KR19980050643U - 반도체 화학기상증착 장치 - Google Patents

반도체 화학기상증착 장치 Download PDF

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    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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Abstract

본 고안은 반도체 화학기상증착 장치에 관한 것으로, 종래 기술에 의한 반도체 화학기상증착 장치는 챔버간의 상호 오염을 방지하기 위한 로드락 챔버와 프로세서 챔버간에 발생시킨 압력차에 의하여 슬릿밸브가 열리게 되면 상기 프로세서 챔버내의 증착가스가 요동하게 되어 이물질이 발생함과 아울러 그 프로세서 챔버내에 설치되어 있는 큼램프링의 위치 이탈이 발생하게 되는 문제점을 초래하였다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 본 고안에 의한 반도체 화학기상증착장치는 아래 도면에 도시된 바와 같이, 로드락 챔버(12)와 프로세서 챔버(13)내의 압력을 동일하게 만들어 줄 수 있는 차압 완충용 퍼지라인(16)을 설치하므로써, 슬릿밸브(14)가 열리게 되어도 상기 프로세서 챔버(13)내의 증착가스가 요동하지 않게 되어 이물질이 발생이 방지되고, 또 상기 프로세서 챔버(13)내에 설치되어 있는 클램프링이 이탈되는 것이 방지된다.

