JP3207993B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP3207993B2 JP3207993B2 JP35099193A JP35099193A JP3207993B2 JP 3207993 B2 JP3207993 B2 JP 3207993B2 JP 35099193 A JP35099193 A JP 35099193A JP 35099193 A JP35099193 A JP 35099193A JP 3207993 B2 JP3207993 B2 JP 3207993B2
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- Japan
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- reaction chamber
- susceptor
- main exhaust
- double seal
- semiconductor manufacturing
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置に係り、
特に反応室内に上下動可能に設置されるサセプタを備え
た半導体製造装置に関する。
特に反応室内に上下動可能に設置されるサセプタを備え
た半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から反応室内に上下動可能に設置さ
れたサセプタを具備した半導体製造装置は知られてい
る。図４は従来の半導体製造装置の全体構成を示す断面
図である。反応室１は、図４に示されるように、プロセ
スガスを反応室１内に供給するガス導入部２を具備して
いる。また反応室１内には半導体ウエハ３を支持するサ
セプタ４が設置されており、このサセプタ４はサセプタ
軸５によって上下動可能に支持されている。サセプタ軸
５は反応室１を貫通して延びており、この貫通部には二
重シール６が設置されている。また反応室１は主排気管
７を介して真空ポンプ８に接続されている。
れたサセプタを具備した半導体製造装置は知られてい
る。図４は従来の半導体製造装置の全体構成を示す断面
図である。反応室１は、図４に示されるように、プロセ
スガスを反応室１内に供給するガス導入部２を具備して
いる。また反応室１内には半導体ウエハ３を支持するサ
セプタ４が設置されており、このサセプタ４はサセプタ
軸５によって上下動可能に支持されている。サセプタ軸
５は反応室１を貫通して延びており、この貫通部には二
重シール６が設置されている。また反応室１は主排気管
７を介して真空ポンプ８に接続されている。
【０００３】しかして、サセプタ４上に半導体ウエハ３
を載置し、ガス導入部２から反応室１内にプロセスガス
を導入して反応を行わせる。この際、サセプタ４を上下
に動かす場合、サセプタ４の貫通部は反応室内が真空、
室外が大気圧のため、前述したように二重シール６を設
置している。
を載置し、ガス導入部２から反応室１内にプロセスガス
を導入して反応を行わせる。この際、サセプタ４を上下
に動かす場合、サセプタ４の貫通部は反応室内が真空、
室外が大気圧のため、前述したように二重シール６を設
置している。
【０００４】前記二重シール６は、図５に示すように、
真空側に設置されたシール９と、大気側に設置されたシ
ール１０とを具備し、シール９，１０間の中間部１１は
シール部排気管１２を介して前記真空ポンプ８に接続さ
れている。これによって大気側から中間部１１に大気が
漏れ込んでも、中間部１１内をシール部排気管１２を介
して真空ポンプ８によって排気することにより、大気の
反応室１への混入を少なくする工夫がなされている。
真空側に設置されたシール９と、大気側に設置されたシ
ール１０とを具備し、シール９，１０間の中間部１１は
シール部排気管１２を介して前記真空ポンプ８に接続さ
れている。これによって大気側から中間部１１に大気が
漏れ込んでも、中間部１１内をシール部排気管１２を介
して真空ポンプ８によって排気することにより、大気の
反応室１への混入を少なくする工夫がなされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
製造装置においては、前記二重シールの採用により、反
応室への大気混入はかなり避けられるが、大気がシール
部排気管１２の中に混入することは避けられなかった。
この場合、大気中には必ず水分が含まれているため、二
重シールの排気は主排気と共用する場合が多いことか
ら、プロセスガスと大気中の水分が共存してしまい、問
題を起こすことがあった。例えば、プロセスガスにシラ
ン（ＳｉＨ4 ）を用いる場合、水分があると反応して固
