JPH11297800A - 半導体装置製造用装置 - Google Patents
半導体装置製造用装置Info
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- JPH11297800A JPH11297800A JP10097854A JP9785498A JPH11297800A JP H11297800 A JPH11297800 A JP H11297800A JP 10097854 A JP10097854 A JP 10097854A JP 9785498 A JP9785498 A JP 9785498A JP H11297800 A JPH11297800 A JP H11297800A
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- Japan
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- semiconductor substrate
- heater stage
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- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板の固定を行う為のポンプを必要と
しないとともに、半導体の搬送異常を容易に検出できる
半導体装置製造用装置を提供すること。 【解決手段】 半導体基板２を保持するステージ１と、
該ステージ１に形成された孔１ａに挿通され、その上面
３ａがステージの上面１ｂより上方に移動し且つステー
ジの上面１ｂより下方に移動して上下動するホールドピ
ン３とをチャンバ１５内に有するとともに、ステージ１
とホールドピン３との間がシールされている半導体装置
製造用装置である。該製造用装置に、ホールドピン３の
位置を検知する位置検知器７が設けられることが好まし
い。
しないとともに、半導体の搬送異常を容易に検出できる
半導体装置製造用装置を提供すること。 【解決手段】 半導体基板２を保持するステージ１と、
該ステージ１に形成された孔１ａに挿通され、その上面
３ａがステージの上面１ｂより上方に移動し且つステー
ジの上面１ｂより下方に移動して上下動するホールドピ
ン３とをチャンバ１５内に有するとともに、ステージ１
とホールドピン３との間がシールされている半導体装置
製造用装置である。該製造用装置に、ホールドピン３の
位置を検知する位置検知器７が設けられることが好まし
い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置製造用装
置に関し、特に、化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等によりウ
ェハー等の半導体基板の表面に所定組成を有する層を形
成させた半導体装置の製造用装置に関する。
置に関し、特に、化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等によりウ
ェハー等の半導体基板の表面に所定組成を有する層を形
成させた半導体装置の製造用装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の製造装置の中で主に
プラズマＣＶＤ装置において、ヒーターステージにウェ
ハーを載せる機構を持つものは、従来、ウェハーを載せ
た後の固定を行っていないものが多い。
プラズマＣＶＤ装置において、ヒーターステージにウェ
ハーを載せる機構を持つものは、従来、ウェハーを載せ
た後の固定を行っていないものが多い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、実際の問題点
として、ウェハーからのアウトガス等、ヒーター上でウ
ェハーがずれる要素は持っており、ずれが起きた場合
は、膜厚面内均一性の悪化等による製品不良につながる
可能性がある。また、ウェハーの固定を行う為にポンプ
を用いてウェハー裏面を吸着する機構のものがあるが、
この機構ではポンプの設置により、装置が大きくなった
り、高価になる等の問題がある。
として、ウェハーからのアウトガス等、ヒーター上でウ
ェハーがずれる要素は持っており、ずれが起きた場合
は、膜厚面内均一性の悪化等による製品不良につながる
可能性がある。また、ウェハーの固定を行う為にポンプ
を用いてウェハー裏面を吸着する機構のものがあるが、
この機構ではポンプの設置により、装置が大きくなった
り、高価になる等の問題がある。
【０００４】本発明は、半導体基板の固定を行う為のポ
