KR960035792A - 반도체 제조장치 - Google Patents
반도체 제조장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960035792A KR960035792A KR1019960009305A KR19960009305A KR960035792A KR 960035792 A KR960035792 A KR 960035792A KR 1019960009305 A KR1019960009305 A KR 1019960009305A KR 19960009305 A KR19960009305 A KR 19960009305A KR 960035792 A KR960035792 A KR 960035792A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- sealed
- space
- supporting
- process space
- semiconductor wafer
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 48
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 19
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H01L21/205—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
- C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
진공 내에서, 서셉터나 샤웨헤드와 같은 지지소자나 공정소자의 소정의 위치에서 운송 및 적재할 수 있는 반도체 장치를 설치한다. 진공이 발생될 수 있는 전국 교환용 챔버(31)는 게이트 밸브(8)를 지나 공정용 챔버(30)에 인접하여 설치되며, 전극 상승/하강 엘리베이터 핀(22)은 소정의 높이로 서셉터(1)나 샤워헤드(2)를 전송시키기 위해 공정용 챔버(30)과 공정용 챔버(30)의 외부로부터 소정의 토크로 서셉터(1)나 샤워헤드(2)를 지지하는 클램프 기구(40.41)가 설치된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발병의 실시예를 나타내는 단일 웨이퍼형 플라즈마 CVD 장치의 단면도.
Claims (10)
- 밀봉된 공정공간에서 반도체 웨이퍼를 공정하는 반도체 제조장치에 있어서, 상기 반도체 제조장치가 지지소자에 의해 지지되는 상기 반도체 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 실행하기 위한 1개 이상의 반도체 웨이퍼 지지소자 또는 공정소자가 상기 밀봉된 공정공간의 밀봉 상태를 교란시키지 않고, 상기 밀봉된 공정공간으로 또는 상기 밀봉된 공정공간으로부터 외부로 운송하는 소자를 내외로 운송하는 기구와, 상기 밀봉된 공정공간 외부로부터의 동작에 대응하여, 상기 밀봉된 공정공간의 밀봉 상태를 교란사키지 않고, 상기 밀봉 공간 내의 소정의 위치에서 상기 지지소자 또는 상기 공정소자를 지지하거나 소정의 위치에서 지지를 제거하는 상기 밀봉된 공정공간에서의 클램프기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
- 밀봉된 공정 공간에서 반도체 웨이퍼를 공정하는 반도체 제조장치에 있어서, 상기 반도체 제조장치가 지지소자에 의해 지지되는 상기 반도체 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 실행하기 위한 1개 이상의 반도체 웨이퍼 지지소자 또는 공정소자가 상기 밀봉된 공정공간의 밀봉 상태를 교란시키지 않고, 상기 밀봉된 공정공간으로 또는 상기 밀봉된 공정공간으로부터 외부로 운송하는 소자를 내/외 운송하는 기구와, 상기 밀봉된 공정공간 외부로부터의 동작에 대응하여, 상기 밀봉된 공정공간 내의 밀봉 상태를 교란시키지 않고, 상기 지지소자 또는 상기 공정소자의 수평 위치를 조절하기 위해 상하로 구동될 수 있는 상기 밀봉된 공정공간에서의 위치 조절수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
- 밀봉된 공정공간에서 반도체 웨이퍼를 공정하는 반도체 제조장치에 있어서, 상기 반도체 제조장치가 지지소자에 의해 지지되는 상기 반도체 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 실행하기 위한 1개 이상의 반도체 웨이퍼 지지소자 또는 공정소자가 상기 밀봉된 공정공간의 밀봉 상태를 교란시키지 않고, 상기 밀봉된 공정공간으로 또는 상기 밀봉된 공정공간으로부터 외부로 운송하는 소자를 내/외로 운송하는 기구와, 상기 밀봉된 공정공간 외부로부터의 동작에 대응하여, 상기 밀봉된 공정공간의 내의 밀봉 상태를 교란사키지 않고, 상기 밀봉 공정공간 내의 소정의 위치에서 상기 지지소자 또는 상기 공정소자를 지지하거나 소정의위치에서 지지를 게저하는 상기 밀봉된 공정공간에서의 클램프기구와, 상기 밀봉 공정공간 외부로부터의동작에 대응하여, 상기 밀봉된 공정공간 내의 밀봉 상태를 교란시키지 않고 상기 지지소자 또는 상기 공정소자의 수평 위치를 조절하기 위해 상하로 구동될 수 있는 상기 밀봉된 공정공간에서의 위치 조절수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
- 제2항에 있어서, 상기 지지소자나 상기 공정소자의 수평위치를 조절하기 위해 상하로 구동될 수 있는 상기 위치 조절수단이 공정된 상기 반도체 웨이퍼의 수평위치를 조절하기 위해 상하로 구동될 수 있는 반도체 웨이퍼 위치 조절수단과 함께 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
- 제3항에 있어서, 상기 지지소자 또는 상기 공정소자의 수평위치를 조절하기 위해 상하로 구동될 수 있는 상기 위치 조절수단이 공정된 상기 반도체 웨이퍼의 수평 위치를 조절하기 위해 상하로 구동될수 있는 반도체 웨이퍼 위치 조절수단과 함께 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
- 제1항에 있어서, 상기 소자를 내/외로 운송하는 기구가 상기 밀봉된 공정공간에 인접하여 설치되며 밀봉 상태를 유지할 수 있는 제1인접공간의 내부에 설치되며, 상기 소자를 내/외로 운송하는 기구가 상기 밀봉된 공정공간과 상기 제1인접공간이 서로 소통하며 밀봉된 상태에 있을 경우에, 상기 반도체 웨이퍼를 지지하는 지지소자나 상기 밀봉된 공정공간과 상기 제1인접공간 사에에서 상기 반도체 웨이퍼를 공정하는 공정소자를 운송하는 로봇기구로써 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
