JP7429522B2 - Iii族窒化物積層基板および半導体素子 - Google Patents
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Description
下地基板と、
前記下地基板上に形成され、窒化アルミニウムで構成された第1層と、
前記第1層上に形成され、窒化ガリウムで構成された第2層と、
を有し、
前記第2層は、厚さが10μm以下であり、X線ロッキングカーブ測定による(0002)回折の半値幅が100秒以下であり、X線ロッキングカーブ測定による(10-12)回折の半値幅が200秒以下である、
III族窒化物積層基板
が提供される。
上記の一態様によるIII族窒化物積層基板が有する前記第2層を、動作層の少なくとも一部として備える、半導体素子
が提供される。
下地基板と、
前記下地基板上に形成され、窒化アルミニウムで構成された第1層と、
を有し、
窒化ガリウムで構成され、厚さが10μm以下であり、X線ロッキングカーブ測定による(0002)回折の半値幅が100秒以下であり、X線ロッキングカーブ測定による(10-12)回折の半値幅が200秒以下である、第2層を、成長させる下地として用いられる表面を、前記第1層が有する、III族窒化物積層基板
が提供される。
本発明の第1実施形態によるIII族窒化物積層基板100(以下、ウエハ100ともいう)について説明する。図1は、ウエハ100の例示的な概略断面図である。ウエハ100は、下地基板10と、窒化アルミニウム(AlN)で構成されたAlN層20と、窒化ガリウム(GaN)で構成されたGaN層30と、を有する。本実施形態によるウエハ100は、以下詳しく説明するように、AlN層20の直上に成長されたGaN層30が、薄くても高い品質を有することを1つの特徴とする。
GaN層30は、高い結晶性を有する。具体的には、GaN層30は、厚さが10μm以下であり、X線ロッキングカーブ測定による(0002)面の半値幅が100秒以下であり、X線ロッキングカーブ測定による(10-12)面の半値幅が200秒以下である。
GaN層30は、高い表面平坦性を有する。具体的には、GaN層30の表面31は、5μm角領域の原子間力顕微鏡(AFM)測定により求めた二乗平均平方根(rms)値として、好ましくは0.5nm以下の表面粗さを有し、より好ましくは0.4nm以下の表面粗さを有する(図8参照)。
GaN層30は、高い、膜厚の面内均一性を有する。具体的には、GaN層30の厚さが10μm以下において、GaN層30の厚さの面内ばらつきは、4%以下である(図9参照)。GaN層30の厚さの面内ばらつきは、以下のように規定される。測定対象となるウエハの表面上に一定間隔(好ましくは、1mm以上2mm以下の間隔)の正方格子を設定し、その格子点毎にGaN層30の膜厚を測定する。各点におけるGaN層30の膜厚の測定方法としては、電子顕微鏡等での断面観察による方法、分光エリプソメトリー法、等を用いることが好ましい。なお、ウエハの端面付近では、ウエハ端のベベリング形状の影響、光の乱反射の影響、等に起因して、測定結果が正しく得られない場合が多い。そのような場合には、ウエハ端から1~3mm程度以内に配置された測定点で得られる測定データは、以下の計算から除外することが好ましい。本明細書では、格子点間隔を1mmとし、ウエハ外周2mm以内の領域における測定データは除外した膜厚測定データについて、平均値と標準偏差とを求め、標準偏差を平均値で除した値(%)を、厚さの面内ばらつきとする。
GaN層30は、不純物が添加されている場合に、高い、不純物濃度の面内均一性を有する。具体的には、GaN層30の厚さが10μm以下において、GaN層30における不純物濃度の面内ばらつきは、4%以下である(図10参照)。これに対応し、GaN層30に、キャリア濃度を制御する、n型不純物等の不純物が添加されている場合は、キャリア濃度の面内ばらつきを、4%以下とすることができる(図10参照)。
下地基板10(本例ではサファイア基板)と、下地基板10上に積層されたGaN層30等との熱膨張係数の差に起因して、ウエハ100には反りが生じる。GaN層30が厚いほど、ウエハ100の反りは大きくなる。ウエハ100に多数の半導体素子を製造する際に、当該反りに起因するリソグラフィー精度低下等の不良を抑制するために、当該反りは、過大とならないことが好ましい。
成長温度:900~1300℃
V/III比:0.2~200
成長速度:0.5~3000nm/分
成長温度:900~1000℃
V/III比:1~1000
成長速度:100~2000nm/分