ンプを必要としないとともに、半導体の搬送異常を容易
に検出できる半導体装置製造用装置を提供する。
ンプを必要としないとともに、半導体の搬送異常を容易
に検出できる半導体装置製造用装置を提供する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置製造
用装置は、半導体基板を保持するステージと、該ステー
ジに形成された孔に挿通され、その上面がステージの上
面より上方に移動し且つステージの上面より下方に移動
して上下動するホールドピンとをチャンバ内に有すると
ともに、ステージとホールドピンとの間がシールされて
いる装置である。半導体装置製造用装置に、ホールドピ
ンの位置を検知する位置検知器が設けられていることが
好ましい。
用装置は、半導体基板を保持するステージと、該ステー
ジに形成された孔に挿通され、その上面がステージの上
面より上方に移動し且つステージの上面より下方に移動
して上下動するホールドピンとをチャンバ内に有すると
ともに、ステージとホールドピンとの間がシールされて
いる装置である。半導体装置製造用装置に、ホールドピ
ンの位置を検知する位置検知器が設けられていることが
好ましい。
【０００６】
【発明の実施の形態】図１は、この発明の半導体装置製
造用装置の一実施形態例を示す断面図であって、該装置
をＣＶＤ装置として用いた場合を示す。該製造用装置
は、半導体基板２を保持して加熱するヒーターステージ
１と、該ヒーターステージ１に形成された貫通孔１ａに
挿通され、上面３ａがヒーターステージ１の上面１ｂよ
り上方に移動し且つヒーターステージ１の上面１ｂより
下方に移動して上下動するホールドピン３とをチャンバ
１５内に有するとともに、ヒーターステージ１とホール
ドピン３との間が孔１ａに装着されたシール部品４によ
りシール（密封）されてチャンバ１５内の空間とチャン
バ１５外の空間とが遮断されている製造用装置であっ
て、ホールドピン３の上面３ａがヒーターステージ１の
上面１ｂより上方に移動した状態でホールドピン３の上
面３ａ上に半導体基板２が載置され、ホールドピン３の
上面３ａがヒーターステージ１の上面１ｂより下方に移
動した状態でホールドピン３の上面３ａ上に載置されて
いた半導体基板２がヒーターステージ１の上面に吸着保
持される製造用装置である。
造用装置の一実施形態例を示す断面図であって、該装置
をＣＶＤ装置として用いた場合を示す。該製造用装置
は、半導体基板２を保持して加熱するヒーターステージ
１と、該ヒーターステージ１に形成された貫通孔１ａに
挿通され、上面３ａがヒーターステージ１の上面１ｂよ
り上方に移動し且つヒーターステージ１の上面１ｂより
下方に移動して上下動するホールドピン３とをチャンバ
１５内に有するとともに、ヒーターステージ１とホール
ドピン３との間が孔１ａに装着されたシール部品４によ
りシール（密封）されてチャンバ１５内の空間とチャン
バ１５外の空間とが遮断されている製造用装置であっ
て、ホールドピン３の上面３ａがヒーターステージ１の
上面１ｂより上方に移動した状態でホールドピン３の上
面３ａ上に半導体基板２が載置され、ホールドピン３の
上面３ａがヒーターステージ１の上面１ｂより下方に移
動した状態でホールドピン３の上面３ａ上に載置されて
いた半導体基板２がヒーターステージ１の上面に吸着保
持される製造用装置である。
【０００７】即ち、ＣＶＤチャンバー１５内にヒーター
ステージ１とホールドピン３を持ち、更にヒーターステ
ージ１にポンプ不要の半導体基板吸着機能を備えるもの
であり、この吸着機能により半導体基板２のヒータース
テージ１上への吸着固定を行い、ヒーターステージ１上
の半導体基板２の位置ズレを無くすものである。
ステージ１とホールドピン３を持ち、更にヒーターステ
ージ１にポンプ不要の半導体基板吸着機能を備えるもの
であり、この吸着機能により半導体基板２のヒータース
テージ１上への吸着固定を行い、ヒーターステージ１上
の半導体基板２の位置ズレを無くすものである。
【０００８】ホールドピン３にシール部品４を取り付け
てあることで、ホールドピン３が半導体基板２をヒータ
ーステージ１上に置く位置よりも更に下降し続けると、
ヒーターステージ１の上面１ｂに密着した半導体基板２
とシール部品４との間の孔空間がチャンバー１５の内圧
より低圧となり、半導体基板２はヒーターステージ１に
吸着される。
てあることで、ホールドピン３が半導体基板２をヒータ
ーステージ１上に置く位置よりも更に下降し続けると、
ヒーターステージ１の上面１ｂに密着した半導体基板２
とシール部品４との間の孔空間がチャンバー１５の内圧
より低圧となり、半導体基板２はヒーターステージ１に
