KR20000003211A - 로드 락 챔버의 가스 공급 시스템 - Google Patents

로드 락 챔버의 가스 공급 시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명의 로드 락 챔버의 가스 공급 시스템은, 로드 락 챔버 내부를 진공 상태로 유지하기 위한 펌핑 라인과, 로드 락 챔버 내의 압력을 조절하기 위하여 로드 락 챔버로 질소 가스를 공급하는 벤팅 라인, 및 로드 락 챔버 내의 웨이퍼상에 잔류한 염소 흄을 제거하기 위하여 로드 락 챔버 내로 소정의 퍼징 가스를 공급하는 퍼징 라인을 구비한다.

Description

로드 락 챔버의 가스 공급 시스템
본 발명은 반도체 장치의 제조 장치에 관한 것으로서, 특히 로드 락 챔버(load lock chamber)의 가스 공급 시스템에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중, 실리콘층 또는 금속층을 건식 식각하기 위한 프로세서 챔버에서는 공정의 특성상 부식성 가스를 많이 사용하고 있다. 따라서, 공정을 마치고 프로세서 챔버로부터 로드 락 챔버로 이송된 반도체 웨이퍼에는 부식용 가스의 일정양이 포함된다. 이와 같은 부식성 가스 중에서, 특히 염소(Cl) 가스는 로드 락 챔버 내에 대기중인 웨이퍼로 확산되어 대기중인 다른 웨이퍼 표면을 부식시킬 수 있다.
도 1은 종래의 로드 락 챔버와 그 가스 공급 시스템을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 로드 락 챔버(100)에는 펌핑 라인(110) 및 벤팅 라인(120)을 포함하는 가스 공급 시스템이 연결되어 있다. 즉, 로드 락 챔버(100)의 일면에는 로드 락 챔버(100) 내의 기압을 일정하게 유지하기 위한 펌핑 라인(110)과, 로드 락 챔버(100)로 질소(N2) 가스와 같은 벤팅용 가스를 공급하기 위한 벤팅 라인(120)이 연결되어 있다. 펌핑 라인(110)은 메인 포라인(main forline) 밸브(110a)의 오픈에 따른 패스트 펌핑 동작을 수행하거나, 슬로우(slow) 포라인 밸브(110b)의 오픈에 따른 슬로우 펌핑 동작을 수행한다. 그리고 벤팅 라인(120)은 패스트 벤팅 밸브(120a)의 오픈에 따른 패스트 벤팅 동작을 수행하거나, 슬로우 벤팅 밸브(120b)의 오픈에 따른 슬로우 벤팅 동작을 수행한다. 한편, 슬로우 포라인 밸브(110b) 및 슬로우 벤팅 밸브(120b)에는 각각 니들 밸브(미도시)가 부착되어 가스 공급량을 수동으로 조절할 수 있다.
그런데, 이와 같은 로드 락 챔버의 가스 공급 시스템에서는 공정을 마치고 로드 락 챔버(100)로 이송된 웨이퍼에 포함된 염소 가스에 의해 대기중인 다른 웨이퍼에서 부식 현상이 발생되는 문제가 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위하여, 공정을 마치고 로드 락 챔버로 이송된 웨이퍼에 포함된 염소 가스를 퍼징할 수 있는 로드 락 챔버의 가스 공급 시스템을 제공하는데 있다.
도 1은 종래의 로드 락 챔버의 가스 공급 시스템을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 로드 락 챔버의 가스 공급 시스템을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 도 2의 가스 공급 시스템의 퍼징 라인의 일단부와 로드 락 챔버와의 연결을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 도 2의 가스 공급 시스템의 동작 과정을 설명하기 위한 타이밍도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100...로드 락 챔버 110, 210...펌핑 라인
110a, 210a...메인 포라인 밸브 110b, 210b...슬로우 포라인 밸브
120, 220...벤팅 라인 120a, 220a...패스트 벤팅 밸브