次に、第2実施形態による半導体素子200について説明する。第2実施形態では、最表面がAlN層20であるAlNテンプレートとしてIII族窒化物積層基板90(以下、ウエハ90ともいう)を製造し、ウエハ90を用いて半導体素子200を製造する態様を例示する。
成長温度:900~1000℃
V/III比:500~8000
成長速度:10~100nm/分
次に、本発明の実施例に係る実験の結果について説明する。第1実施形態で説明した方法により、下地基板10(以下単に、下地基板ともいう)、AlN層20(以下単に、AlN層ともいう)およびGaN層30(以下単に、GaN層ともいう)を有するウエハ100(以下単に、ウエハともいう)を作製した。GaN層の厚さを変化させることで、GaN層の結晶性、GaN層の表面平坦性、GaN層の膜厚の面内均一性、GaN層における不純物濃度の(キャリア濃度の)面内均一性、および、ウエハの反りが、それぞれ、どのように変化するか調べた。
図7は、実施例によるGaN層の結晶性を示すグラフであり、図12は、比較例によるGaN層の結晶性を示すグラフである。結晶性として、X線ロッキングカーブ測定による(0002)回折の半値幅、および、X線ロッキングカーブ測定による(10-12)回折の半値幅を測定した。図7および図12において、横軸がGaN層の厚さを示し、縦軸がX線回折の半値幅を示す。
図8は、実施例によるGaN層の表面平坦性を示すグラフであり、図13は、比較例によるGaN層の表面平坦性を示すグラフである。表面平坦性として、GaN層の表面の5μm角領域に対し、AFM測定により表面粗さのrms値(以下単に、rmsともいう)を求めた。図8および図13において、横軸がGaN層の厚さを示し、縦軸がrmsを示す。
図9は、実施例によるGaN層の厚さの面内ばらつきを示すグラフである。図9において、横軸がGaN層の厚さを示し、縦軸が厚さの面内ばらつきを示す。厚さの面内ばらつきは、GaN層が薄くなるほど小さくなる傾向を有する。GaN層の厚さを10μm以下とすることで、厚さの面内ばらつきを4%以下とすることができる。
図10は、実施例によるGaN層における不純物濃度の(キャリア濃度の)面内ばらつきを示すグラフである。本実施例では、GaN層に不純物としてn型不純物を添加しており、GaN層におけるn型キャリア濃度の面内ばらつきを測定している。GaN層におけるn型キャリア濃度の面内ばらつきは、GaN層におけるn型不純物濃度の面内ばらつきと解釈することもできる。図10において、横軸がGaN層の厚さを示し、縦軸がn型キャリア濃度のばらつき、つまり、n型不純物濃度の面内ばらつきを示す。不純物濃度の(キャリア濃度の)面内ばらつきは、GaN層が薄くなるほど小さくなる傾向を有する。GaN層の厚さを10μm以下とすることで、不純物濃度の(キャリア濃度の)面内ばらつきを4%以下とすることができる。
図11は、実施例によるGaN層を有するウエハの反りを示すグラフである。図11において、横軸がGaN層の厚さを示し、縦軸がウエハの反りを示す。ウエハの反りは、GaN層が薄くなるほど小さくなる傾向を有する。GaN層の厚さを10μm以下とすることで、ウエハの反りを、好ましくは140μm以下、より好ましくは135μm以下とすることができる。
本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を行ってもよい。また、種々の実施形態は、適宜組み合わせてよい。
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
(直径2インチ以上の)下地基板と、
前記下地基板上に形成され、窒化アルミニウムで構成された第1層と、
前記第1層上に形成され、窒化ガリウムで構成された第2層と、
を有し、
前記第2層は、厚さが10μm以下であり、X線ロッキングカーブ測定による(0002)回折の半値幅が100秒以下であり、X線ロッキングカーブ測定による(10-12)回折の半値幅が200秒以下である、
III族窒化物積層基板。
前記第2層は、厚さが0.8μm以上である、付記1に記載のIII族窒化物積層基板。
前記第2層の表面は、5μm角領域の原子間力顕微鏡測定により求めた二乗平均平方根値として0.5nm以下(より好ましくは0.4nm以下)の表面粗さを有する、付記1または2に記載のIII族窒化物積層基板。
前記第2層の厚さの面内ばらつきが、4%以下である、付記1~3のいずれか1つに記載のIII族窒化物積層基板。
前記第2層に不純物が添加されており、前記第2層における不純物濃度の面内ばらつきが、4%以下である、付記1~4のいずれか1つに記載のIII族窒化物積層基板。