- 제2항에 있어서, 상기 소자를 내/외로 운송하는 기구가 상기 밀봉된 공정공간에 인접하여 설치되며 밀봉 상태를 유지할 수 있는 제1인접공간의 내부에 설치되며, 상기 소자를 내/외로 운송하는 기구가 상기 밀봉된 공정공간과 상기 제1인접공간이 서로 소통하며 밀봉된 상태에 있을 경우에, 상기 반도체 웨이퍼를 지지하는 지지소자나 상기 밀봉된 공정공간과 상기 제1인접공간 사이에서 상기 반도체 웨이퍼를 공정하는 공정소자를 운송하는 로봇기구로서 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
- 제3항에 있어서, 상기 소자를 내/외로 운송하는 기구가 상기 밀봉된 공정공간에 인접하여 설치되며 밀봉 상태를 유지할 수 있는 제1인접공간의 내부에 설치되며, 상기 소자를 내/외로 운송하는 기구가 상기 밀봉된 공정공간과 상기 제1인접공간이 서로 소통하며 밀봉된 상태에 있을 경우에, 상기 반도체 웨이퍼를 지지하는 지지소자나 상기 밀봉된 공정공간과 상기 제1인접공간 사이에서 상기 반도체 웨이퍼를 공정하는 공정소자를 운송하는 로봇기구로서 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
- 제8항에 있어서, 이미 사용된 상기 지지소자나 이미 사용된 상기 공정소자를 지지하기 위한 제1단과, 사용될 지지소자나 공정소자를 지지하기 위한 제2단이 상기 제1인접공간의 내부에 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
- 제6항에 있어서, 이미 사용된 지지소자나 이미 사용된 상기 공정소자를 지지하기 위한 제1단과, 사용될 지지소자나 공정소자를 지지하기 위한 제2단이 상기 제1인접공간의 내부에 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP95-72932 | 1995-03-30 | ||
JP7293295 | 1995-03-30 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960035792A true KR960035792A (ko) | 1996-10-28 |
Family
ID=13503640
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960009305A KR960035792A (ko) | 1995-03-30 | 1996-03-29 | 반도체 제조장치 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5855679A (ko) |
KR (1) | KR960035792A (ko) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6090176A (en) * | 1997-03-18 | 2000-07-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sample transferring method and sample transfer supporting apparatus |
JPH11297800A (ja) * | 1998-04-09 | 1999-10-29 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置製造用装置 |
US20010001413A1 (en) * | 1998-05-28 | 2001-05-24 | Stephen P. Deornellas | Method and apparatus for increasing wafer throughput between cleanings in semiconductor processing reactors |
JP5165825B2 (ja) * | 2000-01-10 | 2013-03-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 分割された電極集合体並びにプラズマ処理方法。 |
MY120869A (en) * | 2000-01-26 | 2005-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma treatment apparatus and method |
US6921555B2 (en) | 2002-08-06 | 2005-07-26 | Tegal Corporation | Method and system for sequential processing in a two-compartment chamber |
US7153542B2 (en) * | 2002-08-06 | 2006-12-26 | Tegal Corporation | Assembly line processing method |
JP2006093557A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Sharp Corp | 気相成長装置 |
US20070119393A1 (en) * | 2005-11-28 | 2007-05-31 | Ashizawa Kengo | Vacuum processing system |
US20090301393A1 (en) * | 2006-05-13 | 2009-12-10 | Jens William Larsen | Vacuum coating apparatus |
TWI371823B (en) * | 2008-05-16 | 2012-09-01 | Ind Tech Res Inst | Supporting holder positioning a susceptor of a vacuum apparatus |
KR101050463B1 (ko) * | 2009-05-07 | 2011-07-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 플라즈마 처리 장치 |
KR101501362B1 (ko) * | 2012-08-09 | 2015-03-10 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
DE102012110125A1 (de) * | 2012-10-24 | 2014-04-24 | Aixtron Se | Vorrichtung zum Behandeln von Substraten mit einer auswechselbaren Deckenplatte sowie Verfahren zum Auswechseln einer derartigen Deckenplatte |