形の酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）を発生し、真空ポンプ内
を閉塞させるという問題が起こる。
製造装置においては、前記二重シールの採用により、反
応室への大気混入はかなり避けられるが、大気がシール
部排気管１２の中に混入することは避けられなかった。
この場合、大気中には必ず水分が含まれているため、二
重シールの排気は主排気と共用する場合が多いことか
ら、プロセスガスと大気中の水分が共存してしまい、問
題を起こすことがあった。例えば、プロセスガスにシラ
ン（ＳｉＨ4 ）を用いる場合、水分があると反応して固
形の酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）を発生し、真空ポンプ内
を閉塞させるという問題が起こる。
【０００６】本発明は上述の事情に鑑みなされたもの
で、二重シールの中間部から主排気に水分が混入するこ
とを防止することができる半導体製造装置を提供するこ
とを目的とする。
で、二重シールの中間部から主排気に水分が混入するこ
とを防止することができる半導体製造装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ため本発明の第１の態様は、反応室内に上下動可能に設
置される半導体ウエハを支持するサセプタと、該サセプ
タを支持する支持軸の貫通部に設置された二重シール
と、前記反応室内を排気する主排気ポンプとを備えた半
導体製造装置において、前記二重シールの中間部を前記
主排気ポンプに連通させるとともに該二重シールの大気
側に不活性ガス導入部を設け、該不活性ガス導入部より
前記中間部に漏れ込んだ不活性ガスを前記主排気ポンプ
で排気するようにしたことを特徴とするものである。
ため本発明の第１の態様は、反応室内に上下動可能に設
置される半導体ウエハを支持するサセプタと、該サセプ
タを支持する支持軸の貫通部に設置された二重シール
と、前記反応室内を排気する主排気ポンプとを備えた半
導体製造装置において、前記二重シールの中間部を前記
主排気ポンプに連通させるとともに該二重シールの大気
側に不活性ガス導入部を設け、該不活性ガス導入部より
前記中間部に漏れ込んだ不活性ガスを前記主排気ポンプ
で排気するようにしたことを特徴とするものである。
【０００８】また本発明の第２の態様は反応室内に上下
動可能に設置される半導体ウエハを支持するサセプタ
と、該サセプタを支持する支持軸の貫通部に設置された
二重シールと、前記反応室内を排気する主排気ポンプと
を備えた半導体製造装置において、前記二重シールの中
間部を水分除去装置を介して前記主排気ポンプに連通さ
せたことを特徴とするものである。
動可能に設置される半導体ウエハを支持するサセプタ
と、該サセプタを支持する支持軸の貫通部に設置された
二重シールと、前記反応室内を排気する主排気ポンプと
を備えた半導体製造装置において、前記二重シールの中
間部を水分除去装置を介して前記主排気ポンプに連通さ
せたことを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】本発明の第１の態様によれば、二重シールの大
気側に不活性ガス導入部を設けたため、二重シールの中
間部には不活性ガスのみが漏れ込み、大気がこの中間部
に漏れ込むことがないため、主排気に大気が混入するこ
とがなく、主排気への水分の混入を防止することができ
る。
気側に不活性ガス導入部を設けたため、二重シールの中
間部には不活性ガスのみが漏れ込み、大気がこの中間部
に漏れ込むことがないため、主排気に大気が混入するこ
とがなく、主排気への水分の混入を防止することができ
る。
【００１０】また本発明の第２の態様によれば、二重シ
ールの中間部に大気側から大気が漏れ込んだとしても、
この大気中の水分は水分除去装置によって除去されるた
め、主排気に水分が混入することがない。
ールの中間部に大気側から大気が漏れ込んだとしても、
この大気中の水分は水分除去装置によって除去されるた
め、主排気に水分が混入することがない。
【００１１】
【実施例】以下、本発明に係る半導体製造装置の一実施
例を図１及び図２を参照して説明する。図１及び図２に
おいて、図４及び図５と同一の作用及び機能を有する構
成要素は同一の符号を用いて説明する。
例を図１及び図２を参照して説明する。図１及び図２に
おいて、図４及び図５と同一の作用及び機能を有する構
成要素は同一の符号を用いて説明する。
【００１２】半導体製造装置は、図１に示されるように
反応室１を備えており、この反応室１はプロセスガスを
反応室１内に供給するガス導入部２を具備している。ま
た反応室１内には半導体ウエハ３を支持するサセプタ４
が設置されており、このサセプタ４はサセプタ軸５によ
って上下動可能に支持されている。サセプタ軸５は反応
室１を貫通して延びており、この貫通部には二重シール