120b, 220b...슬로우 벤팅 밸브 230...퍼징 라인
230a...퍼징 밸브 230b...니들 밸브
310...제1 조인트 320...제2 조인트
330...바이실(byseal)
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 로드 락 챔버의 가스 공급 시스템은, 로드 락 챔버 내부를 진공 상태로 유지하기 위한 펌핑 라인과, 상기 로드 락 챔버 내의 압력을 조절하기 위하여 상기 로드 락 챔버로 질소 가스를 공급하는 벤팅 라인, 및 상기 로드 락 챔버 내의 웨이퍼상에 잔류한 염소 흄을 제거하기 위하여 상기 로드 락 챔버 내로 소정의 퍼징 가스를 공급하는 퍼징 라인을 구비하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 퍼징 가스는 질소 가스이고, 상기 퍼징 라인은 상기 벤팅 라인으로부터 분기된 라인이며, 그리고 상기 퍼징 라인의 구동을 위한 에어 라인은 상기 펌핑 라인의 에어 라인에 공통인 것이 바람직하다.
또한, 상기 퍼징 라인의 일단부는 상기 로드 락 챔버의 상부에 연결된 것이 바람직하며, 상기 퍼징 라인을 통하여 상기 로드 락 챔버 내로 공급되는 퍼징 가스의 공급량을 조절하기 위한 니들 밸브를 더 구비하는 것이 바람직하다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 로드 락 챔버의 가스 공급 시스템을 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 가스 공급 시스템은 펌핑 라인(210), 벤팅 라인(220) 및 퍼징 라인(230)을 포함하여 구성된다. 여기서, 펌핑 라인(210)은 로드 락 챔버(100) 내부를 진공 상태로 유지하기 위한 펌핑 동작을 수행하고, 벤팅 라인(220)은 로드 락 챔버(100) 내의 압력을 조절하기 위하여 로드 락 챔버(100)로 질소 가스를 공급하며, 그리고 퍼징 라인(230)은 로드 락 챔버(100) 내의 웨이퍼상에 잔류한 염소 흄을 제거하기 위하여 로드 락 챔버(100) 내로 소정의 퍼징 가스를 공급한다.
상기 펌핑 라인(211)은 메인 포라인(main forline) 밸브(210a)의 오픈에 따른 패스트 펌핑 동작을 수행하거나, 슬로우(slow) 펌핑 밸브(210b)의 오픈에 따른 슬로우 펌핑 동작을 수행한다. 그리고 벤팅 라인(220)은 패스트 벤팅 밸브(220a)의 오픈에 따른 패스트 벤팅 동작을 수행하거나, 슬로우 벤팅 밸브(220b)의 오픈에 따른 슬로우 벤팅 동작을 수행한다. 한편, 슬로우 펌핑 밸브(210b) 및 슬로우 벤팅 밸브(220b)에는 각각 니들 밸브(미도시)가 부착되어 가스 공급량을 수동으로 조절할 수 있다.
퍼징 라인(230)은 공정을 마치고 로드 락 챔버(100)로 이송된 웨이퍼와 함께 들어온 염소 가스를 제거하기 위한 것으로서, 퍼징용 가스를 일정 시간 동안 로드 락 챔버(100) 내로 공급한다. 이를 위하여, 로드 락 챔버(100) 내로 퍼징용 가스가 공급되도록 퍼징 라인(230)의 일단부가 로드 락 챔버(100)의 일면을 관통하도록 한다. 특히, 로드 락 챔버(100)의 펌핑 라인(210)으로의 배기구가 형성된 면(도면의 하면)과 반대인 면(도면의 상면)에 퍼징 라인(230)을 연결시키면 퍼징 효율을 증대시킬 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 상기 퍼징용 가스로서 질소 가스를 사용하는 것이 바람직하며, 이 경우에 벤팅 라인(220)와 분기된 라인을 퍼징 라인(230)으로 사용할 수 있다. 퍼징 라인(230)은 퍼징 밸브(230a)에 의해 개폐 동작을 제어할 수 있으며, 니들 밸브(230b)에 의해 그 공급량을 조절할 수 있다.
한편, 도면 상에는 나타나지 않았지만, 퍼징 라인(230)의 구동을 위한 에어 라인(미도시)은 독립적으로 설치할 수도 있으며, 펌핑 라인(210)의 에어 라인(미도시)과 공통이 되도록 하여 펌핑 라인(210)이 구동되면 함께 구동되도록 할 수도 있다.