Description

반도체 화학기상증착 장치
본 고안은 반도체 화학기상증착 장치에 관한 것으로, 특히 로드락 챔버의 퍼지라인과 프로세서 챔버의 퍼지라인을 연결하는 차압 완충용 퍼지라인을 설치하여 압력차에 의한 이물질의 발생을 방지하여 증착하는 반도체 웨이퍼의 오염을 방지함과 아울러 상기 챔버내의 클램프링의 위치 이탈을 방지할 수 있도록 한 반도체 화학기상증착 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 웨이퍼를 증착하는 하나의 장비인 화학기상증착 장치는 상기 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 웨이퍼를 적재하여 이송하는 카세트 엘리베이터(1)가 설치되어 있고, 그 카세트 엘리베이터(1)를 통하여 이송된 반도체 웨이퍼가 임시 대기하는 로드락 챔버(2)가 형성되어 있고, 그 로드락 챔버(2)에는 상기 반도체 웨이퍼에 증착공정이 진행되는 수개의 프로세서 챔버(3)가 설치되어 있다.
상기 프로세서 챔버(3)에는 상기 로드락 챔버(2)에 대기하고 있는 반도체 웨이퍼가 인출.입함과 아울러 각 챔버간을 격리시켜주는 슬릿밸브(4)가 설치되어 있고, 또 상기 로드락 챔버(2)와 프로세서 챔버(3)에는 증착가스나 그 증착가스가 벤팅(Venting) 되는 퍼지라인(5,5')이 설치되어 있다.
도면상의 미설명 부호 6,6'는 퍼지라인 밸브이다.
상기와 같이 구성된 반도체 화학기상증착 장치, 상기 카세트 엘리베이터(1)에 적재되어 증착할 반도체 웨이퍼가 이송되면, 이때 상기 로드락 챔버(2)는 그 로드락 챔버(2)에 설치되어 있는 퍼지라인(5)에 의하여 대기압 상태로 벤팅이 됨과 아울러 상기 카세트 엘리베이터(1)에 적재되어 있는 반도체 웨이퍼가 상기 로드락 챔버(2)에 위치하게 된다.
상기의 상태에서 상기 로드락 챔버(2)에 설치되어 있는 퍼지라인(5)이 차단됨과 아울러 펌핑되어 그 로드락 챔버(2)는 일정압까지 떨어지게 된다.
이와 같은 상태에서 상 프로세서 챔버의 슬릿밸브(4)가 열리게 됨과 아울러 상기 반도체 웨이퍼가 그 프로세서 챔버(3)에 설치되어 있는 클램프링(미도시)에 적재되어 증착공정이 진행되게 되는 것이다.
이때, 독성이 강한 증착가스를 사용하기 때문에 상기 챔버간의 상호 오염을 방지하기 위하여 상기 로드락 챔버(2)쪽의 압력은 높이고, 상기 프로세서 챔버(3)쪽의 압력은 낮추어 상기 슬릿밸브(4)가 열릴 경우 상기 증착가스의 흐름이 상기 로드락 챔버(2)에서 프로세서 챔버(3)의 방향으로 흐르도록 하는 것이 일반적이며, 또 상기 프로세서 챔버(3)에 설치되어 있는 퍼지라인(5')은 상기 반도체 웨이퍼를 증착할 증착가스를 공급함과 아울러 그 프로세서 챔버(3)의 슬릿밸브(4)의 개방전에 벤팅에 이용되는 것이다.
그러나, 상기와 같이 구성된 반도체 화학기상증착 장치는 챔버간의 상호 오염을 방지하기 위한 로드락 챔버와 프로세서 챔버간에 발생시킨 압력차에 의하여 상기 슬릿밸브가 열리게 되면 상기 프로세서 챔버내의 증착가스가 요동하게 되어 이물질이 발생함과 아울러 그 프로세서 챔버내에 설치되어 있는 클램프링의 위치 이탈이 발생하게 되는 문제점을 초래하였다.
따라서, 본 고안의 목적은 상기의 목적을 해결하여 상기 프로세서 챔버내의 이물질 발생을 방지함과 아울러 그 프로세서 챔버내에 설치되어 있는 클램프링의 위치이탈을 방지할 수 있는 반도체 화학기상증착 장치를 제공함에 있다.
도 1 은 종래 기술에 의한 반도체 화학기상증착 장치의 구조를 보인 개략도.
도 2 는 본 고안에 의한 반도체 화학기상증착 장치의 구조를 보인 개략도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
11 : 카세트 엘리베이터12 : 로드락 챔버
13 : 프로세서 챔버14 : 슬릿밸브
15,15' : 퍼지라인16 : 차압 완충용 퍼지라인
16a : 바이패스라인16b : 파이널 밸브
16c : 퍼스트 밸브16d : 연결라인
17,17' : 퍼지라인 밸브
본 고안의 목적은 반도체 웨이퍼를 이송시키는 카세트 엘리베이터와, 그 카세트 엘리베이터를 통하여 이송된 반도체 웨이퍼가 임시 대기하는 로드락 챔버와, 상기 반도체 웨이퍼가 인출.입하는 슬릿밸브를 구비하고 상기 로드락 챔버에 수개가 설치되어 상기 반도체 웨이퍼의 증착공정이 진행되는 프로세서 챔버와, 상기 로드락 챔버내의 가스를 벤팅하는 퍼지라인과, 상기 프로세서 챔버에 증착가스를 공급함과 아울러 그 증착가스를 벤팅하는 퍼지라인과, 상기 로드락 챔버와 프로세서 챔버간의 차압을 완충시켜주는 차압 완충용 퍼지라인을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 화학기상증착 장치에 의하여 달성된다.
다음은, 본 고안에 의한 반도체 화학기상증착 장치의 일실시예를 첨부된 도면에 의거하여 상세하게 설명한다.
도 2는 본 고안에 의한 반도체 화학기상증착 장치의 구조를 보인 개략도이다.
상기 도 2에 도시된 바와 같이 본 고안에 의한 반도체 화학기상증착 장치는, 상기 반도체 웨이퍼를 적재하여 이송하는 카세트 엘리베이터(11)가 설치되어 있고, 그 카세트 엘리베이터(11)를 통하여 이송된 반도체 웨이퍼가 임시 대기하는 로드락 챔버(12)가 형성되어 있고, 그 로드락 챔버(12)에는 상기 반도체 웨이퍼에 증착공정이 진행되는 수개의 프로세서 챔버(13)가 설치되어 있다.
상기 프로세서 챔버(13)에는 상기 로드락 챔버(12)에 대기하고 있는 반도체 웨이퍼가 인출.입함과 아울러 각 챔버간을 격리시켜주는 슬릿밸브(14)가 설치되어 있고, 또 상기 로드락 챔버(12)와 프로세서 챔버(13)에는 증착가스나 그 증착가스가 벤팅(Venting) 되는 퍼지라인(15,15')이 설치되어 있다.
상기 프로세서 챔버(13)에 설치된 퍼지라인(15')에는 그 프로세서 챔버(13)와 상기 로드락 챔버(12)간의 차압을 완충시켜주기 위한 차압 완충용 퍼지라인(16)의 하나의 구성요소인 바이패스라인(16a)이 상기 퍼지라인(15')에 설치된 퍼지라인 밸브(17)를 중심으로 하여 설치되어 있고, 상기 바이패스라인(16a)에는 파이널 밸브(16b)와 퍼스트 밸브(16c)가 설치되어 있으며, 또 상기 퍼스트 밸브(16c)는 상기 로드락 챔버(12)에 설치된 퍼지라인(15)의 밸브(17')와 연결라인(16d)으로 연결되어 있다.
상기와 같이 구성된 차압 완충용 퍼지라인을 구비한 반도체 화학기상증착 장치는, 먼저 상기 카세트 엘리베이터(11)에 적재되어 증착한 반도체 웨이퍼가 이송되면, 이때 상기 로드락 챔버(12)는 그 로드락 챔버(12)에 설치되어 있는 퍼지라인(15)에 의하여 대기압 상태로 벤팅이 됨과 아울러 상기 카세트 엘리베이터(11)에 적재되어 있는 반도체 웨이퍼가 상기 로드락 챔버(12)에 위치하게 된다.
상기의 상태에서 상기 로드락 챔버(12)에 설치되어 있는 퍼지라인(15)의 밸브(17)가 닫히게 되어 그 퍼지라인(15)이 차단됨과 아울러 상기 로드락 챔버(12)내의 가스가 펌핑되어 그 로드락 챔버(12)는 일정압까지 떨어지게 된다.
이와 같은 상태에서, 상기 차압 완충용 퍼지라인(16)인 바이패스라인(16a)에 설치되어 있는 퍼스트 밸브(16c)가 열리게 되어 상기 로드락 챔버(12)와 프로세서 챔버(13)내의 압력이 같아지게 됨과 동시에 상기 슬릿밸브(14)가 오픈되어 상기 반도체 웨이퍼가 상기 프로세서 챔버(13)내에 설치되어 있는 클램프링(미도시)에 장착되고, 다시 상기 슬릿밸브(14)가 클로즈된다.
상기의 상태에서 로드락 챔버(12)에 설치되어 있는 퍼지라인의 밸브(17)와 상기 바이패스라인(16a)에 설치되어 있는 파이널 밸브(16b)는 클로즈 시켜 상기 프로세서 챔버(13)와 로드락 챔버(12)를 동시에 펌핑시키고, 이어서 증착공정을 진행시킨다.
또 상기 프로세서 챔버(13)에 설치되어 있는 퍼지라인(15')은 상기 반도체 웨이퍼를 증착할 증착가스를 공급함과 아울러 그 프로세서 챔버(13)의 슬릿밸브(14)의 개방전에 벤팅에 이용되는 것이다.
상기와 같이 로드락 챔버와 프로세서 챔버내의 압력을 동일하게 만들어 줄 수 있는 차압 완충용 퍼지라인을 설치하므로써, 상기 슬릿밸브가 열리게 되어도 상기 프로세서 챔버내의 증착가스가 요동하지 않게 되어 이물질이 발생이 방지되고, 또 상기 프로세서 챔버에 설치되어 있는 클램프링이 이탈되는 것이 방지되게 된다.