６が設置されている。また反応室１は主排気管７を介し
て真空ポンプ８に接続されている。
反応室１を備えており、この反応室１はプロセスガスを
反応室１内に供給するガス導入部２を具備している。ま
た反応室１内には半導体ウエハ３を支持するサセプタ４
が設置されており、このサセプタ４はサセプタ軸５によ
って上下動可能に支持されている。サセプタ軸５は反応
室１を貫通して延びており、この貫通部には二重シール
６が設置されている。また反応室１は主排気管７を介し
て真空ポンプ８に接続されている。
【００１３】前記二重シール６は、図２に示すように、
真空側に設置されたシール９と、大気側に設置されたシ
ール１０とを具備し、シール９，１０間の中間部１１は
シール部排気管１２を介して前記真空ポンプ８に接続さ
れている。また二重シール６の大気側には不活性ガス導
入部１３が設置されるとともに、この不活性ガス導入部
１３の大気側にシール１４が設置されている。
真空側に設置されたシール９と、大気側に設置されたシ
ール１０とを具備し、シール９，１０間の中間部１１は
シール部排気管１２を介して前記真空ポンプ８に接続さ
れている。また二重シール６の大気側には不活性ガス導
入部１３が設置されるとともに、この不活性ガス導入部
１３の大気側にシール１４が設置されている。
【００１４】前述した構成からなる本発明によれば、不
活性ガス導入部１３から導入された不活性ガスはシール
１４を介して大気側に漏れるとともに、シール１０を通
過して二重シール６の中間部１１に漏れ込む。しかしな
がら、この中間部１１に漏れ込んだ不活性ガスはシール
部排気管１２を介して真空ポンプ８によって排気され
る。したがって、反応室１内の主排気に大気が混入する
恐れがないので、主排気に水分が混入することを防止す
ることができる。
活性ガス導入部１３から導入された不活性ガスはシール
１４を介して大気側に漏れるとともに、シール１０を通
過して二重シール６の中間部１１に漏れ込む。しかしな
がら、この中間部１１に漏れ込んだ不活性ガスはシール
部排気管１２を介して真空ポンプ８によって排気され
る。したがって、反応室１内の主排気に大気が混入する
恐れがないので、主排気に水分が混入することを防止す
ることができる。
【００１５】図３は本発明の他の実施例を示す断面図で
ある。本実施例は、図４及び図５に示す従来の半導体製
造装置に水分除去装置を追加した構成を採用している。
即ち、本実施例においては、シール部排気管１２の途中
に水分除去装置を構成するトラップ１５を設置してい
る。トラップ１５は、例えば、シリカゲルのような真空
中でも物理的吸着性能を有する吸着剤を充填した容器か
らなっている。二重シール６の構成は図５と同一であ
る。
ある。本実施例は、図４及び図５に示す従来の半導体製
造装置に水分除去装置を追加した構成を採用している。
即ち、本実施例においては、シール部排気管１２の途中
に水分除去装置を構成するトラップ１５を設置してい
る。トラップ１５は、例えば、シリカゲルのような真空
中でも物理的吸着性能を有する吸着剤を充填した容器か
らなっている。二重シール６の構成は図５と同一であ
る。
【００１６】したがって、本実施例によれば、シール１
０を通過して二重シール６の中間部１１に漏れ込んだ大
気は、シール部排気管１２を介して真空ポンプ８に吸引
されるが、この際、トラップ１５によって大気中の水分
は除去されるため、主排気に水分が混入する恐れがな
い。なお、水分除去装置は大気を冷却して水分の分離す
る構成のものでもよい。
０を通過して二重シール６の中間部１１に漏れ込んだ大
気は、シール部排気管１２を介して真空ポンプ８に吸引
されるが、この際、トラップ１５によって大気中の水分
は除去されるため、主排気に水分が混入する恐れがな
い。なお、水分除去装置は大気を冷却して水分の分離す
る構成のものでもよい。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、二
重シールの中間部から大気中の水分が主排気に混入する
恐れが全くないため、主排気中のプロセスガスと水分が
反応して問題を起こすことが全くない。
重シールの中間部から大気中の水分が主排気に混入する
恐れが全くないため、主排気中のプロセスガスと水分が
反応して問題を起こすことが全くない。
【図１】本発明に係る半導体製造装置の一実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】図１の要部拡大断面図である。
【図３】本発明に係る半導体製造装置の他の実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】従来の半導体製造装置の断面図である。
【図５】図４の要部拡大断面図である。
