JP5045032B2 - 気相成長装置及び化合物半導体膜の成長方法 - Google Patents
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Description
(1)反応管にキャリアガス(水素ガス、窒素ガス)を導入し、基板支持台が1200℃程度になるまで昇温する。
(2)NH3ガス導入管からNH3を導入し、基板支持台の温度が安定するまで保持する。
(3)AlCl3ガス導入管からAlCl3を導入し、基板上にAlN結晶膜が所定厚さになるまで成長させる。このとき、反応管内の基板上ではNH3とAlCl3が反応しAlN膜が成長する。
(4)AlN膜が所定厚さになったら、AlCl3の導入を停止しキャリアガスを流しながら、ヒーターを停止し、反応管が室温になるまで降温させる。温度が十分に低下したら容器内の表面にAlN膜が成長した基板を取り出す。
T.Goto他、JOURNAL OF MATERIAL SCIENCE 27(1992)p.247
図1は、第1実施形態に係る気相成長装置を模式的に示す図である。図1に示される気相成長装置10は、ハイドライド気相成長装置(HVPE装置)であることが好ましいが、有機金属気相成長装置(MOCVD装置)であってもよい。気相成長装置10がHVPE装置であると、化合物半導体を高速で成長させることができる。成長される化合物半導体としては、III−V族化合物半導体(例えばGaAs、InP、AlN、GaN、InN、AlGaN、InGaN、AlInGaN等)やII−VI族化合物半導体(ZnSe、ZnO等)がある。
図4は、第2実施形態に係る気相成長装置を模式的に示す図である。図4に示される気相成長装置10Bは、供給装置23に代えて供給装置23Aを備えること以外は気相成長装置10と同様の構成を有する。この供給装置23Aは、第1の実施形態において示した生成管21及び供給管24に加えて、供給管24内に挿入されており、原料ガスG1を流すための内側供給管33(第3の供給管)と、反応管12外部から供給管24に原料ガスG1,G2と反応しないガスG5(例えば、N2ガス)を供給する供給管34とを備えている。供給管24と内側供給管33とは二重管構造を形成している。内側供給管33の外壁と供給管24の内壁との間には、ガスG5を反応管12内に供給するための空間SPAが形成されている。
図1及び図2に示される気相成長装置10を用いて、SiC基板上にAlN膜を成長させた。気相成長装置10としては、xが10mm、Lが100mm、dが10mm、yが2mm、lが50mm、mが150mmのものを用いた(図2参照)。また、反応管12の管軸方向における供給口28とSiC基板表面の中心点との距離d1を約50mmとした。基板ホルダ14にSiC基板を設置した後、基板ホルダ14の温度を1100℃まで昇温した。Al原料としてはAlペレットを用いた。石英ボートに載せたAlペレットを500℃に加熱した状態でN2ガスで希釈したHClガスを流して、AlCl3ガスを発生させた。一方、窒素原料としてNH3ガスを使用した。反応管12内での平均的なAlCl3分圧が0.01atm、NH3分圧が0.2atmとなるようにガス流量を調整した。HCl分圧は0.03atmであった。
気相成長装置10のlを100mmとしたこと以外は実施例1と同様にしてAlN膜を成長させた。その結果、AlN膜の膜厚は1230μmであったことから、AlN結晶の成長速度は41μm/hrと見積もることができた。一方、供給口28には、膜厚約120μmのAlN膜が堆積していた。
図1及び図2に示される気相成長装置10を用いて、サファイア基板上にGaN膜を成長させた。気相成長装置10としては、xが10mm、Lが100mm、dが10mm、yが2mm、lが150mm、mが150mmのものを用いた(図2参照)。また、反応管12の管軸方向における供給口28と基板表面の中心点との距離d1を約50mmとした。基板ホルダ14にサファイア基板を設置した後、基板ホルダ14の温度を1050℃まで昇温した。Ga原料としてはGa融液を用いた。石英ボートに載せたGa融液を800℃に加熱した状態でH2ガスで希釈したHClガスを流して、GaClガスを発生させた。一方、窒素原料としてNH3ガスを使用した。反応管12内での平均的なGaCl分圧が0.01atm、NH3分圧が0.2atmとなるようにガス流量を調整した。HCl分圧は0.01atmであった。
気相成長装置10のlを150mmとしたこと以外は実施例1と同様にしてAlN膜を成長させた。その結果、AlN膜の膜厚は840μmであったことから、AlN結晶の成長速度は28μm/hrと見積もることができた。一方、供給口28には、膜厚約160μmのAlN膜が堆積していた。
気相成長装置10のlを20mm、mを0mmとしたこと以外は実施例1と同様にしてAlN膜を成長させた。その結果、AlN膜の膜厚は1140μmであったことから、AlN結晶の成長速度は38μm/hrと見積もることができた。一方、供給口28には、膜厚約140μmのAlN膜が堆積していた。
気相成長装置10のlを50mm、mを0mmとしたこと以外は実施例1と同様にしてAlN膜を成長させた。その結果、AlN膜の膜厚は840μmであったことから、AlN結晶の成長速度は28μm/hrと見積もることができた。一方、供給口28には、膜厚約160μmのAlN膜が堆積していた。
気相成長装置10のlを100mm、mを0mmとしたこと以外は実施例1と同様にしてAlN膜を成長させた。その結果、AlN膜の膜厚は690μmであったことから、AlN結晶の成長速度は23μm/hrと見積もることができた。一方、供給口28には、膜厚約190μmのAlN膜が堆積していた。