前記第2層にキャリア濃度を制御する不純物が(n型不純物が)添加されており、前記第2層におけるキャリア濃度の(n型キャリア濃度の)面内ばらつきが、4%以下である、付記1~5のいずれか1つに記載のIII族窒化物積層基板。
前記III族窒化物積層基板の反りが140μm以下(より好ましくは135μm以下)である、付記1~6のいずれか1つに記載のIII族窒化物積層基板。
前記第2層は、厚さが7μm以下である、付記1~7のいずれか1つに記載のIII族窒化物積層基板。
前記第2層の厚さの面内ばらつきが、3.5%以下(より好ましくは3%以下)である、付記8に記載のIII族窒化物積層基板。
前記第2層に不純物が(キャリア濃度を制御する不純物が)添加されており、前記第2層における不純物濃度の(キャリア濃度の)面内ばらつきが、3.5%以下(より好ましくは3%以下)である、付記8または9に記載のIII族窒化物積層基板。
前記III族窒化物積層基板の反りが110μm以下(より好ましくは105μm以下)である、付記8~10のいずれか1つに記載のIII族窒化物積層基板。
前記第2層は、厚さが5μm以下である、付記1~11のいずれか1つに記載のIII族窒化物積層基板。
前記第2層の厚さの面内ばらつきが、3%以下(より好ましくは2.5%以下)である、付記12に記載のIII族窒化物積層基板。
前記第2層に不純物が(キャリア濃度を制御する不純物が)添加されており、前記第2層における不純物濃度の(キャリア濃度の)面内ばらつきが、3%以下(より好ましくは2.5%以下)である、付記12または13に記載のIII族窒化物積層基板。
前記III族窒化物積層基板の反りが80μm以下(より好ましくは75μm以下)である、付記12~14のいずれか1つに記載のIII族窒化物積層基板。
前記第2層は、厚さが3μm以下である、付記1~15のいずれか1つに記載のIII族窒化物積層基板。
前記第2層の厚さの面内ばらつきが、2.5%以下(より好ましくは2%以下)である、付記16に記載のIII族窒化物積層基板。
前記第2層に不純物が(キャリア濃度を制御する不純物が)添加されており、前記第2層における不純物濃度の(キャリア濃度の)面内ばらつきが、2.5%以下(より好ましくは2%以下)である、付記16または17に記載のIII族窒化物積層基板。
前記III族窒化物積層基板の反りが50μm以下(より好ましくは45μm以下)である、付記16~18のいずれか1つに記載のIII族窒化物積層基板。
前記第2層は、厚さが2μm以下である、付記1~19のいずれか1つに記載のIII族窒化物積層基板。
前記第2層の厚さの面内ばらつきが、2%以下(より好ましくは1.5%以下)である、付記20に記載のIII族窒化物積層基板。
前記第2層に不純物が(キャリア濃度を制御する不純物が)添加されており、前記第2層における不純物濃度の(キャリア濃度の)面内ばらつきが、2%以下(より好ましくは1.5%以下)である、付記20または21に記載のIII族窒化物積層基板。
前記III族窒化物積層基板の反りが40μm以下(より好ましくは35μm以下)である、付記20~22のいずれか1つに記載のIII族窒化物積層基板。
前記第2層は、厚さが1.5μm以下である、付記1~23のいずれか1つに記載のIII族窒化物積層基板。
前記第2層の厚さの面内ばらつきが、1.5%以下(より好ましくは1%以下)である、付記24に記載のIII族窒化物積層基板。
前記第2層に不純物が(キャリア濃度を制御する不純物が)添加されており、前記第2層における不純物濃度の(キャリア濃度の)面内ばらつきが、1.5%以下(より好ましくは1%以下)である、付記24または25に記載のIII族窒化物積層基板。
前記III族窒化物積層基板の反りが35μm以下(より好ましくは30μm以下)である、付記24~26のいずれか1つに記載のIII族窒化物積層基板。
前記第2層は、厚さが1.2μm以下である、付記1~27のいずれか1つに記載のIII族窒化物積層基板。
前記第2層の厚さの面内ばらつきが、1%以下(より好ましくは0.8%以下)である、付記28に記載のIII族窒化物積層基板。
前記第2層に不純物が(キャリア濃度を制御する不純物が)添加されており、前記第2層における不純物濃度の(キャリア濃度の)面内ばらつきが、1%以下(より好ましくは0.8%以下)である、付記28または29に記載のIII族窒化物積層基板。
前記III族窒化物積層基板の反りが30μm以下(より好ましくは25μm以下)である、付記28~30のいずれか1つに記載のIII族窒化物積層基板。
