JP2006140530A - p型窒化物半導体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板温度を約1050℃にして、MgがドープされたGaNからなるp型窒化物半導体層を成長させる。その後、冷却工程において、基板温度が略950℃〜略700℃の間に、雰囲気の水素濃度(%)をX軸、冷却時間(分)をY軸とし、座標を(X、Y)として、点A(50、1.0)、点B(30、1.8)、点C(10、4.1)、点D(0、15)、点E(0、0.5)、及び点F(50、0.5)で表される各点によって囲まれた領域ABCDEF内で規定される雰囲気の水素濃度と冷却時間の組合わせで冷却する。
【選択図】図4
Description
図1は、本発明の一実施の形態に係るp型窒化物半導体を示す構成断面図を示している。図1に示すように、サファイアからなる基板11上には、GaNからなるバッファ層12と、GaNからなるp型窒化物半導体層13とが順次形成されている。
本発明の第2のp型窒化物半導体の製造方法によって、第1の実施の形態と同様に図1に示す断面構造のp型窒化物半導体を作製した。
本実施例においては、図1に示す断面構造を有するp型窒化物半導体を作製した。
実施例2においては、上記実施例1において、冷却工程における雰囲気の条件を変化させた以外は、上記実施例1と同様の手順でp型窒化物半導体を作製した。
比較例1においては、上記実施例2において、冷却工程における冷却時間(あるいは冷却速度)を変化させた以外は、上記実施例2と同様の手順でp型窒化物半導体を作製した。
図6は、本発明の他の実施の形態に係るp型窒化物半導体を示す構成断面図である。
12 バッファ層
13 p型窒化物半導体層
21 基板
22 第1のn型クラッド層
23 第2のn型クラッド層
24 発光層
25 中間層
26 p型クラッド層
27 p側電極
28 n側電極
Claims (2)
- 基板の上に、該基板の温度を略950℃以上に保持して、p型ドーパント源と窒素源とIII族源とを導入することにより、前記基板上に低抵抗のp型窒化物半導体層を形成するp型窒化物半導体層形成工程と、
前記p型窒化物半導体層が形成された基板を冷却する冷却工程と、を備えるp型窒化物半導体の製造方法であって、
前記冷却工程における前記基板の温度が略950℃から略700℃まで降下する間において、p型窒化物半導体層がその低抵抗性を維持できる雰囲気の水素濃度と冷却時間の組合わせにより冷却し、前記雰囲気の水素濃度と前記冷却時間の組合わせが、前記雰囲気の水素濃度(%)をX軸、前記冷却時間(分)をY軸とし、座標を(X、Y)として、点A(50、1.0)、点B(30、1.8)、点C(10、4.1)、点D(0、15)、点E(0、0.5)、及び点F(50、0.5)で表される各点によって囲まれた領域ABCDEF内で規定されることを特徴とするp型窒化物半導体の製造方法。 - 基板の上に、該基板の温度を略950℃以上に保持して、p型ドーパント源と窒素源とIII族源とを導入することにより、前記基板上に低抵抗のp型窒化物半導体層を形成するp型窒化物半導体層形成工程と、
前記p型窒化物半導体層が形成された基板を冷却する冷却工程と、を備えるp型窒化物半導体の製造方法であって、
前記冷却工程における前記基板の温度が略800℃の時点において、p型窒化物半導体層がその低抵抗性を維持できる雰囲気の水素濃度と冷却速度の組合わせにより冷却し、前記雰囲気の水素濃度と前記冷却速度の組合わせが、前記雰囲気の水素濃度(%)をX軸、前記冷却速度(℃/分)をY軸とし、座標を(X、Y)として、点O(50、250)、点P(30、140)、点Q(10、61)、点R(0、17)、点S(0、500)、及び点T(50、500)で表される各点によって囲まれた領域OPQRST内で規定されることを特徴とするp型窒化物半導体の製造方法。
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