吸着される。
【０００９】ホールドピン３は一定圧で下降を行うが、
ヒーターステージ１の上面１ｂに接触した半導体基板２
とシール部品４間が低圧になることで下降に逆らう力と
なり、ホールドピン３の下降がつり合い位置で停止す
る。このとき、下降が停止しないようであれば、センサ
ー６、７により半導体基板２の吸着異常のアラームとし
て検出する。
ヒーターステージ１の上面１ｂに接触した半導体基板２
とシール部品４間が低圧になることで下降に逆らう力と
なり、ホールドピン３の下降がつり合い位置で停止す
る。このとき、下降が停止しないようであれば、センサ
ー６、７により半導体基板２の吸着異常のアラームとし
て検出する。
【００１０】本発明を更に詳しく説明する。ＣＶＤチャ
ンバー１５内にはヒーターステージ１と、導入されるガ
ス（例えば、ＳｉＨ4などシランガスと酸素ガスとの混
合ガス等）の吹き出し用のシャワーヘッド８を持つ構造
になっている。ヒーターステージ１は、半導体基板２の
受け渡し時に必要なホールドピン３を持つ。ホールドピ
ン３には、シール部品４が取り付けてあり、ホールドピ
ン３が通る穴を密閉し、外部と遮断する機構となってい
る。
ンバー１５内にはヒーターステージ１と、導入されるガ
ス（例えば、ＳｉＨ4などシランガスと酸素ガスとの混
合ガス等）の吹き出し用のシャワーヘッド８を持つ構造
になっている。ヒーターステージ１は、半導体基板２の
受け渡し時に必要なホールドピン３を持つ。ホールドピ
ン３には、シール部品４が取り付けてあり、ホールドピ
ン３が通る穴を密閉し、外部と遮断する機構となってい
る。
【００１１】次にホールドピン３の動作環境を説明す
る。ホールドピン３は上下駆動シリンダ５により一定圧
で動作を行う。ホールドピン３の下方には遮光板６があ
り、ある位置まで下降すると位置検知器７により遮光板
６の位置、即ちホールドピン３の下降位置を感知し、コ
ントローラ９はホールドピン３の動作を停止させ、同時
にアラームとして検出できる。
る。ホールドピン３は上下駆動シリンダ５により一定圧
で動作を行う。ホールドピン３の下方には遮光板６があ
り、ある位置まで下降すると位置検知器７により遮光板
６の位置、即ちホールドピン３の下降位置を感知し、コ
ントローラ９はホールドピン３の動作を停止させ、同時
にアラームとして検出できる。
【００１２】次に本形態例の動作について説明する。ま
ず、ホールドピン３の上端３ａがヒーターステージ１の
上に上昇した位置でホールドピン３上に半導体基板２が
受け取られる。次いで、上下駆動シリンダ５によりホー
ルドピン３を一定圧で下降させる。この下降により、半
導体基板２はヒーターステージ１上に載り、半導体基板
２とシール部品４との間の孔空間は密封状態になる。ホ
ールドピン３は一定圧で下降し続けているため、孔空間
は低圧となり、上下駆動シリンダ５の下降圧力に逆らう
力が働き、それらが等しくなった時、ホールドピン３の
動きは停止する。
ず、ホールドピン３の上端３ａがヒーターステージ１の
上に上昇した位置でホールドピン３上に半導体基板２が
受け取られる。次いで、上下駆動シリンダ５によりホー
ルドピン３を一定圧で下降させる。この下降により、半
導体基板２はヒーターステージ１上に載り、半導体基板
２とシール部品４との間の孔空間は密封状態になる。ホ
ールドピン３は一定圧で下降し続けているため、孔空間
は低圧となり、上下駆動シリンダ５の下降圧力に逆らう
力が働き、それらが等しくなった時、ホールドピン３の
動きは停止する。
【００１３】ホールドピン３上に正しく半導体基板２が
載らなかった場合は、ホールドピン３は一定圧で下降を
行うが、下降圧力に逆らう力が働かないため、本来停止
すべき位置より更に下降する。すると遮光板６が、位置
検知器（例えば、遮光センサー）７の位置まで来るた
め、位置検知器７は検出信号をコントローラ９へ送り、
これによりコントローラ９は、上下駆動シリンダ５の動
作を停止させ、同時に半導体基板吸着異常として、モニ
ター又はブザー等の警報機１０を使いアラームを発生さ
せる。
載らなかった場合は、ホールドピン３は一定圧で下降を
行うが、下降圧力に逆らう力が働かないため、本来停止
すべき位置より更に下降する。すると遮光板６が、位置
検知器（例えば、遮光センサー）７の位置まで来るた
め、位置検知器７は検出信号をコントローラ９へ送り、
これによりコントローラ９は、上下駆動シリンダ５の動
作を停止させ、同時に半導体基板吸着異常として、モニ
ター又はブザー等の警報機１０を使いアラームを発生さ
せる。
【００１４】次に本例の製造用装置を用いて半導体装置
を製造する方法について説明する。ヒーターステージ１
の上面１ｂより上に、半導体ホールドピン３を移動させ