気相成長装置10のlを20mm、mを0mmとしたこと以外は実施例3と同様にしてGaN膜を成長させた。その結果、GaN膜の膜厚は1950μmであったことから、GaN結晶の成長速度は65μm/hrと見積もることができた。一方、供給口28には、膜厚約450μmのGaN膜が堆積していた。
気相成長装置10のlを20mm、mを50mmとしたこと以外は実施例3と同様にしてGaN膜を成長させた。その結果、GaN膜の膜厚は3600μmであったことから、GaN結晶の成長速度は120μm/hrと見積もることができた。一方、供給口28には、膜厚約110μmのGaN膜が堆積していた。
気相成長装置10のlを100mm、mを0mmとしたこと以外は実施例1と同様にしてAlN膜を成長させた。その結果、AlN膜の膜厚は810μmであったことから、AlN結晶の成長速度は27μm/hrと見積もることができた。一方、供給口28には、膜厚約160μmのAlN膜が堆積していた。
気相成長装置10のlを0mm、mを100mmとしたこと以外は実施例1と同様にしてAlN膜を成長させた。その結果、AlN膜の膜厚は1080μmであったことから、AlN結晶の成長速度は36μm/hrと見積もることができた。一方、供給口28には、膜厚約130μmのAlN膜が堆積していた。
気相成長装置10のlを0mm、mを100mmとしたこと以外は実施例3と同様にしてGaN膜を成長させた。その結果、GaN膜の膜厚は2160μmであったことから、GaN結晶の成長速度は72μm/hrと見積もることができた。一方、供給口28には、膜厚約340μmのGaN膜が堆積していた。
気相成長装置10のyを10mm、lを100mm、mを100mmとしたこと以外は実施例1と同様にしてAlN膜を成長させた。その結果、AlN膜の膜厚は1080μmであったことから、AlN結晶の成長速度は36μm/hrと見積もることができた。一方、供給口28には、膜厚約140μmのAlN膜が堆積していた。
気相成長装置10のyを20mm、lを100mm、mを100mmとしたこと以外は実施例1と同様にしてAlN膜を成長させた。その結果、AlN膜の膜厚は1050μmであったことから、AlN結晶の成長速度は35μm/hrと見積もることができた。一方、供給口28には、膜厚約130μmのAlN膜が堆積していた。
気相成長装置のdを45mm、lを0mm、mを0mmとしたこと以外は実施例1と同様にしてAlN膜を成長させた。成長した膜には、直径が50〜300μm程度のAlNとみられる膜状の破片が百個程度観察できた。また、AlN膜の膜厚は294μmであったことから、AlN結晶の成長速度は9.8μm/hrと見積もることができた。一方、供給口には、膜厚約680μmのAlN膜が堆積していた。成長膜の破片の周りには高欠陥領域が形成されており、TEMを用いて成長膜を確認したところ、高欠陥領域以外の領域では2×106/cm2程度の低い転位密度であったのに対し、高欠陥領域では5×107/cm2もの高い転位密度になっていた。AlN膜に観察された破片は、膜の成長中にガス供給口に堆積したAlN膜が剥がれ落ち、それが成長膜に付着したものと考えられる。そのために、成長膜の破片周辺に高欠陥領域が発生したものと考えられる。
気相成長装置のdを45mm、lを0mm、mを0mmとしたこと以外は実施例3と同様にしてGaN膜を成長させた。GaN膜の膜厚は516μmであったことから、GaN結晶の成長速度は17.2μm/hrと見積もることができた。一方、供給口には、膜厚約1350μmのGaN膜が堆積していた。GaN膜の表面あるいは内部には、直径が50〜300μm程度のGaNとみられる膜状の破片が約5個/cm2の密度で観察できた。得られた結晶を研磨した後、カソードルミネッセンス(CL)で観察したところ、破片の周りには高欠陥領域が形成されており、高欠陥領域以外の領域では4×106/cm2以下の転位密度であったのに対し、高欠陥領域(破片から300μmの領域)では転位密度が1×107/cm2と倍以上に増加していた。GaN膜に観察された破片はガス供給口に堆積したGaN膜が剥がれ落ちてきたものと考えられる。
Claims (3)
- 第1の原料ガスと第2の原料ガスとを混合し化合物半導体を成長するための反応管と、
前記反応管内に挿入されており、前記第1の原料ガスを前記反応管内に供給するための第1の供給管と、
前記反応管に接続されており、前記第2の原料ガスを前記反応管内に供給するための第2の供給管と、
前記第1の供給管の前記反応管内に位置する端部に形成された第1の供給口の近くに基板を保持する基板ホルダと
を備え、
前記第1の供給管の外壁が前記反応管の内壁と対向する部分を有することによって、前記第1の供給管と前記反応管とが二重管構造を形成しており、
前記第1の供給管の外壁と前記反応管の内壁との間に形成される空間が前記第2の原料ガスの流路となるように前記第2の供給管が前記反応管に接続されており、
前記第1の供給管の前記反応管内に位置する前記端部には、前記第2の原料ガスの前記流路の断面積を減少させるように前記反応管の内壁に向かって膨らんだガス流調整部が設けられており、
前記ガス流調整部は、前記第1の供給口に向かって外周が広がる第1の部分と、前記第1の部分より前記第1の供給口側に隣り合って位置し、前記第1の供給口に向かって外周が狭まる第2の部分とを有している、気相成長装置。 - 前記第1の供給管内に挿入されており、前記第1の原料ガスを流すための第3の供給管を更に備え、
前記第1の供給管と前記第3の供給管とが二重管構造を形成しており、
前記第1及び第2の原料ガスと反応しないガスを前記反応管内に供給するための空間が、前記第3の供給管の外壁と前記第1の供給管の内壁との間に形成されている、請求項1に記載の気相成長装置。 - 請求項1又は2に記載の気相成長装置を用いて化合物半導体膜を成長させる、化合物半導体膜の成長方法。
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