Claims (2)

  1. 반도체 웨이퍼를 이송하는 카세트 엘리베이터와, 그 카세트 엘리베이터를 통하여 이송된 반도체 웨이퍼가 임시 대기하는 로드락 챔버와, 상기 반도체 웨이퍼가 인출.입하는 슬릿밸브를 구비하고 상기 로드락 챔버에 수개가 설치되어 상기 반도체 웨이퍼의 증착공정이 진행되는 프로세서 챔버와, 상기 로드락 챔버내의 가스를 벤팅하는 퍼지라인과, 상기 프로세서 챔버에 증착가스를 공급함과 아울러 그 증착가스를 벤팅하는 퍼지라인과, 상기 로드락 챔버와 프로세서 챔버간의 차압을 완충시켜주는 차압 완충용 퍼지라인을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 화학기상증착 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 차압 완충용 퍼지라인은 상기 프로세서 챔버의 퍼지라인에 설치된 바이패스 라인과 그 바이패스 라인에 설치된 퍼스트 밸브 및 파이널 밸브 그리고 상기 퍼스트 밸브와 상기 로드락 챔버의 퍼지라인과 연결된 연결라인을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 화학기상증착 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100426818B1 (ko) * 1999-10-01 2004-04-13 주성엔지니어링(주) 반도체 소자 제조 장치
KR20010107138A (ko) * 2000-05-25 2001-12-07 윤종용 화학 기상 증착 장비

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