JPH0195520A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えばドライエツチング装置に使用して好適
な半導体製造装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種の半導体製造装置は第２図に示すように構
成されている。これを同図に基づいて説明すると、同図
において、符号１で示すものは反応ガス導入用の配管２
および真空引き用の配管３を有し石英製のウェハ保持具
４をその内部に収納可能な反応容器、５はこの反応容器
１の開口部６に開閉自在に設けられた蓋体である。なお
、７および８は前記両配管２．３を開閉するバルブ、９
は前記反応容器１と前記蓋体５との間に介装されたシー
ル部材である。また、１０は前記真空引き用の配管３に
接続された真空ポンプ、１１は半導体ウェハである。

このように構成された半導体製造装置においては、反応
容器１内の半導体ウェハ１１に例えば多結晶シリコン膜
をエツチングする場合やエツチング、イオン注入後に不
要になったフォトレジスト膜をアッシングする場合に使
用するものであり、その使用時の手順は次の通りである
。

先ず、半導体ウェハ１１を保持するウェハ保持具４を反
応容器ｌ内に収納して蓋体５によって開口部６を閉塞す
る。次いで、パルプ８を開放して反応容器１内の真空引
きをする。このとき、反応容器１内が減圧されるため、
この圧力と大気圧との差圧によって蓋体５が反応容器１
にシール部材９を介して密着する。しかる後、反応容器
１内の圧力が所定の圧力に達すると、バルブ７の開放に
よって反応ガスを反応容器１内に導入して高周波電圧を
印加する。

このようにして、プラズマエツチングあるいはプラズマ
エツチングを行うことができる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで、この種の半導体製造装置においては、反応容
器１内の真空引き開始直後に、シール部材９と蓋体５間
あるいはシール部材９と反応容器１間から外気中の塵埃
や熱、プラズマで劣化したシール部材９の粉末状の細片
が反応容器ｌ内へ外気と共に吸い込まれ半導体ウェハ１
１の表裏面に付着し、ウェハ処理上の信幀性が低下する
という問題があった。

本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、ウェハ
処理時にウェハ表裏面への塵埃等の付着を防止すること
ができ、もってウェハ処理上の信頼性を向上させること
ができる半導体製造装置を提供するものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明に係る半導体製造装置は、反応容器内のウェハ保
持具と蓋体との間に真空引き用の配管を臨ませたもので
ある。

〔作　用〕

本発明においては、蓋体とウェハ保持具との間に臨む真
空引き用の配管によって外気中の塵埃等を吸い込み、こ
れを反応容器外に排出する。

〔実施例〕

第１図は本発明に係る半導体製造装置を示す断面図で、
同図において第２図と同一の部材については同一の符号
を付し、詳細な説明は省略する。

同図において、符号２１および２２で示すものは真空引
き用の第１．第２配管で、前記反応容器ｌに設けられ、
かつ前記真空ポンプ１０に接続されている。これら両配
管２１．２２には管内を開閉するバルブ２３．２４が各
々設けられている。このうち第１配管２１は、前記反応
容器１内のウェハ保持具４と前記蓋体５との間に臨み、
管壁には多数の吸込口２１ａが設けられている。そして
、この配管２１は真空引き開始時に前記反応容器１内を
減圧し、また前記第２配管２２は反応処理に必要な圧力
に減圧するように構成されている。

このように構成された半導体製造装置においては、蓋体
５とウェハ保持具４との間に臨む真空引き用の第１配管
２１によって外気中の塵埃や劣化したシール部材９の細
片を吸い込むみ、どれを反応容器１の外部に排出させる
ことができる。

したがって、反応容器１内に収納された半導体ウェハ１
１の表裏面への塵埃や細片の付着を防止することができ
る。

次に、本発明における半４体製造装置の使用手順につい
て説明する。

先ず、半導体ウェハ１１を保持するウェハ保持具４を反
応容器１内に収納して蓋体５によって開口部６を閉塞す
る０次いで、バルブ２３を開放して反応容器１内を減圧
する。このとき、反応容器ｌ内の圧力と大気圧の差圧に
よって蓋体５が反応容器１の開口端面にシール部材９を
介して密着すると共に、外気中の塵埃や劣化したシール
部材９の細片を吸い込む。しかる後、バルブ２４を開放
して反応容器１内の圧力を所定の圧力に減圧する。

このとき、バルブ２３および蓋体５によって各々第１配
管２１と反応容器１が閉塞している。そして、バルブ７
の開放によって反応ガスを反応容器ｌ内に導入して高周
波電圧を印加する。

このようにして、プラズマエツチングあるいはプラズマ
アッシングを行うことができる。

なお、本実施例においては、反応容器１内の真空引きを
２つの配管２１．２２によって行う例を示したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、エツチングあるい
はアッシングの均一性を得ることができるならば第１配
管２１のみでも実施例と同様の効果を奏する。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、反応容器内のウェ
ハ保持具と蓋体との間に真空引き用の配管を臨ませたの
で、この真空引き用の配管によって外気中の塵埃等を吸
い込み、これを反応容器の外部に排出させることができ
る。したがって、ウェハ処理時にウェハ表裏面への塵埃
等の付着を防止することができるから、ウェハ処理上の
信頼性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る半導体製造装置を示す断面図、第
２図は従来の半導体製造装置を示す断面図である。 １・・・・反応容器、２・・・・反応ガス導入用の配管
、４・・・・ウェハ保持具、５・・・・蓋体、６・・・
・開口部、１１・・・・半導体ウェハ、２１・・・・真
空引き用の第１配管、２２・・・・真空引き用の第２配
管。 代　　理　　人　　大　岩　増　雄 ※閥ζ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　反応ガス導入用の配管および真空引き用の配管を有し
   ウェハ保持具をその内部に収納可能な反応容器と、この
   反応容器の開口部に開閉自在に設けられた蓋体とを備え
   、この蓋体と前記反応容器内のウェハ保持具との間に前
   記真空引き用の配管を臨ませたことを特徴とする半導体
   製造装置。