KR20140061691A (ko) * | 2012-11-14 | 2014-05-22 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 홀더 클리닝 장치 및 이를 구비하는 성막 시스템 |
JP6812264B2 (ja) * | 2017-02-16 | 2021-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置、及びメンテナンス装置 |
DE102019117479A1 (de) | 2019-06-28 | 2020-12-31 | Aixtron Se | In einem CVD-Reaktor verwendbares flaches Bauteil |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0752718B2 (ja) * | 1984-11-26 | 1995-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜形成方法 |
JPS6411320A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-13 | Toshiba Corp | Photo-cvd device |
DE3731444A1 (de) * | 1987-09-18 | 1989-03-30 | Leybold Ag | Vorrichtung zum beschichten von substraten |
JPH01103828A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-20 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | プラズマcvd装置 |
US5174881A (en) * | 1988-05-12 | 1992-12-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming a thin film on surface of semiconductor substrate |
JPH07110991B2 (ja) * | 1989-10-02 | 1995-11-29 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JPH04360523A (ja) * | 1991-06-07 | 1992-12-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 自公転型多数枚気相成長装置 |
US5449410A (en) * | 1993-07-28 | 1995-09-12 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing apparatus |
US5382339A (en) * | 1993-09-17 | 1995-01-17 | Applied Materials, Inc. | Shield and collimator pasting deposition chamber with a side pocket for pasting the bottom of the collimator |
JPH07335552A (ja) * | 1994-06-08 | 1995-12-22 | Tel Varian Ltd | 処理装置 |
-
1996
- 1996-03-21 US US08/621,205 patent/US5855679A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-03-29 KR KR1019960009305A patent/KR960035792A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5855679A (en) | 1999-01-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR960035792A (ko) | 반도체 제조장치 | |
US5391035A (en) | Micro-enviroment load lock | |
JP3644036B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
US6949204B1 (en) | Deformation reduction at the main chamber | |
KR100230697B1 (ko) | 감압 처리 장치 | |
KR101015228B1 (ko) | 반도체소자 제조를 위한 멀티챔버 시스템 및 그 시스템에서의 기판 처리 방법 | |
KR950034488A (ko) | 반도체 제조장치 및 반도체장치의 제조방법과 반도체장치 | |
US20180114710A1 (en) | Equipment front end module and semiconductor manufacturing apparatus including the same | |
US20190096702A1 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer storage medium | |
US7815767B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
KR20180111592A (ko) | 기판 처리 장치 | |
US11430679B2 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus | |
JPH10303099A (ja) | 基板処理装置 | |
KR100896472B1 (ko) | 반도체소자 제조를 위한 멀티챔버 시스템 및 기판 처리 방법 | |
KR970067763A (ko) | 감소된 풋프린트 반도체 처리 시스템 | |
US11139185B2 (en) | Substrate processing device and substrate transfer method | |
KR101019843B1 (ko) | 기밀 모듈 및 상기 기밀 모듈의 배기 방법 | |
JPH07211762A (ja) | ウエハ搬送処理装置 | |
JP2006086401A (ja) | 基板処理装置 | |
KR101840940B1 (ko) | 고온 상압 기상성장장치에 마련되는 챔버 간의 개폐 장치 | |
JP7441908B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP3142397B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR200156809Y1 (ko) | 반도체 화학기상증착 장치 | |
KR20050015316A (ko) | 반도체 소자 제조용 멀티 챔버 시스템 및 이를 이용한반도체 소자의 제조방법 | |
KR102213677B1 (ko) | 기판 처리장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |