応管に接続されており、前記第2の原料ガスを前記反応管内に供給するための第2の供給管と、
前記第1の供給管の前記反応管内に位置する端部に形成された第1の供給口の近くに基板を保持する基板ホルダと
を備え、
前記第1の供給管の外壁が前記反応管の内壁と対向する部分を有することによって、前記第1の供給管と前記反応管とが二重管構造を形成しており、
前記第1の供給管の外壁と前記反応管の内壁との間に形成される空間が前記第2の原料ガスの流路となるように前記第2の供給管が前記反応管に接続されており、
前記第1の供給管における前記反応管内に位置する前記端部には、前記第2の原料ガスの前記流路の断面積を減少させるように前記反応管の内壁に向かって膨らんだガス流調整部が設けられており、
前記ガス流調整部が、前記第1の供給口に向かって外周が広がる第1の部分と前記第1の供給口に向かって外周が狭まる第2の部分とによって構成されており、
前記第1の供給管の前記第1の供給口の開口面積が、前記第1の供給管の断面積に比べて小さくなっている、気相成長装置。 - 第1の原料ガスと第2の原料ガスとを混合し化合物半導体を成長するための反応管と、
前記反応管内に挿入されており、前記第1の原料ガスを前記反応管内に供給するための第1の供給管と、
前記反応管に接続されており、前記第2の原料ガスを前記反応管内に供給するための第2の供給管と、
前記第1の供給管の前記反応管内に位置する端部に形成された第1の供給口の近くに基板を保持する基板ホルダと
を備え、
前記第1の供給管の外壁が前記反応管の内壁と対向する部分を有することによって、前記第1の供給管と前記反応管とが二重管構造を形成しており、
前記第1の供給管の外壁と前記反応管の内壁との間に形成される空間が前記第2の原料ガスの流路となるように前記第2の供給管が前記反応管に接続されており、
前記第1の供給管における前記反応管内に位置する前記端部には、前記第2の原料ガスの前記流路の断面積を減少させるように前記反応管の内壁に向かって膨らんだガス流調整部が設けられており、
前記ガス流調整部が、前記第1の供給口に向かって外周が広がる第1の部分と前記第1の供給口に向かって外周が狭まる第2の部分とによって構成されており、
前記第1の供給口が複数の小孔が設けられたヘッド部によって塞がれている、気相成長装置。 - 請求項1又は2に記載の気相成長装置を用いて化合物半導体膜を成長させる、化合物半導体膜の成長方法。
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