도 3은 퍼징 라인(230)의 일단부가 로드 락 챔버(100)를 관통한 부분을 나타내 보인 도면으로서, 퍼징 라인(230)의 일단부는 제1 조인트(310)에 의해 로드 락 챔버(100)의 외부에서 고정된다. 이 퍼징 라인(230)을 통해 공급되는 퍼징용 질소 가스는 로드 락 챔버(100)를 관통하여 내부의 바이실(byseal)(330)을 통해 로드 락 챔버(100) 내로 확산된다. 이 때, 바이실(300)의 둘레에는 미세한 분사구가 형성되어 있어서, 도면에 화살표로 나타낸 바와 같이 로드 락 챔버(100) 내로 확산한다. 바이실(330)은 로드 락 챔버(100)의 내부에서 제2 조인트(320)에 의해 고정된다.
이와 같이 구성된 로드 락 챔버의 가스 공급 시스템의 동작 과정을 도 4에 도시된 타이밍도를 참조하면서 설명하면 다음과 같다.
먼저, 시점 T1에서, 로드 락 챔버(100)의 문이 열리면 복수개의 웨이퍼들이 로드 락 챔버(100) 내로 공급된다. 그리고, 일정한 시간(예를 들면, 6초)이 경과하여 로드 락 챔버(100)의 문이 닫히면, 이어서 시점 T2에서 슬로우 포라인 밸브(210b)가 열린다. 슬로우 포라인 밸브(210b)가 열리면, 펌핑 라인(210)을 통한 슬로우 펌핑이 수행되어, 로드 락 챔버(100) 내부의 압력이 다시 고진공이 되도록 한다. 일반적으로 슬로우 펌핑 동작은 165초 동안 지속되어 로드 락 챔버(100) 내부의 압력이 160,000mT가 되도록 한다. 이어서, 시점 T3에서, 메인 포라인 밸브(210a)가 오픈되어 패스트 펌핑 동작이 수행된다. 그리고, 동시에 퍼징 밸브(230a)가 오픈되어 퍼징용 질소 가스를 로드 락 챔버 내에 공급한다. 일반적으로, 패스트 펌핑 동작 및 퍼징용 질소 가스 공급 동작은 약 33초 동안 지속되어 로드 락 챔버(100) 내부의 압력이 450mT가 되도록 한다. 이와 같은 동작이 완료된 후, 시점 T4에서 슬릿 밸브(미도시; 로드 락 챔버와 버퍼용 챔버와의 격리를 위한 밸브)가 오픈되면, 로드 락 챔버(100) 내의 웨이퍼들이 버퍼용 챔버(미도시)로 이송되거나, 식각 공정을 마친 웨이퍼들이 버퍼용 챔버(미도시)를 통해 다시 로드 락 챔버(100)로 이송된다. 그러면, 다시 시점 T5에서, 메인 포라인 밸브(210a)가 오픈되어 부가적인 펌핑 동작을 수행한다. 그리고, 동시에 퍼징 밸브(230a)가 오픈되어 퍼징용 질소 가스를 로드 락 챔버 내에 공급한다. 일반적으로, 부가적인 패스트 펌핑 동작 및 퍼징용 질소 가스 공급 동작은 약 20초 동안 지속된다.
다음에, 일정 시간이 지난 뒤에 시점 T6에서 슬릿 밸브가 개폐되면, 시점 T7에서 메인 포라인 밸브(210a)가 오픈되어 부가 펌핑 동작을 수행한다. 그리고, 동시에 퍼징 밸브(230a)가 오픈되어 퍼징용 질소 가스를 로드 락 챔버 내에 공급한다. 일반적으로, 부가적인 패스트 펌핑 동작 및 퍼징용 질소 가스 공급 동작은 약 20초 동안 지속된다. 그리고 시점 T8에서 슬로우 벤팅 벨브(220b)가 오픈되어 벤팅용 질소 가스가 로드 락 챔버(100)로 공급된다. 일반적으로 벤팅용 질소 가스 공급은 255초 동안 지속되어 로드 락 챔버(100) 내의 압력이 500,000mT가 되도록 한다. 그리고 이어서 시점 T9에서는 패스트 벤팅 밸브(220a)가 오픈되어 패스트 벤팅 동작이 수행되는데, 일반적으로 패스트 벤팅 동작은 20초 동안 지속되어 로드 락 챔버(100) 내의 압력이 760,000mT가 되도록 한다. 다음에, 로드 락 챔버(100)의 문이 개폐되면, 앞서 설명한 바와 같은 동작이 반복되어 수행된다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형이 가능하다.
이상의 설명에서와 같이, 본 발명에 따른 로드 락 챔버의 가스 공급 시스템은 퍼징용 가스 공급 라인을 구비하므로, 공정을 끝내고 로드 락 챔버로 이송된 웨이퍼들에 잔류한 염소 기체에 의한 다른 웨이퍼들의 부식이 방지된다.