て、ホールドピン３の上面３ａ上に半導体基板２を載せ
る。そして、チャンバー１５内を排気し、ホールドピン
３を下降させてその上面３ａをヒーターステージ１の上
面より下方に移動させて、半導体基板２をヒーターステ
ージ１の上面１ｂに吸着により固定する。ヒーターステ
ージ１内に形成された孔１ａ内を下降した半導体ホール
ドピン３は所定位置で下降停止する。そして、チャンバ
ー１５内にシランガスなどの反応ガスを導入し、吸着保
持された半導体基板２に、ヒーター（不図示）の熱をヒ
ーターステージ１を介して伝えながら、半導体基板２上
に層を形成することで半導体装置を製造する。層形成
後、反応に使用されたガスを排気孔より排気する。
を製造する方法について説明する。ヒーターステージ１
の上面１ｂより上に、半導体ホールドピン３を移動させ
て、ホールドピン３の上面３ａ上に半導体基板２を載せ
る。そして、チャンバー１５内を排気し、ホールドピン
３を下降させてその上面３ａをヒーターステージ１の上
面より下方に移動させて、半導体基板２をヒーターステ
ージ１の上面１ｂに吸着により固定する。ヒーターステ
ージ１内に形成された孔１ａ内を下降した半導体ホール
ドピン３は所定位置で下降停止する。そして、チャンバ
ー１５内にシランガスなどの反応ガスを導入し、吸着保
持された半導体基板２に、ヒーター（不図示）の熱をヒ
ーターステージ１を介して伝えながら、半導体基板２上
に層を形成することで半導体装置を製造する。層形成
後、反応に使用されたガスを排気孔より排気する。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置製造用装置はステージとホールドピンとの間をシール
したことにより、半導体基板とシール部品間がホールド
ピンを下降させるほど高真空になり、半導体基板をステ
ージに吸着させることができるので、ポンプを使わず
に、半導体基板を容易にステージに吸着させることがで
きる。また、下降異常検出用の位置検知器を設けておけ
ば、ホールドピンの下降を所定位置で停止できるので、
半導体基板無し、半導体基板の位置ズレなどの搬送異常
を容易に検出できる。
置製造用装置はステージとホールドピンとの間をシール
したことにより、半導体基板とシール部品間がホールド
ピンを下降させるほど高真空になり、半導体基板をステ
ージに吸着させることができるので、ポンプを使わず
に、半導体基板を容易にステージに吸着させることがで
きる。また、下降異常検出用の位置検知器を設けておけ
ば、ホールドピンの下降を所定位置で停止できるので、
半導体基板無し、半導体基板の位置ズレなどの搬送異常
を容易に検出できる。
【図１】 本発明の一実施形態例の半導体製造装置の断
面図である。
面図である。
１・・ステージ（ヒーターステージ）、１ａ・・孔、１
ｂ・・ステージ上面、２・・半導体基板、３・・ホール
ドピン、３ａ・・ホールドピン上面、４・・シール部
品、５・・上下駆動シリンダ、６・・遮光板、７・・位
置検知器、８・・シャワーヘッド、 ９・・コントロー
ラ、１０・・警報機、１５・・チャンバー
ｂ・・ステージ上面、２・・半導体基板、３・・ホール
ドピン、３ａ・・ホールドピン上面、４・・シール部
品、５・・上下駆動シリンダ、６・・遮光板、７・・位
置検知器、８・・シャワーヘッド、 ９・・コントロー
ラ、１０・・警報機、１５・・チャンバー
【手続補正書】
【提出日】平成１１年４月１６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置製造
用装置は、半導体基板を保持するステージと、該ステー
ジに形成された孔に挿通され、その上面がステージの上
面より上方に移動し且つステージの上面より下方に移動
して上下動するホールドピンとをチャンバ内に有すると
ともに、前記孔とホールドピンとの間がシールされてい
る装置である。半導体装置製造用装置に、ホールドピン
の位置を検知する位置検知器が設けられていることが好
ましい。
用装置は、半導体基板を保持するステージと、該ステー
ジに形成された孔に挿通され、その上面がステージの上
面より上方に移動し且つステージの上面より下方に移動
して上下動するホールドピンとをチャンバ内に有すると
ともに、前記孔とホールドピンとの間がシールされてい
る装置である。半導体装置製造用装置に、ホールドピン
の位置を検知する位置検知器が設けられていることが好
ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【発明の実施の形態】図１は、この発明の半導体装置製
造用装置の一実施形態例を示す断面図であって、該装置
をＣＶＤ装置として用いた場合を示す。該製造用装置