前記第2層は、厚さが1μm以上であり、X線ロッキングカーブ測定による(0002)回折の半値幅が80秒以下であり、X線ロッキングカーブ測定による(10-12)回折の半値幅が180秒以下である、付記1~31のいずれか1つに記載のIII族窒化物積層基板。
前記第2層は、厚さが1.5μm以上であり、X線ロッキングカーブ測定による(0002)回折の半値幅が70秒以下であり、X線ロッキングカーブ測定による(10-12)回折の半値幅が170秒以下である、付記1~27のいずれか1つに記載のIII族窒化物積層基板。
前記下地基板は、サファイア基板である、付記1~33のいずれか1つに記載のIII族窒化物積層基板。サファイア基板は、好ましくは、例えば、直径が2インチで厚さが300μm以上500μm以下であり、また例えば、直径が4インチで厚さが600μm以上1000μm以下であり、また例えば、直径が6インチで厚さが1000μm以上1500μm以下である。
半導体素子の製造に用いられ、前記第2層が、前記半導体素子の動作層の少なくとも一部として用いられる、付記1~34のいずれか1つに記載のIII族窒化物積層基板。
付記1~35のいずれか1つに記載のIII族窒化物積層基板が有する前記第2層を、動作層の少なくとも一部として備える、半導体素子。
(直径2インチ以上の)下地基板と、
前記下地基板上に形成され、窒化アルミニウムで構成された第1層と、
を有し、
窒化ガリウムで構成され、厚さが10μm以下であり、X線ロッキングカーブ測定による(0002)回折の半値幅が100秒以下であり、X線ロッキングカーブ測定による(10-12)回折の半値幅が200秒以下である、第2層を、成長させる下地として用いられる表面を、前記第1層が有する、III族窒化物積層基板。好ましくは、付記2~33のいずれか1つに記載の第2層を成長させる下地として用いられる表面を、第1層が有する。
Claims (13)
- 下地基板と、
前記下地基板上に形成され、窒化アルミニウムで構成され、全域がアルミニウム極性を有する上面を備えた第1層と、
前記第1層の前記上面上に形成され、窒化ガリウムで構成された第2層と、
を有し、
前記第2層は、厚さが10μm以下であり、X線ロッキングカーブ測定による(0002)回折の半値幅が100秒以下であり、X線ロッキングカーブ測定による(10-12)回折の半値幅が200秒以下である、
III族窒化物積層基板。 - 前記第2層の表面は、5μm角領域の原子間力顕微鏡測定により求めた二乗平均平方根値として0.5nm以下の表面粗さを有する、請求項1に記載のIII族窒化物積層基板。
- 前記第2層の厚さの面内ばらつきが、4%以下である、請求項1または2に記載のIII族窒化物積層基板。
- 前記第2層に不純物が添加されており、前記第2層における不純物濃度の面内ばらつきが、4%以下である、請求項1~3のいずれか1項に記載のIII族窒化物積層基板。
- 前記第2層にキャリア濃度を制御する不純物が添加されており、前記第2層におけるキャリア濃度の面内ばらつきが、4%以下である、請求項1~4のいずれか1項に記載のIII族窒化物積層基板。
- 前記III族窒化物積層基板の反りが140μm以下である、請求項1~5のいずれか1項に記載のIII族窒化物積層基板。
- 前記第2層は、厚さが3μm以下である、請求項1~6のいずれか1項に記載のIII族窒化物積層基板。
- 前記第2層の厚さの面内ばらつきが、2.5%以下である、請求項7に記載のIII族窒化物積層基板。
- 前記第2層に不純物が添加されており、前記第2層における不純物濃度の面内ばらつきが、2.5%以下である、請求項7または8に記載のIII族窒化物積層基板。
- 前記III族窒化物積層基板の反りが50μm以下である、請求項7~9のいずれか1項に記載のIII族窒化物積層基板。
- 半導体素子の製造に用いられ、前記第2層が、前記半導体素子の動作層の少なくとも一部として用いられる、請求項1~10のいずれか1項に記載のIII族窒化物積層基板。
- 請求項1~11のいずれか1項に記載のIII族窒化物積層基板が有する前記第2層を、動作層の少なくとも一部として備える、半導体素子。
- 下地基板と、
前記下地基板上に形成され、窒化アルミニウムで構成され、全域がアルミニウム極性を有する上面を備えた第1層と、
を有し、
窒化ガリウムで構成され、厚さが10μm以下であり、X線ロッキングカーブ測定による(0002)回折の半値幅が100秒以下であり、X線ロッキングカーブ測定による(10-12)回折の半値幅が200秒以下である、第2層を、成長させる下地として用いられる前記上面を、前記第1層が有する、III族窒化物積層基板。
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