JP4539105B2 - 窒化物半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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本発明者は、n型ドーピング材料の供給量と、n型窒化物半導体中の電子濃度との関係を詳細に調べ、n型ドーピング材料の供給量が少ない場合には、n型ドーピング材料の供給量と、n型窒化物半導体中の電子濃度が比例するが(図1の領域A(線形領域)参照)、n型ドーピング材料の供給量を増やしていくと、n型窒化物半導体中の電子濃度が、n型ドーピング材料の供給量に比例しなくなり、一定になることを見出した(以後、このn型ドーピング材料の供給量の領域Bを「飽和領域」と呼ぶ、図1の領域B(飽和領域)参照)。
図3に示すように、c面サファイア基板1上にMOVPE法により低温成長バッファ層2を介して高温で2ミクロンの膜厚のアンドープGaN層3を成長した構造を基板4として用いた。
実施形態1と同様に、サファイア基板1上にアンドープGaN層3およびn型GaN層5を成長した。ただし、n型GaN層5の成長時の成長速度を3.6〜4.4μm/時(±10%)の間で変化させ、またシラン流量は400sccm(領域A(線形領域))と、1000sccmの2系統の試料を成長した。
実施形態1、2では、MOVPE法を用いてn型GaN層をサファイア基板上に成長したが、本発明はHVPE法を用いてシリコンドープn型GaN層をサファイア基板上に成長する場合においても、より効果があった。
基板として、炭化珪素、珪素、ZrB2、ZnO、LiGaO2、LiAlO2からなる単結晶基板を用いて、実施形態2と同じ条件で、これらの基板上へ、シリコンドープn型GaN層5を成長した。いずれの場合においても、線形領域を用いた場合(従来例4)の電子濃度は2インチウェハ面内で±5〜10%程度の分布を持っていたが、これらの単結晶基板において上記飽和領域を用いてシリコンドープGaN層5を成長した場合(実施例4)には電子濃度の分布は±1%程度の低い値に抑えることができた。
実施形態2におけるn型GaN層5をInxAlyGazN(x≧0、y≧0、z≧0、x+y+z=1)に置き換えて成長を行った。III族原料としては、TMGに加えてトリメチルインジウム(TMI)及びトリメチルアルミニウム(TMA)を用い、これらの原料の比率を様々に変えて成長を行った。その結果、全ての組成範囲において、線形領域を用いた場合(従来例5)には電子濃度に2インチウェハ面内で±7〜20%の分布が生じたが、飽和領域を用いることで(実施例5)、電子濃度の分布を±2%以下とすることができた。
実施形態2におけるシランを、窒素希釈の5ppm酸素、または水素希釈の5ppmゲルマン、あるいは水素希釈の5ppmセレン化水素に置き換えて、酸素ドープ、またはゲルマニウムドープ、あるいはセレンドープのGaNを成長した。
実施形態1と同様の方法で、サファイア基板1上にGaN低温成長バッファ層2/アンドープGaN層3/シリコンドープn型GaN層5を成長し、その上に連続して図6に示す青色LED構造(InGaN/GaN多重量子井戸層(活性層)6、p型Al0.1Ga0.9N層7、p型GaNコンタクト層8)を成長した。ここで、n型GaN成長時のシラン流量は飽和領域内の1000sccmとした(実施例7)。青色LEDウェハは、上述のアンドープGaN層2/n型GaN層3の構造上に、InGaN/GaN多重量子井戸層(InGaNの厚さ2nm、GaNの厚さ5nm)6と、p型Al0.1Ga0.9N層(厚さ20nm)7と、p型GaNコンタクト層(厚さ0.2μm)8を順次形成し作製した。
実施形態1と同様にサファイア基板1上にGaN低温成長バッファ層2/アンドープGaN層3を成長し、その上に連続して、アンドープAl0.25Ga0.75N層(厚さ3nm)15、n型Al0.25Ga0.75N層(厚さ20nm)16、アンドープAl0.25Ga0.75N層(厚さ5nm)17を順次形成し、窒化物半導体ウェハを作製した。
2 低温成長バッファ層
3 アンドープGaN層
4 基板
5 n型GaN層
6 多重量子井戸層(活性層)
7 p型AlGaN層
8 p型GaNコンタクト層
9、10 電極
A 線形領域
B 飽和領域
Claims (5)
- 基板上にn型窒化物半導体層を含む複数の窒化物半導体層を積層してなる窒化物半導体デバイスの製造方法において、
基板全面に渡って均一な電子濃度分布を得るべく、n型ドーパント原料の供給をn型ドーパント飽和領域内の適切な値に設定して前記n型窒化物半導体層を気相成長法により成長させ、これにより、基板全面に渡り均一な特性の窒化物半導体デバイスを得ることを特徴とする窒化物半導体デバイスの製造方法。 - 前記基板が、サファイア、炭化珪素、珪素、ZrB2、ZnO、LiGaO2、LiAlO2のいずれかからなる単結晶基板であることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体デバイスの製造方法。
- 前記のn型窒化物半導体層がInxAlyGazN(x≧0、y≧0、z≧0、x+y+z=1)であることを特徴とする請求項1又は2に記載の窒化物半導体デバイスの製造方法。
- 前記のn型ドーパントが、シリコン、酸素、ゲルマニウム、セレンのうちのいずれかであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の窒化物半導体デバイスの製造方法。
- 前記n型ドーパント飽和領域は、前記n型ドーパント原料の供給量が所定値以上であれば前記n型ドーパント原料の供給量が増減しても、成長する前記n型窒化物半導体層中の電子濃度が変動しない前記n型ドーパント供給量の領域であることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体デバイスの製造方法。
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