１ 反応室 ２ ガス導入部 ３ 半導体ウエハ ４ サセプタ ５ サセプタ軸 ６ 二重シール ７ 主排気管 ８ 真空ポンプ ９，１０，１４ シール １１ 中間部 １２ シール部排気管 １３ 不活性ガス導入部 １５ トラップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) F16J 15/16 - 15/40 H01L 21/205 H01L 21/22 H01L 21/31
Claims (2)
- 【請求項１】 反応室内に上下動可能に設置される半導
体ウエハを支持するサセプタと、該サセプタを支持する
支持軸の貫通部に設置された二重シールと、前記反応室
内を排気する主排気ポンプとを備えた半導体製造装置に
おいて、前記二重シールの中間部を前記主排気ポンプに
連通させるとともに該二重シールの大気側に不活性ガス
導入部を設け、該不活性ガス導入部より前記中間部に漏
れ込んだ不活性ガスを前記主排気ポンプで排気するよう
にしたことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 反応室内に上下動可能に設置される半導
体ウエハを支持するサセプタと、該サセプタを支持する
支持軸の貫通部に設置された二重シールと、前記反応室
内を排気する主排気ポンプとを備えた半導体製造装置に
おいて、前記二重シールの中間部を水分除去装置を介し
て前記主排気ポンプに連通させたことを特徴とする半導
体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35099193A JP3207993B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35099193A JP3207993B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201754A JPH07201754A (ja) | 1995-08-04 |
| JP3207993B2 true JP3207993B2 (ja) | 2001-09-10 |
Family
ID=18414298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35099193A Expired - Fee Related JP3207993B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3207993B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19935293A1 (de) * | 1999-07-27 | 2001-02-01 | Leybold Vakuum Gmbh | Folienlecksuchkammer |
| DE102004051684A1 (de) * | 2004-10-23 | 2006-04-27 | Krauss-Maffei Kunststofftechnik Gmbh | Bearbeitungsvorrichtung mit Hoch- oder Unterdruckkammer |
| JP6416486B2 (ja) * | 2014-03-19 | 2018-10-31 | 国立大学法人東北大学 | 遠心式薄膜蒸発器及び光学材料用脂環構造含有重合体の製造方法 |
| JP6054471B2 (ja) | 2015-05-26 | 2016-12-27 | 株式会社日本製鋼所 | 原子層成長装置および原子層成長装置排気部 |
| JP5990626B1 (ja) | 2015-05-26 | 2016-09-14 | 株式会社日本製鋼所 | 原子層成長装置 |
| JP6054470B2 (ja) | 2015-05-26 | 2016-12-27 | 株式会社日本製鋼所 | 原子層成長装置 |
| JP6050860B1 (ja) | 2015-05-26 | 2016-12-21 | 株式会社日本製鋼所 | プラズマ原子層成長装置 |
| WO2023223991A1 (ja) * | 2022-05-19 | 2023-11-23 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 半導体製造装置のメインテナンス方法 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP35099193A patent/JP3207993B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07201754A (ja) | 1995-08-04 |
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