Claims (6)

  1. 로드 락 챔버 내부를 진공 상태로 유지하기 위한 펌핑 라인;
    상기 로드 락 챔버 내의 압력을 조절하기 위하여 상기 로드 락 챔버로 질소 가스를 공급하는 벤팅 라인; 및
    상기 로드 락 챔버 내의 웨이퍼 상에 잔류한 염소 흄을 제거하기 위하여 상기 로드 락 챔버 내로 소정의 퍼징 가스를 공급하는 퍼징 라인을 구비하는 것을 특징으로 하는 로드 락 챔버의 가스 공급 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 퍼징 가스는 질소 가스인 것을 특징으로 하는 로드 락 챔버의 가스 공급 시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 퍼징 라인은 상기 벤팅 라인으로부터 분기된 라인인 것을 특징으로 하는 로드 락 챔버의 가스 공급 시스템.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 퍼징 라인의 구동을 위한 에어 라인은 상기 펌핑 라인의 에어 라인에 공통인 것을 특징으로 하는 로드 락 챔버의 가스 공급 시스템.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 퍼징 라인의 일단부는 상기 로드 락 챔버의 상부에 연결된 것을 특징으로 하는 로드 락 챔버의 가스 공급 시스템.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 퍼징 라인을 통하여 상기 로드 락 챔버 내로 공급되는 퍼징 가스의 공급량을 조절하기 위한 니들 밸브를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 로드 락 챔버의 가스 공급 시스템.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100364656B1 (ko) * 2000-06-22 2002-12-16 삼성전자 주식회사 실리사이드 증착을 위한 화학 기상 증착 방법 및 이를수행하기 위한 장치
KR100470998B1 (ko) * 2002-10-22 2005-03-10 삼성전자주식회사 반도체소자 제조설비의 로드락챔버에서 진공형성방법
KR100905292B1 (ko) * 2002-10-16 2009-07-02 삼성전자주식회사 드라이 스크러버의 퍼징라인 구조
KR20180078886A (ko) * 2016-12-30 2018-07-10 주식회사 테스 기판처리장치의 기판 언로딩 방법
KR102088210B1 (ko) * 2020-01-31 2020-03-12 (주)아이솔루션 반도체 공정 챔버의 벤트 조절 장치

Cited By (6)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100364656B1 (ko) * 2000-06-22 2002-12-16 삼성전자 주식회사 실리사이드 증착을 위한 화학 기상 증착 방법 및 이를수행하기 위한 장치
KR100905292B1 (ko) * 2002-10-16 2009-07-02 삼성전자주식회사 드라이 스크러버의 퍼징라인 구조
KR100470998B1 (ko) * 2002-10-22 2005-03-10 삼성전자주식회사 반도체소자 제조설비의 로드락챔버에서 진공형성방법
KR20180078886A (ko) * 2016-12-30 2018-07-10 주식회사 테스 기판처리장치의 기판 언로딩 방법
KR102088210B1 (ko) * 2020-01-31 2020-03-12 (주)아이솔루션 반도체 공정 챔버의 벤트 조절 장치
KR20210098294A (ko) * 2020-01-31 2021-08-10 주식회사 아이에스케이 반도체 공정 챔버의 벤트 조절 장치

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