は、半導体基板２を保持して加熱するヒーターステージ
１と、該ヒーターステージ１に形成された貫通孔１ａに
挿通され、上面３ａがヒーターステージ１の上面１ｂよ
り上方に移動し且つヒーターステージ１の上面１ｂより
下方に移動して上下動するホールドピン３とをチャンバ
１５内に有するとともに、前記貫通孔１ａとホールドピ
ン３との間が孔１ａに装着されたシール部品４によりシ
ール（密封）されてチャンバ１５内の空間とチャンバ１
５外の空間とが遮断されている製造用装置であって、ホ
ールドピン３の上面３ａがヒーターステージ１の上面１
ｂより上方に移動した状態でホールドピン３の上面３ａ
上に半導体基板２が載置され、ホールドピン３の上面３
ａがヒーターステージ１の上面１ｂより下方に移動した
状態でホールドピン３の上面３ａ上に載置されていた半
導体基板２がヒーターステージ１の上面に吸着保持され
る製造用装置である。
造用装置の一実施形態例を示す断面図であって、該装置
をＣＶＤ装置として用いた場合を示す。該製造用装置
は、半導体基板２を保持して加熱するヒーターステージ
１と、該ヒーターステージ１に形成された貫通孔１ａに
挿通され、上面３ａがヒーターステージ１の上面１ｂよ
り上方に移動し且つヒーターステージ１の上面１ｂより
下方に移動して上下動するホールドピン３とをチャンバ
１５内に有するとともに、前記貫通孔１ａとホールドピ
ン３との間が孔１ａに装着されたシール部品４によりシ
ール（密封）されてチャンバ１５内の空間とチャンバ１
５外の空間とが遮断されている製造用装置であって、ホ
ールドピン３の上面３ａがヒーターステージ１の上面１
ｂより上方に移動した状態でホールドピン３の上面３ａ
上に半導体基板２が載置され、ホールドピン３の上面３
ａがヒーターステージ１の上面１ｂより下方に移動した
状態でホールドピン３の上面３ａ上に載置されていた半
導体基板２がヒーターステージ１の上面に吸着保持され
る製造用装置である。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板を保持するステージと、該ス
テージに形成された孔に挿通され、その上面がステージ
の上面より上方に移動し且つステージの上面より下方に
移動して上下動するホールドピンとをチャンバ内に有す
るとともに、ステージとホールドピンとの間がシールさ
れていることを特徴とする半導体装置製造用装置。 - 【請求項２】 ホールドピンの位置を検知する位置検知
器が設けられていることを特徴とする請求項１記載の半
導体装置製造用装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10097854A JPH11297800A (ja) | 1998-04-09 | 1998-04-09 | 半導体装置製造用装置 |
| US09/288,496 US6139682A (en) | 1998-04-09 | 1999-04-08 | Processing apparatus for manufacturing semiconductors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10097854A JPH11297800A (ja) | 1998-04-09 | 1998-04-09 | 半導体装置製造用装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11297800A true JPH11297800A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=14203337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10097854A Pending JPH11297800A (ja) | 1998-04-09 | 1998-04-09 | 半導体装置製造用装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6139682A (ja) |
| JP (1) | JPH11297800A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106340478A (zh) * | 2016-10-09 | 2017-01-18 | 无锡宏纳科技有限公司 | 晶圆喷淋装置的支撑台 |
Families Citing this family (9)
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